JPH05295114A - フェニルキノクザリン‐コポリマー - Google Patents
フェニルキノクザリン‐コポリマーInfo
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- JPH05295114A JPH05295114A JP4335570A JP33557092A JPH05295114A JP H05295114 A JPH05295114 A JP H05295114A JP 4335570 A JP4335570 A JP 4335570A JP 33557092 A JP33557092 A JP 33557092A JP H05295114 A JPH05295114 A JP H05295114A
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- Japan
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- copolymer
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- phenylquinoxaline
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/0683—Polycondensates containing six-membered rings, condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C08G73/0694—Polycondensates containing six-membered rings, condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms with only two nitrogen atoms in the ring, e.g. polyquinoxalines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な熱的及び電気的特性を有する耐高熱性
有機誘電体の製造に使用することができ、かつその際無
毒性溶剤中で加工することのできるポリマーを提供す
る。 【構成】 一般式： 【化１】 ［式中Ｒ*は極性部分構造を表す］のフェニルキノクザ
リン−コポリマー並びにこれらのコポリマーを耐高熱性
誘電体を製造するのに使用する。
有機誘電体の製造に使用することができ、かつその際無
毒性溶剤中で加工することのできるポリマーを提供す
る。 【構成】 一般式： 【化１】 ［式中Ｒ*は極性部分構造を表す］のフェニルキノクザ
リン−コポリマー並びにこれらのコポリマーを耐高熱性
誘電体を製造するのに使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、極性部分構造を有する
フェニルキノクザリン−コポリマー並びにその用途に関
する。
フェニルキノクザリン−コポリマー並びにその用途に関
する。
【０００２】
【従来の技術】高い開閉速度を有する多層配線における
誘電体として使用されるポリフェニルキノクザリンは、
ポリイミドをベースとする従来の耐高熱性保護層及び絶
縁層（これに関しては「第３５回電子コンポーネント会
議（３５ｔｈ Ｅｌｅｃｔｒ−ｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎ
ｅｎｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）」、ワシントン（米
国）、１９８５年５月２０日〜２２日の議事録、第１９
２〜１９８頁参照）に比べて良好な熱的及び電気的特性
を有する（これに関しては「ポリイミドに関する第１回
ヨーロッパ技術シンポジウム（Ｆｉｒｓｔ Ｅｕｒｏｐ
ｅａｎ Ｔｅｃ−ｈｎｉｃａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）」、モンペリエール、１
９８９年５月１０日〜１１日、議事録、第１巻、第Ｂ−
２／１〜Ｂ２／１２頁参照）。その際必要とされる薄膜
