JPH0529501A - 半導体冷却装置 - Google Patents

半導体冷却装置

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Publication number
JPH0529501A
JPH0529501A JP18624391A JP18624391A JPH0529501A JP H0529501 A JPH0529501 A JP H0529501A JP 18624391 A JP18624391 A JP 18624391A JP 18624391 A JP18624391 A JP 18624391A JP H0529501 A JPH0529501 A JP H0529501A
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JP
Japan
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heat
semiconductor
semiconductor chip
conductive member
cooling device
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Withdrawn
Application number
JP18624391A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Matsumoto
一宏 松本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH0529501A publication Critical patent/JPH0529501A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】外部よりの衝撃や振動から配線基板に実装され
た半導体チップを保護すると共に、半導体冷却装置の放
熱性を向上させる。 【構成】この半導体冷却装置は、配線基板1に実装され
ている半導体チップ2の放熱面に近接配置され、この放
熱面に対して垂直方向に孔5を有するヒートシンク4
と、ヒートシンク4の孔5に軸方向に移動自在に配置さ
れ、かつ一端が半導体チップ2の放熱面に当接される伝
熱性部材6と、伝熱性部材6を半導体チップ2側に付勢
するバネとを備え、ヒートシンク4の孔5の上方に蓋7
を設けてこの蓋7には、孔5に連通する圧力逃し機構1
2を設け、蓋7と伝熱性部材6間の空間8に伝熱性流体
9を充填した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば配線基板に実
装された半導体チップなどの発熱部品の放熱を行うため
に用いられる半導体冷却装置に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、半導体チップを複数搭載したマル
チチップモジュールなどには、半導体チップの放熱を行
うための半導体冷却装置が具備されている。このような
半導体冷却装置として特開平2-156658号公報では、発熱
部品にたる型のピストンを押しつけてヒートシンクなど
へ逃がす方式の熱伝導モジュールが開示されている。
【0003】ここで、上述した従来の半導体冷却装置に
ついて説明する。
【0004】図5は従来の半導体冷却装置を示す断面
図、図6は図5の部分拡大図である。同図において、5
1は配線基板である。この配線基板51には、フリップ
チップ法などにより複数の半導体チップ52がバンプ5
3を介して実装されている。これら半導体チップ52
は、発熱する面が上方に向けられている。
【0005】この半導体チップ52と近接してヒートシ
ンク54が配置されている。このヒートシンク54に
は、半導体チップ52の放熱面に対して垂直方向に孔5
5が設けられている。この孔55には、軸方向に移動自
在に円柱状の伝熱性部材56が配置されている。この伝
熱性部材56は一端が半導体チップ52の放熱面に当接
されている。
【0006】一方、ヒートシンク54の孔55の底面5
7と伝熱性部材56間には、空間58が形成されてお
り、半導体チップ52側に伝熱性部材56を付勢するバ
ネ59が取り付けられている。またヒートシンク54の
上方には、水冷式あるいは空冷式の放熱手段、例えば冷
媒菅60などが密接配置されている。
【0007】この半導体冷却装置では、伝熱性部材56
は、バネ59の付勢により半導体チップ52に当接され
ており、個々の半導体チップ52には、適度な接触圧力
が与えられるようになっている。
【0008】また、半導体チップ52に発生した熱の放
熱経路としては、伝熱性部材56の一端が半導体チップ
52に当接されており、この一端より伝熱性部材56が
熱を受け、この熱を自身の側壁と接触するヒートシンク
54の孔55の内壁よりヒートシンク54側に伝熱し、
さらにヒートシンク54が上方の冷媒菅60に熱を伝え
る。そして冷媒菅60は管内に循環させている液体と共
に、この熱を外部へ放出する。
【0009】しかしながら、上記した半導体冷却装置で
は、外部より何らかの強い衝撃や振動が加えられた場
合、バネ59の機械的収縮では、これらの力を吸収でき
なくなり、バンプ53や半導体チップ52に許容限界以
上の力が働くようになるため、配線基板51上のバンプ
53や半導体チップ52を損傷あるいは破壊させていま
うこともある。特にベアチップ実装方式で実装した半導
体チップ52などにこの半導体冷却装置を用いた場合、
半導体チップ52はキャリアに実装されていないため、
バンプ53が脱落したり、半導体チップ52にクラック
が入るなど、最悪の場合は半導体チップ52が割れてし
まうという危険性がある。
【0010】また、構造上、伝熱性部材56の上方はバ
ネ59の取り付け空間となっており放熱経路として使え
ない。したがって、伝熱性部材56は自身の側壁でしか
熱を逃がすことができない(矢印A)。このため、放熱
経路は横方向へ冗長され結果的に熱抵抗の増大を招いて
いた。
【0011】また、上述した半導体冷却装置の他に、実
装したチップ間の高さ方向のばらつきを吸収するための
クッション材として伝熱性シートを半導体チップと伝熱
性部材との間に挟む構成の半導体冷却装置が考案されて
いる。この場合も伝熱性シートの熱抵抗は、接触圧力に
依存する率が高く、小さい熱抵抗を得ようとすれば接触
圧力を高くする必要があり、配線基板上のすべての半導
体チップに対して均一に接触圧力を加えることは難し
い。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
バネを用いた半導体冷却装置では、衝撃や振動によりバ
ンプや発熱部品が損傷を受けたり、伝熱性部材の上方の
空間を放熱に使えないという欠点があった。また、伝熱
性シートを用いた半導体冷却装置では、配線基板上のす
べての発熱部品に対して接触圧力を均一に加えることは
難しい。
【0013】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、衝撃や振動から発熱部品を保護できる
と共に、放熱性のよい半導体冷却装置を提供することを
目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体冷却装
置は、上記した目的を達成するために、放熱面を有する
発熱部品と、前記発熱部品の放熱面に近接配置され、該
放熱面に対して垂直方向に孔を有する放熱体と、前記放
熱体の孔に軸方向に移動自在に配置され、かつ一端を前
