JPH052985B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子写真感光体に関し、更に詳しく
は、良好な暗抵抗を有し、光感度特性が優れた電
子写真感光体に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor, and more particularly to an electrophotographic photoreceptor having good dark resistance and excellent photosensitivity characteristics.
従来、電子写真感光体に使用される感光材料と
しては、例えば、アモルフアスセレン（ａ−
Se）、硫化カドミウム（CdS）或いはセレン−テ
ルル（Se−Te）等の無機材料や、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール（PVCz）、トリニトロフルオ
レノン（TNF）等の有機材料が知られている。
しかしながら、これらの感光材料を使用するには
種々の問題点が残されている。即ち、上記した感
光材料の中で、無機材料は極めて毒性が強いた
め、その製造に際しては人体に対する安全対策上
の特別な配慮を要するという問題点を有してい
る。又、無機材料を用いて製造された電子写真感
光体は、熱安定性が極めて悪く、更に、感光体の
機械的強度が弱いという問題点を有しているた
め、システムの特性をある程度犠牲にして使用さ
れているのが実状である。又、上記したPVCzや
TNF等の有機材料においては、有機材料である
ために熱安定性や耐摩耗性が不良であり、従つて
製品寿命が短いという問題点を有している。
Conventionally, as a photosensitive material used for electrophotographic photoreceptors, for example, amorphous selenium (a-
Inorganic materials such as Se), cadmium sulfide (CdS), or selenium-tellurium (Se-Te), and organic materials such as poly-N-vinylcarbazole (PVCz) and trinitrofluorenone (TNF) are known.
However, various problems remain in using these photosensitive materials. That is, among the above-mentioned photosensitive materials, inorganic materials are extremely toxic and therefore require special consideration in terms of safety for the human body during their manufacture. Furthermore, electrophotographic photoreceptors manufactured using inorganic materials have extremely poor thermal stability and also have the problem of weak mechanical strength of the photoreceptor. The actual situation is that it is used. In addition, the above-mentioned PVCz and
Organic materials such as TNF have the problem of poor thermal stability and abrasion resistance because they are organic materials, and therefore have a short product life.
一方において、近年、高周波グロー放電分解法
により成膜されるアモルフアス水素化シリコン
（以下、ａ−SiHと称す。）が、電子写真感光体の
感光材料として注目を集めている。このａ−SiH
は、上記した従来の感光材料と比較して還境汚染
性、耐熱性、耐摩耗性及び光感度特性等の点にお
いて優れた性能を有している。 On the other hand, in recent years, amorphous silicon hydride (hereinafter referred to as a-SiH), which is formed into a film by a high-frequency glow discharge decomposition method, has been attracting attention as a photosensitive material for electrophotographic photoreceptors. This a-SiH
The material has superior performance in terms of environmental pollution resistance, heat resistance, abrasion resistance, photosensitivity characteristics, etc., as compared to the above-mentioned conventional photosensitive materials.
しかしながら、このａ−SiHを使用した電子写
真感光体は、通常のグロー放電分解法を用いて製
造した場合には、その暗抵抗が最大でも1010Ωcm
以上の値を得られず、又、コロナ帯電した場合に
も所定の表面電位が得られないという問題点を有
している。従つて、このａ−SiHを使用した電子
写真感光体は、未だ実用化されるには到つていな
い。 However, when an electrophotographic photoreceptor using this a-SiH is manufactured using a normal glow discharge decomposition method, its dark resistance is at most 10 Ωcm.
There is a problem in that the above value cannot be obtained, and even when corona charging occurs, a predetermined surface potential cannot be obtained. Therefore, electrophotographic photoreceptors using this a-SiH have not yet been put into practical use.
このａ−SiH感光体の暗抵抗を1011Ωcm程度に
向上させるために、ａ−SiHに対してホウ素(B)を
20〜200ppm程度、或いは酸素(O)等を0.1〜30アト
ミツク％程度添加することが、例えば、特開昭54
−86341号公報、特開昭54−145539号公報等に開
示されている。 In order to improve the dark resistance of this a-SiH photoreceptor to about 10 11 Ωcm, boron (B) was added to the a-SiH.
For example, it is recommended to add oxygen (O) at a concentration of about 20 to 200 ppm or about 0.1 to 30 atomic%.