にポリマーを加工するには、このポリマーが製造工程に
おいて環境問題と抵触せずに使用できるように、溶剤に
可溶性でなければならない。他の要件としてはこのポリ
マー層がマイクロ電子工学分野に使用される基板に良好
に接着しなければならないことである。しかしこの２つ
の要件はいずれもポリフェニルキノクザリンによっては
決して満たされるものではない。すなわちこれらのポリ
マーはクレゾールのような毒性の顕著なフェノール性溶
剤又は塩素化された炭化水素にのみ可溶性であり、酸化
珪素及び窒化珪素のような典型的な半導体表面には十分
な接着性を示さない。
誘電体として使用されるポリフェニルキノクザリンは、
ポリイミドをベースとする従来の耐高熱性保護層及び絶
縁層（これに関しては「第３５回電子コンポーネント会
議（３５ｔｈ Ｅｌｅｃｔｒ−ｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎ
ｅｎｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）」、ワシントン（米
国）、１９８５年５月２０日〜２２日の議事録、第１９
２〜１９８頁参照）に比べて良好な熱的及び電気的特性
を有する（これに関しては「ポリイミドに関する第１回
ヨーロッパ技術シンポジウム（Ｆｉｒｓｔ Ｅｕｒｏｐ
ｅａｎ Ｔｅｃ−ｈｎｉｃａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）」、モンペリエール、１
９８９年５月１０日〜１１日、議事録、第１巻、第Ｂ−
２／１〜Ｂ２／１２頁参照）。その際必要とされる薄膜
にポリマーを加工するには、このポリマーが製造工程に
おいて環境問題と抵触せずに使用できるように、溶剤に
可溶性でなければならない。他の要件としてはこのポリ
マー層がマイクロ電子工学分野に使用される基板に良好
に接着しなければならないことである。しかしこの２つ
の要件はいずれもポリフェニルキノクザリンによっては
決して満たされるものではない。すなわちこれらのポリ
マーはクレゾールのような毒性の顕著なフェノール性溶
剤又は塩素化された炭化水素にのみ可溶性であり、酸化
珪素及び窒化珪素のような典型的な半導体表面には十分
な接着性を示さない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、良好
な熱的及び電気的特性を有する耐高熱性の有機誘電体の
製造に使用でき、かつその際無毒性の溶剤中で加工する
ことのできるポリマーを提供することにある。
な熱的及び電気的特性を有する耐高熱性の有機誘電体の
製造に使用でき、かつその際無毒性の溶剤中で加工する
ことのできるポリマーを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、以下の一般式の極性部分構造を有するフェニルキノ
クザリン−コポリマーにより解決される。
り、以下の一般式の極性部分構造を有するフェニルキノ
クザリン−コポリマーにより解決される。
【化７】 ［式中ｍ＝０又は１及びｎ＝１〜１０を表し、Ｘは以下
を表す：
を表す：
【化８】 ［式中ｐ＝１〜１８及びｑ＝１〜１０、及びＺ＝１〜１
０個のＣ原子を有するアルキル又はアリールを表す］
０個のＣ原子を有するアルキル又はアリールを表す］
【化９】 ［式中Ｑ＝Ｈ又はＯＲ″を表すが、その際Ｒ″は水素
（Ｈ）又はオレフィン不飽和基であり、またその際ＣＯ
基と隣接する芳香族基の基Ｒ′はＣＯＯＨ基であってよ
く、
（Ｈ）又はオレフィン不飽和基であり、またその際ＣＯ
基と隣接する芳香族基の基Ｒ′はＣＯＯＨ基であってよ
く、
【化１０】 その際Ｒは以下のものを表す：
【化１１】
【０００５】
【作用】本発明によるコポリマーは、フェニルキノクザ
リン構造の他に、オキサゾリン（１）、イミド（１）、
イミダゾリン（２）及びいわゆるピロン（３）、すなわ
ちイミダゾピロンの前駆物質を極性部分構造を有する共
成分として有している。これらのコポリマーは、ポリフ
ェニルキノクザリンの良好な熱的及び電気的特性を十分
に維持しながら、γ−ブチルラクトン及びＮ−メチルピ
ロリドンのような従来の無毒性溶剤中で良好な可溶性を
示し、また酸化珪素及び窒化珪素のような半導体基板に
