JPH05307190A - Signal input circuit and active matrix display panel - Google Patents

Signal input circuit and active matrix display panel

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JPH05307190A
JPH05307190A JP11043892A JP11043892A JPH05307190A JP H05307190 A JPH05307190 A JP H05307190A JP 11043892 A JP11043892 A JP 11043892A JP 11043892 A JP11043892 A JP 11043892A JP H05307190 A JPH05307190 A JP H05307190A
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signal input
line
circuit
input line
abnormal potential
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures

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  • Liquid Crystal (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To provide the signal input circuit and active matrix display panel which are improved in reliability by suppressing the influence of electric components being parasitic on a signal input line and an abnormal potential leader line. CONSTITUTION:In the signal input circuit 1, a 1st abnormal potential leader line 6 between abnormal potential leader lines connecting 1st and 2nd signal input lines 3 and 4 to an input protecting circuit 2 crosses the 2nd signal input line 4 on an output end side as compared with the conductive connection position 4a between the 2nd abnormal potential lead-out line 7 and 2nd signal input line 4. Further, the 1st electric resistance value R1b from the conductive connection position 4a to the 2nd input protecting circuit 2b is set smaller than the 2nd electric resistance value R2b from the conductive connection position 4a to an output terminal 4c.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に形成され
たアクティブマトリクス駆動回路などを静電気などによ
って発生する異常電位から保護する入力保護回路を備え
た信号入力回路およびこの信号入力回路を有するアクテ
ィブマトリクス液晶表示パネルに関し、とくに、信号入
力線側と入力保護回路側との配線接続構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention has a signal input circuit having an input protection circuit for protecting an active matrix drive circuit and the like formed on an insulating substrate from an abnormal potential generated by static electricity and the like, and the signal input circuit. The present invention relates to an active matrix liquid crystal display panel, and more particularly to a wiring connection structure between a signal input line side and an input protection circuit side.

【0002】[0002]

【従来の技術】絶縁基板の表面側に半導体集積回路など
を構成すると、半導体基板の表面側に集積回路を形成す
る場合と異なり、同電位となるべき共通の基板がないた
め、集積回路を静電気などから保護するための入力保護
回路を設ける必要がある。たとえば、代表的なフラット
型表示パネルであるアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルにおいては、その画面を表示するための画素マトリク
ス回路,そのソース線駆動回路およびゲート線駆動回路
はいずれも絶縁性の透明基板の表面側に形成されている
ため、その信号入力回路には、従来より、図6に示す入
力保護回路が設けられている。この図において、絶縁性
の透明基板の表面側に並列形成された第1および第2の
信号入力線71,72に対応する入力保護回路70は、
第2の信号入力線72の側方位置のうちの第1の信号入
力線71の形成位置とは反対側の側方位置に形成されて
おり、この入力保護回路70と第1の信号入力線71と
は第1の異常電位引出し線73で接続されている一方、
第2の信号入力線72と入力保護回路70とは第2の異
常電位引出し線74で接続されている。ここで、第1お
よび第2の異常電位引出し線73,74は、いずれも、
図7(a)にも示すように、第1および第2の信号入力
線71,72の途中位置に導電接続しており、第2の異
常電位引出し線74と第2の信号入力線72との導電接
続位置72aは、第1の異常電位引出し線73と第1の
信号入力線71との導電接続位置71aに比して出力端
75の側(矢印Dで示す信号方向の側)にある。このた
め、第1の異常電位引出し線73は第2の信号入力線7
2と交差する構造になるが、この交差部76において、
第1の異常電位引出し線73は、図7(b)に示すよう
に、第2の信号入力線72の上層側で層間絶縁膜77の
表面に形成されているため、それらの絶縁性は確保され
ている。
2. Description of the Related Art When a semiconductor integrated circuit or the like is formed on the surface side of an insulating substrate, there is no common substrate that should have the same potential, unlike when forming an integrated circuit on the surface side of the semiconductor substrate. It is necessary to provide an input protection circuit for protection from the above. For example, in an active matrix liquid crystal display panel which is a typical flat type display panel, the pixel matrix circuit for displaying the screen, its source line driving circuit and gate line driving circuit are all on the surface of an insulating transparent substrate. Since it is formed on the side, the input protection circuit shown in FIG. 6 is conventionally provided in the signal input circuit. In this figure, the input protection circuit 70 corresponding to the first and second signal input lines 71 and 72 formed in parallel on the front surface side of the insulating transparent substrate is
The second signal input line 72 is formed at a lateral position opposite to the formation position of the first signal input line 71 among the lateral positions of the second signal input line 72. This input protection circuit 70 and the first signal input line are formed. 71 is connected to the first abnormal potential lead wire 73,
The second signal input line 72 and the input protection circuit 70 are connected by a second abnormal potential lead line 74. Here, the first and second abnormal potential lead lines 73 and 74 are both
As shown in FIG. 7A, the first and second signal input lines 71 and 72 are conductively connected to intermediate positions, and the second abnormal potential lead-out line 74 and the second signal input line 72 are connected. The conductive connection position 72a of is located closer to the output end 75 (the direction of the signal indicated by the arrow D) than the conductive connection position 71a of the first abnormal potential lead-out line 73 and the first signal input line 71. .. Therefore, the first abnormal potential lead-out line 73 is not connected to the second signal input line 7
The structure intersects 2, but at this intersection 76,
Since the first abnormal potential lead-out line 73 is formed on the surface of the interlayer insulating film 77 on the upper layer side of the second signal input line 72 as shown in FIG. 7B, their insulation is secured. Has been done.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
信号入力回路においては、第1および第2の信号入力線
71,72に供給された異常電位を入力保護回路70に
向けて引出し可能になっているが、現実的には、異常電
圧が充分に入力保護回路70によって吸収、緩和されず
に、出力端75の側のメイン回路が損傷してしまうとい
う問題点である。
However, in the conventional signal input circuit, the abnormal potential supplied to the first and second signal input lines 71 and 72 can be extracted toward the input protection circuit 70. However, in reality, the abnormal voltage is not sufficiently absorbed or mitigated by the input protection circuit 70, and the main circuit on the output terminal 75 side is damaged.

【0004】このような問題点が発生する原因を本願発
明者が追究してきた結果、その原因は信号入力回路に寄
生する電気的成分の影響であることが判明した。すなわ
ち、第2の信号入力線72を例に説明すると、第2の信
号入力線72と第2の異常電位引出し線74との導電接
続位置72aから入力保護回路70までの第1の電気的
成分をR11とし、この導電接続位置72aから出力端7
5までの第2の電気的抵抗をR12としたときに、R11
12であると、静電気などによって第2の信号入力線7
2に異常電位が発生しても、導電接続位置72aを分岐
して流れる突入電流が保護回路70の側に流れずに、電
気的抵抗の小さな方、すなわち、出力端75の側に流れ
てしまい、出力端75から出力された突入電流によって
メイン回路側が損傷するためである。
As a result of investigating the cause of such a problem, the inventor of the present invention has found that the cause is the influence of an electrical component parasitic on the signal input circuit. That is, when the second signal input line 72 is described as an example, the first electrical component from the conductive connection position 72a between the second signal input line 72 and the second abnormal potential lead line 74 to the input protection circuit 70. Is set as R 11 , and the conductive end 72a is connected to the output end 7
When the second electric resistance up to 5 is R 12 , R 11 >
If it is R 12 , the second signal input line 7 is
Even if an abnormal potential occurs at 2, the inrush current that branches off at the conductive connection position 72a does not flow to the protection circuit 70 side, but flows to the one having a smaller electric resistance, that is, the output end 75 side. The main circuit side is damaged by the rush current output from the output terminal 75.

