JP3300023B2 - Signal input circuit and active matrix panel - Google Patents

Signal input circuit and active matrix panel

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JP3300023B2 JP11043992A JP11043992A JP3300023B2 JP 3300023 B2 JP3300023 B2 JP 3300023B2 JP 11043992 A JP11043992 A JP 11043992A JP 11043992 A JP11043992 A JP 11043992A JP 3300023 B2 JP3300023 B2 JP 3300023B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上に形成され
たアクティブマトリクス駆動回路などを静電気などによ
って発生する異常電位から保護する入力保護回路を備え
た信号入力回路およびそれを備えたアクティブマトリク
ス液晶表示パネルに関し、とくに、信号入力線側と入力
保護回路側との配線接続構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal input circuit having an input protection circuit for protecting an active matrix drive circuit and the like formed on an insulating substrate from an abnormal potential generated by static electricity or the like, and an active matrix having the same. The present invention relates to a liquid crystal display panel, and particularly to a wiring connection structure between a signal input line side and an input protection circuit side.

【0002】[0002]

【従来の技術】絶縁基板の表面側に半導体集積回路など
を構成すると、半導体基板の表面側に集積回路を形成す
る場合と異なり、同電位となるべき共通の基板がないた
め、集積回路を静電気などから保護するための入力保護
回路を設ける必要がある。たとえば、代表的なフラット
型表示パネルであるアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルにおいては、その画面を表示するための画素マトリク
ス回路,そのソース線駆動回路およびゲート線駆動回路
はいずれも絶縁性の透明基板の表面側に形成されている
ため、従来より、図6に示す入力保護回路が設けられて
いる。図において、絶縁性の透明基板の表面側に並列形
成された第1および第2の信号入力線71,72に対応
する入力保護回路70は、第2の信号入力線72の側方
位置のうちの第1の信号入力線71の形成位置とは反対
側の側方位置に形成され、この入力保護回路70と第1
の信号入力線71とは第1の異常電位引出し線73で接
続され、第2の信号入力線72と入力保護回路70とは
第2の異常電位引出し線74で接続されている。ここ
で、第1および第2の異常電位引出し線73,74は、
いずれも、図7(a)にも示すように、第1および第2
の信号入力線71,72の途中位置に導電接続してお
り、第2の異常電位引出し線74の第2の信号入力線7
2への導電接続位置72aは、第1の異常電位引出し線
73の第1の信号入力線71への導電接続位置71aに
比して出力端75の側(矢印Dで示す信号方向の側)に
ある。このため、第1の異常電位引出し線73は、第2
の信号入力線72と交差する構造になるが、この交差部
76において、第1の異常電位引出し線73は、図7
(b)に示すように、第2の信号入力線72の上層側で
層間絶縁膜77の表面に形成されているため、それらの
絶縁性は確保されている。
2. Description of the Related Art When a semiconductor integrated circuit or the like is formed on the front side of an insulating substrate, unlike a case where an integrated circuit is formed on the front side of the semiconductor substrate, there is no common substrate that should have the same potential. It is necessary to provide an input protection circuit for protection from the like. For example, in an active matrix liquid crystal display panel, which is a typical flat display panel, a pixel matrix circuit for displaying the screen, a source line driving circuit and a gate line driving circuit are all provided on the surface of an insulating transparent substrate. Since it is formed on the side, the input protection circuit shown in FIG. 6 is conventionally provided. In the figure, the input protection circuit 70 corresponding to the first and second signal input lines 71 and 72 formed in parallel on the front surface side of the insulating transparent substrate is a part of the side position of the second signal input line 72. Is formed at a side position opposite to the position where the first signal input line 71 is formed.
The signal input line 71 is connected by a first abnormal potential lead line 73, and the second signal input line 72 and the input protection circuit 70 are connected by a second abnormal potential lead line 74. Here, the first and second abnormal potential extraction lines 73 and 74 are
In both cases, as shown in FIG.
The second signal input line 7 of the second abnormal potential extracting line 74 is conductively connected to the middle of the signal input lines 71 and 72 of the
The position of the conductive connection 72a to the second terminal 2 is closer to the output end 75 (the side in the signal direction indicated by arrow D) than the conductive connection position 71a of the first abnormal potential extraction line 73 to the first signal input line 71. It is in. For this reason, the first abnormal potential extraction line 73 is
At the intersection 76, the first abnormal potential extraction line 73 is connected to the signal input line 72 shown in FIG.
As shown in (b), since the second signal input lines 72 are formed on the surface of the interlayer insulating film 77 on the upper layer side, their insulating properties are ensured.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
信号入力回路においては、第1の異常電位引出し線73
と第2の信号入力線74との交差部76が、第2の信号
入力線72と第2の異常電位引出し線74との導電接続
位置72aからみて、第2の信号入力線72の入力端7
2bの側で位置しているため、以下の問題点がある。す
なわち、第1の異常電位引出し線73と第2の信号入力
線72との間には、その交差部76の層間絶縁膜77に
よって容量C2 が構成され、この容量C2 は配線に寄生
する寄生容量に比して大きい。このため、第2の信号入
力線72に静電気などによって異常電圧が発生すると、
異常電位が入力保護回路70によって吸収される前にそ
の電荷が容量C2 に蓄積され、第1の異常電位引出し線
73と第2の信号入力線72との間に高電圧が印加され
た状態となる。ここで、第1の異常電位引出し線73と
第2の信号入力線72との間の電圧が層間絶縁膜77の
耐電圧を越えると、交差部76の層間絶縁膜77が破壊
されて第1の異常電位引出し線73と第2の信号入力線
72とがショートしてしまい、集積回路が機能しなくな
ってしまう。
However, in the conventional signal input circuit, the first abnormal potential extracting line 73 is not provided.
The intersection 76 between the second signal input line 74 and the second signal input line 74 forms an input terminal of the second signal input line 72 when viewed from the conductive connection position 72a between the second signal input line 72 and the second abnormal potential extraction line 74. 7
Since it is located on the side of 2b, there are the following problems. That is, a capacitor C 2 is formed between the first abnormal potential extraction line 73 and the second signal input line 72 by the interlayer insulating film 77 at the intersection 76 thereof, and the capacitor C 2 is parasitic on the wiring. Larger than the parasitic capacitance. Therefore, when an abnormal voltage is generated in the second signal input line 72 due to static electricity or the like,
Stored the charge in the capacitor C 2 before the abnormal potential is absorbed by the input protection circuit 70, a state in which a high voltage is applied between the first abnormal voltage lead wire 73 and the second signal input line 72 Becomes Here, if the voltage between the first abnormal potential extraction line 73 and the second signal input line 72 exceeds the withstand voltage of the interlayer insulating film 77, the interlayer insulating film 77 at the intersection 76 is destroyed and the first And the second signal input line 72 is short-circuited, and the integrated circuit does not function.