良好な接着性を示す。無毒性溶剤中での加工可能性及び
半導体基板への改善された接着性は極性部分構造の導入
により達成される。
リン構造の他に、オキサゾリン（１）、イミド（１）、
イミダゾリン（２）及びいわゆるピロン（３）、すなわ
ちイミダゾピロンの前駆物質を極性部分構造を有する共
成分として有している。これらのコポリマーは、ポリフ
ェニルキノクザリンの良好な熱的及び電気的特性を十分
に維持しながら、γ−ブチルラクトン及びＮ−メチルピ
ロリドンのような従来の無毒性溶剤中で良好な可溶性を
示し、また酸化珪素及び窒化珪素のような半導体基板に
良好な接着性を示す。無毒性溶剤中での加工可能性及び
半導体基板への改善された接着性は極性部分構造の導入
により達成される。
【０００６】本発明に基づくコポリマーは約４００℃に
加熱した場合環化し、ベンズオキサゾール、イミド、ベ
ンズイミダゾール及びピロンの部分構造を形成しながら
全ての有機性溶剤に不溶性となる。その際驚くべきこと
には環化後ポリフェニルキノクザリンの良好な熱的及び
電気的特性スペクトルはそのままである。従ってこれら
のコポリマーは特に耐高熱性誘電体の製造に適してい
る。更にポリイミドに比べてその膜厚の削減は単に１０
〜２０％であり、従って明らかにポリイミドの３０〜５
０％の削減より低いことは利点である。
加熱した場合環化し、ベンズオキサゾール、イミド、ベ
ンズイミダゾール及びピロンの部分構造を形成しながら
全ての有機性溶剤に不溶性となる。その際驚くべきこと
には環化後ポリフェニルキノクザリンの良好な熱的及び
電気的特性スペクトルはそのままである。従ってこれら
のコポリマーは特に耐高熱性誘電体の製造に適してい
る。更にポリイミドに比べてその膜厚の削減は単に１０
〜２０％であり、従って明らかにポリイミドの３０〜５
０％の削減より低いことは利点である。
【０００７】更に本発明によるコポリマーは、光反応性
基の導入により、例えばＯＨ、ＮＨ2 又はＣＯＯＨ基を
含む不飽和エポキシドを加えることにより感光性前駆物
質を作り得る利点を有する。その際Ｒ″は有利には以下
のオレフィン不飽和基を表す：
基の導入により、例えばＯＨ、ＮＨ2 又はＣＯＯＨ基を
含む不飽和エポキシドを加えることにより感光性前駆物
質を作り得る利点を有する。その際Ｒ″は有利には以下
のオレフィン不飽和基を表す：
【化１２】 ［式中Ａ＝−ＣＨ2−及び−ＣＨ2−Ｏ−［−（ＣＨ2）S
−Ｏ］t−（ＣＨ2）3−、Ｄ＝Ｈ、ＣＨ3、Ｃｌ、Ｂｒ及
びＣＮ、及びｓ＝２〜１６、ｔ＝１〜１０を表す］
−Ｏ］t−（ＣＨ2）3−、Ｄ＝Ｈ、ＣＨ3、Ｃｌ、Ｂｒ及
びＣＮ、及びｓ＝２〜１６、ｔ＝１〜１０を表す］
【０００８】上述したように本発明によるコポリマーは
ベンズオキサゾール、イミド、ベンズイミダゾール又は
ピロンの構造を有するコポリマーに環化する。これらの
コポリマーは例えば以下の構造を有する：
ベンズオキサゾール、イミド、ベンズイミダゾール又は
ピロンの構造を有するコポリマーに環化する。これらの
コポリマーは例えば以下の構造を有する：
【化１３】 ［式中Ｒ*は以下のものを表す：
【化１４】
【０００９】その際イミド構造を有するコポリマーを製
造する場合、その出発コポリマー中に、ＣＯ−ＮＨ基と
隣接する芳香族基の基Ｒ′はＣＯＯＨ基であるべきであ
る。これはこの場合芳香族基はＨ、Ｆ又はＣｌである２
個の基Ｒ′のみを有していることを意味する。
造する場合、その出発コポリマー中に、ＣＯ−ＮＨ基と
隣接する芳香族基の基Ｒ′はＣＯＯＨ基であるべきであ
る。これはこの場合芳香族基はＨ、Ｆ又はＣｌである２
個の基Ｒ′のみを有していることを意味する。
【００１０】
【実施例】本発明を実施例に基づき以下に詳述する。
【００１１】例 １ フェニルキノクザリン及びベンズオキサゾール前駆物質
からのコポリマー オキシジベンジル（１モル）を３，４−ジアミノ安息香
酸（２モル）と縮合することによりフェニルキノクザリ
ン単位を有するジカルボン酸を得る。このジカルボン酸
から相応する酸クロリドを作る。それには塩化チオニル
を用いてもよい。引続きジカルボン酸クロリドを３，
３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル
（１モル）でフェニルキノクザリン単位並びにｏ−ヒド
ロキシ−アミド基（−ＣＯ−ＮＨ−）を有するコポリマ
ーに変換する。このポリマーの製造はまたいわゆる塩化
物を含まない合成によっても行い得る（これに関しては
欧州特許出願公開第０３９１１９６号明細書参照）。
からのコポリマー オキシジベンジル（１モル）を３，４−ジアミノ安息香
酸（２モル）と縮合することによりフェニルキノクザリ
ン単位を有するジカルボン酸を得る。このジカルボン酸
から相応する酸クロリドを作る。それには塩化チオニル
を用いてもよい。引続きジカルボン酸クロリドを３，
３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル
（１モル）でフェニルキノクザリン単位並びにｏ−ヒド
ロキシ−アミド基（−ＣＯ−ＮＨ−）を有するコポリマ
ーに変換する。このポリマーの製造はまたいわゆる塩化
物を含まない合成によっても行い得る（これに関しては
欧州特許出願公開第０３９１１９６号明細書参照）。
【００１２】このコポリマーの溶液から塗膜が作られる
が、これは約４００℃での熱処理に際し水を分離し、ｏ
−ヒドロキシ−アミド基をベンズオキサゾール構造に環
化する。
が、これは約４００℃での熱処理に際し水を分離し、ｏ
−ヒドロキシ−アミド基をベンズオキサゾール構造に環
化する。
【００１３】例 ２ フェニルキノクザリン及びイミド前駆物質からのコポリ
マー 例１と同様にして行うが、その際３，４−ジアミノ安息
香酸の代わりに４，５−ジアミノフタル酸をまた３，
３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニルの
代わりに４，４′−ジアミノビフェニルを用いる。その
際テトラカルボン酸又は中間段階として相応する酸クロ
リドを介してフェニルキノクザリン単位及びｏ−カルボ
キシ−アミド基（−ＣＯ−ＮＨ−）を有するコポリマー
が得られ、これは約４００℃の温度で熱処理でイミド構
造に環化される。
マー 例１と同様にして行うが、その際３，４−ジアミノ安息
香酸の代わりに４，５−ジアミノフタル酸をまた３，
３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニルの
代わりに４，４′−ジアミノビフェニルを用いる。その
際テトラカルボン酸又は中間段階として相応する酸クロ
リドを介してフェニルキノクザリン単位及びｏ−カルボ
キシ−アミド基（−ＣＯ−ＮＨ−）を有するコポリマー
が得られ、これは約４００℃の温度で熱処理でイミド構
造に環化される。
【００１４】４，４′−ジアミノビフェニルの代わりに
３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニ
ルを使用すると、同様の方法でヒドロキシイミド構造を
有するコポリマーが得られる。
３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニ
ルを使用すると、同様の方法でヒドロキシイミド構造を
有するコポリマーが得られる。
【００１５】例 ３ フェニルキノクザリン及びベンズイミダゾール前駆物質
からのコポリマー オキシジベンジル及びイソフタルアルデヒド（モル比
１：１）をＮ−メチルピロリドンのような適当な溶剤中
で二重分子量の３，３′、４，４′−テトラアミノビフ
ェニルと縮合することによりフェニルキノクザリン単位
並びにｏ−アミノ−アゾメチン基（−Ｎ＝ＣＨ−）を有
する可溶性コポリマーが得られる。
からのコポリマー オキシジベンジル及びイソフタルアルデヒド（モル比
１：１）をＮ−メチルピロリドンのような適当な溶剤中
で二重分子量の３，３′、４，４′−テトラアミノビフ
ェニルと縮合することによりフェニルキノクザリン単位
並びにｏ−アミノ−アゾメチン基（−Ｎ＝ＣＨ−）を有
する可溶性コポリマーが得られる。
【００１６】このコポリマーは薄膜に加工することがで
きる。約４００℃でポリマーの薄膜を熱処理するとｏ−
アミノ−アゾメチン基はベンズイミダゾール構造に環化
する。
きる。約４００℃でポリマーの薄膜を熱処理するとｏ−
アミノ−アゾメチン基はベンズイミダゾール構造に環化
する。
【００１７】例 ４ フェニルキノクザリン及びピロン前駆物質からのコポリ
