JPH05299699A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH05299699A JPH05299699A JP4105149A JP10514992A JPH05299699A JP H05299699 A JPH05299699 A JP H05299699A JP 4105149 A JP4105149 A JP 4105149A JP 10514992 A JP10514992 A JP 10514992A JP H05299699 A JPH05299699 A JP H05299699A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体発光装置に関し、本発明は、発光ダイ
オード・チップの活性領域に加わる応力を低減し、スク
リーニングを行った際の歩留りを向上し得るようにす
る。 【構成】 鉄、或いは、鉄を主成分とする材料のＴＯ−
１８型（ＪＩＳ規格品）パッケージに於けるステム１１
上に半田（或いはＡｕＳｉ）からなるソルダ１２で取り
付けられた厚さが８９２〔μｍ〕乃至９５６〔μｍ〕
（或いは８８８〔μｍ〕乃至１００７〔μｍ〕）である
ＡｌＮからなるサブ・マウント１３並びにサブ・マウン
ト１３上にＡｕＳｎからなるソルダ１４で取り付けられ
た発光ダイオード・チップ１５を備えている。
オード・チップの活性領域に加わる応力を低減し、スク
リーニングを行った際の歩留りを向上し得るようにす
る。 【構成】 鉄、或いは、鉄を主成分とする材料のＴＯ−
１８型（ＪＩＳ規格品）パッケージに於けるステム１１
上に半田（或いはＡｕＳｉ）からなるソルダ１２で取り
付けられた厚さが８９２〔μｍ〕乃至９５６〔μｍ〕
（或いは８８８〔μｍ〕乃至１００７〔μｍ〕）である
ＡｌＮからなるサブ・マウント１３並びにサブ・マウン
ト１３上にＡｕＳｎからなるソルダ１４で取り付けられ
た発光ダイオード・チップ１５を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバを用いた光
通信、或いは、測定器などに用いられる半導体発光装置
に関する。
通信、或いは、測定器などに用いられる半導体発光装置
に関する。
【０００２】現在、０．８〔μｍ〕帯で用いるＧａＡｓ
系発光ダイオードは、多くの分野で使用されようとして
いる段階にあり、従って、更なる信頼性の向上と低価格
化が希求されている。
系発光ダイオードは、多くの分野で使用されようとして
いる段階にあり、従って、更なる信頼性の向上と低価格
化が希求されている。
【０００３】
【従来の技術】一般に、発光ダイオードに於いては、シ
リコン、或いは、窒化シリコンからなるサブ・マウント
を用いて組み立てられている。図６は標準的な構成の従
来例を説明する為の発光ダイオードを表す要部側面図で
ある。
リコン、或いは、窒化シリコンからなるサブ・マウント
を用いて組み立てられている。図６は標準的な構成の従
来例を説明する為の発光ダイオードを表す要部側面図で
ある。
【０００４】図に於いて、１はステム、２はソルダ、３
はサブ・マウント、４はソルダ、５は発光ダイオード・
チップをそれぞれ示している。この発光ダイオードは、
サブ・マウント３上にソルダ４を用いて発光ダイオード
・チップ５をボンディングし、それをソルダ２を用いて
ステム１にボンディングして作成され、サブ・マウント
３としては、厚さ１４０〔μｍ〕のＳｉを用いたもの、
或いは、厚さ９００〔μｍ〕のＳｉＣを用いたものが知
られている。
はサブ・マウント、４はソルダ、５は発光ダイオード・
チップをそれぞれ示している。この発光ダイオードは、
サブ・マウント３上にソルダ４を用いて発光ダイオード
・チップ５をボンディングし、それをソルダ２を用いて
ステム１にボンディングして作成され、サブ・マウント
３としては、厚さ１４０〔μｍ〕のＳｉを用いたもの、
或いは、厚さ９００〔μｍ〕のＳｉＣを用いたものが知
られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】通常、発光ダイオード
に於いては、初期不良を排除する為、高温で大電流の通
電を行って発光ダイオード・チップを構成する結晶の弱
い部分から転位を発生させる、所謂、スクリーニングが
行われている。
に於いては、初期不良を排除する為、高温で大電流の通
電を行って発光ダイオード・チップを構成する結晶の弱
い部分から転位を発生させる、所謂、スクリーニングが
行われている。
