JPH05297336A - Method and device for cleaning substrate - Google Patents

Method and device for cleaning substrate

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Publication number
JPH05297336A
JPH05297336A JP12824992A JP12824992A JPH05297336A JP H05297336 A JPH05297336 A JP H05297336A JP 12824992 A JP12824992 A JP 12824992A JP 12824992 A JP12824992 A JP 12824992A JP H05297336 A JPH05297336 A JP H05297336A
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JP
Japan
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substrate
cleaning
roll
brush
ultrasonic
Prior art date
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Pending
Application number
JP12824992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fusashi Togawa
総史 戸川
Tetsuo Fujimoto
哲男 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP12824992A priority Critical patent/JPH05297336A/en
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Abstract

PURPOSE:To securely and efficiently remove contaminants on the surface of a long flexible substrate which is used as the substrate of a liquid crystal display panel, etc., and has an electrode on at least one surface. CONSTITUTION:The long flexible substrate K is rolled to form a feed roll 11 and the substrate K is sent from the feed roll 11; while the substrate is wound around a take-up roll 17, brush cleaning B is continuously carried out fro one end side to the other end side of the substrate K and then ultrasonic cleaning C is continuously performed from one side to the other end side of the substrate K.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも一面に電極
を有し、かつ可撓性を有する長尺基板、特に電子機器用
等として用いられる液晶表示パネル用の長尺基板を洗浄
する方法及び装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a long substrate having an electrode on at least one surface and having flexibility, particularly a long substrate for a liquid crystal display panel used for electronic devices and the like. Regarding the device.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする問題点】従来
より、電子装置の基板としては半導体用のシリコン基板
やプリント基板あるいは液晶表示パネル用のガラス基板
等、リジッドでかつ枚葉のものが一般的に使用されてい
るが、近年、特に液晶表示パネル用には軽量化や大画面
化が求められて可撓性を有するプラスチック基板が使用
され始めている。液晶表示パネルは、これらの基板で液
晶組成物を挟持することにより構成され、このとき基板
はぬれ性の向上などを目的として表面を溶液により洗浄
することが行われる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a substrate of an electronic device, a rigid and single-wafer substrate such as a silicon substrate for a semiconductor, a printed substrate or a glass substrate for a liquid crystal display panel has been generally used. However, in recent years, in particular for liquid crystal display panels, flexible plastic substrates have begun to be used due to the demand for lighter weight and larger screens. A liquid crystal display panel is constructed by sandwiching a liquid crystal composition between these substrates, and at this time, the surface of the substrate is washed with a solution for the purpose of improving wettability.

【0003】上記プラスチック基板は、従来のプラスチ
ックフィルムなどと同様に溶液による洗浄が一般に行わ
れている。この方式は乾式と区別して湿式洗浄法とも呼
ばれ、液体の化学的洗浄力を用いた方法である。液体の
種類としては純水、有機溶剤、界面活性剤又は酸やアル
カリ等の化学洗浄剤があり、これらの一種又は二種以上
を組み合わせて溶液洗浄が行われる。さらに、洗浄力を
大きくするために、ブラシスクラビングやジェットスプ
レーあるいは超音波等の物理的洗浄法を組み合わせるこ
とも一般的である。具体的には、中性洗剤又はメチルア
ルコールに基板を浸漬し、次いで脱イオン水中で超音波
洗浄する方法(特開平1−196020号公報)が提案
されている。
The above-mentioned plastic substrate is generally washed with a solution like the conventional plastic film. This method is also called a wet cleaning method in distinction from a dry method, and is a method using the chemical cleaning power of a liquid. The types of liquids include pure water, organic solvents, surfactants, and chemical cleaners such as acids and alkalis, and solution cleaning is performed by using one kind or a combination of two or more kinds. Furthermore, in order to increase the cleaning power, it is common to combine a physical cleaning method such as brush scrubbing, jet spray or ultrasonic wave. Specifically, a method has been proposed in which a substrate is immersed in a neutral detergent or methyl alcohol, and then ultrasonically cleaned in deionized water (JP-A-1-196020).

【0004】しかしながら、上記特開平1−19602
0号公報記載の洗浄法は洗浄液を満たした洗浄槽中に枚
葉の基板を浸漬して洗浄を行うものであり、長尺のプラ
スチック基板を洗浄するにはきわめて大きな洗浄槽と大
量の洗浄液が必要となり、効率的な洗浄を行うことがで
きない。また、非常に長いプラスチック基板の連続体を
均一に洗浄することはほとんど不可能である。さらに、
液晶表示パネルの基板の洗浄としては、洗浄レベルが不
足しており、表面に残った有機物によって基板のぬれ性
が低下し、有機物が不均一に残った場合には、液晶組成
物が基板にはじかれてしまうという問題を生じる。その
上、複数の洗浄槽を用いた洗浄装置は、連続的に洗浄を
行うことが可能であるが、装置が横置き型で大きく、設
置場所に制約を生じる。また、水洗浄では超音波を印加
したり、ブラッシングを併用しても表面に付着した有機
物を効果的に除去することができない。
However, the above-mentioned Japanese Laid-Open Patent Publication No. 1-19602.
The cleaning method described in Japanese Patent No. 0 is a method in which a single-wafer substrate is immersed in a cleaning tank filled with a cleaning solution for cleaning, and an extremely large cleaning tank and a large amount of cleaning solution are required for cleaning a long plastic substrate. It becomes necessary and efficient cleaning cannot be performed. Further, it is almost impossible to uniformly wash a continuous body of a very long plastic substrate. further,
When cleaning the substrate of a liquid crystal display panel, the cleaning level is insufficient, and the wettability of the substrate is reduced by the organic matter remaining on the surface, and when the organic matter remains nonuniformly, the liquid crystal composition is repelled onto the substrate. It causes the problem of being burned. In addition, a cleaning apparatus using a plurality of cleaning tanks can continuously perform cleaning, but the apparatus is a horizontal type and is large, which places restrictions on the installation location. Further, in the water washing, it is not possible to effectively remove the organic substances attached to the surface even if ultrasonic waves are applied or brushing is used together.

【0005】一方、乾式洗浄法としては、主に半導体分
野で使用されている紫外線オゾン洗浄やプラズマ洗浄法
などがあり、リジッドな基板の洗浄に用いられる。そし
て、最近では紫外線オゾン洗浄法が液晶パネル用のガラ
ス基板の洗浄にも使用されるようになってきている。
On the other hand, the dry cleaning method includes an ultraviolet ozone cleaning method and a plasma cleaning method which are mainly used in the semiconductor field, and is used for cleaning a rigid substrate. Recently, the ultraviolet ozone cleaning method has also been used for cleaning glass substrates for liquid crystal panels.

