JPH05289310A - パターン修正方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検査等の作業の効率及び判定の正確さを向上
させるようにしたパターン修正方法及び装置を提供す
る。 【構成】 パターン２６の金属薄膜の欠落欠陥部２７の
周縁部分を単純形状の傾斜面３０を有するように成形し
た後に、成形した傾斜面３０と欠落欠陥部２７とに連続
して遮光膜３１を形成する修正方法により、また集束イ
オンビームの照射走査の制御を、予め設定された集束イ
オンビームの１回の照射走査での加工量に基づき、パタ
ーン２６の金属薄膜の欠落欠陥部２７周縁部分を、照射
走査回数を変えながら加工削除して傾斜面３０を成形す
るよう修正装置を構成したことにより、欠落欠陥部２７
の修正部分は特定の形状を有することになり、レーザー
光の投射による検査で特異な散乱が検出されず、修正部
分の誤検出はなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置を製
造する際に用いられるフォトマスクのパターンの欠陥を
修正するためのパターン修正方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知の通り、半導体装置には、これが搭
載される機器の小形化や高機能化等にともなって高集積
化が要求されており、半導体装置を製造する際に用いら
れるフォトマスクにも複雑化したパターンが高精度で形
成されていることが求められている。そしてフォトマス
クを製作に当たっては、所定のパターンを形成した後に
形成されたパターンを検査し、その欠陥部を修正してフ
ォトマスクを完成させるようにしている。

【０００３】以下、従来例を図１４及び図１５を参照し
て説明する。図１４は欠陥部を修正した後の要部平面図
であり、図１５は図９のＡ−Ａ矢視方向の断面図であ
る。

【０００４】半導体装置を製造する際に用いられるフォ
トマスクを、例えば電子線描画プロセスによって製作す
る場合は、概略次のような工程を経る。

【０００５】先ず、透明なガラス基板上にクロム（Ｃ
ｒ）と酸化クロム（Ｃｒ_x Ｏ_y ）でなる２層構造の金属
薄膜が形成されたマスクブランク板の面上に、電子線露
光用レジストを塗布し、ベーキングを行なう。そして電
子線描画装置によって所定のパターンの描画を行なう。

【０００６】描画後、現像及び金属薄膜のエッチング処
理を行ない、さらにレジスト剥離及び洗浄を行なう。続
いて形成された金属薄膜のパターンの検査を欠陥形状検
査装置によって行なう。この検査によってパターンに欠
陥が検出された場合には、検出されたパターンの欠陥部
の修正をパターン修正装置によって行なう。

【０００７】パターンの欠陥部の修正のうち、図に示す
ようなガラス基板１上の金属薄膜で形成されたパターン
２の欠落欠陥部３については、その修正を例えばクロム
あるいはカーボン（Ｃ）等でなる遮光膜４を、集束イオ
ンビーム（以下、ＦＩＢと略記する）を照射することに
よって選択的に堆積させていた。

【０００８】すなわち、欠陥形状検査装置によってガラ
ス基板１上のパターン２を検査し、欠落欠陥部３を検出
する。続いてパターン修正装置により、検出された欠落
欠陥部３を含むように矩形の範囲に亘って修正領域を決
定し、この修正領域に対して直角なＸＹ方向に走査しな
がらＦＩＢを照射し、これによって修正領域に遮光膜４
を矩形に堆積させ、欠落欠陥部３を遮光膜４によって埋
め尽くして修正を終える。なお、このとき欠落欠陥部３
を埋め尽くした遮光膜４の表面には、欠落欠陥部３に略
相似な形状の凹部５が形成される。

【０００９】そして、修正が終わったフォトマスク６に
対して洗浄が実施され、次いで表面異物検査装置によっ
てフォトマスク６のパターン２が形成された表面及び裏
面について、それぞれ異物の付着がないか否かの検査が
実施されてフォトマスク６が完成する。