It is disclosed in JP-A-86341, JP-A-54-145539, etc.
しかし、ホウ素添加によるａ−SiHの暗抵抗の
向上は極くわずかであり、大幅な改善にはならな
い。一方、ａ−SiHに酸素を添加したものは、暗
抵抗は向上するものの、感光体の酸素含有量が多
くなると光感度特性が低下するという問題点を有
している。又、酸素を含有するａ−SiH感光体の
光学吸収端（EgOpt）は、ａ−SiH感光体のそれ
と比較して極端に大きいために、長波長感光体と
しての機能が損われるという問題点を有してい
る。 However, the improvement in the dark resistance of a-SiH due to boron addition is extremely small and does not result in a significant improvement. On the other hand, although the a-SiH to which oxygen is added improves the dark resistance, it has the problem that the photosensitivity characteristics deteriorate as the oxygen content of the photoreceptor increases. Another problem is that the optical absorption edge (Eg Opt ) of the oxygen-containing a-SiH photoreceptor is extremely large compared to that of the a-SiH photoreceptor, which impairs its function as a long-wavelength photoreceptor. have.
更に、特開昭56−156834号公報には、電子写真
感光体に要求される約1013Ωcm以上の暗抵抗を得
るためには、ａ−SiHに酸素をドーピングすれば
効果的であることが開示されている。その中で、
ａ−SiHに対する酸素のドーピング量は約10-5乃
至５×10-2アトミツク％の範囲が最適であると記
載されている。しかし、上記酸素ドープａ−SiH
感光体は、良好な暗抵抗を与えるものの、その製
造に際して堆積速度が遅いために工業的な生産に
は適していないという問題点を有している。また
特開昭57−115554号公報にはａ−Si層中に酸素濃
度分布を形成する技術が記載されているが、長波
長域の光感度特性の問題は解消されてはいない。 Furthermore, JP-A-56-156834 states that doping a-SiH with oxygen is effective in obtaining a dark resistance of approximately 10 13 Ωcm or more required for electrophotographic photoreceptors. Disclosed. among them,
It is stated that the optimum doping amount of oxygen for a-SiH is in the range of about 10 -5 to 5 x 10 -2 atomic %. However, the above oxygen-doped a-SiH
Although photoreceptors provide good dark resistance, they have a problem in that they are not suitable for industrial production because of their slow deposition rate. Furthermore, Japanese Patent Application Laid-open No. 57-115554 describes a technique for forming an oxygen concentration distribution in an a-Si layer, but the problem of photosensitivity characteristics in a long wavelength region is not solved.
本発明の目的は、上記した問題点を解消し、表
面電位が得られる程度にまで高い暗抵抗を有し、
且つ、光感度特性、特に長波長感光特性が優れた
電子写真感光体を提供することにある。
The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to have a dark resistance high enough to obtain a surface potential.
Another object of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor with excellent photosensitivity characteristics, particularly long wavelength photosensitivity characteristics.
本発明の電子写真感光体は、導電性支持基体
と、該基体上に設けられた、酸素を0.1〜40アト
ミツク％含有するアモルフアス水素化シリコン層
から成る電荷輸送層及びアモルフアス水素化シリ
コン層から成る電荷発生層によりる構成されるこ
とを特徴とするものである。
The electrophotographic photoreceptor of the present invention comprises an electrically conductive support substrate, a charge transport layer comprising an amorphous silicon hydride layer containing 0.1 to 40 atomic percent oxygen, and an amorphous silicon hydride layer provided on the substrate. It is characterized by being composed of a charge generation layer.
以下において、本発明を更に詳しく説明する。 In the following, the invention will be explained in more detail.
本発明に係るアモルフアス水素化シリコン層
と、酸素ドープアモルフアス水素化シリコン層
（以下、ａ−SiH：Ｏ層と称す。）とが積層された
電子写真感光体表面の断面図を図面に示す。 The drawing shows a cross-sectional view of the surface of an electrophotographic photoreceptor in which an amorphous silicon hydride layer according to the present invention and an oxygen-doped amorphous silicon hydride layer (hereinafter referred to as an a-SiH:O layer) are laminated.
図面において、導電性支持基体１上には、酸素
ドープアモルフアス水素化シリコン層２及びアモ
ルフアス水素化シリコン層３が積層されている。 In the drawing, an oxygen-doped amorphous hydrogenated silicon layer 2 and an amorphous hydrogenated silicon layer 3 are laminated on a conductive support substrate 1 .
