JPH05291072A - Manufacture of multi-layered ceramic capacitor - Google Patents

Manufacture of multi-layered ceramic capacitor

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JPH05291072A
JPH05291072A JP5806792A JP5806792A JPH05291072A JP H05291072 A JPH05291072 A JP H05291072A JP 5806792 A JP5806792 A JP 5806792A JP 5806792 A JP5806792 A JP 5806792A JP H05291072 A JPH05291072 A JP H05291072A
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JP
Japan
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temperature
composition layer
conductor composition
firing
dielectric
Prior art date
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Pending
Application number
JP5806792A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Kamata
和広 鎌田
Akira Inaba
明 稲葉
Kyoichi Sakuta
恭一 作田
Takayuki Oba
隆行 大羽
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DuPont Japan Ltd
Original Assignee
DuPont Japan Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To suppress the generation of cracks and delamination by heating a multi-layered laminate in a specific sintering-temperature profile and including an additive, in addition to fine particles of a conductive metal, in a conductor composition layer. CONSTITUTION: A multi-layered laminate of a dielectric composition layer and a conductor composition layer is heated at a first temperature. The laminate, after having been subjected to a first step is then heated to a second temperature which is higher than the first temperature at a rate of 450 deg.C/hr. Next, the laminate after having been subjected to a second step is heated at a third temperature which is higher than the second temperature. The conductor composition layer is made of a thin-film conductor composition layer containing fine particles of conductive metal and an additive. Thereby there is obtained a good quality of multi-layered ceramic capacitor, which can suppress the generation of cracking and delamination and further can shorten a sintering time over prior art.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、多層セラミックコンデ
ンサの製造方法、特に、誘電体組成物層および導電体組
成物層の多層積層体を焼成するときの温度プロファイル
および該導電体組成物層の組成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a multilayer ceramic capacitor, and particularly to a temperature profile when firing a multilayer laminate of a dielectric composition layer and a conductor composition layer, and the conductor composition layer. Regarding composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】多層セラミックコンデンサは、ペースト
状の厚膜導電体組成物(電極組成物)を通常スクリーン
印刷することにより形成された金属の導電体組成物層
(電極)と、セラミック酸化物を主成分とする誘電体組
成物からなるグリーンシートを積層するかあるいは乾燥
させた電極上に誘電体組成物スラリをキャスティングし
て形成された誘電体組成物層(誘電体)との複数の介在
および千鳥状層からなっている。このようなコンデンサ
はよく知られている。例えば、米国特許第2,389,
420号にはモノリシック多層セラミックコンデンサの
構造、製造および性質が記載されている。
2. Description of the Related Art A multilayer ceramic capacitor includes a metal conductor composition layer (electrode) formed by usually screen-printing a paste-like thick film conductor composition (electrode composition) and a ceramic oxide. A plurality of interpositions with a dielectric composition layer (dielectric) formed by casting a dielectric composition slurry on an electrode obtained by stacking or drying a green sheet composed of a dielectric composition as a main component, and It consists of staggered layers. Such capacitors are well known. For example, US Pat. No. 2,389,
No. 420 describes the structure, manufacture and properties of monolithic multilayer ceramic capacitors.

【0003】普通、電極組成物は、パラジウム、銀、
金、白金またはそれらの混合物のような微細な貴金属粉
末を、普通単独で有機性であるビヒクル中に分散したも
のである。また、銅およびニッケルのような非貴金属の
分散物も電極組成物に有用である。普通、ビヒクルは組
成物に粘度を付与する重合体樹脂と適当な溶剤との混合
物で構成されていて特に乾燥性に関して加工上の適合性
を与えるものである。この他、有機添加物がペーストの
レオロジーをコントロールするためにビヒクルに添加さ
れるのが普通である。典型的な電極組成物の金属濃度は
40〜70重量%の範囲にあり、残部はビヒクルであ
る。電極組成物は乾燥された誘電体組成物層上に普通ス
クリーン印刷技術によって付着され、次に乾燥させて溶
剤を除去すると、ビヒクルから金属粉末と樹脂の混合物
が残る。
Usually, the electrode composition is palladium, silver,
It is a fine noble metal powder, such as gold, platinum or mixtures thereof, dispersed in a vehicle, which is usually alone organic. Dispersions of non-noble metals such as copper and nickel are also useful in electrode compositions. Generally, the vehicle will consist of a mixture of a polymeric resin that imparts viscosity to the composition and a suitable solvent, which provides processing compatibility, particularly with respect to dryness. In addition, organic additives are commonly added to the vehicle to control the rheology of the paste. The metal concentration of a typical electrode composition is in the range of 40-70% by weight with the balance being vehicle. The electrode composition is deposited on the dried dielectric composition layer, usually by screen printing techniques, and then dried to remove the solvent, leaving a mixture of metal powder and resin from the vehicle.

【0004】誘電体組成物層は、樹脂中に分散された微
細な酸化物粉末で構成されるのが普通である。チタン酸
バリウム(BaTiO3 )およびチタン酸ネオジム(N
2Ti2 7 )やチタン酸マグネシウム(MgTiO
3 )のような酸化物が用いられる。普通、添加物が、種
々の電気特性特に誘電率を最大限にすると同時に他の性
質の中で誘電率と絶縁抵抗の温度依存性をコントロール
するために上記酸化物に添加される。この他、樹脂が取
扱いと電極の誘電体組成物層への印刷を容易にするため
に誘電体組成物層中に存在する。
The dielectric composition layer is usually composed of fine oxide powder dispersed in a resin. Barium titanate (BaTiO 3 ) and neodymium titanate (N
d 2 Ti 2 O 7 ) and magnesium titanate (MgTiO 3
Oxides such as 3 ) are used. Additives are commonly added to the above oxides to maximize various electrical properties, especially the dielectric constant, while controlling the temperature dependence of the dielectric constant and insulation resistance among other properties. In addition, a resin is present in the dielectric composition layer to facilitate handling and printing of the electrode on the dielectric composition layer.

【0005】多層セラミックコンデンサは、導電体組成
物層と誘電体組成物層を介在配置で積上げ、積上げ物か
ら個々の部分をダイシングし、次いでこれらゆるやかに
燃え尽きさせ(予備焼成)、次いで高温焼成(本焼成)
させることによって製造される。予備焼成は、導電体組
成物層および誘電体組成物層中の有機樹脂を除去(脱バ
インダ)して急速なガス発生と部分の破壊を回避するた
めに行われる。本焼成は、ピーク温度(誘電体熱成温
度)で行なわれる。この本焼成においては、誘電体の誘
電率と物理的強度が最大になるように誘電体が緻密化さ
れかつその他の所望の電気的特性が得られるように、誘
電体の化学成分を反応させる。本焼成の間、導電体組成
物層中の粉粒も焼結し緻密化して、導電性の高い連続金
属膜を形成する。
In a multilayer ceramic capacitor, a conductor composition layer and a dielectric composition layer are stacked in an interposing arrangement, individual parts of the stacked product are diced, then these are slowly burned out (pre-baking), and then high temperature firing ( Main firing)
It is manufactured by The pre-baking is performed to remove the organic resin in the conductor composition layer and the dielectric composition layer (remove binder) to avoid rapid gas generation and partial destruction. The main calcination is performed at a peak temperature (dielectric thermal temperature). In this main firing, the chemical components of the dielectric are reacted so that the dielectric is densified so that the dielectric constant and physical strength of the dielectric are maximized and other desired electrical properties are obtained. During the main firing, the powder particles in the conductor composition layer are also sintered and densified to form a continuous metal film having high conductivity.

【0006】多層セラミックコンデンサの製造における
主な問題は、導電体組成物層と誘電体組成物層とを同時
に焼成することから生じる。本焼成中、クラックと称さ
れる普通の物理的欠陥が生じる。クラックが発生すると
抵抗値が上がって絶縁性が劣化する等の問題が生じるの
で、多層セラミックコンデンサ完成品の性能に悪影響を
与える。したがってクラック発生を厳密に制御し好まし
くは完全になくさなければならない。
The main problem in the manufacture of multilayer ceramic capacitors arises from the simultaneous firing of the conductor composition layer and the dielectric composition layer. During the main firing, ordinary physical defects called cracks occur. When cracks occur, the resistance value increases and the insulation properties deteriorate, which adversely affects the performance of the finished multilayer ceramic capacitor. Therefore, cracking must be tightly controlled and preferably completely eliminated.

