JPH05310773A - 2−デオキシストレプタミン類の新保護法と、新規な二環性アミノ糖誘導体 - Google Patents
2−デオキシストレプタミン類の新保護法と、新規な二環性アミノ糖誘導体Info
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- JPH05310773A JPH05310773A JP4111816A JP11181692A JPH05310773A JP H05310773 A JPH05310773 A JP H05310773A JP 4111816 A JP4111816 A JP 4111816A JP 11181692 A JP11181692 A JP 11181692A JP H05310773 A JPH05310773 A JP H05310773A
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、2−デオキシストレプタミンを構
成成分として含有する二環性のアミノ糖誘導体における
新保護法を提供する事を目的とし、さらに本新保護法を
応用して製造した抗菌剤として有用な新規化合物に関す
る。 【構成】 3′,4′−ジデオキシネアミンを出発物質
として、選択的1,6−N,O−ベンジリデン化を含む
化学修飾により、合成中間体として有用な式(I)で表
される新規ベンジリデン誘導体を製造した。更にそれを
用いた化学合成法により、それ自体抗菌剤として有用な
新規アミノ糖誘導体、5,3′,4′−トリデオキシネ
アミンを製造できた。
成成分として含有する二環性のアミノ糖誘導体における
新保護法を提供する事を目的とし、さらに本新保護法を
応用して製造した抗菌剤として有用な新規化合物に関す
る。 【構成】 3′,4′−ジデオキシネアミンを出発物質
として、選択的1,6−N,O−ベンジリデン化を含む
化学修飾により、合成中間体として有用な式(I)で表
される新規ベンジリデン誘導体を製造した。更にそれを
用いた化学合成法により、それ自体抗菌剤として有用な
新規アミノ糖誘導体、5,3′,4′−トリデオキシネ
アミンを製造できた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は2−デオキシストレプタ
ミンを分子内に構成成分として含有する二環性アミノ糖
誘導体の新保護法と、メチシリン耐性黄色ブドウ球菌
(略名:MRSA)を含むグラム陽性菌及び陰性菌に有
効な新規アミノ糖誘導体である5,3′,4′−トリデ
オキシネアミンに関する。
ミンを分子内に構成成分として含有する二環性アミノ糖
誘導体の新保護法と、メチシリン耐性黄色ブドウ球菌
(略名:MRSA)を含むグラム陽性菌及び陰性菌に有
効な新規アミノ糖誘導体である5,3′,4′−トリデ
オキシネアミンに関する。
【0002】
【従来の技術】2−デオキシストレプタミンをその構成
成分とする三環性アミノ配糖体抗生物質は、例えばカナ
マイシン類を含み、その幅広い抗菌スペクトルと強い抗
菌活性により重要な抗菌剤に分類される。なかでも近年
上市されたハベカシン〔ジャーナル・オブ・アンチビオ
チックス,26,412(1973)〕は、今日臨床に
おいて問題視されているMRSAに対して有効な、優れ
たアミノ配糖体抗生物質である。
成分とする三環性アミノ配糖体抗生物質は、例えばカナ
マイシン類を含み、その幅広い抗菌スペクトルと強い抗
菌活性により重要な抗菌剤に分類される。なかでも近年
上市されたハベカシン〔ジャーナル・オブ・アンチビオ
チックス,26,412(1973)〕は、今日臨床に
おいて問題視されているMRSAに対して有効な、優れ
たアミノ配糖体抗生物質である。
【0003】一方、例えばネアミンの如き、2−デオキ
シストレプタミンをその構成成分として含有する二環性
のアミノ糖誘導体では、抗菌剤として市販され実用され
た化合物はないものの、その抗菌活性の増強を目的とし
て、それらの様々な誘導体研究が行なわれてきた。それ
らの化学修飾は主にネアミン又はこれの類縁物質につい
てなされたものであり、ネアミン又はネアミン類縁物質
の水酸基のデオキシ化をはじめ、水酸基及び/又はアミ
ノ基の変換等が知られている。とりわけ、ネアミン又は
ネアミン類縁物質の構成成分の2−デオキシストレプタ
ミンの5位及び6位の水酸基を化学的に区別するには、
1,6−N,O−環状カルバメート誘導体の形成による
方法(特開昭52−133949号)や、5,6−O−
エトキシエチリデン中間体を生成してこれを経由する方
法〔カーボハイドレート・リサーチ,52,187(1
976)〕が報告されている。殊に前者の環状カルバメ
ート誘導体の形成は、天然のアミノ配糖体抗生物質の全
合成に応用されて〔ジャーナル・オブ・アンチビオチッ
クス,25,741(1972)〕、極めて有用である
水酸基とアミノ基との同時的保護法である。
シストレプタミンをその構成成分として含有する二環性
のアミノ糖誘導体では、抗菌剤として市販され実用され
た化合物はないものの、その抗菌活性の増強を目的とし
て、それらの様々な誘導体研究が行なわれてきた。それ
らの化学修飾は主にネアミン又はこれの類縁物質につい
てなされたものであり、ネアミン又はネアミン類縁物質
の水酸基のデオキシ化をはじめ、水酸基及び/又はアミ
ノ基の変換等が知られている。とりわけ、ネアミン又は
ネアミン類縁物質の構成成分の2−デオキシストレプタ
ミンの5位及び6位の水酸基を化学的に区別するには、
1,6−N,O−環状カルバメート誘導体の形成による
方法(特開昭52−133949号)や、5,6−O−
エトキシエチリデン中間体を生成してこれを経由する方
法〔カーボハイドレート・リサーチ,52,187(1
976)〕が報告されている。殊に前者の環状カルバメ
ート誘導体の形成は、天然のアミノ配糖体抗生物質の全
合成に応用されて〔ジャーナル・オブ・アンチビオチッ
クス,25,741(1972)〕、極めて有用である
水酸基とアミノ基との同時的保護法である。
【0004】ところで、アミノ配糖体抗生物質の水酸基
のデオキシ化と抗菌活性の関係を扱った研究に目を移す
と、三環性のアミノ糖誘導体では5,3′,4′−トリ
デオキシカナマイシンBの化学修飾によって優れた誘導
体が数多く合成されている〔ジャーナル・オブ・アンチ
ビオチックス,34,1635(1981)又は特公平
1−34230号公報〕。他方、ネアミンそれ自体の化
学変換では、3′,4′−ジデオキシ誘導体〔ジャーナ
ル・オブ・アンチビオチックス,24,711(197
1)〕、5−デオキシ誘導体、6−デオキシ誘導体及び
5,6−ジデオキシ誘導体〔カーボハイドレート・リサ
ーチ,53,239(1977)〕、及び5,6,
3′,4′−テトラデオキシ誘導体〔ジャーナル・オブ
・アンチビオチックス,27,677(1974)〕等
の合成と抗菌活性が既に報告されて居り、ネアミンの化
学変換、例えば特定の水酸基のデオキシ化により抗菌活
性が増強され得ることが示されている。
のデオキシ化と抗菌活性の関係を扱った研究に目を移す
と、三環性のアミノ糖誘導体では5,3′,4′−トリ
デオキシカナマイシンBの化学修飾によって優れた誘導
体が数多く合成されている〔ジャーナル・オブ・アンチ
ビオチックス,34,1635(1981)又は特公平