本発明において支持基体上に形成されるａ−
SiH：Ｏ層は、電荷輸送層として機能する。該層
は、ａ−SiHに対する酸素のドーピング量を増加
したことにより、堆積速度が著しく速く、コロナ
電荷の保持特性が優れたものとなる。即ち、ａ−
SiHと共に酸素が支持基体上に堆積するため、堆
積速度は2.0乃至6.0μ／Ｈ程度にまで高速化し、
暗抵抗も帯電に必要とされる1013乃至1014Ωcm程
度の値を有するａ−SiH：Ｏ層が得られるもので
ある。かかるａ−SiH：Ｏ層の膜厚は5μ乃至
1100μであることが好ましく、更に好ましくは
10μ乃至30μである。又、酸素のドーピング量は、
0.1〜40アトミツク％であることが必要であり、
好ましくは1.0〜20アトミツク％である。酸素の
ドーピング量が0.1アトミツク％未満であると、
成膜したａ−SiH：Ｏ層の暗抵抗が1010Ωcm以下
であり、一方、40アトミツク％を超えると、電荷
輸送特性が極端に低下する。 In the present invention, a-
The SiH:O layer functions as a charge transport layer. By increasing the amount of oxygen doped with a-SiH, this layer has a significantly high deposition rate and excellent corona charge retention properties. That is, a-
Since oxygen is deposited on the supporting substrate together with SiH, the deposition rate increases to about 2.0 to 6.0μ/H,
An a-SiH:O layer having a dark resistance of about 10 13 to 10 14 Ωcm, which is necessary for charging, can be obtained. The film thickness of such a-SiH:O layer is 5μ to
It is preferably 1100μ, more preferably
It is 10μ to 30μ. Also, the amount of oxygen doping is
It is necessary to be between 0.1 and 40 atomic%,
Preferably it is 1.0 to 20 atomic%. When the oxygen doping amount is less than 0.1 atomic%,
The dark resistance of the deposited a-SiH:O layer is 10 10 Ωcm or less, and on the other hand, if it exceeds 40 atomic %, the charge transport properties are extremely degraded.
上記ａ−SiH：Ｏ層上に積層されるａ−SiH層
３は、電荷発生層として機能する。該層はａ−
SiH：Ｏ層による長波長域の光感度の低下を補填
し、電子写真感光体の光感度特性を高める。 The a-SiH layer 3 laminated on the a-SiH:O layer functions as a charge generation layer. The layer is a-
It compensates for the decrease in photosensitivity in the long wavelength range due to the SiH:O layer and improves the photosensitivity characteristics of the electrophotographic photoreceptor.
かかるａ−SiH層の膜厚は0.1μ乃至10μである
ことが好ましく、更に好ましくは1μ乃至5μであ
る。 The thickness of such a-SiH layer is preferably 0.1 μ to 10 μ, more preferably 1 μ to 5 μ.
本発明において使用される導電性支持基体は、
特に限定されないが、例えば、ガラにステンレ
ス、アルミニウム或いはITO（Indium Tin
oxide）膜等を被覆したもの等が使用可能であ
り、その形状は、フイルム、シート、ドラム、ベ
ルト等のいずれであつてよい。 The conductive support substrate used in the present invention is
For example, glass, stainless steel, aluminum or ITO (Indium Tin) is not particularly limited.
A material coated with an oxide film or the like can be used, and its shape may be a film, sheet, drum, belt, etc.
本発明の電子写真感光体は、例えば、次のよう
にして製造することが可能である。 The electrophotographic photoreceptor of the present invention can be manufactured, for example, as follows.