【0007】コンデンサの本焼成中、導電体組成物層
は、最初膨脹しそれから焼結および緻密化し始め収縮す
る。一方、誘電体組成物層は、導電体組成物層の緻密化
する温度より高い温度で緻密化し焼結縮みを開始する。
コンデンサの本焼成中、導電体組成物層が膨脹すること
が誘電体組成物層にクラックを生じさせる主な原因であ
る。また、この導電体組成物層の膨脹および焼結縮み
は、導電体組成物層と誘電体組成物層が剥離するいわゆ
るデラミネーションを生じさせる原因ともなる。
During the main firing of the capacitor, the conductor composition layer first expands and then begins to sinter and densify and contract. On the other hand, the dielectric composition layer densifies at a temperature higher than the densification temperature of the conductor composition layer and starts sintering shrinkage.
During the main firing of the capacitor, the expansion of the conductor composition layer is the main cause of cracking of the dielectric composition layer. The expansion and sintering shrinkage of the conductor composition layer also cause so-called delamination in which the conductor composition layer and the dielectric composition layer are separated from each other.

【0008】コンデンサの本焼成中のクラック発生を抑
制する方法としては、例えば窒素雰囲気または低酸素濃
度雰囲気で焼成する方法が知られているが、導電体組成
物層の焼結を制御することが非常に困難になるなどの問
題がある。
As a method for suppressing the occurrence of cracks during the main firing of a capacitor, for example, a method of firing in a nitrogen atmosphere or a low oxygen concentration atmosphere is known, but it is possible to control the sintering of the conductor composition layer. There are problems such as becoming very difficult.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、クラ
ックおよびデラミネーションの発生を抑制できる多層セ
ラミックコンデンサの製造方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor which can suppress the occurrence of cracks and delamination.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段および作用】上記の目的
は、誘電体組成物層および導電体組成物層の多層積層体
を第1の温度で加熱処理する第1の工程と、該第1の工
程を経た積層体を450℃/時間以上の昇温比率で該第
1の温度より高い第2の温度まで加熱する第2の工程
と、該第2の工程を経た積層体を該第2の温度よりさら
に高い第3の温度で加熱処理する第3の工程とを有し、
該導電体組成物層が導電性金属の微粒子および添加剤を
含有する厚膜導電体組成物からなることを特徴とする多
層セラミックコンデンサの製造方法によって解決され
る。
Means and Action for Solving the Problems The above-mentioned object is to carry out a first step of heat-treating a multi-layer laminate of a dielectric composition layer and a conductor composition layer at a first temperature, and the first step. A second step of heating the laminated body that has undergone the step to a second temperature higher than the first temperature at a temperature rising rate of 450 ° C./hour or more, and the laminated body that has undergone the second step have the second step. A third step of performing heat treatment at a third temperature higher than the temperature,
It is solved by a method for producing a multilayer ceramic capacitor, wherein the conductor composition layer is composed of a thick film conductor composition containing fine particles of a conductive metal and an additive.

【0011】本発明の製造方法においては、第1の工程
において、誘電体組成物層および導電体組成物層の多層
積層体を第1の温度で加熱処理すなわち予備焼成して脱
バインダし、次いで第2の工程において、該積層体を4
50℃/時間以上という高い昇温比率で該第1の温度よ
り高い第2の温度まで加熱する。この第2の工程の加熱
を、高速高温焼成と称する。その後、第3の工程におい
て、該積層体を該第2の温度よりさらに高い第3の温度
すなわちピーク温度(誘電体熟成温度)で加熱処理す
る。すなわち本焼成する。本発明の製造方法はこのよう
な焼成温度プロファイルで加熱処理することを特徴と
し、さらに、該導電体組成物層に導電性金属の微粒子の
他に添加剤を含有させることを特徴とするものである。
In the manufacturing method of the present invention, in the first step, the multilayer laminate of the dielectric composition layer and the conductor composition layer is heat-treated at a first temperature, that is, pre-baked to remove the binder, and In the second step, the laminate is
It is heated to a second temperature higher than the first temperature at a high temperature rising rate of 50 ° C./hour or more. The heating in the second step is called high-speed high-temperature firing. Then, in a third step, the laminate is heat-treated at a third temperature higher than the second temperature, that is, a peak temperature (dielectric aging temperature). That is, the main firing is performed. The production method of the present invention is characterized by performing heat treatment in such a firing temperature profile, and further characterized by containing an additive in addition to the conductive metal fine particles in the conductor composition layer. is there.

【0012】本焼成の前に高速高温焼成を行うことによ
り、本焼成において導電体組成物中の導電性金属の酸化
が抑制され導電体組成物層の膨脹の主要因である酸化膨
脹が抑制される。その上、高速高温焼成は、本焼成中に
おける誘電体組成物層のグリーン強度を高める。これに
よって、導電体組成物層の酸化による又は有機媒体中の
炭素の燃焼による又は酸化された導電性金属からの酸素
の脱離による導電体組成物層の膨脹に対する誘電体組成
物層の耐性が増す。さらに、導電体組成物層中に添加さ
れる有機金属化合物は、導電体組成物層の酸化膨脹を抑
制し焼結収縮特性を制御して本焼成中の誘電体組成物層
との間の膨脹および収縮に関する適合性を向上させ、ま
た、導電体組成物層中に添加されるSiO2 、Ti
2 、およびBaTiO3 などの無機化合物も、導電体
組成物層の表面を処理することによって同様の効果を奏
する。これらによって、積層体におけるクラックおよび
デラミネーションの発生が抑制されるものと考えられ
る。
By performing the high-speed high-temperature firing before the main firing, the oxidation of the conductive metal in the conductor composition is suppressed in the main firing, and the oxidation expansion which is the main factor of the expansion of the conductor composition layer is suppressed. It Moreover, rapid high temperature firing increases the green strength of the dielectric composition layer during the main firing. This makes the dielectric composition layer resistant to expansion of the conductor composition layer due to oxidation of the conductor composition layer or due to combustion of carbon in the organic medium or desorption of oxygen from the oxidized conductive metal. Increase. Further, the organometallic compound added to the conductor composition layer suppresses the oxidative expansion of the conductor composition layer and controls the sintering shrinkage property to expand the dielectric composition layer during the main firing. And the compatibility with respect to shrinkage are improved, and SiO 2 , Ti added in the conductor composition layer are added.
Inorganic compounds such as O 2 and BaTiO 3 have the same effect by treating the surface of the conductor composition layer. It is considered that these suppress generation of cracks and delamination in the laminate.

【0013】本発明においては、第2の工程での加熱に
よって第2の温度に到達した後一度積層体を冷却(放冷
を含む)し、その後改めて積層体を加熱して第3の工程
を実施してもよいし、第2の工程において第2の温度に
到達した後引き続きそのまま積層体を加熱して第3の工
程を実施してもよい。
In the present invention, the laminated body is once cooled (including cooling) after the second temperature is reached by the heating in the second step, and then the laminated body is heated again to carry out the third step. It may be carried out, or after the second temperature is reached in the second step, the laminate may be heated as it is to carry out the third step.

【0014】本発明の方法により、クラックの発生が低
減された高品質の多層セラミックコンデンサが得られ
る。しかも本発明の方法によれば従来よりも本焼成の時
間が短縮でき生産性が向上する。さらに、第2の工程か
らそのまま引き続いて第3の工程を実施すればさらに効
率良く多層セラミックコンデンサを製造することができ
る。以下本発明をさらに詳細に説明する。 A.誘電体組成物層
The method of the present invention provides a high quality multilayer ceramic capacitor with reduced cracking. Moreover, according to the method of the present invention, the time for main firing can be shortened and productivity can be improved as compared with the conventional method. Further, if the third step is carried out as it is from the second step, the multilayer ceramic capacitor can be manufactured more efficiently. The present invention will be described in more detail below. A. Dielectric composition layer

【0015】本発明において、誘電体組成物層として
は、一般に多層セラミックコンデンサにおいて用いられ
ているものすなわち微細な酸化物粉末を樹脂中に分散さ
せた組成物からなる層を使用することができる。酸化物
粉末としては、チタン酸バリウム(BaTiO3 )およ
びチタン酸ネオジム(Nd2 Ti2 7 )やチタン酸マ
グネシウム(MgTiO3 )の他、チタン酸カルシウム
(CaTiO3 )の酸化物の粉末も用いられる。この他
誘電体組成物にはMnO、CeO2 、ZrO2 、SiO
2 、Al2 3 およびNdOなどの添加剤を含有させる
ことができる。 B.導電体組成物層
In the present invention, as the dielectric composition layer, one generally used in a multilayer ceramic capacitor, that is, a layer made of a composition in which fine oxide powder is dispersed in a resin can be used. As the oxide powder, in addition to barium titanate (BaTiO 3 ), neodymium titanate (Nd 2 Ti 2 O 7 ), magnesium titanate (MgTiO 3 ), calcium titanate (CaTiO 3 ) oxide powder is also used. Be done. Other dielectric compositions include MnO, CeO 2 , ZrO 2 , and SiO.
Additives such as 2 , Al 2 O 3 and NdO can be included. B. Conductor composition layer

【0016】本発明において、導電体組成物層として
は、導電性金属の微粒子が有機媒体中に分散している厚
膜導電体組成物であってさらに添加剤を含有している導
電体組成物からなる層を使用する。この厚膜導電体組成
物中の添加剤としては、特開平3−142808号公報
に記載された有機金属化合物たとえばRh、Ni、C
r、Pb、Cu、Fe、Mn、Zr、Ca、Co、B
i、Zn等の金属を含む有機金属化合物の他、Si
2 、TiO2 、およびBaTiO3 などの無機化合物
も用いることができる。
In the present invention, the conductor composition layer is a thick film conductor composition in which fine particles of a conductive metal are dispersed in an organic medium and further contains an additive. A layer consisting of As additives in the thick film conductor composition, organometallic compounds described in JP-A-3-142808, such as Rh, Ni and C, can be used.
r, Pb, Cu, Fe, Mn, Zr, Ca, Co, B
In addition to organometallic compounds containing metals such as i and Zn, Si
Inorganic compounds such as O 2 , TiO 2 and BaTiO 3 can also be used.