1−34230号公報〕。他方、ネアミンそれ自体の化
学変換では、3′,4′−ジデオキシ誘導体〔ジャーナ
ル・オブ・アンチビオチックス,24,711(197
1)〕、5−デオキシ誘導体、6−デオキシ誘導体及び
5,6−ジデオキシ誘導体〔カーボハイドレート・リサ
ーチ,53,239(1977)〕、及び5,6,
3′,4′−テトラデオキシ誘導体〔ジャーナル・オブ
・アンチビオチックス,27,677(1974)〕等
の合成と抗菌活性が既に報告されて居り、ネアミンの化
学変換、例えば特定の水酸基のデオキシ化により抗菌活
性が増強され得ることが示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】2−デオキシストレプ
タミンを構成成分とする二環性アミノ配糖体であるネア
ミンの抗菌活性を増強する目的で、効率よくネアミンを
化学修飾するためには、ネアミンの5位及び6位の水酸
基を互いに化学的に識別することが好ましい。現時点に
おいては、6位の水酸基は保護されたが立体障害の影響
をより強く受ける5位の水酸基だけが遊離であり且つア
ミノ基の全部が保護されてある優れたネアミン保護体が
求められている。
タミンを構成成分とする二環性アミノ配糖体であるネア
ミンの抗菌活性を増強する目的で、効率よくネアミンを
化学修飾するためには、ネアミンの5位及び6位の水酸
基を互いに化学的に識別することが好ましい。現時点に
おいては、6位の水酸基は保護されたが立体障害の影響
をより強く受ける5位の水酸基だけが遊離であり且つア
ミノ基の全部が保護されてある優れたネアミン保護体が
求められている。
【0006】前述した二つの方法を概観すると、環状カ
ルバメート誘導体の形成法に関しては脱保護する時に
幾分厳しい反応条件を必要とすること、保護体として
のカルバメート化合物の有機溶剤に対する溶解性があま
り高くないこと等が知られ、更にエトキシエチリデン中
間体を経由する方法に関しては開裂時に高い位置選択性
が得られないこと等が知られており、何れの方法も、5
位と6位の二つの水酸基を区別するためには必ずしも完
全に満足し得るものではない。そこで2−デオキシスト
レプタミンを構成成分とする二環性アミノ配糖体の保護
誘導体の製造において、保護・脱保護工程における反応
条件が緩和であり、保護する際、反応の位置選択性が高
く、かつ生成された保護誘導体が有機溶剤に対して充分
な溶解性を有するという条件を満足し得る6位水酸基の
新しい選択的保護法の発見が期待されている。
ルバメート誘導体の形成法に関しては脱保護する時に
幾分厳しい反応条件を必要とすること、保護体として
のカルバメート化合物の有機溶剤に対する溶解性があま
り高くないこと等が知られ、更にエトキシエチリデン中
間体を経由する方法に関しては開裂時に高い位置選択性
が得られないこと等が知られており、何れの方法も、5
位と6位の二つの水酸基を区別するためには必ずしも完
全に満足し得るものではない。そこで2−デオキシスト
レプタミンを構成成分とする二環性アミノ配糖体の保護
誘導体の製造において、保護・脱保護工程における反応
条件が緩和であり、保護する際、反応の位置選択性が高
く、かつ生成された保護誘導体が有機溶剤に対して充分
な溶解性を有するという条件を満足し得る6位水酸基の
新しい選択的保護法の発見が期待されている。
【0007】アミノ配糖体抗生物質の構造と抗菌活性の
相関という観点からすると、カナマイシンBにおいては
5位をデオキシ化することによって得られた5−デオキ
シカナマイシンBは、原体のカナマイシンBとその抗菌
力は殆ど同様である〔ブレタン・オブ・ザ・ケミカル・
ソシエティー・オブ・ジャパン,51(8),2354
(1978)〕が、ジベカシンの5位水酸基をデオキシ
化すると、得られた5,3′,4′−トリデオキシカナ
マイシンBは、その抗菌活性が若干減弱すると報告され
ている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アンチビオ
チックス,32,S−178(1979)〕。
相関という観点からすると、カナマイシンBにおいては
5位をデオキシ化することによって得られた5−デオキ
シカナマイシンBは、原体のカナマイシンBとその抗菌
力は殆ど同様である〔ブレタン・オブ・ザ・ケミカル・
ソシエティー・オブ・ジャパン,51(8),2354
(1978)〕が、ジベカシンの5位水酸基をデオキシ
化すると、得られた5,3′,4′−トリデオキシカナ
マイシンBは、その抗菌活性が若干減弱すると報告され
ている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アンチビオ
チックス,32,S−178(1979)〕。
【0008】一方でネアミンの5−デオキシ誘導体は、
原体のネアミンと比較すると抗菌活性が増強している
〔カーボハイドレート・リサーチ,53,239(19
77)〕。そこでネアミンの構造と抗菌活性との相関を
明らかにし、かつ2−デオキシストレプタミンを構成成
分とし且つ優れた抗菌力を有する新規な二環性のアミノ
糖誘導体を得る目的で、今までに報告のないトリデオキ
シネアミンの合成とその抗菌活性の解明が現在、必要と
なった。
原体のネアミンと比較すると抗菌活性が増強している
〔カーボハイドレート・リサーチ,53,239(19
77)〕。そこでネアミンの構造と抗菌活性との相関を
明らかにし、かつ2−デオキシストレプタミンを構成成
分とし且つ優れた抗菌力を有する新規な二環性のアミノ
糖誘導体を得る目的で、今までに報告のないトリデオキ
シネアミンの合成とその抗菌活性の解明が現在、必要と
なった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の期待
に応えるべく合成化学的研究を重ね、公知の一価のアミ
ノ保護基で修飾された2−デオキシストレプタミンを構
成成分とする二環性アミノ配糖体、例えばネアミン又は
3′,4′−ジデオキシネアミン類に対して特定の反応
条件の下でベンズアルデヒド・ジ低級(C1 〜C4 )ア
ルキルアセタール、好ましくはベンズアルデヒドジメチ
ルアセタールを作用させることによりベンジリデン化を
行なうことにより、6位の水酸基が保護されたが5位の
水酸基が遊離である1,6−N,O−ベンジリデン体を
選択的に合成する事に成功した。この1,6−N,O−
ベンジリデン体の合成法は、6位水酸基の選択的保護法
として利用でき、次いでこの新保護法を用いることによ
り、5,3′,4′−トリデオキシネアミンを製造する
ことに成功した。しかもこの5,3′,4′−トリデオ
キシネアミンは、MRSAを含む臨床上重要なグラム陽
性菌及び陰性菌の発育を強く阻止することを見い出し本
発明を完成した。
に応えるべく合成化学的研究を重ね、公知の一価のアミ
ノ保護基で修飾された2−デオキシストレプタミンを構
成成分とする二環性アミノ配糖体、例えばネアミン又は
3′,4′−ジデオキシネアミン類に対して特定の反応
条件の下でベンズアルデヒド・ジ低級(C1 〜C4 )ア
ルキルアセタール、好ましくはベンズアルデヒドジメチ
ルアセタールを作用させることによりベンジリデン化を
行なうことにより、6位の水酸基が保護されたが5位の
水酸基が遊離である1,6−N,O−ベンジリデン体を
選択的に合成する事に成功した。この1,6−N,O−