記発熱部品の放熱面に当接される伝熱性部材と、前記放
熱体の孔の底面と前記伝熱性部材間に配設され、前記発
熱部品側に前記伝熱性部材を付勢する付勢手段とを備え
た半導体冷却装置において、前記孔の底面と前記伝熱性
部材間に形成された空間に伝熱性流体を充填すると共
に、前記放熱体に前記空間に連通する圧力逃し機構を設
けたことを特徴としている。
【0015】
【作用】本発明では、発熱部品に発生した熱は、伝熱性
部材の側壁からだけでなく軸方向の一端からも伝熱性流
体を通じて放熱される。また、個々の半導体チップに対
する伝熱性部材の接触圧力は、圧力逃し機構により均一
に保たれる。
【0016】この結果、伝熱性部材と放熱体との熱抵抗
が小さくなり半導体冷却装置全体としての放熱性が向上
する。また万一、半導体チップに衝撃が加わった場合で
も圧力逃し機構が働き、バンプの脱落や半導体チップの
クラック、割れなどを未然に防止することができる。
【0017】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。
【0018】図1は本発明の半導体冷却装置を空冷方式
で用いた場合の一実施例の断面図、図2は図1の部分拡
大図である。
【0019】同図において、1は配線基板である。この
配線基板1には、フリップチップ法などにより発熱部品
として複数の半導体チップ2がバンプ3を介して実装さ
れており、半導体チップ2の発熱面は上方に向けられて
いる。この半導体チップ2と近接して半導体チップ2の
上方には、放熱体としてのヒートシンク4が配置されて
いる。このヒートシンク4には、半導体チップ2の放熱
面に対して垂直方向に孔5が設けられている。この孔5
には、軸方向に移動自在に円柱状の伝熱性部材6が配置
されている。この伝熱性部材6は一端が半導体チップ2
の放熱面に当接されている。
【0020】さらに、ヒートシンク4の孔5の上方(従
来例でいう底面部分)には、蓋7が配設されており、こ
の蓋7は伝熱性部材6およびヒートシンク4と同様に伝
熱性を有することが望ましい。また、この蓋7と伝熱性
部材6間には、空間8が形成されており伝熱性流体9が
充填されている。この伝熱性流体9は、例えば水、油な
どが用いられ、その他熱伝導性の高いフロロカーボンな
どを用いてもよい。この伝熱性流体9の漏洩を防ぐた
め、ヒートシンク4と伝熱性部材6の間には、Oリング
10が取り付けられている。また、ヒートシンク4に
は、空冷式あるいは水冷式、例えばフィン11(空冷
式)が取り付けられている。
【0021】一方、蓋7には、空間8に連通する圧力逃
し機構12が設けられている。この圧力逃し機構12
は、付勢手段としてのバネ13と、バネ13の一端に取
り付けられたボール14と、伝熱性流体9を逃がすため
の流体溜15から構成されている。
【0022】この半導体冷却装置では、半導体チップ2
で発生した熱(半導体チップによっては70℃〜75℃まで
上昇するものもある)は、伝熱性部材6の一端よりヒー
トシンク4へ伝えられる。このとき、一部の熱は伝熱性
部材6の側壁からヒートシンク4へ伝わり、残りの熱は
軸方向に向かって伝わり伝熱性流体9を通って蓋7ある
いはヒートシンク4へと伝わっていく(矢印B)。
【0023】また、半導体チップ2に対する伝熱性部材
6の接触圧力は、通常、圧力逃し機構12のバネ13の
付勢により一定に保持されており、伝熱性部材6の移動
量に応じて圧力逃し機構12が働く。
【0024】例えば、半導体チップ2が配線基板1に実
装された段階で、個々の半導体チップ2に微小な高さば
らつきが生じた場合、個々の半導体チップ2の高さだけ
伝熱性部材6は軸方向に押し戻されるが、このときの圧
力はごく小さいため、伝熱性流体9を介してボール14
を微小に押し戻しバネ13を少し縮ませるだけで、伝熱
性部材6の接触圧力としては変化を生じさせない。つま
り、伝熱性部材6の微小な移動量では、この圧力逃し機
構12はバネ13によって圧力を吸収する。
【0025】また、例えば、半導体チップ2に機械的な
衝撃や振動などにより過大な力が加わった場合、伝熱性
部材6の移動量が大きくなり、この移動量に比例してボ
ール14は大きく押し戻されて、流体溜15の入路位置
にかかる。すると伝熱性流体9は、これ以上ボール14
を押し戻すのを止めて流体溜15に流れ込むようにな
る。つまり、伝熱性部材6の大きな移動量では、この圧
力逃し機構12は伝熱性流体9が流体溜15に流れ込む
ことによって過大な力を吸収する。しかも、バネ13に
よる付勢は変わらずに続き伝熱性部材6の接触圧力は一
定に保持される。このように本実施例の半導体冷却装置
によれば、半導体チップ2で発生した熱を伝熱性部材6
の側壁からのみでなく、軸方向の上部一端からも逃すこ
とができる。また、半導体チップ2には、一定以上の力
が加わらずバンプ3の破壊や半導体チップ2のクラッ
ク、割れなどの危険から半導体チップ2を保護すること
ができる。
【0026】次に、本発明の他の実施例について図3お
よび図4を参照して説明する。
【0027】これら図3および図4図の実施例は、図2
に示した実施例の一部構成を変形した例である。
【0028】図3の実施例は上述した半導体冷却装置を
水冷式とした例である。すなわち、図2で示したフィン
11に変えてヒートシンク31上方には、冷媒菅32を
密接配置している。この冷媒菅32には、冷媒として水
33などが用いられている。また、この冷媒菅32に
は、水33の出入り口が設けられている。
【0029】この半導体冷却装置は冷媒菅32の出入り
口を通じて水33の循環を行うことが可能であるため熱
交換が即座にできる。この結果、上述した実施例(フィ
ン11)に比較して放熱性が飛躍的に向上されている。
したがって、この半導体冷却装置は、特に高温となる半
導体チップに対して有効に用いることができる。
【0030】また、図4の実施例は図2で示した伝熱性
部材6を加工した例である。
【0031】同図に示すように、ヒートシンク41の孔
42には、一端に孔43を設けた伝熱性部材44が配置
されている。また、伝熱性流体45は、この孔43を含
む空間46を満たすように充填されている。
【0032】この半導体冷却装置では、図2で示した実
施例(穴を設けていない伝熱性部材6)に比較して、伝
熱性流体45の容量が多くなると共に、半導体チップ4
7に加わる伝熱性部材44の荷重が軽減されている。
【0033】この実施例によれば、半導体チップ48の
熱による伝熱性流体45の対流が活発になり、ヒートシ
ンク41への熱の伝導を促進させることができる。
【0034】
【発明の効果】本発明の半導体冷却装置によれば、外部
よりの衝撃や振動から配線基板に実装した発熱部品を保
護することができる。また、半導体冷却装置自身の放熱
性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体冷却装置の一実施例の断面図で
ある。
【図2】図1の半導体冷却装置を説明するための拡大図
である。
【図3】本発明の他の実施例の断面図てある。
【図4】本発明の他の実施例の断面図てある。
【図5】従来の半導体冷却装置の一例を示す断面図であ
る。
【図6】従来の半導体冷却装置の他の例を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
1…………………配線基板 2、47…………半導体チップ 4、31、41…ヒートシンク 5、42…………ヒートシンクの孔 6、44…………伝熱性部材 7…………………蓋 8…………………空間 9、45…………伝熱性流体 12………………圧力逃し機構

