JP2005345694A - 光集積化モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】光増幅器やレーザを安定に動作させることができる、光部品を集積した小型光集積化モジュールを得たい。
【解決手段】少なくとも信号光を入射する入力ポート、信号光を光増幅媒体に出力する出力ポート、励起光を入力または残存励起光を出力する励起光ポート、光アイソレータ素子、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー、入射光信号を分岐するTAPミラー、光信号パワーを測定するフォトダイオードとを備えた光集積化モジュールであって、出力ポートとTAPミラーの間に光アイソレータ素子を挿入し、光アイソレータ素子とTAPミラーの間に短い光ファイバ(短ファイバ1)を挿入し、信号光が短ファイバ1を通して光アイソレータ素子を通過して出力ポートに結合するように光学系を調整し、かつ、逆方向に進行する光増幅媒体からの戻り光が短ファイバ1に結合しないように調整された、光増幅器用またはレーザ用の光集積化モジュール。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光通信などで使用される光増幅器やレーザに用いられる光集積化モジュールに関するものである。
光通信では、高速度大容量通信の要求から、高精度な光信号パワーの制御が求められている。このため、光増幅器においては入力信号パワーと出力信号パワーの正確なモニタが必要である。また、計測用のレーザなどでも、光通信用の光増幅器と同様の高精度パワーモニタが要求されている。このため、光増幅器やレーザでは入力側と出力側に部分反射(TAP)ミラーとPDを一体化した、TAP+PDモジュールが使用されてきた。
図16を用いて代表的な構成を説明する。この図では光増幅器を表している。入力端11から入力された微弱信号は、入り口側TAP+PDモジュール14で入力信号光パワーを計測する。その後、光アイソレータ+WDMモジュール(励起光と信号光を合波または分波する素子)15を信号光が通過すると共に、励起光源16からの励起光と合波し、光増幅媒体17を通過するときに信号が増強される。光増幅媒体を通過した信号光と、光増幅媒体で吸収しきれずに通過した励起光(以後、残存励起光という)は、出口側のWDM+光アイソレータモジュール18を通過するときに分離され、残存励起光はダンパ19で処理される。最終的に増強された信号光は出口側のTAP+PDモジュール20で信号パワーを計測し、出射端12に至る。一般に、入り口側のTAP+PDモジュール14で計測した入力信号光パワーと、出口側TAP+PDモジュール18で計測した光パワーを比較し、一定の利得または一定の光出力となるように励起光源16を制御する。
このような旧来の構成で使用されるTAP+PDモジュールは、簡単な構成でアイソレーションも高く、微弱な入力信号パワーを正確にモニタできる上に、ピグテールファイバが伝送用の光ファイバと同種のファイバであることから、伝送用のファイバと市販の融着接続器で低損失に接続することができる。しかし、この方法では光アイソレータやWDMモジュールが別に必要となり、部品の専有面積が大きく小型化できない問題がある。また、部品点数が多いために、光増幅器を組み立てる際に融着点が多くなり、組立が煩雑である。さらに、光増幅器のケース内に部品を収容する際に、ファイバの取り回し長が長くなり、ファイバ破断やファイバを傷つけるなどの事故が発生しやすい。
このような問題点を解決するために、1990年頃から必要な光学部品を一つのパッケージ内に集積・収容した光増幅器用の集積化モジュールが提案されてきた。例えば、合分波(ダイクロイック)ミラーやTAPミラーをプリズムやガラス板に集積した光モジュール(特許文献1〜6参照)、結合損失を低減した光モジュール(特許文献7参照)などが知られている。また、最近の光増幅器やレーザの小型化要求に対し、光モジュールも一層小型化する必要が出てきた。この要求に応えるため、部品点数を減らして小型化と価格低減を目指した光モジュールが提案された(特許文献8,9参照)。さらに、励起光の一部がPDに入射する問題を回避するためのモジュール構造が提案されている(特許文献10,11参照)。
これらの集積化モジュールには、光増幅媒体前方に設置される前方モジュールと、光増幅媒体後方に設置される後方モジュールがある。信号光は前方モジュールを経由して光増幅媒体に入射され、増幅された信号光は後方モジュールを通して出射される。光増幅媒体の励起方法としては、前方励起、後方励起、双方向励起がある。前方励起の場合、前方モジュールに励起手段が接続され、後方モジュールでは残存励起光が除去される。後方励起の場合、後方モジュールに励起手段が接続され、前方モジュールでは残存励起光が除去される。双方向励起では前方モジュールと後方モジュールの両方に励起手段が接続され、残存励起光は光フィルタやアイソレータで除去される。この他の励起方法としては折り返し励起があり、前方モジュール兼後方モジュールとして一台のモジュールにまとめることができる。
特許第3453767号公報 特開平5−341233号公報 特許第3251330号公報 特許3062400号公報 特開平8−086931号公報 特開平8−179157号公報 特開平8−248275号公報 特開平9−230169号公報 特開平10−065247号公報 特許3428874号公報 特開2000−138408号公報
従来の方式で製造した前方モジュールでは、光増幅媒体から放射される増幅された自然放出光(ASE)がPDに入射して、信号光を正確にモニタできない問題が発生する。図17に従来技術で実施されている光集積化モジュール21を示す。このモジュールでは、一般的に使用されている光集積化モジュールの代表的な構成を表している。
