JPH05307165A - Active matrix display panel - Google Patents

Active matrix display panel

Info

Publication number
JPH05307165A
JPH05307165A JP11043792A JP11043792A JPH05307165A JP H05307165 A JPH05307165 A JP H05307165A JP 11043792 A JP11043792 A JP 11043792A JP 11043792 A JP11043792 A JP 11043792A JP H05307165 A JPH05307165 A JP H05307165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
video signal
source
source side
side wiring
signal lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11043792A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norio Ozawa
徳郎 小澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP11043792A priority Critical patent/JPH05307165A/en
Publication of JPH05307165A publication Critical patent/JPH05307165A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide the active matrix display panel which can be improved in display characteristics and reliability by making an electric component, which is parasitic on a video signal line, equivalent. CONSTITUTION:On the source line driving circuit side of the active matrix liquid crystal display panel, source-side wiring layers Sa1 and Sa2 crossing video signal lines V1, V2, and V3 are made nearly equal in wiring width at specific parts to make the parasitic capacities of the paths of the video signals nearly equal, and, an extension part S11 and a narrow part S22 (electric resistance correction part) having the wiring width are provided according to the wiring lengths of the source-side wiring layers Sa1, SBa2, and Sa3 and electric resistances which are parasitic on them are made nearly equal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示パネルなどのア
クティブマトリクスパネルに関し、特に、そのビデオ信
号線周囲の配線構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix panel such as a liquid crystal display panel, and more particularly to a wiring structure around a video signal line thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶の配向状態などを利用して情報を表
示するフラット型表示パネルのうち、アクティブマトリ
クス方式の液晶表示パネルにおいては、図4にブロック
図で示すように、透明基板11の表面側に画素マトリク
ス22,ソース線駆動回路12およびゲート線駆動回路
21が形成されている。ソース線駆動回路12は、シフ
トレジスタ部13,TFT(薄膜トランジスタ)で構成
されたスイッチ回路T1,T2 ,T3 ・・・およびビデ
オ信号線V1 ,V2 ,V3 を有し、シフトレジスタ部1
3の側から各スイッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・に
は、シフトレジスタ部13から出力されたビット信号
(駆動用信号)が駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・
を介して入力可能になっている。このため、ビット信号
が駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・を介して各スイ
ッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・に入力されると、各ス
イッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・が高インピーダンス
状態から低インピーダンス状態に切り換わる。この切り
換えによって、ビデオ信号線V1,V2 ,V3 に供給さ
れていたビデオ信号はソース線X1 ,X2 ,X3 ・・・
にホールドされ、画素P1 ,P2 ・・・においては、ビ
デオ信号が液晶セル30の液晶の配向状態を変化させて
画面を表示する。
2. Description of the Related Art Among flat type display panels that display information by utilizing the alignment state of liquid crystal, in an active matrix type liquid crystal display panel, as shown in a block diagram of FIG. A pixel matrix 22, a source line driving circuit 12, and a gate line driving circuit 21 are formed on the side. The source line drive circuit 12 has a shift register unit 13, switch circuits T 1 , T 2 , T 3 ... Composed of TFTs (thin film transistors) and video signal lines V 1 , V 2 , V 3 and shifts. Register section 1
From the side of 3 to each of the switch circuits T 1 , T 2 , T 3, ..., The bit signal (driving signal) output from the shift register unit 13 is driven by the driving signal lines G 1 , G 2 , G 3.・ ・
It is possible to input via. Therefore, when the bit signal is input through the driving signal lines G 1, G 2, G 3 ··· in the switch circuits T 1, T 2, T 3 ···, the switch circuits T 1, T 2 , T 3, ... Are switched from the high impedance state to the low impedance state. By this switching, the video signals supplied to the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 are source lines X 1 , X 2 , X 3 ...
In the pixels P 1 , P 2, ..., The video signal changes the alignment state of the liquid crystal of the liquid crystal cell 30 to display the screen.