【0006】この紫外線オゾン洗浄法によれば、有機物
を除去することが可能ではあるものの、基板上にごみ等
の付着がある場合には、紫外光がごみ等により遮断され
て影になる部分の洗浄を行えないなど、確実な洗浄効果
が得られないという欠点がある。
According to this ultraviolet ozone cleaning method, although it is possible to remove organic substances, if dust or the like adheres to the substrate, the ultraviolet light is blocked by the dust or the like to form a shadow. There is a drawback that a reliable cleaning effect cannot be obtained, for example, cleaning cannot be performed.

【0007】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たもので、液晶表示パネル等の基板として用いられる少
なくとも一面に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基
板の表面の汚染物を確実かつ効率よく除去することので
きる基板の洗浄方法及びその洗浄装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has contaminants on the surface of a flexible long substrate having an electrode on at least one surface used as a substrate of a liquid crystal display panel or the like. An object of the present invention is to provide a method of cleaning a substrate and a cleaning apparatus for the same, which can reliably and efficiently remove the substrate.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明の基板の洗浄方法は、少なくとも一面
に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基板をロール状
に巻回して繰り出しロールを形成し、この繰り出しロー
ルから基板を送り出して巻き取りロールに巻き取る間
に、洗浄処理を基板の一端側から他端側へと連続的にブ
ラシ洗浄した後、超音波洗浄を基板の一端側から他端側
へと連続的に行うようにしたものである。この場合、好
ましくは、超音波洗浄後に更に紫外線洗浄を行うように
したものである。
In order to achieve the above object, a method of cleaning a substrate according to the present invention comprises a flexible long substrate having an electrode on at least one surface and wound in a roll. To form a feeding roll, and while the substrate is fed from this feeding roll and wound on the winding roll, the cleaning treatment is continuously brush-cleaned from one end side to the other end side of the substrate, and then ultrasonic cleaning is performed on the substrate. Is continuously performed from one end side to the other end side. In this case, ultraviolet cleaning is preferably performed after ultrasonic cleaning.

【0009】また、本発明の基板洗浄装置は、少なくと
も一面に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基板を繰
り出しロールから送り出し、洗浄処理領域を通過させて
巻き取りロールに巻き取り回収する基板移送機構と、上
記洗浄処理領域に設置され、基板表面をブラッシングし
て基板表面の固形状の汚れを除去するブラシ洗浄装置
と、洗浄処理領域の上記ブラシ洗浄装置の後方に設置さ
れ、洗浄液中に基板を浸漬して超音波振動を発生させて
汚れを除去する超音波洗浄装置とを具備した構成として
ある。
Further, in the substrate cleaning apparatus of the present invention, a flexible long substrate having an electrode on at least one surface is fed from a delivery roll, passed through a cleaning processing region, and wound onto a winding roll for recovery. A substrate transfer mechanism, a brush cleaning device that is installed in the cleaning processing region and brushes the substrate surface to remove solid dirt on the substrate surface, and a cleaning liquid that is installed behind the brush cleaning device in the cleaning processing region. An ultrasonic cleaning device is provided for immersing the substrate therein to generate ultrasonic vibration and remove dirt.

【0010】すなわち、上記基板の洗浄方法によれば、
長尺の可撓性基板を巻回してなる繰り出しロールから基
板を繰り出し、これを巻き取りロールに巻き取る間に洗
浄処理を施すことにより、長尺基板の一端から他端へと
連続的に同一条件で洗浄処理を施すことができる。しか
も、ブラシ洗浄と超音波洗浄とを組み合わせることによ
り、超音波洗浄では剥離できない基板に食い込んだ異物
をブラシの接触力によって剥離し、ブラシでは除去し得
ない微細孔に入り込んだ異物を超音波洗浄で洗浄液中に
洗い出すことにより、従来の技術では達成されなかった
高度な洗浄を行うようにしてある。さらに、超音波洗浄
を行った後に紫外線洗浄を行うことにより、基板表面の
有機物をより高度に除去することができる。したがっ
て、非常に長いプラスチック基板の連続体であっても、
均一かつ良好な洗浄を効率よく行うことができ、均一か
つ完全に清浄化された可撓性基板を効率よくしかも安定
的に得ることができる。
That is, according to the above substrate cleaning method,
The substrate is unwound from a payout roll formed by winding a long flexible substrate, and a cleaning process is performed while the substrate is taken up by a take-up roll, so that one end of the long substrate is continuously transferred to the other end. The cleaning process can be performed under the conditions. In addition, by combining brush cleaning and ultrasonic cleaning, the foreign matter that has eroded in the ultrasonic cleaning can be separated by the contact force of the brush, and the foreign matter that has entered the fine holes that cannot be removed by the ultrasonic cleaning is ultrasonically cleaned. By performing washing in the washing solution with the above method, it is possible to perform a high degree of washing which has not been achieved by the conventional technique. Furthermore, by performing ultrasonic cleaning after performing ultrasonic cleaning, organic substances on the substrate surface can be removed to a higher degree. Therefore, even with a continuum of very long plastic substrates,
Uniform and good cleaning can be performed efficiently, and a uniformly and completely cleaned flexible substrate can be efficiently and stably obtained.

【0011】また、上記基板洗浄装置によれば、基板移
送機構により基板を繰り出しロールから送り出し、洗浄
処理領域を通過させて巻き取りロールに巻き取り回収す
る間に、上記洗浄処理領域において、ブラシ洗浄装置で
基板に食い込んだ異物を剥離し、次いブラシでは除去し
得ない微細孔に入り込んだ異物を超音波洗浄装置で除去
することにより、上記洗浄方法にしたがって、均一かつ
完全に清浄化された可撓性基板を効率よくしかも安定的
に得ることができる。さらに、超音波洗浄後紫外線洗浄
装置で紫外線洗浄を行うことにより、基板表面の有機物
をより高度に除去することができる。
Further, according to the above substrate cleaning apparatus, the substrate is transferred from the delivery roll by the substrate transfer mechanism, passed through the cleaning processing region, and wound on the winding roll to be collected, while brush cleaning is performed in the cleaning processing region. By removing foreign matter that has invaded the substrate with the equipment and removing foreign matter that has entered the fine holes that cannot be removed with the next brush with the ultrasonic cleaning equipment, it has been uniformly and completely cleaned according to the above cleaning method. A flexible substrate can be obtained efficiently and stably. Furthermore, by performing ultraviolet cleaning with an ultraviolet cleaning device after ultrasonic cleaning, organic substances on the substrate surface can be removed to a higher degree.