【0004】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
信号入力線と入力保護回路とを接続する異常電位引出し
線の配置構造を改良することによって、異常電位が入力
保護回路で吸収、緩和された状態で他の信号入力線と異
常電位引出し線との交差部に向けて伝達されるようにし
て、信頼性を向上可能な信号入力回路およびアクティブ
マトリクス表示パネルを実現することにある。
[0004] In view of the above problems, the object of the present invention is to:
By improving the arrangement of the extraordinary potential lead line connecting the signal input line and the input protection circuit, the abnormal potential is absorbed and mitigated by the input protection circuit, and the extra potential potential line between the other signal input line and the extraordinary potential lead line An object of the present invention is to realize a signal input circuit and an active matrix display panel capable of improving reliability by being transmitted to an intersection.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る信号入力回路は、基板表面側に並列形
成された第1および第2の信号入力線と、第2の信号入
力線の側方位置のうちの第1の信号入力線の形成位置と
は反対側の位置に形成され、第1および第2の信号入力
線に供給された信号の出力端側の回路を保護する入力保
護回路と、第1および第2の信号入力線に層間絶縁膜を
介してそれぞれ導電接続し信号入力線と入力保護回
路とをそれぞれ導電接続する第1および第2の引出し線
とを有し、第1の引出し線は、第2の引き出し線が第2
の信号入力線に導電接続する位置よりも第2の信号入力
線の出力端側で第2の信号入力線と交差してなることを
特徴とする
In order to solve the above-mentioned problems, a signal input circuit according to the present invention comprises a first signal input line and a second signal input line formed in parallel on a substrate surface side. It is formed at a position opposite to the formation position of the first signal input line among the side positions of the line, and protects a circuit at an output end side of the signal supplied to the first and second signal input lines. an input protection circuit, respectively connected conductively via an interlayer insulating film in the first and second signal input line, the signal input line and the input protection times
And first and second lead lines for conducting connection between the first and second paths, respectively .
That the second signal input line intersects the second signal input line at the output end side of the second signal input line with respect to the position where the second signal input line is conductively connected to the second signal input line.
Features .

【0006】ここで、第1および第2の信号入力線は、
アクティブマトリクスパネルの駆動回路における薄膜ト
ランジスタのゲートに導電接続している。そして、アク
ティブマトリクスパネルは、上記構成に係る信号入力回
路と、第1および第2の信号入力線に導電接続される駆
動回路と、画素マトリクスとを、基板に形成してなる
Here, the first and second signal input lines are
Thin film transistor in drive circuit of active matrix panel
It is conductively connected to the gate of the transistor. And
The active matrix panel has a signal input circuit according to the above configuration.
And a drive conductively connected to the first and second signal input lines.
A moving circuit and a pixel matrix are formed on a substrate .

【0007】なお、本発明における第1および第2の信
号入力線とは、2つの信号入力線のみを有する場合は勿
論のこと、3つ以上の信号入力線を有し、そのうちの2
つの信号入力線が上記の第1および第2の信号入力線の
構成になっている場合、3つ以上の信号入力線のうちの
いずれの信号入力線も他の信号入力線との間で上記の第
1および第2の信号入力線の構成になっている場合も含
む。
Note that the first and second signal input lines in the present invention include not only two signal input lines but also three or more signal input lines,
In the case where one signal input line has the configuration of the first and second signal input lines, any one of the three or more signal input lines is connected to another signal input line by the above-described method. And the first and second signal input lines.

