JPH0528951A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回転駆動される支持台に対して冷媒を循環さ
せ、イオン注入時に半導体ウエハを冷却できるイオン注
入装置を提供すること。 【構成】 半導体ウエハｗを支持する支持台３０は、回
転中心軸８６を受け入れる孔部１０２ａを有し、支持台
３０は回転中心軸８６の周りに回転可能であると共に、
回転中心軸８６の軸方向に沿って摺動してクランプ駆動
が可能である。支持台３０の裏面側に純水を循環させる
ための第１の冷媒通路１２０は回転中心軸８６の内部に
供給通路１２２，排出通路１２４に分離して形成されて
いる。一方、支持台３０に設けられた第２の冷媒通路１
３０は、第１の冷媒通路１２０に対してその供給側は孔
１０２ａの上端側のスペース１０２ｂを介して連通し、
排出側は軸受部１０２の排水通路１４６を介して回転中
心軸８６の周面に形成された円周溝上の排水口１２８と
連通している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置に関
し、特に被処理体を支持する支持台に冷媒を循環させて
被処理体を冷却する技術の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体層にリンやボロンなどの不純物を
注入する不純物ドープの方法として、イオン注入方式が
広く用いられている。

【０００３】このイオン注入装置では、支持台に被処理
体である半導体ウエハを支持し、この半導体ウエハにイ
オンビームを入射させることで、不純物ドープを実現し
ている。

【０００４】さらに近年では、プラテンと称される支持
台を種々の要求により、固定部に対して駆動する方式が
採用されている。その１つとしては、注入不純物濃度の
面内均一性を高めるために、イオン注入時に支持台を回
転駆動し、回転された半導体ウエハに向けてイオンビー
ムを照射する方式である。他の１つは、半導体ウエハを
支持台上に固定するため、半導体ウエハの外縁部を支持
台との間で挟持するクランパ部材を設け、クランプ駆動
として支持台をクランパ部材に向けて摺動させることで
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】イオン注入時には、半
導体ウエハにイオン衝撃が作用するため半導体ウエハが
発熱し、この発熱を抑制するため半導体ウエハをイオン
注入時に冷却するという要求がある。

【０００６】この半導体ウエハの冷却は、これと直接接
触する支持台に冷媒を循環させることで達成でき、支持
台自体が上記のような可動タイプでない場合には、支持
台に対する冷媒の循環供給は容易に達成できるであろ
う。しかしながら、支持台が回転する場合、あるいはク
ランプ駆動のため摺動する場合には、固定部および可動
部を介して冷媒の供給，排出を実現せざるを得ないの
で、冷媒の循環供給が極めて困難である。特に、イオン
注入装置に用いられる支持台は、上記のような回転駆動
またはクランプ駆動に加えて、半導体ウエハの受け渡し
のための揺動駆動、あるいはビーム入射角を変更するた
めの傾斜角設定駆動などが加わるため、支持台周辺の機
構の小型化および軽量化を図りつつ、支持台への冷媒循
環供給を実現しなければならない要求がある。

【０００７】そこで、本発明の目的とするところは、支
持台が回転駆動あるいはクランプ駆動される場合にも、
その駆動機構の一部を利用して支持台への冷媒循環経路
を形成し、もって支持台周辺の機構の小型化および軽量
化を図ることのできるイオン注入装置を提供することに
ある。

【０００８】本発明の他の目的とするところは、支持台
が回転駆動あるいはクランプ駆動される場合に、回転駆
動およびクランプ駆動のための駆動機構を兼用でき、し
かもその兼用された機構の一部を利用して支持台への冷
媒循環動作を実現できるイオン注入装置を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、支持台上
に被処理体を載置支持し、かつ、この支持台を回転駆動
しながら、前記被処理体にイオン注入を行うイオン注入
装置において、固定された回転中心軸と、この回転中心
軸が受け入れられる前記支持台に設けられた孔部と、前
記回転中心軸の内部に供給側，排出側で分離して形成さ
れた第１の冷媒経路と、前記支持台に設けられ、前記第
１の冷媒経路の供給側，排出側と前記孔部の異なる箇所
を介して連通された第２の冷媒経路と、を有し、前記支
持台に冷媒を循環させて前記被処理体を冷却することを
特徴とする。