【0012】以下、本発明についてさらに詳しく説明す
る。本発明の被洗浄物である基板は、少なくとも一面に
電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基板であり、具体
的にはプラスチック基板の表面に電極を形成したもので
ある。プラスチック基板としては、一軸又は二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレート等の結晶性ポリマー、ポリア
リレート,ポリスルホン,ポリエーテルスルホン,ポリ
カーボネート等の非結晶性ポリマー、ポリエチレン,ポ
リプロピレン等のポリオレフィン、ナイロン等のポリア
ミドなどを挙げることができ、可撓性を有するものであ
ればいずれのものでもよい。また、これらのプラスチッ
ク基板上に液晶駆動用等として形成される電極として
は、導電性を有する材料であればいずれのものも使用す
ることができ、例えば、蒸着、イオンビーム蒸着、スパ
ッタリング等により形成した酸化インジウム、酸化イン
ジウムと酸化錫とからなるITO、アルミニウム、ニッ
ケル、銅等の金属蒸着又は積層膜などが好適に使用され
る。
The present invention will be described in more detail below. The substrate, which is the object to be cleaned of the present invention, is a long substrate having an electrode on at least one surface and having flexibility, and specifically, an electrode is formed on the surface of a plastic substrate. Examples of the plastic substrate include crystalline polymers such as uniaxially or biaxially stretched polyethylene terephthalate, amorphous polymers such as polyarylate, polysulfone, polyethersulfone and polycarbonate, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, and polyamides such as nylon. Any material may be used as long as it is flexible and has flexibility. Further, as the electrodes formed on these plastic substrates for driving the liquid crystal and the like, any material having conductivity can be used, for example, formed by vapor deposition, ion beam vapor deposition, sputtering or the like. Indium oxide, ITO made of indium oxide and tin oxide, metal vapor deposition of aluminum, nickel, copper or the like, or a laminated film is preferably used.

【0013】本発明の基板の洗浄方法は、上記長尺の可
撓性基板を巻回してなる繰り出しロールから該基板を繰
り出し、洗浄処理領域を通過させてこれを巻き取りロー
ルに巻き取る間に、上記洗浄処理領域でブラシ洗浄を行
った後、超音波洗浄を行う。
According to the method of cleaning a substrate of the present invention, while the long flexible substrate is wound, the substrate is unwound from the unwinding roll, passed through the washing treatment area, and wound on the winding roll. After the brush cleaning in the cleaning area, ultrasonic cleaning is performed.

【0014】この場合、上記ブラシ洗浄は、純水、超純
水又は適宜な洗浄水を基板に吹き付けながらブラシによ
り基板表面をスクラブ洗浄する。このとき、純水、超純
水又は洗浄水で基板がすすがれるとともに、同時にブラ
シのすすぎも行われる。ここで、ブラシの材質、径、長
さには制限がなく、基板自体を傷つけることのないもの
であればよく、適宜選択設定される。また、ブラシの形
態も特に制限されず、ローラ状、刷毛状等の適宜な形態
とすることができる。
In this case, in the brush cleaning, the surface of the substrate is scrubbed with a brush while spraying pure water, ultrapure water or suitable cleaning water on the substrate. At this time, the substrate is rinsed with pure water, ultrapure water or cleaning water, and at the same time, the brush is rinsed. Here, there is no limitation on the material, diameter, and length of the brush, as long as it does not damage the substrate itself, and it is appropriately selected and set. Further, the shape of the brush is not particularly limited, and may be an appropriate shape such as a roller shape or a brush shape.

【0015】ここで、特に制限されるものではないが、
上記ブラシ洗浄を行う前に基板表面に除電処理を施して
水洗することが好ましく、これにより静電付着している
微粒子等の異物を除去しておくことが好ましい。また、
ブラシ洗浄後は、基板に純水又は超純水を噴射してすす
ぎを行なうことが好ましい。
Here, although not particularly limited,
Prior to the brush cleaning, it is preferable that the surface of the substrate is subjected to a charge removal treatment and washed with water, and thereby it is preferable to remove foreign matters such as electrostatically adhered fine particles. Also,
After the brush cleaning, it is preferable to spray pure water or ultrapure water on the substrate to rinse it.

【0016】このブラシ洗浄後に行う超音波洗浄は、洗
浄槽内に純水、超純水等の洗浄液を収容し、この洗浄液
中に基板を浸漬して洗浄液中に超音波振動を発生させる
もので、このとき液中の超音波振動が起こすキャビテー
ション作用を利用して効率よく基板の汚れを落すもので
ある。このキャビテーション作用は、洗浄液の洗浄力を
促進させ、さらに物理的に基板表面の付着物を除去する
効果がある。超音波振動は、洗浄槽の底部又は側部に配
設した超音波振動子によって発生させることができ、超
音波振動子の種類としてはフェライト系、チタン酸バリ
ウム系、ジルコチタン酸系、ニッケル系等の振動子を使
用することができる。この振動子の出力は洗浄槽の大き
さによっても異なるが、通常20kW以下のものが使用
され、振動板の単位面積あたりでは3W/cm2 以下の
ものが使用でき、好ましくは0.3〜1W/cm2 とす
るのが適している。また、超音波振動の周波数としては
100kHz以下の周波数が主に利用され、好ましくは
20〜50kHzの範囲が好適に利用される。この場
合、基板の種類や汚れの程度等によっては、この範囲で
周波数を変調することも効果的である。なお、キャビテ
ーション作用を利用せずに、周波数800kHz以上の
高周波を用い、振動加速度による衝撃を利用して洗浄を
行うこともできる。
In the ultrasonic cleaning performed after the brush cleaning, a cleaning liquid such as pure water or ultrapure water is contained in the cleaning tank, and the substrate is immersed in this cleaning liquid to generate ultrasonic vibrations in the cleaning liquid. At this time, the cavitation effect caused by the ultrasonic vibration in the liquid is utilized to efficiently remove the stain on the substrate. This cavitation action has the effect of promoting the cleaning power of the cleaning liquid and physically removing the deposits on the substrate surface. Ultrasonic vibration can be generated by an ultrasonic vibrator installed at the bottom or side of the cleaning tank. Types of ultrasonic vibrator include ferrite type, barium titanate type, zirco titanate type, nickel type, etc. Can be used. The output of this oscillator varies depending on the size of the cleaning tank, but usually 20 kW or less is used, and 3 W / cm 2 or less per unit area of the diaphragm can be used, preferably 0.3 to 1 W / Cm 2 is suitable. As the frequency of ultrasonic vibration, a frequency of 100 kHz or less is mainly used, and a range of 20 to 50 kHz is preferably used. In this case, it is also effective to modulate the frequency within this range depending on the type of substrate, the degree of contamination, and the like. Note that it is also possible to use a high frequency of 800 kHz or higher and utilize impact due to vibration acceleration for cleaning without using the cavitation effect.