【0005】このような問題点に加えて、従来の信号入
力回路においては、第1の異常電位引出し線73と第2
の信号入力線72との交差部76の層間絶縁膜77によ
って容量C2 が構成され、この容量C2 は配線に寄生す
る容量に比して大きい。このため、第2の信号入力線7
2に供給された異常電圧は、入力保護回路70によって
吸収される前にその電荷が容量C2 に蓄積され、第1の
異常電位引出し線73と第2の信号入力線72との間に
高電圧が印加された状態となる。ここで、第1の異常電
位引出し線73と第2の信号入力線72との間の電圧が
層間絶縁膜77の耐電圧を越えると、交差部76の層間
絶縁膜77が破壊されて第1の異常電位引出し線73と
第2の信号入力線72とがショートしてしまうという問
題点もある。
In addition to these problems, in the conventional signal input circuit, the first abnormal potential lead line 73 and the second abnormal potential lead line 73
The capacitance C 2 is formed by the interlayer insulating film 77 at the intersection 76 with the signal input line 72, and the capacitance C 2 is larger than the capacitance parasitic on the wiring. Therefore, the second signal input line 7
The electric charge of the abnormal voltage supplied to 2 is accumulated in the capacitor C 2 before being absorbed by the input protection circuit 70, and a high voltage is generated between the first abnormal potential lead-out line 73 and the second signal input line 72. The voltage is applied. Here, when the voltage between the first abnormal potential lead-out line 73 and the second signal input line 72 exceeds the withstand voltage of the interlayer insulating film 77, the interlayer insulating film 77 at the intersection 76 is destroyed and the first There is also a problem that the abnormal potential lead-out line 73 and the second signal input line 72 are short-circuited.

【0006】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
信号入力線と入力保護回路とを接続する異常電位引出し
線の配置構造を改良することによって、その配線に寄生
する電気的成分の影響を抑制して、信頼性を向上可能な
信号入力回路およびアクティブマトリクス表示パネルを
実現することにある。
In view of the above problems, the object of the present invention is to
By improving the layout structure of the abnormal potential lead-out line that connects the signal input line and the input protection circuit, the influence of the electrical component parasitic on the line can be suppressed and the reliability of the signal input circuit and active circuit can be improved. It is to realize a matrix display panel.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明において講じた手段は、絶縁基板の表面側に
形成された信号入力線と、この信号入力線の側方位置に
形成され、この信号入力線に供給された異常電位からこ
の信号入力線の出力端側の回路を保護する入力保護回路
と、信号入力線に導電接続し、この信号入力線に供給さ
れた異常電位を入力保護回路に引き出す異常電位引出し
線とを有する信号入力回路において、異常電位引出し線
と信号入力線との導電接続位置から入力保護回路までの
第1の電気的抵抗値を、導電接続位置からこの信号入力
線の出力端までの第2の電気的抵抗値に比して小さく設
定しておくことである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, means taken in the present invention include a signal input line formed on the front surface side of an insulating substrate and a side position of the signal input line. , Input protection circuit that protects the circuit on the output end side of this signal input line from the abnormal potential supplied to this signal input line, and conductively connects to the signal input line, and input the abnormal potential supplied to this signal input line In a signal input circuit having an abnormal potential lead-out line drawn to the protection circuit, a first electrical resistance value from the conductive connection position between the abnormal potential lead-out line and the signal input line to the input protection circuit is calculated from the conductive connection position. This is to set it smaller than the second electrical resistance value up to the output end of the input line.

【0008】また、入力保護回路の前段側で、信号入力
線に寄生する電気的抵抗による電圧降下を利用して異常
電位を低下させておくことを目的に、導電接続位置を信
号入力線の出力端側に設定して、この信号入力線の入力
端から導電接続位置までの第3の電気的抵抗値を、第2
の電気的抵抗値に比して大きく設定しておくことが好ま
しい。
Further, the conductive connection position is output from the signal input line for the purpose of lowering the abnormal potential by utilizing the voltage drop due to the electrical resistance parasitic on the signal input line on the front side of the input protection circuit. Set to the end side, the third electrical resistance value from the input end of this signal input line to the conductive connection position is set to the second
It is preferable to set it larger than the electrical resistance value of

【0009】さらに、信号入力線が第1および第2の信
号入力線として並列形成されて、第2の信号入力線の側
方位置のうちの第1の信号入力線の形成位置とは反対側
の側方位置に入力保護回路が形成され、第1および第2
の信号入力線と入力保護回路とを導電接続する異常電位
引出し線としての第1および第2の異常電位引出し線が
形成されている信号入力回路に対しては、上記手段に加
えて、配線の交差部における配線間に寄生する容量の影
響をも解消する目的に、第1および第2の信号入力線と
入力保護回路とをそれぞれ導電接続する異常電位引出し
線としての第1および第2の異常電位引出し線のうち、
第1の信号入力線に導電接続する第1の異常電位引出し
線は、第2の異常電位引出し線が第2の信号入力線に導
電接続する位置に比して第2の信号入力線の出力端側で
第2の信号入力線と交差していることが好ましい。な
お、本発明における第1および第2の信号入力線とは、
2つの信号入力線のみを有する場合は勿論のこと、3つ
以上の信号入力線を有し、そのうちの2つの信号入力線
が上記の第1および第2の信号入力線の構成になってい
る場合、3つ以上の信号線のうちのいずれの信号入力線
も他の信号入力線との間で上記の第1および第2の信号
入力線の構成になっている場合も含む。
Further, the signal input lines are formed in parallel as the first and second signal input lines, and the side position of the second signal input line opposite to the formation position of the first signal input line. An input protection circuit is formed at a lateral position of the
In addition to the above means, for the signal input circuit in which the first and second abnormal potential lead-out lines are formed as the abnormal potential lead-out lines for conductively connecting the signal input line and the input protection circuit, For the purpose of eliminating the influence of the parasitic capacitance between the wirings at the intersections, the first and second abnormalities as the abnormal potential lead-out lines that conductively connect the first and second signal input lines and the input protection circuit, respectively. Of the potential lead wires,
The first abnormal potential lead-out line conductively connected to the first signal input line outputs the second signal input line compared to the position where the second abnormal potential lead-out line conductively connects to the second signal input line. It is preferable that it intersects with the second signal input line on the end side. The first and second signal input lines in the present invention are
It goes without saying that only two signal input lines are provided, and three or more signal input lines are provided, of which two signal input lines are the above-mentioned first and second signal input lines. In this case, the case where any of the signal input lines of the three or more signal lines and the other signal input lines have the above-mentioned first and second signal input lines is also included.

【0010】ここで、入力保護回路を絶縁基板たる絶縁
性の表示パネル用透明基板の表面側にその画素マトリク
ス回路,ソース線駆動回路およびゲート線駆動回路と共
に形成し、第1および第2の信号入力線の出力端を、そ
れぞれソース線駆動回路およびゲート線線駆動回路に形
成されている薄膜トランジスタのうちのいずれかの薄膜
トランジスタのゲートに導電接続して、アクティブマト
リクス表示パネルの信号入力回路として利用することが
できる。
Here, the input protection circuit is formed on the front surface side of an insulating display panel transparent substrate which is an insulating substrate together with the pixel matrix circuit, source line driving circuit and gate line driving circuit, and the first and second signals are formed. The output end of the input line is conductively connected to the gate of any one of the thin film transistors formed in the source line drive circuit and the gate line line drive circuit, and is used as a signal input circuit of the active matrix display panel. be able to.

【0011】[0011]

【作用】上記手段を講じた本発明に係る信号入力回路お
よびアクティブマトリクス表示パネルにおいては、絶縁
基板の表面側に形成された信号入力線に対して静電気な
どによって異常電位が供給されても、異常電位は異常電
位引出し線を介して入力保護回路に引き出されるため、
異常電位は出力端から出力されない。ここで、導電接続
位置から入力保護回路までの第1の電気的抵抗値は、異
常電位引出し線と信号入力線との導電接続位置からこの
信号入力線の出力端までの第2の電気的抵抗値比して小
さく設定されているため、静電気などによって信号入力
線に異常電位が発生したときに、導電接続位置で分岐し
て流れる突入電流は、配線抵抗の小さな保護回路の側に
流れ、出力端の側に流れにくい。それ故、入力保護回路
は異常電位(突入電流)を確実に吸収、緩和するため、
異常電位(突入電流)によって出力端側に接続するメイ
ン回路が損傷しないので、信号入力回路およびアクティ
ブマトリクス表示パネルの信頼性が向上する。
In the signal input circuit and the active matrix display panel according to the present invention having the above-mentioned means, even if an abnormal potential is supplied to the signal input line formed on the front surface side of the insulating substrate by static electricity or the like, an abnormality occurs. Since the potential is drawn to the input protection circuit via the abnormal potential lead line,
The abnormal potential is not output from the output end. Here, the first electrical resistance value from the conductive connection position to the input protection circuit is the second electrical resistance from the conductive connection position between the abnormal potential lead-out line and the signal input line to the output end of this signal input line. Since the value is set smaller than the value, when an abnormal potential occurs on the signal input line due to static electricity, the inrush current that branches and flows at the conductive connection position flows to the side of the protection circuit with a small wiring resistance, and the output Difficult to flow to the edge side. Therefore, the input protection circuit reliably absorbs and alleviates abnormal potential (inrush current).
Since the abnormal potential (rush current) does not damage the main circuit connected to the output end side, the reliability of the signal input circuit and the active matrix display panel is improved.

