JPH05291653A

JPH05291653A - 光増幅装置

Info

Publication number: JPH05291653A
Application number: JP8531392A
Authority: JP
Inventors: Takashi Toyonaka; 隆司豊中; Shinji Tsuji; 伸二辻
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-04-07
Filing date: 1992-04-07
Publication date: 1993-11-05

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体光増幅素子を用いた光増幅装置におい
て、光出力強度を安定化し、また、飽和光出力値を一定
に保ったまま、利得を変化させる。【構成】入力信号光は偏波面保存光ファイバ４から半
導体光増幅素子１に入力される。半導体光増幅素子１に
より増幅された信号光は光アイソレ−タ１０、光フィル
タ１１を通過した後、一部は出力側の単一モ−ドファイ
バ９に結合すると共に、一部が出力光モニタ素子１３に
より検出され、この検出出力を基準値と比較することに
より半導体光増幅素子１へ注入される駆動電流が制御さ
れる。【効果】本発明によれば、高い飽和光出力特性を持
ち、光出力強度を安定化することが可能な光増幅装置が
得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体光増幅素子を用
いた光増幅装置に係り、特に、光ネットワ−ク通信、広
帯域光通信などに用いられる光増幅装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光増幅装置については、エレクト
ロニクス．レタ−、１９９１年、第２７巻、第２０号、
第１８４５頁から第１８４６頁（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓｌｅｔｔｅｒｓ，１９９１，Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．
２０，ｐｐ．１８４５〜１８４６）において論じられて
いるように、光増幅素子の光信号入力側、出力側の両方
に先球加工された単一モ−ドファイバを有する半導体光
増幅装置が報告されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は光信号
入力側、出力側共に、先球加工された単一モ−ドファイ
バにより、半導体光増幅素子と入出力側光ファイバとの
光結合を得ていたが、半導体光増幅素子から出力側光フ
ァイバへ向かう方向にのみ光を通過させる光アイソレ−
タ、半導体光増幅素子で増幅された信号光のみを通過さ
せる光フィルタ、半導体光増幅素子で増幅された信号光
の強度を検出するために上記信号光の一部を取りだすた
めの光学的手段は光増幅装置内に設けることが困難であ
り、これらを光増幅装置外に設ける場合には、構成が複
雑になり、光結合損失が伴うという問題点がある。ま
た、光増幅素子に入力される信号光の偏波状態が変動し
た場合に、光増幅素子の利得が変動し、光増幅装置から
の光出力が変動するという問題点がある。また、光増幅
素子に注入される駆動電流を変化させることにより利得
を制御する場合には、飽和光出力値が変動するという問
題点がある。

【０００４】本発明の第１の目的は、上記光アイソレ−
タ、上記光フィルタ、および半導体光増幅素子で増幅さ
れた信号光の一部を取りだすための光学的手段を低損失
に光増幅装置内に設けるための構成を提供することにあ
る。

【０００５】本発明の第２の目的は、半導体光増幅素子
に入力される信号光の偏波状態を一定に保ち、光増幅素
子の利得の変動が小さい光増幅装置を提供することにあ
る。本発明の第３の目的は、半導体光増幅素子の飽和光
出力値を一定に保ったまま、利得を制御することが可能
である、光増幅装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明では、半導体光増幅素子からの出力光
を出力側光ファイバに導く光学的手段を、上記半導体光
増幅素子からの出力光を平行光に変換する第１レンズと
この平行光を集光して上記出力側ファイバに結合する第
２レンズから構成し、半導体光増幅素子から出力側光フ
ァイバへ向かう方向にのみ光を通過させる光アイソレ−
タ、半導体光増幅素子で増幅された信号光のみを通過さ
せる光フィルタ、上記半導体光増幅素子で増幅された信
号光の一部を取りだすためのガラス板、をこの順に、上
記第１レンズと上記第２レンズの間に配置する構成とす
る。

【０００７】上記第２の目的を達成するために、入力側
光ファイバは、信号光の偏波面を保持しつつ伝送する偏
波面保持光ファイバとし、かつ上記偏波面保持光ファイ
バの偏波面方向を、上記半導体光増幅素子の利得が最大
となる偏波面方向に一致させる。

【０００８】上記第３の目的を達成するために、上記半
導体光増幅素子に電流を供給するための電極を、光信号
伝送方向に沿って２個に分割し、上記光検出器からの検
出出力に基づき、上記各電極のうち入力側にある電極か
ら注入される駆動電流を制御し、かつ上記各電極のうち
出力側にある電極から注入される駆動電流を一定に保つ
構成としている。