【0017】この超音波洗浄を行う際の条件としては温
度、時間、洗浄液の種類、超音波の出力等があり、それ
ぞれ特に制限はなく適宜設定することができるが、温度
に関しては、高すぎると基板の変形やキャビテーション
力の減衰を起こすため、基板のガラス転移温度以下とす
ることが好ましく、具体的には40〜70℃程度とする
ことが好ましい。
Conditions for carrying out this ultrasonic cleaning include temperature, time, type of cleaning liquid, output of ultrasonic waves and the like, and there are no particular restrictions and they can be set as appropriate, but if the temperature is too high. In order to cause the deformation of the substrate and the attenuation of the cavitation force, the glass transition temperature of the substrate or less is preferable, and specifically, it is preferably about 40 to 70 ° C.

【0018】この超音波洗浄法により基板の洗浄を行っ
た場合には、洗浄後基板を純水や超純水ですすぎ、超音
波洗浄で残った汚れと再付着した汚れを洗い流すことが
好ましい。この場合、このすすぎ工程は、すすぎ槽にす
すぎ液を収容して、このすすぎ槽内に基板を浸漬するこ
とにより行なっても、純水や超純水をノズルから吹き付
けて行ってもよい。
When the substrate is cleaned by this ultrasonic cleaning method, it is preferable to rinse the substrate with pure water or ultrapure water after cleaning to wash away the stain remaining by the ultrasonic cleaning and the stain reattached. In this case, this rinsing step may be performed by storing the rinsing liquid in the rinsing tank and immersing the substrate in the rinsing tank, or by spraying pure water or ultrapure water from the nozzle.

【0019】また、すすぎを行った後は乾燥して後述す
る紫外線洗浄工程に搬送することが好ましい。この場
合、乾燥はエアーナイフ等でクリーンエアーや窒素ガス
を基板に吹き付け、水滴を吹き飛ばした後、熱風乾燥装
置等で加熱乾燥する方法が好適である。なお、乾燥温度
はプラスチック基板材料のガラス転移温度以下とするこ
とが好ましい。
After rinsing, it is preferable to dry and carry it to the ultraviolet cleaning step described later. In this case, it is preferable to dry the substrate by blowing clean air or nitrogen gas onto the substrate with an air knife or the like to blow off water droplets and then heat-drying with a hot air drying device or the like. The drying temperature is preferably below the glass transition temperature of the plastic substrate material.

【0020】本発明の基板の洗浄方法は、上記基板を繰
り出しロールから送り出し、巻き取りロールに巻き取り
回収する間に上記ブラシ洗浄及び超音波洗浄を順次行う
ものであるが、上記超音波洗浄後にさらに紫外線洗浄を
行うことにより、より高度な洗浄処理を施すことでき
る。
In the method for cleaning a substrate of the present invention, the brush cleaning and the ultrasonic cleaning are sequentially performed while the substrate is fed from the pay-out roll and wound on the winding roll to be collected. By further performing ultraviolet cleaning, a more advanced cleaning process can be performed.

【0021】この紫外線洗浄は、酸素又はオゾンを含む
雰囲気下で基板表面に紫外線を照射して基板表面に付着
した有機汚染物を除去するものである。ここで、紫外線
洗浄における紫外線発生源としては、184.9nm及
び253.7nmの波長を主波長とする紫外線を効率よ
く発生する低圧水銀ランプが好適に使用される。この紫
外線ランプの出力としては、ランプの大きさにもよるが
紫外線照射強度ができるだけ高いものが好ましい。洗浄
条件における紫外線照射強度としては、3mW/cm2
以上、特に20mW/cm2 以上になるように紫外線ラ
ンプの出力調節及び該ランプと基板との距離(紫外線照
射距離)を調節する。
In this ultraviolet cleaning, the substrate surface is irradiated with ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen or ozone to remove organic contaminants attached to the substrate surface. Here, as the ultraviolet ray generation source in the ultraviolet ray cleaning, a low-pressure mercury lamp that efficiently generates ultraviolet rays having a main wavelength of 184.9 nm and 253.7 nm is preferably used. The output of this ultraviolet lamp is preferably such that the ultraviolet irradiation intensity is as high as possible, although it depends on the size of the lamp. The ultraviolet irradiation intensity under the cleaning conditions is 3 mW / cm 2
Above, particularly, the output adjustment of the ultraviolet lamp and the distance between the lamp and the substrate (ultraviolet irradiation distance) are adjusted so as to be 20 mW / cm 2 or more.

【0022】オゾン濃度については、基板表面の有機物
量に応じて変化させることが好ましく、特に10ppm
から10%の濃度範囲とすることが好ましい。この場
合、100ppm前後の濃度は、オゾン発生装置を使用
せず、空気中での紫外線照射よっても達成することがで
きる。この濃度範囲では、紫外線照射距離と濃度が反比
例することから紫外線照射距離でオゾン濃度を調節する
ことができる。これ以上の濃度調節はオゾン発生装置の
出力コントロールによる。
The ozone concentration is preferably changed according to the amount of organic substances on the surface of the substrate, particularly 10 ppm.
It is preferable that the concentration range is from 10% to 10%. In this case, a concentration of around 100 ppm can be achieved by irradiation with ultraviolet rays in the air without using an ozone generator. In this concentration range, since the ultraviolet irradiation distance and the concentration are inversely proportional, the ozone concentration can be adjusted by the ultraviolet irradiation distance. Further concentration adjustment is based on the output control of the ozone generator.

