JPH0529519A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor device and manufacture thereof

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JPH0529519A
JPH0529519A JP3205412A JP20541291A JPH0529519A JP H0529519 A JPH0529519 A JP H0529519A JP 3205412 A JP3205412 A JP 3205412A JP 20541291 A JP20541291 A JP 20541291A JP H0529519 A JPH0529519 A JP H0529519A
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JP
Japan
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stage
sealing resin
support bar
semiconductor chip
stage support
Prior art date
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Pending
Application number
JP3205412A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Yamanaka
英雄 山中
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH0529519A publication Critical patent/JPH0529519A/en
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent cracks of a package generated between the rear of a stage part and the sealing resin by thermal influence at the time of packaging, in a resin seal type semiconductor device. CONSTITUTION:The surfaces of stage support bars 4 on the side opposite to the semiconductor chip mounting side, and the surface of a stage part 2 on the line connecting at least a pair of the stage support bars 4 are subjected to surface treatment like resin tape, silver plating, and acetic acid treatment for decreasing adhesion between sealing resin and the stage support bars 4 or the stage part 2. A recessed part 6 is formed in the sealing resin on the rear of the stage part 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置およびその製造方法に係わり、実装時等に生じる封止
樹脂のクラックを防止することができる半導体装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor device capable of preventing cracks in the encapsulating resin during mounting or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置にあっては、封
止樹脂の吸湿性等に起因して樹脂パッケージ内に水分が
溜り、この水分がはんだ付け等の際の加熱によって膨張
し、封止樹脂にクラックを生じさせるという問題が従来
指摘されている。樹脂パッケージ内に溜った水分はリー
ドフレームと封止樹脂との界面に存在することが多く、
特にチップを搭載するステージ部の裏面に溜った水分が
クラック発生に悪影響を及ぼすことが判明している。
2. Description of the Related Art In a resin-encapsulated semiconductor device, moisture is accumulated in a resin package due to the hygroscopicity of the encapsulating resin and the moisture expands due to heating during soldering or the like. It has been pointed out that the sealing resin is cracked. The water accumulated in the resin package is often present at the interface between the lead frame and the sealing resin,
In particular, it has been found that the water accumulated on the back surface of the stage part on which the chip is mounted has a bad influence on the occurrence of cracks.

【0003】このような樹脂パッケージ内に溜った水分
による悪影響を除去するための従来の方法としては、リ
ードフレームに、封止樹脂との間の密着性を向上させる
処理を施して水分を内部に進入させないようにすると共
にリードフレームと封止樹脂間で剥離が生じ難くする方
法が知られている。また、ステージサポートバーを介し
てステージ部に水分が侵入することを防止するために、
ステージサポートバーを直線状から屈曲した形状に変え
たり、あるいはステージサポートバーを細くする方法が
知られている。しかしながら、いずれの方法も、樹脂パ
ッケージ内に溜る水分を皆無にするには至らなかった。
そこで、ステージ部の裏面に溜った水分が、半導体装置
を基板等にはんだ付けする際の熱影響によって膨張した
場合、ステージサポートバーと封止樹脂との界面から積
極的に外部に抜けるように作用させるために、ステージ
サポートバーと封止樹脂間の密着性を低下させておく方
法が提案されている(例えば、特開平2−292849
号公報参照)。
As a conventional method for removing the adverse effect of the water accumulated in the resin package, the lead frame is subjected to a treatment for improving the adhesiveness with the sealing resin so that the moisture is contained inside. A method is known in which the lead frame and the encapsulation resin are prevented from peeling off while preventing the entry. In addition, in order to prevent water from entering the stage through the stage support bar,
A method is known in which the stage support bar is changed from a linear shape to a bent shape, or the stage support bar is thinned. However, none of the methods can completely eliminate the water accumulated in the resin package.
Therefore, when the water accumulated on the back surface of the stage part expands due to the thermal effect when soldering the semiconductor device to the substrate, etc., it acts to positively escape to the outside from the interface between the stage support bar and the sealing resin. In order to achieve this, a method of reducing the adhesion between the stage support bar and the sealing resin has been proposed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 292849/1990).
(See the official gazette).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体チップは益々大型化しており、これに対してパッ
ケージサイズは極力小型かつ薄型であることが要求され
ているため、半導体装置内でステージ部の占める面積が
大きくなればなるほどステージ部の中央付近の裏面に溜
った水分は十分に外部に抜けず、パッケージにクラック
が発生する虞れがある。特に、膨張時のステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は、チップ長変化率(ステー
ジ部寸法)の2乗に比例し、ステージ部裏面のモールド
厚さの変化率の2乗に反比例することが知られている。
したがって、半導体チップを大型化するためにステージ
部面積を大きくする一方で、パッケージサイズを薄型化
するためにモールド厚さを薄くすれば、ステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は益々増加することになる。
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされ
たものであり、樹脂封止型の半導体装置においてパッケ
ージのクラック発生を防止することを目的とする。
However, recent semiconductor chips are becoming larger and larger, and the package size is required to be as small and thin as possible. The larger the area occupied, the more the moisture accumulated on the back surface near the center of the stage portion does not escape to the outside, and there is a risk that cracks will occur in the package. In particular, the maximum bending stress that acts on the back surface of the stage during expansion is proportional to the square of the chip length change rate (stage size) and inversely proportional to the square of the mold thickness change rate on the back surface of the stage. It has been known.
Therefore, if the area of the stage is increased to increase the size of the semiconductor chip, and the mold thickness is decreased to reduce the package size, the maximum bending stress acting on the back surface of the stage increases more and more. become.
The present invention has been made in view of the above problems of the conventional technique, and an object of the present invention is to prevent generation of cracks in a package in a resin-sealed semiconductor device.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明では、少なくとも一対のステージサポートバー
における半導体チップ搭載側とは反対側の表面と、これ
ら一対のステージサポートバーを結ぶ線上のステージ部
表面とに、封止樹脂とステージサポートバーあるいはス
テージ部との密着性を低下させる表面処理を施すと共
に、上記一対のステージサポートバーを結ぶ線上のステ
ージ部の所定位置を外部に露出させるように、封止樹脂
層に凹部が形成してある。
According to the present invention for achieving the above object, at least a surface of a pair of stage support bars opposite to a semiconductor chip mounting side and a stage on a line connecting the pair of stage support bars are provided. The surface of the part is subjected to a surface treatment to reduce the adhesion between the sealing resin and the stage support bar or the stage part, and the predetermined position of the stage part on the line connecting the pair of stage support bars is exposed to the outside. A recess is formed in the sealing resin layer.