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 放熱面を有する発熱部品と、前記発熱部
    品の放熱面に近接配置され、該放熱面に対して垂直方向
    に孔を有する放熱体と、前記放熱体の孔に軸方向に移動
    自在に配置され、かつ一端を前記発熱部品の放熱面に当
    接される伝熱性部材と、前記放熱体の孔の底面と前記伝
    熱性部材間に配設され、前記発熱部品側に前記伝熱性部
    材を付勢する付勢手段とを備えた半導体冷却装置におい
    て、 前記孔の底面と前記伝熱性部材間に形成された空間に伝
    熱性流体を充填すると共に、前記放熱体に前記空間に連
    通する圧力逃し機構を設けたことを特徴とする半導体冷
    却装置。
JP18624391A 1991-07-25 1991-07-25 半導体冷却装置 Withdrawn JPH0529501A (ja)

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JP18624391A JPH0529501A (ja) 1991-07-25 1991-07-25 半導体冷却装置

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JP (1) JPH0529501A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114553A (en) * 1997-12-16 2000-09-05 Nippon Shokubai Co., Ltd. Silver catalyst for production of ethylene oxide, method for production thereof, and method for production of ethylene oxide
JP2014120594A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Fujitsu Ltd 冷却装置及びその製造方法並びに電子部品
US9913361B2 (en) 2016-01-06 2018-03-06 International Business Machines Corporation Integrated circuit device assembly

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Legal Events

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Effective date: 19981008