ベンジリデン体の合成法は、6位水酸基の選択的保護法
として利用でき、次いでこの新保護法を用いることによ
り、5,3′,4′−トリデオキシネアミンを製造する
ことに成功した。しかもこの5,3′,4′−トリデオ
キシネアミンは、MRSAを含む臨床上重要なグラム陽
性菌及び陰性菌の発育を強く阻止することを見い出し本
発明を完成した。
【0010】第一の本発明の要旨とするところは、重要
な合成中間体としての次の式(I) 〔式中、R1 は公知の一価のアミノ保護基であり、R2
は水素原子又は置換された又は置換されていない水酸基
であり、R3 は水素原子、置換された又は置換されてい
ない水酸基又はハロゲン原子であり、R4 は水素原子、
置換された又は置換されていない水酸基又はハロゲン原
子であり、ただしR3 及びR4 のいずれか一方は水素原
子である〕で表される保護された2−デオキシストレプ
タミン部分を含有する二環性アミノ糖誘導体にある。
な合成中間体としての次の式(I) 〔式中、R1 は公知の一価のアミノ保護基であり、R2
は水素原子又は置換された又は置換されていない水酸基
であり、R3 は水素原子、置換された又は置換されてい
ない水酸基又はハロゲン原子であり、R4 は水素原子、
置換された又は置換されていない水酸基又はハロゲン原
子であり、ただしR3 及びR4 のいずれか一方は水素原
子である〕で表される保護された2−デオキシストレプ
タミン部分を含有する二環性アミノ糖誘導体にある。
【0011】第二の本発明の要旨とするところは2−デ
オキシストレプタミンを構成成分として含有する二環性
アミノ糖誘導体の全てのアミノ基を公知の一価のアミノ
保護基で修飾しその後、得られるN−保護された二環性
アミノ糖誘導体に少なくとも5位及び6位の遊離の水酸
基が存在する状況下で、1位アミノ基及び6位水酸基に
対して選択的ベンジリデン化を行なうことにより式
(I) 〔式中、R1 は公知の一価のアミノ保護基であり、R2
は水素原子又は置換された又は置換されていない水酸基
であり、R3 は水素原子、置換された又は置換されてい
ない水酸基又はハロゲン原子であり、R4 は水素原子、
置換された又は置換されていない水酸基又はハロゲン原
子であり、ただしR3 及びR4 のいずれか一方は水素原
子である〕で表される保護された2−デオキシストレプ
タミン部分を含有する二環性アミノ糖誘導体を生成させ
ることを特徴とする、2−デオキシストレプタミンを構
成成分として含有する二環性アミノ糖誘導体の新規な保
護法にある。
オキシストレプタミンを構成成分として含有する二環性
アミノ糖誘導体の全てのアミノ基を公知の一価のアミノ
保護基で修飾しその後、得られるN−保護された二環性
アミノ糖誘導体に少なくとも5位及び6位の遊離の水酸
基が存在する状況下で、1位アミノ基及び6位水酸基に
対して選択的ベンジリデン化を行なうことにより式
(I) 〔式中、R1 は公知の一価のアミノ保護基であり、R2
は水素原子又は置換された又は置換されていない水酸基
であり、R3 は水素原子、置換された又は置換されてい
ない水酸基又はハロゲン原子であり、R4 は水素原子、
置換された又は置換されていない水酸基又はハロゲン原
子であり、ただしR3 及びR4 のいずれか一方は水素原
子である〕で表される保護された2−デオキシストレプ
タミン部分を含有する二環性アミノ糖誘導体を生成させ
ることを特徴とする、2−デオキシストレプタミンを構
成成分として含有する二環性アミノ糖誘導体の新規な保
護法にある。
【0012】第二の本発明による2−デオキシストレプ
タミン含有の二環性アミノ糖誘導体の新保護法は、第一
の本発明による一般式(I)の化合物の一例の製造を例
示する後記の工程図1に表示する方法の第1〜第2段階
に図示される。工程図1でBOCは第三級ブトキシカル
ボニル基を表わす。
タミン含有の二環性アミノ糖誘導体の新保護法は、第一
の本発明による一般式(I)の化合物の一例の製造を例
示する後記の工程図1に表示する方法の第1〜第2段階
に図示される。工程図1でBOCは第三級ブトキシカル
ボニル基を表わす。
【0013】
【0014】第三の本発明の要旨とするところは、新規
化合物として次式(II) 〔式中、R5 は水素原子又は公知の一価のアミノ保護基
である〕で表される5,3′,4′−トリデオキシネア
ミン又はテトラ−N−保護された5,3′,4′−トリ
デオキシネアミン、又はそれらの薬学的に許容し得る塩
に関する。
化合物として次式(II) 〔式中、R5 は水素原子又は公知の一価のアミノ保護基
である〕で表される5,3′,4′−トリデオキシネア
ミン又はテトラ−N−保護された5,3′,4′−トリ
デオキシネアミン、又はそれらの薬学的に許容し得る塩
に関する。
【0015】第三の本発明による一般式(II)で表され
る化合物の例には、前記の工程図1に示す方法で製造さ
れる化合物(6)と最終生成物としての5,3′,4′
−トリデオキシネアミンとがある。
る化合物の例には、前記の工程図1に示す方法で製造さ
れる化合物(6)と最終生成物としての5,3′,4′
−トリデオキシネアミンとがある。
【0016】第二の本発明による2−デオキシストレプ
タミン含有の二環性アミノ糖誘導体の新保護法、及びこ
の方法を利用した5,3′,4′−トリデオキシネアミ
ンの製造法について工程図1を参照して述べる。
タミン含有の二環性アミノ糖誘導体の新保護法、及びこ
の方法を利用した5,3′,4′−トリデオキシネアミ
ンの製造法について工程図1を参照して述べる。
【0017】出発物質である3′,4′−ジデオキシネ
アミンは公知であり〔ジャーナル・オブ・アンチビオチ
ックス,24,711(1971)〕、ネアミンから化
学誘導することが可能である。また3′,4′−ジデオ
キシネアミンは、ジベカシンの3−アミノ−3−デオキ
シ−α−D−グルコピラノシル残基を選択的に酸加水分
解しても、容易に調製できる。
アミンは公知であり〔ジャーナル・オブ・アンチビオチ
ックス,24,711(1971)〕、ネアミンから化
学誘導することが可能である。また3′,4′−ジデオ
キシネアミンは、ジベカシンの3−アミノ−3−デオキ
シ−α−D−グルコピラノシル残基を選択的に酸加水分
解しても、容易に調製できる。
【0018】第二の本発明の方法を実施するに当って
は、先ず3′,4′−ジデオキシネアミンの4個のアミ
ノ基を、常法により第三級ブトキシカルボニル基で保護
して工程図1に示す化合物(1)を得る。第三級ブトキ
シカルボニル基(BOC)に代えて公知の一価のアミノ
保護基、一般的にはアルコキシカルボニル基を利用でき
る。
は、先ず3′,4′−ジデオキシネアミンの4個のアミ
ノ基を、常法により第三級ブトキシカルボニル基で保護
して工程図1に示す化合物(1)を得る。第三級ブトキ
シカルボニル基(BOC)に代えて公知の一価のアミノ
保護基、一般的にはアルコキシカルボニル基を利用でき
る。
【0019】上記の化合物(1)は1,3,2′,6′
−テトラ−N−第3級ブトキシカルボニル−3′,4′
−ジデオキシネアミンである。
−テトラ−N−第3級ブトキシカルボニル−3′,4′
−ジデオキシネアミンである。
【0020】次に化合物(1)の6位の水酸基と1位の
修飾されたアミノ基をベンジリデン基で位置選択的に保
護し、本発明の一般式(I)の化合物の一例として、R