【0003】このような構成のアクティブマトリクス液
晶表示パネルにおいては、ソース線駆動回路12が画素
マトリクス22と透明基板11の外周縁との間に配置さ
れているため、そのビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 と、
駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・およびソース側配
線層S1 ,S2 とが、図5に示すように、必然的に交差
することになる。すなわち、ビデオ信号線V1 に導電接
続するソース側配線層Sb1(S1 )はビデオ信号線
2 ,V3 と交差し、ビデオ信号線V1 に導電接続する
ソース側配線層Sb2(S2 )はビデオ信号線V3 と交差
している。但し、ビデオ信号線V3 に導電接続するソー
ス側配線層Sb3(S3 )はいずれのビデオ信号線V1
2 ,V3 とも交差していない。ここで、スイッチ回路
1 ,T2 ,T3 はビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 の側
方位置に一括して形成されているため、ソース側配線層
b1,Sb2,Sb3におけるビデオ信号線V1 ,V2 ,V
3 との導電接続位置からスイッチ回路T1 ,T2 ,T3
との導電接続位置までの間の長さ寸法がそれぞれ異な
る。そして、この間の電気的抵抗が異なっていると、各
ビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 に対応する画素P1 ,P
2 ・・・における表示状態にばらつきが発生しやすい。
このため、各ソース側配線層Sb1,Sb2,Sb3の配線長
さに応じて、それらの幅寸法を変えて、いずれのソース
側配線層Sb1,Sb2,Sb3においても、その電気的抵抗
が同等になるように設定されている。すなわち、ソース
側配線層Sb1,Sb2,Sb3の順に配線長さが長いため、
その配線幅はソース側配線層Sb1,Sb2,Sb3の順に広
く設定されている。
In the active matrix liquid crystal display panel having such a structure, since the source line driving circuit 12 is arranged between the pixel matrix 22 and the outer peripheral edge of the transparent substrate 11, the video signal lines V 1 and V 1 are provided . 2 , V 3 and
The drive signal lines G 1 , G 2 , G 3, ... And the source side wiring layers S 1 , S 2 inevitably intersect with each other as shown in FIG. That is, the source side interconnect layer S b1 (S 1) conductively connected to the video signal lines V 1 was intersects the video signal line V 2, V 3, the source side interconnect layer is electrically connected to the video signal lines V 1 S b2 ( S 2 ) intersects the video signal line V 3 . However, the source side wiring layer S b3 (S 3 ) that is conductively connected to the video signal line V 3 does not depend on which video signal line V 1 ,
Neither V 2 nor V 3 intersect. Here, since the switch circuits T 1 , T 2 , T 3 are collectively formed at the lateral positions of the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 , the source side wiring layers S b1 , S b2 , S are formed. Video signal lines V 1 , V 2 , V in b3
3 switching circuit from the conductive connection position between the T 1, T 2, T 3
And the length dimension up to the conductive connection position is different. If the electric resistances during this period are different, the pixels P 1 and P corresponding to the video signal lines V 1 , V 2 and V 3 respectively.
The display state in 2 ... tends to vary.
Therefore, in accordance with the wiring length of the source side interconnect layer S b1, S b2, S b3 , by changing their width dimension, one of the source side interconnect layer S b1, also in S b2, S b3, the The electrical resistance is set to be equal. That is, since the wiring length is long in the order of the source side wiring layers S b1 , S b2 , S b3 ,
The wiring width is set wider in the order of the source-side wiring layers S b1 , S b2 , and S b3 .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ここで、ビデオ信号線
1 ,V2 ,V3 とソース側配線層Sb1,Sb2および駆
動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・との交差部の構造
は、図6に示すように、ソース側配線層Sb1,Sb2およ
び駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・は下層側に形成
され、ビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 は上層側に形成さ
れて、それらの間には層間絶縁膜14が存在している。
このため、交差部の配線層間には層間絶縁膜14によっ
て寄生容量が存在する。ここで、駆動用信号線G1 ,G
2 ,G3 の幅はいずれも同等であるため、駆動用信号線
1 ,G2 ,G3 とビデオ信号線V1,V2 ,V3 と交
差部における寄生容量は、図7に示すように、いずれも
Caで同等である。しかしながら、従来のアクテティブ
マトリクス液晶表示パネルにおいては、ソース側配線層
b1,Sb2,Sb3に順に配線幅が広く設定されているた
め、ソース側配線層Sb1とビデオ信号線V2 ,V3 との
交差部における寄生容量の大きさをCb21、ビデオ信号
線V2 とソース側配線層Sb3との交差部における寄生容
量の大きさをCb22とすると、Cb21>Cb22である。
しかも、各配線に対する容量の寄生する状態が異なる。
従って、ビデオ信号線V1 とソース側配線層Sb1とが構
成する第1の経路には(3Ca+2Cb21)の容量が寄
生し、ビデオ信号線V2 とソース側配線層Sb2とが構成
する第2の経路には(3Ca+Cb21+Cb22)の容量
が寄生し、ビデオ信号線V3 とソース側配線層Sb3とが
構成する第3の経路には(3Ca+Cb21+Cb22)が
寄生している。従って、ビデオ信号線V1 とソース側配
線層Sb1とが構成する第1の経路には、他の経路に比し
て大きな寄生容量が存在する状態にある。それ故、従来
のアクテティブマトリクス液晶表示パネルにおいては、
ビデオ信号線V1 とソース側配線層Sb1とが構成する第
1の経路を伝わるビデオ信号の遅延が他の経路における
遅延に比較して大きく、これらの経路に対応する画素P
1 に3本おきの表示むらなどが発生する。また、ビデオ
信号線V1 とソース側配線層Sb1とが構成する第1の経
路に寄生する容量が大きいため、いずれかの配線に静電
気などによって異常電位が供給されると、第1の経路に
突入電流が集中して、ビデオ信号線V1 に欠陥が生じや
すいという問題点もある。
Here, the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 and the source side wiring layers S b1 , S b2 and the driving signal lines G 1 , G 2 , G 3 ... 6, the source side wiring layers S b1 , S b2 and the driving signal lines G 1 , G 2 , G 3 ... Are formed on the lower layer side and the video signal line V is formed. 1 , V 2 and V 3 are formed on the upper layer side, and the interlayer insulating film 14 exists between them.
Therefore, there is a parasitic capacitance between the wiring layers at the intersection due to the interlayer insulating film 14. Here, the driving signal lines G 1 and G
Since the widths of 2 and G 3 are equal to each other, the parasitic capacitances at the intersections of the driving signal lines G 1 , G 2 and G 3 and the video signal lines V 1 , V 2 and V 3 are shown in FIG. As described above, both are equivalent in Ca. However, in the conventional active matrix liquid crystal display panel, since the wiring widths are set wider in order on the source side wiring layers S b1 , S b2 , S b3 , the source side wiring layer S b1 and the video signal line V 2 , Let Cb 21 be the magnitude of the parasitic capacitance at the intersection with V 3, and let Cb 22 be the magnitude of the parasitic capacitance at the intersection of the video signal line V 2 and the source side wiring layer S b3 . Cb 21 > Cb 22 is there.
Moreover, the parasitic state of the capacitance for each wiring is different.
Therefore, the capacitance of (3Ca + 2Cb 21 ) is parasitic on the first path formed by the video signal line V 1 and the source side wiring layer S b1, and the video signal line V 2 and the source side wiring layer S b2 are formed. the second path parasitic capacitance of (3Ca + Cb 21 + Cb 22 ), the third path constituting the video signal line V 3 and the source-side wiring layer S b3 and parasitism (3Ca + Cb 21 + Cb 22 ) There is. Therefore, the first path formed by the video signal line V 1 and the source-side wiring layer S b1 has a larger parasitic capacitance than the other paths. Therefore, in the conventional active matrix liquid crystal display panel,
The delay of the video signal transmitted through the first path constituted by the video signal line V 1 and the source side wiring layer S b1 is larger than the delays in the other paths, and the pixel P corresponding to these paths is
Such as display unevenness of 1 to 3 every other occurs. Further, since the parasitic capacitance on the first path formed by the video signal line V 1 and the source-side wiring layer S b1 is large, if an abnormal potential is supplied to any of the wires due to static electricity or the like, the first path There is also a problem in that the rush current is concentrated on the area V and the video signal line V 1 is apt to be defective.