【０００６】然しながら、そのスクリーニングを行った
場合、発光ダイオードに於ける部材間、例えば、ステム
１とソルダ２との間、ソルダ２とサブ・マウント３との
間、サブ・マウント３とソルダ４との間、ソルダ４と発
光ダイオード・チップ５との間の熱膨張係数の差で発生
する応力が破壊応力、即ち、結晶内に転位が発生する臨
界応力を越えてしまう。
場合、発光ダイオードに於ける部材間、例えば、ステム
１とソルダ２との間、ソルダ２とサブ・マウント３との
間、サブ・マウント３とソルダ４との間、ソルダ４と発
光ダイオード・チップ５との間の熱膨張係数の差で発生
する応力が破壊応力、即ち、結晶内に転位が発生する臨
界応力を越えてしまう。
【０００７】因に、結晶内に転位が発生した場合、その
転位は電流の注入に依って非発光センタとなり、時間の
経過と共に電位が成長して光出力を低下させることにな
る。従って、転位が発生することは、発光ダイオードが
動作不能になる破壊と同義であると考えて良い。尚、発
光ダイオード・チップは、分離を良好にする為、発光ダ
イオード・チップの厚さ＜＜サブ・マウントの厚さ、に
しなければならないので、この条件の下では、発光ダイ
オード・チップの厚さを変えても、その厚さの如何が活
性領域に加わる応力に大きく影響することはない。
転位は電流の注入に依って非発光センタとなり、時間の
経過と共に電位が成長して光出力を低下させることにな
る。従って、転位が発生することは、発光ダイオードが
動作不能になる破壊と同義であると考えて良い。尚、発
光ダイオード・チップは、分離を良好にする為、発光ダ
イオード・チップの厚さ＜＜サブ・マウントの厚さ、に
しなければならないので、この条件の下では、発光ダイ
オード・チップの厚さを変えても、その厚さの如何が活
性領域に加わる応力に大きく影響することはない。
【０００８】前記したようなことから、従来の発光ダイ
オードでは、スクリーニングを行うと、発光領域、即
ち、活性領域近傍にダーク・ラインやダーク・スポット
が発生し、製造歩留りは低いものになっいる。
オードでは、スクリーニングを行うと、発光領域、即
ち、活性領域近傍にダーク・ラインやダーク・スポット
が発生し、製造歩留りは低いものになっいる。
【０００９】本発明は、発光ダイオード・チップの活性
領域に加わる応力を低減し、スクリーニングを行った際
の歩留りを向上し得るようにする。
領域に加わる応力を低減し、スクリーニングを行った際
の歩留りを向上し得るようにする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】一般に、発光ダイオード
・チップの活性領域に加わる応力を低減する為の手段と
して、サブ・マウントの材料を選択すること、チップ−
サブ・マウント間、或いは、サブ・マウント−ステム間
に用いるソルダを選択することなどが考えられる。
・チップの活性領域に加わる応力を低減する為の手段と
して、サブ・マウントの材料を選択すること、チップ−
サブ・マウント間、或いは、サブ・マウント−ステム間
に用いるソルダを選択することなどが考えられる。
【００１１】活性領域に加わる応力は、諸材料の線膨張
係数、ヤング率、形成温度などから計算することがで
き、また、転位が発生する領域は極微小であることか
ら、無限平面を仮定したソウル（Ｓａｕｌ）の理論式
（要すれば、「ＪＡＰ．，Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．８，ｐ
ｐ３２７３−３２７９，ＪＵＬＹ １９６９」、を参
照）を用いることが可能である。
係数、ヤング率、形成温度などから計算することがで
き、また、転位が発生する領域は極微小であることか
ら、無限平面を仮定したソウル（Ｓａｕｌ）の理論式
（要すれば、「ＪＡＰ．，Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．８，ｐ
ｐ３２７３−３２７９，ＪＵＬＹ １９６９」、を参
照）を用いることが可能である。
【００１２】図７はストレスを計算する為のモデルを解
説する説明図であって、最初、従来から多用されている
Ｓｉ或いはＳｉＣをサブ・マウントとし、また、半田或
いはＡｕＳｉをソルダとし、温度範囲は発光ダイオード
の動作温度として普遍的に適用される−４０〔℃〕と１
２０〔℃〕、そして、−１０〔℃〕と１３０〔℃〕の場
合について計算した。
説する説明図であって、最初、従来から多用されている
Ｓｉ或いはＳｉＣをサブ・マウントとし、また、半田或
いはＡｕＳｉをソルダとし、温度範囲は発光ダイオード