まず、光アイソレータ素子26に対して順方向の光の伝搬について説明する。信号光の入射ポート22はファイバとコリメータを一体化したモジュールであり、同様のコリメータ一体型ファイバが出射ポート28に対向して取り付けられている。信号光は入射ポート22で略コリメートされて空間A1内に出射される。略コリメートされた信号光は部分反射(TAP)ミラー23で一部が反射され、PD24で信号パワーを計測する。部分反射ミラー23を通過した信号光は、遮蔽板25で保持された光アイソレータ素子26を通して空間A2内に出射される。この信号光は、合分波ミラー27を通過して出射ポート28に結合される。励起光は、励起ポート29から入射して空間A2内に出射し、合分波(ダイクロイック)ミラー27で波長選択的に反射され、出射ポート28に結合される。出射ポート28は光増幅媒体に接続されている。
次に、逆方向の光の伝搬について説明する。光増幅媒体では、逆方向に進行する増幅された自然放出光(以後B−ASE光)が発生し、光集積化モジュール21の出射ポート28から空間A2に略コリメートされて入射する。ダイクロイックミラー27で励起光の散乱光などが励起光ポート29に結合されるが、一般に励起光源は波長安定化されていたり、光アイソレータが挿入されているので、影響が出ることはほとんどない。合分波フィルタを通過したB−ASE光は光アイソレータ素子26を通過する際に拡散光に変換または光路シフトする。図17では拡散光に変換される場合を示しているが、光路シフトの場合も現象は同じなので説明は省略する。光アイソレータ素子を経て空間A1内に出射されたB−ASE光は、拡散しながらTAPミラー23に裏面から入射し、一部が反射して壁面に向かい、散乱光となる。この一部はPDへの迷光となる。大部分のB−ASE光は、TAPミラー23を通過して入射ポート22の前面に達する。光アイソレータ素子からの戻り光は拡散光なので、入射ポート22のファイバに戻り光が結合することはない。このため、入力側のファイバで観測した場合、50dB程度のアイソレーションを確保することは容易である。ところが、入射ポート22の前面に達したB−ASE光は、入射ポート22の端面に高精度な無反射膜を施してあっても、0.5%程度反射されて順方向に進行する。順方向に進行するB−ASE光は、TAPミラー23で所定量が反射され、PD24に入射して迷光となる。
光アイソレータ素子の原理から、入射ポート22の前面でB−ASE光の一部が反射して順方向に進行する現象を、完全に抑制することはできない。よって、従来法では微弱な信号を精度良く検出できる前方モジュールは実現できなかった。
次に、PDに入射する迷光の程度を見積もってみる。一般的に、微弱な信号を増幅する場合、入力信号パワーは−35〜−25dBm程度であり、利得として30dB程度が要求されている。この時のB−ASE光パワーは、一般的に+5dBm以上である。光集積化モジュールの長さを40mm、中央に光アイソレータ素子を配置したと仮定し、光アイソレータ素子の偏光分離角を2度、モジュール内部は反射率0%の完璧な吸光材料で塗装されており、入射ポート前面でのB−ASE反射率を0.5%の高精度反射防止膜構成、コリメートビーム径は0.3mmとして計算する。入射ポート前面でのB−ASE光のビーム径は0.9mm程度であり、この時点で入射コリメートビームと重なって順方向に反射されているB−ASE光パワーは概算で、
5+10×log(0.3/0.9×0.005)≒−27.5(dBm)。
入射ポート22の前面から、TAPミラー23で反射してPD24の入射面までの距離を20mmとすると、再びB−ASE光は広がって直径0.9mm程度になる。PDがコリメート信号光直径と全く同一で、周囲に感度がない理想的な受光条件と仮定して見積もると、
−27.5+10×log(0.3/0.9)≒−37(dBm)。
かなり理想化された条件でも、B−ASE光の受信感度が、信号光換算で−37dBm程度であることが判る。一般に、信号対雑音比は5〜10dB程度必要なので、この雑音レベルで検出できる最低信号光パワーは−27〜−32dBmとなり、必要なレベルとほぼ互角である。実際には、モジュール内面の散乱光を完全に抑制することは困難な上に、PD周囲の電極などにも光感度があるため、状況はかなり悪くなる事が判っている。また、入射ポート端面の無反射膜も、通常は1%程度の反射がある。このため、実用的なレベルで検出できる最小信号パワーは−25dBm程度に制限されている。よって、従来構成で−35〜−30dBmレベルの微弱信号を正確に検出できる入射モジュールを構成することは極めて困難である。
また、計測用などのレーザではパワー発振器への入力シード光パワーを正確に計測して出力を安定化させる必要があり、前述の光増幅器と同様の問題がある。
上述のように、従来型の光集積化モジュールの構成で微弱な入射光パワーを正確にモニターすることは原理的に極めて困難であることから、特に前方モジュールにおいて微弱な入射光パワーを正確にモニターでき、工業的にも安定に生産できる構成が必要とされている。
本発明は少なくとも信号光を入射する入力ポート、信号光を光増幅媒体に出力する出力ポート、励起光を入力または残存励起光を出力する励起光ポート、光アイソレータ素子、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー、入射光信号を分岐する部分反射(TAP)ミラー、光信号パワーを測定するフォトダイオード(PD)とを備えた光集積化モジュールであって、出力ポートとTAPフィルタの間に光アイソレータ素子を挿入し、光アイソレータ素子とTAPフィルタの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ1)を挿入し、順方向の信号光が短ファイバ1を通して光アイソレータ素子を通過して出力ポートに結合するように光学系を調整し、かつ、逆方向に進行する光増幅媒体からの戻り光が短ファイバ1に結合しないように調整された、光増幅器用またはレーザ用の光集積化モジュールである。