【0017】本発明において用いられる有機金属化合物
は、その金属部位または金属酸化物部位が前記導電性金
属に不溶性でありそして/または金属部位の酸化物が導
電性金属の存在下に非還元性である有機金属化合物であ
る。この有機金属化合物は、重合体バインダーと揮発性
溶媒に溶解し、この溶液中に導電性金属の微粒子を分散
させることが好ましい。この有機金属化合物の量は、そ
の金属部位が厚膜導電体組成物の少なくとも0.05重
量%を構成する程度である。SiO2 、TiO2 、およ
びBaTiO3 など無機化合物の量は、厚膜導電体組成
物の0.05重量%以上である。
The organometallic compound used in the present invention is such that the metal part or metal oxide part thereof is insoluble in the conductive metal and / or the oxide of the metal part is non-reducing in the presence of the conductive metal. It is an organometallic compound. It is preferable that the organometallic compound be dissolved in a polymer binder and a volatile solvent and the conductive metal fine particles be dispersed in the solution. The amount of this organometallic compound is such that the metal portion constitutes at least 0.05% by weight of the thick film conductor composition. The amount of inorganic compounds such as SiO 2 , TiO 2 and BaTiO 3 is 0.05% by weight or more of the thick film conductor composition.

【0018】導電体組成物中の導電性金属の微粒子とし
ては、Pd、Ag、Pt、Au、Cu、Ni、Ca、Z
r、これらの金属の酸化物前駆体および合金ならびにそ
れらの混合物から選ばれた導電性金属の微粒子を用いる
ことができる。次に、本発明において厚膜導電体組成物
として好ましい組成物である、
The fine particles of the conductive metal in the conductor composition include Pd, Ag, Pt, Au, Cu, Ni, Ca and Z.
Fine particles of a conductive metal selected from r, oxide precursors and alloys of these metals, and mixtures thereof can be used. Next, in the present invention, it is a preferred composition as a thick film conductor composition,

【0019】「 (a)Pd、Ag、Pt、Au、C
u、Ni、これらの金属の酸化物前駆体および合金なら
びにそれらの混合物から選ばれた導電性金属の微粒子
が、
“(A) Pd, Ag, Pt, Au, C
fine particles of a conductive metal selected from u, Ni, oxide precursors and alloys of these metals, and mixtures thereof,

【0020】(b)(i)その金属部位または金属酸化
物部位が前記導電性金属に不溶性でありそして/または
金属部位の酸化物が導電性金属の存在下に非還元性であ
る有機金属化合物を含有し、かつ前記有機金属化合物が
(ii)重合体バインダーと揮発性溶媒の溶液中に溶解し
ている有機媒体中に分散していて、
(B) (i) An organometallic compound in which the metal site or metal oxide site is insoluble in the conductive metal and / or the metal site oxide is non-reducing in the presence of the conductive metal. And containing the organic metal compound (ii) dispersed in an organic medium dissolved in a solution of a polymer binder and a volatile solvent,

【0021】そして、前記有機金属化合物の量はその金
属部位が全組成物の少なくとも0.05重量%を構成す
る程度であることを特徴とする、多層コンデンサの電極
に使用するのに適した厚膜導電体組成物」について詳述
する。 (1)導電性金属 本発明に用いることのできる導電性金属はPd、Ag、
Pt、Au、Cu、Ni、これらの金属の合金およびそ
れらの酸化物前駆体である。本明細書中で用いられる
「酸化物である前駆体」なる語は、標準厚膜焼成条件下
で0価の金属形態(Meo )に還元される金属酸化物を
意味する。
A suitable thickness for use in the electrodes of the multilayer capacitor, characterized in that the amount of the organometallic compound is such that the metal part constitutes at least 0.05% by weight of the total composition. The "membrane conductor composition" will be described in detail. (1) Conductive Metal The conductive metal that can be used in the present invention is Pd, Ag,
Pt, Au, Cu, Ni, alloys of these metals and their oxide precursors. As used herein, the term "precursor that is an oxide" refers to a zero-valent metal form (Me o under standard thick film firing conditions). ) Means a metal oxide reduced to.

【0022】導電性金属の粒度分布は本発明の有効性に
ついて臨界的ではないが、実際問題としては相当粒径を
基準にして0.1〜10μm好ましくは0.3〜3μm
であるべきである。金属は有機媒体中に容易に分散され
そして形態学が非フレークであることが好ましい。 (2)有機金属化合物 本明細書中で用いられる「有機金属化合物」および「樹
脂酸金属」なる語は、有機媒体に可溶な有機金属化合物
について同義語として用いられる。
The particle size distribution of the conductive metal is not critical to the effectiveness of the present invention, but in practice it is 0.1 to 10 μm, preferably 0.3 to 3 μm, based on the equivalent particle size.
Should be. It is preferred that the metal be readily dispersed in the organic medium and that the morphology be non-flake. (2) Organometallic compound The terms "organometallic compound" and "metal resinate" used herein are synonymous with an organometallic compound soluble in an organic medium.

【0023】樹脂酸金属の1つのタイプは、数種の有機
化合物のいずれかと金属塩との反応生成物である。得ら
れる化合物は本質的には1つの部位が種々の金属の1つ
によって占められた長期有機分子である。別のタイプの
樹脂酸金属は、有機チタネートのようなキレート型化合
物である。
One type of metal resinate is the reaction product of any of several organic compounds with a metal salt. The resulting compound is essentially a long-term organic molecule with one site occupied by one of the various metals. Another type of metal resinate is a chelate-type compound such as an organic titanate.

【0024】有機金属化合物の有機部位の組成は臨界的
でないが、本発明において用いる厚膜導電体組成物を酸
化性または非酸化性雰囲気で焼成する際に熱分解しなけ
ればならない。これらの有機部位にはカルボキシレー
ト、ナフテネート、タレート、アルコレートなどが包含
される。
The composition of the organic part of the organometallic compound is not critical, but it must be thermally decomposed when the thick film conductor composition used in the present invention is fired in an oxidizing or non-oxidizing atmosphere. These organic moieties include carboxylates, naphthenates, tallates, alcoholates and the like.

【0025】適当な有機金属化合物は高度な流体から非
常に粘稠な液体までまた固体までの範囲にあってもよ
い。本発明における使用の観点から、有機媒体中の樹脂
酸塩の溶解度は第1に重要である。典型的には、樹脂酸
金属は有機溶媒特に極性溶媒例えばトルエン、メチレン
クロライド、ペンジルアセテートなどに可溶性である。
また、これらはミネラルスピリットのような非極性溶媒
に可溶性である。樹脂酸金属および貴金属と卑金属との
樹脂酸金属溶液は商業的に入手できる。適当な樹脂酸貴
金属はRu、Rh、Re、Ir、Ptおよびそれらの混
合物をベースとしたものである。適当な樹脂酸貴金属は
Mg、Si、Ti、V、Cr、Mn,Fe、Co、N
i、Cu、Zn、Zr、Nb、Ba、Ce、Ta、Wお
よびそれらの混合物をベースとしたものである。
Suitable organometallic compounds may range from highly fluid to very viscous liquids to solids. From the point of use in the present invention, the solubility of the resinate salt in the organic medium is of primary importance. Typically, the resinous metal is soluble in organic solvents, especially polar solvents such as toluene, methylene chloride, penzyl acetate and the like.
Also, they are soluble in non-polar solvents such as mineral spirits. Metal resinates and solutions of precious metal and base metals with resinates are commercially available. Suitable noble metal resinates are based on Ru, Rh, Re, Ir, Pt and mixtures thereof. Suitable resin acid precious metals are Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, N
It is based on i, Cu, Zn, Zr, Nb, Ba, Ce, Ta, W and mixtures thereof.