の動作温度として普遍的に適用される−４０〔℃〕と１
２０〔℃〕、そして、−１０〔℃〕と１３０〔℃〕の場
合について計算した。
【００１３】図８乃至図１１はストレスとサブ・マウン
ト厚との関係を計算した結果を表す線図であり、縦軸に
ストレス〔ダイン／ｃｍ2 〕、横軸にサブ・マウント厚
〔μｍ〕をそれぞれ採ってある。
ト厚との関係を計算した結果を表す線図であり、縦軸に
ストレス〔ダイン／ｃｍ2 〕、横軸にサブ・マウント厚
〔μｍ〕をそれぞれ採ってある。
【００１４】図８のデータを得た条件は、 サブ・マウント：Ｓｉ チップ・ソルダ：ＡｕＳｎ 他のソルダ：半田 設定温度：−４０〔℃〕及び１２０〔℃〕 であり、図９のデータを得た条件は、 サブ・マウント：ＳｉＣ チップ・ソルダ：ＡｕＳｎ 他のソルダ：半田 設定温度：−４０〔℃〕及び１２０〔℃〕 であり、図１０のデータを得た条件は、 サブ・マウント：Ｓｉ チップ・ソルダ：ＡｕＳｎ 他のソルダ：ＡｕＳｉ 設定温度：−１０〔℃〕及び１３０〔℃〕 であり、図１１のデータを得た条件は、 サブ・マウント：ＳｉＣ チップ・ソルダ：ＡｕＳｎ 他のソルダ：ＡｕＳｉ 設定温度：−１０〔℃〕及び１３０〔℃〕 である。
【００１５】各図から明らかであるように、それぞれの
温度範囲に於いて、活性領域を構成している結晶内で転
位が発生するしきい値ストレスである１×１０9 〔ダイ
ン／ｃｍ2 〕（要すれば、「Ｋａｍｅｊｉｍａ ｅｔ．
ａｌ Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ． Ｖｏｌ．１６ Ｎｏ．２ ｐ
ｐ２３３−ｐｐ２４０」、を参照）以下となるような領
域では、許容できるサブ・マウント厚は存在しない。換
言すると、チップを取り付ける為のサブ・マウントが存
在すれば、活性領域には必ずしきい値ストレスを越える
ストレスが加わって転位が発生することになる。
温度範囲に於いて、活性領域を構成している結晶内で転
位が発生するしきい値ストレスである１×１０9 〔ダイ
ン／ｃｍ2 〕（要すれば、「Ｋａｍｅｊｉｍａ ｅｔ．
ａｌ Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ． Ｖｏｌ．１６ Ｎｏ．２ ｐ
ｐ２３３−ｐｐ２４０」、を参照）以下となるような領
域では、許容できるサブ・マウント厚は存在しない。換
言すると、チップを取り付ける為のサブ・マウントが存
在すれば、活性領域には必ずしきい値ストレスを越える
ストレスが加わって転位が発生することになる。
【００１６】前記したようなことから、本発明者は、種
々な条件も然ることがら、先ず、サブ・マウントの材料
としてＳｉやＳｉＣ以外のものを求めることとし、Ａｌ
Ｎを選択した。その理由は、ＡｌＮがチップの材料であ
る化合物半導体の線膨張係数に比較的近いそれを有して
いること、及び、放熱性が高いことなどに依る。そこ
で、サブ・マウントの材料にＡｌＮを用いた場合につい
て、前記と同様な計算を行った。
々な条件も然ることがら、先ず、サブ・マウントの材料
としてＳｉやＳｉＣ以外のものを求めることとし、Ａｌ
Ｎを選択した。その理由は、ＡｌＮがチップの材料であ
る化合物半導体の線膨張係数に比較的近いそれを有して
いること、及び、放熱性が高いことなどに依る。そこ
で、サブ・マウントの材料にＡｌＮを用いた場合につい
て、前記と同様な計算を行った。
【００１７】図１及び図２はストレスとサブ・マウント
厚との関係を計算した結果を表した線図であり、縦軸に
はストレス〔ダイン／ｃｍ2 〕、横軸にはサブ・マウン
ト厚〔μｍ〕をそれぞれ採ってある。尚、図７にはサブ
・マウントにＡｌＮを用いた場合のストレスを計算する
為のモデルが付記されている。図１のデータを得た設定
温度は−４０〔℃〕であって、これは発光ダイオードの
最低動作温度に相当し、また、図２のデータを得た設定
温度は１２０〔℃〕であって、これは発光ダイオードの
最高動作温度、即ち、最大定格電流を流した際の最高温
度である。
厚との関係を計算した結果を表した線図であり、縦軸に
はストレス〔ダイン／ｃｍ2 〕、横軸にはサブ・マウン
ト厚〔μｍ〕をそれぞれ採ってある。尚、図７にはサブ
・マウントにＡｌＮを用いた場合のストレスを計算する
為のモデルが付記されている。図１のデータを得た設定
温度は−４０〔℃〕であって、これは発光ダイオードの
最低動作温度に相当し、また、図２のデータを得た設定
温度は１２０〔℃〕であって、これは発光ダイオードの
最高動作温度、即ち、最大定格電流を流した際の最高温