【0006】ここで、一対のステージサポートバーを結
ぶ直線のステージ部表面に施した表面処理の幅は、前記
ステージサポートバーの幅以上とすることが好ましい。
また、半導体チップ搭載側のステージ部およびステージ
サポートバーの表面に、封止樹脂とステージ部あるいは
ステージサポートバーとの密着性を高める表面処理を施
すことが好ましい。さらに、本発明の半導体装置は、少
なくとも一対のステージサポートバーにおける半導体チ
ップ搭載側とは反対側の表面と、これら一対のステージ
サポートバーを結ぶ線上のステージ部表面とに、封止樹
脂とステージサポートバーあるいはステージ部との密着
性を低下させる表面処理を施す工程と、モールド成形に
用いるキャビティを形成する金型に、上記ステージ部に
おける半導体チップ搭載側とは反対側の表面に接する凸
部を形成し、この凸部の先端面から前記ステージ部を真
空吸引しながらモールド成形する工程とを有する半導体
装置の製造方法により製造することが好ましい。
Here, it is preferable that the width of the surface treatment applied to the straight surface of the stage portion connecting the pair of stage support bars is not less than the width of the stage support bar.
Further, it is preferable that the surface of the stage portion and the stage support bar on the semiconductor chip mounting side be subjected to a surface treatment that enhances the adhesion between the sealing resin and the stage portion or the stage support bar. Further, the semiconductor device of the present invention has a sealing resin and a stage support on at least the surface of the pair of stage support bars opposite to the semiconductor chip mounting side and the surface of the stage portion on the line connecting the pair of stage support bars. A step of performing a surface treatment to reduce the adhesion to the bar or the stage part, and forming a convex part in contact with the surface of the stage part on the side opposite to the side where the semiconductor chip is mounted in the mold for forming the cavity However, it is preferable that the semiconductor device is manufactured by a method of molding the stage part while vacuum-suctioning the stage part from the tip surface of the convex part.

【0007】[0007]

【作用】このように構成した本発明にあっては、ステー
ジ部の裏面に溜った水分が、半導体装置を基板などには
んだ付けする際の加熱等によって膨張すると、ステージ
部中央付近の水分は封止樹脂層に形成された凹部から外
部に排出される。一方、ステージ部の周辺の水分は、ス
テージ部における表面処理が施された部分と封止樹脂と
の界面から、ステージサポートバーと封止樹脂との界面
を通過して外部に排出することになる。すなわち、ステ
ージ部の中央には水分を直接排出するための凹部が形成
してあり、しかもステージ部の周辺については、ステー
ジ部の一部と封止樹脂、およびステージサポートバーと
封止樹脂との間の密着性を低下させ、水分を抜け易くす
る通路を積極的に設けているため、ステージ部の表面積
が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、ステージ
部の裏面に溜った水分は、この凹部および排出通路を介
して外部に抜けることになる。
In the present invention thus constituted, when the water accumulated on the back surface of the stage section expands due to heating when soldering the semiconductor device to a substrate or the like, the water near the center of the stage section is sealed. It is discharged to the outside from the recess formed in the resin stopping layer. On the other hand, the water around the stage part is discharged to the outside from the interface between the surface-treated part of the stage part and the sealing resin, passing through the interface between the stage support bar and the sealing resin. . That is, a concave portion for directly discharging water is formed in the center of the stage portion, and in the periphery of the stage portion, a part of the stage portion and the sealing resin, and a stage support bar and the sealing resin are formed. Since the passages that reduce the adhesion between them and facilitate the removal of water are positively provided, even if the surface area of the stage part is large and the package is thin, the water accumulated on the back surface of the stage part It will come out through the recess and the discharge passage.