【０００９】

【作用】半導体光増幅素子からの出力光は上記第１レン
ズにより平行光に変換され、光アイソレ−タを通過した
後、光フィルタを通過することにより上記半導体光増幅
素子の自然放出光が取り除かれ、上記半導体光増幅素子
で増幅された信号光のみがガラス板に導かれ、上記ガラ
ス板によって上記信号光の一部が光検出器に、一部が出
力側光ファイバに結合される。これにより、光増幅装置
からの出力信号光の強度を一定に制御することが可能と
なる。

【００１０】また、入力側にある、偏波面保持光ファイ
バから、常に上記半導体光増幅素子の利得が最大となる
偏波面方向を持つ光信号が入力される。このため、光増
幅素子の利得の変動が低減される。

【００１１】また、半導体光増幅素子の２個の電極のう
ち入力側にある電極から注入される駆動電流の増減によ
り利得が制御され、かつ出力側にある電極から注入され
る駆動電流が一定であるため、飽和光出力値が一定に保
たれる。

【００１２】

【実施例】本発明の第１の実施例を図１により説明す
る。図１は本実施例装置の上面から見た構成図（一部を
展開図で示す。）である。図１において、１は半導体光
増幅素子、２は第１レンズ、３は第２レンズ、４は偏波
面保存光ファイバ、５はフェル−ル、６は光増幅素子搭
載ブロック、７は気密パッケ−ジ、８はフェル−ルホル
ダ、９は単一モ−ドファイバ、１０は光アイソレ−タ、
１１は光フィルタ、１２は平行ガラス板、１３は出力光
モニタ素子、１４はスタッド、１５はリ−ド線、１６は
ワイヤボンディング、１７はサ−ミスタ、１８は電子冷
却素子、１９は光アイソレ−タ１０、光フィルタ１１、
平行ガラス板１２、第２レンズ３ａを一体化した、光部
品一体化第２レンズホルダである。

【００１３】半導体光増幅素子１はＩｎＧａＡｓＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓ多重量子井戸構造からなる活性層を含む光導
波路を有し、波長１．５３μｍの信号光に対し最大利得
を持つ。光導波路は劈開面の垂線に対し、６度の傾きを
持ち、入出力側端面はＩｎＰ結晶による窓領域を持ち、
入出力側端面に低反射多層膜が形成されているため、波
長１．５３μｍ〜１．５６μｍの信号光に対し０．００
５％以下の低反射特性を持つ。素子長は６００μｍ、そ
のうち光導波路の長さが５５０μｍ、窓領域の長さが各
々２５μｍである。第１レンズ２は開口数が０．６、焦
点距離が０．７１ｍｍ、有効径が０．８５ｍｍであるガ
ラスモ−ルド非球面レンズである。第２レンズ３は開口
数が０．３７、焦点距離が３．５ｍｍである屈折率分布
レンズである。光アイソレ−タ１０は偏光子、ファラデ
−回転子、検光子からなる偏波依存型光アイソレ−タで
あり、順方向の挿入損が０．５ｄＢ以下、逆方向の損失
は５０ｄＢ以上である。光フィルタ１１は中心波長１．
５５μｍ、３ｄＢ帯域幅が３ｎｍである帯域通過光フィ
ルタである。平行ガラス板１２は片面に中心波長１．５
５μｍの反射防止膜が形成されており、他面の波長１．
５５μｍの信号光に対する反射率は５％になるように設
計されている。偏波面保存光ファイバ４、単一モ−ドフ
ァイバ９の先端は斜め研磨されており、研磨角は６°で
ある。

【００１４】フェル−ル５ａ付きの偏波面保存光ファイ
バ４から入力された光信号は第２レンズ３ａにより平行
光に変換され、第１レンズ２ａにより集光し、半導体光
増幅素子１に結合される。半導体光増幅素子１により増
幅された光信号は第１レンズ２ｂにより平行光に変換さ
れ、光アイソレ−タ１０、光フィルタをこの順に通過し
た後、平行ガラス板１２に入射され、一部は反射され、
一部は通過する。通過光は第２レンズ３ｂにより集光さ
れフェル−ル５ｂ付きの単一モ−ドファイバ９に結合さ
れる。反射光は出力光モニタ素子１３に入射される。