【００１０】第２の発明は、支持台上に被処理体を載置
し、かつ、この支持台を移動させて前記支持台とクラン
パ部材との間に前記被処理体外縁部を挾持した状態で、
前記被処理体にイオン注入を行うイオン注入装置におい
て、固定された摺動軸と、この摺動軸が受け入れられる
前記支持台に設けられた孔部と、前記摺動軸の内部に供
給側，排出側で分離して形成された第１の冷媒経路と、
前記支持台に設けられ、前記第１の冷媒経路の供給側，
排出側と前記孔部の異なる箇所を介して連通された第２
の冷媒経路と、を有し、前記支持台に冷媒を循環させて
前記被処理体を冷却することを特徴とする。

【００１１】

【作用】第１の発明によれば、回転中心軸および支持台
に設けられた孔部は、支持台の回転駆動に不可欠な部材
である。この発明では、この回転駆動に不可欠な回転中
心軸および孔部を利用し、回転中心軸の内部に設けられ
た第１の冷媒経路と、支持台に設けられた第２の冷媒経
路とを、前記孔部を介して連通させることで、回転され
る支持台に対する冷媒の循環駆動を可能としている。

【００１２】第２の発明によれば、支持台のクランプ駆
動のために、摺動軸と支持台に設けられた孔部とは不可
欠な部材である。この発明では、摺動軸，支持台にそれ
ぞれ第１，第２の冷媒経路を形成し、前記孔部を介して
両冷媒経路を連通させることで、摺動駆動される支持台
に対しての冷媒循環駆動を可能としている。

【００１３】特に、第１の発明における回転中心軸およ
び孔部と、第２の発明における摺動軸および孔部とは、
共に同一の形状に加工しておくことが可能であるため、
支持台を回転駆動する場合にもクランプ駆動する場合に
も、支持台に対する冷媒循環のための構造を共通化する
ことが可能である。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。

【００１５】図１は、本実施例に係わるイオン注入装置
の装置本体１０上の平面的配置を示す説明図である。

【００１６】同図において、イオン源１２で生成された
不純物イオンは、イオンビームとなって所望の質量のイ
オンを取り出すマグネット１４を通過する。ここで、イ
オンビーム内の不要な不純物イオンが除去され、必要な
不純物イオンを含むイオンビームが可変スリット１６に
達する。この可変スリット１６を通過したイオンビーム
は、加速管１８で所望の速度に加速され、レンズ２０に
よって収束させられた後、Ｙスキャンプレート２２およ
びＸスキャンプレート２４によって軌道を定められ、フ
ァラデー２６内に達する。このファラデー２６内の一端
には、半導体ウエハｗを支持した支持台３０が設けら
れ、イオンビームＩが半導体ウエハｗに入射することで
イオン注入動作が実現される。

【００１７】この支持台３０は、起倒機構３２およびチ
ルト機構３４によりそれぞれ駆動可能となっている。起
倒機構３２はその詳細を後述するように、半導体ウエハ
ｗの受け渡し時に支持台３０の載置面を水平状態（図１
の実線で図示）に保ち、イオン注入時に支持台３０の載
置面を垂直状態（図１の鎖線で図示）に起こすことが可
能であり、水平回転軸の回りに支持台３０を回転駆動す
る。この起倒機構３２により支持台３０を起こした状態
では、イオンビームＩはＸ方向のビーム偏向角度α例え
ば７度傾いてウエハｗに入射する。一方チルト機構３４
は、イオンビームＩの入射角をα度以外の他の角度に変
更可能であり、垂直回転軸の回りに支持台３０を回転駆
動する。

【００１８】装置本体１０の一端には、例えば２つのカ
セット載置台４０ａ，４０ｂが設けられている。この各
カセット載置台４０ａ，４０ｂと向かい合う位置に、そ
れぞれロード機構４２ａ，４２ｂが設けられ、各ロード
機構４２ａ，４２ｂの中間位置にオリエンテーションフ
ラット（以下、オリフラと称する）合せ機構４４が設け
られている。さらに、前記起倒機構３２により水平とさ
れた支持台３０の両側には、雰囲気置換の可能なロード
ロック室４６ａ，４６ｂが設けられている。