また、少なくとも信号光を入射する入力ポート、信号光を光増幅媒体に出力する出力ポート、励起光を入力または残存励起光を出力する励起光ポート、光アイソレータ素子、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー、入射光信号を分岐する部分反射(TAP)ミラー、光信号パワーを測定するフォトダイオード(PD)とを備えた光集積化モジュールであって、出力ポートとTAPミラーの間に光アイソレータ素子を挿入し、TAPミラーとPDの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ2)を挿入し、順方向の信号光が短ファイバ2を通してPDに結合するように光学系を調整し、かつ、逆方向に進行する光増幅媒体からの戻り光が短ファイバ2に結合しないように調整された、光増幅器用またはレーザ用の光集積化モジュールである。
また、少なくとも信号光を入射する入力ポート、信号光を光増幅媒体に出力する出力ポート、励起光を入力または残存励起光を出力する励起光ポート、光アイソレータ素子、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー、入射光信号を分岐する部分反射(TAP)ミラー、光信号パワーを測定するフォトダイオード(PD)とを備えた光集積化モジュールであって、出力ポートとTAPミラーの間に光アイソレータ素子を挿入し、光アイソレータ素子とTAPミラーの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ3)を挿入し、TAPミラーとPDの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ4)を挿入し、順方向の信号光が短ファイバ3を通して光アイソレータ素子を通過して出力ポートに結合すると共に、TAPミラーで分離された信号光が短ファイバ4に結合したあとPDに結合するように光学系を調整し、かつ、逆方向に進行する光増幅媒体からの戻り光が短ファイバ3および短ファイバ4に結合しないように調整された、光増幅器用またはレーザ用の光集積化モジュールである。
また、アイソレータ素子のある小部屋とPDのある小部屋の相互に光が漏れないように遮蔽板で仕切られ、該遮蔽板に短ファイバが固定され、短ファイバ部分のみから光が通過できるようにした、上記の光集積化モジュールである。
また、アイソレータ素子のある小部屋とPDのある小部屋とTAPミラーのある小部屋の相互に光が漏れないように遮蔽板で仕切られ、該遮蔽板に短ファイバが固定され、短ファイバ部分のみから光が通過できるようにした、上記の光集積化モジュールである。
また、短ファイバがセラミックス製またはガラス製または結晶化ガラス製または金属製の部材にあらかじめ固定されたスタブ部品であることを特徴とする、上記の光集積化モジュールである。
さらにまた、短ファイバがセラミックス製またはガラス製または結晶化ガラス製または金属製のフェルールにあらかじめ固定されており、かつ該フェルールと短ファイバへの光結合光学系とを、セラミックス製またはガラス製または結晶化ガラス製または金属製の管状アダプタに挿入して光学的に結合した、上記の光集積化モジュールである。
本発明の光集積化モジュールの構成により、これまでの光集積化モジュールの構成では原理的に困難だった微弱な信号パワーの正確な測定を可能にした。小型の光集積化モジュールで微弱な信号パワーを正確に検出できることから、高精度な利得制御を必要とする光増幅器やレーザを小型化できる。
本発明者らは、従来の問題を考慮し、鋭意検討の結果、短ファイバを空間フィルタとして用いることにより、迷光による雑音をほぼ完全に抑制し、信号パワーを正確に計測できる光集積化モジュールが作製できる事を見いだし、本発明に到達した。本発明では、アイソレータ素子から出射される戻り光を除去するための空間フィルタとして、短ファイバを用いている点が特徴である。以下、短ファイバ使用した本発明の効果について詳細に説明する。
本発明の光集積化モジュールの構成と作用を、図1〜3を用いて説明する。図1〜3は代表的な構成を示す物であり、本発明を限定するものではない。第一の構成を図1に示す。まず、順方向の光の経路を説明する。
入射ポート32から空間B1に略コリメートされた入力信号光λ1が出射され、TAPミラー33で一部が反射される。この反射光はPD34に導かれ、入力信号パワーが計測される。TAPミラー33を透過した入力信号光は、集光レンズ35によって短ファイバ36に結合される。短ファイバ36からの出射光は空間B2に出射され、コリメートレンズ37で略コリメートされて光アイソレータ素子39に入射される。光アイソレータ素子を通過した入射信号光λ1は、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー40を通過し、出力ポート42でファイバに結合される。励起ポート41から入射された励起光λ2は、ダイクロイックミラー40で入力信号光λ1と合波され、出力ポート42に結合される。励起方向が反対向きの場合は、励起ポート41が残存励起光をダンピング処理するためのポートとして動作する。短ファイバ36は、モジュール内を空間B1と空間B2に仕切る遮蔽板38に保持されており、短ファイバ以外の部分から光が漏れる事がないように配慮されている。上記の光学部品は一体型のケースに納められ、光集積化モジュール31を構成している。
次に、逆方向から進行するB−ASE光の経路を説明する。
光増幅媒体で発生したB−ASE光などの戻り光は、出力ポート42から略コリメートされて空間B2に出射される。戻り光の信号光波長帯の成分(B−ASE光)はダイクロイックミラー40を通過し、励起光と同じ波長帯の成分は反射して分離される。ダイクロイックミラー40を通過したB−ASE光は、光アイソレータ素子39で拡散光に変換され、集光レンズ37に入射する。集光レンズ37はコリメート光を短ファイバ36に結合するように設計されており、拡散光のB−ASE光は短ファイバ36のコアには結合されない。B−ASE光の一部は短ファイバ36のクラッドに入射し、クラッドと短ファイバ周囲の部材の間を数回反射する内に吸収されて、空間B1にはほとんど戻らない。B−ASE光は空間B1に戻らないので、PD34に入射せず、雑音とならない。このため、微弱な入射信号パワーを正確に計測することができる。