【0023】基板温度は、できるだけ高い方が有機物の
分解速度を速くできるが、基板のガラス転移温度以上で
は基板の変形が起こり、しかも高温になるほど基板自体
の分解が促進される。したがって、基板のガラス転移温
度以下に制御することが望ましく、その方法としては、
主に加熱ヒータの出力調節によって行うが、紫外線照射
距離や照射時間によっても行なうことができる。紫外線
照射時間(洗浄時間)は、長すぎると温度上昇や基板の
裏面から分解が進んで基板電極面の再汚染が起こりやす
い。また、電極自体が変質して抵抗変化を起こす可能性
もある。よって、洗浄時間は短時間であることが好まし
く、できれば30分以内とすることが好ましい。さら
に、紫外線照射距離によって紫外線照射強度、オゾン濃
度及び基板温度が変化し、距離が長くなれば洗浄効果が
落ちる方向となるため紫外線照射距離は短い方が好まし
い。通常は100mm以下に調節され、好ましくは10
〜30mmが適切である。
When the substrate temperature is as high as possible, the decomposition rate of organic substances can be increased. However, the substrate is deformed above the glass transition temperature of the substrate, and the decomposition of the substrate itself is promoted as the temperature rises. Therefore, it is desirable to control the temperature below the glass transition temperature of the substrate.
Although it is mainly performed by adjusting the output of the heater, it can also be performed by the ultraviolet irradiation distance and the irradiation time. If the ultraviolet irradiation time (cleaning time) is too long, the temperature rises and decomposition proceeds from the back surface of the substrate, so that the electrode surface of the substrate is likely to be recontaminated. Further, there is a possibility that the electrode itself may deteriorate to cause a resistance change. Therefore, the washing time is preferably short, and preferably 30 minutes or less. Furthermore, the ultraviolet irradiation intensity, the ozone concentration, and the substrate temperature change depending on the ultraviolet irradiation distance, and the cleaning effect tends to decrease as the distance increases, so that the ultraviolet irradiation distance is preferably short. Usually adjusted to 100 mm or less, preferably 10
-30 mm is suitable.

【0024】上記超音波洗浄して乾燥した後、又は上記
紫外線洗浄後は、洗浄処理済の基板を洗浄処理領域から
巻き取りロールに巻き取り回収するが、このとき基板を
巻き取りロールに巻き取り回収する前に、除電処理する
ことが好ましい。
After the ultrasonic cleaning and drying, or after the ultraviolet cleaning, the cleaned substrate is wound up from the cleaning area and collected by a winding roll. At this time, the substrate is wound on a winding roll. It is preferable to perform static elimination treatment before collecting.

【0025】[0025]

【実施例】次に、実施例を示し、本発明の基板の洗浄方
法及び基板洗浄装置をより具体的に説明する。 [第1実施例]図1は、本発明の一実施例にかかる基板
洗浄装置を示すもので、この洗浄装置は基板送り出し巻
き取り室Aと、ブラシ洗浄室B、超音波洗浄室C及び乾
燥室Dとからなる洗浄処理領域と、洗浄装置制御盤Eと
を具備している。
EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described in more detail with respect to the substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus of the present invention. [First Embodiment] FIG. 1 shows a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. This cleaning apparatus is a substrate delivery / winding chamber A, a brush cleaning chamber B, an ultrasonic cleaning chamber C and a drying chamber. A cleaning processing area including a chamber D and a cleaning device control panel E are provided.

【0026】上記基板送り巻き取り室Aには、基板Kを
巻回してなる繰り出しロール11と巻き取りロール17
とが配設されており、基板Kを繰り出しロール11から
基板入り口15を通して洗浄処理領域へと送り出し、洗
浄処理領域から基板出口45を通して排出される基板K
を巻き取りロール17に巻き取り回収するようになって
いる。ここで、図中12,13は保護フィルム巻き取り
ロールであり、それぞれ基板Kの表面,裏面に貼付られ
た保護フィルムを剥離回収するものである。なお、91
a,91bはガイドロール、14,16は除電装置であ
る。
In the substrate feeding / winding chamber A, a feeding roll 11 and a winding roll 17 formed by winding a substrate K are used.
And the substrate K is delivered from the feeding roll 11 to the cleaning processing area through the substrate inlet 15 and is discharged from the cleaning processing area through the substrate outlet 45.
Is collected on a winding roll 17. Here, reference numerals 12 and 13 in the figure denote protective film take-up rolls for peeling and collecting the protective films attached to the front surface and the back surface of the substrate K, respectively. Note that 91
Reference numerals a and 91b are guide rolls, and 14 and 16 are static eliminating devices.

【0027】上記ブラシ洗浄室Bには基板Kの進行方向
と逆方向に回転するナイロン材(100μm径、長さ3
0mm)からなるローラ状の洗浄ブラシ22,22が配
設されている。そして、ガイドロール91c及び91d
により基板Kが上下方向に沿って下から上に移動して、
これら両洗浄ブラシ22,22間を通過し、基板挿通口
25を通って後述する超音波洗浄室Cに搬送され、再び
基板挿通口25を通ってブラシ洗浄室Bに戻り、ガイド
ロール91iにガイドされて基板出口(乾燥室入り口)
27から乾燥室Dに搬送されるようになっている。そし
て、上記洗浄ブラシ22,22の前後及び基板出口(乾
燥室入り口)27の手前には、純水、超純水等の洗浄水
を基板に噴射する洗浄水噴射ノズル21,23,26が
基板Kの両面側に配設されている。なお、24は洗浄廃
液排出口、92aは洗浄廃液排出管である。
In the brush cleaning chamber B, a nylon material (diameter of 100 μm, length 3) which rotates in the direction opposite to the traveling direction of the substrate K is used.
0 mm) roller-shaped cleaning brushes 22, 22 are provided. Then, the guide rolls 91c and 91d
Causes the substrate K to move from bottom to top along the vertical direction,
It passes between these cleaning brushes 22 and 22, is conveyed to the ultrasonic cleaning chamber C described later through the substrate insertion port 25, returns to the brush cleaning chamber B through the substrate insertion port 25 again, and is guided by the guide roll 91i. Substrate exit (drying room entrance)
It is designed to be transported from 27 to the drying chamber D. In front of and behind the cleaning brushes 22, 22, and in front of the substrate outlet (drying chamber inlet) 27, cleaning water injection nozzles 21, 23, 26 for injecting cleaning water such as pure water or ultrapure water onto the substrates are provided. It is arranged on both sides of K. Reference numeral 24 is a cleaning waste liquid discharge port, and reference numeral 92a is a cleaning waste liquid discharge pipe.