【0008】このとき、一対のステージサポートバーを
結ぶ直線のステージ部表面に施した表面処理の幅をステ
ージサポートバーの幅以上とすれば、毛細管現象等の理
由によってステージ部に溜った水分はステージサポート
バー方向に吸引され、水分の外部への排出効果がより高
まることになる。また、半導体チップ搭載側のステージ
部およびステージサポートバーの表面に、封止樹脂とス
テージ部あるいはステージサポートバーとの密着性を高
める表面処理を施しておけば、半導体チップ搭載側の封
止樹脂とステージ部あるいはステージサポートバーとの
密着性が高まることから、封止樹脂が吸湿した水分はス
テージ部の裏面側のみに溜ることになり、これによって
半導体装置全体の水分を外部に排出することができる。
At this time, if the width of the surface treatment applied to the straight surface of the stage portion connecting the pair of stage support bars is equal to or larger than the width of the stage support bar, the water accumulated on the stage portion due to the capillary phenomenon or the like will be removed. It is sucked toward the support bar, and the effect of discharging moisture to the outside is further enhanced. In addition, if the surface of the stage part and stage support bar on the semiconductor chip mounting side is subjected to a surface treatment that enhances the adhesion between the sealing resin and the stage part or stage support bar, Since the adhesiveness with the stage part or the stage support bar is enhanced, the moisture absorbed by the sealing resin is accumulated only on the back surface side of the stage part, which allows the moisture of the entire semiconductor device to be discharged to the outside. .

【0009】このような本発明に係る半導体装置を製造
するにあたり、モールド成形のキャビティを形成する金
型にステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
中央に接する凸部を形成し、この凸部の先端面からステ
ージ部を真空吸引しながらモールド成形すれば、封止樹
脂層への凹部の形成と同時に、ステージ部の位置決めを
精度良く行うことができる。しかも、この部分に樹脂バ
リなどが生じ難くなることから都合がよい。
In manufacturing such a semiconductor device according to the present invention, a convex portion is formed in a mold forming a cavity for molding, the central portion being in contact with the surface center of the stage portion on the side opposite to the semiconductor chip mounting side. If the stage part is molded by vacuum suction from the tip end surface of the convex part, the stage part can be accurately positioned at the same time when the concave part is formed in the sealing resin layer. Moreover, it is convenient because resin burr or the like is less likely to occur in this portion.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1は本発明の一実施例に係るリードフレーム
を示す平面図、図2は同実施例に係る半導体装置の縦断
面図であって、図1のA−A線に相当する断面図、図3
は本発明の他の実施例を示すステージ部近傍の拡大平面
図、図4は図3のB−B線に沿う断面図であり、何れも
リードフレームに対してステージ部を2本のステージサ
ポートバーにより保持するタイプの半導体装置である。
また、図7は本発明の半導体装置を製造する際のモール
ド工程を示す断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a semiconductor device according to the embodiment, which is a sectional view corresponding to line AA in FIG. Three
FIG. 4 is an enlarged plan view of the vicinity of a stage portion showing another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line BB of FIG. This is a type of semiconductor device that is held by a bar.
Further, FIG. 7 is a cross-sectional view showing a molding step in manufacturing the semiconductor device of the present invention.

【0011】図1に示すように、本実施例に係るリード
フレーム1にあっては、半導体チップを搭載する(ダイ
ボンディング)ステージ部2がリードフレーム1の両側
に位置するレール部3に2本のステージサポートバー4
を介して保持されている。また、このステージ部2の周
囲には、当該ステージ部2にダイボンディングされた半
導体チップとワイヤボンディングされる複数のインナリ
ード5が設けられており、このワイヤボンディングの後
に樹脂封止(パッケージング)され、ついでリードフレ
ーム1の周囲を切断した後にインナーリード5が折り曲
げられる。
As shown in FIG. 1, in the lead frame 1 according to this embodiment, two (die-bonding) stage portions 2 for mounting semiconductor chips are provided on two rail portions 3 located on both sides of the lead frame 1. Stage support bar 4
Are held through. Around the stage portion 2, a plurality of inner leads 5 that are wire-bonded to the semiconductor chip die-bonded to the stage portion 2 are provided. After this wire bonding, resin sealing (packaging) is performed. Then, after cutting the periphery of the lead frame 1, the inner lead 5 is bent.