【0026】適当な有機チタネートはイギリス特許第7
72,675号に記載されたもの特に有機チタネートが
式(AO)4x-3y TiOy (式中、AはC1-4 アルキル
またはC1-5 アルキルとC1-6 アシルとの混合物であ
り、Oは2個のチタン原子を共有結合する酸素原子であ
り、xは1−12の整数でありそしてyは0または1−
3x/2の整数である)に対応するチタンの加水分解性
金属アルコラートであるものである。アルキル基は直鎖
または枝別れ鎖のいずれかであってもよい。好適な有機
チタネートにはアセチルアセトネートチタンおよびテト
ラオクチレングリコールチタンキレートが包含される。
このタイプの他の有機チタネートはKen−React
Bul.No.KR−0278−7 Rev.(Ke
nrichPetrochemlcals.lnc.ベ
イオン、ニュージャージ)および「Versatile
Tyzor Organic Tita−nate
s」と題するDu Pont Bul.No.E−38
961に記載されている。
Suitable organic titanates are described in British Patent No. 7
No. 72,675, particularly organic titanates of the formula (AO) 4x-3y TiO y , where A is C 1-4 alkyl or a mixture of C 1-5 alkyl and C 1-6 acyl. , O is an oxygen atom that covalently bonds two titanium atoms, x is an integer of 1-12, and y is 0 or 1-.
A hydrolyzable metal alcoholate of titanium (corresponding to an integer of 3 × / 2). The alkyl group may be either straight or branched. Suitable organic titanates include titanium acetylacetonate and tetraoctylene glycol titanium chelates.
Other organic titanates of this type are Ken-React
Bul. No. KR-0278-7 Rev. (Ke
nrich Petrochemcals. lnc. Bayon, NJ) and "Versatile
Tyzor Organic Tita-nate
Du Pont Bul. No. E-38
961.

【0027】樹脂酸金属は樹脂酸塩の金属または金属酸
化物含量が全組成物の0.05〜5重量%好ましくは
0.1〜1重量%を構成する程度の濃度で本発明の厚膜
導電体組成物中で用いられる。
The resin acid metal is a thick film of the present invention at a concentration such that the metal or metal oxide content of the resin acid salt constitutes 0.05 to 5% by weight, preferably 0.1 to 1% by weight of the total composition. Used in conductor compositions.

【0028】化合物を有機媒体中に完全にかつ均一に分
散させるためには有機金属化合物は有機媒体の残りに可
溶性であることが必須である。そのように均一な分散を
達成させる場合、有機金属物質は導電性金属粒子の表面
に結合しそれから焼成が続くにつれて分解して対応する
金属または金属酸化物を生成した後導電性金属粒子は焼
結し始める。 (3)重合体バインダー溶液
In order to completely and uniformly disperse the compound in the organic medium, it is essential that the organometallic compound be soluble in the rest of the organic medium. In order to achieve such a uniform dispersion, the organometallic material binds to the surface of the conductive metal particles and then decomposes as firing continues to produce the corresponding metal or metal oxide, which is then sintered. Begin to. (3) Polymer binder solution

【0029】有機媒体中の第2の重要な成分は有機溶媒
中の重合体バインダーの溶液である。有機媒体のこの部
分の主な目的は、組成物の微細な固体をセラミックまた
は他の基体に容易に適用できるような形態で分散させる
ためのビヒクルとして使用することである。したがっ
て、有機媒体のこの部分はまず第一に固体が分散性であ
って十分な安定度を有するものでなければならない。第
2に、有機媒体のレオロジー性は分散物に良好な適用性
を与える程度でなければならない。
The second important ingredient in the organic medium is a solution of the polymeric binder in an organic solvent. The main purpose of this part of the organic medium is to serve as a vehicle for dispersing the finely divided solids of the composition in a form such that it can be readily applied to a ceramic or other substrate. Therefore, this part of the organic medium must first of all be such that the solid is dispersible and of sufficient stability. Secondly, the rheological properties of the organic medium must be such that it gives the dispersion good applicability.

【0030】大抵の厚膜組成物はスクリーン印刷によっ
て基体に適用される。それ故、それらはスクリーンを容
易に通過できるような適当な粘度を有していなければな
らない。さらに、それらはスクリーン印刷した後に急速
に固化しそれによって良好な解像度を与えるためにチキ
ソトロープ性であるべきである。レオロジー性が第1に
重要であるが、有機媒体は固体と基体に適当な湿潤性を
与え、良好な乾燥速度、荒っぽい取扱いに耐えるのに十
分な乾燥フィルム強さおよび良好な焼成性を与えるよう
に混合するのが好ましい。また、焼成された組成物の満
足のいく外観も重要である。
Most thick film compositions are applied to the substrate by screen printing. Therefore, they must have a suitable viscosity so that they can easily pass through the screen. Furthermore, they should be thixotropic in order to solidify rapidly after screen printing and thereby give good resolution. While rheology is of primary importance, the organic medium should provide adequate wetting to solids and substrates, good drying rates, sufficient dry film strength to withstand rough handling, and good bakeability. It is preferable to mix them. Also, a satisfactory appearance of the fired composition is important.

【0031】これらの基準にかんがみて、主な分散媒体
として広い範囲の重合体と溶媒を用いることができる。
典型的には、大抵の厚膜組成物のための分散媒体はしば
しばチキソトロープ剤および湿潤剤も含有する溶媒中の
樹脂の溶液である。溶媒は130〜350℃の範囲内で
沸騰するのが普通である。
In view of these criteria, a wide range of polymers and solvents can be used as the main dispersion medium.
Typically, the dispersion medium for most thick film compositions is a solution of the resin in a solvent that often also contains a thixotropic agent and a wetting agent. The solvent usually boils within the range of 130-350 ° C.

【0032】この目的のために極めてひんぱんに用いら
れる樹脂はエチルセルロースである。しかしながら、エ
チルヒドロキシエチルセルロース、ウッドロジン、エチ
ルセルロースとフェノール性樹脂との混合物、低級アル
コールのポリメタクリレートおよびエチレングリコール
モノアセテートのモノブチルエーテルのような樹脂も用
いることができる。
A very frequently used resin for this purpose is ethyl cellulose. However, resins such as ethyl hydroxyethyl cellulose, wood rosin, mixtures of ethyl cellulose and phenolic resins, polymethacrylates of lower alcohols and monobutyl ether of ethylene glycol monoacetate can also be used.

【0033】適当な溶媒にはケロシン、ミネラルスピリ
ット、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチ
ルカルビトールアセテート、ヘキシレングリコール、高
沸点アルコールおよびアルコールエステルが包含され
る。これらおよび他の溶媒の種々の組合せは所望の粘
度、揮発性および誘電テープとの相溶性を得るために調
合される。また、水溶性溶媒系を用いることができる。
Suitable solvents include kerosene, mineral spirits, dibutyl phthalate, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, hexylene glycol, high boiling alcohols and alcohol esters. Various combinations of these and other solvents are formulated to obtain the desired viscosity, volatility and compatibility with the dielectric tape. Also, a water-soluble solvent system can be used.

【0034】普通に用いられるチキソトロープ剤のなか
には水添ひまし油、その誘電体およびエチルセルロース
がある。もちろんチキソトロープ剤を含有させることは
必ずしも必要ではない。というのはいずれかの懸濁液に
固有の剪断減粘性と一緒にされた溶媒/樹脂性は上記の
点については単独で適しているかもしれないからであ
る。適当な湿潤剤にはりん酸エステルおよび大豆レシチ
ンがある。
Among the commonly used thixotropic agents are hydrogenated castor oil, its dielectric and ethyl cellulose. Of course, it is not always necessary to include a thixotropic agent. This is because the solvent / resinity combined with the shear thinning properties inherent in either suspension may be suitable alone in this regard. Suitable wetting agents include phosphate esters and soy lecithin.

【0035】ペースト分散物中の有機媒体と固形分の比
はかなり変動しそして分散物が適用される方法と使用さ
れる有機媒体の種類に左右される。普通は、良好な被覆
を得るためには、分散物は40〜90重量%の固形分と
60〜10重量%の有機媒体を含有するであろう。本発
明に用いる厚膜導電体組成物は、45〜65重量%の金
属固形分と55〜35重量%の有機媒体を含有すること
が好ましい。
The ratio of organic medium to solids in the paste dispersion varies considerably and depends on the method in which the dispersion is applied and the type of organic medium used. Normally, the dispersion will contain 40-90% by weight solids and 60-10% by weight organic medium in order to obtain a good coating. The thick film conductor composition used in the present invention preferably contains 45 to 65% by weight of metal solids and 55 to 35% by weight of organic medium.