度である。
【００１８】各図から明らかなように、活性領域に加わ
るストレスを１×１０9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下とする
には、−４０〔℃〕では、サブ・マウント３の厚さを８
９２〔μｍ〕乃至１５７０〔μｍ〕の範囲にしなければ
ならず、また、１２０〔℃〕では、サブ・マウント３の
厚さを１５２〔μｍ〕乃至９５６〔μｍ〕の範囲にしな
ければならない。
るストレスを１×１０9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下とする
には、−４０〔℃〕では、サブ・マウント３の厚さを８
９２〔μｍ〕乃至１５７０〔μｍ〕の範囲にしなければ
ならず、また、１２０〔℃〕では、サブ・マウント３の
厚さを１５２〔μｍ〕乃至９５６〔μｍ〕の範囲にしな
ければならない。
【００１９】図１並びに図２のデータに依れば、−４０
〔℃〕〜１２０〔℃〕の温度範囲でストレスが１×１０
9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下となるサブ・マウント３の厚
さは８９２〔μｍ〕〜９５６〔μｍ〕の範囲であること
が看取される。
〔℃〕〜１２０〔℃〕の温度範囲でストレスが１×１０
9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下となるサブ・マウント３の厚
さは８９２〔μｍ〕〜９５６〔μｍ〕の範囲であること
が看取される。
【００２０】図１及び図２について説明した計算結果
は、ソルダ２及びソルダ４の材質に依存して変化する。
そこで、次に、ソルダ２としてＡｕＳｉを、また、ソル
ダ４としてＡｕＳｎをそれぞれ用いた場合の計算結果に
ついて説明するが、このように、ソルダの材質を変えた
場合、発光ダイオードの動作定格は変わり、低温側の動
作温度は−１０〔℃〕となって３０〔℃〕高くなり、ま
た、高温側の動作温度は１３０〔℃〕となって１０
〔℃〕高くなる。
は、ソルダ２及びソルダ４の材質に依存して変化する。
そこで、次に、ソルダ２としてＡｕＳｉを、また、ソル
ダ４としてＡｕＳｎをそれぞれ用いた場合の計算結果に
ついて説明するが、このように、ソルダの材質を変えた
場合、発光ダイオードの動作定格は変わり、低温側の動
作温度は−１０〔℃〕となって３０〔℃〕高くなり、ま
た、高温側の動作温度は１３０〔℃〕となって１０
〔℃〕高くなる。
【００２１】図３及び図４は、図１及び図２と同様、ス
トレスとサブ・マウント厚との関係を計算した結果を表
した線図であり、縦軸にはストレス〔ダイン／ｃ
ｍ2 〕、横軸にはサブ・マウント厚〔μｍ〕をそれぞれ
採ってある。図３のデータを得た設定温度は−１０
〔℃〕であって、前記のようにソルダを変えた発光ダイ
オードの最低動作温度に相当し、また、図４のデータを
得た設定温度は１３０〔℃〕であって、これも前記のよ
うにソルダを変えた発光ダイオードの最高動作温度、即
ち、最大定格電流を流した際の最高温度である。
トレスとサブ・マウント厚との関係を計算した結果を表
した線図であり、縦軸にはストレス〔ダイン／ｃ
ｍ2 〕、横軸にはサブ・マウント厚〔μｍ〕をそれぞれ
採ってある。図３のデータを得た設定温度は−１０
〔℃〕であって、前記のようにソルダを変えた発光ダイ
オードの最低動作温度に相当し、また、図４のデータを
得た設定温度は１３０〔℃〕であって、これも前記のよ
うにソルダを変えた発光ダイオードの最高動作温度、即
ち、最大定格電流を流した際の最高温度である。
【００２２】各図から明らかなように、活性領域に加わ
るストレスを１×１０9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下とする
には、−１０〔℃〕では、サブ・マウント３の厚さを８
８８〔μｍ〕以上、そして、１３０〔℃〕では、サブ・
マウント３の厚さを１００７〔μｍ〕以下にしなければ
ならない。
るストレスを１×１０9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下とする
には、−１０〔℃〕では、サブ・マウント３の厚さを８
８８〔μｍ〕以上、そして、１３０〔℃〕では、サブ・
マウント３の厚さを１００７〔μｍ〕以下にしなければ
ならない。
【００２３】図３並びに図４のデータに依れば、−１０
〔℃〕〜１３０〔℃〕の温度範囲でストレスが１×１０