1 が第三級ブトキシカルボニル基で、R2 が水素原子
で、R3 が水酸基で、R4 が水素原子である化合物
(2)即ち1,6−N,O−ベンジリデン−1,3,
2′,6′−テトラ−N−第3級ブトキシカルボニル−
3′,4′−ジデオキシネアミンを得る。
修飾されたアミノ基をベンジリデン基で位置選択的に保
護し、本発明の一般式(I)の化合物の一例として、R
1 が第三級ブトキシカルボニル基で、R2 が水素原子
で、R3 が水酸基で、R4 が水素原子である化合物
(2)即ち1,6−N,O−ベンジリデン−1,3,
2′,6′−テトラ−N−第3級ブトキシカルボニル−
3′,4′−ジデオキシネアミンを得る。
【0021】このベンジリデン基による保護は化合物
(1)を無水ジメチルホルムアミド中、触媒量のp−ト
ルエンスルホン酸ピリジン塩の存在下に過剰量のベンズ
アルデヒドジメチルアセタール、一般的にはベンズアル
デヒド・ジ(低級)アルキルアセタールと減圧しながら
加熱反応させて、選択的に1,6−N,O−ベンジリデ
ン体を得るようにして行われる(この時1位のアミノ基
を保護している第三級ブトキシカルボニル基は除去され
ない)。その場合の反応系中の減圧度は100mmHg
以下であること、特に15mmHg程度が好ましく、反
応温度は60℃前後が望ましい。化合物(2)のベンジ
ル位の立体化学は特別に指定されることはなく、二種類
のジアステレオアイソマーが如何なる比率で混合してい
てもよい。
(1)を無水ジメチルホルムアミド中、触媒量のp−ト
ルエンスルホン酸ピリジン塩の存在下に過剰量のベンズ
アルデヒドジメチルアセタール、一般的にはベンズアル
デヒド・ジ(低級)アルキルアセタールと減圧しながら
加熱反応させて、選択的に1,6−N,O−ベンジリデ
ン体を得るようにして行われる(この時1位のアミノ基
を保護している第三級ブトキシカルボニル基は除去され
ない)。その場合の反応系中の減圧度は100mmHg
以下であること、特に15mmHg程度が好ましく、反
応温度は60℃前後が望ましい。化合物(2)のベンジ
ル位の立体化学は特別に指定されることはなく、二種類
のジアステレオアイソマーが如何なる比率で混合してい
てもよい。
【0022】ところで本1,6−N,O−ベンジリデン
化反応の際、常圧で反応を行なうと、目的とする化合物
(2)の収量が減少し、代って5,6−O−ベンジリデ
ン体の生成が観察される。
化反応の際、常圧で反応を行なうと、目的とする化合物
(2)の収量が減少し、代って5,6−O−ベンジリデ
ン体の生成が観察される。
【0023】ところで、アミノ基が保護されて居り5位
及び6位の水酸基が遊離である2−デオキシストレプタ
ミン誘導体に、酸触媒の存在下にアセタール又はケター
ル交換反応を行なうと、通常は5位及び6位の水酸基が
該アセタール又はケタールにより保護されることが知ら
れる〔ブレタン・オブ・ザ・ケミカル・ソシエティー・
オブ・ジャパン,46(11),3507(197
3)、カーボハイドレート・リサーチ,52,187
(1976)〕。一方、特殊な反応基質、例えばストレ
プトマイシン誘導体においては、隣接する窒素原子と酸
素原子にアセタール又はケタールが結合した化合物に関
する報告がある(特開昭52−133991号)。しか
しながら、このN,O−アセタール化又はケタール化反
応は、隣接する二つの水酸基の全ての組が保護された後
に進行する事が合わせて述べられている。従って本発明
の方法で起る前記の選択的1,6−N,O−ベンジリデ
ン化反応は、本発明者らが初めて発見した新反応であ
る。この1,6−N,O−ベンジリデン化により得られ
る1,6−N,O−保護体としての化合物(2)が、そ
して一般的には一般式(I)の化合物が本発明の目的に
適なう6位水酸基を選択的に保護された二環性アミノ糖
の保護体であることを合わせて確認した。
及び6位の水酸基が遊離である2−デオキシストレプタ
ミン誘導体に、酸触媒の存在下にアセタール又はケター
ル交換反応を行なうと、通常は5位及び6位の水酸基が
該アセタール又はケタールにより保護されることが知ら
れる〔ブレタン・オブ・ザ・ケミカル・ソシエティー・
オブ・ジャパン,46(11),3507(197
3)、カーボハイドレート・リサーチ,52,187
(1976)〕。一方、特殊な反応基質、例えばストレ
プトマイシン誘導体においては、隣接する窒素原子と酸
素原子にアセタール又はケタールが結合した化合物に関
する報告がある(特開昭52−133991号)。しか
しながら、このN,O−アセタール化又はケタール化反
応は、隣接する二つの水酸基の全ての組が保護された後
に進行する事が合わせて述べられている。従って本発明
の方法で起る前記の選択的1,6−N,O−ベンジリデ
ン化反応は、本発明者らが初めて発見した新反応であ
る。この1,6−N,O−ベンジリデン化により得られ
る1,6−N,O−保護体としての化合物(2)が、そ
して一般的には一般式(I)の化合物が本発明の目的に
適なう6位水酸基を選択的に保護された二環性アミノ糖
の保護体であることを合わせて確認した。
【0024】次いで化合物(2)の5位水酸基を塩化メ
タンスルホニルでメタンスルホニル化すると、本発明の
一般式(I)について、R1 が第三級ブトキシカルボニ
ル基で、R2 が水素原子で、R3 がメタンスルホニルオ
キシ基で、R4 が水素原子である場合に相当する化合物
(3)すなわち1,6−N,O−ベンジリデン−1,
3,2′,6′−テトラ−N−第3級ブトキシカルボニ
ル−3′,4′−ジデオキシ−5−O−メタンスルホニ
ルネアミンを得る。この時に導入するスルホニル基とし
て上記のメタンスルホニル基に代えて、p−トルエンス
ルホニル基、ベンジルスルホニル基及びトリフルオロメ
タンスルホニル基等を使用して良く、それに対応するス
ルホニル基導入剤を用いる。スルホニル化反応で用いる
溶剤としては、ピリジン又はピリジン等有機塩基物質又
は無機塩基物質を含有する溶媒が良い。スルホニル化反
応は0℃〜100℃の間の温度で行なわれ、本スルホニ
ル化反応の際、1,6−N,O−ベンジリデン基の除去
又は転移は殆んど観察されない。
タンスルホニルでメタンスルホニル化すると、本発明の
一般式(I)について、R1 が第三級ブトキシカルボニ
ル基で、R2 が水素原子で、R3 がメタンスルホニルオ
キシ基で、R4 が水素原子である場合に相当する化合物
(3)すなわち1,6−N,O−ベンジリデン−1,
3,2′,6′−テトラ−N−第3級ブトキシカルボニ
ル−3′,4′−ジデオキシ−5−O−メタンスルホニ
ルネアミンを得る。この時に導入するスルホニル基とし
て上記のメタンスルホニル基に代えて、p−トルエンス
ルホニル基、ベンジルスルホニル基及びトリフルオロメ
タンスルホニル基等を使用して良く、それに対応するス
ルホニル基導入剤を用いる。スルホニル化反応で用いる
溶剤としては、ピリジン又はピリジン等有機塩基物質又
は無機塩基物質を含有する溶媒が良い。スルホニル化反
応は0℃〜100℃の間の温度で行なわれ、本スルホニ
ル化反応の際、1,6−N,O−ベンジリデン基の除去
又は転移は殆んど観察されない。
【0025】化合物(3)のベンジリデン基は、有機溶
媒、例えばメタノール中希薄な酸を反応させて容易に除
去することが可能であり、脱ベンジリデン体として安定