即ち、ａ−SiH層及びａ−SiH：Ｏ層は、それ
ぞれ、通常の高周波グロー放電分解法により、シ
ランガス（SiH4）を分解して、或いは更に酸素
を添加したSiH4ガスを分解して、導電性支持基
体上に堆積せしめ、成膜される。この時の基体温
度は50℃乃至300℃であることが好ましく、更に
好ましくは100℃乃至250℃である。又、高周波電
源としては、1MHz乃至50MHzのラジオ波を使用
することが好ましく、特に13.56MHzのものが好
まい。そして、出力密度は10W乃至1KWを電極
間に印加してガス分解することが好ましい。 That is, the a-SiH layer and the a-SiH:O layer are formed by decomposing silane gas (SiH 4 ) or further decomposing SiH 4 gas to which oxygen has been added using a normal high-frequency glow discharge decomposition method, respectively. The film is deposited onto a conductive supporting substrate. The substrate temperature at this time is preferably 50°C to 300°C, more preferably 100°C to 250°C. Further, as the high frequency power source, it is preferable to use radio waves of 1 MHz to 50 MHz, and particularly preferable is one of 13.56 MHz. It is preferable to apply a power density of 10 W to 1 KW between the electrodes to perform gas decomposition.
ａ−SiH：Ｏ層を形成する場合に使用される原
料ガスとしては、例えば、酸素ガスを含有せしめ
たシランガス（SiH4）、ジシランガス（Si2H6）
等が挙げられるが、酸素ガスを含有せしめたシラ
ンガスを使用することが好ましい。シランガス中
の酸素ガスの含有量は、ａ−SiH：Ｏ層に0.1〜
40アトミツク％の酸素がドーピングされるように
適宜設定されるが、0.5〜12.0体積％であること
が好ましく、更に好ましくは1.0〜5.0体積％であ
る。 Examples of the raw material gas used when forming the a-SiH:O layer include silane gas (SiH 4 ) containing oxygen gas and disilane gas (Si 2 H 6 ).
etc., but it is preferable to use silane gas containing oxygen gas. The content of oxygen gas in silane gas is from 0.1 to a-SiH:O layer.
It is suitably set so that 40 atomic % of oxygen is doped, but it is preferably 0.5 to 12.0 volume %, and more preferably 1.0 to 5.0 volume %.
ａ−SiH層を形成する場合には、上記ａ−
SiH：Ｏ層の形成において、酸素ガスの供給を停
止するのみでよく、ａ−SiH：Ｏ層の形成に連続
してａ−SiH層の積層が可能である。 When forming an a-SiH layer, the above a-
In forming the SiH:O layer, it is only necessary to stop the supply of oxygen gas, and it is possible to stack the a-SiH layer following the formation of the a-SiH:O layer.
グロー放電分解法により成膜されるａ−SiH膜
は、前述した通り、その暗抵抗が最大でも1010Ω
cmに進まず、一般に、約1013Ωcm以上の暗抵抗が
必要とされる電子写真感光体に適用するために
は、10-5〜５×10-2アトミツク％程度酸素をドー
ピングすればよいことが知られている。本発明者
らは、ａ−SiHへの酸素のドーピング量を更に増
加して、0.1〜40アトミツク％とした場合に、堆
積速度が速く、優れたコロナ電荷の保持特性を有
するａ−SiH：Ｏ層が得られることを見出した。
しかし、上記ａ−SiH：Ｏ層は、酸素の含有量が
極めて多いために、Si−Ｏ結合が増加することに
なる。その結果、ａ−SiH：Ｏ層の光学吸収端は
ａ−SiH層のそれよりも短波長にシフトし、長波
長域における光感度が低下することになる。この
ような欠点を解消するために、本発明において
は、堆積速度が速く電荷保持性が優れたａ−
SiH：Ｏ層を電荷輸送層として使用すると共に、
優れた光感度特性を有するａ−SiH層を電荷発生
層として積層せしめたものである。 As mentioned above, the a-SiH film formed by the glow discharge decomposition method has a dark resistance of 10 10 Ω at the maximum.
In order to apply it to an electrophotographic photoreceptor, which generally requires a dark resistance of about 10 13 Ωcm or more, it is sufficient to dope oxygen to about 10 -5 to 5 × 10 -2 atomic%. It has been known. The present inventors have discovered that when the amount of oxygen doped into a-SiH is further increased to 0.1 to 40 atomic%, a-SiH:O has a fast deposition rate and excellent corona charge retention properties. It has been found that layers can be obtained.
However, since the a-SiH:O layer has an extremely high oxygen content, the number of Si-O bonds increases. As a result, the optical absorption edge of the a-SiH:O layer shifts to a shorter wavelength than that of the a-SiH layer, resulting in a decrease in photosensitivity in the long wavelength region. In order to eliminate such drawbacks, in the present invention, a-
Using the SiH:O layer as a charge transport layer,
The a-SiH layer, which has excellent photosensitivity characteristics, is laminated as a charge generation layer.