【0005】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
ビデオ信号線と交差する配線層の構造を最適化して、ビ
デオ信号線および配線に寄生する電気的成分を等価に
し、表示特性および信頼性を向上可能なアクティブマト
リクス表示パネルを実現することにある。
In view of the above problems, the object of the present invention is to
An object of the present invention is to realize an active matrix display panel capable of improving display characteristics and reliability by optimizing the structure of a wiring layer intersecting with a video signal line to equalize electrical components parasitic on the video signal line and the wiring.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明において講じた手段は、同一基板上の画素マ
トリクスの形成領域と基板の外周縁と間に形成されたソ
ース線駆動回路側において、画素マトリクスの形成領域
の外周側にその辺方向に向かって形成されてソース線駆
動回路のシフトレジスタ部の形成領域の側から順に画素
マトリクスの形成領域に向かって並列するn(但し、n
は3以上の整数。)列のビデオ信号線と、これらのビデ
オ信号線毎に層間絶縁膜を介して導電接続し、そこから
画素マトリクス形成領域側に向かうn列のソース側配線
層と、これらの各ソース側配線層とこれらのソース側配
線層毎に対応する各ソース線との間に介挿され、シフト
レジスタ部側から出力された駆動用信号に基づいてソー
ス線配線層とソース線とが導電接続する状態および非導
電接続状態に動作がそれぞれ切り換えられるn個のスイ
ッチ部と、シフトレジスタ部側からスイッチ部に向けて
形成されてビデオ信号線に対して層間絶縁膜を介して交
差し、駆動用信号をスイッチ部毎に入力するn列の駆動
用信号線とを有するアクティブマトリクス表示パネルに
対して、これらの駆動用信号線とビデオ信号線との各交
差領域における配線の重なり面積をいずれも同等とし、
ソース側配線層とビデオ信号線との各交差領域における
配線の重なり面積をいずれも同等とし、かつ、ソース側
配線層には、そのビデオ信号線との導電接続位置からス
イッチ部との導電接続位置までの間の配線長さに対応し
てその幅寸法を調整し、その間の電気的抵抗を各ソース
側配線層同士で同等とすべき電気的抵抗補正部を設ける
ことである。すなわち、ソース側配線層とビデオ信号線
との各交差領域における配線の重なり面積をいずれも同
等にしつつ、各ソース側配線層におけるビデオ信号線と
の導電接続位置からスイッチ部との導電接続位置まで電
気的抵抗を同等する目的に、ソース側配線層に形成した
配線幅方向の拡張部または狭小部などの電気的抵抗補正
部によって電気的抵抗を調整することである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the means taken in the present invention is a source line driving circuit side formed between a pixel matrix forming region on the same substrate and an outer peripheral edge of the substrate. In the outer peripheral side of the pixel matrix formation region, the pixels are formed in the lateral direction and are arranged in parallel from the shift register portion formation region side of the source line driving circuit toward the pixel matrix formation region in parallel (where n
Is an integer of 3 or more. ) Columns of video signal lines, each of these video signal lines is conductively connected through an interlayer insulating film, and n columns of source-side wiring layers extending from there to the pixel matrix formation region side, and each of these source-side wiring layers And a state in which the source line wiring layer and the source line are conductively connected based on a driving signal output from the shift register unit side, which is interposed between each source line corresponding to each of the source side wiring layers. Switched driving signals by n switch parts whose operation is switched to a non-conductive connection state and a video signal line which is formed from the shift register part side toward the switch part and intersects the video signal line through an interlayer insulating film. For an active matrix display panel having n columns of driving signal lines to be input for each set, the overlapping area of the wiring in each intersection region of these driving signal lines and video signal lines is set. Shift also equivalent,
The overlapping areas of the wirings in each crossing region of the source side wiring layer and the video signal line are made equal, and the source side wiring layer has the conductive connection position from the conductive connection position with the video signal line to the switch part. That is, the width dimension is adjusted in accordance with the wiring length between the two, and an electric resistance correction unit is provided to make the electric resistance between the source side wiring layers equal to each other. That is, from the conductive connection position with the video signal line in each source side wiring layer to the conductive connection position with the switch part while making the overlapping area of the wiring in each intersection region of the source side wiring layer and the video signal line equal. For the purpose of equalizing the electrical resistance, the electrical resistance is adjusted by an electrical resistance correction portion such as an extension portion or a narrow portion in the wiring width direction formed in the source side wiring layer.

【0007】[0007]

【作用】上記手段を講じた本発明に係るアクティブマト
リクス表示パネルにおいて、画素マトリクスの形成領域
の外周側で並列するn列のビデオ信号線に対して、これ
らのビデオ信号線から画素マトリクス形成領域側のスイ
ッチ部に向かうn列のソース側配線層と、駆動用信号を
スイッチ部毎に入力するn列の駆動用信号線とが交差し
ているため、それらの交差部には容量が寄生する。ここ
で、ビデオ信号線と駆動用信号線との交差部における寄
生容量の大きさは同等であるが、ビデオ信号線とソース
側配線層との交差部における寄生容量を同等とする目的
に、ソース側配線層の配線幅を同等とすると、ソース側
配線層に寄生する電気的抵抗がソース側配線層毎に異な
ってしまう。そこで、本発明においては、ソース側配線
層とビデオ信号線との各交差領域におけるソース側配線
層の配線幅をいずれの交差部においても同等にすること
によって、ビデオ信号線とソース側配線層との交差部に
おける寄生容量を同等とする一方で、ソース側配線層に
形成した配線幅方向の拡張部または狭小部などの電気的
抵抗補正部によってその電気的抵抗を調整してある。こ
のため、ビデオ信号線とソース側配線層とによって構成
されるビデオ信号の経路に寄生する容量および抵抗をい
ずれの経路においても同等にすることができる。それ
故、各経路におけるビデオ信号の遅延に差がないので、
表示特性が向上する。また、配線に静電気などによって
異常電位が供給されても、特定の経路に突入電流が集中
することがないので、その信頼性が向上する。
In the active matrix display panel according to the present invention having the above-mentioned means, for the n columns of video signal lines arranged in parallel on the outer peripheral side of the pixel matrix forming region, the pixel matrix forming region side is formed from these video signal lines. Since the n-row source side wiring layers toward the switch section intersect with the n-row drive signal lines for inputting the drive signal for each switch section, capacitance is parasitic at the intersections. Here, the magnitudes of the parasitic capacitances at the intersections of the video signal lines and the driving signal lines are equal, but the parasitic capacitances at the intersections of the video signal lines and the source-side wiring layers are equalized. If the wiring widths of the side wiring layers are made equal, the electrical resistance parasitic on the source side wiring layer will be different for each source side wiring layer. Therefore, in the present invention, by making the wiring width of the source side wiring layer in each intersection region of the source side wiring layer and the video signal line equal at any intersection, the video signal line and the source side wiring layer are While equalizing the parasitic capacitance at the intersection, the electrical resistance is adjusted by an electrical resistance correction portion such as an extension portion or a narrow portion in the wiring width direction formed in the source side wiring layer. Therefore, the capacitance and resistance parasitic on the path of the video signal formed by the video signal line and the source side wiring layer can be made equal in any path. Therefore, since there is no difference in the delay of the video signal in each path,
The display characteristics are improved. Further, even if an abnormal potential is supplied to the wiring due to static electricity or the like, the rush current does not concentrate on a specific path, so that the reliability is improved.

【0008】[0008]

【実施例】つぎに、添付図面を参照して、本発明の一実
施例について説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0009】図1は本発明の実施例に係るアクティブマ
トリクス液晶表示パネルのソース線駆動回路側における
ビデオ信号線の形成領域周囲の概略平面図である。ここ
で、本例のアクティブマトリクス液晶表示パネルの全体
構成は、図4に示すブロック図と概ね同様であるため、
その全体構成については、従来例と同様に、図4を参照
して説明する。また、本例のアクティブマトリクス液晶
表示パネルと従来のアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルとは、その基本的が構成は略同様であるため、対応す
る部分には同符号を付して説明する。
FIG. 1 is a schematic plan view of the periphery of a video signal line formation region on the source line drive circuit side of an active matrix liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention. Here, the overall configuration of the active matrix liquid crystal display panel of this example is almost the same as the block diagram shown in FIG.
The overall configuration will be described with reference to FIG. 4 as in the conventional example. Further, since the active matrix liquid crystal display panel of the present example and the conventional active matrix liquid crystal display panel have basically the same configuration, corresponding parts will be denoted by the same reference numerals.