本発明の光集積化モジュールの第二の構成を、図2を用いて説明する。まず、順方向の光の経路を説明する。
入力ポート46から空間C1に略コリメートされた入力信号光λ1が出射され、TAPミラー47で一部が反射される。この反射光は集光レンズ48によって短ファイバ50に結合される。短ファイバ50からの出射光は空間C2に出射され、コリメートレンズ49で略コリメートされてPD52に導かれ、入力信号パワーが計測される。この時、PD52と短ファイバ50の距離が十分に短く、受光面に信号光を受けることができれば、コリメートレンズ49を省略することができる。TAPミラー47を透過した入力信号光は、光アイソレータ素子53に入射される。光アイソレータ素子53を通過した入射信号光は、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー54を通過し、出力ポート56でファイバに結合される。励起ポート55から入射された励起光λ2は、ダイクロイックミラー54で入力信号光λ1と合波され、出力ポート56に結合される。励起方向が反対向きの場合は、励起ポート55が残存励起光をダンピング処理するためのポートとして動作する。短ファイバ50は、モジュール内を空間C1と空間C2に仕切る遮蔽板51に保持されており、短ファイバ以外の部分から光が漏れる事がないように配慮されている。上記の光学部品は一体型のケースに納められ、光集積化モジュール45を構成している。
次に、逆方向から進行するB−ASE光の経路を説明する。
光増幅媒体で発生したB−ASE光などの戻り光は、出力ポート56から略コリメートされて空間C1に出射される。戻り光の信号光波長帯の成分(B−ASE光)はダイクロイックミラー54を通過し、励起光と同じ波長帯の成分は反射して分離される。ダイクロイックミラー54を通過したB−ASE光は、光アイソレータ素子53で拡散光に変換され、TAPミラー47に入射する。一部はミラー表面で裏面方向に反射されてケース面に到達し、空間C1内に散乱される。大部分のB−ASE光は透過して入力ポート46に到達する。入力ポート46の無反射コーティング面で1%程度反射されたB−ASE光は、順方向に進行してTAPミラー47に入射する。残りのB−ASE光は空間C1内に散乱されるか、入力ポート46内で吸収される。TAPミラー47で所定の割合で反射されたB−ASE光は、集光レンズ48に入射される。TAPミラー47を透過したB−ASE光は光アイソレータ素子53、ダイクロイックミラー54を経て出力ポート56に至るが、拡散光なので出口ポートのファイバのコアには結合しない。また、空間C1内に散乱されたB−ASE光の一部は集光レンズ48に入射する。集光レンズ48は略コリメートされた入力信号光を短ファイバ50に結合するように設計されており、拡散光のB−ASE光は短ファイバ50のコアには結合されない。B−ASE光の一部は短ファイバ50のクラッドに入射し、クラッドと短ファイバ周囲の部材の間を数回反射する内に吸収されて、空間C2内にほとんど出射しない。また、空間C1内の散乱光は、集光レンズ48を通過しても大部分は短ファイバ50に入射せず、遮蔽板51に遮られる。B−ASE光と散乱光は空間C2に出射しないので、PD52に入射せず、雑音にならない。このため、微弱な入射信号パワーを正確に計測することができる。
本発明の光集積化モジュールの第三の構成を、図3を用いて説明する。まず、順方向の光の経路を説明する。
入力ポート61から空間D1に略コリメートされた入力信号光λ1が出射され、TAPミラー62で一部が反射される。この反射光は集光レンズ63によって短ファイバ65に結合される。短ファイバ65からの出射光は空間D2に出射され、コリメートレンズ64で略コリメートされてPD67に導かれ、入力信号パワーが計測される。この時、PD67と短ファイバ65の距離が十分に短く、受光面に信号光を受けることができれば、コリメートレンズ64を省略することができる。TAPミラー62を透過した入力信号光は、集光レンズ68によって短ファイバ70に結合される。短ファイバ70からの出射光は空間D3に出射され、コリメートレンズ69で略コリメートされて光アイソレータ素子72に入射される。光アイソレータ素子72を通過した入射信号光は、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー73を通過し、出力ポート75でファイバに結合される。励起ポート74から入射された励起光λ2は、ダイクロイックミラー73で入力信号光と合波され、出力ポート75に結合される。励起方向が反対向きの場合は、励起ポート74が残存励起光をダンピング処理するためのポートとして動作する。短ファイバ65は、モジュール内を空間D1と空間D2に仕切る遮蔽板66に保持されており、短ファイバ以外の部分から光が漏れる事がないように配慮されている。短ファイバ70は、モジュール内を空間D1と空間D3に仕切る遮蔽板71に保持されており、短ファイバ以外の部分から光が漏れる事がないように配慮されている。上記の光学部品は一体型のケースに納められ、光集積化モジュール60を構成している。
次に、逆方向から進行するB−ASE光の経路を説明する。