【0028】上記超音波洗浄室Cには、内槽31と外槽
32とからなる超音波洗浄槽30が配設されており、ブ
ラシ洗浄室Bから導入された基板Kがガイドロール91
e,91fにより内槽31内の洗浄液中に浸漬され、ガ
イドロール91g,91hにより内槽31から引き上げ
られ、ガイドロール91iにより再び基板挿通口25を
通ってブラシ洗浄室Bに戻どるようになっている。な
お、図中33は上記内槽31に洗浄液を供給する洗浄液
導入管、34は外槽32にオーバーフローした洗浄液を
排出する洗浄廃液排出口、92bは洗浄廃液排出管であ
る。
The ultrasonic cleaning chamber C is provided with an ultrasonic cleaning tank 30 consisting of an inner tank 31 and an outer tank 32, and the substrate K introduced from the brush cleaning chamber B is guided by a guide roll 91.
It is immersed in the cleaning liquid in the inner tank 31 by e and 91f, pulled up from the inner tank 31 by the guide rolls 91g and 91h, and returned to the brush cleaning chamber B through the substrate insertion port 25 again by the guide roll 91i. ing. In the figure, 33 is a cleaning liquid introducing pipe for supplying the cleaning liquid to the inner bath 31, 34 is a cleaning waste liquid discharge port for discharging the overflowing cleaning liquid to the outer bath 32, and 92b is a cleaning waste liquid discharge pipe.

【0029】上記乾燥室Dには、エアーノズル41a,
41b及び熱風吹き付けノズル42a,42bが基板K
の両面側にそれぞれ配設されており、基板Kがガイドロ
ール91j,91k,91lにより乾燥室入り口(ブラ
シ洗浄室出口)27からこれら上記ノズル41a,41
b,42a,42b間を通って基板出口(基板送り巻き
取り室入り口)45から出て行くようになっている。な
お、43は排気口、44は排気管である。
In the drying chamber D, air nozzles 41a,
41b and the hot air blowing nozzles 42a and 42b are the substrate K.
Of the nozzles 41a, 41 from the drying chamber inlet (brush cleaning chamber outlet) 27 by the guide rolls 91j, 91k, 91l.
The substrate exit 45 (entrance of the substrate feeding and winding chamber) 45 is passed through b, 42a and 42b. Incidentally, 43 is an exhaust port, and 44 is an exhaust pipe.

【0030】洗浄装置制御盤Eは、上記繰り出しロール
11,巻き取りロール17及び洗浄ブラシ22の回転ス
ピード、各ノズルからの液やエアーの噴射及びその量の
調整、超音波洗浄槽30での超音波の発生などを制御す
る。
The cleaning device control board E controls the rotation speed of the feeding roll 11, the winding roll 17, and the cleaning brush 22, the injection of liquid or air from each nozzle and the adjustment of the amount thereof, and the ultrasonic cleaning tank 30 Controls the generation of sound waves.

【0031】この基板洗浄装置は、上記本発明の基板の
洗浄方法にしたがって電極付きプラスチック基板に洗浄
処理を施すものである。基板の洗浄を行う場合、巻き取
りロール17を駆動することにより、繰り出しロール1
1から基板Kをブラシ洗浄室Bに送り出す。このとき、
基板K表裏の保護フィルムが保護フィルム巻き取りロー
ル12,13により剥離され、次いで基板K表裏が除電
装置14により除電されて静電付着している微粒子等の
異物が下流工程により除去し易くなり、基板入り口15
を通ってブラシ洗浄室Bへと送り出される。
This substrate cleaning apparatus performs a cleaning process on a plastic substrate with an electrode according to the above-described substrate cleaning method of the present invention. When cleaning the substrate, the take-up roll 1 is driven by driving the winding roll 17.
The substrate K is sent from 1 to the brush cleaning chamber B. At this time,
The protective films on the front and back of the substrate K are peeled off by the protective film take-up rolls 12 and 13, and then the front and back of the substrate K are neutralized by the static eliminator 14 to easily remove foreign matter such as electrostatically adhering particles in the downstream process, Substrate entrance 15
And is sent out to the brush cleaning chamber B through.

【0032】次に、この基板Kがブラシ洗浄室B内を上
方へ移動する間にブラシ洗浄される。ブラシ洗浄室Bで
は、まず洗浄水噴射ノズル21から純水を基板Kに吹き
付け表面に付着する異物を予備除去し、次いで両ブラシ
22,22により基板の両面をスクラブ洗浄する。この
とき、洗浄水噴射ノズル23,23から超純水が基板K
及びブラシ22,22に供給され、基板のすすぎを行う
と同時にブラシの洗浄を行う。そして、基板を基板挿通
口25から超音波洗浄室Cに移送する。ここで、洗浄水
噴射ノズル21,23から噴射された超純水等の洗浄水
は上方へ移動する基板Kの上部から下部へと流れ洗浄廃
液排出口24から排出管92aを通って系外に排出され
る。
Next, the substrate K is brush-cleaned while moving upward in the brush cleaning chamber B. In the brush cleaning chamber B, first, pure water is sprayed from the cleaning water jet nozzle 21 onto the substrate K to preliminarily remove foreign substances adhering to the surface, and then both brushes 22 and 22 scrub clean both sides of the substrate. At this time, the ultrapure water is discharged from the cleaning water jet nozzles 23, 23 onto the substrate K.
And brushes 22 and 22 to rinse the substrate and simultaneously clean the brushes. Then, the substrate is transferred from the substrate insertion port 25 to the ultrasonic cleaning chamber C. Here, the cleaning water such as ultrapure water sprayed from the cleaning water spray nozzles 21 and 23 flows from the upper part to the lower part of the substrate K moving upward, and from the cleaning waste liquid discharge port 24 to the outside of the system through the discharge pipe 92a. Is discharged.

【0033】超音波洗浄室Cに導入された基板Kは、超
音波洗浄槽30の内槽31に収容された洗浄液中を通過
して超音波洗浄された後、再び基板挿通口25を通って
ブラシ洗浄室に戻され、洗浄水噴射ノズルからの純水又
は超純水によりすすがれ、基板出口(乾燥室入り口)2
7から乾燥室Dへ搬送される。このとき、超音波洗浄槽
30の内槽31には、洗浄液供給管33より常時洗浄液
が供給され、オーバーフローした洗浄液は、洗浄廃液排
出口34から排出管92bを通って系外に排出される。
The substrate K introduced into the ultrasonic cleaning chamber C passes through the cleaning liquid contained in the inner tank 31 of the ultrasonic cleaning tank 30 to be ultrasonically cleaned, and then passes through the substrate insertion port 25 again. It is returned to the brush cleaning chamber, rinsed with pure water or ultrapure water from the cleaning water jet nozzle, and the substrate outlet (drying chamber inlet) 2
7 is conveyed to the drying chamber D. At this time, the cleaning liquid is constantly supplied to the inner tank 31 of the ultrasonic cleaning tank 30 from the cleaning liquid supply pipe 33, and the overflowed cleaning liquid is discharged from the cleaning waste liquid discharge port 34 to the outside of the system through the discharge pipe 92b.