【0010】まず、本例のアクティブマトリクス液晶表
示パネルの特徴点であるソース線駆動回路側におけるビ
デオ信号線の形成領域周囲の構成を説明する前に、図4
を参照して、本例のアクティブマトリクス液晶表示パネ
ルの全体構成について説明しておく。この図において、
透明基板11の表面側には、画素マトリクス22,ソー
ス線駆動回路12およびゲート線駆動回路21が形成さ
れて、表示装置の小型化,高精細化および低コスト化が
図られている。ここで、ソース線駆動回路12は、シフ
トレジスタ部13,TFT(薄膜トランジスタ)で構成
されたスイッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・およびビデ
オ信号線V1 ,V2 ,V3 を有し、シフトレジスタ部1
3の側から各スイッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・に
は、シフトレジスタ部13から出力されたビット信号
(駆動用信号)が駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・
を介して入力可能になっている。ここで、ソース線駆動
回路12のシフトレジスタ部13にクロック信号線34
を介してクロック信号が入力されて、そこから出力され
たビット信号が駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・を
介して各スイッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・に入力さ
れると、各スイッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・が高イ
ンピーダンス状態から低インピーダンス状態に切り換わ
る。この切り換えによって、ビデオ信号線V1 ,V2
3 に供給されていたビデオ信号はソース側配線層
1 ,S2 ,S3 ・・・および各スイッチ回路T1 ,T
2 ,T3 ・・・を介してソース線X1 ,X2 ,X3 ・・
・にホールドされ、ソース線X1 ,X2 ,X3 ・・・と
ゲート線Y1 ,Y2 ,Y3 ・・・との交点に形成された
複数の画素P1 ,P2 ・・・に出力される。これらの画
素P1 ,P2 ・・・おいては、ゲート信号に基づいて薄
膜トランジスタ(TFT)29が駆動されて、その動作
状態に対応して、ビデオ信号が液晶セル30の液晶の配
向状態を変化させて画面を表示する。なお、ゲート線駆
動回路21はシフトレジスタ部20および必要に応じて
バッファ回路23を有し、そこにはクロック信号線37
からシフトレジスタ部20にクロック信号を入力可能に
なっている。また、35,38はソース線駆動回路12
およびゲート線駆動回路21にスタート信号を入力する
スタート信号線である。
First, before explaining the structure around the formation region of the video signal line on the source line drive circuit side, which is a characteristic point of the active matrix liquid crystal display panel of this example, FIG.
The entire configuration of the active matrix liquid crystal display panel of this example will be described with reference to FIG. In this figure,
A pixel matrix 22, a source line drive circuit 12 and a gate line drive circuit 21 are formed on the front surface side of the transparent substrate 11 to achieve downsizing, high definition, and cost reduction of the display device. Here, the source line drive circuit 12 has a shift register unit 13, switch circuits T 1 , T 2 , T 3 ... Composed of TFTs (thin film transistors), and video signal lines V 1 , V 2 , V 3 . Shift register unit 1
From the side of 3 to each of the switch circuits T 1 , T 2 , T 3, ..., The bit signal (driving signal) output from the shift register unit 13 is driven by the driving signal lines G 1 , G 2 , G 3.・ ・
It is possible to input via. Here, the clock signal line 34 is added to the shift register unit 13 of the source line drive circuit 12.
A clock signal is input via the switch circuit, and the bit signals output from the clock signal are transmitted via the drive signal lines G 1 , G 2 , G 3 ... Each switch circuit T 1 , T 2 , T 3 ... Is input to each of the switch circuits T 1 , T 2 , T 3, ... Switches from the high impedance state to the low impedance state. By this switching, the video signal lines V 1 , V 2 ,
The video signal supplied to V 3 is the source side wiring layers S 1 , S 2 , S 3 ... And each switch circuit T 1 , T 3.
2 , T 3, ..., Source lines X 1 , X 2 , X 3 ...
.. and a plurality of pixels P 1 , P 2 ... Formed at the intersections of the source lines X 1 , X 2 , X 3 ... And the gate lines Y 1 , Y 2 , Y 3 ... Is output to. In these pixels P 1 , P 2, ... A thin film transistor (TFT) 29 is driven on the basis of the gate signal, and the video signal changes the alignment state of the liquid crystal of the liquid crystal cell 30 in accordance with the operating state. Change and display the screen. The gate line drive circuit 21 has a shift register section 20 and a buffer circuit 23 as necessary, and a clock signal line 37 is provided therein.
Therefore, the clock signal can be input to the shift register unit 20. Further, 35 and 38 are the source line drive circuit 12
And a start signal line for inputting a start signal to the gate line drive circuit 21.

【0011】このような構成のアクティブマトリクス液
晶表示パネルにおいては、ソース線駆動回路12が画素
マトリクス22と透明基板11の外周縁との間に配置さ
れているため、そのビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 と、
駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・およびビデオ信号
線V1 ,V2 に導電接続するソース側配線層S1 ,S2
とが、図1に示すように、必然的に交差することにな
る。すなわち、ビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 は画素マ
トリクス22の辺方向に向かって形成されて、シフトレ
ジスタ部13の側から順に画素マトリクス22に向かっ
て並列しており、そのうち、ビデオ信号線V1 に導電接
続するソース側配線層Sa1(S1 )はビデオ信号線
2 ,V3 と交差し、ビデオ信号線V1 に導電接続する
ソース側配線層Sa2(S2 )はビデオ信号線V3 と交差
している。但し、ビデオ信号線V3 に導電接続するソー
ス側配線層Sa3(S3 )はいずれのビデオ信号線V1
2 ,V3 とも交差していない。ここで、ビデオ信号線
1 ,V2 ,V3 とソース側配線層Sa1,Sa2および駆
動用信号線G1 ,G2 ,G3 ・・・との交差部の構造
は、図1のIV−IV′線における断面を図2に示すよう
に、ソース側配線層Sa1,Sa2および駆動用信号線
1 ,G2 ,G3 ・・・は下層側に不純物ドープ型の多
結晶シリコンで形成され、ビデオ信号線V1 ,V2 ,V
3 は上層側にアルミニウム層で形成されて、それらの間
には層間絶縁膜14が存在している。このため、交差部
の配線層間には層間絶縁膜14によって寄生容量が存在
するが、駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 の幅はいずれも
同等であるため、図3(a)の等価回路に示すように、
駆動用信号線G1 ,G2 ,G3 とビデオ信号線V1 ,V
2 ,V3 と交差部における寄生容量はいずれもCaで同
等である。
In the active matrix liquid crystal display panel having such a structure, since the source line driving circuit 12 is arranged between the pixel matrix 22 and the outer peripheral edge of the transparent substrate 11, the video signal lines V 1 and V 1 thereof are arranged. 2 , V 3 and
Driving signal lines G 1, G 2, G 3 ··· and source-side wiring layer S 1 to conductively connected to the video signal line V 1, V 2, S 2
And inevitably intersect with each other, as shown in FIG. That is, the video signal lines V 1 , V 2 , and V 3 are formed in the side direction of the pixel matrix 22, and are arranged in parallel from the shift register unit 13 side toward the pixel matrix 22 in sequence. source-side wiring layer S a1 conductively connected to line V 1 (S 1) intersects the video signal line V 2, V 3, the source side interconnect layer is electrically connected to the video signal lines V 1 S a2 (S 2) is It intersects with the video signal line V 3 . However, the source side interconnect layer is electrically connected to the video signal line V 3 S a3 (S 3) is one of the video signal lines V 1,
Neither V 2 nor V 3 intersect. Here, the structure of the intersection of the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 and the source side wiring layers S a1 , S a2 and the driving signal lines G 1 , G 2 , G 3 ... 2, the source-side wiring layers S a1 , S a2 and the drive signal lines G 1 , G 2 , G 3 ... Video signal lines V 1 , V 2 , V formed of crystalline silicon
3 is formed of an aluminum layer on the upper layer side, and the interlayer insulating film 14 exists between them. For this reason, a parasitic capacitance exists between the wiring layers at the intersections due to the interlayer insulating film 14, but since the driving signal lines G 1 , G 2 , and G 3 have the same width, the wiring shown in FIG. As shown in the equivalent circuit,
Driving signal lines G 1 , G 2 , G 3 and video signal lines V 1 , V
The parasitic capacitances at 2 and V 3 and at the intersection are the same for Ca.