光増幅媒体で発生したB−ASE光などの戻り光は、出力ポート75から略コリメートされて空間D3に出射される。戻り光の信号光波長帯の成分(B−ASE光)はダイクロイックミラー73を通過し、励起光と同じ波長帯の成分は反射して分離される。ダイクロイックミラー73を通過したB−ASE光は、光アイソレータ素子72で拡散光に変換され、集光レンズ69に入射する。集光レンズ69はコリメート光を短ファイバ70に結合するように設計されており、拡散光のB−ASE光は短ファイバ70のコアには結合されない。B−ASE光は短ファイバ70のクラッドに入射し、クラッドと短ファイバ周囲の部材の間を数回反射する内に吸収されて、空間D1にはほとんど戻らない。短ファイバ70から空間D1に出射された未吸収分の残存B−ASE光は、コリメートレンズ68で再びアイソレータ素子72からの拡散角とほぼ等しい角度の拡散光に変換される。コリメートレンズ68を通過した残存B−ASE光は、TAPミラー62に入射する。一部はミラー表面で裏面方向に反射されてケース面に到達し、空間D1内に散乱される。大部分の残存B−ASE光は透過して入力ポート61に到達する。入力ポート61の無反射コーティング面で1%程度反射されたB−ASE光は、順方向に進行してTAPミラー62に入射する。残りのB−ASE光は空間D1内に散乱されるか、入力ポート61内で吸収される。TAPミラー62で所定の割合で反射されたB−ASE光は、集光レンズ63に入射される。また、空間D1内の散乱光の一部は集光ミラー63に入射する。TAPミラー62を透過したB−ASE光は、集光レンズ68に入射し、短ファイバ70のクラッドに結合され、短ファイバ70のクラッドと短ファイバ周囲の材料との間を数回反射する内に、大部分が吸収される。短ファイバ70を通過して空間D3に出射した、順方向に進行するB−ASE光は、コリメートレンズ69を経て光アイソレータ素子72を透過し、ダイクロイックミラー73を経て出力ポート75に至るが、拡散光なので出口ポートのファイバのコアには結合しない。TAPミラー62で反射され、集光レンズ63で集光されたB−ASE光や散乱光は、短ファイバ65のコアには結合せず、短ファイバ65のクラッドに結合するか、遮蔽板66で遮蔽される。短ファイバ65のクラッドに結合したB−ASE光は、短ファイバ65のクラッドと短ファイバ周囲の部材の間を数回反射する内に吸収されて、空間D2内にほとんど出射しないので、PD67にB−ASE光は入射せず、雑音とならない。このため、微弱な入射信号パワーを正確に計測することができる。
図1〜3では、便宜的にTAPミラーとダイクロイックミラーの入射角を45度にしてあるが、偏波依存性などの観点から20度以下の入射角を選択する場合が多い。また、図1〜3のダイクロイックミラーは励起光を反射する型式だが、信号波長帯を反射する型式でも良い。さらに、励起光と信号光の合分波光学系に二心コリメート光学系を用いれば、部品点数が減少する上に、ダイクロイックミラーへの入射角が2度程度となってミラー設計が容易となるため特に好ましい。
本発明で用いるPDは、図1〜3のようにTO−CAN型式などのパッケージ済みPDでも良いし、ベアチップやサブアセンブル品でも良い。
本発明で用いる短ファイバは、信号波長で十分に低損失なファイバであれば何でも良い。コア径は小さい方がB−ASE光除去効果は高いが、信号光の結合損失が大きくなりやすいので、直径6〜10μm程度が好ましい。短ファイバを保持する方法としては、損失に影響を与えず、機械的衝撃などに十分耐えうる固定法であれば何でも良い。中でも、セラミックス製,結晶化ガラス製,金属製などのフェルールにあらかじめ挿入して固定したスタブ部品は、短ファイバ端面の仕上げや短ファイバ長さの管理の点で工程上有利であるため、好ましい。最近では、スタブ部品の組立に接着剤を使用しない製品もあり、耐久性の観点から特に好ましい。また、これらの部品を遮蔽板に固定する場合には、遮蔽板にスタブ部品に適合したアダプタを用意しておけば、組立上も簡単なので好ましい。
本発明で用いる短ファイバの長さは、少なくともB−ASE光が一回以上ファイバ周囲の材料との界面で反射する必要があるため、1.5mm以上必要である。また、実際の組立作業を考えると、長さ3mm以上が好ましい。一方、モジュールを小型化するためには長さを1cm以下に抑える事が好ましい。
本発明で短ファイバに信号光を結合したり、短ファイバからの出射光をコリメートする光学系は、実質的にレンズの作用があればどのような方法を用いても良い。一般的な方法としては、空間結合型のレンズ,屈折率分布型のレンズ,フレネルレンズなどが挙げられる。前述のスタブ部品との組み合わせでは、アダプタやスリーブ内で受動同軸調心ができる屈折率分布型レンズが特に好ましい。
本発明のB−ASE光除去効果を高めるために、入射信号光から見て光アイソレータ素子の上流側に、略コリメート光が通り抜ける最小限の開口を設けたピンホールを設置すると、より一層効果的である。
本発明の第一の構成を用いた前方モジュール例について図4に示す。
入射側ファイバ81aはNA=0.11の通常のシングルモードファイバであり、金属フェルール81bに挿入し、エポキシ接着剤で固定されている。端面は8度に斜め研磨され、反射率0.5%の高精度無反射コーティングが施されている。金属フェルール81bは金属アダプタ81cと溶接され、ケース80に固定されている。非球面レンズ82〜85は、金属ケースに収められており、コリメートまたは集光に用いられている。これらのレンズはケースに溶接固定されている。TAPミラー86は、ガラス基板に光学薄膜をコーティングしたものであり、1.55μm帯の通信波長帯において、入射角20度の時5%部分反射となるように設計されている。TAPミラー86はケース80にエポキシ接着剤で固定されている。信号光パワー計測用のPD87はTO−CANパッケージ品であり、ケース80に直接溶接して固定している。光アイソレータ素子88はケースに溶接固定してある。ダイクロイックミラー89はケース80にエポキシ接着剤で固定されている。励起光導入用ファイバ90aと出力ファイバ90bは、二心フェルール90cに挿入され、エポキシ接着剤で固定されている。端面は8度に斜め研磨され、反射率1%以下の広帯域無反射コーティングが施されている。二心フェルール90cは金属アダプタ90dにエポキシ接着剤で接着され、ケース80に溶接固定されている。励起光導入用ファイバと出力ファイバは、NA=0.2,カットオフ波長=0.92μmの高NAファイバである。短ファイバ91aは、ZrO製セラミックスフェルール91bに挿入され、エポキシ接着剤で固定されている。短ファイバ端面は8度に斜め研磨され、反射率0.5%の無反射コーティングが施してある。短ファイバを含むフェルールは、金属遮蔽板92に設けた開口にエポキシ接着剤で固定されている。モジュール内は金属遮蔽板92で空間EとEに分離されており、光は短ファイバ91a以外の部分を通過できないように工夫されている。