な化合物(4)すなわち1,3,2′,6′−テトラ−
N−第三級ブトキシカルボニル−3′,4′−ジデオキ
シ−5−O−メタンスルホニルネアミンを与える。脱ベ
ンジリデン化の反応の溶媒はメタノールに限定されるも
のではなく、添加する酸としてはトリフルオロ酢酸、p
−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、塩酸
等で良く、好ましくは90%トリフルオロ酢酸である。
脱ベンジリデン化反応は−20℃〜室温において短時間
で進行する。また、本脱ベンジリデン化反応の際、第三
級ブトキシカルボニル基の除去は観察されない。
媒、例えばメタノール中希薄な酸を反応させて容易に除
去することが可能であり、脱ベンジリデン体として安定
な化合物(4)すなわち1,3,2′,6′−テトラ−
N−第三級ブトキシカルボニル−3′,4′−ジデオキ
シ−5−O−メタンスルホニルネアミンを与える。脱ベ
ンジリデン化の反応の溶媒はメタノールに限定されるも
のではなく、添加する酸としてはトリフルオロ酢酸、p
−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、塩酸
等で良く、好ましくは90%トリフルオロ酢酸である。
脱ベンジリデン化反応は−20℃〜室温において短時間
で進行する。また、本脱ベンジリデン化反応の際、第三
級ブトキシカルボニル基の除去は観察されない。
【0026】化合物(4)に対して糖類化学においてデ
オキシ化反応として応用されている公知のSN 2型反応
によるハロ基、好ましくはクロロ基との置換〔カーボハ
イドレート・リサーチ,89,255(1981)、カ
ーボハイドレート・リサーチ,126,45(198
4)〕を行なうと、化合物(5)すなわち1,3,
2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカルボニル−
5−クロロ−5,3′,4′−トリデオキシ−5−エピ
ネアミンを得る。続いて5位の塩素原子をラジカル的に
還元し、本発明の一般式(II)において、R5 が第三級
ブトキシカルボニル基である化合物(6)すなわち1,
3,2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカルボニ
ル−5,3′,4′−トリデオキシネアミンを得る。
オキシ化反応として応用されている公知のSN 2型反応
によるハロ基、好ましくはクロロ基との置換〔カーボハ
イドレート・リサーチ,89,255(1981)、カ
ーボハイドレート・リサーチ,126,45(198
4)〕を行なうと、化合物(5)すなわち1,3,
2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカルボニル−
5−クロロ−5,3′,4′−トリデオキシ−5−エピ
ネアミンを得る。続いて5位の塩素原子をラジカル的に
還元し、本発明の一般式(II)において、R5 が第三級
ブトキシカルボニル基である化合物(6)すなわち1,
3,2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカルボニ
ル−5,3′,4′−トリデオキシネアミンを得る。
【0027】なお化合物(4)の5位スルホニル基をハ
ロゲン原子で置換する際、反応試薬として好ましくは塩
化リチウムであるが、これに限定されることなくヨウ化
ナトリウム等と反応させることによっても5−デオキシ
−5−ハロゲン化化合物を得ることが可能である。
ロゲン原子で置換する際、反応試薬として好ましくは塩
化リチウムであるが、これに限定されることなくヨウ化
ナトリウム等と反応させることによっても5−デオキシ
−5−ハロゲン化化合物を得ることが可能である。
【0028】次いで化合物(5)のハロゲン原子を還元
するが、この還元の際は、水素化トリ(n−ブチル)錫
又は水素化トリフェニル錫の如く水素化トリアルキル錫
化合物を還元剤として用い、これと共にラジカル開始剤
を添加することが好ましい。加温すると還元反応は促進
されて完結する。
するが、この還元の際は、水素化トリ(n−ブチル)錫
又は水素化トリフェニル錫の如く水素化トリアルキル錫
化合物を還元剤として用い、これと共にラジカル開始剤
を添加することが好ましい。加温すると還元反応は促進
されて完結する。
【0029】最後に、化合物(6)のアミノ保護基であ
る4個の第三級ブトキシカルボニル基を公知の方法によ
り除去し、本発明の一般式(II)において、R5 が水素
原子である化合物、すなわち5,3′,4′−トリデオ
キシネアミンを新規化合物として得る。
る4個の第三級ブトキシカルボニル基を公知の方法によ
り除去し、本発明の一般式(II)において、R5 が水素
原子である化合物、すなわち5,3′,4′−トリデオ
キシネアミンを新規化合物として得る。
【0030】
【発明の効果】第二の本発明により提供される2−デオ
キシストレプタミン含有の二環性アミノ糖誘導体の1,
6−N,O−ベンジリデン化による新保護法は、前記の
アミノ糖の5位及び6位の水酸基を化学的に相互に識別
する方法として原料化合物の保護及び脱保護工程にお
ける反応条件が緩和であり、原料化合物の6位水酸基
について優れた位置選択的保護が可能であり、かつ生
成された保護誘導体の有機溶媒に対する溶解性にも優れ
ているので、実用上重要な新反応である。
キシストレプタミン含有の二環性アミノ糖誘導体の1,
6−N,O−ベンジリデン化による新保護法は、前記の
アミノ糖の5位及び6位の水酸基を化学的に相互に識別
する方法として原料化合物の保護及び脱保護工程にお
ける反応条件が緩和であり、原料化合物の6位水酸基
について優れた位置選択的保護が可能であり、かつ生
成された保護誘導体の有機溶媒に対する溶解性にも優れ
ているので、実用上重要な新反応である。
【0031】上記の新保護法を用いて製造した新規化合
物、5,3′,4′−トリデオキシネアミンは、それの
抗菌活性を供試菌の最低生育阻止濃度(MIC)で測定
して下記の表1に示す。表1の結果から判るようにMR
SAを含む臨床上重要なグラム陽性菌及び陰性菌に対し
て抗菌力を有している。
物、5,3′,4′−トリデオキシネアミンは、それの
抗菌活性を供試菌の最低生育阻止濃度(MIC)で測定
して下記の表1に示す。表1の結果から判るようにMR
SAを含む臨床上重要なグラム陽性菌及び陰性菌に対し
て抗菌力を有している。
【0032】
【0033】次に、本発明を実施例によって詳細に記述
する。
する。
【0034】
【実施例】実施例1 1,3,2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカル
ボニル−3′,4′−ジデオキシネアミン〔化合物
(1)〕の製造 3′,4′−ジデオキシネアミン2.43gを水120
mlに溶解し、トリエチルアミン7.0mlを加えた。
次いでジ第三級ブチルジカーボナート11.0gの1,
4−ジオキサン溶液30mlを滴下し、さらに1,4−
ジオキサン90mlを加えた。反応混合物を室温で4時
間撹拌してアミノ基の保護反応を行った後、濃アンモニ
ア水3.6mlを加えて室温で10分間放置した。反応
混合物にブタノールを加えながら減圧濃縮して得られた
残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー〔100