【0012】ここで、ソース側配線層Sa1とビデオ信号
線V2 ,V3 との交差部における寄生容量の大きさと、
ビデオ信号線V2 とソース側配線層Sa3との交差部にお
ける寄生容量の大きさとが異なっていると、ビデオ信号
線V1 とソース側配線層Sa1とが構成する第1の経路に
寄生する容量の大きさ、ビデオ信号線V2 とソース側配
線層Sa2とが構成する第2の経路に寄生する容量の大き
さ、ビデオ信号線V3とソース側配線層Sa3とが構成す
る第3の経路に寄生する容量の大きさが異なってしま
い、各経路を伝わるビデオ信号に遅延の差が生じ、画面
に3本おきの表示むらなどが生じる。また、異常電位が
発生した場合には、寄生容量の大きな特定の経路に突入
電流が集中してしまう。一方、スイッチ回路T1
2 ,T3 ・・・はビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 の側
方位置に一括して形成されているため、ソース側配線層
a1,Sa2,Sa3におけるビデオ信号線V1 ,V2 ,V
3 との導電接続位置からスイッチ回路T1 ,T2 ,T3
・・・との導電接続位置までの間の長さ寸法がそれぞれ
異なる。ここで、その間の電気的抵抗が異なっている
と、各ビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 に対応する画素P
1 ,P2 ・・・における表示状態にばらつきが発生しや
すい。
Here, the magnitude of the parasitic capacitance at the intersection of the source side wiring layer S a1 and the video signal lines V 2 and V 3 ,
If the magnitude of the parasitic capacitance at the intersection of the video signal line V 2 and the source side wiring layer S a3 is different, it is parasitic on the first path formed by the video signal line V 1 and the source side wiring layer S a1. Of the capacitance, the amount of capacitance parasitic on the second path formed by the video signal line V 2 and the source side wiring layer S a2, and the size of the video signal line V 3 and the source side wiring layer S a3. The magnitudes of the parasitic capacitances on the third path are different, the video signals transmitted through the respective paths are different in delay, and display irregularity of every three lines occurs on the screen. In addition, when an abnormal potential occurs, the rush current concentrates on a specific path having a large parasitic capacitance. On the other hand, the switch circuit T 1 ,
Since T 2 , T 3, ... Are collectively formed at the lateral positions of the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 , the video signal lines in the source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 V 1 , V 2 , V
3 switching circuit from the conductive connection position between the T 1, T 2, T 3
The length dimension up to the conductive connection position with ... differs. Here, if the electrical resistance between them is different, the pixel P corresponding to each video signal line V 1 , V 2 , V 3
The display states of 1 , P 2, ... Are likely to vary.