【００１０】しかしながら上記の従来技術においては、
表面異物検査装置による検査が、レーザー光を用いてフ
ォトマスク６の表面上を直角なＸＹ方向に直線的に走査
し、異物によるレーザー光の特異な散乱光を検出して異
物があるか否かを検査するものであるため、パターン２
の欠落欠陥部３を修正した遮光膜４の表面の凹部５の形
状によっては、照射されたレーザー光を特異に散乱させ
てしまい、あたかも異物が付着しているとの誤検出を行
なってしまう。

【００１１】このとき遮光膜４は、その外周形状が矩形
で、それぞれの辺の方向がレーザー光の走査する方向に
一致した特定なものとなっているため、異物として誤検
出されることはない。なお正規のパターン２についても
散乱形態が特定なものであるため、誤検出されることは
ない。

【００１２】このようなことから表面異物検査装置によ
って異物が検出された場合には、検出箇所を１つ１つ目
視によって再度検査する必要があり、フォトマスク６の
検査に時間が掛かると共に人出がかかるものとなってい
た。また目視による検査の際に遮光膜４の近傍に接近し
て異物が付着している場合には、遮光膜４の凹部５によ
る散乱と誤認し、異物の存在を見落として誤判定を下す
虞がある。

【００１３】そして、今後さらに半導体装置の高集積化
が進むことによって、より複雑かつ線幅が狭くなったパ
ターン２を有するフォトマスク６においては、パターン
２の欠落欠陥部３が増大し、より検査判定作業に時間を
要するものとなり、また正確な判定を行うのがより困難
なものとなることが想定される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の技
術においては、パターンの欠落欠陥部を修正した遮光膜
を、異物が存在するものとして誤検出してしまうために
目視判定を要し、誤判定を生み出してしまい、検査等の
作業の効率及び判定の正確さの向上が求められる。本発
明は、このような状況に鑑みてなされたもので、目的と
するところはパターンの欠落欠陥部を誤検出結果が出な
いように遮光膜で修正して、検査等の作業の効率及び判
定の正確さを向上させるようにしたパターン修正方法及
び装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明のパターン修正方
法及び装置は、ガラス基板上に形成された所定パターン
の金属薄膜の欠落欠陥部を修正するパターン修正方法に
おいて、金属薄膜の欠落欠陥部の周縁部分を所定の単純
形状となるように削除して成形した後に、成形した周縁
部分と欠落欠陥部とに連続して遮光膜を形成するように
したことを特徴とする方法であり、また、金属薄膜の欠
落欠陥部の周縁部分を膜厚が該欠落欠陥部の外方に向か
って連続的に変化するように削除して成形した後に、成
形した周縁部分と欠落欠陥部に遮光膜を形成するように
したことを特徴とする方法であり、金属薄膜の欠落欠陥
部の周縁部分を成形するに当たり、該欠落欠陥部を包含
する範囲でガラス基板が露出するまで削除し矩形形状部
を形成した後に、この矩形形状部に遮光膜を形成するよ
うにしたことを特徴とする方法であり、さらに、ガラス
基板上に形成された所定パターンの金属薄膜の欠落欠陥
部を修正するパターン修正方法において、金属薄膜の欠
落欠陥部の周縁部分を成形するに当たり、該欠落欠陥部
を包含する範囲でガラス基板が露出するまで削除し矩形
形状部を形成し、この矩形形状部の周縁部分を金属薄膜
の膜厚が該矩形形状部の外方に向かって連続的に変化す
るように削除して成形した後に、この成形した周縁部分
と矩形形状部とに連続して遮光膜を形成するようにした
ことを特徴とする方法であり、またさらに、ガラス基板
上に形成された所定パターンの金属薄膜の欠落欠陥部を
集束イオンビームの照射走査によって修正するようにし
たパターン修正装置において、集束イオンビームの照射
走査の制御が、予め設定された集束イオンビームの１回
の照射走査での加工量に基づき、金属薄膜の欠落欠陥部
を包含する範囲に設定された加工領域の周縁部分を、集
束イオンビームの照射走査回数を変えながら加工削除
し、金属薄膜の膜厚が外方に向かって連続的に変化する
ように成形するようにするものであることを特徴とする
装置である。