本発明の構成から成る電子写真感光体は、ａ−
SiH：Ｏ層を電荷輸送層として使用することによ
り、良好な暗抵抗を有するものであり、又、ａ−
SiH層を電荷発生層として積層せしめることによ
り、優れた光感度特性を有するものである。
The electrophotographic photoreceptor having the structure of the present invention has a-
By using the SiH:O layer as a charge transport layer, it has good dark resistance and also has a-
By laminating a SiH layer as a charge generation layer, it has excellent photosensitivity characteristics.
更に、その製造に際しては、ａ−SiH：Ｏ層中
における酸素のドーピング量が多いために、堆積
速度が2.0乃至6.0μ／Ｈ程度と著しく増加し、速
やかな製造が可能となる。 Furthermore, during its production, since the amount of oxygen doped in the a-SiH:O layer is large, the deposition rate increases significantly to about 2.0 to 6.0 μ/H, allowing rapid production.
実施例 １
平行平板方式の高周波グロー放電装置の一方の
電極に、ITO膜が被覆されているコーニング7059
（ダウコーニング(株)製）ガラス基板を設置した。
Example 1 Corning 7059 where one electrode of a parallel plate type high frequency glow discharge device is coated with an ITO film.
A glass substrate (manufactured by Dow Corning, Inc.) was installed.
装置内を一旦、１×10-6Torrまで排気した後、
シラン（SiH4）ガス及び酸素（O2）ガスを導入
して、ガス圧を８×10-2Torrに調整した。混合
ガス中の酸素ガス含有量は、6.0体積％となるよ
うに流量計を用いて調整した。 After evacuating the inside of the device to 1×10 -6 Torr,
Silane (SiH 4 ) gas and oxygen (O 2 ) gas were introduced and the gas pressure was adjusted to 8×10 −2 Torr. The oxygen gas content in the mixed gas was adjusted to 6.0% by volume using a flow meter.
ガラス基板温度を250℃に加熱設定した後、平
行平板電極間に13.56MHzの高周波を印加するこ
とによりグロー放電を惹き起こし、SiH4及びO2
ガスを分解して基板上に酸素を含有するアモルフ
アス水素化シリコン層を形成した。この時の堆積
速度は５Å／secであり、約10μ厚の電荷輸送層と
してのａ−SiH：Ｏ層を得た。 After heating the glass substrate temperature to 250℃, a glow discharge is caused by applying a high frequency of 13.56MHz between the parallel plate electrodes, and SiH 4 and O 2
The gas was decomposed to form an oxygen-containing amorphous hydrogenated silicon layer on the substrate. The deposition rate at this time was 5 Å/sec, and an a-SiH:O layer having a thickness of about 10 μm was obtained as a charge transport layer.
次いで、酸素ガスの供給を停止し、シランガス
のみを供給して放電を続け、ａ−SiH：Ｏ層上に
酸素を含有しないアモルフアス水素化シリコン層
を積層した。この時の堆積速度は１Å／secであ
り、約2μ厚の電荷発生層としてのａ−SiH層を積
層し、電子写真感光体を得た。 Next, the supply of oxygen gas was stopped, and only silane gas was supplied to continue the discharge, and an amorphous silicon hydride layer containing no oxygen was deposited on the a-SiH:O layer. The deposition rate at this time was 1 Å/sec, and an a-SiH layer as a charge generation layer having a thickness of about 2 μm was laminated to obtain an electrophotographic photoreceptor.
この感光体について、マイナス6KVでコロナ
帯電させたところ、550Vの表面電位が観測され
た。次いで、15lux・secの像露光を行なつて静電
潜像を形成した後、磁気ブラシ現像法を用いてプ
ラストナーで現像し、普通紙に転写したところ、
コントラストが良好で鮮明な画像が得られた。 When this photoreceptor was corona charged at -6KV, a surface potential of 550V was observed. Next, an electrostatic latent image was formed by image exposure at 15 lux sec, and then developed with plastron using a magnetic brush development method and transferred to plain paper.
Clear images with good contrast were obtained.