【００１５】本装置の組み立て手順について述べる。ま
ず、光増幅素子搭載ブロック６上にサ−ミスタ１７を半
田固定した後、サブマウント付きの半導体光増幅素子１
を光増幅素子搭載ブロック６の中心軸上に半田固定す
る。第１レンズ２を光増幅素子搭載ブロック６の中心軸
上に半田固定する。気密パッケ−ジ７の出力側にある円
筒部分に光部品一体化型第２レンズホルダ１９を挿入、
固定する。気密パッケ−ジ７の底面に電子冷却素子１８
を半田固定し、常温もしくは常温より１０℃位低い温度
に保持できるようにし、この電子冷却素子１８上で、気
密パッケ−ジ７の中心軸上に光増幅素子搭載ブロック６
を半田固定する。第２レンズを気密パッケ−ジ７の入力
側の側壁、および光部品一体化型第２レンズホルダ１９
に挿入し、固定する。フェル−ル５ａ付きの偏波面保存
光ファイバ４を挿入したフェル−ルホルダ８ａを気密パ
ッケ−ジ７の側壁にＹＡＧレーザ溶接固定する。この
時、偏波面保存光ファイバ４の偏波面方向を半導体光増
幅素子１が最大の利得を持つ偏波面方向に一致させると
共に、半導体光増幅素子１を発光させて、単一モードフ
ァイバ４からの出力光が最大になるように位置調整して
おく。フェル−ル５ｂ付きの単一モ−ドファイバ９を挿
入したフェル−ルホルダ８ｂを光部品一体化型第２レン
ズホルダ１９の側壁にＹＡＧレーザ溶接固定する。この
時、半導体光増幅素子１を発光させて、単一モードファ
イバ９からの出力光が最大になるように位置調整してお
く。出力光モニタ素子１３を気密パッケ−ジ７の内部に
半田固定する。半導体光増幅素子１を発光させて、その
平行ガラス板１２による反射光が出力光モニタ素子１３
に入射されるように位置調整しておく。半導体光増幅素
子１のＮ電極には、リード線１５、ワイヤボンディング
１６、スタッド１４、サブマウントを通して、Ｐ電極に
は、リード線1５、ワイヤボンディング１６、光増幅素
子搭載ブロック６を通して電源が供給される。また、リ
ード線１５を介してサーミスタ１７の抵抗値を測定し、
リード線１５により電子冷却素子１８に電流を流して、
光増幅素子搭載ブロック６全体を冷却することが可能で
あり、冷却能力は−40℃／アンペアであった。

【００１６】上記構成の実施例装置の結合効率は、入力
側で−３ｄＢ、出力側で−４ｄＢであった。温度２０℃
一定の条件で、半導体光増幅素子１に２００ｍＡの電流
を流したところ、井戸層数が５層の場合、利得は１９ｄ
Ｂ、利得が３ｄＢ低下する光出力強度（飽和光出力値）
は１７ｄＢｍであった。１０層の場合、利得は２９ｄ
Ｂ、飽和光出力値は１１ｄＢｍであった。井戸層数が５
層、または１０層の半導体光増幅素子１を用いた本実施
例装置の、入出力ファイバ間の実効的な利得の、出力側
ファイバから出力される光出力信号強度に対する依存性
を図２に示す。本実施例装置を光送信器の直後に設置し
て使用する場合、飽和光出力値が大きいことが重要であ
るため、井戸層数が５層の半導体光増幅素子１を用いる
こととした。この場合、入出力ファイバ間の実効的な利
得、出力側ファイバから出力される光出力信号の飽和光
出力値は１２ｄＢ、１３dＢmであった。出力光モニタ素
子１３の検出強度を基準値と比較し、上記半導体光増幅
素子へ注入される駆動電流を制御することにより、光入
力信号の強度が−７ｄＢｍから０ｄＢｍまで変化した場
合でも出力側ファイバから出力される光出力信号の強度
の変動は０．２ｄＢ以下であった。また、上記実施例で
示した光増幅装置を、光送信機の直後に設置し、最小受
信感度が−１７dＢmである光受信装置を用いることによ
って、１０Ｇb／ｓ、１００kmの伝送が可能になった。