【００１９】次に、前記支持台３０の起倒機構３２およ
びチルト機構３４について、図２，図３を参照して説明
する。

【００２０】起倒機構３２は、前記支持台３０を含むプ
ラテンブロック５０を、図２（Ｃ）の矢印Ａ方向に９０
度回転駆動するものであり、チルト機構３４はプラテン
ブロック５０を図２（Ｂ）の矢印Ｂ方向に例えば６０度
の範囲で回転駆動するものである。

【００２１】装置本体１０の壁体１０ｂには外筒部材６
０が取り付け固定され、その内側には外筒部材６０と同
心にて、内筒部材６２がベアリング６８ａを介して回転
可能に取り付けられている。この内筒部材６２は前記起
倒ブロック５２と連結固定され、内筒部材６２を図示し
ない駆動源例えばモータなどで回転駆動することで、起
倒ブロック５２及びこれにチルト回転可能に支持された
プラテンブロック５０を、水平状態から垂直状態に、或
いはその逆に９０度回転駆動可能となっている。内筒部
材６２の内側には第１の回転軸６４がベアリング６８ｂ
を介して回転可能に支持されている。そして、この第１
の回転軸６４が、後述するように前記チルト機構３４の
回転駆動入力軸として作用することになる。なお、本実
施例では壁体１０ｂの左側が大気に開放され、右側が真
空排気されている。従って、壁体１０ｂと外筒部材６０
との取り付け固定面にはＯリング６６などが配置される
と共に、外筒部材６０と内筒部材６２との間、および内
筒部材６２と第１の回転軸６４との間には、それぞれ磁
気シール７０ａ，７０ｂが設けられ気密にシールしてい
る。

【００２２】次に、前記チルト機構３４の詳細につい
て、図４をも参照に加えて説明する。

【００２３】前記プラテンブロック５０は、前記起倒ブ
ロック５２に対してベアリング５４を介して回転可能に
支持され、プラテンブロック５０と一体的な垂直回転軸
であるチルト回転軸部１６０およびこれに固着された第
２の回転軸７４と共に回転駆動される。そして、第１の
回転軸６４の先端側にはウォームギア７２が設けられ、
第２の回転軸７４にはウォームホイール７６が設けら
れ、両者が噛合することでプラテンブロック５０のチル
ト回転駆動を可能としている。この第２の回転軸７４お
よびチルト回転軸部１６０は、図２（Ｂ）に示すよう
に、支持台３０上に支持された半導体ウエハｗに入射す
るイオンビームＩのビーム幅Ｗをほぼ二分する中心線上
に位置し、かつ、支持台３０上に支持されたウエハｗの
表面と平行な回転軸である。特に、本実施例では軸１６
０の中心をウエハｗの中心位置と一致させている。

【００２４】支持台３０に対する半導体ウエハｗの受け
渡し動作、およびその後のイオン注入動作について、図
２（Ｂ），（Ｃ）を参照して説明する。

【００２５】まず、一方のロードロック室４６ａまたは
４６ｂより、半導体ウエハｗを支持台３０に受け渡す際
には、支持台３０は起倒機構３２の動作により、同図
（Ｃ）の鎖線に示すように水平状態に設定されている。
支持台３０上にウエハｗを受け取った後に、内筒部材６
２を回転駆動すると、この回転駆動力は起倒ブロック５
２を介してプラテンブロック５０に伝達され、このプラ
テンブロック５０に設けられた支持台３０が、図２
（Ｃ）の実線に示すように垂直状態に設定できる。