【0036】ペーストは、三本ロール絞り機を用いて調
製するのが好都合である。ペーストの粘度は低、中およ
び高剪断速度でブルックフィールド粘度計を用いて室温
で測定した場合、典型的には0.1〜300Pa- s で
ある。使用される有機媒体(ビヒクル)の量と種類は、
所望の最終調合粘度とプリント厚さによって主に決定さ
れる。有機ビヒクルはすぐれた分散性を与えそして焼成
サイクル中で低い温度(400〜450℃)できれいに
燃え尽くさなければならない。
The paste is conveniently prepared using a three roll press. The viscosity of the paste is typically 0.1 to 300 Pa-s when measured at room temperature using a Brookfield viscometer at low, medium and high shear rates. The amount and type of organic medium (vehicle) used is
It is largely determined by the desired final formulation viscosity and print thickness. The organic vehicle must provide excellent dispersibility and burn out cleanly at low temperatures (400-450 ° C) during the firing cycle.

【0037】これらの基準にかんがみて、本発明に好適
なビヒクル系はβーテルピネオール、ミネラルスピリッ
トおよび他の溶媒の混合物中に溶解されたエチルヒドロ
キシエチルセルロースからなっている。また、エチルセ
ルロースおよび他の溶媒も用いることができる。通常、
チキソトロープ剤はスクリーン印刷によるライン解像度
を改良するために加えられる。 (4)調合
In view of these criteria, the vehicle system suitable for the present invention consists of ethyl hydroxyethyl cellulose dissolved in a mixture of β-terpineol, mineral spirits and other solvents. Also, ethyl cellulose and other solvents can be used. Normal,
A thixotropic agent is added to improve the line resolution by screen printing. (4) Preparation

【0038】本発明に用いる厚膜導電体組成物は、有機
金属化合物を重合体/溶媒の溶液中に溶解し、導電性金
属粉末を有機媒体中へ混合し、次に組成物を練って粉末
を液体媒体中に均一かつ安定に分散させることによっ
て、容易に調製することができる。 C.多層積層体の製造
The thick film conductor composition used in the present invention is prepared by dissolving an organometallic compound in a polymer / solvent solution, mixing a conductive metal powder into an organic medium, and then kneading the composition to prepare a powder. Can be easily prepared by uniformly and stably dispersing it in a liquid medium. C. Manufacture of multilayer laminates

【0039】本発明においては、上記のような誘電体組
成物層および導電体組成物層を、通常の多層セラミック
コンデンサの製造の場合と同様に介在配置で積上げ、所
望により該積上げ物から個々の部分をダイシングする。
こうして誘電体組成物層および導電体組成物層の多層積
層体を製造する。 D.多層積層体の焼成 (1)第1の工程(予備焼成)
In the present invention, the dielectric composition layer and the conductor composition layer as described above are stacked in an intervening arrangement as in the case of manufacturing a normal multilayer ceramic capacitor, and if desired, individual layers are stacked from the stacked product. Dicing the part.
Thus, a multi-layer laminate of the dielectric composition layer and the conductor composition layer is manufactured. D. Firing of multilayer laminate (1) First step (preliminary firing)

【0040】本発明の第1の工程においては、誘電体組
成物層および導電体組成物層の多層積層体を第1の温度
で加熱処理する。これは、導電体組成物層および誘電体
組成物層中の有機樹脂をゆるやかに燃え尽きさせること
により除去(脱バインダ)して、後の加熱工程における
急速なガス発生と部分の破壊を回避するために行われ
る。第1の温度と加熱時間は、誘電体組成物層および導
電体組成物層の組成、特に使用した有機溶媒の種類によ
って選択するが、通常、第1の温度は300℃〜450
℃の温度範囲であり、この第1の温度までの昇温時間、
第1の温度での滞留時間および降温時間を含めた全体の
時間は、24時間〜50時間程度の時間幅から選択され
る。 (2)第2の工程(高速高温焼成)
In the first step of the present invention, the multi-layer laminate of the dielectric composition layer and the conductor composition layer is heat-treated at the first temperature. This is to remove (de-binder) the organic resin in the conductor composition layer and the dielectric composition layer by slowly burning it out to avoid rapid gas generation and partial destruction in the subsequent heating step. To be done. The first temperature and the heating time are selected depending on the composition of the dielectric composition layer and the conductor composition layer, particularly the type of organic solvent used, but the first temperature is usually 300 ° C to 450 ° C.
The temperature range of ℃, the temperature rise time to this first temperature,
The entire time including the residence time at the first temperature and the temperature lowering time is selected from the time range of about 24 hours to 50 hours. (2) Second step (high-speed high-temperature firing)

【0041】本発明の第2の工程においては、第1の工
程を経た積層体を450℃/時間以上の昇温比率で第2
の温度まで加熱する。第2の温度は、第1の温度より高
く第3の温度すなわちピーク温度(誘電体熟成温度)よ
り低い温度である。第2の温度は、誘電体組成物層およ
び導電体組成物層の組成等によって選択するが、例え
ば、導電体組成物層の導電性金属がPdである場合に
は、Pdの還元温度の前後,約800℃以上とすること
が望ましい。第2の工程の加熱処理においては、昇温比
率を450℃/時間以上とする。
In the second step of the present invention, the laminate obtained in the first step is subjected to the second step at a temperature rising rate of 450 ° C./hour or more.
Heat to the temperature of. The second temperature is higher than the first temperature and lower than the third temperature, that is, the peak temperature (dielectric aging temperature). The second temperature is selected depending on the composition of the dielectric composition layer and the conductor composition layer, and for example, when the conductive metal of the conductor composition layer is Pd, the second temperature is around the reduction temperature of Pd. It is desirable that the temperature is about 800 ° C or higher. In the heat treatment of the second step, the temperature rising rate is set to 450 ° C./hour or more.

【0042】第2の温度に到達した後は、該温度に一定
時間保持しても到達後直ちに冷却してもよく、また、到
達後引き続いて第3の工程による加熱処理を開始しても
よい。第2の温度に一定時間保持する場合の保持時間
は、焼成される積層体の熱容量によって選択するが、例
えば10分程度である。こうして一定温度に保持した後
は、冷却してもよく、また、引き続いて第2の工程によ
る加熱処理を開始してもよい。第2の温度に到達した後
直ちに冷却する場合または一定時間保持した後冷却する
場合の降温速度は、例えば50℃/時間以上である。第
2の温度から降温する場合は、徐冷すると降温中に導電
体組成物中の金属の酸化が進行してクラックが発生する
恐れがあるので、急冷することが好ましい。この観点か
ら、第2の工程を実施する加熱炉はベルトタイプのもの
が好ましい。ボックスタイプのものは一般に一度高温に
達すると温度が下がりにくくまたその降温の温度制御も
困難だからである。 (3)第3の工程(本焼成)
After the second temperature is reached, the temperature may be maintained for a certain period of time or cooled immediately after the temperature is reached, or after the temperature is reached, the heat treatment in the third step may be started. .. The holding time in the case of holding the second temperature for a certain time is selected depending on the heat capacity of the laminated body to be fired, but is, for example, about 10 minutes. After being kept at a constant temperature in this way, it may be cooled, or subsequently, the heat treatment in the second step may be started. The rate of temperature decrease in the case of cooling immediately after reaching the second temperature or in the case of cooling after holding for a certain period of time is, for example, 50 ° C./hour or more. When the temperature is lowered from the second temperature, rapid cooling is preferable because gradual cooling may cause the metal in the conductor composition to oxidize during the temperature lowering to cause cracks. From this viewpoint, the heating furnace for carrying out the second step is preferably of the belt type. This is because the box type generally has a low temperature once it reaches a high temperature, and it is also difficult to control the temperature of the temperature decrease. (3) Third step (main firing)

【0043】本発明の第3の工程においては、第2の工
程を経た積層体を第3の温度すなわちピーク温度(誘電
体熱成温度)で加熱する。ピーク温度までの昇温比率は
特に制限はないが、例えば50〜450℃/時間であ
る。
In the third step of the present invention, the laminated body which has undergone the second step is heated at a third temperature, that is, a peak temperature (dielectric thermal temperature). The temperature rising ratio up to the peak temperature is not particularly limited, but is, for example, 50 to 450 ° C./hour.

【0044】ピーク温度は、誘電体材料によって選択す
るが、例えば1000〜1400℃である。ピーク温度
での保持時間は1時間〜4時間程度である。ピーク温度
から冷却するときの降温速度は、例えば50〜400℃
/時間である。
The peak temperature is selected depending on the dielectric material, but is, for example, 1000 to 1400 ° C. The holding time at the peak temperature is about 1 to 4 hours. The cooling rate when cooling from the peak temperature is, for example, 50 to 400 ° C.
/ Time.

【0045】[0045]

【実施例】本発明を以下の例によってさらに詳細に説明
する。 例1および例2 本発明の焼成温度プロファイルが厚膜導電体組成物中の
導電性金属の酸化に与える影響を調べた。
The present invention will be described in more detail by the following examples. Example 1 and Example 2 The effect of the firing temperature profile of the present invention on the oxidation of conductive metals in thick film conductor compositions was investigated.