【００１７】本発明の第２の実施例を図３、図４、図５
により説明する。図３は本実施例装置の上面から見た構
成図（一部を展開図で示す。）である。３１は半導体光
増幅素子、２１は非球面第２レンズ、２２は光フィルタ
である。非球面第２レンズ２１は開口数が０．３７、焦
点距離が３．５ｍｍであるガラスモ−ルド非球面レンズ
であり、平行光が入射された場合、一部を焦点位置に集
光すると共に、一部を反射し、異なる焦点位置に集光す
る。反射部分は９０％以上の反射率を持ち、その他の部
分は反射率が０．５％以下になるように多層膜が形成さ
れている。図４は本実施例装置に用いられる半導体光増
幅素子の上面図、図５はその縦断面図である。３２は半
導体光増幅素子に電流を供給するための電極のうち光信
号の入力側にある、入力側Ｐ側電極、３３は光信号の出
力側にある、出力側Ｐ側電極、３４は光導波路、３５は
入力側端面、３６は出力側端面、３７は光導波路３４の
入出力側端にある窓領域、３８は反射防止多層膜であ
る。４１は基板、４２はＮ側電極、４３はキャップ層、
４４はクラッド層、４５は井戸層、４６は障壁層であ
る。半導体光増幅素子の素子長は６００μｍ、そのうち
光導波路３４の長さが５５０μｍ、入出力側端にある窓
領域３７の長さが各々２５μｍである。井戸層４５の組
成はＩｎＧａＡｓ、厚さは８ｎｍであり、障壁層４６の
組成はＩｎＧａＡｓＰ、厚さは３０ｎｍである。井戸層
４５は５層ある。クラッド層４４、窓領域３７の組成は
ＩｎＰである。光導波路３４の幅は約１μｍであり、左
右両側がクラッド層４４により埋め込まれている。

【００１８】フェル−ル５ａ付きの偏波面保存光ファイ
バ４から入力された光信号は第２レンズ３ａにより平行
光に変換され、第１レンズ２ａにより集光し、半導体光
増幅素子３１に結合される。半導体光増幅素子３１によ
り増幅された光信号は第１レンズ２ｂにより平行光に変
換され、光アイソレ−タ１０を通過した後、非球面第２
レンズ２１に入射され、一部は反射され、一部は通過す
る。通過光は集光されフェル−ル５ｂ付きの単一モ−ド
ファイバ９に結合される。反射光は光フィルタ２２付き
の出力光モニタ素子１３上の、ほぼ中心に集光される。

【００１９】本装置の組み立て手順について述べる。ま
ず、光増幅素子搭載ブロック６上にサ−ミスタ１７を半
田固定した後、サブマウント付きの半導体光増幅素子３
１を光増幅素子搭載ブロック６の中心軸上に半田固定す
る。第１レンズ２を光増幅素子搭載ブロック６の中心軸
上に半田固定する。気密パッケ−ジ７の出力側にある円
筒部分に光アイソレ−タ１０を挿入、固定し、上記円筒
部分内部に非球面第２レンズ２１を固定する。気密パッ
ケ−ジ７の底面に電子冷却素子１８を半田固定し、この
電子冷却素子１８上で、気密パッケ−ジ７の中心軸上に
光増幅素子搭載ブロック６を半田固定する。第２レンズ
３ａを気密パッケ−ジ７の入力側の側壁に挿入し、固定
する。フェル−ル５ａ付きの偏波面保存光ファイバ４を
挿入したフェル−ルホルダ８ａを気密パッケ−ジ７の側
壁にＹＡＧレーザ溶接固定する。この時、偏波面保存光
ファイバ４の偏波面方向を半導体光増幅素子３１が最大
の利得を持つ偏波面方向に一致させると共に、半導体光
増幅素子３１を発光させて、単一モードファイバ４から
の出力光が最大になるように位置調整しておく。フェル
−ル５ｂ付きの単一モ−ドファイバ９を挿入したフェル
−ルホルダ８ｂを気密パッケ−ジ７の側壁にＹＡＧレー
ザ溶接固定する。この時、半導体光増幅素子３１を発光
させて、単一モードファイバ９からの出力光が最大にな
るように位置調整しておく。光フィルタ２２付きの出力
光モニタ素子１３を気密パッケ−ジ７の内部に半田固定
する。半導体光増幅素子３１を発光させて、その平行ガ
ラス板１２による反射光が出力光モニタ素子１３上の、
ほぼ中心に焦点を結ぶように位置調整しておく。半導体
光増幅素子３１のＮ電極には、リード線１５、ワイヤボ
ンディング１６、光増幅素子搭載ブロック６、サブマウ
ントを通して、両Ｐ側電極３２、３３にはリード線1
５、ワイヤボンディング１６、２個のスタッド１４を通
して電源が供給される。電流が注入された状態で、入力
側端面３５から光信号が入力されると、誘導放出作用に
より光導波路３４中を伝搬する間に増幅され、出力側端
面３６から出力される。出力信号光を出力光モニタ素子
１３により検出し、検出強度を基準値と比較し、上記入
力側Ｐ側電極３２に注入される駆動電流を制御する。こ
の際、上記出力側Ｐ側電極３３に注入される駆動電流は
一定とする。また、第１の実施例と同様、リード線１５
を介してサーミスタ１７の抵抗値を測定し、リード線１
５により電子冷却素子１８に電流を流して、光増幅素子
搭載ブロック６全体を冷却することが可能である。