【0012】また、信号入力線および異常電位信号入力
線がそれぞれ2以上形成され、しかも、これらの信号入
力線のうち、第2の信号入力線の側方位置のうちの第1
の信号入力線の形成位置とは反対側の側方位置に入力保
護回路が形成されていると、第1の異常電位引出し線
は、必然的に第2の信号入力線と交差するため、配線間
に寄生容量が形成されてしまうが、第1の異常電位引出
し線を、第2の異常電位引出し線が第2の信号入力線に
導電接続する位置に比して第2の信号入力線の出力端側
で第2の信号入力線と交差させた構造を採用した場合に
は、第2の信号出力端側からみると、第1の異常電位引
出し線と第2の信号入力線との交差部に比して前段側に
入力保護回路が第2の異常電位引出し線を介して導電接
続していることになる。従って、第2の信号入力線に供
給された異常電位は、まず入力保護回路において吸収、
緩和された状態で出力端側に送出される。このため、第
2の信号入力線と第1の異常電位引出し線との交差部に
容量が構成されていても、第2の信号入力線と第1の異
常電位引出し線との間に高電圧が発生しない。それ故、
交差部の層間絶縁膜が損傷しないので、これらの入力線
がショートせず、信号入力回路およびアクティブマトリ
クス表示パネルの信頼性がさらに向上する。
Further, two or more signal input lines and two or more abnormal potential signal input lines are formed, and further, of these signal input lines, the first of the side positions of the second signal input line is formed.
If the input protection circuit is formed at a side position opposite to the formation position of the signal input line, the first abnormal potential lead-out line inevitably intersects the second signal input line. Although a parasitic capacitance is formed between the first abnormal potential lead line and the second abnormal potential lead line, the second abnormal potential lead line is conductively connected to the second signal input line. When the structure in which the output terminal side intersects with the second signal input line is adopted, when viewed from the second signal output terminal side, the first abnormal potential lead-out line and the second signal input line intersect. This means that the input protection circuit is conductively connected to the preceding stage side via the second abnormal potential lead-out line as compared with the section. Therefore, the abnormal potential supplied to the second signal input line is first absorbed by the input protection circuit,
It is sent to the output end side in a relaxed state. Therefore, even if the capacitance is formed at the intersection of the second signal input line and the first abnormal potential lead-out line, a high voltage is applied between the second signal input line and the first abnormal potential lead-out line. Does not occur. Therefore,
Since the interlayer insulating film at the intersection is not damaged, these input lines are not short-circuited, and the reliability of the signal input circuit and the active matrix display panel is further improved.

【0013】[0013]

【実施例】つぎに、添付図面を参照して、本発明の一実
施例について説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0014】図1(a)は本発明の実施例1に係る信号
入力回路の構成を示す構成図、図2(a)はその信号入
力線と異常電位引出し線との配置を示す平面図、図2
(b)は図2(a)のV−V′線における断面図であ
る。
FIG. 1A is a configuration diagram showing the configuration of a signal input circuit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2A is a plan view showing the arrangement of the signal input line and the abnormal potential lead-out line. Figure 2
2B is a sectional view taken along the line VV ′ of FIG.

【0015】ここで、本例の信号入力回路はアクティブ
マトリクス液晶表示パネルに形成されているため、信号
入力回路の構成を説明する前に,図3および図4を参照
して、アクティブマトリクス液晶表示パネルの構成を説
明しておく。
Since the signal input circuit of this example is formed in the active matrix liquid crystal display panel, the active matrix liquid crystal display will be described with reference to FIGS. 3 and 4 before describing the configuration of the signal input circuit. The configuration of the panel will be described.

【0016】図3は本例の信号入力回路を備えるアクテ
ィブマトリクス液晶表示パネルのブロック図、図4はそ
のソース線駆動回路の回路図である。
FIG. 3 is a block diagram of an active matrix liquid crystal display panel including the signal input circuit of this example, and FIG. 4 is a circuit diagram of the source line driving circuit thereof.

【0017】図3および図4に示すアクティブマトリク
ス液晶表示パネル10において、その画素マトリクス2
2,ソース線駆動回路12およびゲート線駆動回路21
は、いずれも絶縁性の透明基板11(絶縁基板)の上に
形成されており、そのうち、ソース線駆動回路12はシ
フトレジスタ13,サンプルホールド回路17およびビ
デオ信号入力線14,15,16を有する一方、ゲート
線駆動回路21はシフトレジスタ20および必要に応じ
てバッファ回路23を有する。また、画素マトリクス2
2は、ソース線駆動回路12に接続された複数のソース
線26,27,28・・・と、ゲート線駆動回路21に
接続された複数のゲート線24,25・・・と、これら
のゲート線およびソース線の交点に形成された複数の画
素32,33・・・とを有し、各画素32,33・・・
には薄膜トランジスタ(TFT)29と液晶セル30と
を有する。さらに、ソース線駆動回路12の側には、そ
のシフトレジスタ13にクロック信号CKAを入力すべ
き2つのクロック信号入力線34が配置されている一
方、ゲート線駆動回路21の側には、そのシフトレジス
タ20にクロック信号を入力すべきクロック信号入力線
37が配置されている。なお、35,36はソース線駆
動回路12およびゲート線駆動回路21にスタート信号
を入力するスタート信号入力線である。ここで、図4に
示すように、シフトレジスタ13は、1ビット当たり、
1つのインバータ13aと2つのクロックドインバータ
13b,13cで構成され、そのうち、インバータ13
aはp型TFTとn型TFTとからなるCMOS構造に
なっている一方、クロックドインバータ13b,13c
は2つのp型TFTと2つのn型TFTとから構成され
ている。また、サンプルホールド回路17の各アナログ
スイッチ17aもn型TFTで構成され、そのバッファ
回路も相補型のTFTからなるインバータ回路17b,
17cで構成されている。なお、18はアクティブマト
リクス液晶表示パネル10の各回路部を駆動するための
正側電源線であり、その電位はVddに保持されている一
方、19はその負側電源線であり、その電位はVssに保
持されている。ここで、アクティブマトリクス液晶表示
パネル10は、透明基板11に対して対向基板(図示せ
ず)が対向する状態にあり、その間に封入された液晶に
よって液晶セル30が構成されている。
In the active matrix liquid crystal display panel 10 shown in FIG. 3 and FIG.
2, source line drive circuit 12 and gate line drive circuit 21
Are formed on an insulative transparent substrate 11 (insulating substrate), of which the source line driving circuit 12 has a shift register 13, a sample hold circuit 17, and video signal input lines 14, 15 and 16. On the other hand, the gate line driving circuit 21 has a shift register 20 and a buffer circuit 23 as necessary. Also, the pixel matrix 2
Reference numeral 2 denotes a plurality of source lines 26, 27, 28 ... Connected to the source line drive circuit 12, a plurality of gate lines 24, 25 ... Connected to the gate line drive circuit 21, and these gates. , Which are formed at the intersections of the lines and the source lines, and each of the pixels 32, 33 ,.
Has a thin film transistor (TFT) 29 and a liquid crystal cell 30. Further, two clock signal input lines 34 for inputting the clock signal CKA to the shift register 13 are arranged on the source line drive circuit 12 side, while the shift signal is input to the gate line drive circuit 21 side. A clock signal input line 37 for inputting a clock signal to the register 20 is arranged. Reference numerals 35 and 36 denote start signal input lines for inputting a start signal to the source line drive circuit 12 and the gate line drive circuit 21. Here, as shown in FIG. 4, the shift register 13 is
It is composed of one inverter 13a and two clocked inverters 13b and 13c.
a has a CMOS structure composed of p-type TFTs and n-type TFTs, while clocked inverters 13b and 13c
Is composed of two p-type TFTs and two n-type TFTs. Each analog switch 17a of the sample hold circuit 17 is also composed of an n-type TFT, and its buffer circuit is also an inverter circuit 17b composed of a complementary TFT.
It is composed of 17c. Reference numeral 18 denotes a positive power supply line for driving each circuit portion of the active matrix liquid crystal display panel 10, the potential of which is held at V dd , while 19 is its negative power supply line and the potential thereof. Is held at V ss . Here, the active matrix liquid crystal display panel 10 is in a state in which a counter substrate (not shown) faces the transparent substrate 11, and a liquid crystal cell 30 is constituted by liquid crystal sealed between them.