【0012】本実施例においては、図1に示すように、
リードフレーム1のステージ部2の半導体チップ搭載側
とは反対側のステージサポートバー4の表面と、これら
一対のステージサポートバー4,4を結ぶ直線のステー
ジ部2の表面とに、封止樹脂とステージサポートバー4
あるいはステージ部2との密着性を低下させる表面処理
を施している。この表面処理としては、封止樹脂を構成
する樹脂との密着性が低い樹脂により構成された樹脂テ
ープを貼着したり、あるいは、銀メッキを施すことが好
ましく、銀メッキを施す場合にはメッキ膜厚を3μm以
上とすることが好ましい。なお、本発明においては、封
止樹脂とステージサポートバー4あるいはステージ部2
との密着性を低下させる方法は特に限定されるものでは
なく、ステージ部2およびステージサポートバー4に酢
酸処理などの光沢研磨を施してこれらの表面を化学的に
平滑にする方法なども適用することができる。また、ス
テージ部2とステージサポートバー4との表面処理を、
必ずしも同一の表面処理方法で行う必要はない。
In this embodiment, as shown in FIG.
The surface of the stage support bar 4 on the side opposite to the semiconductor chip mounting side of the stage portion 2 of the lead frame 1 and the straight surface of the stage portion 2 connecting the pair of stage support bars 4 and 4 are covered with a sealing resin. Stage support bar 4
Alternatively, a surface treatment is performed to reduce the adhesion with the stage unit 2. As this surface treatment, it is preferable to attach a resin tape made of a resin having low adhesiveness to the resin forming the sealing resin, or to apply silver plating. The film thickness is preferably 3 μm or more. In the present invention, the sealing resin and the stage support bar 4 or the stage portion 2 are used.
There is no particular limitation on the method of lowering the adhesiveness with, and a method of subjecting the stage portion 2 and the stage support bar 4 to gloss polishing such as acetic acid treatment to chemically smooth these surfaces is also applied. be able to. In addition, the surface treatment of the stage unit 2 and the stage support bar 4
It is not always necessary to use the same surface treatment method.

【0013】特に本実施例においては、図1に示すよう
に、2本のステージサポートバー44を結ぶ直線のステ
ージ部2の表面に施した表面処理の幅aをステージサポ
ートバーの幅b以上としている。これは、ステージ部2
に溜った水分を毛細管現象によってステージサポートバ
ー4方向に吸引し、水分の外部への排出効果をより高め
ることを企図したものである。なお、本発明は、図1に
示す実施例にのみ限定されるものではなく、2本のステ
ージサポートバー4,4を結ぶ直線のステージ部2の表
面に施した表面処理の幅aをステージサポートバーの幅
bと等しく設定することもできる。
In particular, in this embodiment, as shown in FIG. 1, the width a of the surface treatment applied to the surface of the stage portion 2 which is a straight line connecting the two stage support bars 44 is set to be not less than the width b of the stage support bars. There is. This is the stage section 2
This is intended to further enhance the effect of discharging the water to the outside by sucking the water collected in the direction of the stage support bar 4 by the capillary phenomenon. It should be noted that the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. 1, and the width a of the surface treatment applied to the surface of the stage portion 2 which is a straight line connecting the two stage support bars 4 and 4 is the stage support. It can also be set equal to the bar width b.

【0014】一方、本実施例に係るリードフレーム1の
半導体チップ搭載側のステージ部2およびステージサポ
ートバー4の表面に、封止樹脂とステージ部2あるいは
ステージサポートバー4との密着性を高めるために、ブ
ラスト処理などの表面処理を施している。これは、半導
体チップ搭載側の封止樹脂とステージ部2あるいはステ
ージサポートバー4との密着性を高めて、封止樹脂が吸
湿した水分を全てステージ部2の裏面側のみに溜めるこ
とにより半導体装置全体の水分を外部に排出するためで
ある。なお、この表面処理はブラスト処理にのみ限定さ
れるものではなく、銀メッキを廃止する方法(銀メッキ
レス)を採用しても良い。また、本実施例の半導体装置
にあっては、図1および図2に示すように、2本のステ
ージサポートバー4,4を結ぶ直線のステージ部2の中
央に相当する封止樹脂層7に凹部6を形成している。こ
の凹部6は、半導体装置をモールド成形した場合に半導
体チップ8およびリードフレーム1のステージ部2を包
含する封止樹脂層7にステージ部2の裏面が露呈するよ
うに形成するもので、その形状は図1に示すような円状
であっても、また図3および図4に示すような矩形状で
あっても良いが、凹部6の内径は2本のステージサポー
トバー4,4を結ぶ直線の幅a以上に構成することが好
ましい。
On the other hand, in order to enhance the adhesion between the sealing resin and the stage portion 2 or the stage support bar 4 on the surface of the stage portion 2 and the stage support bar 4 on the semiconductor chip mounting side of the lead frame 1 according to this embodiment. In addition, surface treatment such as blasting is applied. This is because the adhesiveness between the sealing resin on the semiconductor chip mounting side and the stage unit 2 or the stage support bar 4 is enhanced, and all the moisture absorbed by the sealing resin is collected only on the back surface side of the stage unit 2. This is because the whole water is discharged to the outside. The surface treatment is not limited to the blast treatment, and a method of eliminating silver plating (silver plating-less) may be adopted. Further, in the semiconductor device of the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the sealing resin layer 7 corresponding to the center of the straight stage portion 2 connecting the two stage support bars 4 and 4 is formed. The recess 6 is formed. The recess 6 is formed so that the back surface of the stage 2 is exposed to the sealing resin layer 7 including the semiconductor chip 8 and the stage 2 of the lead frame 1 when the semiconductor device is molded. May be circular as shown in FIG. 1 or rectangular as shown in FIGS. 3 and 4, but the inner diameter of the recess 6 is a straight line connecting the two stage support bars 4, 4. It is preferable that the width is a or more.