図5に実験の構成を示す。この前方モジュールの出力ファイバ90bを市販のプリアンプ用エルビウム添加ファイバ(EDF)93に、励起光導入用ファイバ90aを発振波長0.98μmの市販高出力レーザダイオード(LD)94に接続し、入射側ファイバ81aに接続した信号光源95から微弱な信号光を導入して、PD87の応答を高精度電流計96で計測した。信号光源の設定パワーと実際の出力光パワーの関係は、校正済みの高精度パワーメータであらかじめ計測してある。EDF93の下流は、ダンパ97で構成され、無反射で終端されている。ダンパ97の反射減衰量は60dB以上を確保している。
小信号利得が30dBとなる励起パワー=80mWの一定パワーで励起したときに、入力信号パワーを変化させてPD応答を調べた結果を図6に示す。この励起条件で無信号入力時のB−ASE光パワーは+10dBmであった。測定した−35dBmから−20dBmの範囲で、信号パワーの変化に応じて直線的にPDの電流値が増加し、感度も一定であることが判る。よって、本発明の第一の構成で構成した光集積化モジュールは、B−ASE光の影響を受けずに微弱な入力信号を正確に計測できることが判った。
実施例1と同様の部品を用い、内部の構成を本発明の第二の構成とした場合について、実施例1と同様の方法で測定した。
結果を図7に示す。測定した−35dBmから−20dBmの範囲で、信号パワーの変化に応じて直線的にPDの電流値が増加し、感度も一定と判った。よって、本発明の第二の構成で構成した光集積化モジュールは、B−ASE光の影響を受けずに微弱な入力信号を正確に計測できることが判った。
実施例1と同様の部品を用い、内部の構成を本発明の第三の構成とした場合について、実施例1と同様の方法で測定した。
結果を図8に示す。測定した−40dBmから−20dBmの範囲で、信号パワーの変化に応じて直線的にPDの電流値が増加し、感度も一定と判った。よって、本発明の第三の構成で構成した光集積化モジュールは、B−ASE光の影響を受けずに微弱な入力信号を正確に計測できることが判った。
実施例1から実施例3と同一の光集積化モジュールを用い、図9に示す後方励起の構成でそれぞれの光集積化モジュールのPDの応答を測定した。入力信号の条件や励起条件は実施例1と同様である。
この前方モジュールの出力ファイバ90bを市販のプリアンプ用EDF93に、残存励起光除去用ファイバ90aをダンパ98に接続する。ダンパ98の反射減衰量は60dB以上を確保している。入射側ファイバ81aに接続した信号光源99から微弱な信号光を導入して、PD87の応答を高精度電流計100で計測した。信号光源の設定パワーと実際の出力光パワーの関係は、校正済みの高精度パワーメータであらかじめ計測してある。EDF93の下流には、一般的な励起光/信号光カプラ101が接続され、発振波長0.98μmの市販高出力LD102に接続して後方励起構成となっている。励起光/信号光カプラ101からの出射信号光は、ダンパ103で無反射終端されている。ダンパ103の反射減衰量は60dB以上を確保している。
結果を図10に示す。測定した−35dBmから−20dBmの範囲で、信号パワーの変化に応じて直線的にPDの電流値が増加し、感度も一定であることが判る。よって、本発明の第一から第三の構成で構成した光集積化モジュールは、後方励起の構成であってもB−ASE光の影響を受けずに微弱な入力信号を正確に計測できることが判った。
<比較例1>
図17に示すような、従来の方法で構成された前方モジュールを用いて、実施例1と同様の前方励起の構成、および実施例4と同様の後方励起の構成でPDの応答を計測した。
結果を図11に示す。入力信号パワーを−40dBm〜0dBmの範囲で変化させて測定した結果、どちらの励起方法でも−15dBm以下で急速に感度が変化し、−25dBmでほとんど平坦な応答となることが判る。
次に、この影響がB−ASE光の影響かはっきりさせるために、後方励起の構成で、このモジュールとEDFの間に、両端にファイバを接続した市販の光アイソレータを挿入した。この光アイソレータによって、B−ASEはほとんど完全に遮断できる。光アイソレータの挿入損失は0.5dB、アイソレーションは50dBである。後方励起,80mW励起でこの光アイソレータを接続した場合、光集積化モジュールに戻るB−ASE光パワーは−50dBm程度であった。PDの応答を測定した結果を図12に示す。PDの応答は直線的な応答に回復し、感度も一定であることから、図11に示したPD応答の曲がりはB−ASEが原因と判った。よって、従来の構成で構成された光集積化モジュールは、B−ASE光の影響を受けやすく、微弱な入力信号を正確に計測できないことが判る。
本発明の第二の構成を用いた前方モジュールであって、構成を図13に示す。