【0034】乾燥室Dに導入された基板Kは、エアーノ
ズル41a,41bの噴射気体の圧力によってその表面
に付着している純水又は超純水の水滴が吹き飛ばされて
除去され、熱風吹き付けノズル42a,42bからクリ
ーンホットエアーが吹き付けられて乾燥された後、基板
出口45から基板送り巻き取り室Aに搬送され、除電装
置16で除電されて、巻き取りロール17に巻き取り回
収される。ここで、上記エアーノズル41a,41b及
び熱風吹き付けノズル42a,42bのノズルとして
は、スリット状、ホール状等各種形状のノズルを使用す
ることができる。また、熱乾燥は熱風乾燥の他にも電気
ヒータ等の熱輻射による乾燥方式も好適に採用される。
The substrate K introduced into the drying chamber D is removed by blowing off the water droplets of pure water or ultrapure water adhering to the surface of the substrate K by the pressure of the jet gas of the air nozzles 41a and 41b, and the hot air blowing nozzle. After the clean hot air is blown from 42a and 42b to be dried, it is conveyed from the substrate outlet 45 to the substrate feeding / winding chamber A, where it is discharged by the static eliminator 16 to be discharged and collected by the winding roll 17. Here, as the nozzles of the air nozzles 41a and 41b and the hot air blowing nozzles 42a and 42b, nozzles of various shapes such as a slit shape and a hole shape can be used. In addition to the hot air drying, a drying method using heat radiation from an electric heater or the like is preferably adopted for the heat drying.

【0035】上記ブラシ洗浄、超音波洗浄、乾燥処理の
処理時間及び洗浄効率は、基板の送り出し,巻き取り速
度によって制御される。また、各工程は、洗浄装置制御
盤により集中制御することができ、きわめて効率よく洗
浄作業を行うことができる。
The processing time and cleaning efficiency of the above-mentioned brush cleaning, ultrasonic cleaning, and drying processing are controlled by the feeding and winding speed of the substrate. Further, each process can be centrally controlled by the cleaning device control panel, and the cleaning work can be performed extremely efficiently.

【0036】[第2実施例]図2は、本発明の他の実施
例にかかる基板洗浄装置を示すもので、この洗浄装置
は、乾燥室Dと基板送り巻き取り室Aとの間に紫外線洗
浄室Fを設けたものである。なお、その他の構成は、上
記第1実施例と同様であるので、同一参照符号を付して
その説明を省略する。
[Second Embodiment] FIG. 2 shows a substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention. This cleaning apparatus has an ultraviolet ray between a drying chamber D and a substrate feeding / winding chamber A. A cleaning room F is provided. Since the other structure is the same as that of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description thereof is omitted.

【0037】上記紫外線洗浄室Fには、紫外線ランプ5
1a,51b,52a,52bが互いに所定間隔離間し
て配設されており、ガイドロール91k,91lにより
基板入り口(乾燥室出口)55からの基板Kが、これら
紫外線ランプ51a,51b,52a,52b間を通過
して基板出口45から基板送り巻き取り室Aに排出され
る。なお、53は排気口、54は排気管である。
An ultraviolet lamp 5 is provided in the ultraviolet cleaning chamber F.
1a, 51b, 52a, 52b are arranged at a predetermined distance from each other, and the substrate K from the substrate inlet (drying chamber outlet) 55 is guided by the guide rolls 91k, 91l to the ultraviolet lamps 51a, 51b, 52a, 52b. After passing through the space, the substrate is discharged from the substrate outlet 45 into the substrate feeding and winding chamber A. In addition, 53 is an exhaust port and 54 is an exhaust pipe.

【0038】紫外線洗浄室Fに導入された基板Kは、紫
外線ランプ51a,51b,52a,52b間を通過
し、紫外線及び紫外線によって生じたオゾンにより基板
表面の電極に付着した有機物が除去された後、基板出口
45から基板送り巻き取り室Aに排出され、除電装置1
6で除電されて、巻き取りロール17に巻き取り回収さ
れる。紫外線ランプは基板電極側を点燈する。この場
合、紫外線洗浄室Fにはエアフィルター93を通して常
に清浄な空気が供給され、分解ガス、未反応オゾンなど
は、排気口53から排気管54を通って系外に排出され
る。なお、紫外線洗浄室Fにオゾン発生装置等で発生さ
せたオゾンを外部より導入して洗浄力を高めることもで
きる。
The substrate K introduced into the ultraviolet cleaning chamber F passes between the ultraviolet lamps 51a, 51b, 52a and 52b, and the organic substances attached to the electrodes on the substrate surface are removed by the ultraviolet rays and the ozone generated by the ultraviolet rays. , Discharged from the substrate outlet 45 into the substrate feeding and winding chamber A, and the static eliminator 1
The electricity is removed at 6, and the roll 17 is wound up and collected. The ultraviolet lamp illuminates the substrate electrode side. In this case, clean air is always supplied to the ultraviolet cleaning chamber F through the air filter 93, and decomposed gas, unreacted ozone and the like are discharged from the exhaust port 53 to the outside of the system through the exhaust pipe 54. It is also possible to introduce ozone generated by an ozone generator or the like into the ultraviolet cleaning chamber F from the outside to enhance the cleaning power.

【0039】このように、上記実施例の基板の洗浄方法
及び装置によれば、長尺の可撓性基板を巻回してなる繰
り出しロールから基板を繰り出し、これを巻き取りロー
ルに巻き取る間に洗浄処理を施すことにより、長尺基板
の一端から他端へと連続的に同一条件で洗浄処理を施す
ことができる。しかも、ブラシ洗浄と超音波洗浄とを組
み合わせることにより、超音波洗浄等では剥離できない
基板に食い込んだ異物をブラシの接触力により剥離し、
ブラシでは除去し得ない微細孔に入り込んだ異物を超音
波洗浄で洗浄液中に洗い出すことができ、従来の技術で
は達成されなかった高度な洗浄を行うことができる。さ
らに、超音波洗浄を行った後に紫外線洗浄を行うことに
より、基板表面の有機物をより高度に除去することがで
きる。したがって、非常に長いプラスチック基板の連続
体であっても、均一かつ良好な洗浄を効率よく行うこと
ができ、均一かつ完全に清浄化された可撓性基板を効率
よくしかも安定的に得ることができる。
As described above, according to the method and apparatus for cleaning a substrate of the above-described embodiment, the substrate is unwound from the unrolling roll formed by winding the long flexible substrate, and while it is wound on the winding roll. By performing the cleaning process, the cleaning process can be continuously performed from one end to the other end of the long substrate under the same condition. Moreover, by combining brush cleaning and ultrasonic cleaning, foreign matter that has been eroded into the substrate that cannot be removed by ultrasonic cleaning or the like is removed by the contact force of the brush,
The foreign matter that cannot be removed by the brush and that has entered the fine pores can be washed out into the cleaning liquid by ultrasonic cleaning, and it is possible to perform high-level cleaning that has not been achieved by conventional techniques. Furthermore, by performing ultrasonic cleaning after performing ultrasonic cleaning, organic substances on the substrate surface can be removed to a higher degree. Therefore, even with a very long continuous plastic substrate, uniform and good cleaning can be efficiently performed, and a uniformly and completely cleaned flexible substrate can be efficiently and stably obtained. it can.