【００２６】支持台３０を起立した状態を、図２（Ｂ）
の実線で示している。同図の実線状態は、チルト回転角
度が０度の場合であり、この際支持台３０に支持された
ウエハｗに対しては、イオンビームＩは予め設定された
入射角度α例えば７度の傾きで入射することになる。こ
の７度の角度は、イオン注入時におけるウエハｗ内での
チャンネリングを防止するための最適角度であるが、種
々の要求によりこの角度を変更したい場合が生ずる。本
実施例では、チルト機構３４により、ウエハｗのイオン
入射面をイオンビームＩに対して例えば６０度の範囲で
変更可能としている。図２（Ｂ）のチルト角０度の状態
から、第２の回転軸７４を中心に支持台３０を時計方向
に７度回転させると、ウエハｗに対してイオンビームＩ
は垂直に入射することになる。さらに、同図（Ｂ）のチ
ルト角０度の状態から、第２の回転軸７４を中心として
支持台３０を反時計方向に５３度の範囲で回転させるこ
とができ、この設定範囲内にて所望のイオンビーム入射
角を変更可能である。また、第２図（Ｂ）に示すよう
に、チルト回転軸部１６０を中心に支持台３０を回転駆
動しても、ビーム幅ＷのイオンビームＩにおける中心線
Ｌは、必ずウエハｗの中心位置を通過することになる。
従って、ウエハｗの注入イオン密度が低下することがな
い。

【００２７】次に、本実施例の特徴的構成である前記プ
ラテンブロック５０の詳細について、図４を参照して説
明する。

【００２８】このプラテンブロック５０は３つの機能を
有し、支持台３０とクランパ部材９０との間にウエハ
ｗを挟持できるように、支持台３０を軸方向にクランプ
駆動できること、イオン注入時に支持台３０を回転駆
動する回転型プラテンであること、支持台３０に冷却
媒体例えば純水を循環可能であり、イオン注入時のウエ
ハｗを冷却できること、の３つの機能を有する。

【００２９】前記クランパ部材９０は、プラテンブロッ
ク５０と一体的な回転案内部材８０に対して、ベアリン
グ９４を介して回転可能に支持されている。そして、こ
のクランパ部材９０のクランプ片９２（図２（Ａ）をも
参照のこと）と、支持台３０の載置面３０ａとの間に、
ウエハｗを挟持できるように構成している。前記プラテ
ンブロックは、回転案内部材８０の他に、支持台３０を
前記クランパ部材９０に向けて接離可能に支持し、か
つ、回転可能に支持する固定ブロック８２と、この固定
ブロック８２と対向して配置され、冷却媒体である純水
およびクランプ駆動のためのエアなどを導入可能な固定
プレート８４とを有する。そして、支持台３０の回転中
心軸となり、かつクランパ駆動のための摺動軸となる第
３の回転軸８６が、前記固定プレート８４に固定されて
いる。

【００３０】支持台３０は、ウエハｗの載置面を有する
プラテン部１００と、前記第３の回転軸８６の周囲に設
けられる軸受部１０２とから成り、この軸受部１０２の
プラテン部１００側には上部フランジ１０４が、その他
端には下部フランジ１０６がそれぞれ固定されている。
そして、軸受部１０２は、第３の回転軸８６を挿通でき
る孔１０２ａを有し、この孔１０２ａ内にて第３の回転
軸８６が摺動することで、支持台３０のクランパ駆動を
可能とし、かつ、第３の回転軸８６の周りに支持台３０
が回転されることで、回転型プラテンを実現している。

【００３１】まず、支持台３０の回転駆動機構について
説明すると、プラテン部１００の外縁部に形成されたリ
ング状突起１００ａの内側面にはギア１０８が形成され
ている。また、プラテンブロック５０と一体化された固
定ブロック８２にはモータ例えばステッピングモータ１
１０が固定され、その出力ギア１１２が前記ギア１０８
と噛合している。したがって、ステッピングモータ１１
０の回転駆動により、その回転駆動力が出力ギア１１
２，ギア１０８を介してプラテン部１００に伝達され、
このプラテン部１００は第３の回転軸８６を中心に回転
駆動されることになる。

【００３２】一方、プラテン部１００のクランプ駆動を
実現するために、ベローズポンプ１１４が設けられてい
る。すなわち、固定プレート８４と支持台３０の下部フ
ランジ１０６との間にはベローズ１１４ａが形成され、
このベローズ１１４ａの内部の室内１１６にエアを導入
することで、第３の回転軸８６の軸方向に沿って、プラ
テン部１００の摺動駆動を実現でき、プラテン部１００
をクランパ部材９０に対して接離駆動することができ
る。なお、本実施例では、前記下部フランジ１０６と固
定ブロック８２との間に、その円周方向で複数箇所例え
ば４箇所にコイルスプリング１１８を設け、プラテン部
１００を常時矢印Ｃ方向に移動付勢している。この結
果、プラテン部１００をクランパ部材９０側に近付ける
移動は、ベローズポンプ１１４のエア駆動により行い、
その逆方向の駆動は前記コイルスプリング１１８によっ
て実現されることになる。