g,ベンゼン−酢酸エチル−メタノール(8:6:
1)〕で精製して表題の化合物(1)5.20gを得
た。
ボニル−3′,4′−ジデオキシネアミン〔化合物
(1)〕の製造 3′,4′−ジデオキシネアミン2.43gを水120
mlに溶解し、トリエチルアミン7.0mlを加えた。
次いでジ第三級ブチルジカーボナート11.0gの1,
4−ジオキサン溶液30mlを滴下し、さらに1,4−
ジオキサン90mlを加えた。反応混合物を室温で4時
間撹拌してアミノ基の保護反応を行った後、濃アンモニ
ア水3.6mlを加えて室温で10分間放置した。反応
混合物にブタノールを加えながら減圧濃縮して得られた
残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー〔100
g,ベンゼン−酢酸エチル−メタノール(8:6:
1)〕で精製して表題の化合物(1)5.20gを得
た。
【0035】化合物(1)の理化学的性状 (1) 色及び形状 : 無色固体 (2) 分子式 : C32H58N4 O12 (3) マススペクトル (FDMS) : m/z 691 (M+H)
+ (4) 比旋光度 : [α]D 15 +52゜(c 1.0, CH
Cl3 ) (5) 融点: 161 〜164 ℃
+ (4) 比旋光度 : [α]D 15 +52゜(c 1.0, CH
Cl3 ) (5) 融点: 161 〜164 ℃
【0036】実施例2 1,6−N,O−ベンジリデン−1,3,2′,6′−
テトラ−N−BOC−3′,4′−ジデオキシネアミン
〔化合物(2)〕〔式(I)中、R1 が第三級ブトキシ
カルボニル基、R2 が水素原子、R3 が水酸基、R4 が
水素原子の化合物〕の製造 化合物(1)1.53gを無水ジメチルホルムアミド4
6mlで溶解し、ベンズアルデヒドジメチルアセタール
3.3ml及びp−トルエンスルホン酸ピリジン塩13
9mgを加えた。反応系中の減圧度を15mmHgに保
持しながら、60℃で1時間加熱撹拌した。これによ
り、1,6−N,O−ベンジリデン化の反応を行った。
反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300mlに滴
下し、酢酸エチル300mlで抽出した。酢酸エチル層
を、飽和食塩水300mlで二回洗浄した後無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後これを濾過した。濾液を減圧濃縮して
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(100g,クロロホルム)で精製して、表題の化合物
(2)1.02gを得た。
テトラ−N−BOC−3′,4′−ジデオキシネアミン
〔化合物(2)〕〔式(I)中、R1 が第三級ブトキシ
カルボニル基、R2 が水素原子、R3 が水酸基、R4 が
水素原子の化合物〕の製造 化合物(1)1.53gを無水ジメチルホルムアミド4
6mlで溶解し、ベンズアルデヒドジメチルアセタール
3.3ml及びp−トルエンスルホン酸ピリジン塩13
9mgを加えた。反応系中の減圧度を15mmHgに保
持しながら、60℃で1時間加熱撹拌した。これによ
り、1,6−N,O−ベンジリデン化の反応を行った。
反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300mlに滴
下し、酢酸エチル300mlで抽出した。酢酸エチル層
を、飽和食塩水300mlで二回洗浄した後無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後これを濾過した。濾液を減圧濃縮して
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(100g,クロロホルム)で精製して、表題の化合物
(2)1.02gを得た。
【0037】化合物(2)の理化学的性状 (1) 色及び形状 : 無色固体 (2) 分子式 : C39H62N4 O12 (3) マススペクトル (FDMS) : m/z 779 (M+H)
+ (4) 比旋光度 : [α]D 16 +37゜(c 1.0, CH
Cl3 ) (5) 融点 : 131 〜134 ℃ (6) 1H NMRスペクトル(400MHz, CDCl3 ) δ(ppm) :5.50(br s, 1′-H), 6.11(s, CHC
6 H5 )
+ (4) 比旋光度 : [α]D 16 +37゜(c 1.0, CH
Cl3 ) (5) 融点 : 131 〜134 ℃ (6) 1H NMRスペクトル(400MHz, CDCl3 ) δ(ppm) :5.50(br s, 1′-H), 6.11(s, CHC
6 H5 )
【0038】実施例3 1,3,2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカル
ボニル−3′,4′−ジデオキシ−5−O−メタンスル
ホニルネアミン〔化合物(4)〕の製造 化合物(2)500mgを無水ピリジン15mlで溶解
し、塩化メタンスルホニル0.25mlを加え、40℃
で72時間反応させた。反応液を室温に戻した後、水
0.12mlを加え室温で10分間放置した。反応液を
減圧濃縮して得られた残渣をクロロホルム100mlで
抽出して、クロロホルム層を5%硫酸水素カリウム水溶
液100mlで洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後これを濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた残渣を
乾燥して、褐色オイルの粗製の化合物(3)、すなわち
1,6−N,O−ベンジリデン−1,3,2′,6′−
テトラ−N−第三級ブトキシカルボニル−3′,4′−
ジデオキシ−5−O−メタンスルホニルネアミンを得
た。
ボニル−3′,4′−ジデオキシ−5−O−メタンスル
ホニルネアミン〔化合物(4)〕の製造 化合物(2)500mgを無水ピリジン15mlで溶解
し、塩化メタンスルホニル0.25mlを加え、40℃
で72時間反応させた。反応液を室温に戻した後、水
0.12mlを加え室温で10分間放置した。反応液を
減圧濃縮して得られた残渣をクロロホルム100mlで
抽出して、クロロホルム層を5%硫酸水素カリウム水溶
液100mlで洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後これを濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた残渣を
乾燥して、褐色オイルの粗製の化合物(3)、すなわち
1,6−N,O−ベンジリデン−1,3,2′,6′−
テトラ−N−第三級ブトキシカルボニル−3′,4′−
ジデオキシ−5−O−メタンスルホニルネアミンを得
た。
【0039】これを精製することなくメタノール40m
lで溶解し、90%トリフルオロ酢酸0.40mlを加
え室温で30分間反応させた。これにより脱ベンジリデ
ン化反応が行われた。トリエチルアミン0.74gを加
えた後、反応液を減圧濃縮して得られた残渣をクロロホ
ルム100mlで抽出した。クロロホルム層を水100