9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下となるサブ・マウント３の厚
さは８７０〔μｍ〕〜９７０〔μｍ〕の範囲であること
が看取される。
〔℃〕〜１３０〔℃〕の温度範囲でストレスが１×１０
9 〔ダイン／ｃｍ2 〕以下となるサブ・マウント３の厚
さは８７０〔μｍ〕〜９７０〔μｍ〕の範囲であること
が看取される。
【００２４】前記したところから、本発明に依る半導体
発光装置に於いては、 （１）鉄或いは鉄を主成分とする材料からなるステム
（例えばステム１１）上に半田からなるソルダ（例えば
ソルダ１２）で取り付けられた厚さが８９２〔μｍ〕乃
至９５６〔μｍ〕であるＡｌＮからなるサブ・マウント
（例えばサブ・マウント１３）及び該サブ・マウント上
にＡｕＳｎからなるソルダ（例えばソルダ１４）で取り
付けられた発光ダイオード・チップ（例えば発光ダイオ
ード・チップ１５）を備えてなるか、或いは、
発光装置に於いては、 （１）鉄或いは鉄を主成分とする材料からなるステム
（例えばステム１１）上に半田からなるソルダ（例えば
ソルダ１２）で取り付けられた厚さが８９２〔μｍ〕乃
至９５６〔μｍ〕であるＡｌＮからなるサブ・マウント
（例えばサブ・マウント１３）及び該サブ・マウント上
にＡｕＳｎからなるソルダ（例えばソルダ１４）で取り
付けられた発光ダイオード・チップ（例えば発光ダイオ
ード・チップ１５）を備えてなるか、或いは、
【００２５】（２）鉄或いは鉄を主成分とする材料から
なるステム上にＡｕＳｉからソルダで取り付けられた厚
さが８８８〔μｍ〕乃至１００７〔μｍ〕であるＡｌＮ
からなるサブ・マウント及び該サブ・マウント上にＡｕ
Ｓｎからなるソルダで取り付けられた発光ダイオード・
チップを備えてなる。
なるステム上にＡｕＳｉからソルダで取り付けられた厚
さが８８８〔μｍ〕乃至１００７〔μｍ〕であるＡｌＮ
からなるサブ・マウント及び該サブ・マウント上にＡｕ
Ｓｎからなるソルダで取り付けられた発光ダイオード・
チップを備えてなる。
【００２６】
【作用】前記手段を採ることに依り、発光ダイオード・
チップの活性領域に加わるストレスを１×１０9 〔ダイ
ン／ｃｍ2 〕を越えないようにすることが可能となり、
従って、結晶内に発生する転位が少なくなり、スクリー
ニング時に於ける歩留りは著しく高くなるので、信頼性
が高い発光ダイオードを安価に供給することができる。
チップの活性領域に加わるストレスを１×１０9 〔ダイ
ン／ｃｍ2 〕を越えないようにすることが可能となり、
従って、結晶内に発生する転位が少なくなり、スクリー
ニング時に於ける歩留りは著しく高くなるので、信頼性
が高い発光ダイオードを安価に供給することができる。
【００２７】
【実施例】図５は本発明に依る実施例を説明する為の発
光ダイオードを表す要部側面図である。図に於いて、１
１はステム、１２はソルダ、１３はサブ・マウント、１
４はソルダ、１５は発光ダイオード・チップをそれぞれ
示している。
光ダイオードを表す要部側面図である。図に於いて、１
１はステム、１２はソルダ、１３はサブ・マウント、１
４はソルダ、１５は発光ダイオード・チップをそれぞれ
示している。
【００２８】図示の発光ダイオードに於ける各部材に関
する主要なデータを例示すると次の通りである。即ち、 ステム１１：鉄製ＴＯ−１８型パッケージのステム（厚
さ１．１〔ｍｍ〕） ソルダ１２：半田 サブ・マウント１３：ＡｌＮ（厚さ９００〔μｍ〕） ソルダ１４：ＡｕＳｎ である。尚、ＴＯ−１８型パッケージは、勿論、ＪＩＳ
規格に見られるものであって、鉄、または、鉄を主成分
とする材料で作られている。
する主要なデータを例示すると次の通りである。即ち、 ステム１１：鉄製ＴＯ−１８型パッケージのステム（厚
さ１．１〔ｍｍ〕） ソルダ１２：半田 サブ・マウント１３：ＡｌＮ（厚さ９００〔μｍ〕） ソルダ１４：ＡｕＳｎ である。尚、ＴＯ−１８型パッケージは、勿論、ＪＩＳ
規格に見られるものであって、鉄、または、鉄を主成分
とする材料で作られている。
【００２９】この発光ダイオードを組み立てるには、従
来の技術をそのまま適用することができ、例えば、サブ
・マウント１３上にソルダ１４を用いて発光ダイオード
・チップ１５をボンディングし、それをソルダ１２を用
いてステム１１にボンディングして作成すれば良い。
来の技術をそのまま適用することができ、例えば、サブ
・マウント１３上にソルダ１４を用いて発光ダイオード
・チップ１５をボンディングし、それをソルダ１２を用
いてステム１１にボンディングして作成すれば良い。