【0018】このような構成のアクティブマトリクス液
晶表示パネル10において、各回路部は絶縁性の透明基
板11の表面側に構成されているため、半導体シリコン
基板の表面側に集積回路が形成された半導体装置と異な
り、同電位となる導電性の共通基板がない。このため、
そのダイシング工程などの製造工程の途中、また完成後
において、静電気などの影響を受けて回路が破損しやす
い性質がある。
In the active matrix liquid crystal display panel 10 having such a structure, since each circuit portion is formed on the front surface side of the insulating transparent substrate 11, a semiconductor having an integrated circuit formed on the front surface side of the semiconductor silicon substrate. Unlike the device, there is no conductive common substrate at the same potential. For this reason,
During the manufacturing process such as the dicing process or after completion, the circuit is likely to be damaged by static electricity or the like.

【0019】そこで、本例のアクティブマトリクス液晶
表示パネル10においては、透明基板11の表面側に、
その画素マトリクス22(画素マトリクス回路),ソー
ス線駆動回路12およびゲート線駆動回路21などと共
に、図1(a)に示すように、その信号入力回路1には
入力保護回路2を有する。ここで、信号入力回路1は、
図4に示すソース線駆動回路12にTFTで構成された
ゲート入力回路のうちのいずれかの回路に対して設けら
れている。
Therefore, in the active matrix liquid crystal display panel 10 of this example, on the front surface side of the transparent substrate 11,
As shown in FIG. 1A, the signal input circuit 1 has an input protection circuit 2 together with the pixel matrix 22 (pixel matrix circuit), the source line drive circuit 12, the gate line drive circuit 21, and the like. Here, the signal input circuit 1 is
The source line drive circuit 12 shown in FIG. 4 is provided for any one of the gate input circuits formed of TFTs.

【0020】図1(a)において、信号入力回路1は、
透明基板11の表面側に並列形成された第1の信号入力
線3および第2の信号入力線4に供給された異常電位か
ら出力端3c,4cの側(矢印Aで示す信号方向側)の
メイン回路5(ソース線駆動回路12のゲート入力回
路)を保護する入力保護回路2を有し、この入力保護回
路2は第2の信号入力線4の側方位置のうちの第1の信
号入力線3の形成位置とは反対側の側方位置に形成され
ている。また、入力保護回路2のうちの第1の入力保護
回路2aと第1の信号入力線3とは第1の異常電位引出
し線6で接続されている一方、第2の入力保護回路2b
と第2の信号入力線4とは第2の異常電位引出し線7で
接続されている。ここで、第1の入力保護回路2aおよ
び第2の入力保護回路2bは、いずれも、アクティブマ
トリクス液晶表示パネル10の正側電源線18と第1お
よび第2の異常信号入力線6,7とにソース・ドレイン
が導電接続するp型のTFT201と、アクティブマト
リクス液晶表示パネル10の負側電源線19と第1およ
び第2の異常信号入力線6,7とにソース・ドレインが
導電接続するn型のTFT202とを有する。また、p
型のTFT201のゲートは正側電源線18に導電接続
し、n型のTFTのゲートは負側電源線19に導電接続
している。
In FIG. 1A, the signal input circuit 1 is
From the abnormal potential supplied to the first signal input line 3 and the second signal input line 4 formed in parallel on the surface side of the transparent substrate 11 to the output ends 3c, 4c side (the signal direction side indicated by arrow A) The input protection circuit 2 for protecting the main circuit 5 (gate input circuit of the source line drive circuit 12) is provided, and this input protection circuit 2 is the first signal input of the side position of the second signal input line 4. The line 3 is formed at a lateral position opposite to the formation position of the line 3. Further, the first input protection circuit 2a of the input protection circuit 2 and the first signal input line 3 are connected by the first abnormal potential lead-out line 6, while the second input protection circuit 2b is connected.
And the second signal input line 4 are connected by a second abnormal potential lead-out line 7. Here, the first input protection circuit 2a and the second input protection circuit 2b are connected to the positive power supply line 18 of the active matrix liquid crystal display panel 10 and the first and second abnormal signal input lines 6 and 7, respectively. The source / drain is conductively connected to the p-type TFT 201 whose source / drain is conductively connected to the negative power supply line 19 of the active matrix liquid crystal display panel 10 and the first and second abnormal signal input lines 6 and 7. Type TFT 202. Also, p
The gate of the n-type TFT 201 is conductively connected to the positive power supply line 18, and the gate of the n-type TFT is conductively connected to the negative power supply line 19.

【0021】ここで、第1の異常電位引出し線6と第1
の信号入力線3との導電接続位置3aは、図2(a)に
も示すように、第2の異常電位引出し線7と第2の信号
入力線4との導電接続位置4aに比して第2の信号入力
線4aの出力端4cの側にあって、第1の異常電位引出
し線3は、第2の異常電位引出し線7と第2の信号入力
線4との導電接続位置4aに比して第2の信号入力線4
の出力端4cの側で第2の信号入力線4と交差してい
る。このため、第2の信号入力線4の入力端4bの側か
らみると、第2の入力保護回路2bは第2の信号入力線
4と第1の異常電位引出し線6との交差部8に比して前
段側(入力端4bの側)で第2の信号入力線4に導電接
続している。なお、第1の異常電位引出し線6は第2の
信号入力線4と交差する構造になるが、第1および第2
の異常電位引出し線6,7は第1および第2の信号入力
線3,4の上層側の層間絶縁膜表面に形成されているた
め、図2(b)に示すように、第1の異常電位引出し線
6と第2の信号入力線4とは、交差部8において層間絶
縁膜9を介して配置され、それらの絶縁性は確保されて
いる。但し、交差部8の層間絶縁膜9に起因して、図1
(a)に示すように、第1の異常電位引出し線6と第2
の信号入力線4との交差部8には、容量C1 が寄生する
状態にある。
Here, the first abnormal potential lead-out line 6 and the first abnormal potential lead-out line 6
As shown in FIG. 2A, the conductive connection position 3a with the signal input line 3 of is compared with the conductive connection position 4a between the second abnormal potential lead-out line 7 and the second signal input line 4. On the side of the output end 4c of the second signal input line 4a, the first abnormal potential lead-out line 3 is located at the conductive connection position 4a between the second abnormal potential lead-out line 7 and the second signal input line 4. In comparison, the second signal input line 4
The second signal input line 4 is crossed on the output terminal 4c side. Therefore, when viewed from the side of the input end 4b of the second signal input line 4, the second input protection circuit 2b is located at the intersection 8 of the second signal input line 4 and the first abnormal potential lead-out line 6. On the other hand, it is conductively connected to the second signal input line 4 on the front side (the side of the input end 4b). The first abnormal potential lead-out line 6 has a structure intersecting with the second signal input line 4, but the first and second
Since the abnormal potential lead lines 6 and 7 are formed on the surface of the interlayer insulating film on the upper layer side of the first and second signal input lines 3 and 4, as shown in FIG. The potential lead-out line 6 and the second signal input line 4 are arranged at the intersection 8 with the interlayer insulating film 9 interposed therebetween, and their insulating properties are secured. However, due to the interlayer insulating film 9 at the intersection portion 8,
As shown in (a), the first abnormal potential lead-out line 6 and the second abnormal potential lead-out line 6
The capacitance C 1 is in a parasitic state at the intersection 8 with the signal input line 4.