【0008】[0008]

【作用】上記手段を講じた本発明に係る信号入力回路お
よびアクティブマトリクスパネルにおいて、基板表面側
に並列形成された第1の信号入力線および第2の信号入
力線に対して静電気などによって異常電位が供給されて
も、異常電位は、それぞれ第1または第2の引出し線を
介して入力保護回路に引き出されるため、異常電位は出
力端から出力されない。ここで、第1の引出し線は、第
2の引出し線が第2の信号入力線に導電接続する位置
りも第2の信号入力線の出力端側で第2の信号入力線と
交差しているため、第2の信号出力端側からみると、第
1の引出し線と第2の信号入力線との交差部に比して前
段側に入力保護回路が第2の引出し線を介して導電接続
している。従って、第2の信号入力線に供給された異常
電位は、まず入力保護回路において吸収、緩和された状
態で出力端側に送出される。このため、第2の信号入力
線と第1の引出し線との交差部に容量が構成されていて
も、第2の信号入力線と第1の引出し線との間に高電圧
が発生しない。それ故、交差部の層間絶縁膜が損傷しな
いので、これらの入力線がショートせず、信号入力回路
およびアクティブマトリクスパネルの信頼性が向上す
る。
In the signal input circuit and the active matrix panel according to the present invention provided with the above means, the first signal input line and the second signal input line formed in parallel on the surface of the substrate have an abnormal potential due to static electricity or the like. Is supplied to the input protection circuit via the first or second lead wire, the abnormal potential is not output from the output terminal. Here, the first lead line is located at a position where the second lead line is conductively connected to the second signal input line .
Because remote intersecting the second signal input line at the output end of the second signal input line, when viewed from the second signal output end, a first lead line and the second signal input line The input protection circuit is conductively connected to the preceding stage side via the second lead line as compared with the intersection of. Therefore, the abnormal potential supplied to the second signal input line is first sent out to the output terminal side in a state of being absorbed and reduced in the input protection circuit. For this reason, even if a capacitor is formed at the intersection of the second signal input line and the first lead line, no high voltage is generated between the second signal input line and the first lead line. Therefore, since the interlayer insulating film at the intersection is not damaged, these input lines are not short-circuited, and the reliability of the signal input circuit and the active matrix panel is improved.

【0009】[0009]

【実施例】つぎに、添付図面を参照して、本発明の一実
施例について説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0010】図1は本発明の実施例1に係る信号入力回
路の構成を示す構成図、図2(a)はその信号入力線と
異常電位引出し線との配置を示す平面図、図2(b)は
図2(a)のV−V′線における断面図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of a signal input circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2A is a plan view showing an arrangement of the signal input line and an abnormal potential lead line, and FIG. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line VV ′ of FIG.

【0011】ここで、本例の信号入力回路はアクティブ
マトリクス液晶表示パネルに形成されているため、信号
入力回路の構成を説明するに前に、図3および図4を参
照して、アクティブマトリクス液晶表示パネルの構成を
説明しておく。
Since the signal input circuit of the present embodiment is formed on an active matrix liquid crystal display panel, before describing the configuration of the signal input circuit, the active matrix liquid crystal display will be described with reference to FIGS. The configuration of the display panel will be described.

【0012】図3は本例の信号入力回路を備えるアクテ
ィブマトリクス液晶表示パネルのブロック図、図4はそ
のソース線駆動回路の回路図である。
FIG. 3 is a block diagram of an active matrix liquid crystal display panel having the signal input circuit of this embodiment, and FIG. 4 is a circuit diagram of the source line driving circuit.

【0013】図3および図4に示すアクティブマトリク
ス液晶表示パネル10において、その画素マトリクス2
2,ソース線駆動回路12およびゲート線駆動回路21
は、いずれも絶縁性の透明基板11(絶縁基板)の上に
形成されており、そのうち、ソース線駆動回路12はシ
フトレジスタ13,サンプルホールド回路17およびビ
デオ信号線14,15,16を有する一方、ゲート線駆
動回路21はシフトレジスタ20および必要に応じてバ
ッファ回路23を有する。また、画素マトリクス22
は、ソース線駆動回路12に接続された複数のソース線
26,27,28・・・と、ゲート線駆動回路21に接
続された複数のゲート線24,25・・・と、これらの
ゲート線およびソース線の交点に形成された複数の画素
32,33・・・とを有し、各画素32,33・・・に
は薄膜トランジスタ(TFT)29と液晶セル30とを
有する。さらに、ソース線駆動回路12の側には、その
シフトレジスタ13にクロック信号を入力すべきクロッ
ク信号線34が配置されている一方、ゲート線駆動回路
21の側には、そのシフトレジスタ20にクロック信号
CKAを入力すべきクロック信号線37が配置されてい
る。なお、35,36はソース線駆動回路12およびゲ
ート線駆動回路21にスタート信号を入力するスタート
信号線である。ここで、図4に示すように、シフトレジ
スタ13は、1ビット当たり、1つのインバータ13a
と2つのクロックドインバータ13b,13cで構成さ
れ、そのうち、インバータ13aはp型のTFTとn型
のTFTとからなるCMOS構造になっている一方、ク
ロックドインバータ13b,13cは2つのp型のTF
Tと2つのn型のTFTとから構成されている。また、
サンプルホールド回路17の各アナログスイッチ17a
もn型のTFTで構成され、そのバッファ回路も相補型
のTFTからなるインバータ回路17b,17cで構成
されている。なお、18はアクティブマトリクス液晶表
示パネル10の各回路部を駆動するための正側電源線で
あり、その電位はVddに保持されている一方、19はそ
の負側電源線であり、その電位はVssに保持されてい
る。ここで、アクティブマトリクス液晶表示パネル10
は、透明基板11に対して対向基板(図示せず)が対向
する状態にあり、その間に封入された液晶によって液晶
セル30が構成されている。
In the active matrix liquid crystal display panel 10 shown in FIG. 3 and FIG.
2. Source line drive circuit 12 and gate line drive circuit 21
Are formed on an insulating transparent substrate 11 (insulating substrate). Among them, a source line driving circuit 12 includes a shift register 13, a sample and hold circuit 17, and video signal lines 14, 15, and 16, , The gate line driving circuit 21 includes a shift register 20 and a buffer circuit 23 as necessary. The pixel matrix 22
, A plurality of source lines 26, 27, 28,... Connected to the source line driving circuit 12, a plurality of gate lines 24, 25,. , And a plurality of pixels 32, 33,... Formed at the intersections of the source lines. Each pixel 32, 33,. Further, a clock signal line 34 for inputting a clock signal to the shift register 13 is disposed on the side of the source line driving circuit 12, while a clock signal is supplied to the shift register 20 on the side of the gate line driving circuit 21. A clock signal line 37 to which the signal CKA is to be input is arranged. Reference numerals 35 and 36 denote start signal lines for inputting start signals to the source line drive circuit 12 and the gate line drive circuit 21. Here, as shown in FIG. 4, the shift register 13 has one inverter 13a per bit.
And two clocked inverters 13b and 13c. Among them, the inverter 13a has a CMOS structure composed of a p-type TFT and an n-type TFT, while the clocked inverters 13b and 13c have two p-type TFTs. TF
It is composed of T and two n-type TFTs. Also,
Each analog switch 17a of the sample hold circuit 17
Is also formed of n-type TFTs, and its buffer circuit is also formed of inverter circuits 17b and 17c formed of complementary TFTs. Reference numeral 18 denotes a positive power supply line for driving each circuit section of the active matrix liquid crystal display panel 10, and its potential is maintained at Vdd , while 19 is its negative power supply line. Is held at V ss . Here, the active matrix liquid crystal display panel 10
The liquid crystal cell 30 is formed in such a state that a counter substrate (not shown) faces the transparent substrate 11, and liquid crystal sealed between them is used.