【００１６】

【作用】上記のように構成されたパターン修正方法及び
装置は、金属薄膜の欠落欠陥部の周縁部分を所定の単純
形状となるように削除して成形した後に、成形した周縁
部分と欠落欠陥部とに連続して遮光膜を形成するように
したことにより、また集束イオンビームの照射走査の制
御を、予め設定された集束イオンビームの１回の照射走
査での加工量に基づき、金属薄膜の欠落欠陥部を包含す
る範囲に設定された加工領域の周縁部分を、照射走査回
数を変えながら加工削除し、金属薄膜の膜厚が外方に向
かって連続的に変化するように成形するよう構成したこ
とにより、パターンの欠落欠陥部の修正部分は特定の形
状を有することになる。このため、修正後の表面異物検
査装置でのレーザー光を投射しての検査においても、異
物が付着している場合のような不特定形状による特異な
散乱を検出するようなことがない。このように、パター
ンの欠落欠陥部が遮光膜で誤検出結果が出ないように修
正できるので、検査等の作業の効率及び判定の正確さを
向上させるようにできる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００１８】先ず、第１の実施例を図１乃至図４により
説明する。図１はパターン修正装置の概略構成を示す構
成図であり、図２はパターンの修正途中の要部平面図で
あり、図３は図２のＢ−Ｂ矢視方向の断面図であり、図
４はパターンの修正を完了した要部断面図である。

【００１９】図１において、ＦＩＢを用いたパターン修
正装置はチャンバ１１内にフォトマスク１２を上面に載
置するステージ１３が設けられており、ステージ１３の
上方には、上部内面にイオン源１４を有し、下部内面に
イオン源１４から放出されたＦＩＢ１５を偏向する偏向
系１６を有する鏡筒１７が設けられている。またパター
ン修正装置には、ＦＩＢ１５が投射されることによっ
て、フォトマスク１２の面から放出された２次イオンを
検出する２次イオン検出器１８が設けられている。

【００２０】そして、２次イオン検出器１８からの信号
が画像認識部１９に入力され、フォトマスク１２の上面
のパターンの画像が認識され、認識結果を修正領域入力
・判定部２０へ出力するようになっている。修正領域入
力・判定部２０では、入力された認識画像をモニタ２１
で監視すると共にパターンの欠落欠陥部の周囲にこれを
含む修正領域が指定され決定される。

【００２１】次いで、修正領域入力・判定部２０で決定
された修正領域が外周加工領域判定部２２に入力され、
ここで修正領域のうち、加工を施す必要ある領域が予め
設定され記憶された加工定数に基づき決定され、その加
工領域に対して平面上の各位置に対する深さ方向のエッ
チングによる加工量が決定される。

【００２２】この外周加工領域判定部２２で決定された
加工領域と加工量が、次のビ−ム走査制御部２３に入力
され、ここで加工領域に対応してＦＩＢ１５を走査する
制御信号を形成し、さらにこの制御信号をブランキング
部２４に入力し、これを制御する。

【００２３】そして、フォトマスク１２の上面のパター
ンの加工領域を所定形状にエッチング加工した後、また
ＦＩＢ１５の走査を制御して修正領域に所定形状の遮光
膜を成層させるように構成されている。

【００２４】以上のような構成を有するパターン修正装
置を用いたパターンの修正方法について、さらに図２乃
至図４を用いて説明する。

【００２５】すなわち、透明なガラス基板２５上に、ク
ロムと酸化クロムの２層構造の金属薄膜のパターン２６
が形成されたフォトマスク１２を、パターン修正装置の
ステージ１３上に載置し、フォトマスク１２の上面にＦ
ＩＢ１５を直角なＸＹ方向に直線的に走査しながら照射
してパターン２６の検査を行なう。

