JPH05288903A - 超微粒子膜 - Google Patents
超微粒子膜Info
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- JPH05288903A JPH05288903A JP4088579A JP8857992A JPH05288903A JP H05288903 A JPH05288903 A JP H05288903A JP 4088579 A JP4088579 A JP 4088579A JP 8857992 A JP8857992 A JP 8857992A JP H05288903 A JPH05288903 A JP H05288903A
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- ultrafine particles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ブラウン管１１の表面に塗布浴槽１２を取付
け、塗布浴槽１２内に反射防止機能を有するＳｉＯ2超
微粒子と帯電防止機能を有するＳｎＯ2超微粒子を混合
した塗布溶液１３を充たし、その後、一定速度で塗布溶
液１３を上昇あるいは下降させる。 【効果】超微粒子と基板を密着させるバインダの膜厚を
粒子径の半分以下にすることにより、優れた反射防止効
果が得られる。
け、塗布浴槽１２内に反射防止機能を有するＳｉＯ2超
微粒子と帯電防止機能を有するＳｎＯ2超微粒子を混合
した塗布溶液１３を充たし、その後、一定速度で塗布溶
液１３を上昇あるいは下降させる。 【効果】超微粒子と基板を密着させるバインダの膜厚を
粒子径の半分以下にすることにより、優れた反射防止効
果が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画面表示面板及び陰極
線管，液晶表示装置、その他のディスプレイ装置等に用
いられるガラス及びプラスチック表面の反射及び帯電防
止膜に関する。
線管，液晶表示装置、その他のディスプレイ装置等に用
いられるガラス及びプラスチック表面の反射及び帯電防
止膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射防止膜は古くから研究されており、
ＣＲＴ表面の反射光を低減するための反射防止フィルタ
等に用いられている。反射防止膜にはいろんなものが考
えられているが、主として多層膜と不均質膜が利用され
ている。
ＣＲＴ表面の反射光を低減するための反射防止フィルタ
等に用いられている。反射防止膜にはいろんなものが考
えられているが、主として多層膜と不均質膜が利用され
ている。
【０００３】多層膜は透明性板表面に低屈折率物質と高
屈折率物質とを少なくとも３層積層した構造であり、そ
の反射防止効果は多層間での光学的干渉作用の総合効果
である。多層膜はフィジックス・オブ・シン・フィルム
の２号（１９６４年）２４３項〜２８４項に論じられて
いる）。
屈折率物質とを少なくとも３層積層した構造であり、そ
の反射防止効果は多層間での光学的干渉作用の総合効果
である。多層膜はフィジックス・オブ・シン・フィルム
の２号（１９６４年）２４３項〜２８４項に論じられて
いる）。
【０００４】また、膜厚方向に屈折率分布を持つ不均質
膜は、膜の平均屈折率が基板ガラスよりも低い場合に反
射防止膜となる。不均質膜は透明性板表面を多孔質化し
たものが一般的である。
膜は、膜の平均屈折率が基板ガラスよりも低い場合に反
射防止膜となる。不均質膜は透明性板表面を多孔質化し
たものが一般的である。
【０００５】ガラス表面に島状の金属蒸着膜を形成後、
スパッタエッチングにより微細な凹凸を形成して不均質
膜を作り、反射率を低減する方法がアプライド・フィジ
ックス・レター３６号（１９８０年）の７２７項〜７３
０項において論じられている。
スパッタエッチングにより微細な凹凸を形成して不均質
膜を作り、反射率を低減する方法がアプライド・フィジ
ックス・レター３６号（１９８０年）の７２７項〜７３
０項において論じられている。
【０００６】またソーダガラスをＳｉＯ2 過飽和のＨ2
ＳｉＦ6溶液に浸漬し、表面を多孔質化して反射率を低
減する方法がソーラ・エネルギー，６号（１９８０年）
の２８項〜３４項において論じられている。
ＳｉＦ6溶液に浸漬し、表面を多孔質化して反射率を低
減する方法がソーラ・エネルギー，６号（１９８０年）
の２８項〜３４項において論じられている。
【０００７】一方、陰極線管ではガラス表面の帯電防止
のために導電性膜を形成し反射防止の工夫も要求されて
いる。
のために導電性膜を形成し反射防止の工夫も要求されて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では膜形成法
がスパッタリング，真空蒸着法に限られ、かつ膜厚の高
精度制御が必要であるため、コストが高く大面積の基板
への適用が困難であるという問題があった。特に従来技
術は、導電性膜と反射防止膜をそれぞれ形成する２層構
造であり、生産性，価格の点で問題があった。
がスパッタリング，真空蒸着法に限られ、かつ膜厚の高
精度制御が必要であるため、コストが高く大面積の基板
への適用が困難であるという問題があった。特に従来技
術は、導電性膜と反射防止膜をそれぞれ形成する２層構
造であり、生産性，価格の点で問題があった。
【０００９】また、超微粒子を利用した反射防止膜の場
合は、超微粒子が高密度に規則正しく基板上に配列し、
かつ、超微粒子と基板を密着させるバインダの膜厚が粒
子径の半分以下の場合に最も小さな反射率が得られる。
合は、超微粒子が高密度に規則正しく基板上に配列し、
かつ、超微粒子と基板を密着させるバインダの膜厚が粒
子径の半分以下の場合に最も小さな反射率が得られる。
【００１０】図１は超微粒子が整然と規則正しく透明性
基板上に配列された場合の断面模式図を示す。１は超微
粒子、２はバインダ層、３は基板である。この場合、ｎ
0 は空気の屈折率、ｎ1は空気側の超微粒子ｄa層の屈折
率、ｎ2はｄa層の超微粒子側の屈折率、ｎsは超微粒子
とバインダとで形成される層の屈折率、ｎgは透明性板
の屈折率とするとｄa層の反射率Ｒaは数１で、ｄb層の
屈折率Ｒbは数２にそれぞれ示す。
基板上に配列された場合の断面模式図を示す。１は超微
粒子、２はバインダ層、３は基板である。この場合、ｎ
0 は空気の屈折率、ｎ1は空気側の超微粒子ｄa層の屈折
率、ｎ2はｄa層の超微粒子側の屈折率、ｎsは超微粒子
とバインダとで形成される層の屈折率、ｎgは透明性板
の屈折率とするとｄa層の反射率Ｒaは数１で、ｄb層の
屈折率Ｒbは数２にそれぞれ示す。
【００１１】 Ra＝1−(4n0n1n2ns)／{(n1ns＋n0n2)2−(n1 2n0 2)(ns 2-n2 2)sin2（δa/2)} …（数１） ただし、δa＝（２π／λ)(ｎ1＋ｎ2）ｄa Rb＝1−(4n2ns 2ng)／{n2 2(n2＋ng)2−(ng 2−ns 2)(ns 2−n2 2)sin2(δb／2)} …（数２） ただし、δb＝（２π／λ）（２ｎs）ｄb また、超微粒子の存在しない部分の反射率をＲc とした
とき、合計の反射率Ｒは超微粒子の存在しない部分の面
積比をαとして数３で示すことができる。
とき、合計の反射率Ｒは超微粒子の存在しない部分の面
積比をαとして数３で示すことができる。
【００１２】 Ｒ＝（１−α)(Ｒa＋Ｒb）＋αＲc …（数３） 通常、ガラス体と同様のバインダを用いた場合にはＲc
は４.２％である。
は４.２％である。
【００１３】Ｒa は、ｎ0＝１.０，ｎ1＝１.１０，ｎ2