【0046】導電性金属としてPd 47 wt %、有機
金属化合物としてカルシウムレジネート0.5 wt %お
よびジルコニウムレジネート0.5 wt %、および有機
媒体52 wt %を含有する厚膜導電体組成物を調製し
た。
A thick film conductor composition was prepared containing 47 wt% Pd as the conductive metal, 0.5 wt% calcium resinate and 0.5 wt% zirconium resinate as the organometallic compound, and 52 wt% organic medium. ..

【0047】この厚膜導電体組成物を、アルミナ基体上
に20ミル厚膜にキャストし、そしてすべてのペースト
溶媒が除去されるまで乾燥させた。これによっておおよ
そ100〜300ミクロン厚さの乾燥されたペースト膜
が得られた。これを試料1とした。
This thick film conductor composition was cast into a 20 mil thick film on an alumina substrate and dried until all paste solvent was removed. This resulted in a dried paste film approximately 100-300 microns thick. This was designated as Sample 1.

【0048】例1:試料1を、昇温速度600℃/時間
で900℃まで加熱し、その熱分析(TGA)によっ
て、途中400℃、500℃、600℃、700℃、8
00℃および最高温度にそれぞれ達したときのPdの酸
化の程度を測定し百分率で表した。
Example 1: Sample 1 was heated to 900 ° C. at a temperature rising rate of 600 ° C./hour, and its thermal analysis (TGA) showed that it was 400 ° C., 500 ° C., 600 ° C., 700 ° C., 8 ° C.
The degree of oxidation of Pd when the temperature reached 00 ° C. and the maximum temperature, respectively, was measured and expressed as a percentage.

【0049】例2:試料1を室温から400℃に達する
まで40時間加熱し続いて400℃に2時間保持しその
後約6時間で室温まで降温した(これを予備焼成1とい
う)。それから約1800℃/時間の昇温比率で900
℃に到達するまで20分間加熱し、900℃に10分間
保持し、約1800℃/時間の降温比率で室温まで冷却
した(これを高速高温処理1という)。その後、例1と
同様に昇温速度600℃/時間で900℃まで加熱し、
その途中のPdの酸化の程度を測定した。例1および例
2の結果を図1に示す。 例3および例4 本発明の焼成温度プロファイルが厚膜導電体組成物層の
膨脹に与える影響を調べた。
Example 2 Sample 1 was heated from room temperature to 400 ° C. for 40 hours, then held at 400 ° C. for 2 hours and then cooled to room temperature in about 6 hours (this is called pre-baking 1). Then, at a temperature rise rate of approximately 1800 ° C / hour, 900
It was heated for 20 minutes until it reached to 0 ° C., kept at 900 ° C. for 10 minutes, and cooled to room temperature at a cooling rate of about 1800 ° C./hour (this is called high-speed high-temperature treatment 1). Then, as in Example 1, the temperature was raised to 900 ° C. at a heating rate of 600 ° C./hour
The degree of Pd oxidation during the process was measured. The results of Example 1 and Example 2 are shown in FIG. Example 3 and Example 4 The effect of the firing temperature profile of the present invention on the expansion of the thick film conductor composition layer was investigated.

【0050】例3:予備焼成1により400℃48時間
加熱処理した試料1を、昇温比率約200℃/時間で1
300℃まで加熱し、その間の導電体組成物層の膨脹を
膨張計を用いて測定した。基体を膨張計に取り付け、そ
して、温度の関数としての収縮を測定した。ミクロンで
測定される膜の収縮を焼成サイクルを通じて測定しそし
て未焼成乾燥膜厚に対する収縮率を計算するのに用い
た。
Example 3: Sample 1 heat-treated by pre-baking 1 at 400 ° C. for 48 hours was heated to 1 at a heating rate of about 200 ° C./hour.
It was heated to 300 ° C., and the expansion of the conductor composition layer during that time was measured using an dilatometer. The substrate was mounted on a dilatometer and the shrinkage as a function of temperature was measured. The shrinkage of the film, measured in microns, was measured throughout the bake cycle and used to calculate the shrinkage for the green dry film thickness.

【0051】例4:予備焼成1により400℃48時間
加熱処理した試料1を、高速高温処理1により900℃
まで加熱した。その後例3と同様に1300℃まで加熱
し、その間の導電体組成物層の膨脹を測定した。例3お
よび例4の結果を図2に示す。
Example 4: Sample 1 heat-treated at 400 ° C. for 48 hours by pre-baking 1 was heated at 900 ° C. by high-speed high-temperature treatment 1.
Heated up. After that, it was heated to 1300 ° C. in the same manner as in Example 3, and the expansion of the conductor composition layer during that period was measured. The results of Examples 3 and 4 are shown in FIG.

【0052】また、Pd 48 wt %および有機媒体5
2 wt %からなる厚膜導電体組成物を調製し、例3およ
び例4と同様の試験を行ったところ、添加剤を含まない
厚膜導電体組成物でも、予備焼成1および高速高温処理
1によりある程度酸化膨脹抑制および焼結収縮特性制御
の効果がみられた。 例5〜例7 本発明の厚膜導電体組成物中の添加剤が厚膜導電体組成
物中の導電性金属の酸化に与える影響を調べた。
Also, Pd 48 wt% and organic medium 5
A thick film conductor composition consisting of 2 wt% was prepared and tested in the same manner as in Examples 3 and 4, and even with the thick film conductor composition containing no additive, pre-baking 1 and high-speed high-temperature treatment 1 As a result, the effect of suppressing the oxidative expansion and controlling the sintering shrinkage property was observed to some extent. Examples 5 to 7 The effect of the additive in the thick film conductor composition of the present invention on the oxidation of the conductive metal in the thick film conductor composition was investigated.

【0053】例5:厚膜導電体組成物としてPd50 w
t %、および有機媒体50 wt %からなる厚膜導電体組
成物を用いた以外は試料1と同様にして作成した試料を
昇温比率約200℃/時間で900℃まで加熱し、その
途中400℃、500℃、600℃、700℃、800
℃、および最高温度にそれぞれ達したときのPdの酸化
の程度を測定した。Pdの酸化の程度は例1と同様の方
法により百分率で表した。
Example 5: Pd50 w as a thick film conductor composition
A sample prepared in the same manner as in sample 1 except that a thick film conductor composition composed of t% and an organic medium of 50 wt% was heated to 900 ° C. at a temperature rising rate of about 200 ° C./hour, and 400 ℃, 500 ℃, 600 ℃, 700 ℃, 800
The degree of oxidation of Pd was measured when the temperature reached ℃ and the maximum temperature, respectively. The degree of Pd oxidation was expressed as a percentage in the same manner as in Example 1.

【0054】例6:厚膜導電体組成物の組成をPd50
wt %、添加剤としてマンガンレジネート2wt%および
有機媒体48 wt %とした以外は例5と同様にして試料
を作成し加熱処理してPdの酸化の程度を測定した。
Example 6: The composition of the thick film conductor composition was Pd50.
A sample was prepared and heat-treated in the same manner as in Example 5 except that wt%, manganese resinate as an additive, 2 wt%, and an organic medium, 48 wt% were used to measure the degree of Pd oxidation.

【0055】例7:厚膜導電体組成物の組成をPd50
wt %、添加剤としてカルシウムレジネート2wt%およ
び有機媒体48 wt %とする以外は例5と同様にして試
料を作成し加熱処理してPdの酸化の程度を測定した。
例5〜例7の結果を図3に示す。 例8 本発明の厚膜導電体組成物中の添加剤(カルシウムレジ
ネート)の添加量が厚膜導電体組成物中の導電性金属の
酸化に与える影響を調べた。厚膜導電体組成物中のカル
シウムレジネート量を1wt%とした以外は例7と同様の
試料を作成し、900℃まで加熱処理してPdの酸化の
程度を測定した。結果を、カルシウムレジネート量が0
wt%である例5および1wt%である例7の結果と併せて
図4に示す。 例9〜例12 本発明の焼成温度プロファイルが厚膜導電体組成物のグ
リーン強度に与える影響を調べた。
Example 7: The composition of the thick film conductor composition was Pd50.
A sample was prepared and heat-treated in the same manner as in Example 5 except that wt%, calcium resinate as an additive, 2 wt%, and an organic medium, 48 wt% were used to measure the degree of Pd oxidation.
The results of Examples 5 to 7 are shown in FIG. Example 8 The effect of the addition amount of the additive (calcium resinate) in the thick film conductor composition of the present invention on the oxidation of the conductive metal in the thick film conductor composition was investigated. A sample was prepared in the same manner as in Example 7 except that the amount of calcium resinate in the thick film conductor composition was 1 wt%, and the sample was heated to 900 ° C. to measure the degree of Pd oxidation. The result shows that the amount of calcium resinate is 0
The results are shown in FIG. 4 together with the results of Example 5 where wt% is present and Example 7 where 1 wt% is present. Examples 9 to 12 The effect of the firing temperature profile of the present invention on the green strength of the thick film conductor composition was investigated.