マー ３，３′、４，４′−テトラアミノビフェニル及びベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物をモル比６：１で
ｏ−ジアミノ官能基を末端に有するオリゴマーのアミド
カルボン酸に変換する。引続きこのアミドカルボン酸を
オキシジベンジルとモル比６：５でフェニルキノクザリ
ン単位並びにｏ−アミノ−ｏ′−カルボキシ−アミド基
（−ＣＯ−ＮＨ−）を有するコポリマーに縮合する。
マー ３，３′、４，４′−テトラアミノビフェニル及びベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物をモル比６：１で
ｏ−ジアミノ官能基を末端に有するオリゴマーのアミド
カルボン酸に変換する。引続きこのアミドカルボン酸を
オキシジベンジルとモル比６：５でフェニルキノクザリ
ン単位並びにｏ−アミノ−ｏ′−カルボキシ−アミド基
（−ＣＯ−ＮＨ−）を有するコポリマーに縮合する。
【００１８】このポリマーから作られる薄膜は約４００
℃で熱処理する際に水を分離するが、その際ｏ−アミノ
−ｏ′−カルボキシ−アミド基はピロン構造に環化され
る。
℃で熱処理する際に水を分離するが、その際ｏ−アミノ
−ｏ′−カルボキシ−アミド基はピロン構造に環化され
る。
【００１９】上述のコポリマーはすべてジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド
及びＮ−メチルピロリドンのような極めて極性の強い溶
剤に極めて可溶性である。Ｎ−メチルピロリドンに入れ
たコポリマーの溶液で行われる、例えばシリコンウェハ
の基板の被覆は遠心分離により行われた。この塗膜を約
７０℃で１時間乾燥し、引続き約４００℃で１時間熱処
理した。
アミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド
及びＮ−メチルピロリドンのような極めて極性の強い溶
剤に極めて可溶性である。Ｎ−メチルピロリドンに入れ
たコポリマーの溶液で行われる、例えばシリコンウェハ
の基板の被覆は遠心分離により行われた。この塗膜を約
７０℃で１時間乾燥し、引続き約４００℃で１時間熱処
理した。
【００２０】フェニルキノクザリン−ポリマーとは異な
りこのコポリマーの場合熱処理の際に膜厚の損失が生じ
る。それというのもこの場合部分的に環化されないプレ
ポリマー単位が存在し、これは熱処理（４００℃／時
間）により初めて耐高熱性構造に転化されるからであ
る。その際生じる容量収縮はポリイミドの３０〜５０％
に対して明らかに１０〜２０％少ない。
りこのコポリマーの場合熱処理の際に膜厚の損失が生じ
る。それというのもこの場合部分的に環化されないプレ
ポリマー単位が存在し、これは熱処理（４００℃／時
間）により初めて耐高熱性構造に転化されるからであ
る。その際生じる容量収縮はポリイミドの３０〜５０％
に対して明らかに１０〜２０％少ない。
【００２１】本発明に基づくコポリマーはポリイミドに
比べて高い熱安定性において極めて優れている。すなわ
ち５００℃以上の温度で初めて重量減少が起こる。熱挙
動は熱重量分析で検出されたが、その際１０℃／分の加
熱率で室温から７００℃に加熱し、その際重量損失が記
録された。
比べて高い熱安定性において極めて優れている。すなわ
ち５００℃以上の温度で初めて重量減少が起こる。熱挙
動は熱重量分析で検出されたが、その際１０℃／分の加
熱率で室温から７００℃に加熱し、その際重量損失が記
録された。
【００２２】本発明によるコポリマーは極めて良好な絶
縁性を有しており、以下の電気的固有値が測定された。
縁性を有しており、以下の電気的固有値が測定された。
【００２３】
【表１】コポリマー ε ｔａｎｇδ・１０3 ρ（Ωｃｍ） 例 １ ３．０３ １．３ １．３・１０18 例 ３ ３．３３ ３．２５ ７・１０17 例 ４ ３．０８ ２．０ １．６・１０18
【００２４】誘電性の測定は２５℃（大気中湿度０％）
で１ｋＨｚの測定周波数での容量測定により行われた。
その際ポリマー薄膜をＣｒ／Ｎｉ被覆されたシリコンウ
ェハ上に施し、対電極として金膜を蒸着した。膜厚は約
６μｍであった。