【００２０】上記構成の実施例装置の結合効率は、第１
の実施例と同様、入力側で−３ｄＢ、出力側で−４ｄＢ
であった。温度２０℃一定の条件で、半導体光増幅素子
３１に２００ｍＡの電流を流したところ、利得は１９ｄ
Ｂ、利得が３ｄＢ低下する光出力強度（飽和光出力値）
は１７ｄＢｍであった。入出力ファイバ間の実効的な利
得、出力側ファイバから出力される光出力信号の飽和光
出力値はそれぞれ１２ｄＢ、１３dＢmであった。出力光
モニタ素子１３の検出強度を基準値と比較し、上記入力
側Ｐ側電極に注入される駆動電流を４０ｍＡから１００
ｍＡまで変化させ、上記出力側Ｐ側電極に注入される駆
動電流を１００ｍＡ一定とした結果、素子の飽和光出力
値を１６．５ｄＢｍから１７ｄＢｍの間に保ったまま、
利得を１５ｄＢから１９ｄＢまで変化させることが可能
となった。これにより、光入力信号の強度が−４ｄＢｍ
から０ｄＢｍまで変化した場合でも、出力側ファイバか
ら出力される光出力信号の強度の変動は０．２ｄＢ以下
であり、光入力信号の強度によらず光出力信号の波形の
歪はほとんど観測されなかった。また、上記実施例で示
した光増幅装置を、光送信機の直後に設置し、最小受信
感度が−１７dＢmである光受信装置を用いることによっ
て、１０Ｇb／ｓ、１００kmの伝送が可能になった。

【００２１】

【発明の効果】本発明によれば、高い飽和光出力特性を
持ち、光出力強度を安定化することが可能な光増幅装置
が得られるので、光ブ−スタ増幅器、光中継増幅器など
へのシステム応用が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例装置の上面図。