【００３３】次に、プラテン部１００への冷却媒体であ
る純水の循環機構について説明すると、本実施例では第
３の回転軸８６を経由して純水の循環を実現している。
すなわち、この第３の回転軸８６の内部には、第１の冷
媒通路１２０として、純水の供給通路１２２と排水通路
１２４とが分離して設けられている。供給通路１２２の
一端の供給口１２６は、第３の回転軸８６の端面に設け
られ、供給された純水は一旦、第３の回転軸８６の端面
８６ａで仕切られた前記軸受部１０２の孔１０２ａ内の
スペース１０２ｂに導入されることになる。一方、排水
通路１２４の排水口１２８は、第３の回転軸８６の周面
の所定範囲に亘って、円周溝状に形成されている。

【００３４】次に、プラテン部１００に形成された第２
の冷媒通路１３０について説明する。この第２の冷媒通
路１３０を構成する一方の部材である前記上部フランジ
１０４は、図５に示すような純水通路を有している。す
なわち、その円板中心には、前記スペース１０２ｂと連
通する純水入口１３２が形成され、この入口１３２が形
成された面は、周囲の突起１３６によって十文字形状の
第１の凹部１３４として形成されている。さらに、この
突起１３６の外側には第２の凹部１３８が設けられ、こ
の第２の凹部１３８にて前記入口１３２と遠ざけられた
位置に、排水口１４０が設けられている。

【００３５】なお、第２の凹部１３８の周囲には外縁突
起１３６ａが設けられ、この面に臨んでＯリング溝１４
２が形成されている。このような純水通路を有する上部
フランジ１０４を、Ｏリング１４４を介在させてプラテ
ン部１００の裏面にネジなどで固定することで、ウエハ
ｗの裏面に臨んだ第２の冷媒通路１３０を形成すること
ができる。

【００３６】上部フランジ１０４の排水口１４０は、軸
受部１０２の前記孔１０２ａの周囲に設けた排水通路１
４６に連通し、この排水通路１４６が前記第３の回転軸
８６の周面に形成した円周溝状の排水口１２８と連通し
ている。

【００３７】そして、円周溝状の排水口１２８の上下に
は、第３の回転軸８６とその孔１０２ａとの間に２つの
Ｏリング１４８ａ，１４８ｂが設けられている。一方の
Ｏリング１４８ａは、スペース１０２ｂに供給された純
水が、排水口１２８にリークすることを防止するための
ものである。また、他方のＯリング１４８ｂは、排水口
１２８内の純水が第３の回転軸８６に沿ってリークする
ことを防止し、かつ、ベローズ１１４ａ内のエアがリー
クすることをも防止している。なお、Ｏリング１４８
ａ，１４８ｂは、支持台３０のクランプ駆動の際には、
一種のピストンリングとして機能する。さらに、支持台
３０の軸受部１０２は、固定ブロック８２に対してベア
リング１５０を介して回転可能に支持されており、この
ベアリング１５０の隙間を介してベローズ１１４ａ内の
エアがリークすることを防止するために、上下２つのベ
アリング１５０，１５０の間であって、軸受部１０２と
固定ブロック８２との間には、磁気シール１５２が設け
られている。

【００３８】次に、固定プレート８４までの純水および
エアの供給，排出系について図４および図６を参照して
説明する。

【００３９】プラテンブロック５０の下端側のチルト回
転軸部１６０の内部には、図６に示すように、縦方向に
３本の通路が形成されている。その１つはエア通路１６
２であり、他の２つはそれぞれ純水供給通路１６４，純
水排出通路１６６である。各通路１６２から１６６の下
端は、チルト回転軸部１６０の半径方向に沿って形成さ
れ、かつ、軸方向の異なる位置に形成された横孔１６２
ａ，１６４ａ，１６６ａと連通している。なお、図４で
は、エア通路１６２およびその横孔１６２ａのみを図示
している。