【0056】誘電体組酸化物として、チタン酸ニオブ、
チタン酸カルシウムおよびチタン酸マグネシウムと有機
媒体を含有する厚さ40μmのグリーンシートを作成し
た。例1および例2で用いた厚膜導電体組成物を、この
グリーンシート上に印刷し、そしてすべてのペースト溶
媒が除去されるまで乾燥させた。これによって約4.0
μm厚さの乾燥されたペースト膜が得られた。この導電
体組成物層の形成されたグリーンシートを20枚積層し
試料2とした。
Niobium titanate is used as the dielectric group oxide.
A 40 μm thick green sheet containing calcium titanate and magnesium titanate and an organic medium was prepared. The thick film conductor composition used in Examples 1 and 2 was printed on this green sheet and dried until all paste solvent was removed. By this, about 4.0
A μm thick dried paste film was obtained. Sample 2 was prepared by stacking 20 green sheets on which the conductor composition layer was formed.

【0057】例9:試料2を昇温比率約200℃/時間
で1000℃まで加熱し、その途中400℃、500
℃、600℃、700℃、800℃および1000℃に
それぞれ達したときのグリーン強度を測定した。
Example 9: Sample 2 was heated to 1000 ° C. at a temperature rising rate of about 200 ° C./hour, and 400 ° C. and 500 on the way.
The green strength was measured when the temperature reached 600 ° C, 600 ° C, 700 ° C, 800 ° C, and 1000 ° C, respectively.

【0058】例 10 :試料2を予備焼成1により400
℃48時間加熱処理し、それから例9と同様に昇温比率
約200℃/時間で1000℃まで加熱し、その途中の
グリーン強度を測定した。
Example 10: Sample 2 was prebaked 1 to 400
The sample was heat-treated at 48 ° C. for 48 hours and then heated to 1000 ° C. at a temperature rising rate of about 200 ° C./hour in the same manner as in Example 9, and the green strength in the middle was measured.

【0059】例 11 :試料2を予備焼成1により400
℃48時間加熱処理し、それから約1800℃/時間の
昇温比率で800℃に到達するまで20分間加熱し、8
00℃に10分間保持し、約1800℃/時間の降温比
率で室温まで冷却した(これを高速高温処理2とい
う)。その後、例9と同様に昇温比率約200℃/時間
で1000℃まで加熱し、その途中のグリーン強度を測
定した。
Example 11: Sample 2 was prebaked 1 to 400
Heat treatment at 48 ° C for 48 hours, and then heat for 20 minutes at a temperature rising rate of about 1800 ° C / hour until 800 ° C is reached.
The temperature was held at 00 ° C for 10 minutes and cooled to room temperature at a temperature decrease rate of about 1800 ° C / hour (this is called high-speed high-temperature treatment 2). Then, in the same manner as in Example 9, the temperature was raised to 1000 ° C. at a temperature rising rate of about 200 ° C./hour, and the green strength in the middle was measured.

【0060】例 12 :試料2を予備焼成1により400
℃48時間加熱処理し、それから高速高温処理1により
900℃まで加熱し、その後、例9と同様に昇温比率約
200℃/時間で1000℃まで加熱し、その途中のグ
リーン強度を測定した。
Example 12: Sample 2 was prebaked 1 to 400
The sample was heat treated at 48 ° C. for 48 hours, then heated to 900 ° C. by the high-speed high temperature treatment 1, and then heated to 1000 ° C. at a temperature rising rate of about 200 ° C./hour, and the green strength in the middle was measured.

【0061】グリーン強度は、約1mm離して置いた2
枚のステンレス製の板の間にまたがるように試料2を載
せ、その上からスチール製の先細の棒を用いて12.5mm/
minの一定の力を加え、試料が破損するときの力の大き
さをgfで表わした。例9〜例12の結果を図6に示
す。 例13〜例16 本発明の焼成温度プロファイルが本焼成によるクラック
発生に与える影響を調べた。
The green strength is about 2 mm apart from each other.
Sample 2 is placed so as to straddle between two stainless steel plates, and 12.5 mm /
A constant force of min was applied and the magnitude of the force when the sample broke was represented by gf. The results of Examples 9 to 12 are shown in FIG. Examples 13 to 16 The effect of the firing temperature profile of the present invention on the crack generation due to the main firing was examined.

【0062】例 13 :試料2を昇温比率約200℃/時
間で1330℃まで加熱し、その途中、400℃、50
0℃、600℃、700℃、800℃、1000℃、お
よび1200℃までそれぞれ達したときのサイドクラッ
ク及び平面クラックの発生率を測定した。1330℃に
到達後2時間保持した後のクラックの発生率も測定し
た。
Example 13: Sample 2 was heated to 1330 ° C. at a heating rate of about 200 ° C./hour, and 400 ° C., 50
Occurrence rates of side cracks and plane cracks were measured when reaching 0 ° C, 600 ° C, 700 ° C, 800 ° C, 1000 ° C, and 1200 ° C, respectively. The rate of occurrence of cracks was also measured after the temperature reached 1330 ° C and held for 2 hours.

【0063】例 14 :試料2を予備焼成1により400
℃48時間加熱処理し、それから例13と同様に昇温比
率約200℃/時間で1330℃まで加熱して、その途
中のサイド及び平面クラックの発生率を測定した。
Example 14: Sample 2 was prebaked 1 to 400
The sample was heat treated at 48 ° C. for 48 hours and then heated to 1330 ° C. at a temperature rising rate of about 200 ° C./hour in the same manner as in Example 13, and the incidence of side and plane cracks in the middle was measured.

【0064】例 15 :試料2を予備焼成1により400
℃48時間加熱処理し、それから高速高温処理2により
800℃まで加熱処理し、その後、例13と同様に昇温
比率約200℃/時間で1330℃まで加熱し、その途
中のサイド及び平面クラックの発生率を測定した。
Example 15: Sample 2 was prebaked 1 to 400
Heat treatment at 48 ° C. for 48 hours, then heat treatment to 800 ° C. by high-speed high-temperature treatment 2, and then heat to 1330 ° C. at a temperature rising rate of about 200 ° C./hour in the same manner as in Example 13 to remove side and plane cracks on the way. The incidence was measured.

【0065】例 16 :試料2を予備焼成1により400
℃48時間加熱処理し、それから高速高温処理1により
900℃まで加熱処理し、その後、例13と同様に昇温
比率約200℃/時間で1330℃まで加熱し、その途
中のサイド及び平面クラックの発生率を測定した。
Example 16: Sample 2 was prebaked 1 to 400
Heat treatment at 48 ° C. for 48 hours, then heat treatment to 900 ° C. by high-speed high-temperature treatment 1, and then heat to 1330 ° C. at a heating rate of about 200 ° C./hour in the same manner as in Example 13 to remove side and plane cracks on the way. The incidence was measured.

【0066】ここで、サイドクラックとは、試料2の、
グリーンシートおよび導電体組成物層の厚みの面に発生
するクラックをいい、平面クラックとは積層体の最上面
の層の表面に発生するクラックをいう。発生率とは、試
験したは試料の個数(10個)に占めるクラックが発生
した試料の個数の百分率である。例13〜16の結果を
表1および表2に示す。
Here, the side crack means the sample 2
The cracks generated on the surface of the thickness of the green sheet and the conductor composition layer, and the plane cracks are cracks generated on the surface of the uppermost layer of the laminate. The occurrence rate is the percentage of the number of samples with cracks in the number of tested samples (10). The results of Examples 13 to 16 are shown in Table 1 and Table 2.

【0067】[0067]

【表1】 [Table 1]

【0068】[0068]

【表2】 [Table 2]

【0069】第1の工程(予備焼成)を経ない例16
は、クラックは発生しなかったが、導電体組成物層と誘
電体組成物層の剥離するいわゆるデラミネーションが生
じた。本発明の焼成フプロファイルにより加熱処理した
例15および例16には、デラミネーションは発生しな
かった。 例17〜例34
Example 16 which did not undergo the first step (preliminary firing)
No cracks were generated, but so-called delamination, in which the conductor composition layer and the dielectric composition layer were separated, occurred. No delamination occurred in Examples 15 and 16 which were heat-treated with the firing profile of the present invention. Examples 17 to 34

【0070】本発明の焼成方法の第2の工程(高速高温
焼成)における昇温比率、第2の温度、第2の温度での
保持時間、および第2の温度からの降温比率がクラック
発生に与える影響を調べた。
In the second step (high-speed high-temperature firing) of the firing method of the present invention, the rate of temperature rise, the second temperature, the holding time at the second temperature, and the rate of temperature drop from the second temperature cause cracks. I investigated the effect on them.