mlで洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後これを
濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー〔50g、ベンゼン−酢酸
エチル(4:3)〜同(3:4)〕で精製して、表題の
化合物(4)308mgを得た。
lで溶解し、90%トリフルオロ酢酸0.40mlを加
え室温で30分間反応させた。これにより脱ベンジリデ
ン化反応が行われた。トリエチルアミン0.74gを加
えた後、反応液を減圧濃縮して得られた残渣をクロロホ
ルム100mlで抽出した。クロロホルム層を水100
mlで洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後これを
濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー〔50g、ベンゼン−酢酸
エチル(4:3)〜同(3:4)〕で精製して、表題の
化合物(4)308mgを得た。
【0040】化合物(4)の理化学的性状 (1) 色及び形状 : 無色固体 (2) 分子式 : C33H60N4 O14S (3) マススペクトル (SIMS) : m/z 769 (M+H)
+ (4) 比旋光度 : [α]D 15 +96゜(c 0.9, CH
Cl3 ) (5) 融点 : 139 〜142 ℃ (6) 1H NMRスペクトル (400 MHz, CDCl3 ) δ(ppm) :1.44, 1.45〔s, C(CH3 ) 3 〕, 2.30(br d,
2-Heq),3.21(s, SO2 CH3 ), 4.58(t, 5-H), 5.08(br
d, 1 ′-H)
+ (4) 比旋光度 : [α]D 15 +96゜(c 0.9, CH
Cl3 ) (5) 融点 : 139 〜142 ℃ (6) 1H NMRスペクトル (400 MHz, CDCl3 ) δ(ppm) :1.44, 1.45〔s, C(CH3 ) 3 〕, 2.30(br d,
2-Heq),3.21(s, SO2 CH3 ), 4.58(t, 5-H), 5.08(br
d, 1 ′-H)
【0041】実施例4 1,3,2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカル
ボニル−5−クロロ−53′,4′−トリデオキシ−5
−エピネアミン〔化合物(5)〕の製造 化合物(4)257mg及び塩化リチウム514mgに
無水ジメチルホルムアミド26mlを加え、100℃で
90分間加熱撹拌した。5位クロロ基の導入が行われ
た。反応液を減圧濃縮して得られた残渣を、酢酸エチル
50mlで抽出した。酢酸エチル層を水50ml及び飽
和食塩水50mlで順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後これを濾過した。濾液を減圧濃縮して得られ
た残渣を乾燥して、表題化合物(5)218mgを得
た。
ボニル−5−クロロ−53′,4′−トリデオキシ−5
−エピネアミン〔化合物(5)〕の製造 化合物(4)257mg及び塩化リチウム514mgに
無水ジメチルホルムアミド26mlを加え、100℃で
90分間加熱撹拌した。5位クロロ基の導入が行われ
た。反応液を減圧濃縮して得られた残渣を、酢酸エチル
50mlで抽出した。酢酸エチル層を水50ml及び飽
和食塩水50mlで順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後これを濾過した。濾液を減圧濃縮して得られ
た残渣を乾燥して、表題化合物(5)218mgを得
た。
【0042】化合物(5)の理化学的性状 (1) 色及び形状 : 無色固体 (2) 分子式 : C32H57N4 O11Cl (3) マススペクトル (FDMS) : m/z 709, 711
(M+H)+ (4) 比旋光度[α]D 21 +66°(c 1.0, CHCl3 ) (5) 融点 : 228 ℃ (6) 1H NMRスペクトル (400MHz, CDCl3 ) δ(ppm) :1.43-1.45 〔s, C(CH3 )3 , 2.30(dt, 2-He
q),4.57(br s, 5-H), 4.79(br d, 1′-H)
(M+H)+ (4) 比旋光度[α]D 21 +66°(c 1.0, CHCl3 ) (5) 融点 : 228 ℃ (6) 1H NMRスペクトル (400MHz, CDCl3 ) δ(ppm) :1.43-1.45 〔s, C(CH3 )3 , 2.30(dt, 2-He
q),4.57(br s, 5-H), 4.79(br d, 1′-H)
【0043】実施例5 1,3,2′,6′−テトラ−N−第三級ブトキシカル
ボニル−5,3′,4′−トリデオキシネアミン〔化合
物(6)〕〔式(II)中、R5 が第三級ブトキシカルボ
ニル基の化合物〕の製造 化合物(5)218mg及びアゾビスイソブチロニトリ
ル101mgに無水トルエン28mlを加えた。次い
で、水素化トリ(n−ブチル)錫1.7mlを加え90
℃で16時間加熱撹拌して還元を行った。反応混合物を
減圧濃縮して得られた残渣を、アセトニトリル44ml
で抽出し、これをヘキサン44mlで2回洗浄した。ア
セトニトリル層を減圧濃縮して得られた残渣を、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(50g,クロロホルム
〜クロロホルム−メタノール(30:1))で精製し
て、表題の化合物(6)159mgを得た。
ボニル−5,3′,4′−トリデオキシネアミン〔化合
物(6)〕〔式(II)中、R5 が第三級ブトキシカルボ
ニル基の化合物〕の製造 化合物(5)218mg及びアゾビスイソブチロニトリ
ル101mgに無水トルエン28mlを加えた。次い
で、水素化トリ(n−ブチル)錫1.7mlを加え90
℃で16時間加熱撹拌して還元を行った。反応混合物を
減圧濃縮して得られた残渣を、アセトニトリル44ml
で抽出し、これをヘキサン44mlで2回洗浄した。ア
セトニトリル層を減圧濃縮して得られた残渣を、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(50g,クロロホルム
〜クロロホルム−メタノール(30:1))で精製し
て、表題の化合物(6)159mgを得た。
【0044】化合物(6)の理化学的性状 (1) 色及び形状 : 無色固体 (2) 分子式 : C32H58N4 O11 (3) マススペクトル (FDMS) : m/z 675 (M+H) (4) 比旋光度 : [α]D 21 +62゜(c 1.0, CH
Cl3 ) (5) 融点 : 220 ℃ (6) 1H NMRスペクトル (400MHz, CDCl3 ) δ(ppm):1.43, 1.45〔s, C(CH 3 )3 〕, 2.28, 2.35(b
r dt, 2-Heq,5-Heq), 4.79(br d, 1′-H)
Cl3 ) (5) 融点 : 220 ℃ (6) 1H NMRスペクトル (400MHz, CDCl3 ) δ(ppm):1.43, 1.45〔s, C(CH 3 )3 〕, 2.28, 2.35(b
r dt, 2-Heq,5-Heq), 4.79(br d, 1′-H)