【0015】このように構成した本実施例に係る半導体
装置あっては、ステージ部2の裏面に溜った水分が、半
導体装置を基板などにはんだ付けする際の加熱等によっ
て膨張すると、ステージ部中央付近の水分はステージ部
2の中央に相当する封止樹脂層7に形成された凹部6か
ら外部に排出され、一方、ステージ部2の周辺の水分
は、ステージ部2の表面処理が施された部分と封止樹脂
との界面から、ステージサポートバー4と封止樹脂との
界面を通過して外部に排出することになる。すなわち、
ステージ部2の中央には水分を直接排出するための凹部
6が形成してあり、しかもステージ部2の周辺について
は、ステージ部2の一部と封止樹脂、およびステージサ
ポートバー4と封止樹脂との間の密着性を低下させ、水
分を抜け易くする通路を積極的に設けているため、ステ
ージ部2の表面積が大きく、かつ薄型のパッケージであ
っても、ステージ部2の裏面に溜った水分は、この凹部
6および排出通路を介して外部に抜けることになる。
In the semiconductor device according to this embodiment having such a structure, when the water accumulated on the back surface of the stage portion 2 expands due to heating or the like when soldering the semiconductor device to a substrate, etc. Moisture in the vicinity is discharged to the outside from the recess 6 formed in the encapsulating resin layer 7 corresponding to the center of the stage portion 2, while water around the stage portion 2 is subjected to the surface treatment of the stage portion 2. From the interface between the portion and the sealing resin, it passes through the interface between the stage support bar 4 and the sealing resin and is discharged to the outside. That is,
A concave portion 6 for directly discharging water is formed in the center of the stage portion 2. Further, in the periphery of the stage portion 2, a part of the stage portion 2 and a sealing resin, and a stage support bar 4 and a sealing resin are sealed. Since a passage for reducing the adhesion with the resin and for facilitating the escape of water is positively provided, even if the surface area of the stage portion 2 is large and the package is thin, it is accumulated on the back surface of the stage portion 2. The moisture will escape to the outside through the recess 6 and the discharge passage.

【0016】このとき、一対のステージサポートバー
4,4を結ぶ直線のステージ部2の表面に施した表面処
理の幅aをステージサポートバーの幅b以上としている
ため、毛細管現象によってステージ部2に溜った水分は
ステージサポートバー4の方向に吸引され、水分の外部
への排出効果がより高まることになる。また、本実施例
にあっては半導体チップ搭載側のステージ部2およびス
テージサポートバー4の表面に、封止樹脂とステージ部
2あるいはステージサポートバー4との密着性を高める
表面処理を施しているので、半導体チップ搭載側の封止
樹脂とステージ部2あるいはステージサポートバー4と
の密着性が高まり、これによって封止樹脂が吸湿した水
分はステージ部2の裏面側のみに溜ることになり、した
がって半導体装置全体の水分を外部に排出することがで
きる。
At this time, since the width a of the surface treatment applied to the surface of the stage portion 2 which is a straight line connecting the pair of stage support bars 4 and 4 is not less than the width b of the stage support bar, the stage portion 2 is affected by the capillary phenomenon. The accumulated water is sucked toward the stage support bar 4, and the effect of discharging the water to the outside is further enhanced. Further, in the present embodiment, the surface of the stage portion 2 and the stage support bar 4 on the semiconductor chip mounting side is subjected to a surface treatment for enhancing the adhesion between the sealing resin and the stage portion 2 or the stage support bar 4. Therefore, the adhesiveness between the sealing resin on the semiconductor chip mounting side and the stage portion 2 or the stage support bar 4 is increased, whereby the moisture absorbed by the sealing resin is accumulated only on the back surface side of the stage portion 2. Moisture in the entire semiconductor device can be discharged to the outside.