【0013】そこで、本例のアクティブマトリクス液晶
表示パネルにおいては、各経路に寄生する容量および抵
抗のいずれをも各経路間で等価する目的に、図1に示す
ように、ソース側配線層Sa1,Sa2,とビデオ信号線V
1 ,V2 ,V3 との各交差領域における配線の重なり面
積をいずれも同等にしつつ、ソース側配線層Sa1
a2,Sa3に、そのビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 との
導電接続位置からスイッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・
との導電接続位置までの間の長さ寸法に対応してその幅
寸法を調整してその間の電気的抵抗を各ソース側配線層
a1,Sa2,Sa3同士で同等とすべき拡張部S11および
狭小部S22(電気的抵抗補正部)を形成してある。すな
わち、本例のアクティブマトリクス液晶表示パネルにお
いては、各ソース側配線層Sa1,Sa2,Sa3は、いずれ
も、配線幅がL1 と広い拡張部S11と、配線幅がL2
狭い狭小部S22とで構成され、ソース側配線層Sa1,S
a2は、いずれも狭小部S11でビデオ信号線V2 ,V3
交差している。このため、いずれの交差部における配線
の重なり面積も同等になっている。従って、図3(a)
に示すように、ソース側配線層Sa1とビデオ信号線
2 ,V3 との交差部における寄生容量,ビデオ信号線
2 とソース側配線層Sa3との交差部における寄生容量
は、いずれの同等であって、その大きさをCbで表すこ
とができる。なお、前述のとおり、駆動用信号線G1
2 ,G3 の幅は一定であるため、駆動用信号線G1
2 ,G3 とビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 と交差部に
おける寄生容量の大きさはいずれもCaで表してある。
この図に示すとおり、いずれの交差部にも、寄生容量C
a,Cbが寄生しているが、ビデオ信号線V1 とソース
側配線層Sa1とが構成する第1の経路に寄生する容量の
総和は(3Ca+2Cb)、ビデオ信号線V2 とソース
側配線層Sa2とが構成する第2の経路に寄生する容量の
総和は(3Ca+2Cb)、ビデオ信号線V3 とソース
側配線層Sa3とが構成する第3の経路に寄生する容量の
総和は(3Ca+2Cb)であり、いずれの経路におい
ても、同等の大きさの寄生容量が寄生している。なお、
上記の寄生容量の等価構造については、ソース側配線層
a1,Sa2,Sa3に限らず、本例のアクティブマトリク
ス液晶表示パネルに形成されたいずれのソース側配線層
a1,Sa2,Sa3・・・にも採用されている。
Therefore, in the active matrix liquid crystal display panel of this embodiment, as shown in FIG. 1, the source side wiring layer S a1 is used for the purpose of equalizing both the parasitic capacitance and the resistance in each path between the paths. , S a2 , and the video signal line V
While making the overlapping areas of the wirings in the respective intersecting regions with 1 , V 2 and V 3 equal, the source side wiring layers S a1 ,
The switch circuits T 1 , T 2 , T 3 ... Are connected to S a2 , S a3 from their conductive connection positions with the video signal lines V 1 , V 2 , V 3.
An expanded portion in which the width dimension is adjusted in accordance with the length dimension up to the conductive connection position with and the electric resistance therebetween is made equal in each source side wiring layer S a1 , S a2 , S a3. S 11 and a narrow portion S 22 (electrical resistance correction portion) are formed. That is, in the active matrix liquid crystal display panel of this example, each of the source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 has a wiring width L 1 , a wide extension S 11, and a wiring width L 2 . is composed of a narrow narrow portion S 22, the source side interconnect layer S a1, S
a2 are both intersects the video signal line V 2, V 3 at the narrow portion S 11. For this reason, the overlapping areas of the wirings at any intersections are the same. Therefore, FIG.
As shown in, the parasitic capacitance at the intersection of the source side wiring layer S a1 and the video signal lines V 2 and V 3 and the parasitic capacitance at the intersection of the video signal line V 2 and the source side wiring layer S a3 are , And its size can be represented by Cb. As described above, the driving signal line G 1 ,
Since the widths of G 2 and G 3 are constant, the driving signal lines G 1 ,
The magnitudes of the parasitic capacitances at the intersections between G 2 and G 3 and the video signal lines V 1 , V 2 and V 3 are all represented by Ca.
As shown in this figure, the parasitic capacitance C
Although a and Cb are parasitic, the sum of the parasitic capacitances in the first path formed by the video signal line V 1 and the source side wiring layer S a1 is (3Ca + 2Cb), and the video signal line V 2 and the source side wiring are The total parasitic capacitance of the second path formed by the layer S a2 is (3Ca + 2Cb), and the total parasitic capacitance of the third path formed by the video signal line V 3 and the source side wiring layer S a3 is ( 3Ca + 2Cb), and the parasitic capacitance of the same size is parasitic in any of the paths. In addition,
The equivalent structure of the above parasitic capacitance is not limited to the source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 , but any source side wiring layers S a1 , S a2 formed in the active matrix liquid crystal display panel of this example. It is also used in S a3 ....

【0014】さらに、本例のアクティブマトリクス液晶
表示パネルにおいては、スイッチ回路T1 ,T2 ,T3
はビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 の側方位置に一括して
形成されているため、ソース側配線層Sa1,Sa2,Sa3
におけるビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 との導電接続位
置からスイッチ回路T1 ,T2 ,T3 ・・・との導電接
続位置までの間の長さ寸法がそれぞれ異なるが、その間
の電気的抵抗を、各ソース側配線層Sa1,Sa2,Sa3
形成された拡張部S11と狭小部S22とで調整してある。
すなわち、ビデオ信号線V1 との導電接続位置からスイ
ッチ回路T1 との導電接続位置までの配線長さが長いソ
ース側配線層Sa1においては、その拡張部S11が占める
比率が大きく設定されている。これに対して、ビデオ信
号線V3との導電接続位置からスイッチ回路T3 との導
電接続位置までの配線長さが短いソース側配線層Sa3
おいては、その狭小部S22が占める比率が大きく設定さ
れている。ここで、ソース側配線層Sa1,Sa2,Sa3
不純物ドープ型の多結晶シリコンで形成されているた
め、アルミニウム層で形成されたビデオ信号線V1 ,V
2 ,V3 に比して比抵抗が大きいので、ソース側配線層
a1,Sa2,Sa3の抵抗を調整すれば、ビデオ信号線V
1 ,V2 ,V3 とソース側配線層Sa1,Sa2,Sa3で構
成されるビデオ信号の経路の電気的抵抗が調整されたこ
とになる。このため、図3(b)にその等価回路を示す
ように、いずれのソース側配線層Sa1,Sa2,Sa3にお
いても、ビデオ信号線V1 ,V2 ,V3 との導電接続位
置からスイッチ回路T1 1 ,T2 ,T3 との導電接続
位置までの配線長さに応じて、拡張部S11および狭小部
22が占める比率が設定されて、その間に電気的抵抗の
大きさがいずれもRで同等になっている。なお、上記の
寄生抵抗の等価構造については、ソース側配線層Sa1
a2,Sa3に限らず、本例のアクティブマトリクス液晶
表示パネルに形成されたいずれのソース側配線層Sa1
a2,Sa3・・・にも採用されている。
Further, in the active matrix liquid crystal display panel of this example, the switch circuits T 1 , T 2 , T 3
Are collectively formed at the lateral positions of the video signal lines V 1 , V 2 and V 3 , so that the source side wiring layers S a1 , S a2 and S a3 are formed.
The lengths from the conductive connection positions with the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 to the conductive connection positions with the switch circuits T 1 , T 2 , T 3 ... The electric resistance is adjusted by the expanded portion S 11 and the narrowed portion S 22 formed in each of the source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 .
That is, in the source-side wiring layer S a1 having a long wiring length from the conductive connection position with the video signal line V 1 to the conductive connection position with the switch circuit T 1 , the proportion occupied by the expanded portion S 11 is set to be large. ing. On the other hand, in the source side wiring layer S a3 having a short wiring length from the conductive connection position with the video signal line V 3 to the conductive connection position with the switch circuit T 3 , the ratio of the narrow portion S 22 occupies. It is set large. Here, since the source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 are formed of impurity-doped polycrystalline silicon, the video signal lines V 1 , V formed of an aluminum layer are used.
2, since the specific resistance compared to V 3 is large, by adjusting the resistance of the source side interconnect layer S a1, S a2, S a3 , video signal lines V
This means that the electrical resistance of the video signal path constituted by 1 , V 2 , V 3 and the source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 is adjusted. Therefore, as shown in the equivalent circuit of FIG. 3B, in any of the source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 , conductive connection positions with the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 are formed. The ratio occupied by the expanded portion S 11 and the narrowed portion S 22 is set in accordance with the wiring length from the switch circuit T 1 T 1 , T 2 , T 3 to the conductive connection position and the electrical resistance between them is set. The sizes are all the same for R. Regarding the equivalent structure of the above parasitic resistance, the source side wiring layer S a1 ,
Not only S a2 and S a3, but also any source side wiring layer S a1 formed in the active matrix liquid crystal display panel of this example,
It is also used in S a2 , S a3 ....