【００３０】このようにして得られた発光ダイオードで
は、−４０〔℃〕〜１２０〔℃〕の温度範囲でスクリー
ニングした場合の歩留りは著しく高くなり、実験に依れ
ば、転位発生に依る不良率の平均値は１４〔％〕であっ
た。
は、−４０〔℃〕〜１２０〔℃〕の温度範囲でスクリー
ニングした場合の歩留りは著しく高くなり、実験に依れ
ば、転位発生に依る不良率の平均値は１４〔％〕であっ
た。
【００３１】通常、発光ダイオードに於いては、チップ
の結晶内に基本的にもっている転位に依る不良率が〜１
０〔％〕程度であるから、本実施例に依るスクリーニン
グ歩留りは極めて良好と言える。因に、従来の技術に依
る発光ダイオードに於ける転位発生に依る不良率は５５
〔％〕である。
の結晶内に基本的にもっている転位に依る不良率が〜１
０〔％〕程度であるから、本実施例に依るスクリーニン
グ歩留りは極めて良好と言える。因に、従来の技術に依
る発光ダイオードに於ける転位発生に依る不良率は５５
〔％〕である。
【００３２】また、前記実施例に関する諸条件のうち、
ソルダ１２のみをＡｕＳｉに変えることができ、その実
施例に於いては、−１０〔℃〕〜１３０〔℃〕の温度範
囲でスクリーニングした場合の歩留りが前記実施例と同
様に高い値を示すことが実験で確認されている。
ソルダ１２のみをＡｕＳｉに変えることができ、その実
施例に於いては、−１０〔℃〕〜１３０〔℃〕の温度範
囲でスクリーニングした場合の歩留りが前記実施例と同
様に高い値を示すことが実験で確認されている。
【００３３】
【発明の効果】本発明に依る半導体発光装置では、鉄或
いは鉄を主成分とする材料からなるステム上に半田（或
いはＡｕＳｉ）からなるソルダで取り付けられた厚さが
８９２〔μｍ〕乃至９５６〔μｍ〕（或いは８８８〔μ
ｍ〕乃至１００７〔μｍ〕）であるＡｌＮからなるサブ
・マウント及び該サブ・マウント上にＡｕＳｎからなる
ソルダで取り付けられた発光ダイオード・チップを備え
る。
いは鉄を主成分とする材料からなるステム上に半田（或
いはＡｕＳｉ）からなるソルダで取り付けられた厚さが
８９２〔μｍ〕乃至９５６〔μｍ〕（或いは８８８〔μ
ｍ〕乃至１００７〔μｍ〕）であるＡｌＮからなるサブ
・マウント及び該サブ・マウント上にＡｕＳｎからなる
ソルダで取り付けられた発光ダイオード・チップを備え
る。
【００３４】前記構成を採ることに依り、発光ダイオー
ド・チップの活性領域に加わるストレスを１×１０
9 〔ダイン／ｃｍ2 〕を越えないようにすることが可能
となり、従って、結晶内に発生する転位が少なくなり、
スクリーニング時に於ける歩留りは著しく高くなるの
で、信頼性が高い発光ダイオードを安価に供給すること
ができる。
ド・チップの活性領域に加わるストレスを１×１０
9 〔ダイン／ｃｍ2 〕を越えないようにすることが可能
となり、従って、結晶内に発生する転位が少なくなり、
スクリーニング時に於ける歩留りは著しく高くなるの
で、信頼性が高い発光ダイオードを安価に供給すること
ができる。
【図１】ストレスとサブ・マウント厚との関係を計算し
た結果を表した線図である。
た結果を表した線図である。
【図２】ストレスとサブ・マウント厚との関係を計算し
た結果を表した線図である。
た結果を表した線図である。
【図３】ストレスとサブ・マウント厚との関係を計算し
た結果を表した線図である。
た結果を表した線図である。
【図４】ストレスとサブ・マウント厚との関係を計算し
た結果を表した線図である。
た結果を表した線図である。
【図５】本発明に依る実施例を説明する為の発光ダイオ
ードを表す要部側面図である。
ードを表す要部側面図である。
【図６】標準的な構成の従来例を説明する為の発光ダイ
オードを表す要部側面図である。
オードを表す要部側面図である。
【図７】ストレスを計算する為のモデルを解説する説明
図である。
図である。
【図８】ストレスとサブ・マウント（Ｓｉ）厚との関係
を計算した結果を表す線図である。
を計算した結果を表す線図である。
【図９】ストレスとサブ・マウント（ＳｉＣ）厚との関
係を計算した結果を表す線図である。
係を計算した結果を表す線図である。
【図１０】ストレスとサブ・マウント（Ｓｉ）厚との関
係を計算した結果を表す線図である。
係を計算した結果を表す線図である。
【図１１】ストレスとサブ・マウント（ＳｉＣ）厚との
関係を計算した結果を表す線図である。
関係を計算した結果を表す線図である。