【0017】一方、かかる半導体装置をモールド成形す
る際は、図7に示すように、リードフレーム1のステー
ジ部2の片面に半導体チップ8を搭載し(ダイボンディ
ング)、この半導体チップ8とインナリード5とをワイ
ヤボンディングした後に、これをモールド成形のキャビ
ティを形成する金型9a,9b の所定位置に設置する。な
お、ステージサポートバー4、4の表面及びステージ部
2の表面の一部には、密着性低下のための表面処理が施
されている。金型の下型9b には封止樹脂層7に形成す
べき凹部6に相当する凸部10が形成されており、さら
にこの凸部10の先端面からステージ部2を真空吸引す
るための吸引孔11が穿設されている。そして、ワイヤ
ボンディングを終了したリードフレーム1を金型内に設
置すると、真空吸引装置(不図示)によってステージ部
2を吸着しながら、注入口12から溶融樹脂を射出して
モールド成形を行う。このような製造方法によれば、封
止樹脂層7への凹部6の形成と同時に、ステージ部2の
位置決めを精度良く行うことができる。
On the other hand, when molding such a semiconductor device, as shown in FIG. 7, the semiconductor chip 8 is mounted on one surface of the stage portion 2 of the lead frame 1 (die bonding), and the semiconductor chip 8 and the inner leads are connected. After 5 and 5 are wire-bonded, this is placed at a predetermined position of molds 9a and 9b forming a cavity for molding. The surface of the stage support bars 4 and 4 and a part of the surface of the stage portion 2 are subjected to a surface treatment for reducing the adhesiveness. The lower mold 9b of the mold is provided with a convex portion 10 corresponding to the concave portion 6 to be formed in the sealing resin layer 7, and suction for vacuum suction of the stage portion 2 from the tip surface of the convex portion 10 is formed. A hole 11 is provided. Then, when the lead frame 1 for which wire bonding has been completed is installed in the mold, molten resin is injected from the injection port 12 while performing suction molding of the stage portion 2 by a vacuum suction device (not shown) to perform molding. According to such a manufacturing method, the stage portion 2 can be accurately positioned at the same time when the recess 6 is formed in the sealing resin layer 7.

【0018】次に、本発明の他の実施例として、ステー
ジ部を4本のステージサポートバー4により保持したリ
ードフレームについて説明する。図5は本発明の他の実
施例に係るリードフレームを示す平面図、図6は本発明
のさらに他の実施例を示すステージ部近傍の拡大平面図
である。本実施例に係るリードフレーム1にあっては、
半導体チップを搭載する(ダイボンディング)ステージ
部2がリードフレーム1の両側に位置するレール部3,
3に4本のステージサポートバー4を介して保持されて
いる。また、このステージ部2の周囲には、当該ステー
ジ部2にダイボンディングされた半導体チップとワイヤ
ボンディングされる複数のインナリード5が設けられて
おり、このワイヤボンディングの後に樹脂封止(パッケ
ージング)され、ついでリードフレーム1の周囲を切断
した後にインナーリード5が折り曲げられる。なお、こ
の半導体装置は、インナーリード5が半導体チップの4
辺全域に位置するタイプのものである。
Next, as another embodiment of the present invention, a lead frame in which the stage portion is held by four stage support bars 4 will be described. FIG. 5 is a plan view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged plan view of the vicinity of a stage portion showing still another embodiment of the present invention. In the lead frame 1 according to the present embodiment,
Rail parts 3 on which semiconductor chip mounting (die bonding) stages 2 are located on both sides of the lead frame 1.
3 is held via four stage support bars 4. Around the stage portion 2, a plurality of inner leads 5 that are wire-bonded to the semiconductor chip die-bonded to the stage portion 2 are provided. After this wire bonding, resin sealing (packaging) is performed. Then, after cutting the periphery of the lead frame 1, the inner lead 5 is bent. In this semiconductor device, the inner lead 5 is a semiconductor chip
It is a type that is located on all sides.

【0019】本実施例においては、図5に示すように、
リードフレーム1のステージ部2の半導体チップ搭載側
とは反対側のステージサポートバー4の表面と、これら
二対のステージサポートバー4を結ぶ直線のステージ部
2の表面とに、封止樹脂とステージサポートバー4ある
いはステージ部2との密着性を低下させる表面処理を施
している。この表面処理としては、上述した樹脂テー
プ、銀メッキ、酢酸処理などを適用することができる。
また、ステージ部2とステージサポートバー4との表面
処理を統一しなくとも良い。特に本実施例においては、
図5に示すように、二対のステージサポートバー4を結
ぶ2本の直線のステージ部2の表面に施した表面処理の
幅a,cをそれぞれ対応するステージサポートバーの幅
b,d以上としている。これは、ステージ部2に溜った
水分を毛細管現象等の理由によってステージサポートバ
ー4の方向に吸引し、水分の外部への排出効果をより高
めることを企図したものである。なお、本発明は、図5
に示す実施例にのみ限定されるものではなく、二対のス
テージサポートバー4を結ぶ2本の直線のステージ部2
の表面に施した表面処理の幅a,cをステージサポート
バーの幅b,dと等しく設定することもできる。
In this embodiment, as shown in FIG.
On the surface of the stage support bar 4 on the side opposite to the semiconductor chip mounting side of the stage portion 2 of the lead frame 1 and on the surface of the linear stage portion 2 connecting these two pairs of stage support bars 4, the sealing resin and the stage are provided. A surface treatment is performed to reduce the adhesion with the support bar 4 or the stage unit 2. As the surface treatment, the above-mentioned resin tape, silver plating, acetic acid treatment or the like can be applied.
Further, the surface treatments of the stage unit 2 and the stage support bar 4 do not have to be unified. Particularly in this embodiment,
As shown in FIG. 5, the widths a and c of the surface treatment applied to the surfaces of the two straight stage portions 2 connecting the two pairs of stage support bars 4 are set to be equal to or larger than the widths b and d of the corresponding stage support bars. There is. This is intended to suck the water accumulated in the stage portion 2 toward the stage support bar 4 due to a capillary phenomenon or the like to further enhance the effect of discharging the water to the outside. The present invention is shown in FIG.
However, the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. 2 and includes two linear stage portions 2 that connect two pairs of stage support bars 4.
It is also possible to set the widths a and c of the surface treatment applied to the surface of the same as the widths b and d of the stage support bar.