【００２６】検査によって検出されたパターン２６の欠
落欠陥部２７が、２次イオン検出器１８からの信号によ
って画像認識部１９で認識され、修正領域入力・判定部
２０で修正領域２８が欠落欠陥部２７を含みその周縁部
に設定される。欠落欠陥部２７に対して設定された修正
領域２８は、欠落欠陥部２７の外周に沿って所定幅をも
ってパターン２６上に設定された略相似形状の領域であ
る。

【００２７】次いで、外周加工領域判定部２２で、加工
領域２９がパターン２６上に修正領域２８を設定した所
定幅領域に決定される。同時に加工領域２９についての
平面上の各位置に対する深さ方向のエッチングの加工量
が決定される。本実施例での加工領域２９の加工量は、
欠落欠陥部２７から外方に向けてパターン２６の金属薄
膜の膜厚が漸増するように設定される。

【００２８】そして、外周加工領域判定部２２で設定さ
れた加工領域２９の各位置に対する加工量に基づき、ビ
−ム走査制御部２３でＦＩＢ１５を対応して走査する制
御信号を形成し、さらにこの制御信号をブランキング部
２４に入力してＦＩＢ１５の走査を制御する。

【００２９】金属薄膜のエッチング加工は、ＦＩＢ１５
によるスパッタリングによって行なわれ、スパッタリン
グは１回の走査による加工量が予め微少量の深さに設定
されていて、加工領域２９について場所により１乃至複
数回に亘り走査しながら行われ、また走査を行なうごと
にスパッタリングを行なう領域を狭めるように行われ
る。

【００３０】この走査回数とスパッタリングを行なう領
域の縮小との関係は、欠落領域２７や修正領域２８の大
きさ及び金属薄膜をガラス基板２５が露出するまで削除
するまでに必要な走査回数とから決定される。これによ
って欠落欠陥部２７の周縁部には、パターン２６の金属
薄膜の膜厚が外方に向けて漸増する傾斜面３０が形成さ
れる。

【００３１】エッチング加工終了後、続いてＦＩＢ１５
を走査しながら照射することによって修正領域２８の全
面に亘り、例えばカーボン（Ｃ）でなる遮光材料を堆積
させ、充分な遮光状態が得られる厚さの遮光膜３１を成
層させる。この成層にあたってはカーボンの遮光能力が
クロム等のパターン２６形成金属よりも劣るため、欠落
欠陥部２７及び加工領域２９をカーボンで埋め尽くした
後、さらに金属薄膜のパターン２６の膜厚より厚くなる
ようにカーボンが堆積される。ちなみにパターン２６の
クロムと酸化クロムの２層構造の金属薄膜の膜厚が１０
００オングストロームの場合には、これと同等の遮光能
力を有する遮光膜３１のカーボンの膜厚は２５００〜３
０００オングストロームとなる。

【００３２】成層された遮光膜３１は、パターン２６の
金属薄膜の膜厚とは逆に修正領域２８の外周部分では厚
さが薄く、傾斜面３０に合わせ内方に向かうにしたがっ
て厚さが漸増するように堆積され、欠落欠陥部２７では
略等厚さとなるように堆積させて形成してある。

【００３３】このため遮光膜３１の外周外面部分は斜面
３２が形成された単純な形状となり、パターン２６上で
は何処でも遮光特性は同等なものとなる。なおパターン
２６の金属薄膜の傾斜面３０と、遮光膜３１の斜面３２
のそれぞれの傾斜角度は、パターン２６形成金属及び遮
光膜３１の材料の各遮光能力から組み合わせたときに遮
光特性が略均一となるように決定される。

【００３４】以上のようにしてパターン２６の欠落欠陥
部２７が修正されたフォトマスク１２は、洗浄が実施さ
れ、次いで表面異物検査装置によって、表裏両面にそれ
ぞれ異物の付着がないか否かの検査が実施される。レー
ザー光を用いた表面異物検査装置での検査では、レーザ
ー光によって直角なＸＹ方向に直線的にフォトマスク２
６の上表面が走査されるが、パターン２６の欠落欠陥部
２７が遮光膜３１を形成することで修正され、遮光膜３
１の外周部分がパターン２６の金属薄膜の上面から連続
した斜面３２を有する単純形状となっているので、異物
にレーザー光が投射された場合のような特異な散乱は検
出されない。