【0022】また、本例の信号入力回路1においては、
図1(b)に等価回路を示すように、各配線に電気的抵
抗値がR1a,R2a,R3a,R1b,R2b,R3bの抵抗成分
が寄生しているが、そのうち、第1および第2の信号入
力線3,4と第1および第2異常電位引出し線6,7と
の各導電接続位置3a,4aから第1および第2の入力
保護回路2a,2bまでの第1の電気的抵抗値R1a,R
1bは、各導電接続位置3a,4aから各信号入力線3,
4の出力端3c,4cまでの第2の電気的抵抗値R2a
2bに比して小さく設定してある。さらに、各導電接続
位置3a,4aは、第1および第2の出力端3c,4c
の側に配置されて、前述の第1の電気的抵抗値R1 と第
2の電気的抵抗値R2 との関係を確保しながら、第1お
よび第2の信号入力線3,4の入力端3b,4bから各
導電接続位置3a,4aまでの第3の電気的抵抗値
3a,R3bが、第1の電気的抵抗値R1a,R1bおよび第
2の電気的抵抗値R2a,R2bのいずれに比しても大きく
設定されている。ここで、第1および第2の信号入力線
3,4はいずれも多結晶シリコンで構成されている一
方、第1および第2の異常電位引出し線6,7はアルミ
ニウム層で構成されている。なお、第1および第2の信
号入力線3,4と第1および第2の異常電位引出し線
6,7との導電接続は層間絶縁膜の接続孔を介して行わ
れており、これらの配線間のコンタクト抵抗が配線自身
の電気的抵抗に比して無視できない場合については、電
気的抵抗値R1a,R2a,R3a,R1b,R2b,R3bには各
接続部におけるコンタクト抵抗をも含むものとして所定
の大小関係が設定されることになる。
Further, in the signal input circuit 1 of this example,
As shown in the equivalent circuit of FIG. 1B, the resistance components of electric resistance R 1a , R 2a , R 3a , R 1b , R 2b , and R 3b are parasitic in each wiring. From the conductive connection positions 3a and 4a of the first and second signal input lines 3 and 4 and the first and second abnormal potential lead lines 6 and 7 to the first and second input protection circuits 2a and 2b, respectively. 1 electrical resistance values R 1a , R
1b is from each conductive connection position 3a, 4a to each signal input line 3,
The second electrical resistance value R 2a up to the output terminals 3c, 4c of 4;
It is set smaller than R 2b . Further, each conductive connection position 3a, 4a has a first and a second output end 3c, 4c.
Of the first and second signal input lines 3 and 4 while ensuring the relationship between the first electrical resistance value R 1 and the second electrical resistance value R 2 described above. The third electrical resistance values R 3a , R 3b from the ends 3b, 4b to the respective conductive connection positions 3a, 4a are the first electrical resistance values R 1a , R 1b and the second electrical resistance value R 2a. , R 2b are set to be large. Here, the first and second signal input lines 3 and 4 are both made of polycrystalline silicon, while the first and second abnormal potential leading lines 6 and 7 are made of an aluminum layer. The conductive connection between the first and second signal input lines 3 and 4 and the first and second abnormal potential lead lines 6 and 7 is made through the connection hole of the interlayer insulating film. In the case where the contact resistance between them is not negligible compared with the electrical resistance of the wiring itself, the electrical resistance values R 1a , R 2a , R 3a , R 1b , R 2b , and R 3b are the contact resistances at the respective connection portions. A predetermined magnitude relationship is set as including the following.

【0023】このような構成の信号入力回路1における
入力保護回路2の動作を、第2の入力保護回路2bにお
ける動作を例として、図5(a),図5(b)および図
5(c)を参照して説明する。
The operation of the input protection circuit 2 in the signal input circuit 1 having such a configuration will be described with reference to FIGS. 5 (a), 5 (b) and 5 (c) by taking the operation of the second input protection circuit 2b as an example. ) Will be described.

【0024】図5(a)は第2の入力保護回路2bの構
成を示す回路図、図5(b)はそのp型のTFT201
のゲート・ソース間電圧Vgsとソース・ドレイン間電流
sdとの関係を示すグラフ図、図5(c)はn型のTF
T202のゲート・ソース間電圧Vgsとドレイン・ソー
ス間電流Idsとの関係を示すグラフ図である。以下の説
明においては、正側電源線18の正電源電位をVdd、負
側電源線19の負電源電位をVss、第2の信号入力線4
の電位が第2の異常電位引出し線7を介して第2の入力
保護回路2bに引き出された入力電位をVinとする。な
お、図5(a)に示すメイン回路5の入力段は、CMO
S構造のTFTによって構成されたインバータ5aを備
えるソース線駆動回路12のゲート入力回路になってい
る。
FIG. 5A is a circuit diagram showing the configuration of the second input protection circuit 2b, and FIG. 5B is its p-type TFT 201.
Is a graph showing the relationship between the gate-source voltage V gs and the source-drain current I sd, and FIG. 5C is an n-type TF.
FIG. 9 is a graph showing the relationship between the gate-source voltage V gs and the drain-source current I ds of T202. In the following description, the positive power supply potential of the positive power supply line 18 is V dd , the negative power supply potential of the negative power supply line 19 is V ss , and the second signal input line 4 is
The input potential of which is drawn out to the second input protection circuit 2b through the second abnormal potential lead-out line 7 is V in . The input stage of the main circuit 5 shown in FIG.
It is a gate input circuit of the source line drive circuit 12 including an inverter 5a composed of an S structure TFT.

【0025】まず、Vss≦Vin≦Vddの場合には、p型
のTFT201におけるゲート・ソース間電位Vgsは0
V、そのドレイン・ソース間電圧Vdsは(Vin−Vdd
vであり、Vds≦0である。従って、p型のTFT20
1は抵抗として機能し、図3(b)に実線41に示すラ
インに沿って、入力電位Vinに対応したソース・ドレイ
ン間電流Isdが流れる。一方、n型のTFT202にお
けるゲート・ソース間電位Vgsは0V、そのドレイン・
ソース間電圧Vdsは(Vin−Vss)vであり、Vds≧0
である。従って、n型のTFT202も抵抗として機能
し、図3(c)に実線42で示すラインに沿って、入力
電位Vinに対応したドレイン・ソース間電流Idsが発生
する。
[0025] First of all, V ss ≦ V in ≦ V in the case of a dd, the potential V gs between the gate and the source in TFT201 of the p-type 0
V, and its drain-source voltage V ds is (V in −V dd ).
v and V ds ≤0. Therefore, the p-type TFT 20
1 functions as a resistor, and a source-drain current I sd corresponding to the input potential V in flows along the line indicated by the solid line 41 in FIG. On the other hand, the gate-source potential V gs in the n-type TFT 202 is 0 V, and its drain
The source-to-source voltage V ds is (V in −V ss ) v, and V ds ≧ 0.
Is. Therefore, the n-type TFT 202 also functions as a resistor, and a drain-source current I ds corresponding to the input potential V in is generated along the line indicated by the solid line 42 in FIG.

【0026】これに対して、Vdd<Vinの場合、すなわ
ち、第2の信号入力線4に正側電源線18の正電源電位
ddに比して高い異常電位が印加された場合には、p型
のTFT201におけるゲート・ソース間電位Vgs
(Vdd−Vin)vであり、Vgs<0V、ドレイン・ソー
ス間電圧Vdsは(Vdd−Vin)vであり、Vds≦0であ
る。従って、入力電位Vin(異常電位)が高いほど、ゲ
ート・ソース間電位Vgsおよびドレイン・ソース間電圧
dsがマイナス側に大きくふれて、図3(b)に実線4
3で示す特性、すなわち、p型のTFT201がオン状
態となる。この場合、n型のTFT202は図3(c)
に実線42で示した特性のままである。従って、第2の
信号入力線4に、静電気などによって正側電源線18の
正電源電位Vddに比して高い異常電位が印加された場合
には、p型のTFT201を介して正側電源線18に電
流が通過する。
On the other hand, when V dd <V in , that is, when an abnormal potential higher than the positive power supply potential V dd of the positive power supply line 18 is applied to the second signal input line 4, Indicates that the gate-source potential V gs in the p-type TFT 201 is (V dd -V in ) v, V gs <0 V, and the drain-source voltage V ds is (V dd -V in ) v. V ds ≦ 0. Therefore, as the input potential V in (abnormal potential) is higher, the gate-source potential V gs and the drain-source voltage V ds are more greatly shifted to the negative side, and the solid line 4 in FIG.
3, the p-type TFT 201 is turned on. In this case, the n-type TFT 202 is shown in FIG.
The characteristics shown by the solid line 42 remain unchanged. Therefore, when an abnormal potential higher than the positive power supply potential V dd of the positive power supply line 18 is applied to the second signal input line 4 by static electricity or the like, the positive power supply is passed through the p-type TFT 201. Current passes through line 18.