【図２】第１の実施例装置の光増幅特性図。

【図３】第２の実施例装置の上面図。

【図４】第２の実施例装置の半導体光増幅素子の上面
図。

【図５】第２の実施例装置の半導体光増幅素子の縦断面
図。

【符号の説明】

１…半導体光増幅素子、４…偏波面保存光ファイバ、９
…単一モ−ドファイバ、１０…光アイソレ−タ、１１…
光フィルタ、１２…平行ガラス板、１３…出力光モニタ
素子、２１…非球面第２レンズ、３２…入力側Ｐ側電
極、３３…出力側Ｐ側電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｓ 3/13 8934−4Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体光増幅素子と、信号光を上記半導体
光増幅素子に導くための入力側光ファイバと、上記半導
体光増幅素子により増幅された信号光を出力する出力側
光ファイバと、上記入力側光ファイバからの信号光を上
記半導体光増幅素子に導く光学的手段と、上記半導体光
増幅素子からの出力光を上記出力側光ファイバに導く光
学的手段を備えた光増幅装置において、上記半導体光増
幅素子の出力端と上記出力側光ファイバの間に、上記半
導体光増幅素子から上記出力側光ファイバへ向かう方向
にのみ光を通過させる光アイソレ−タと、上記半導体光
増幅素子で増幅された信号光の一部を取りだすための光
学的手段と、上記一部の信号光の強度を検出し、この検
出出力を基準値と比較することにより上記半導体光増幅
素子へ注入される駆動電流を制御する目的の光検出器を
備えたことを特徴とする光増幅装置。
【請求項２】請求項１記載の光増幅装置において、上記
半導体光増幅素子と上記半導体光増幅素子で増幅された
信号光の一部を取りだすための光学的手段の間に、上記
半導体光増幅素子で増幅された信号光のみを通過させる
光フィルタを備えたことを特徴とする光増幅装置。
【請求項３】請求項１記載の光増幅装置において、上記
半導体光増幅素子で増幅された信号光の一部を取りだす
ための光学的手段と、上記一部の信号光の強度を検出す
る光検出器の間に、上記半導体光増幅素子で増幅された
信号光のみを通過させる光フィルタを備えたことを特徴
とする光増幅装置。
【請求項４】請求項２記載の光増幅装置において、上記
半導体光増幅素子からの出力光を上記出力側光ファイバ
に導く光学的手段が１個以上の光学レンズからなり、上
記光フィルタが上記光学レンズの１つに一体化されてい
ることを特徴とする光増幅装置。
【請求項５】請求項１、２、３または４記載の光増幅装
置において、上記半導体光増幅素子からの出力光を上記
出力側光ファイバに導く光学的手段が１個以上の光学レ
ンズからなり、上記半導体光増幅素子で増幅された信号
光の一部を取りだすための光学的手段が上記光学レンズ
の１つに一体化されていることを特徴とする光増幅装
置。
【請求項６】請求項３または５記載の光増幅装置におい
て、上記光フィルタが上記光検出器に一体化されている
ことを特徴とする光増幅装置。
【請求項７】請求項２または３記載の光増幅装置におい
て、上記半導体光増幅素子で増幅された信号光の一部を
取りだすための光学的手段が、上記信号光の一部を反射
し一部を通過させるガラス板、またはビ−ムスプリッタ
−からなり、上記光フィルタが上記ガラス板または上記
ビ−ムスプリッタ−に一体化されていることを特徴とす
る光増幅装置。
【請求項８】請求項１、２、３、６または７記載の光増
幅装置において、上記半導体光増幅素子からの出力光を
上記出力側光ファイバに導く光学的手段が、上記半導体
光増幅素子からの出力光を平行光に変換する第１レンズ
とこの平行光を集光して上記出力側ファイバに結合する
第２レンズからなり、上記光アイソレ−タ、上記光フィ
ルタ、上記半導体光増幅素子で増幅された信号光の一部
を取りだすための光学的手段、が、上記第１レンズから
上記第２レンズに向かってこの順に、上記第１レンズと
上記第２レンズの間にあることを特徴とする光増幅装
置。
【請求項９】請求項１、２、３、４、５、６または７記
載の光増幅装置において、上記半導体光増幅素子からの
出力光を上記出力側光ファイバに導く光学的手段が、上
記半導体光増幅素子からの出力光を平行光に変換する第
１レンズとこの平行光を集光して上記出力側ファイバに
結合する第２レンズからなり、上記光アイソレ−タ、上
記光フィルタ、上記半導体光増幅素子で増幅された信号
光の一部を取りだすための光学的手段、が、上記第１レ
ンズから上記第２レンズに向かってこの順にあり、それ
らの何れかまたは全部が、上記第１レンズまたは上記第
２レンズに一体化されていることを特徴とする光増幅装
置。
【請求項１０】請求項１、２、３、４、５、６、７、８
または９記載の光増幅装置において、上記入力側ファイ
バが、信号光の偏波面を保持しつつ伝送する偏波面保持
光ファイバからなり、かつ上記偏波面保持光ファイバの
偏波面方向が、上記半導体光増幅素子の利得が最大とな
る偏波面方向に一致していることを特徴とする光増幅装
置。
【請求項１１】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９または10記載の光増幅装置において、上記半導体
光増幅素子に電流を供給するための電極が、光信号伝送
方向に沿って２個以上に分割されており、上記各電極か
ら注入される駆動電流を独立に制御することにより、上
記半導体光増幅素子の飽和光出力値を一定に保ったまま
利得を変化させることが可能であることを特徴とする光
増幅装置。
【請求項１２】請求項11記載の光増幅装置において、上
記半導体光増幅素子に電流を供給するための電極が、光
信号伝送方向に沿って２個に分割されており、上記光検
出器からの検出出力に基づき、上記各電極のうち入力側
にある電極から注入される駆動電流を制御し、かつ上記
各電極のうち出力側にある電極から注入される駆動電流
を一定に保つことにより、上記半導体光増幅素子の飽和
光出力値を一定に保ったまま利得を変化させることが可
能であることを特徴とする光増幅装置。
【請求項１３】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、10または11記載の光増幅装置が従属接続された
ことを特徴とする光信号伝送網。