【0020】また、本実施例の半導体装置にあっては、
図5および図2に示すように、4本のステージサポート
バー4を結ぶ直線のステージ部2の中央に相当する封止
樹脂層7に凹部6を形成している。この凹部6は、半導
体装置をモールド成形した場合に半導体チップ8および
リードフレーム1のステージ部2を包含する封止樹脂層
7にステージ部2の裏面が露呈するように形成するもの
で、その形状は図5に示すような円状であっても、また
図6および図4に示すような十字状であっても良いが、
凹部6の内径は2本のステージサポートバー4,4を結
ぶ直線の幅a以上に構成することが好ましい。
In the semiconductor device of this embodiment,
As shown in FIGS. 5 and 2, the recess 6 is formed in the sealing resin layer 7 corresponding to the center of the straight stage portion 2 connecting the four stage support bars 4. The recess 6 is formed so that the back surface of the stage 2 is exposed to the sealing resin layer 7 including the semiconductor chip 8 and the stage 2 of the lead frame 1 when the semiconductor device is molded. May have a circular shape as shown in FIG. 5 or a cross shape as shown in FIGS. 6 and 4.
It is preferable that the inner diameter of the recess 6 is set to be equal to or larger than the width a of the straight line connecting the two stage support bars 4 and 4.

【0021】このように構成した本実施例にあっても、
ステージ部2の裏面中央に溜った水分を直接凹部6から
外部に排出する一方で、ステージ部2の周辺に溜った水
分をステージ部2の表面処理が施された部分と封止樹脂
との界面から、ステージサポートバー4と封止樹脂との
界面を通過して外部に排出することができる。なお、本
発明は上述した実施例のみに限定されるものではなく、
本発明の要旨を越えない限りにおいて種々に改変するこ
とができる。
Even in this embodiment having the above structure,
The water accumulated in the center of the back surface of the stage portion 2 is directly discharged from the recess 6 to the outside, while the water accumulated around the periphery of the stage portion 2 is an interface between the surface-treated portion of the stage portion 2 and the sealing resin. Therefore, it can be discharged to the outside through the interface between the stage support bar 4 and the sealing resin. The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments,
Various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ステ
ージ部の半導体チップ搭載側とは反対側のステージサポ
ートバーの表面と、これら一対のステージサポートバー
を結ぶ直線のステージ部表面とに、封止樹脂とステージ
サポートバーあるいはステージ部との密着性を低下させ
る表面処理を施すと共に、前記一対のステージサポート
バーを結ぶ直線のステージ部のほぼ中央に相当する封止
樹脂層に凹部を形成したため、ステージ部の裏面に溜っ
た水分を効率良く外部に排出することが可能となり、実
装時の熱影響によりステージ部裏面と封止樹脂との間に
生じるパッケージのクラックを確実に防止することがで
きる。また、一対のステージサポートバーを結ぶ直線の
ステージ部表面に施した表面処理の幅をステージサポー
トバーの幅以上とすれば、毛細管現象等の理由によって
水分の外部への排出効果がより高まることになる。
As described above, according to the present invention, the surface of the stage support bar on the side opposite to the semiconductor chip mounting side of the stage section and the straight surface of the stage section connecting the pair of stage support bars are formed. A surface treatment is performed to reduce the adhesion between the sealing resin and the stage support bar or the stage portion, and a concave portion is formed in the sealing resin layer corresponding to substantially the center of the straight stage portion connecting the pair of stage support bars. Therefore, it is possible to efficiently discharge the water accumulated on the back surface of the stage portion to the outside, and it is possible to reliably prevent the crack of the package between the back surface of the stage portion and the sealing resin due to the thermal influence during mounting. it can. In addition, if the width of the surface treatment applied to the straight surface of the stage connecting the pair of stage support bars is equal to or larger than the width of the stage support bar, the effect of discharging moisture to the outside is further enhanced due to the capillary phenomenon. Become.