入射側ファイバ110aは、ZrO2セラミックスフェルール110bに挿入し、エポキシ接着剤で固定されている。端面は8度に斜め研磨され、波長1.02μm帯で反射率1%以下の無反射コーティングが施されている。セラミックスフェルール110bは金属アダプタ110cにエポキシ接着剤で接着されており、金属アダプタ110cはケース120aに溶接で固定されている。非球面レンズ111〜112は、金属ケースに収められており、コリメートまたは集光に用いられている。これらのレンズはケースに溶接固定されている。TAPミラー121は、ガラス基板に光学薄膜をコーティングしたものであり、1.02μm帯の波長において、入射角20度の時5%部分反射となるように設計されている。TAPミラー121はケース120aにエポキシ接着剤で固定されている。信号光パワー計測用のPD115はセラミックスサブマウント品であり、ケース120bにAu−Snハンダで固定している。また、電極125とはAuワイヤーボンディングで接続されている。光アイソレータ素子122はケース120aに溶接固定してある。ダイクロイックミラー123はケース120aにエポキシ接着剤で固定されている。励起光導入用ファイバ124aと出力ファイバ124bは、二心ZrO2セラミックス製フェルール124cに挿入され、エポキシ接着剤で金属製アダプタ124d固定されている。金属製アダプタ124dはケース120aと溶接固定されている。ファイバ124aの端面は8度に斜め研磨され、波長960nm帯で反射率1%以下の無反射コーティングが施されている。ファイバ124bの端面は8度に斜め研磨され、波長1.02μm帯で反射率1%以下の無反射コーティングが施されている。入力ファイバ110a,励起光導入用ファイバ124aと出力ファイバ124bは、NA=0.2,カットオフ波長=0.92μmの高NAファイバである。短ファイバ114aは、結晶化ガラスフェルール114bと一体になったスタブ部品であり、長さ5mmであり、両端面を垂直平面研磨し、波長960nmと波長1.02μm帯の両方で反射率1%以下の広帯域無反射コーティングが施してある。短ファイバ114aはNA=0.11の伝送用ファイバである。スタブ部品(114a,114b)は、金属ケース120aに溶接固定したアダプタ126内部に配置され、同じアダプタ内のスタブ部品上流側に無反射コーティングした屈折率分布型レンズ113を配置してある。スタブ部品からの出射側はPDを近接して配置できるため、レンズを省略できる。ケース120aと120bは光が侵入しないように固定され、空間FとFに仕切られている。PDのある空間Fには、短ファイバ114a以外から光が侵入しない構造になっている。
図14に実験の構成を示す。図13のモジュールの出力ファイバ124bを短パルス増幅用のYbドープフッ化物ファイバモジュール130に、励起光導入用ファイバ124aを発振波長960nmの市販高出力LD131に接続し、入射側ファイバ110aに接続した1.02μm帯短パルスシード光源132から微弱な信号光を導入した。この時得られるPD115の応答を、電極125を通じて高精度電流計133で計測した。信号光源の設定パワーと実際の出力光パワーの関係は、校正済みの高精度パワーメータであらかじめ計測してある。Ybドープフッ化物ファイバモジュール130の下流は、反射減衰量60dB以上のダンパ134で終端されている。
小信号利得が30dBとなる励起パワー=160mWの一定パワーで励起したときに、入力信号パワーを変化させてPD応答を調べた結果を図15に示す。この励起条件で無信号入力時のB−ASE光パワーは+5dBmであった。測定した−40dBmから−20dBmの範囲で、信号パワーの変化に応じて直線的にPDの電流値が増加し、感度も一定であることが判る。よって、本発明の第二の構成で構成した光集積化モジュールは、B−ASE光の影響を受けずに微弱な入力信号を正確に計測できることが判った。
本発明の光集積化モジュールの第一の構成を示す図である。 本発明の光集積化モジュールの第二の構成を示す図である。 本発明の光集積化モジュールの第三の構成を示す図である。 実施例1に用いる本発明の光集積化モジュール例を示す図である。 実施例1に用いる本発明の実験の構成を示す図である。 実施例1の結果を示す、入力信号パワーとPD電流の関係を表す図である。 実施例2の結果を示す、入力信号パワーとPD電流の関係を表す図である。 実施例3の結果を示す、入力信号パワーとPD電流の関係を表す図である。 実施例4の実験の構成を示す図である。 実施例4の結果を示す、入力信号パワーとPD電流の関係を表す図である。 比較例1の結果を示す、入力信号パワーとPD電流の関係を表す図である。 比較例1における、図11のPD電流応答の曲がりがB−ASEであることを確認するための入力信号パワーとPD電流の関係を表す図である。 実施例5に用いる本発明の光集積化モジュール例を示す図である。 実施例5に用いる本発明の実験の構成を示す図である。 実施例5の結果を示す、入力信号パワーとPD電流の関係を表す図である。 旧来の光増幅器の構成を示す図である。 従来の光集積化モジュールの構成と問題点を説明する図である。
符号の説明
11:入力端
12:出力端
13:光増幅器
14:入力側TAP+PDモジュール
15:入力側光アイソレータ+WDMモジュール
16:励起光源
17:増幅媒体
18:出口側WDM+光アイソレータモジュール
19:残存励起光ダンパ
20:出口側TAP+PDモジュール
、A:出射空間
λ:入力信号
λ:励起光
21:光集積化モジュール
22:入射ポート
23:TAPミラー
24:PD
25:遮蔽板
26:光アイソレータ素子
27:ダイクロイックミラー
28:出射ポート
29:励起ポート
、B:出射空間
31:光集積化モジュール
32:入射ポート
33:TAPミラー
34:PD
35:集光レンズ
36:短ファイバ
37:コリメートレンズ
38:遮蔽板
39:光アイソレータ素子
40:ダイクロイックミラー
41:励起ポート
42:出力ポート
、C:出射空間
45:光集積化モジュール
46:入力ポート
47:TAPミラー
48:集光レンズ
49:コリメートレンズ
50:短ファイバ
51:遮蔽板
52:PD
53:光アイソレータ素子
54:ダイクロイックミラー
55:励起ポート
56:出力ポート
、D、D:出射空間
60:光集積化モジュール
61:入力ポート
62:TAPミラー
63:集光レンズ
64:コリメートレンズ
65:短ファイバ
66:遮蔽板
67:PD
68:集光レンズ
69:コリメートレンズ
70:短ファイバ
71:遮蔽板
72:光アイソレータ素子
73:ダイクロイックミラー