【0027】一方、Vin<Vssの場合、すなわち、第2
の信号入力線4に負側電源線19の負電源電位Vssに比
して低い異常電位が印加された場合には、n型のTFT
202におけるゲート・ソース間電位Vgsは(Vss−V
in)vであり、Vgs>0V、ドレイン・ソース間電圧V
dsは(Vss−Vin)vであり、Vds>0である。従っ
て、入力電位Vin(異常電位)が低いほど、ゲート・ソ
ース間電位Vgsおよびドレイン・ソース間電圧Vdsがプ
ラス側に大きくふれて、図3(c)に実線44で示す特
性、すなわち、n型のTFT202がオン状態となる。
この場合、p型のTFT201は図3(b)に実線41
で示した特性のままである。従って、第2の信号入力線
4に負側電源線19の負電源電位Vssに比して低い異常
電位が供給された場合には、n型のTFT202を介し
て負側電源線19に電流が通過する。
On the other hand, when V in <V ss , that is, the second
When an abnormal potential lower than the negative power supply potential V ss of the negative power supply line 19 is applied to the signal input line 4 of the n-type TFT
The gate-source potential V gs at 202 is (V ss −V
in ) v, V gs > 0 V, drain-source voltage V
ds is a (V ss -V in) v, is a V ds> 0. Therefore, the lower the input potential V in (abnormal potential), the larger the gate-source potential V gs and the drain-source voltage V ds are on the plus side, and the characteristic indicated by the solid line 44 in FIG. , N-type TFT 202 is turned on.
In this case, the p-type TFT 201 has a solid line 41 in FIG.
The characteristics shown in are retained. Therefore, when an abnormal potential lower than the negative power supply potential V ss of the negative power supply line 19 is supplied to the second signal input line 4, a current is supplied to the negative power supply line 19 via the n-type TFT 202. Passes through.

【0028】このようにして、メイン回路5は第2の入
力保護回路2bによって静電気などに起因する異常電位
から保護される。
In this way, the main circuit 5 is protected by the second input protection circuit 2b from an abnormal potential caused by static electricity or the like.

【0029】ここで、第2の信号入力線4と第2の異常
電位引出し線7との導電接続位置4aから第2の入力保
護回路2bまでの第1の電気的抵抗値R1bは、第2の異
常電位引出し線4aと第2の信号入力線7との導電接続
位置4aから第2の信号入力線4の出力端4cまでの第
2の電気的抵抗値R2bに比して小さく設定されているた
め、静電気などによって第2の信号入力線7に異常電位
が発生したときに、導電接続位置4aで分岐して流れる
突入電流は、配線抵抗の小さな入力保護回路2bの側に
流れ、出力端4cの側に流れにくい。また、導電接続位
置4aは第2の信号入力線4の出力端4aの側に配置さ
れて、その入力端4bから導電接続位置4aまでの第3
の電気的抵抗値R3 が、信号入力線4の長さを延長する
ことなく、第1の電気的抵抗値R1 および第2の電気的
抵抗値R2 のいずれにも比して大きく、しかも最大限の
大きさに設定されているため、第2の信号入力線4に発
生した異常電位は、その入力端4bから導電接続位置4
aまでの第3の電気的抵抗R3bによって緩和された状態
で入力保護回路2bに引き出されるため、過大な突入電
流によって入力保護回路2bの側などが損傷してしまう
こともない。このようなことは、第1の信号入力線3の
側でも同様である。
Here, the first electrical resistance value R 1b from the conductive connection position 4a between the second signal input line 4 and the second abnormal potential lead-out line 7 to the second input protection circuit 2b is 2 is set smaller than the second electrical resistance value R 2b from the conductive connection position 4a between the abnormal potential lead-out line 4a and the second signal input line 7 to the output end 4c of the second signal input line 4. Therefore, when an abnormal potential is generated in the second signal input line 7 due to static electricity or the like, a rush current that branches and flows at the conductive connection position 4a flows to the side of the input protection circuit 2b having a small wiring resistance. Difficult to flow to the output end 4c side. Further, the conductive connection position 4a is arranged on the side of the output end 4a of the second signal input line 4, and the third end from the input end 4b to the conductive connection position 4a.
Has an electric resistance value R 3 larger than both the first electric resistance value R 1 and the second electric resistance value R 2 without extending the length of the signal input line 4, Moreover, since it is set to the maximum size, the abnormal potential generated in the second signal input line 4 is transmitted from the input end 4b to the conductive connection position 4
Since it is drawn out to the input protection circuit 2b in a state where it is relaxed by the third electrical resistance R 3b up to a, an excessive rush current will not damage the side of the input protection circuit 2b or the like. The same applies to the first signal input line 3 side.

【0030】さらに、信号入力線および異常電位信号入
力線がそれぞれ2列形成されているため、第1の異常電
位引出し線6は必然的に第2の信号入力線4と交差し、
この交差部8には容量C1 が寄生しているが、第1の異
常電位引出し線6を、第2の異常電位引出し線7と第2
の信号入力線4との電接続位置4aに比して第2の信号
入力線4の出力端4cの側で第2の信号入力線4と交差
させているため、その出力端4bの側からみると、第1
の異常電位引出し線6と第2の信号入力線4との交差部
8に比して前段側に第2の入力保護回路2bが第2の異
常電位引出し線7を介して導電接続している。従って、
第2の信号入力線4に発生した異常電位は、まず第2の
入力保護回路2bにおいて吸収、緩和された状態で出力
端4cの側に送出される。このため、第2の信号入力線
4と第1の異常電位引出し線6との交差部8に容量C1
が構成されていても、これらの間に高電圧が発生しない
ので、配線間でのショートが発生しない。
Further, since the signal input line and the abnormal potential signal input line are formed in two columns, the first abnormal potential lead-out line 6 inevitably intersects with the second signal input line 4,
Although the capacitance C 1 is parasitic on this crossing portion 8, the first abnormal potential lead-out line 6 is connected to the second abnormal potential lead-out line 7 and the second abnormal potential lead-out line 7.
Since the second signal input line 4 is crossed with the second signal input line 4 on the side of the output end 4c of the second signal input line 4 compared to the electric connection position 4a with the signal input line 4 of FIG. Looking at the first
The second input protection circuit 2b is electrically conductively connected via the second abnormal potential lead-out line 7 to the front side of the intersection 8 between the abnormal potential lead-out line 6 and the second signal input line 4. .. Therefore,
The abnormal potential generated in the second signal input line 4 is first sent to the output terminal 4c side while being absorbed and relaxed in the second input protection circuit 2b. Therefore, the capacitance C 1 is formed at the intersection 8 of the second signal input line 4 and the first abnormal potential lead-out line 6.
However, since a high voltage is not generated between them, no short circuit occurs between the wirings.

【0031】以上のとおり、本例の信号入力回路1を備
えるアクティブマトリクス液晶表示パネル10におい
て、メイン回路5は入力保護回路2によって静電気など
に起因する異常電位から保護される。ここで、突入電流
は、配線抵抗の小さな入力保護回路2の側に流れ、入力
保護回路2は異常電位(突入電流)を確実に吸収、緩和
する。従って、異常電位(突入電流)によって出力端3
c,4cの側に接続するメイン回路5が損傷しないの
で、信号入力回路1およびアクティブマトリクス表示パ
ネル10の信頼性が向上する。また、導電接続位置3
a,4aは出力端3c,4cの側に配置されて、第1お
よび第2の信号入力線3,4を延長することなく、入力
端3b,4bから導電接続位置3a,4aまでの第3の
電気的抵抗値R3a,R3bが最大限大きく設定されている
ため、この電気的抵抗によって、突入電流を緩和して、
突入電流によって入力保護回路2の側の損傷を防止する
こともできる。
As described above, in the active matrix liquid crystal display panel 10 including the signal input circuit 1 of this example, the main circuit 5 is protected by the input protection circuit 2 from an abnormal potential caused by static electricity or the like. Here, the rush current flows to the side of the input protection circuit 2 having a small wiring resistance, and the input protection circuit 2 reliably absorbs and alleviates the abnormal potential (rush current). Therefore, due to the abnormal potential (rush current), the output terminal 3
Since the main circuit 5 connected to the c and 4c sides is not damaged, the reliability of the signal input circuit 1 and the active matrix display panel 10 is improved. Also, the conductive connection position 3
a, 4a are arranged on the side of the output ends 3c, 4c and do not extend the first and second signal input lines 3 and 4 and the third from the input ends 3b, 4b to the conductive connection positions 3a, 4a. Since the electrical resistance values R 3a and R 3b of are set to the maximum values, the inrush current is relaxed by this electrical resistance,
It is also possible to prevent damage to the input protection circuit 2 side due to the inrush current.