【0023】さらに、半導体チップ搭載側のステージ部
およびステージサポートバーの表面に、封止樹脂とステ
ージ部あるいはステージサポートバーとの密着性を高め
る表面処理を施しておけば、封止樹脂が吸湿した水分は
ステージ部の裏面側のみに溜ることになり、これによっ
て半導体装置全体の水分を外部に排出することができ
る。また、このような本発明に係る半導体装置を製造す
るにあたり、モールド成形のキャビティを形成する金型
にステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面中
央に接する凸部を形成し、この凸部の先端面からステー
ジ部を真空吸引しながらモールド成形すれば、封止樹脂
層への凹部の形成と同時に、ステージ部の位置決めを精
度良く行うことができる。
Further, if the surface of the stage portion and the stage support bar on the semiconductor chip mounting side is subjected to a surface treatment for enhancing the adhesion between the sealing resin and the stage portion or the stage support bar, the sealing resin absorbs moisture. Moisture will be collected only on the back surface side of the stage portion, whereby the moisture of the entire semiconductor device can be discharged to the outside. Further, in manufacturing such a semiconductor device according to the present invention, a convex portion which is in contact with the center of the surface of the stage portion on the side opposite to the semiconductor chip mounting side is formed in the mold forming the molding cavity, and the convex portion is formed. If the stage part is molded by vacuum suction from the front end surface of the part, the stage part can be accurately positioned at the same time when the recess is formed in the sealing resin layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係るリードフレームを示す
平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施例に係る半導体装置の縦断面図であっ
て、図1のA−A線に相当する断面図である。
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of the semiconductor device according to the embodiment, which is a cross-sectional view corresponding to line AA of FIG.

【図3】本発明の他の実施例を示すステージ部近傍の拡
大平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view of the vicinity of a stage portion showing another embodiment of the present invention.

【図4】図3のB−B線に沿う断面図である。4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.

【図5】本発明の他の実施例に係るリードフレームを示
す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention.

【図6】本発明のさらに他の実施例を示すステージ部近
傍の拡大平面図である。
FIG. 6 is an enlarged plan view in the vicinity of a stage unit showing still another embodiment of the present invention.

【図7】本発明の半導体装置を製造する際のモールド工
程を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a molding step in manufacturing the semiconductor device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…リードフレーム 2…ステージ部 3…レール部 4…ステージサ
ポートバー 5…インナーリード 6…凹部 10…凸部
1 ... Lead frame 2 ... Stage part 3 ... Rail part 4 ... Stage support bar 5 ... Inner lead 6 ... Recessed part 10 ... Convex part

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも一対のステージサポートバー
を介して保持されたステージ部の表面に半導体チップを
搭載し、この半導体チップの周囲をモールド成形してな
る樹脂封止型の半導体装置において、上記ステージサポ
ートバーにおける半導体チップ搭載側とは反対側の表面
と、これら一対のステージサポートバーを結ぶ線上のス
テージ部表面とに、封止樹脂とステージサポートバーあ
るいはステージ部との密着性を低下させる表面処理を施
すと共に、上記一対のステージサポートバーを結ぶ線上
のステージ部の所定位置を外部に露出させるように、封
止樹脂層に凹部が形成してあることを特徴とする半導体
装置。
1. A resin-encapsulated semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted on the surface of a stage portion held through at least a pair of stage support bars, and the periphery of the semiconductor chip being molded. A surface treatment for reducing the adhesion between the sealing resin and the stage support bar or the stage part on the surface of the support bar on the side opposite to the semiconductor chip mounting side and the stage part surface on the line connecting the pair of stage support bars. And a recess is formed in the encapsulating resin layer so that a predetermined position of the stage portion on the line connecting the pair of stage support bars is exposed to the outside.
【請求項2】 少なくとも一対のステージサポートバー
を介して保持されたステージ部の表面に半導体チップを
搭載し、この半導体チップの周囲をモールド成形してな
る樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、 上記ステージサポートバーにおける半導体チップ搭載側
とは反対側の表面と、これら一対のステージサポートバ
ーを結ぶ線上のステージ部表面とに、封止樹脂とステー
ジサポートバーあるいはステージ部との密着性を低下さ
せる表面処理を施す工程と、 上記モールド成形に用いるキャビティを形成する金型
に、上記ステージ部における半導体チップ搭載側とは反
対側の表面に接する凸部を形成し、この凸部の先端面か
ら前記ステージ部を真空吸引しながらモールド成形する
工程とを有する半導体装置の製造方法。
2. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: mounting a semiconductor chip on a surface of a stage portion held via at least a pair of stage support bars; and molding the periphery of the semiconductor chip. , The adhesion between the sealing resin and the stage support bar or the stage part is reduced on the surface of the stage support bar on the side opposite to the semiconductor chip mounting side and the stage part surface on the line connecting the pair of stage support bars. In the step of performing the surface treatment, and in the mold for forming the cavity used for the molding, a convex portion that is in contact with the surface of the stage portion opposite to the semiconductor chip mounting side is formed, and from the tip surface of this convex portion A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of molding while vacuum suctioning the stage portion.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH07169824A (en) * 1993-12-13 1995-07-04 Anelva Corp Substrate heating and cooling mechanism
CN111376437A (en) * 2020-03-24 2020-07-07 环维电子(上海)有限公司 Double-sided plastic package mold and one-time double-sided plastic package method
CN111391221A (en) * 2020-03-24 2020-07-10 环维电子(上海)有限公司 Plastic packaging mold based on one-time double-sided plastic packaging technology, plastic packaging method and mold cleaning method thereof

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169824A (en) * 1993-12-13 1995-07-04 Anelva Corp Substrate heating and cooling mechanism
CN111376437A (en) * 2020-03-24 2020-07-07 环维电子(上海)有限公司 Double-sided plastic package mold and one-time double-sided plastic package method
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