【0045】実施例6 5,3′,4′−トリデオキシネアミンの製造 化合物(6)140mgを−20℃に冷却し、同温度に
冷却した90%トリフルオロ酢酸1.4mlを加え0℃
で1時間撹拌して脱保護反応を行った。反応液を減圧濃
縮して得られた残渣を水16mlで抽出し、これに1規
定水酸化ナトリウム水溶液を加えpH7とした。これを
アンバーライトCG50(アンモニウム・フォーム)レ
ジンカラムクロマトグラフィー(16ml,水〜1.2
規定アンモニア水)で精製した。目的物を含むフラクシ
ョンを集め、これをクロロホルム40mlで洗浄した。
アンモニア水層をミリポアフィルターで濾過し、濾液を
1.6mlまで減圧濃縮した後凍結乾燥し、目的の5,
3′,4′−トリデオキシネアミン35.9mgを得
た。
冷却した90%トリフルオロ酢酸1.4mlを加え0℃
で1時間撹拌して脱保護反応を行った。反応液を減圧濃
縮して得られた残渣を水16mlで抽出し、これに1規
定水酸化ナトリウム水溶液を加えpH7とした。これを
アンバーライトCG50(アンモニウム・フォーム)レ
ジンカラムクロマトグラフィー(16ml,水〜1.2
規定アンモニア水)で精製した。目的物を含むフラクシ
ョンを集め、これをクロロホルム40mlで洗浄した。
アンモニア水層をミリポアフィルターで濾過し、濾液を
1.6mlまで減圧濃縮した後凍結乾燥し、目的の5,
3′,4′−トリデオキシネアミン35.9mgを得
た。
【0046】 5,3′,4′−トリデオキシネアミンの理化学的性状 (1) 色及び形状 : 無色固体 (2) 分子式 : C12H26N4 O3 (3) マススペクトル (SIMS) : m/z 275 (M+H)
+ (4) 比旋光度 : [α]D 16 +123 ゜(c 1.0,
H2 O) (5) 融点 : 81〜88℃ (6) 1H NMRスペクトル (400 MHz, 1N-ND3/D2
O) δ(ppm) :1.23(q, 2-Hax), 1.41(q, 5-Hax), 2.08(dt,
2-Heq),2.47(dt, 5-Heq), 5.04(d, 1 ′-H)
+ (4) 比旋光度 : [α]D 16 +123 ゜(c 1.0,
H2 O) (5) 融点 : 81〜88℃ (6) 1H NMRスペクトル (400 MHz, 1N-ND3/D2
O) δ(ppm) :1.23(q, 2-Hax), 1.41(q, 5-Hax), 2.08(dt,
2-Heq),2.47(dt, 5-Heq), 5.04(d, 1 ′-H)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柿沼 和代 神奈川県横浜市港北区師岡町760 明治製 菓株式会社薬品総合研究所内 (72)発明者 飯田 真依子 神奈川県横浜市港北区師岡町760 明治製 菓株式会社薬品総合研究所内
Claims (6)
- 【請求項1】 次の式(I) 〔式中、R1 は公知の一価のアミノ保護基であり、R2
は水素原子又は置換された又は置換されていない水酸基
であり、R3 は水素原子、置換された又は置換されてい
ない水酸基又はハロゲン原子であり、R4 は水素原子、
置換された又は置換されていない水酸基又はハロゲン原
子であり、ただしR3 及びR4 のいずれか一方は水素原
子である〕で表される、保護された2−デオキシストレ
プタミン部分を含有する二環性アミノ糖誘導体。 - 【請求項2】 請求項1の式(I)において、R1 が第
三級ブトキシカルボニル基を表し、R2 が水素原子を表
し、R3 が水酸基を表し、R4 が水素原子を表す請求項
1記載の化合物。 - 【請求項3】 2−デオキシストレプタミンを構成成分
として含有する二環性アミノ糖誘導体の全てのアミノ基
を公知の一価のアミノ保護基で修飾し、その後、得られ
るN−保護された二環性アミノ糖誘導体に少なくとも5
位及び6位の遊離の水酸基が存在する状況下で、1位ア
ミノ基及び6位水酸基に対して選択的ベンジリデン化を
行なうことにより次式(I) 〔式中、R1 は公知の一価のアミノ保護基であり、R2
は水素原子又は置換された又は置換されていない水酸基
であり、R3 は水素原子、置換された又は置換されてい
ない水酸基又はハロゲン原子であり、R4 は水素原子、
置換された又は置換されていない水酸基又はハロゲン原
子であり、ただしR3 及びR4 のいずれか一方は水素原
子である〕で表される保護された2−デオキシストレプ
タミン部分を含有する二環性アミノ糖誘導体を生成させ
ることを特徴とする、2−デオキシストレプタミンを構
成成分として含有する二環性アミノ糖誘導体の新規な保
護法。 - 【請求項4】 次の式(II) 〔式中、R5 は水素原子又は公知の一価のアミノ保護基
である〕で表される5,3′,4′−トリデオキシネア
ミン又はテトラ−N−保護された5,3′,4′−トリ
デオキシネアミン又はそれらの薬学的に許容し得る塩。 - 【請求項5】 請求項4の式(II)において、R5 が第
三級ブトキシカルボニル基を表わす請求項4記載の化合
物、すなわち1,3,2′,6′−テトラ−N−第三級
ブトキシカルボニル−5,3′,4′−トリデオキシネ
アミン。 - 【請求項6】 請求項4の式(II)において、R5 が水
素原子を表す請求項4記載の化合物、すなわち5,
3′,4′−トリデオキシネアミン又はその薬学的に許
容し得る塩。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4111816A JPH05310773A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 2−デオキシストレプタミン類の新保護法と、新規な二環性アミノ糖誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4111816A JPH05310773A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 2−デオキシストレプタミン類の新保護法と、新規な二環性アミノ糖誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05310773A true JPH05310773A (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14570881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4111816A Pending JPH05310773A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 2−デオキシストレプタミン類の新保護法と、新規な二環性アミノ糖誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05310773A (ja) |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP4111816A patent/JPH05310773A/ja active Pending
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