で１ｋＨｚの測定周波数での容量測定により行われた。
その際ポリマー薄膜をＣｒ／Ｎｉ被覆されたシリコンウ
ェハ上に施し、対電極として金膜を蒸着した。膜厚は約
６μｍであった。
【００２５】
【発明の効果】本発明に基づくコポリマーは熱的及び誘
電的固有値に関しフェニルキノクザリン−ポリマーに類
似する挙動を示す。これらのコポリマーはなおその上に
その可溶性のＯＨ、ＮＨ2 及びＣＯＯＨ基によってγ−
ブチロラクトン及びＮ−メチルピロリドンのような無毒
性溶剤に良好な可溶性を示す。また同時にコポリマー中
の極性基はＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4のような基板表面上の
接着性の一層良好な改善をもたらす。
電的固有値に関しフェニルキノクザリン−ポリマーに類
似する挙動を示す。これらのコポリマーはなおその上に
その可溶性のＯＨ、ＮＨ2 及びＣＯＯＨ基によってγ−
ブチロラクトン及びＮ−メチルピロリドンのような無毒
性溶剤に良好な可溶性を示す。また同時にコポリマー中
の極性基はＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4のような基板表面上の
接着性の一層良好な改善をもたらす。
【００２６】更に本発明によるコポリマーは容易に光構
造化される利点を有する。光構造化は間接的にＯ2 ／Ｒ
ＩＥにより二層法で行われるか又は直接感光性に調整さ
れた前駆物質で行ってもよい。その際増感剤及び／又は
光開始剤を有する化学的に結合された光反応性基を有す
るコポリマーからなる混合物を使用するが、その際ポジ
又はネガ構造化を有利には＞４００ｎｍの波長を有する
光線によって行う。増感剤としては例えば慣用のポジ型
レジストに使用されているようなジアゾキノン又はジア
ゾケトンをベースとする化合物を使用してもよい。
造化される利点を有する。光構造化は間接的にＯ2 ／Ｒ
ＩＥにより二層法で行われるか又は直接感光性に調整さ
れた前駆物質で行ってもよい。その際増感剤及び／又は
光開始剤を有する化学的に結合された光反応性基を有す
るコポリマーからなる混合物を使用するが、その際ポジ
又はネガ構造化を有利には＞４００ｎｍの波長を有する
光線によって行う。増感剤としては例えば慣用のポジ型
レジストに使用されているようなジアゾキノン又はジア
ゾケトンをベースとする化合物を使用してもよい。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式： 【化１】 ［式中ｍ＝０又は１及びｎ＝１〜１０を表し、Ｘは以下
を表す： 【化２】 ［式中ｐ＝１〜１８及びｑ＝１〜１０、及びＺ＝１〜１
０個のＣ原子を有するアルキル又はアリールを表す］ 【化３】 ［式中Ｑ＝Ｈ又はＯＲ″を表すが、その際Ｒ″は水素
（Ｈ）又はオレフィン不飽和基であり、またその際ＣＯ
基と隣接する芳香族基の基Ｒ′はＣＯＯＨ基であってよ
く、 【化４】 その際Ｒは以下のものを表す： 【化５】 の極性部分構造を有するフェニルキノクザリン−コポリ
マー。 - 【請求項２】 Ｒ″が以下のものを表す： 【化６】 ［式中Ａ＝−ＣＨ2−及び−ＣＨ2−Ｏ−［−（ＣＨ2）S
−Ｏ］t−（ＣＨ2）3−、Ｄ＝Ｈ、ＣＨ3、Ｃｌ、Ｂｒ及
びＣＮ、及びｓ＝２〜１６、ｔ＝１〜１０を表す］こと
を特徴とする請求項１記載のフェニルキノクザリン−コ
ポリマー。 - 【請求項３】 耐高熱性誘電体を製造するのに使用する
ことを特徴とする請求項１又は２記載のフェニルキノク
ザリン−コポリマー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4138862.3 | 1991-11-26 | ||
| DE4138862 | 1991-11-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05295114A true JPH05295114A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=6445621
Family Applications (1)
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