実施例 ２
実施例１で使用したものと同一の装置を使用
し、一方の電極にアルミニウム基板（100mm×100
mm×１mm）を設置し、基体温度を200℃に維持し
た。Example 2 The same equipment as used in Example 1 was used, and one electrode was placed on an aluminum substrate (100 mm x 100
mm x 1 mm), and the substrate temperature was maintained at 200°C.
この装置内に、酸素ガス含有量を4.0体積％に
調整したシラン／酸素の混合ガスを導入し、ガス
圧を0.1Torrに固定した。ガス流量を50SCCMと
し、平行平板電極間な13.56MHzの高周波を100W
印加してグロー放電せしめた。この時の堆積速度
は４Å／secであり、約12μ厚の酸素を含有するア
モルフアス水素化シリコン層が形成された。 A silane/oxygen mixed gas whose oxygen gas content was adjusted to 4.0% by volume was introduced into this apparatus, and the gas pressure was fixed at 0.1 Torr. The gas flow rate is 50SCCM, and the high frequency of 13.56MHz between parallel plate electrodes is 100W.
was applied to cause a glow discharge. The deposition rate at this time was 4 Å/sec, and an oxygen-containing amorphous hydrogenated silicon layer having a thickness of about 12 μm was formed.
次いで、酸素ガスの供給を停止し、シランガス
のみを供給してグロー放電を続けた。この時、ア
ルミニウム基板温度を250℃に上昇させ、シラン
ガス圧を0.05Torrに変えた。この時の堆積速度
は1.2Å／secであり、約3μ厚の酸素を含有しない
アモルフアス水素化シリコン層を積層して電子写
真感光体を得た。 Next, the supply of oxygen gas was stopped, and only silane gas was supplied to continue glow discharge. At this time, the aluminum substrate temperature was raised to 250°C and the silane gas pressure was changed to 0.05 Torr. The deposition rate at this time was 1.2 Å/sec, and an electrophotographic photoreceptor was obtained by laminating an oxygen-free amorphous hydrogenated silicon layer with a thickness of about 3 μm.
この感光体について、プラス7KVでコロナ帯
電させたところ、表面電位は700Vであつた。次
いで、20luxのハロゲンランプ光を照射して、該
感光体の半減露光量を測定したところ、0.5lux・
secの高い光感度が得られ、実用性の高い電子写
真感光体であることが確認された。 When this photoreceptor was corona charged at +7KV, the surface potential was 700V. Next, the photoreceptor was irradiated with 20 lux of halogen lamp light and the half-decreased exposure amount of the photoreceptor was measured, and it was found to be 0.5 lux.
It was confirmed that the electrophotographic photoreceptor had a high photosensitivity of sec and was highly practical.
図面は、本発明に係る電子写真感光体の断面図
である。
１……導電性支持基体、２……酸素ドープアモ
ルフアス水素化シリコン層、３……アモルフアス
水素化シリコン層。
The drawing is a sectional view of an electrophotographic photoreceptor according to the present invention. 1... Conductive supporting substrate, 2... Oxygen-doped amorphous hydrogenated silicon layer, 3... Amorphous hydrogenated silicon layer.
Claims (1)
酸素を0.1〜40アトミツク％含有するアモルフア
ス水素化シリコン層から成る電荷輸送層と、この
電荷輸送層上に設けられたアモルフアス水素化シ
リコン層から成る0.1μ乃10μ厚の電荷発生層とを
有することを特徴とする電子写真感光体。1 an electrically conductive supporting substrate; provided on the substrate;
It has a charge transport layer made of an amorphous hydrogenated silicon layer containing 0.1 to 40 atomic percent of oxygen, and a charge generation layer with a thickness of 0.1 μ to 10 μ made of an amorphous hydrogenated silicon layer provided on the charge transport layer. An electrophotographic photoreceptor featuring:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112482A JPS5922052A (en) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | Electrophotographic receptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112482A JPS5922052A (en) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | Electrophotographic receptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922052A JPS5922052A (en) | 1984-02-04 |
| JPH052985B2 true JPH052985B2 (en) | 1993-01-13 |
Family
ID=15050543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13112482A Granted JPS5922052A (en) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | Electrophotographic receptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922052A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4613556A (en) * | 1984-10-18 | 1986-09-23 | Xerox Corporation | Heterogeneous electrophotographic imaging members of amorphous silicon and silicon oxide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115554A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13112482A patent/JPS5922052A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115554A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5922052A (en) | 1984-02-04 |
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