【００３５】このため欠落欠陥部２７を修正した遮光膜
３１では、異物があたかも存在するように判断する誤検
出ということが起きない。それ故、表面異物検査装置で
検出された箇所を１つ１つ目視によって再度検査する必
要もなくなり、目視のために異物の存在を見落として誤
判定を下してしまうような虞もない。

【００３６】また、半導体装置の高集積化が進みパター
ン２６がより複雑かつ線幅が狭くなり、パターン２６の
欠落欠陥部２７が増加するようなことになっても、誤検
出がなくなり目視検査が不要となるため、検査判定作業
に要する時間が減り、またより正確な判定を行うことが
できるようになる。

【００３７】次に、第２の実施例を図５乃至図８により
説明する。図５はパターンの欠落欠陥部を示す要部平面
図であり、図６はパターンの修正途中の要部平面図であ
り、図７はパターンの修正を完了した要部斜視図であ
り、図８は図７のＣ−Ｃ矢視方向の断面図である。なお
本実施例も第１の実施例と同様に、一部制御内容を異に
するＦＩＢを用いたパターン修正装置によって、パター
ンの欠落欠陥部の修正が行われるもので、以下の説明で
は図１に示した装置に対応する部位については（）内に
同符号を記入して引用する。

【００３８】図において、透明なガラス基板３３上に、
クロムと酸化クロムの２層構造の金属薄膜のパターン３
４が形成されたフォトマスク３５を、パターン修正装置
のステージ（１３）上に載置し、フォトマスク３５の上
面にＦＩＢ（１５）を直角なＸＹ方向に直線的に走査し
ながら照射してパターン３４の検査を行なう。

【００３９】検査によって検出されたパターン３４の欠
落欠陥部３６が、２次イオン検出器（１８）からの信号
によって画像認識部（１９）で認識され、修正領域入力
・判定部（２０）で修正領域３７が欠落欠陥部３６を含
みその周縁部に設定される。欠落欠陥部３６に対して設
定された修正領域３７は、欠落欠陥部３６の外側にＦＩ
Ｂ（１５）の走査方向のＸＹ方向に各辺が平行なパター
ン３４上に設定された矩形領域である。

【００４０】次いで、外周加工領域判定部（２２）で、
修正領域３７内の欠落欠陥部３６を除いたパターン３４
上に修正領域３７よりも狭く、またパターン３４の最外
周部に形成されるパターン端部の荒れやオーバーハング
を考慮して１ミクロン以上広げられ、修正領域３７と同
じくＸＹ方向に各辺が平行な矩形の範囲に加工領域３８
が設定される。同時に加工領域３８について平面上の各
位置に対する深さ方向のエッチングの加工量が決定され
る。本実施例での加工領域３８の加工量は、各位置とも
同じでパターン３４の金属薄膜が削除されるまでの量で
ある。

【００４１】そして、外周加工領域判定部（２２）で設
定された加工領域３８の各位置に対する加工量に基づ
き、ビ−ム走査制御部（２３）でＦＩＢ（１５）を対応
して走査する制御信号を形成し、さらにこの制御信号を
ブランキング部（２４）に入力してＦＩＢ（１５）の走
査を制御する。

【００４２】第１の実施例と同様に金属薄膜のエッチン
グ加工は、ＦＩＢ（１５）によるスパッタリングによっ
て行なわれ、スパッタリングは加工領域３８について複
数回に亘り走査しながら行われる。なお１回の走査によ
る加工量は予め微少量の深さに設定されており、走査回
数は金属薄膜を削除しガラス基板３３が露出するまでに
要する回数に決定される。

【００４３】そして、ガラス基板３３が修正領域３７よ
りも狭い矩形に露出するまで、加工領域３７の金属薄膜
はエッチング加工される。矩形の露出領域３９が形成さ
れた後、ＦＩＢ（１５）を走査しながら照射することに
よって修正領域３７の全面に亘り遮光材料を堆積させ、
充分な遮光状態が得られる厚さにまで遮光膜４０を成層
させる。この成層にあたっては、例えば遮光材料にカー
ボンを用いた場合には、その遮光能力がクロム等のパタ
ーン３４形成金属よりも劣るため、露出領域３９をカー
ボンで埋め尽くした後、さらに金属薄膜のパターン３４
の膜厚より厚くなるようにカーボンが堆積される。

【００４４】これによって遮光膜４０は、修正領域３７
の周縁部の金属薄膜上にも遮光材料が重なるように堆積
され、露出領域３９の端部が充分に遮光された状態とな
る。また遮光膜４０の上面には露出領域３９に略相似形
状の矩形の凹部４１が形成される。

【００４５】以上のようにしてパターン３４の欠落欠陥
部３６が修正されたフォトマスク３５は、洗浄が実施さ
れ、次いで表面異物検査装置によって異物の付着がない
か否かの検査が実施される。レーザー光を用いた表面異
物検査装置での検査では、レーザー光によって直角なＸ
Ｙ方向に直線的にフォトマスク３５の上表面が走査され
るが、パターン３４の欠落欠陥部３６が遮光膜４０を形
成することで修正され、遮光膜４０がレーザー光が走査
するＸＹ方向の段差しか持たないので、異物にレーザー
光が投射された場合のような特異な散乱は検出されな
い。

【００４６】このため本実施例においても第１の実施例
と同様の作用、効果が得られる。

【００４７】次に、第３の実施例を図９乃至図１３によ
り説明する。図９はパターンの欠落欠陥部を示す要部平
面図であり、図１０はパターンの修正途中の要部平面図
であり、図１１は図１０のＤ−Ｄ矢視方向の断面図であ
り、図１２はパターンの修正を完了した要部斜視図であ
り、図１３は図１２のＥ−Ｅ矢視方向の断面図である。
なお本実施例も第１の実施例と同様に、一部制御内容を
異にするＦＩＢを用いたパターン修正装置によって、パ
ターンの欠落欠陥部の修正が行われるもので、以下の説
明では図１に示した装置に対応する部位については
［ ］内に同符号を記入して引用する。

【００４８】図において、透明なガラス基板４２上に、
クロムと酸化クロムの２層構造の金属薄膜のパターン４
３が形成されたフォトマスク４４を、パターン修正装置
のステージ［１３］上に載置し、フォトマスク４４の上
面にＦＩＢ［１５］を直角なＸＹ方向に直線的に走査し
ながら照射してパターン４３の検査を行なう。

【００４９】検査によって検出されたパターン４３の欠
落欠陥部４５が、２次イオン検出器［１８］からの信号
によって画像認識部［１９］で認識され、修正領域入力
・判定部［２０］で修正領域４６が欠落欠陥部４５を含
みその周縁部に設定される。欠落欠陥部４５に対して設
定された修正領域４６は、欠落欠陥部４５の外側にＦＩ
Ｂ［１５］の走査方向のＸＹ方向に各辺が平行なパター
ン４３上に設定された矩形領域である。

【００５０】次いで、外周加工領域判定部［２２］で、
修正領域４６内の欠落欠陥部４５を除いたパターン４３
上に修正領域４６と同範囲の加工領域４７が設定され、
さらに加工領域４７内に欠落欠陥部４５よりも大きく、
また加工領域４７よりも所定幅だけ狭く、各辺がＸＹ方
向に平行な矩形の基板露出加工部４８が設定される。同
時に加工領域４７について平面上の各位置に対する深さ
方向のエッチングの加工量が決定される。

【００５１】本実施例での加工領域４７の加工量は、基
板露出加工部４８では各位置とも同じでパターン４３の
金属薄膜が削除されるまでの量であり、基板露出加工部
４８の外側で加工領域４７の外周までの所定幅の部分に
ついては、外方に向けてパターン４３の金属薄膜の膜厚
が漸増するように設定される。

【００５２】そして、外周加工領域判定部［２２］で設
定された加工領域４７の各位置に対する加工量に基づ
き、ビ−ム走査制御部［２３］でＦＩＢ［１５］を対応
して走査する制御信号を形成し、さらにこの制御信号を
ブランキング部［２４］に入力してＦＩＢ［１５］の走
査を制御する。

【００５３】第１の実施例と同様に金属薄膜のエッチン
グ加工は、ＦＩＢ［１５］によるスパッタリングによっ
て行なわれ、スパッタリングは１回の走査による加工量
が予め微少量の深さに設定されていて、加工領域４７に
ついて場所により１乃至複数回に亘り走査しながら行わ
れ、走査を行なうごとにスパッタリングを行なう領域を
狭めるように行われる。スパッタリングは加工領域３８
について複数回に亘り走査しながら行われる。

【００５４】このとき基板露出加工部４８の外側の所定
幅の部分での走査回数は、パターン４３の金属薄膜の膜
厚が外方に向けて漸増する傾斜面４９が形成される回数
に決定され、基板露出加工部４８での走査回数は金属薄
膜を削除しガラス基板４２が露出するまでに要する回数
に決定される。

【００５５】そして、加工領域４７のエッチング加工終
了後、ＦＩＢ［１５］を走査しながら照射することによ
って修正領域４６の全面に亘り遮光材料を堆積させ、充
分な遮光状態が得られる厚さにまで遮光膜５０を成層さ
せる。この成層にあたっては、例えば遮光材料にカーボ
ンを用いた場合には、その遮光能力がクロム等のパター
ン４３形成金属よりも劣るため、ガラス基板４２が露出
した基板露出加工部４８をカーボンで埋め尽くした後、
さらに金属薄膜のパターン４３の膜厚より厚くなるよう
にカーボンが堆積される。

【００５６】形成された遮光膜５０は、修正領域４６の
外周部分ではパターン４３の金属薄膜の膜厚とは逆に厚
さが薄く、傾斜面４９に合わせ内方に向かうにしたがっ
て厚さが漸増するものであり、基板露出加工部４８では
略等厚さとなっている。

【００５７】このため遮光膜５０の外周外面部分は、斜
面５１が形成された単純な形状となり、パターン４３上
では何処でも遮光特性は同等なものとなる。なおパター
ン４３の金属薄膜の傾斜面４９と、遮光膜５０の斜面５
１のそれぞれの傾斜角度は、パターン４３形成金属及び
遮光膜５０の材料の各遮光能力から組み合わせたときに
遮光特性が略均一となるように決定される。

【００５８】以上のようにして欠落欠陥部４５が修正さ
れたフォトマスク４４は、洗浄が実施され、次いで表面
異物検査装置によって異物の付着の有無が検査される。
本実施例においても表面異物検査装置でのレーザー光に
よる検査では、レーザー光によって直角なＸＹ方向に直
線的にフォトマスク４４の上表面が走査されるが、パタ
ーン４３の欠落欠陥部４５が遮光膜５０を形成すること
で修正され、また遮光膜５０の外周部分がパターン４３
の金属薄膜の上面から斜面５１で連続する単純形状とな
っているので、異物にレーザー光が投射された場合のよ
うな特異な散乱は検出されない。

【００５９】このため本実施例においても第１の実施例
と同様の作用、効果が得られる。

【００６０】尚、上記の各実施例においては、遮光材料
にカーボンを用いているがこれに限るものではなくクロ
ム等を用いてもよい等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜
変更して本発明は実施し得るものである。

【００６１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、金属薄膜の欠落欠陥部の周縁部分を所定の単純形状
となるように削除して成形した後に、成形した周縁部分
と欠落欠陥部とに連続して遮光膜を形成するようにした
ことにより、また集束イオンビームの照射走査の制御
を、予め設定された集束イオンビームの１回の照射走査
での加工量に基づき、金属薄膜の欠落欠陥部を包含する
範囲に設定された加工領域の周縁部分を、照射走査回数
を変えながら加工削除し、金属薄膜の膜厚が外方に向か
って連続的に変化するように成形するよう構成したこと
により、パターンの欠落欠陥部が遮光膜で誤検出結果が
出ないように修正でき、検査等の作業の効率及び判定の
正確さを向上させるようにできる等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例であるパターン修正装置
を示す概略構成図である。

【図２】同上によるパターンの修正途中の状態を示す要
部平面図である。

【図３】図２のＢ−Ｂ矢視方向の断面図である。

【図４】同上によるパターンの修正を完了した状態を示
す要部断面図である。

【図５】本発明の第２の実施例に係るパターンの欠落欠
陥部を示す要部平面図である。

【図６】同上におけるパターンの修正途中の状態を示す
要部平面図である。

【図７】同上によるパターンの修正を完了した状態を示
す要部斜視図である。

【図８】図７のＣ−Ｃ矢視方向の断面図である。

【図９】本発明の第３の実施例に係るパターンの欠落欠
陥部を示す要部平面図である。

【図１０】同上におけるパターンの修正途中の状態を示
す要部平面図である。

【図１１】図１０のＤ−Ｄ矢視方向の断面図である。

【図１２】同上によるパターンの修正を完了した状態を
示す要部斜視図である。

【図１３】図１２のＥ−Ｅ矢視方向の断面図である。

【図１４】従来例に係るパターンの修正を完了した状態
を示す要部平面図である。

【図１５】図１４のＡ−Ａ矢視方向の断面図である。

【符号の説明】

１２…フォトマスク ２５…ガラス基板 ２６…パターン ２７…欠落欠陥部 ３０…傾斜面 ３１…遮光膜 ３２…斜面

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板上に形成された所定パターン
   の金属薄膜の欠落欠陥部を修正するパターン修正方法に
   おいて、前記金属薄膜の前記欠落欠陥部の周縁部分を所
   定の単純形状となるように削除して成形した後に、成形
   した前記周縁部分と前記欠落欠陥部とに連続して遮光膜
   を形成するようにしたことを特徴とするパターン修正方
   法。
2. 【請求項２】 金属薄膜の欠落欠陥部の周縁部分を膜厚
   が該欠落欠陥部の外方に向かって連続的に変化するよう
   に削除して成形した後に、成形した前記周縁部分と前記
   欠落欠陥部に遮光膜を形成するようにしたことを特徴と
   する請求項１記載のパターン修正方法。
3. 【請求項３】 金属薄膜の欠落欠陥部の周縁部分を成形
   するに当たり、該欠落欠陥部を包含する範囲でガラス基
   板が露出するまで削除し矩形形状部を形成した後に、こ
   の矩形形状部に遮光膜を形成するようにしたことを特徴
   とする請求項１記載のパターン修正方法。
4. 【請求項４】 ガラス基板上に形成された所定パターン
   の金属薄膜の欠落欠陥部を修正するパターン修正方法に
   おいて、前記金属薄膜の前記欠落欠陥部の周縁部分を成
   形するに当たり、該欠落欠陥部を包含する範囲でガラス
   基板が露出するまで削除し矩形形状部を形成し、この矩
   形形状部の周縁部分を前記金属薄膜の膜厚が該矩形形状
   部の外方に向かって連続的に変化するように削除して成
   形した後に、この成形した周縁部分と前記矩形形状部と
   に連続して遮光膜を形成するようにしたことを特徴とす
   るパターン修正方法。
5. 【請求項５】 ガラス基板上に形成された所定パターン
   の金属薄膜の欠落欠陥部を集束イオンビームの照射走査
   によって修正するようにしたパターン修正装置におい
   て、前記集束イオンビームの照射走査の制御が、予め設
   定された前記集束イオンビームの１回の照射走査での加
   工量に基づき、前記金属薄膜の前記欠落欠陥部を包含す
   る範囲に設定された加工領域の周縁部分を、前記集束イ
   オンビームの照射走査回数を変えながら加工削除し、前
   記金属薄膜の膜厚が外方に向かって連続的に変化するよ
   うに成形するようにするものであることを特徴とするパ
   ターン修正装置。