【0015】以上のとおり、本例に係るアクティブマト
リクス液晶表示パネルにおいては、ビデオ信号線V1
2 ,V3 と交差するソース側配線層Sa1,Sa2の所定
部分の配線幅をいずれの交差部においても同等として、
ビデオ信号の経路における寄生容量の大きさを同等にし
てあるため、各経路におけるビデオ信号の遅延に差がな
いので、表示特性が向上する。また、配線に静電気など
によって異常電位が供給されても、特定の経路に突入電
流が集中することがないので、その信頼性が向上する。
As described above, in the active matrix liquid crystal display panel according to this example, the video signal lines V 1 ,
The wiring widths of the predetermined portions of the source side wiring layers S a1 and S a2 intersecting V 2 and V 3 are set equal at any intersection,
Since the parasitic capacitances in the paths of the video signals are made equal, there is no difference in the delay of the video signals in the paths, so that the display characteristics are improved. Further, even if an abnormal potential is supplied to the wiring due to static electricity or the like, the rush current does not concentrate on a specific path, so that the reliability is improved.

【0016】また、交差部に相当するソース側配線層S
a1,Sa2の配線幅を同等にしつつ、ソース側配線層
a1,Sa2,Sa3の配線長さに応じて、それらに配線幅
の拡張部S11と狭小部S22とを設け、それらに寄生する
電気的抵抗の大きさも同等としてある。それ故、各経路
におけるビデオ信号の遅延に差が発生することをさらに
防止してあるため、表示特性がさらに向上する。
Further, the source side wiring layer S corresponding to the intersection portion
while a1, the line width of the S a2 equivalent, in accordance with the wiring length of the source side interconnect layer S a1, S a2, S a3, and an expansion portion S 11 and the narrow portion S 22 of the wiring width is provided to them, The magnitude of the electrical resistance parasitic on them is also the same. Therefore, it is possible to further prevent the difference between the delays of the video signals in the respective paths, and further improve the display characteristics.

【0017】なお、本例においては、ビデオ信号線
1 ,V2 ,V3 を赤、緑、青に対応させて3列のビデ
オ信号線の場合について説明したが、これに限らず、さ
らに多数化してもよい。さらに、ビデオ信号線V1 ,V
2 ,V3 に交差する配線として、ソース側配線層および
駆動用信号線のみについて説明したが、さらに他の配線
が交差している場合にも適用できる。
In this embodiment, the video signal lines V 1 , V 2 , V 3 are associated with red, green, and blue, and three columns of video signal lines are described, but the present invention is not limited to this. The number may be increased. Furthermore, video signal lines V 1 and V
Although only the source side wiring layer and the driving signal line have been described as the wirings intersecting V 2 and V 3 , the present invention can be applied to the case where other wirings intersect.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上のとおり、本発明に係るアクティブ
マトリクス表示パネルにおいては、ソース側配線層とビ
デオ信号線との各交差領域における配線の重なり面積を
いずれの交差部においても同等とし、かつ、ソース側配
線層の電気的抵抗をその配線長さに対応してソース側配
線層に形成された電気的抵抗補正部によって同等に調整
してあることに特徴を有する。従って、本発明によれ
ば、ビデオ信号線に寄生する容量および電気的抵抗が同
等であるため、各経路におけるビデオ信号の遅延に差が
ないので、表示特性が向上するという効果を奏する。ま
た、配線に静電気などによって異常電位が供給されて
も、特定の経路に突入電流が集中することがないので、
その信頼性が向上するという効果を奏する。
As described above, in the active matrix display panel according to the present invention, the overlapping area of the wiring in each crossing region of the source side wiring layer and the video signal line is made equal at any crossing portion, and It is characterized in that the electric resistance of the source side wiring layer is adjusted correspondingly to the wiring length by an electric resistance correction section formed in the source side wiring layer. Therefore, according to the present invention, since the parasitic capacitance and electric resistance of the video signal line are equal to each other, there is no difference in the delay of the video signal in each path, so that the display characteristics are improved. Also, even if an abnormal potential is supplied to the wiring due to static electricity, etc., the rush current does not concentrate on a specific path, so
This has the effect of improving its reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例に係るアクティブマトリクス液
晶表示パネルにおけるビデオ信号線の形成領域周囲の概
略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view around a formation region of a video signal line in an active matrix liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のIV−IV′線における断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV ′ in FIG.

【図3】(a)は図1に示すビデオ信号線に寄生する容
量を示す説明図、(b)はそのソース側配線層に寄生す
る抵抗を示す説明図である。
3A is an explanatory diagram showing a capacitance parasitic on a video signal line shown in FIG. 1, and FIG. 3B is an explanatory diagram showing a resistance parasitic on a source side wiring layer thereof.

【図4】アクティブマトリクス液晶表示パネルの全体構
成を示すブロック部である。
FIG. 4 is a block section showing the overall configuration of an active matrix liquid crystal display panel.

【図5】従来のアクティブマトリクス液晶表示パネルに
おけるビデオ信号線の形成領域周囲の概略平面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic plan view around a formation region of a video signal line in a conventional active matrix liquid crystal display panel.

【図6】図5のVI−VI′線における断面図である。6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI ′ of FIG.

【図7】図5に示すビデオ信号線に寄生する容量を示す
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a capacitance parasitic on the video signal line shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11・・・透明基板 12・・・ソース線駆動回路 13,20・・・シフトレジスタ部 21・・・ゲート線駆動回路 22・・・画素マトリクス 29・・・薄膜トランジスタ 30・・・液晶セル G1 ,G2 ,G3 ・・・駆動用信号線 S1 ,S2 ,S3 ・・・ソース側配線層 Sa1,Sa2,Sa3・・・ソース側配線層 Sb1,Sb2,Sb3・・・ソース側配線層 S11・・・拡張部(電気的抵抗補正部) S22・・・狭小部(電気的抵抗補正部) T1 ,T2 ,T3 ・・・スイッチ回路 V1 ,V2 ,V3 ・・・ビデオ信号線 X1 ,X2 ,X3 ・・・ソース線 Y1 ,Y2 ・・・ゲート線11 ... Transparent substrate 12 ... Source line drive circuit 13, 20 ... Shift register section 21 ... Gate line drive circuit 22 ... Pixel matrix 29 ... Thin film transistor 30 ... Liquid crystal cell G 1 , G 2 , G 3 ... Driving signal lines S 1 , S 2 , S 3 ... Source side wiring layers S a1 , S a2 , S a3 ... Source side wiring layers S b1 , S b2 , S b3 · · · source side interconnect layer S 11 · · · extension (electrical resistance correction portion) S 22 · · · narrow portion (electric resistance correction portion) T 1, T 2, T 3 ··· switch circuit V 1 , V 2 , V 3 ... Video signal line X 1 , X 2 , X 3 ... Source line Y 1 , Y 2 ... Gate line