【0071】試料2を、昇温比率、第2の温度、第2の
温度での保持時間、および第2の温度からの降温比率の
異なる18種の条件で加熱処理し、次いで第3の工程
(本焼成)を実施し、それらのサイドクラックおよび平
面クラックの発生の数(発生率)とそのクラックの大き
さを測定した。
Sample 2 was heat-treated under 18 kinds of conditions in which the temperature rising ratio, the second temperature, the holding time at the second temperature, and the temperature falling ratio from the second temperature were different, and then the third step. (Main firing) was carried out, and the number of side cracks and plane cracks (occurrence rate) and the size of the cracks were measured.

【0072】例17〜例34の結果を表3に示す。表3
において、降温比率が「−」とあるのは、第2の温度に
到達もしくは保持後直ちに炉から取り出したことを示
す。また、例21は例20の、例28は例27の確認試
験である。
The results of Examples 17 to 34 are shown in Table 3. Table 3
In the above, the temperature decrease ratio of "-" indicates that the temperature was removed from the furnace immediately after reaching or holding the second temperature. In addition, Example 21 is a confirmation test of Example 20 and Example 28 is a confirmation test of Example 27.

【0073】[0073]

【表3】 例35〜例43 本発明の方法において、第2の工程(高速高温焼成)に
おける昇温比率の大小がクラック発生に与える影響を調
べた。
[Table 3] Example 35 to Example 43 In the method of the present invention, the influence of the magnitude of the temperature rise ratio in the second step (high-speed high-temperature firing) on crack generation was examined.

【0074】試料2を、昇温比率が異なる9種の条件で
900℃まで加熱し、そのまま引き続いて200℃/時
間で1300℃まで加熱し、1300℃に2時間保持し
た。同一条件で試験した試料の個数は各々5個である。
それらのサイドクラックおよび平面クラックの発生の数
(発生率)とそのクラックの大きさを測定した。例35
〜例43の結果を表4に示す。
Sample 2 was heated to 900 ° C. under 9 kinds of conditions with different temperature rising ratios, and subsequently heated to 1300 ° C. at 200 ° C./hour and kept at 1300 ° C. for 2 hours. The number of samples tested under the same conditions is 5 each.
The number (occurrence rate) of those side cracks and plane cracks and the size of the cracks were measured. Example 35
~ The results of Example 43 are shown in Table 4.

【0075】[0075]

【表4】 [Table 4]

【0076】例1〜例16の結果から、本焼成の前に高
速高温焼成を行うことにより、本焼成において導電体組
成物中のPdの酸化が抑制され導電体組成物層の膨脹が
顕著に抑制されること、その上、高速高温焼成は、本焼
成中特にPdの膨脹がわずかに残る400℃〜800℃
における誘電体組成物層のグリーン強度を高めること、
さらに、導電体組成物層中のカルシウムレジネートおよ
びジルコニウムレジネートが、導電体組成物層の酸化膨
脹を抑制し焼結収縮特性を制御していることがわかる。
そして、本発明によりクラックの発生が抑制されること
も明らかである。さらに、例17〜例34および例35
〜例43の結果から、本発明の焼成プロファイルとして
好ましい条件は、第1の工程の後450℃/時間以上の
昇温比率で焼成することであるといえる。 例44 本発明の方法にしたがい多層セラミックコンデンサを製
造し、完成品におけるクラック発生状況を調べた。
From the results of Examples 1 to 16, by performing the high-speed high-temperature firing before the main firing, the oxidation of Pd in the conductor composition was suppressed during the main firing, and the expansion of the conductor composition layer was remarkable. In addition, the high-speed high-temperature firing suppresses the expansion of Pd slightly during the main firing from 400 ° C to 800 ° C.
To increase the green strength of the dielectric composition layer in
Furthermore, it can be seen that the calcium resinate and the zirconium resinate in the conductor composition layer suppress the oxidative expansion of the conductor composition layer and control the sintering shrinkage characteristics.
It is also apparent that the present invention suppresses the generation of cracks. Furthermore, Examples 17 to 34 and Example 35
From the results of Example 43, it can be said that the preferable condition for the firing profile of the present invention is to perform firing at a temperature rising rate of 450 ° C./hour or more after the first step. Example 44 A multilayer ceramic capacitor was manufactured according to the method of the present invention, and the crack generation state in the finished product was examined.

【0077】例9〜12で用いたものと同じ誘電体組成
物および厚膜導電体組成物を用いて、多層セラミックコ
ンデンサ(未焼成)を製造し、予備焼成1による加熱処
理を行った後、100mm/分のベルト炉で昇温比率3
600℃/時間で900℃まで高速高温焼成し、それか
ら900℃で10分間本焼成した。その後端子電極の形
成、およびNiおよびSn/PbまたはSnの鍍金など
を行って、多層セラミックコンデンサ完成品を得た。1
000個の完成品のうちクラックおよびデラミネーショ
ンが発生したものは1つもなかった。得た。
Using the same dielectric composition and thick film conductor composition as used in Examples 9 to 12, a multilayer ceramic capacitor (unfired) was manufactured, and after heat treatment by prebaking 1, 100 mm / min belt furnace for heating rate 3
High-speed high-temperature baking was performed at 600 ° C./hour to 900 ° C., and then main baking was performed at 900 ° C. for 10 minutes. Thereafter, a terminal electrode was formed, and Ni and Sn / Pb or Sn were plated to obtain a finished multilayer ceramic capacitor. 1
None of the 000 finished products were cracked or delaminated. Obtained.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上のように、本発明の方法により、ク
ラックおよびデラミネーションの発生が低減された高品
質の多層セラミックコンデンサが得られる。しかも本発
明の方法によれば従来よりも本焼成の時間が短縮でき生
産性が向上する。
As described above, according to the method of the present invention, it is possible to obtain a high quality multilayer ceramic capacitor in which the occurrence of cracks and delamination is reduced. Moreover, according to the method of the present invention, the time for main firing can be shortened and productivity can be improved as compared with the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の焼成温度プロファイルが厚膜導電体組
成物中の導電性金属の酸化に与える影響を説明する図で
ある。
FIG. 1 is a diagram illustrating the effect of the firing temperature profile of the present invention on the oxidation of a conductive metal in a thick film conductor composition.

【図2】本発明の焼成温度プロファイルが厚膜導電体組
成物層の膨脹に与える影響を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining the influence of the firing temperature profile of the present invention on the expansion of the thick film conductor composition layer.

【図3】本発明の厚膜導電体組成物中の添加剤が厚膜導
電体組成物中の導電性金属の酸化に与える影響を説明す
る図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the effect of the additive in the thick film conductor composition of the present invention on the oxidation of the conductive metal in the thick film conductor composition.

【図4】本発明の厚膜導電体組成物中の添加剤が厚膜導
電体組成物中の導電性金属の酸化に与える影響を説明す
る図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining the effect of the additive in the thick film conductor composition of the present invention on the oxidation of the conductive metal in the thick film conductor composition.

【図5】本発明の焼成温度プロファイルが厚膜導電体組
成物のグリーン強度に与える影響を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining the influence of the firing temperature profile of the present invention on the green strength of the thick film conductor composition.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 作田 恭一 神奈川県横浜市港北区新吉田町4997 デュ ポン ジャパン 中央技術研究所内 (72)発明者 大羽 隆行 神奈川県横浜市港北区新吉田町4997 デュ ポン ジャパン 中央技術研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kyoichi Sakuta 4997 Shinyoshida-cho, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa DuPont Japan Central Research Institute (72) Inventor Takayuki Ooba 4997 DuPont, Shin-yoshida-cho, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Japan Central Research Institute

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】誘電体組成物層および導電体組成物層の多
層積層体を第1の温度で加熱処理する第1の工程と、該
第1の工程を経た積層体を450℃/時間以上の昇温比
率で該第1の温度より高い第2の温度まで加熱する第2
の工程と、該第2の工程を経た積層体を該第2の温度よ
りさらに高い第3の温度で加熱処理する第3の工程とを
有し、該導電体組成物層が導電性金属の微粒子および添
加剤を含有する厚膜導電体組成物からなることを特徴と
する多層セラミックコンデンサの製造方法。
1. A first step of heat-treating a multi-layer laminate of a dielectric composition layer and a conductor composition layer at a first temperature, and a laminate subjected to the first step at 450 ° C./hour or more. A second temperature which is higher than the first temperature at a heating rate of
And a third step of heat-treating the laminated body that has undergone the second step at a third temperature higher than the second temperature, wherein the conductor composition layer is made of a conductive metal. A method for producing a multilayer ceramic capacitor, comprising a thick film conductor composition containing fine particles and an additive.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015133360A (en) * 2014-01-09 2015-07-23 株式会社村田製作所 Method for manufacturing multilayer ceramic electronic component

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