【００４０】チルト回転軸部１６０を受け入れて回転案
内する起倒ブロック５２側の軸案内部１７０は、その回
転軸部１６０を挿通する案内孔１７２を有する。そし
て、この案内孔１７２の内面に臨んで、それぞれリング
状に連通した第１から第３の円周溝１７４〜１７８が、
軸方向でそれぞれ高さを変えて形成されている。なお、
高さ方向で隣接する各円周溝の間と、第１の円周溝１７
４の上側および第３の円周溝１７８の下側には、それぞ
れＯリングが設けられて液密及び気密シールしている。
第１〜第３の円周溝１７４〜１７８は、それぞれチルト
回転軸部１６０の軸方向の位置を変えて形成した横孔１
６４ａ，１６２ａ，１６６ａと対向している。また、こ
の軸案内部１７０の外周部には純水またはエアのための
管継手１８０〜１８４が形成され、各管継手の通路は第
１〜第３の円周溝１７４〜１７８にそれぞれ連通してい
る。

【００４１】チルト回転軸部１６０と固定プレート１８
４との間の通路について、エア通路を例にあげて説明す
ると、図４に示すように、エア通路１６２の上端部は、
プラテンブロック５０に水平に形成した横孔１９０と連
通され、この横孔１９０の端部はチューブ１９２を介し
て固定プレート８４に連結されている。

【００４２】上記の装置において、まずクランプ駆動に
ついて説明すると、この駆動は起倒機構３２により支持
台３０の載置面３０ａが水平状態に設定された後に行な
われる。この状態においては、チルト回転軸部１６０の
エア通路１６２と連通する横孔１６２ａは、第２の円周
溝１７６のいずれかの位置と連通している。従って、管
継手１８２を介してエアを供給すると、このエアは、第
２の円周溝１７６，横孔１６２ａ，エア通路１６２，横
孔１９０およびチューブ１９２を介して固定プレート８
４に導入され、この固定プレート８４よりベローズポン
プ１１４のベローズ１１４ａ内部に導入されることにな
る。そうすると、コイルスプリング１１８の付勢力に抗
して、支持台３０の下部フランジ１０６，軸受部１０
２，上部フランジ１０４を介してプラテン部１００が一
体的に、クランパ部材９０に向けて軸方向移動し、クラ
ンパ片９２と支持台３０の載置面３０ａとの間で、半導
体ウエハｗを挟持することが可能となる。クランパの解
除は、上記の通路を逆方向に辿ることでエアを排気し、
この結果コイルスプリング１１８の付勢力により、プラ
テン部１００がクランパ部材９０より離れる方向に退避
されることで実現される。

【００４３】次にプラテン部１００への純水の供給は、
例えば上記のクランプ駆動後に実施される。例えば常温
の純水は、上記エア通路と同様の経路を辿って固定プレ
ート８４に導かれ、この固定プレート８４を介して第３
の回転軸８６に設けた供給通路１２２に導かれる。この
供給通路１２２の供給口１２６は、第３の回転軸８６の
端面８６ａに開口しており、この結果純水は一旦この端
面８６ａで仕切られた孔１０２ａ内のスペース１０２ｂ
に導入されることになる。そして、このスペース１０２
ｂ内の純水は、プラテン部１００の裏面と上部フランジ
１０４の表面との間の通路に導かれ、図５に示す第２の
冷媒通路１３０を流通することで、プラテン部１００の
表面側に載置したウエハｗを冷却することになる。この
第２の冷媒通路１３０より排水された純水は、軸受部１
０２の排水通路１４６をたどって排水される。このと
き、排水通路１４６の出口は、例えプラテン部１００の
軸受部１０２が第３の回転軸８６を中心に回転駆動され
ているときにも、この第３の回転軸８６に形成した円周
溝状の排水口１２８と必ず連通しているため、プラテン
部１００の回転駆動中であっても純水を円滑に排水する
ことができる。また、このとき、円周溝状の排水口１２
８の上下に設けたＯリング１４８ａ，１４８ｂにより、
供給側，排水側の純水が互いにリークすること、および
純水が他の箇所にリークにすることを確実に防止でき、
さらに、クランプ駆動のためにベローズポンプ１１４を
使用しながらも、ベローズ１１４ａ内のエアーと純水と
を確実にシールすることが可能である。