74:励起光
75:出力ポート
、E:出射空間
80:光集積化モジュール
81a:入射側ファイバ
81b:金属フェルール
81c:金属アダプタ
82〜85:非球面レンズ
86:TAPミラー
87:PD
88:光アイソレータ素子
89:ダイクロイックミラー
90a:励起光導入用ファイバ
90b:出力ファイバ
90c:二心フェルール
90d:金属アダプタ
91a:短ファイバ
91b:セラミックスフェルール
92:遮蔽板
93:EDF
94:LD
95:信号光源
96:高精度電流計
97:ダンパ
98:ダンパ
99:信号光源
100:高精度電流計
101:励起光/信号光カプラ
102:LD
103:ダンパ
、F:出射空間
110a:入射側ファイバ
110b:セラミックスフェルール
110c:金属アダプタ
111、112:非球面レンズ
113:屈折率分布型レンズ
114a:短ファイバ
114b:結晶化ガラスフェルール
115:セラミックスサブマウントPD
120:光集積化モジュール
120a、120b:ケース
121:TAPミラー
122:光アイソレータ素子
123:ダイクロイックミラー
124a:励起光導入用ファイバ
124b:出力ファイバ
124c:二心ZrO2セラミックス製フェルール
124d:金属性アダプタ
125:電極
126:アダプタ
130:Ybドープフッ化物ファイバモジュール
131:高出力LD
132:信号光源
133:高精度電流計
134:ダンパ

Claims (7)

  1. 少なくとも信号光を入射する入力ポート、信号光を光増幅媒体に出力する出力ポート、励起光を入力または残存励起光を出力する励起光ポート、光アイソレータ素子、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー、入射光信号を分岐する部分反射(TAP)ミラー、光信号パワーを測定するフォトダイオード(PD)とを備えた光集積化モジュールであって、出力ポートとTAPフィルタの間に光アイソレータ素子を挿入し、光アイソレータ素子とTAPフィルタの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ1)を挿入し、順方向の信号光が短ファイバ1を通して光アイソレータ素子を通過して出力ポートに結合するように光学系を調整し、かつ、逆方向に進行する光増幅媒体からの戻り光が短ファイバ1に結合しないように調整された、光増幅器用またはレーザ用の光集積化モジュール。
  2. 少なくとも信号光を入射する入力ポート、信号光を光増幅媒体に出力する出力ポート、励起光を入力または残存励起光を出力する励起光ポート、光アイソレータ素子、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー、入射光信号を分岐する部分反射(TAP)ミラー、光信号パワーを測定するフォトダイオード(PD)とを備えた光集積化モジュールであって、出力ポートとTAPミラーの間に光アイソレータ素子を挿入し、TAPミラーとPDの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ2)を挿入し、順方向の信号光が短ファイバ2を通してPDに結合するように光学系を調整し、かつ、逆方向に進行する光増幅媒体からの戻り光が短ファイバ2に結合しないように調整された、光増幅器用またはレーザ用の光集積化モジュール。
  3. 少なくとも信号光を入射する入力ポート、信号光を光増幅媒体に出力する出力ポート、励起光を入力または残存励起光を出力する励起光ポート、光アイソレータ素子、励起光と信号光を合分波するダイクロイックミラー、入射光信号を分岐する部分反射(TAP)ミラー、光信号パワーを測定するフォトダイオード(PD)とを備えた光集積化モジュールであって、出力ポートとTAPミラーの間に光アイソレータ素子を挿入し、光アイソレータ素子とTAPミラーの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ3)を挿入し、TAPミラーとPDの間に長さ1cm以下かつ1.5mm以上の光ファイバ(短ファイバ4)を挿入し、順方向の信号光が短ファイバ3を通して光アイソレータ素子を通過して出力ポートに結合すると共に、TAPミラーで分離された信号光が短ファイバ4に結合したあとPDに結合するように光学系を調整し、かつ、逆方向に進行する光増幅媒体からの戻り光が短ファイバ3および短ファイバ4に結合しないように調整された、光増幅器用またはレーザ用の光集積化モジュール。
  4. アイソレータ素子のある小部屋とPDのある小部屋の相互に光が漏れないように遮蔽板で仕切られ、該遮蔽板に短ファイバが固定され、短ファイバ部分のみから光が通過できるようにした、請求項1または請求項2記載の光集積化モジュール。
  5. アイソレータ素子のある小部屋とPDのある小部屋とTAPミラーのある小部屋の相互に光が漏れないように遮蔽板で仕切られ、該遮蔽板に短ファイバが固定され、短ファイバ部分のみから光が通過できるようにした、請求項3記載の光集積化モジュール。
  6. 短ファイバがセラミックス製またはガラス製または結晶化ガラス製または金属製の部材にあらかじめ固定されたスタブ部品であることを特徴とする、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の光集積化モジュール。
  7. 短ファイバがセラミックス製またはガラス製または結晶化ガラス製または金属製のフェルールにあらかじめ固定されており、かつ該フェルールと短ファイバへの光結合光学系とを、セラミックス製またはガラス製または結晶化ガラス製または金属製の管状アダプタに挿入して光学的に結合した、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の光集積化モジュール。
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