【0040】なお、本発明の基板の洗浄方法及び基板洗
浄装置は、上記実施例に限定されるものではなく、例え
ば各ノズルや洗浄ブラシの形状等は適宜変更することが
でき、その他の構成についても本発明の要旨を逸脱しな
いかぎり種々変更して差し支えない。また、本発明の基
板の洗浄方法及び基板洗浄装置は、液晶ディスプレイの
基板を洗浄する際に好適に採用されるものであるが、そ
の他にもタッチパネルやエレクトロルミネッセンスな
ど、種々のエレクトロニクス基板の洗浄に好適に使用す
ることができる。
The substrate cleaning method and the substrate cleaning apparatus of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and for example, the shapes of the nozzles and the cleaning brush can be changed as appropriate, and other configurations are possible. Also, various modifications may be made without departing from the gist of the present invention. Further, the substrate cleaning method and the substrate cleaning apparatus of the present invention is preferably adopted when cleaning the substrate of the liquid crystal display, but in addition, for cleaning various electronic substrates such as touch panels and electroluminescence. It can be preferably used.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板の洗
浄方法及びその装置によれば、非常に長いプラスチック
基板の連続体であっても、均一かつ良好な洗浄を効率よ
く行うことができ、均一かつ完全に清浄化された可撓性
基板を効率よくしかも安定的に得ることができる。
As explained above, according to the method and apparatus for cleaning a substrate of the present invention, even a very long continuous plastic substrate can be uniformly and efficiently cleaned. Thus, a flexible substrate that has been uniformly and completely cleaned can be efficiently and stably obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例にかかる基板洗浄装置を示す
概略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例にかかる基板洗浄装置を示
す概略図である。
FIG. 2 is a schematic view showing a substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…繰り出しロール 17…巻き取りロール 91a〜91l…ガイドロール 21,23,26…洗浄水噴射ノズル 30…超音波洗浄槽 41a,41b…エアーノズル 42a,42b…熱風噴射ノズル 51a,51b,52a,52b…紫外線ランプ A…基板送り巻き取り室 B…ブラシ洗浄室 C…超音波洗浄室 D…乾燥室 E…洗浄室制御盤 F…紫外線洗浄室 B,C,D,F…洗浄処理領域 11 ... Delivery roll 17 ... Winding roll 91a to 91l ... Guide roll 21, 23, 26 ... Wash water jet nozzle 30 ... Ultrasonic washing tank 41a, 41b ... Air nozzle 42a, 42b ... Hot air jet nozzle 51a, 51b, 52a, 52b ... Ultraviolet lamp A ... Substrate feeding / winding room B ... Brush cleaning room C ... Ultrasonic cleaning room D ... Drying room E ... Cleaning room control panel F ... Ultraviolet cleaning room B, C, D, F ... Cleaning processing area

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも一面に電極を有し、かつ可撓
性を有する長尺基板をロール状に巻回して繰り出しロー
ルを形成し、この繰り出しロールから基板を送り出して
巻き取りロールに巻き取る間に、洗浄処理を基板の一端
側から他端側へと連続的にブラシ洗浄した後、超音波洗
浄を基板の一端側から他端側へと連続的に行うことを特
徴とする基板の洗浄方法。
1. A flexible long substrate having an electrode on at least one surface is wound into a roll to form a pay-out roll, and the substrate is sent from the pay-out roll and taken up by a take-up roll. In addition, after the cleaning treatment is continuously brush-cleaned from one end side to the other end side of the substrate, ultrasonic cleaning is continuously performed from one end side to the other end side of the substrate. ..
【請求項2】 超音波洗浄後に紫外線洗浄を行うように
した請求項1記載の基板の洗浄方法。
2. The method for cleaning a substrate according to claim 1, wherein ultraviolet cleaning is performed after ultrasonic cleaning.
【請求項3】 少なくとも一面に電極を有し、かつ可撓
性を有する長尺基板を繰り出しロールから送り出し、洗
浄処理領域を通過させて巻き取りロールに巻き取り回収
する基板移送機構と、 上記洗浄処理領域に設置され、基板表面をブラッシング
して基板表面の固形状の汚れを除去するブラシ洗浄装置
と、 洗浄処理領域の上記ブラシ洗浄装置の後方に設置され、
洗浄液中に基板を浸漬し、超音波振動を発生させて汚れ
を除去する超音波洗浄装置とを具備してなることを特徴
とする基板洗浄装置。
3. A substrate transfer mechanism which has an electrode on at least one surface and which is flexible and is sent out from a delivery roll, passes through a cleaning processing region, and is wound and collected by a winding roll. A brush cleaning device that is installed in the processing area and brushes the substrate surface to remove solid dirt on the substrate surface, and a brush cleaning device that is installed in the cleaning processing area behind the brush cleaning device.
An apparatus for cleaning a substrate, comprising: an ultrasonic cleaning device for immersing a substrate in a cleaning liquid and generating ultrasonic vibration to remove dirt.
【請求項4】 洗浄処理領域の超音波洗浄装置の後方
に、基板に酸素又はオゾンを含む雰囲気下で紫外線を照
射して基板表面の有機物を除去する紫外線洗浄装置を備
えた請求項3記載の基板洗浄装置。
4. The ultraviolet cleaning device according to claim 3, further comprising, behind the ultrasonic cleaning device in the cleaning processing region, an ultraviolet cleaning device for irradiating the substrate with ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen or ozone to remove organic substances on the surface of the substrate. Substrate cleaning equipment.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007246849A (en) * 2006-03-18 2007-09-27 Nippon Paper Chemicals Co Ltd Washing method for optical plastic film, manufacturing method for optical plastic film, washing apparatus for optical plastic film, and coating apparatus
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