【００４４】さらに、回転駆動されるクランパ部１００
のクランプ駆動を、エアーを用いたベローズポンプ１１
４を用いて行っても、回転駆動用のベアリング１５０，
１５０の間に磁気シール１５２を設けることで、ベロー
ズ１１４ａ内のエアーが外部にリークすることを防止で
き、プラテン部１００の回転駆動中に亘って強固なクラ
ンプ動作を保障することができる。

【００４５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
支持台の回転駆動に不可欠な回転中心軸および支持台に
設けた孔部を利用し、あるいは支持台のクランプ駆動に
不可欠な摺動軸および支持台の孔部を利用して、回転ま
たはクランプ駆動される支持台に対して冷媒を循環供給
することができ、支持台周辺の機構の小型化および軽量
化を図りながら、駆動される指示台を介して被処理体の
効果的な冷却を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したイオン注入装置の、装置本体
上の平面的レイアウトを示す平面図である。

【図２】（Ａ）は載置台の正面図、（Ｂ）はチルト回転
機構を概略的に示す同図（Ａ）の平面図、（Ｃ）は起倒
回転動作を説明するための同図（Ａ）の概略的側面図で
ある。

【図３】チルト機構および起倒機構の駆動入力軸を説明
するための概略断面図である。

【図４】支持台の横断面図である。

【図５】指示台裏面側の冷却機構を説明するための平面
図である。

【図６】チルト回転軸部での純水およびエア通路を説明
するための横断面図である。

【符号の説明】

３０ 支持台 ３２ 起倒機構 ３４ チルト機構 ８６ 回転中心軸，摺動軸 ９０ クランパ部材 １００ プラテン部 １０２ 軸受部 １２０ 第１の冷媒通路 １２２ 供給通路 １２４ 排水通路 １２６ 供給口 １２８ 排水口 １３０ 第２の冷媒通路 １４６ 排水通路
ＴＥ０３７３０１

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持台上に被処理体を載置支持し、か
   つ、この支持台を回転駆動しながら、前記被処理体にイ
   オン注入を行うイオン注入装置において、 固定された回転中心軸と、 この回転中心軸が受け入れられる前記支持台に設けられ
   た孔部と、 前記回転中心軸の内部に供給側，排出側で分離して形成
   された第１の冷媒経路と、 前記支持台に設けられ、前記第１の冷媒経路の供給側，
   排出側と前記孔部の異なる箇所を介して連通された第２
   の冷媒経路と、を有し、前記支持台に冷媒を循環させて
   前記被処理体を冷却することを特徴とするイオン注入装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記支持体の被処理体載置面側には、前記被処理体の外
   縁を支持台との間に挾持するクランパ部材が配置され、
   前記支持台の孔部は、前記回転中心軸の軸方向に沿って
   前記支持台を前記クランパ部材と接離する方向に摺動案
   内する案内孔として兼用されたことを特徴とするイオン
   注入装置。
3. 【請求項３】 支持台上に被処理体を載置し、かつ、こ
   の支持台を移動させて前記支持台とクランパ部材との間
   に前記被処理体外縁部を挾持した状態で、前記被処理体
   にイオン注入を行うイオン注入装置において、 固定された摺動軸と、 この摺動軸が受け入れられる前記支持台に設けられた孔
   部と、 前記摺動軸の内部に供給側，排出側で分離して形成され
   た第１の冷媒経路と、 前記支持台に設けられ、前記第１の冷媒経路の供給側，
   排出側と前記孔部の異なる箇所を介して連通された第２
   の冷媒経路と、を有し、前記支持台に冷媒を循環させて
   前記被処理体を冷却することを特徴とするイオン注入装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、 前記第１の冷媒経路の供給側と前記第２の冷媒経路の入
   口は、前記軸の端面が臨む前記孔部を介して連通され、
   前記第１の冷媒経路の排出側と前記第２の冷媒経路の出
   口は、前記軸の周面が臨む前記孔部を介して連通され、
   かつ、供給側，排出側の冷媒のリークを防止するシール
   部材が前記軸の周囲に配置されたことを特徴とするイオ
   ン注入装置。