１ ステム ２ ソルダ ３ サブ・マウント ４ ソルダ ５ 発光ダイオード・チップ １１ ステム １２ ソルダ １３ サブ・マウント １４ ソルダ １５ 発光ダイオード・チップ
Claims (2)
- 【請求項１】鉄或いは鉄を主成分とする材料からなるス
テム上に半田からなるソルダで取り付けられた厚さが８
９２〔μｍ〕乃至９５６〔μｍ〕であるＡｌＮからなる
サブ・マウント及び該サブ・マウント上にＡｕＳｎから
なるソルダで取り付けられた発光ダイオード・チップを
備えてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】鉄或いは鉄を主成分とする材料からなるス
テム上にＡｕＳｉからなるソルダで取り付けられた厚さ
が８８８〔μｍ〕乃至１００７〔μｍ〕であるＡｌＮか
らなるサブ・マウント及び該サブ・マウント上にＡｕＳ
ｎからなるソルダで取り付けられた発光ダイオード・チ
ップを備えてなることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105149A JPH05299699A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105149A JPH05299699A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299699A true JPH05299699A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14399672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4105149A Withdrawn JPH05299699A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299699A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168445A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Denso Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2002299744A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Sony Corp | 半導体レーザアセンブリ |
| JP2004349294A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Hitachi Ltd | 半導体レーザモジュール |
| WO2005053040A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体発光素子搭載部材とそれを用いた発光ダイオード |
| JP2007305902A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Fujifilm Corp | レーザモジュールおよびその組立装置 |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP4105149A patent/JPH05299699A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168445A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Denso Corp | 半導体レーザ装置 |
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| US6961357B2 (en) | 2003-05-20 | 2005-11-01 | Opnext Japan, Inc. | Semiconductor laser module |
| WO2005053040A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体発光素子搭載部材とそれを用いた発光ダイオード |
| JP2007305902A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Fujifilm Corp | レーザモジュールおよびその組立装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |