JPH05299469A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装強度を低下することなく、半導体チップ
の実質的な実装面積を可及的に小さくする。 【構成】 回路基板１３上に搭載された半導体チップ１
１の底面外周部と回路基板１３との間に粘性率が５００
００〜１０００００ｃｐ程度と高い樹脂からなる外部封
止材１６を２つの開口部１７を残して設ける。この場
合、外部封止材１６の粘性率が高いので、半導体チップ
１１の底面中央部と回路基板１３との間にまでは入り込
むことはなく、また半導体チップ１１の搭載エリアから
周囲に大きく食み出さないすることができる。次に、粘
性率が１０００〜１００００ｃｐ程度と低い樹脂からな
る内部封止材１８を一方の開口部１７から外部封止材１
６の内側での半導体チップ１１と回路基板１３との間に
充填するとともに、この部分に存在する空気を他方の開
口部１７から排出させる。
の実質的な実装面積を可及的に小さくする。 【構成】 回路基板１３上に搭載された半導体チップ１
１の底面外周部と回路基板１３との間に粘性率が５００
００〜１０００００ｃｐ程度と高い樹脂からなる外部封
止材１６を２つの開口部１７を残して設ける。この場
合、外部封止材１６の粘性率が高いので、半導体チップ
１１の底面中央部と回路基板１３との間にまでは入り込
むことはなく、また半導体チップ１１の搭載エリアから
周囲に大きく食み出さないすることができる。次に、粘
性率が１０００〜１００００ｃｐ程度と低い樹脂からな
る内部封止材１８を一方の開口部１７から外部封止材１
６の内側での半導体チップ１１と回路基板１３との間に
充填するとともに、この部分に存在する空気を他方の開
口部１７から排出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置およびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを回路基板上に実装する場
合、例えば図４（イ）、（ロ）に示すように、フリップ
チップボンディング等により半導体チップ１の電極２を
回路基板３上の接続電極４に半田バンプ５を介して接続
することにより、半導体チップ１を回路基板３上に搭載
し、この後、外周雰囲気からの汚染や破損から半導体チ
ップ１を保護するために、ディスペンサー等の射出器
（図示せず）を用いてエポキシ系等の熱硬化性樹脂から
なる封止材６を半導体チップ１と回路基板３との間およ
び半導体チップ１の周囲に設けている。この場合、封止
材６として粘性率が５００００〜１０００００ｃｐ程度
と高い樹脂を用いると、半導体チップ１と回路基板３と
の間隔が極めて小さい関係から、半導体チップ１と回路
基板３との間にある程度までしか入り込ませることがで
きず、つまり半導体チップ１の底面中央部と回路基板３
との間には入り込ませることができず、このためこの部
分に空間が残存し、実装強度が低下することになる。そ
こで、従来では、封止材６として粘性率が１０００〜１
００００ｃｐ程度と低い樹脂を用いている。
合、例えば図４（イ）、（ロ）に示すように、フリップ
チップボンディング等により半導体チップ１の電極２を
回路基板３上の接続電極４に半田バンプ５を介して接続
することにより、半導体チップ１を回路基板３上に搭載
し、この後、外周雰囲気からの汚染や破損から半導体チ
ップ１を保護するために、ディスペンサー等の射出器
（図示せず）を用いてエポキシ系等の熱硬化性樹脂から
なる封止材６を半導体チップ１と回路基板３との間およ
び半導体チップ１の周囲に設けている。この場合、封止
材６として粘性率が５００００〜１０００００ｃｐ程度
と高い樹脂を用いると、半導体チップ１と回路基板３と
の間隔が極めて小さい関係から、半導体チップ１と回路
基板３との間にある程度までしか入り込ませることがで
きず、つまり半導体チップ１の底面中央部と回路基板３
との間には入り込ませることができず、このためこの部
分に空間が残存し、実装強度が低下することになる。そ
こで、従来では、封止材６として粘性率が１０００〜１
００００ｃｐ程度と低い樹脂を用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような半導体装置では、封止材６の粘性率が１００
０〜１００００ｃｐ程度と低いので、流動性が大きく、
このため封止材６が半導体チップ１の搭載エリアから周
囲に大きく食み出し、半導体チップ１の実質的な実装面
積が大きくなり、半導体チップ１を複数個実装する場合
における高密度実装の妨げになるという問題があった。
この発明の目的は、実装強度を低下することなく、半導
体チップの実質的な実装面積を可及的に小さくすること
のできる半導体装置およびその製造方法を提供すること
にある。
このような半導体装置では、封止材６の粘性率が１００
０〜１００００ｃｐ程度と低いので、流動性が大きく、
このため封止材６が半導体チップ１の搭載エリアから周
囲に大きく食み出し、半導体チップ１の実質的な実装面
積が大きくなり、半導体チップ１を複数個実装する場合
における高密度実装の妨げになるという問題があった。
この発明の目的は、実装強度を低下することなく、半導
体チップの実質的な実装面積を可及的に小さくすること
のできる半導体装置およびその製造方法を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
回路基板上にフリップチップボンディング等により搭載
された半導体チップの底面外周部と前記回路基板との間
に粘性率の高い樹脂からなる外部封止材を設け、該外部
封止材の内側での前記半導体チップと前記回路基板との
間に粘性率の低い樹脂からなる内部封止材を設けたもの
である。請求項３記載の発明は、回路基板上にフリップ
チップボンディング等により搭載された半導体チップの
底面外周部と前記回路基板との間に粘性率の高い樹脂か
らなる外部封止材を複数の開口部を残して設け、該外部
封止材の内側での前記半導体チップと前記回路基板との
間に前記開口部から粘性率の低い樹脂からなる内部封止
材を充填するようにしたものである。
回路基板上にフリップチップボンディング等により搭載
された半導体チップの底面外周部と前記回路基板との間
に粘性率の高い樹脂からなる外部封止材を設け、該外部
封止材の内側での前記半導体チップと前記回路基板との
間に粘性率の低い樹脂からなる内部封止材を設けたもの
である。請求項３記載の発明は、回路基板上にフリップ
チップボンディング等により搭載された半導体チップの
底面外周部と前記回路基板との間に粘性率の高い樹脂か
らなる外部封止材を複数の開口部を残して設け、該外部
封止材の内側での前記半導体チップと前記回路基板との
間に前記開口部から粘性率の低い樹脂からなる内部封止
材を充填するようにしたものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、粘性率の高い樹脂からなる
外部封止材を半導体チップの底面中央部と回路基板との
間に入り込ませることができなくても、この部分に粘性
率の低い樹脂からなる内部封止材を入り込ませることが
でき、したがって実装強度が低下しないようにすること
ができ、しかも外部封止材が半導体チップの搭載エリア
から周囲に大きく食み出さないようにすることができる
上、この外部封止材の内側に内部封止材を設けているの
で、半導体チップの実質的な実装面積を可及的に小さく
することができる。
外部封止材を半導体チップの底面中央部と回路基板との
間に入り込ませることができなくても、この部分に粘性
率の低い樹脂からなる内部封止材を入り込ませることが
でき、したがって実装強度が低下しないようにすること
ができ、しかも外部封止材が半導体チップの搭載エリア
から周囲に大きく食み出さないようにすることができる
上、この外部封止材の内側に内部封止材を設けているの
で、半導体チップの実質的な実装面積を可及的に小さく
することができる。
【０００６】
【実施例】図１〜図３はそれぞれこの発明の一実施例に
おける半導体装置の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、半導体装置の構
造についてその製造方法と併せ説明する。
おける半導体装置の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、半導体装置の構
造についてその製造方法と併せ説明する。
【０００７】まず、図１（イ）、（ロ）に示すように、
フリップチップボンディング等により半導体チップ１１
の電極１２を回路基板１３上の接続電極１４に半田バン
プ１５を介して接続することにより、半導体チップ１１
を回路基板１３上に搭載する。次に、図２（イ）、
（ロ）に示すように、ディスペンサー等の射出器（図示
せず）を用いて射出量を調整しながら粘性率が５０００
０〜１０００００ｃｐ程度と高いエポキシ系等の熱硬化
性樹脂からなる外部封止材１６を半導体チップ１１の底
面外周部と回路基板１３との間に２つの開口部１７を残
して設ける。この場合、外部封止材１６の粘性率が５０
０００〜１０００００ｃｐ程度と高いので、半導体チッ
プ１１の底面中央部と回路基板１３との間にまでは入り
込むことはなく、また半導体チップ１１の搭載エリアか
ら周囲に大きく食み出すことがない。この後、オーブン
等を用いて加熱し、外部封止材１６を硬化させる。
フリップチップボンディング等により半導体チップ１１
の電極１２を回路基板１３上の接続電極１４に半田バン
プ１５を介して接続することにより、半導体チップ１１
を回路基板１３上に搭載する。次に、図２（イ）、
（ロ）に示すように、ディスペンサー等の射出器（図示
せず）を用いて射出量を調整しながら粘性率が５０００
０〜１０００００ｃｐ程度と高いエポキシ系等の熱硬化
性樹脂からなる外部封止材１６を半導体チップ１１の底
面外周部と回路基板１３との間に２つの開口部１７を残
して設ける。この場合、外部封止材１６の粘性率が５０
０００〜１０００００ｃｐ程度と高いので、半導体チッ
プ１１の底面中央部と回路基板１３との間にまでは入り
込むことはなく、また半導体チップ１１の搭載エリアか
ら周囲に大きく食み出すことがない。この後、オーブン
等を用いて加熱し、外部封止材１６を硬化させる。
【０００８】次に、図３（イ）、（ロ）に示すように、
ディスペンサー等の射出器（図示せず）を用いて粘性率
が１０００〜１００００ｃｐ程度と低いエポキシ系等の
熱硬化性樹脂からなる内部封止材１８を外部封止材１６
の内側での半導体チップ１１と回路基板１３との間に一
方の開口部１７から充填する。このとき、外部封止材１
６の内側での半導体チップ１１と回路基板１３との間に
存在する空気は、この部分に充填される内部封止材１８
によって強制的に他方の開口部１７から排出される。こ
の後、オーブン等を用いて加熱し、内部封止材１８を硬
化させる。
ディスペンサー等の射出器（図示せず）を用いて粘性率
が１０００〜１００００ｃｐ程度と低いエポキシ系等の
熱硬化性樹脂からなる内部封止材１８を外部封止材１６
の内側での半導体チップ１１と回路基板１３との間に一
方の開口部１７から充填する。このとき、外部封止材１
６の内側での半導体チップ１１と回路基板１３との間に
存在する空気は、この部分に充填される内部封止材１８
によって強制的に他方の開口部１７から排出される。こ
の後、オーブン等を用いて加熱し、内部封止材１８を硬
化させる。
【０００９】このように、この半導体装置では、粘性率
の高い樹脂からなる外部封止材１６を半導体チップ１１
の底面中央部と回路基板１３との間に入り込ませること
ができなくても、この部分に粘性率の低い樹脂からなる
内部封止材１８を入り込ませることができ、したがって
実装強度が低下しないようにすることができる。また、
外部封止材１６が半導体チップ１１の搭載エリアから周
囲に大きく食み出すことがなく、さらにこの外部封止材
１６の内側に内部封止材１８を設けているので、半導体
チップ１１の実質的な実装面積を可及的に小さくするこ
とができる。なお、内部封止材１８を充填して硬化させ
た後、必要に応じて、２つの開口部１７を粘性率の高い
樹脂からなる封止材で封止するようにしてもよい。
の高い樹脂からなる外部封止材１６を半導体チップ１１
の底面中央部と回路基板１３との間に入り込ませること
ができなくても、この部分に粘性率の低い樹脂からなる
内部封止材１８を入り込ませることができ、したがって
実装強度が低下しないようにすることができる。また、
外部封止材１６が半導体チップ１１の搭載エリアから周
囲に大きく食み出すことがなく、さらにこの外部封止材
１６の内側に内部封止材１８を設けているので、半導体
チップ１１の実質的な実装面積を可及的に小さくするこ
とができる。なお、内部封止材１８を充填して硬化させ
た後、必要に応じて、２つの開口部１７を粘性率の高い
樹脂からなる封止材で封止するようにしてもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、外部封止材が半導体チップの搭載エリアから周囲に
大きく食み出さないようにすることができる上、この外
部封止材の内側に内部封止材を設けているので、実装強
度を低下することなく、半導体チップの実質的な実装面
積を可及的に小さくすることができ、ひいては高密度実
装を図ることができる。
ば、外部封止材が半導体チップの搭載エリアから周囲に
大きく食み出さないようにすることができる上、この外
部封止材の内側に内部封止材を設けているので、実装強
度を低下することなく、半導体チップの実質的な実装面
積を可及的に小さくすることができ、ひいては高密度実
装を図ることができる。
【図１】（イ）はこの発明の一実施例における半導体装
置の製造に際し、半導体チップを回路基板上に搭載した
状態の平面図、（ロ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図。
置の製造に際し、半導体チップを回路基板上に搭載した
状態の平面図、（ロ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図２】（イ）は同半導体装置の製造に際し、粘性率の
高い樹脂からなる外部封止材を設けた状態の平面図、
（ロ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
高い樹脂からなる外部封止材を設けた状態の平面図、
（ロ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図３】（イ）は同半導体装置の製造に際し、粘性率の
低い樹脂からなる内部封止材を設けた状態の平面図、
（ロ）はそのＣ−Ｃ線に沿う断面図。
低い樹脂からなる内部封止材を設けた状態の平面図、
（ロ）はそのＣ−Ｃ線に沿う断面図。
【図４】（イ）は従来の半導体装置の平面図、（ロ）は
そのＤ−Ｄ線に沿う断面図。
そのＤ−Ｄ線に沿う断面図。
１１ 半導体チップ １３ 回路基板 １６ 外部封止材 １７ 開口部 １８ 内部封止材
Claims (4)
- 【請求項１】 回路基板上にフリップチップボンディン
グ等により搭載された半導体チップの底面外周部と前記
回路基板との間に粘性率の高い樹脂からなる外部封止材
を設け、該外部封止材の内側での前記半導体チップと前
記回路基板との間に粘性率の低い樹脂からなる内部封止
材を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記外部封止材の粘性率は５００００〜
１０００００ｃｐ程度であり、前記内部封止材の粘性率
は１０００〜１００００ｃｐ程度であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 回路基板上にフリップチップボンディン
グ等により搭載された半導体チップの底面外周部と前記
回路基板との間に粘性率の高い樹脂からなる外部封止材
を複数の開口部を残して設け、該外部封止材の内側での
前記半導体チップと前記回路基板との間に前記開口部か
ら粘性率の低い樹脂からなる内部封止材を充填すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記外部封止材の粘性率は５００００〜
１０００００ｃｐ程度であり、前記内部封止材の粘性率
は１０００〜１００００ｃｐ程度であることを特徴とす
る請求項３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12547492A JP3194159B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12547492A JP3194159B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299469A true JPH05299469A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3194159B2 JP3194159B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=14910988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12547492A Expired - Fee Related JP3194159B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194159B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09330950A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6094354A (en) * | 1996-12-03 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Chip component mounting board, chip component mounting structure, and method of manufacturing chip component mounting board |
| US6566165B1 (en) * | 1996-07-19 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for mounting a semiconductor chip to a semiconductor chip-mounting board |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP12547492A patent/JP3194159B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09330950A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5959362A (en) * | 1996-06-13 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Device mounting a semiconductor element on a wiring substrate including an adhesive material having first and second adhesive components with different cure characteristics |
| US6063649A (en) * | 1996-06-13 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Device mounting a semiconductor element on a wiring substrate and manufacturing method thereof |
| US6566165B1 (en) * | 1996-07-19 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for mounting a semiconductor chip to a semiconductor chip-mounting board |
| US6787922B2 (en) | 1996-07-19 | 2004-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor chip—mounting board |
| US6094354A (en) * | 1996-12-03 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Chip component mounting board, chip component mounting structure, and method of manufacturing chip component mounting board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3194159B2 (ja) | 2001-07-30 |
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