【0032】さらに、第1の異常電位引出し線6は、第
2の異常電位引出し線7の第2の信号入力線4への導電
接続位置4aに比して第2の信号入力線2の出力端側で
第2の信号入力線4と交差し、第2の信号入力線4の入
力端4bの側からみると、第2の入力保護回路2bは、
第2の信号入力線4と第1の異常電位引出し線6との交
差部8に寄生する容量C1 の前段側にある。このため、
異常電位は第2の入力保護回路2bによって確実に吸
収、緩和された状態で、第2の信号入力線4と第1の異
常信号入力線6との交差部4aに達する。従って、交差
部8に容量C1 が構成されていても、第2の信号入力線
4と第1の異常電位引出し線6との間に発生する電圧が
低いので、交差部8の層間絶縁膜9が損傷しない。それ
故、異常電圧に起因して、第2の信号入力線4と第1の
異常電位引出し線6とがショートしないので、信号入力
回路1およびそれを備えるアクティブマトリクス液晶表
示パネル10の信頼性が向上する。
Furthermore, the first abnormal potential lead-out line 6 outputs the second signal input line 2 in comparison with the conductive connection position 4a of the second abnormal potential lead-out line 7 to the second signal input line 4. When crossing the second signal input line 4 on the end side and seen from the input end 4b side of the second signal input line 4, the second input protection circuit 2b is
It is on the upstream side of the capacitance C 1 parasitic on the intersection 8 between the second signal input line 4 and the first abnormal potential lead-out line 6. For this reason,
The abnormal potential reaches the intersection 4a between the second signal input line 4 and the first abnormal signal input line 6 while being reliably absorbed and relaxed by the second input protection circuit 2b. Therefore, even if the capacitance C 1 is formed at the crossing portion 8, since the voltage generated between the second signal input line 4 and the first abnormal potential lead-out line 6 is low, the interlayer insulating film at the crossing portion 8 is formed. 9 is not damaged. Therefore, since the second signal input line 4 and the first abnormal potential lead-out line 6 are not short-circuited due to the abnormal voltage, the reliability of the signal input circuit 1 and the active matrix liquid crystal display panel 10 including the signal input circuit 1 is improved. improves.

【0033】なお、本例においては、2列の信号入力線
を備える信号入力回路について説明したが、これに限ら
ず、3列以上の信号入力線を備える信号入力回路に対し
ても、寄生容量の影響を抑制した構造を採用することが
できる。すなわち、3列以上の信号入力線のうちの2列
について、入力保護回路側の信号入力線を第2の信号入
力線とし、他方側の信号入力線を第1の信号入力線とし
て、それぞれに前述の構成で第1および第2の異常電位
引出し線を配置する。また、入力保護回路側およびメイ
ン回路側の構成には限定がない。
In this example, the signal input circuit having the signal input lines in two columns has been described. However, the present invention is not limited to this, and the parasitic capacitance can be applied to a signal input circuit having signal input lines in three or more columns. It is possible to adopt a structure in which the influence of is suppressed. That is, regarding two columns of the three or more column signal input lines, the signal input line on the input protection circuit side is used as the second signal input line, and the signal input line on the other side is used as the first signal input line. The first and second abnormal potential lead lines are arranged in the above-described configuration. Further, the configurations of the input protection circuit side and the main circuit side are not limited.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る信号入力回
路およびそれを備えたアクティブマトリクス表示パネル
においては、信号入力線と異常電位引出し線との導電接
続位置から入力保護回路までの第1の電気的抵抗値は、
この導電接続位置からこの信号入力線の出力端までの第
2の電気的抵抗値に比して小さく設定されていることに
特徴を有する。従って、本発明によれば、突入電流は配
線抵抗の小さな入力保護回路の側に流れて確実に吸収、
緩和されるため、異常電位によって出力端側に接続する
メイン回路が損傷しないので、信号入力回路およびアク
ティブマトリクス表示パネルの信頼性が向上する。
As described above, in the signal input circuit according to the present invention and the active matrix display panel including the signal input circuit, the first part from the conductive connection position of the signal input line and the abnormal potential lead-out line to the input protection circuit is provided. The electrical resistance value is
It is characterized in that it is set smaller than the second electric resistance value from the conductive connection position to the output end of the signal input line. Therefore, according to the present invention, the inrush current flows to the side of the input protection circuit having a small wiring resistance and is reliably absorbed,
Since this is alleviated, the main circuit connected to the output end side is not damaged by the abnormal potential, and the reliability of the signal input circuit and the active matrix display panel is improved.

【0035】また、導電接続位置は信号入力線の出力端
側に配置されて信号入力線の入力端から導電接続位置ま
での第3の電気的抵抗値が最大限大きく設定されている
場合には、この電気的抵抗による電圧降下によって突入
電流を緩和できるので、信号入力線を延長せずに、入力
保護回路側を保護できる。
Further, when the conductive connection position is arranged on the output end side of the signal input line and the third electric resistance value from the input end of the signal input line to the conductive connection position is set to the maximum value, Since the rush current can be alleviated by the voltage drop due to this electric resistance, the input protection circuit side can be protected without extending the signal input line.

【0036】さらに、信号入力線および異常電位信号入
力線がそれぞれ2以上形成され、第2の信号入力線の側
方位置のうちの第1の信号入力線の形成位置とは反対側
の側方位置に入力保護回路が形成されていても、第1の
異常電位引出し線を第2の異常電位引出し線と第2の信
号入力線との導電接続位置に比して第2の信号入力線の
出力端側で第2の信号入力線と交差させた場合には、第
1の異常電位引出し線と第2の信号入力線との交差部に
比して前段側に入力保護回路があるので、第2の信号入
力線に静電気などによって異常電位が供給されても、異
常電位は入力保護回路によって吸収、緩和された状態で
交差部に達する。従って、交差部に容量が構成されてい
ても、第2の信号入力線と第1の異常電位引出し線との
間に発生する電圧が低く、交差部の層間絶縁膜が損傷し
ない。それ故、交差部での配線間のショートが発生せ
ず、入力保護回路およびそれを備えたアクティブマトリ
クス表示パネルの信頼性が向上するという効果を奏す
る。
Further, two or more signal input lines and two or more abnormal potential signal input lines are formed, respectively, and one of the lateral positions of the second signal input line is opposite to the formation position of the first signal input line. Even if the input protection circuit is formed at the position, the first abnormal potential lead-out line is compared to the conductive connection position between the second abnormal potential lead-out line and the second signal input line, When the second signal input line is crossed on the output end side, the input protection circuit is provided on the front side as compared with the crossing portion between the first abnormal potential lead-out line and the second signal input line. Even if an abnormal potential is supplied to the second signal input line due to static electricity or the like, the abnormal potential reaches the intersection while being absorbed and relaxed by the input protection circuit. Therefore, even if the capacitance is formed at the intersection, the voltage generated between the second signal input line and the first abnormal potential lead-out line is low, and the interlayer insulating film at the intersection is not damaged. Therefore, there is an effect that the short circuit between the wirings does not occur at the crossing portion, and the reliability of the input protection circuit and the active matrix display panel including the input protection circuit is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は本発明の実施例1に係る入力保護回路
の構成を示す構成図、(b)はその等価回路図である。
1A is a configuration diagram showing a configuration of an input protection circuit according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an equivalent circuit diagram thereof.

【図2】(a)は図1に示す入力保護回路の信号入力線
と保護回路に対する異常電位引出し線との配置を示す平
面図、(b)は図2(a)のV−V′線における断面図
である。
2A is a plan view showing the arrangement of a signal input line of the input protection circuit shown in FIG. 1 and an abnormal potential lead-out line for the protection circuit, and FIG. 2B is a V-V 'line of FIG. 2A. FIG.

【図3】図1に示す入力保護回路を備えるアクティブマ
トリクス液晶表示パネルの構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of an active matrix liquid crystal display panel including the input protection circuit shown in FIG.

【図4】図3に示すアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルのソース線駆動回路の構成を示す回路図である。
4 is a circuit diagram showing a configuration of a source line driving circuit of the active matrix liquid crystal display panel shown in FIG.

【図5】(a)は図1に示す信号入力回路の構成を示す
回路図、(b)はそのp型のTFTのゲート・ソース間
電圧Vgsとソース・ドレイン間電流Isdとの関係を示す
グラフ図、(c)はそのn型のTFTのゲート・ソース
間電圧Vgsとドレイン・ソース間電流Idsとの関係を示
すグラフ図である。
5A is a circuit diagram showing a configuration of the signal input circuit shown in FIG. 1, and FIG. 5B is a relationship between a gate-source voltage V gs and a source-drain current I sd of the p-type TFT. FIG. 3C is a graph showing the relationship between the gate-source voltage V gs and the drain-source current I ds of the n-type TFT.

【図6】従来の信号入力回路の構成を示す構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a configuration of a conventional signal input circuit.

【図7】(a)は図6に示す信号入力回路における信号
入力線と入力保護回路に対する異常電位引出し線との配
置を示す平面図、(b)は図7(a)のVI−VI′線にお
ける断面図である。
7A is a plan view showing the arrangement of a signal input line and an abnormal potential lead-out line for the input protection circuit in the signal input circuit shown in FIG. 6, and FIG. 7B is a VI-VI ′ line in FIG. 7A. It is sectional drawing in a line.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・信号入力回路 2,70・・・入力保護回路 2a・・・第1の入力保護回路 2b・・・第2の入力保護回路 3,71・・・第1の信号入力線 3a,4a・・・導電接続部 3b,4b・・・入力端 3c,4c・・・出力端 4,72・・・第2の信号入力線 5・・・メイン回路 6,74・・・第1の異常電位引出し線 7,75・・・第2の異常電位引出し線 8,76・・・交差部 9,77・・・層間絶縁膜 10・・・アクティブマトリクス液晶表示パネル 11・・・透明基板 12・・・ソース線駆動回路 13,20・・・シフトレジスタ 17・・・サンプルホールド回路 18・・・正側電源線 19・・・負側電源線 21・・・ゲート線駆動回路 22・・・画素マトリクス 30・・・液晶セル 34・・・クロック信号入力線 201・・・p型のTFT(p型の薄膜トランジスタ) 202・・・n型のTFT(n型の薄膜トランジスタ) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Signal input circuit 2, 70 ... Input protection circuit 2a ... 1st input protection circuit 2b ... 2nd input protection circuit 3, 71 ... 1st signal input line 3a, 4a ... Conductive connection part 3b, 4b ... Input end 3c, 4c ... Output end 4, 72 ... Second signal input line 5 ... Main circuit 6, 74 ... First Abnormal potential lead-out line 7,75 ... Second abnormal potential lead-out line 8,76 ... Intersection 9,77 ... Interlayer insulating film 10 ... Active matrix liquid crystal display panel 11 ... Transparent substrate 12・ ・ ・ Source line drive circuit 13, 20 ・ ・ ・ Shift register 17 ・ ・ ・ Sample hold circuit 18 ・ ・ ・ Positive side power supply line 19 ・ ・ ・ Negative side power supply line 21 ・ ・ ・ Gate line drive circuit 22 ・ ・ ・Pixel matrix 30 ... Liquid crystal cell 34 ... Clock signal input line 201 ... p-type TFT (p-type thin film transistor) 202 ... n-type TFT (n-type thin film transistor)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 29/784 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 29/784

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板の表面側に形成された信号入力
線と、この信号入力線の側方位置に形成され、この信号
入力線に供給された異常電位からこの信号入力線の出力
端側の回路を保護する入力保護回路と、前記信号入力線
に導電接続し、この信号入力線に供給された異常電位を
前記入力保護回路に引き出す異常電位引出し線と、を有
し、前記異常電位引出し線と前記信号入力線との導電接
続位置から前記入力保護回路までの第1の電気的抵抗値
が、前記導電接続位置から前記信号入力線の出力端まで
の第2の電気的抵抗値に比して小さく設定されてなるこ
とを特徴とする信号入力回路。
1. A signal input line formed on the front surface side of an insulating substrate and an output terminal side of this signal input line from an abnormal potential supplied to the signal input line formed at a lateral position of the signal input line. An abnormal potential lead-out line that is conductively connected to the signal input line and draws out the abnormal potential supplied to the signal input line to the input protection circuit. The first electrical resistance value from the conductive connection position between the line and the signal input line to the input protection circuit is higher than the second electrical resistance value from the conductive connection position to the output end of the signal input line. And a small signal input circuit.
【請求項2】 請求項1において、前記導電接続位置は
前記信号入力線の出力端側に配置されて、この信号入力
線の入力端から前記導電接続位置までの第3の電気的抵
抗値が、前記第2の電気的抵抗値に比して大きく設定さ
れてなることを特徴とする信号入力回路。
2. The conductive connection position according to claim 1, wherein the conductive connection position is arranged on the output end side of the signal input line, and the third electrical resistance value from the input end of the signal input line to the conductive connection position is The signal input circuit is set to be larger than the second electrical resistance value.
【請求項3】 請求項1または請求項2において、前記
絶縁基板の表面側に、前記信号入力線は並列配置された
第1および第2の信号入力線として形成されていると共
に、前記入力保護回路は前記第2の信号入力線の側方位
置のうちの前記第1の信号入力線の形成位置とは反対側
の側方位置に形成され、前記第1および第2の信号入力
線と前記入力保護回路とをそれぞれ導電接続する前記異
常電位引出し線としての第1および第2の異常電位引出
し線のうち、前記第1の信号入力線に導電接続する第1
の異常電位引出し線は、前記第2の異常電位引出し線が
前記第2の信号入力線に導電接続する位置に比して前記
第2の信号入力線の出力端側で前記第2の信号入力線と
交差していることを特徴とする信号入力回路。
3. The input protection circuit according to claim 1, wherein the signal input line is formed as first and second signal input lines arranged in parallel on the front surface side of the insulating substrate. The circuit is formed at a lateral position of the lateral positions of the second signal input line opposite to the formation position of the first signal input line, and the circuit is formed at the lateral position of the first and second signal input lines. Of the first and second abnormal potential lead-out lines as the abnormal potential lead-out lines that conductively connect to the input protection circuit, respectively, a first conductively connect to the first signal input line.
Is connected to the second signal input line at the output end side of the second signal input line as compared with the position where the second abnormal potential lead line is conductively connected to the second signal input line. A signal input circuit characterized by intersecting a line.
【請求項4】 請求項1ないし請求項4のいずれかの項
に規定する信号入力回路が前記絶縁基板たる絶縁性の表
示パネル用透明基板の表面側にその画素マトリクス回
路,ソース線駆動回路およびゲート線駆動回路と共に形
成されたアクティブマトリクス表示パネルであって、前
記第1および第2の信号入力線の各出力端は、それぞれ
前記ソース線駆動回路およびゲート線線駆動回路に形成
されている薄膜トランジスタのうちのいずれかの薄膜ト
ランジスタのゲートに導電接続していることを特徴とす
るアクティブマトリクス表示パネル。
4. A pixel matrix circuit, a source line drive circuit, and a signal input circuit defined in any one of claims 1 to 4 on the front surface side of an insulating display panel transparent substrate which is the insulating substrate. An active matrix display panel formed together with a gate line drive circuit, wherein the output terminals of the first and second signal input lines are formed in the source line drive circuit and the gate line line drive circuit, respectively. An active matrix display panel, which is conductively connected to the gate of one of the thin film transistors.
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