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 同一基板上の画素マトリクスの形成領域
と前記基板の外周縁と間に形成されたソース線駆動回路
側において、nを3以上の整数とした場合に、前記画素
マトリクスの形成領域の外周側にその辺方向に向かって
形成されて前記ソース線駆動回路のシフトレジスタ部の
形成領域の側から前記画素マトリクスの形成領域側に向
かって並列するn列のビデオ信号線と、これらのビデオ
信号線毎に層間絶縁膜を介して導電接続し、そこから前
記画素マトリクスの形成領域側に向かうn列のソース側
配線層と、これらの各ソース側配線層とこれらのソース
側配線層毎に対応する各ソース線との間に介挿され、前
記シフトレジスタ部側から出力された駆動用信号に基づ
いて前記ソース線配線層と前記ソース線とが導電接続す
る状態および非導電接続状態に動作がそれぞれ切り換え
られるn個のスイッチ部と、前記シフトレジスタ部側か
ら前記スイッチ部に向けて形成されて前記ビデオ信号線
に対して層間絶縁膜を介して交差し、前記駆動用信号を
前記スイッチ部毎に入力するn列の駆動用信号線と、を
有し、これらの駆動用信号線と前記ビデオ信号線との各
交差領域における配線の重なり面積はいずれも同等であ
って、前記ソース側配線層と前記ビデオ信号線との各交
差領域における配線の重なり面積はいずれも同等になっ
ており、前記ソース側配線層には、その前記ビデオ信号
線との導電接続位置から前記スイッチ部との導電接続位
置までの間の配線長さに対応してその幅寸法を調整し、
その間の電気的抵抗を各ソース側配線層同士で同等とす
べき電気的抵抗補正部が形成されていることを特徴とす
るアクティブマトリクス表示パネル。
1. On the source line drive circuit side formed between the pixel matrix formation region on the same substrate and the outer peripheral edge of the substrate, when n is an integer of 3 or more, the pixel matrix formation region is formed. Video signal lines of n columns which are formed on the outer peripheral side in the direction of the side thereof and are arranged in parallel from the side of the formation region of the shift register portion of the source line drive circuit toward the side of the formation region of the pixel matrix, and Each video signal line is conductively connected through an interlayer insulating film, and the n-side source side wiring layers from which the pixel matrix formation region side is provided, each of these source side wiring layers, and each of these source side wiring layers And a state in which the source line wiring layer and the source line are conductively connected to each other based on a driving signal output from the shift register section side. N switch parts whose operations are respectively switched to the connected state, and the drive signal which intersects the video signal line formed from the shift register part side toward the switch part through the interlayer insulating film. And n driving signal lines for inputting each of the switch units, and the overlapping areas of the wirings in each intersection region of the driving signal lines and the video signal lines are equal to each other, The overlapping areas of the wirings in the respective intersecting regions of the source side wiring layer and the video signal line are equal to each other, and the source side wiring layer has the switch from the conductive connection position with the video signal line. Adjust the width dimension according to the wiring length to the conductive connection position with the part,
An active matrix display panel, characterized in that an electric resistance correction section is formed so that the electric resistance between the source side wiring layers should be equal to each other.
JP11043792A 1992-04-28 1992-04-28 Active matrix display panel Pending JPH05307165A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11043792A JPH05307165A (en) 1992-04-28 1992-04-28 Active matrix display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11043792A JPH05307165A (en) 1992-04-28 1992-04-28 Active matrix display panel

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001021344A Division JP2001296556A (en) 2001-01-30 2001-01-30 Active matrix display panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05307165A true JPH05307165A (en) 1993-11-19

Family

ID=14535708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11043792A Pending JPH05307165A (en) 1992-04-28 1992-04-28 Active matrix display panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05307165A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6955953B2 (en) 1999-01-29 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having thin film transistor and capacitor
US7122835B1 (en) * 1999-04-07 2006-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and a method of manufacturing the same
JP2007034000A (en) * 2005-07-28 2007-02-08 Sony Corp Display device
KR100968569B1 (en) * 2003-09-08 2010-07-08 삼성전자주식회사 Thin film transistor array panel
US8258513B2 (en) 1995-05-31 2012-09-04 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor matrix device including first and second connection lines
KR20150077213A (en) * 2013-12-27 2015-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Display Device
WO2018003012A1 (en) * 2016-06-28 2018-01-04 オリンパス株式会社 Solid-state imaging device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8258513B2 (en) 1995-05-31 2012-09-04 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor matrix device including first and second connection lines
US8592816B2 (en) 1995-05-31 2013-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor matrix device including first and second connection lines
US6955953B2 (en) 1999-01-29 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having thin film transistor and capacitor
US7122835B1 (en) * 1999-04-07 2006-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and a method of manufacturing the same
US7575961B2 (en) 1999-04-07 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and a method of manufacturing the same
KR100968569B1 (en) * 2003-09-08 2010-07-08 삼성전자주식회사 Thin film transistor array panel
JP2007034000A (en) * 2005-07-28 2007-02-08 Sony Corp Display device
KR20150077213A (en) * 2013-12-27 2015-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Display Device
WO2018003012A1 (en) * 2016-06-28 2018-01-04 オリンパス株式会社 Solid-state imaging device
US10700109B2 (en) 2016-06-28 2020-06-30 Olympus Corporation Solid-state imaging device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8618863B2 (en) Signal distribution circuit, signal distribution device, and display device
JP3291249B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and substrate used therefor
US6774414B2 (en) Thin film transistor array panel for a liquid crystal display
US7626670B2 (en) TFT array panel with improved connection to test lines and with the addition of auxiliary test lines commonly connected to each other through respective conductive layers which connect test lines to respective gate or data lines
CN108445686A (en) Array substrate, display panel and display device
KR19980075976A (en) Board for flat panel display for repairing wiring
US20080246707A1 (en) Display Device
KR20070006981A (en) Liquid crystal display
JP3050738B2 (en) Display device drive circuit
JP3489184B2 (en) Thin film transistor circuit and liquid crystal display device using the same
JP3114372B2 (en) Active matrix display panel
KR100593314B1 (en) liquid crystal display device
WO2021227112A1 (en) Array substrate, display panel having same, and display device
WO2021093048A1 (en) Display panel and display device
US7477230B2 (en) Display device and glass substrate therefor
US20030133054A1 (en) Substrate for display device and display device equipped therewith
JPH05307165A (en) Active matrix display panel
JP3210432B2 (en) Liquid crystal display
KR100877479B1 (en) Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
JP3603894B2 (en) Thin film transistor circuit and liquid crystal display device using the same
JP2001296556A (en) Active matrix display panel
JPH1078761A (en) Liquid crystal display device
JPH04280226A (en) Thin film transistor element array and driving method thereof
JPH1185058A (en) Signal transmission path for display and display device
JP2000105576A (en) Liquid crystal display device and lsi element for driving signal line