【0014】このような構成のアクティブマトリクス液
晶表示パネル10において、各回路部は絶縁性の透明基
板11の表面側に構成されているため、半導体シリコン
基板の表面側に集積回路が形成された半導体装置と異な
り、同電位となる導電性の共通基板がない。このため、
そのダイシング工程などの製造工程の途中、また完成後
において、静電気などの影響を受けて回路が破損しやす
い性質がある。
In the active matrix liquid crystal display panel 10 having such a configuration, since each circuit portion is formed on the front side of the insulating transparent substrate 11, a semiconductor having an integrated circuit formed on the front side of the semiconductor silicon substrate is formed. Unlike the device, there is no conductive common substrate having the same potential. For this reason,
During a manufacturing process such as a dicing process or after completion, the circuit is liable to be damaged by the influence of static electricity or the like.

【0015】そこで、本例のアクティブマトリクス液晶
表示パネル10においては、透明基板11の表面側に、
その画素マトリクス22(画素マトリクス回路),ソー
ス線駆動回路12およびゲート線駆動回路21などと共
に、図1に示すように、その信号入力回路1に入力保護
回路2を有する。ここで、信号入力回路1は、図4に示
すソース線駆動回路12などにおいてTFTで構成され
たゲート入力回路のうちのいずれかの回路に設けられ
る。
Therefore, in the active matrix liquid crystal display panel 10 of the present embodiment, the transparent substrate 11
As shown in FIG. 1, the signal input circuit 1 includes an input protection circuit 2 together with the pixel matrix 22 (pixel matrix circuit), the source line drive circuit 12, the gate line drive circuit 21, and the like. Here, the signal input circuit 1 is provided in any one of the gate input circuits formed of TFTs in the source line driving circuit 12 shown in FIG.

【0016】図1において、信号入力回路1は、透明基
板11の表面側に並列形成された第1の信号入力線3お
よび第2の信号入力線4に供給された異常電位から出力
端側(矢印Aで示す信号方向側)のメイン回路5(ソー
ス線駆動回路12のゲート入力回路)を保護する入力保
護回路2は、第2の信号入力線4の側方位置のうちの第
1の信号入力線3の形成位置とは反対側の側方位置に形
成され、この入力保護回路2のうちの第1の入力保護回
路2aと第1の信号入力線3とは第1の異常電位引出し
線6で接続され、第2の入力保護回路2bと第2の信号
入力線4とは第2の異常電位引出し線7で接続されてい
る。ここで、第1の入力保護回路2aおよび第2の入力
保護回路2bは、いずれも、アクティブマトリクス液晶
表示パネル10の正側電源線18と第1および第2の異
常信号入力線6,7とにソース・ドレインが導電接続す
るp型のTFT201と、アクティブマトリクス液晶表
示パネル10の負側電源線19と第1および第2の異常
信号入力線6,7とにソース・ドレインが導電接続する
n型のTFT202とを有する。また、p型のTFT2
01のゲートは正側電源線18に導電接続し、n型のT
FTのゲートは負側電源線19に導電接続している。
In FIG. 1, a signal input circuit 1 outputs an abnormal potential supplied to a first signal input line 3 and a second signal input line 4 which are formed in parallel on the front surface of a transparent substrate 11 to an output terminal side ( The input protection circuit 2 for protecting the main circuit 5 (the gate input circuit of the source line drive circuit 12) on the signal direction side indicated by the arrow A is the first signal of the side position of the second signal input line 4. The first input protection circuit 2a and the first signal input line 3 of the input protection circuit 2 are formed at a side position opposite to the position where the input line 3 is formed. 6, the second input protection circuit 2b and the second signal input line 4 are connected by a second abnormal potential extraction line 7. Here, the first input protection circuit 2a and the second input protection circuit 2b are connected to the positive power supply line 18 of the active matrix liquid crystal display panel 10, the first and second abnormal signal input lines 6, 7, respectively. A p-type TFT 201 whose source and drain are conductively connected to each other, and n whose source and drain are conductively connected to the negative power supply line 19 and the first and second abnormal signal input lines 6 and 7 of the active matrix liquid crystal display panel 10. And the TFT 202. Also, a p-type TFT 2
01 is electrically connected to the positive power supply line 18, and the n-type T
The gate of the FT is conductively connected to the negative power supply line 19.

【0017】ここで、第1の異常電位引出し線6と第1
の信号入力線3との導電接続位置3aは、図2(a)に
も示すように、第2の異常電位引出し線7の第2の信号
入力線4への導電接続位置4aに比して第2の信号入力
線4aの出力端側にあって、第1の異常電位引出し線3
は、第2の異常電位引出し線7の第2の信号入力線4へ
の導電接続位置4aに比して第2の信号入力線4の出力
端側で第2の信号入力線4と交差している。このため、
第2の信号入力線4の入力端4bの側からみると、第2
の入力保護回路2bは、第2の信号入力線4と第1の異
常電位引出し線6との交差部8に比して前段側(入力端
4bの側)で第2の信号入力線4に導電接続している。
なお、第1の異常電位引出し線6は第2の信号入力線4
と交差する構造になるが、第1および第2の異常電位引
出し線6,7は第1および第2の信号入力線3,4の上
層側で層間絶縁膜表面に形成されて、図2(b)に示す
ように、第1の異常電位引出し線6と第2の信号入力線
4とは、交差部8において層間絶縁膜9を介しているた
め、それらの絶縁性は確保されている。但し、交差部8
の層間絶縁膜9に起因して、図1に示すように、第1の
異常電位引出し線6と第2の信号入力線4との間には、
容量C1 が寄生する状態にある。
Here, the first abnormal potential extraction line 6 and the first abnormal potential
2A, the conductive connection position 3a with the signal input line 3 is compared to the conductive connection position 4a of the second abnormal potential extraction line 7 with the second signal input line 4 as shown in FIG. The first abnormal potential extraction line 3 is located on the output end side of the second signal input line 4a.
Crosses the second signal input line 4 at the output end side of the second signal input line 4 as compared with the conductive connection position 4a of the second abnormal potential extraction line 7 to the second signal input line 4. ing. For this reason,
When viewed from the input terminal 4b side of the second signal input line 4, the second
The input protection circuit 2b is connected to the second signal input line 4 at the preceding stage (on the side of the input terminal 4b) as compared with the intersection 8 of the second signal input line 4 and the first abnormal potential extraction line 6. Conductive connection.
Note that the first abnormal potential lead line 6 is connected to the second signal input line 4
However, the first and second abnormal potential extraction lines 6 and 7 are formed on the surface of the interlayer insulating film on the upper layer side of the first and second signal input lines 3 and 4, as shown in FIG. As shown in b), the first abnormal potential lead line 6 and the second signal input line 4 are interposed at the intersection 8 with the interlayer insulating film 9 interposed therebetween, so that their insulation is ensured. However, intersection 8
As shown in FIG. 1, between the first abnormal potential extraction line 6 and the second signal input line 4,
A state where the capacity C 1 is parasitic.

【0018】このような構成の信号入力回路1における
入力保護回路2の動作を、第2の入力保護回路2bにお
ける動作を例として、図5(a),図5(b)および図
5(c)を参照して説明する。
The operation of the input protection circuit 2 in the signal input circuit 1 having such a configuration will be described with reference to FIGS. 5 (a), 5 (b) and 5 (c), taking the operation of the second input protection circuit 2b as an example. ).

【0019】図5(a)は第2の入力保護回路2bの構
成を示す回路図、図5(b)はそのp型のTFT201
のゲート・ソース間電圧Vgsとソース・ドレイン間電流
sdとの関係を示すグラフ図、図5(c)はn型のTF
T202のゲート・ソース間電圧Vgsとドレイン・ソー
ス間電流Idsとの関係を示すグラフ図である。以下の説
明においては、正側電源線18の正電源電位をVdd、負
側電源線19の負電源電位をVss、第2の信号入力線4
の電位が第2の異常電位引出し線7を介して第2の入力
保護回路2bに引き出された入力電位をVinとする。な
お、図5(a)に示すメイン回路5の入力段は、CMO
S構造のTFTによって構成されたインバータ5aを備
えるソース線駆動回路12のゲート入力回路になってい
る。
FIG. 5A is a circuit diagram showing the configuration of the second input protection circuit 2b, and FIG. 5B is a diagram showing the p-type TFT 201.
FIG. 5C is a graph showing the relationship between the gate-source voltage V gs and the source-drain current Isd .
FIG. 7 is a graph showing a relationship between a gate-source voltage V gs and a drain-source current I ds of T202. In the following description, the positive power supply potential of the positive power supply line 18 is V dd , the negative power supply potential of the negative power supply line 19 is V ss , and the second signal input line 4
The potential second through abnormal voltage lead lines 7 second input potential drawn in the input protection circuit 2b of the V in. The input stage of the main circuit 5 shown in FIG.
This is a gate input circuit of the source line drive circuit 12 including the inverter 5a constituted by the TFT having the S structure.

【0020】まず、Vss≦Vin≦Vddの場合には、p型
のTFT201におけるゲート・ソース間電位Vgsは0
V、そのドレイン・ソース間電圧Vdsは(Vin−Vdd
vであり、Vds≦0である。従って、p型のTFT20
1は抵抗として機能し、図3(b)に実線41に示すラ
インに沿って、入力電位Vinに対応したソース・ドレイ
ン間電流Isdが流れる。一方、n型のTFT202にお
けるゲート・ソース間電位Vgsは0V、そのドレイン・
ソース間電圧Vdsは(Vin−Vss)vであり、Vds≧0
である。従って、n型のTFT202も抵抗として機能
し、図3(c)に実線42で示すラインに沿って、入力
電位Vinに対応したソース・ドレイン間電流Isdが発生
する。
[0020] First of all, V ss ≦ V in ≦ V in the case of a dd, the potential V gs between the gate and the source in TFT201 of the p-type 0
V, its drain-to-source voltage V ds (V in -V dd)
v, and V ds ≦ 0. Therefore, the p-type TFT 20
1 functions as a resistor, along a line shown by the solid line 41 in FIG. 3 (b), the source-drain current I sd flows corresponding to the input voltage V in. On the other hand, the potential V gs between the gate and the source in the n-type TFT 202 is 0 V,
The source-to-source voltage V ds is (V in −V ss ) v, and V ds ≧ 0
It is. Therefore, TFT 202 of n-type also functions as a resistor, along a line indicated by the solid line 42 in FIG. 3 (c), the source-drain current I sd corresponding to the input voltage V in is generated.

【0021】これに対して、Vdd<Vinの場合、すなわ
ち、第2の信号入力線4に正側電源線18の正電源電位
ddに比して高い異常電位が印加された場合には、p型
のTFT201におけるゲート・ソース間電位Vgs
(Vdd−Vin)vであり、Vgs<0V、ドレイン・ソー
ス間電圧Vdsは(Vdd−Vin)vであり、Vds<0であ
る。従って、入力電位Vin(異常電位)が高いほど、ゲ
ート・ソース間電位Vgsおよびドレイン・ソース間電圧
dsがマイナス側にふれて、図3(b)に実線43で示
す特性、すなわち、p型のTFT201がオン状態とな
る。この場合、n型のTFT202は図3(c)に実線
42で示した特性のままである。従って、第2の信号入
力線4に、静電気などによって正側電源線18の正電源
電位Vddに比して高い異常電位が印加された場合には、
p型のTFT201を介して正側電源線18に電流が通
過する。
On the other hand, when V dd <V in , that is, when an abnormal potential higher than the positive power supply potential V dd of the positive power supply line 18 is applied to the second signal input line 4, Is that the gate-source potential V gs of the p-type TFT 201 is (V dd −V in ) v, V gs <0 V, the drain-source voltage V ds is (V dd −V in ) v, V ds <0. Therefore, as the input potential V in (abnormal potential) increases, the gate-source potential V gs and the drain-source voltage V ds shift to the negative side, and the characteristic shown by the solid line 43 in FIG. The p-type TFT 201 is turned on. In this case, the characteristics of the n-type TFT 202 remain as shown by the solid line 42 in FIG. Therefore, when an abnormal potential higher than the positive power supply potential Vdd of the positive power supply line 18 is applied to the second signal input line 4 due to static electricity or the like,
A current passes through the positive power supply line 18 via the p-type TFT 201.

【0022】一方、Vin<Vssの場合、すなわち、第2
の信号入力線4に負側電源線19の負電源電位Vssに比
して低い異常電位が印加された場合には、n型のTFT
202におけるゲート・ソース間電位Vgsは(Vss−V
in)vであり、Vgs>0V、ドレイン・ソース間電圧V
dsは(Vss−Vin)vであり、Vds>0である。従っ
て、入力電位Vin(異常電位)が低いほど、ゲート・ソ
ース間電位Vgsおよびドレイン・ソース間電圧Vdsがプ
ラス側にふれて、図3(c)に実線44で示す特性、す
なわち、n型のTFT202がオン状態となる。この場
合、p型のTFT201は図3(b)に実線41で示し
た特性のままである。従って、第2の信号入力線4に負
側電源線19の負電源電位Vssに比して低い異常電位が
供給された場合には、n型のTFT202を介して負側
電源線19に電流が通過する。
On the other hand, when V in <V ss ,
When an abnormal potential lower than the negative power supply potential V ss of the negative power supply line 19 is applied to the signal input line 4 of
The gate-source potential V gs at 202 is (V ss −V
in ) v, V gs > 0 V, drain-source voltage V
ds is a (V ss -V in) v, is a V ds> 0. Therefore, as the input potential V in (abnormal potential) is lower, the gate-source potential V gs and the drain-source voltage V ds are shifted to the plus side, and the characteristic shown by the solid line 44 in FIG. The n-type TFT 202 is turned on. In this case, the p-type TFT 201 keeps the characteristics indicated by the solid line 41 in FIG. Therefore, when an abnormal potential lower than the negative power supply potential V ss of the negative power supply line 19 is supplied to the second signal input line 4, a current is supplied to the negative power supply line 19 via the n-type TFT 202. Passes.

【0023】このようにして、メイン回路5は第2の入
力保護回路2bによって静電気などに起因して第2の信
号入力線4に発生した異常電位から保護される。同様
に、第1の信号入力線3に発生した異常電位からも保護
される。
In this manner, the main circuit 5 is protected by the second input protection circuit 2b from an abnormal potential generated on the second signal input line 4 due to static electricity or the like. Similarly, it is protected from the abnormal potential generated on the first signal input line 3.

【0024】また、本例の信号入力回路1を備えるアク
ティブマトリクス液晶表示パネル10においては、第1
の異常電位引出し線6が第2の異常電位引出し線7の第
2の信号入力線4への導電接続位置4aに比して第2の
信号入力線2の出力端側で第2の信号入力線4と交差し
ているため、第2の信号入力線4の入力端4bの側から
みると、第2の入力保護回路2bは、第2の信号入力線
4と第1の異常電位引出し線6との交差部8に寄生する
容量C1 の前段側にある。このため、静電気などによっ
て、第2の信号入力線4に異常電位が供給された場合で
あっても、異常電位は第2の入力保護回路2bによって
確実に吸収、緩和された状態で、第2の信号入力線4と
第1の異常信号入力線6との交差部4aに達する。従っ
て、交差部8に容量C1 が構成されていても、第2の信
号入力線4と第1の異常電位引出し線6との間に発生す
る電圧が低いので、交差部8の層間絶縁膜9が損傷しな
い。それ故、異常電圧に起因して、第2の信号入力線4
と第1の異常電位引出し線6とがショートしないので、
信号入力回路1およびそれを備えるアクティブマトリク
ス液晶表示パネル10の信頼性が向上する。
In the active matrix liquid crystal display panel 10 including the signal input circuit 1 of the present embodiment, the first
Of the second signal input line 2 at the output end side of the second signal input line 2 as compared with the conductive connection position 4a of the second abnormal potential extraction line 7 to the second signal input line 4 The second input protection circuit 2b includes the second signal input line 4 and the first abnormal potential extraction line when viewed from the input terminal 4b side of the second signal input line 4 because it intersects with the line 4. 6 is located before the capacitor C 1 parasitic at the intersection 8 with the capacitor 6. Therefore, even when an abnormal potential is supplied to the second signal input line 4 due to static electricity or the like, the abnormal potential is reliably absorbed and mitigated by the second input protection circuit 2b. At the intersection 4a between the signal input line 4 and the first abnormal signal input line 6. Therefore, even if the capacitance C 1 is formed at the intersection 8, the voltage generated between the second signal input line 4 and the first abnormal potential extracting line 6 is low, so that the interlayer insulating film at the intersection 8 is not formed. 9 is not damaged. Therefore, due to the abnormal voltage, the second signal input line 4
And the first abnormal potential extraction line 6 do not short-circuit,
The reliability of the signal input circuit 1 and the active matrix liquid crystal display panel 10 including the same is improved.

【0025】なお、本例においては、2列の信号入力線
を備える信号入力回路について説明したが、これに限ら
ず、3列以上の信号入力線を備える信号入力回路に対し
ても適用でき、この場合には、それらの信号入力線のう
ちの2列について、入力保護回路側の信号入力線を第2
の信号入力線とし、他方側の信号入力線を第1の信号入
力線として、それぞれに前述の構成で第1および第1の
異常電位引出し線を配置する。また、入力保護回路側お
よびメイン回路側の構成には限定がない。
In this embodiment, a signal input circuit having two rows of signal input lines has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to a signal input circuit having three or more rows of signal input lines. In this case, for two of the signal input lines, the signal input lines on the input protection circuit side are connected to the second line.
And the other signal input line on the other side as a first signal input line, and the first and first abnormal potential extraction lines having the above-described configuration are arranged respectively. Further, the configurations of the input protection circuit side and the main circuit side are not limited.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る入力保護回
路およびそれを備えたアクティブマトリクスパネルにお
いては、第1の引出し線は、第2の引出し線の第2の信
号入力線への導電接続位置よりも第2の信号入力線の出
力端側で第2の信号入力線と交差していることに特徴を
有する。従って、本発明によれば、第2の信号入力線の
入力端からみると、第1の引出し線と第2の信号入力線
との交差部に比して前段側に入力保護回路があるので、
第2の信号入力線に入力端側に対して静電気などによっ
て供給された異常電位は、入力保護回路によって吸収、
緩和された状態で交差部に達する。従って、交差部に容
量が構成されていても、第2の信号入力線と第1の引出
し線との間に発生する電圧が低く、交差部の層間絶縁膜
が損傷しない。それ故、第2の信号入力線と第1の引出
し線とがショートせず、入力保護回路およびそれを備え
たアクティブマトリクスパネルの信頼性が向上するとい
う効果を奏する。
As described above, in the input protection circuit according to the present invention and the active matrix panel provided with the same, the first lead line is electrically connected to the second signal input line of the second lead line. characterized in that intersects a second signal input line at the output end of the second signal input line than the position. Therefore, according to the present invention, when viewed from the input end of the second signal input line, the input protection circuit is located at a stage preceding the intersection of the first lead line and the second signal input line. ,
The abnormal potential supplied to the second signal input line due to static electricity or the like to the input end side is absorbed by the input protection circuit.
Reach the intersection in a relaxed state. Therefore, even if a capacitance is formed at the intersection, the voltage generated between the second signal input line and the first lead line is low, and the interlayer insulating film at the intersection is not damaged. Therefore, the second signal input line and the first lead line are not short-circuited, and the effect of improving the reliability of the input protection circuit and the active matrix panel including the same is exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1に係る入力保護回路の構成を
示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a configuration of an input protection circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】(a)は図1に示す入力保護回路の信号入力線
と保護回路に対する異常電位引出し線との配置を示す平
面図、(b)は図2(a)のV−V′線における断面図
である。
2A is a plan view showing an arrangement of a signal input line of the input protection circuit shown in FIG. 1 and an abnormal potential extracting line for the protection circuit, and FIG. 2B is a line V-V 'of FIG. 2A. FIG.

【図3】図1に示す入力保護回路が採用されるアクティ
ブマトリクス液晶表示パネルの構成を示すブロック図で
ある。
3 is a block diagram showing a configuration of an active matrix liquid crystal display panel employing the input protection circuit shown in FIG.

【図4】図3に示すアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルのソース線駆動回路の構成を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a source line driving circuit of the active matrix liquid crystal display panel shown in FIG.

【図5】(a)は図1に示す入力保護回路の構成を示す
回路図、(b)はそのp型のTFTのゲート・ソース間
電圧Vgsとソース・ドレイン間電流Isdとの関係を示す
グラフ図、(c)はそのn型のTFTのゲート・ソース
間電圧Vgsとドレイン・ソース間電流Idsとの関係を示
すグラフ図である。
5A is a circuit diagram showing a configuration of the input protection circuit shown in FIG. 1, and FIG. 5B is a relationship between a gate-source voltage V gs and a source-drain current Isd of the p-type TFT. And (c) is a graph showing the relationship between the gate-source voltage V gs and the drain-source current I ds of the n-type TFT.

【図6】従来の入力保護回路の構成を示す構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a configuration of a conventional input protection circuit.

【図7】(a)は図6に示す入力保護回路の信号入力線
と保護回路に対する異常電位引出し線との配置を示す平
面図、(b)は図7(a)のVI−VI′線における断面図
である。
7A is a plan view showing an arrangement of a signal input line of the input protection circuit shown in FIG. 6 and an abnormal potential extraction line for the protection circuit, and FIG. 7B is a VI-VI 'line of FIG. 7A. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・信号入力回路 2,70・・・入力保護回路 2a・・・第1の入力保護回路 2b・・・第2の入力保護回路 3,71・・・第1の信号入力線 4,72・・・第2の信号入力線 5・・・メイン回路 6,74・・・第1の異常電位引出し線 7,75・・・第2の異常電位引出し線 8,76・・・交差部 9,77・・・層間絶縁膜 10・・・アクティブマトリクス液晶表示パネル 11・・・透明基板 12・・・ソース線駆動回路 13,20・・・シフトレジスタ 17・・・サンプルホールド回路 18・・・正側電源線 19・・・負側電源線 21・・・ゲート線駆動回路 22・・・画素マトリクス 30・・・液晶セル 34・・・クロック信号線 201・・・p型のTFT(p型の薄膜トランジスタ) 202・・・n型のTFT(n型の薄膜トランジスタ) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Signal input circuit 2,70 ... Input protection circuit 2a ... First input protection circuit 2b ... Second input protection circuit 3,71 ... First signal input line 4, 72 ... second signal input line 5 ... main circuit 6, 74 ... first abnormal potential lead line 7, 75 ... second abnormal potential lead line 8, 76 ... intersection 9, 77 ... interlayer insulating film 10 ... active matrix liquid crystal display panel 11 ... transparent substrate 12 ... source line drive circuit 13, 20 ... shift register 17 ... sample hold circuit 18 ... Positive power supply line 19 Negative power supply line 21 Gate line driving circuit 22 Pixel matrix 30 Liquid crystal cell 34 Clock signal line 201 P-type TFT (p 202) n-type TFT n-type thin film transistor)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板表面側に並列形成された第1および
第2の信号入力線と、前記第2の信号入力線の側方位置
のうちの前記第1の信号入力線の形成位置とは反対側の
位置に形成され、前記第1および第2の信号入力線に供
給された信号の出力端側の回路を保護する入力保護回路
と、前記第1および第2の信号入力線に層間絶縁膜を介
してそれぞれ導電接続し前記信号入力線と前記入力
保護回路とをそれぞれ導電接続する第1および第2の引
出し線とを有し、前記 第1の引出し線は、前記第2の引き出し線が前記第
2の信号入力線に導電接続する位置よりも前記第2の信
号入力線の出力端側で前記第2の信号入力線と交差して
なることを特徴とする信号入力回路。
1. A first and a second signal input line formed in parallel on a substrate surface side, and a formation position of the first signal input line among lateral positions of the second signal input line. An input protection circuit formed at an opposite position to protect a circuit on an output end side of a signal supplied to the first and second signal input lines; and an interlayer insulating circuit provided between the first and second signal input lines. respectively connected conductively through the membrane, said input and said signal input line
First and second lead lines for conductively connecting the protection circuit to the protection circuit, respectively , wherein the first lead line is at a position higher than a position at which the second lead line is conductively connected to the second signal input line. Crossing the second signal input line at the output end side of the second signal input line
Signal input circuit characterized by comprising.
【請求項2】 前記第1および第2の信号入力線は、
クティブマトリクスパネルの駆動回路における薄膜トラ
ンジスタのゲートに導電接続することを特徴とする請求
項1記載の信号入力回路
Wherein said first and second signal input line, A
Claims, characterized in that the conductive connection to the gate of the thin film tiger <br/> Njisuta in the driving circuit of the active matrix panel
Item 2. The signal input circuit according to Item 1 .
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の信号入
力回路と、前記第1および第2の信号入力線に導電接続
される駆動回路と、画素マトリクスとを、基板に形成し
てなることを特徴とするアクティブマトリクスパネル
3. The signal input according to claim 1 or claim 2.
Power circuit and conductively connected to said first and second signal input lines
Drive circuit and a pixel matrix are formed on a substrate.
An active matrix panel, comprising:
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