＝１.３８，ｎs＝１.４７と仮定すると、λ＝５５０ｎ
ｍで約０.１９％となる。またＲbは透明性板をガラスと
すると、ｎg ＝１.５３、他の屈折率はＲaの場合と同一
と仮定すると、λ＝５５０ｎｍで約０.０４％となる。
＝１.３８，ｎs＝１.４７と仮定すると、λ＝５５０ｎ
ｍで約０.１９％となる。またＲbは透明性板をガラスと
すると、ｎg ＝１.５３、他の屈折率はＲaの場合と同一
と仮定すると、λ＝５５０ｎｍで約０.０４％となる。
【００１４】従って、（Ｒa＋Ｒb）≪Ｒc であり、αが
小さいほど反射率は小さくなることがわかる。言い替え
ると超微粒子を規則正しく緻密に塗布し、バインダの膜
厚が粒子径の半分以下のときに最も反射率が小さくな
る。
小さいほど反射率は小さくなることがわかる。言い替え
ると超微粒子を規則正しく緻密に塗布し、バインダの膜
厚が粒子径の半分以下のときに最も反射率が小さくな
る。
【００１５】本発明の目的は、低コストでかつ大面積に
適用できる帯電，反射防止膜とこれを適用した画像表示
板を提供することにある。
適用できる帯電，反射防止膜とこれを適用した画像表示
板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、超微粒子が
均一に分散された塗布溶液を、前処理を施した基板表面
側に設置された浴槽内に充たした後、一定速度で引き抜
くかあるいは一定速度で浴槽内に充たしていくことによ
り達成される。
均一に分散された塗布溶液を、前処理を施した基板表面
側に設置された浴槽内に充たした後、一定速度で引き抜
くかあるいは一定速度で浴槽内に充たしていくことによ
り達成される。
【００１７】本発明の超微粒子膜は、反射防止機能を有
する超微粒子と帯電防止機能を有する超微粒子を混合し
た塗布液を前記浴槽内に導入し、一定速度で基板表面を
上昇あるいは下降させて基板表面に超微粒子膜を形成す
ることを特徴とする。
する超微粒子と帯電防止機能を有する超微粒子を混合し
た塗布液を前記浴槽内に導入し、一定速度で基板表面を
上昇あるいは下降させて基板表面に超微粒子膜を形成す
ることを特徴とする。
【００１８】前記前処理は、基板を酸，アルカリ，中性
洗剤等で洗浄し、表面の水分を除去し表面を乾燥する。
洗剤等で洗浄し、表面の水分を除去し表面を乾燥する。
【００１９】本発明の超微粒子膜は、超微粒子が単層配
列した膜においてバインダが粒子を完全に覆っている場
合、粒子上部のバインダをエッチングし粒子の表面凹凸
を増大させることを特徴とする。
列した膜においてバインダが粒子を完全に覆っている場
合、粒子上部のバインダをエッチングし粒子の表面凹凸
を増大させることを特徴とする。
【００２０】
【作用】超微粒子膜をブラウン管ガラス表面に塗布する
際、図２に示すように超微粒子と基板を密着させるバイ
ンダが粒子の表面を覆ってしまった場合、表面の凹凸を
減少させてしまい光学特性に悪影響を与える。これに対
して、図３に示すようにバインダが粒子の下部のみの場
合は表面凹凸が増大し良好な光学特性が得られる。
際、図２に示すように超微粒子と基板を密着させるバイ
ンダが粒子の表面を覆ってしまった場合、表面の凹凸を
減少させてしまい光学特性に悪影響を与える。これに対
して、図３に示すようにバインダが粒子の下部のみの場
合は表面凹凸が増大し良好な光学特性が得られる。
【００２１】図４の（１）は、バインダの膜厚が粒子径
の半分よりも厚い場合の正反射率曲線である。このとき
の波長５５０ｎｍにおける正反射率は３.９％ と大きい
値を示す。これに対して図４の（２）は、バインダの膜
厚が半分以下の場合の正反射率曲線である。このときの
波長５５０ｎｍにおける正反射率は０.０８％ と非常に
小さい値となる。
の半分よりも厚い場合の正反射率曲線である。このとき
の波長５５０ｎｍにおける正反射率は３.９％ と大きい
値を示す。これに対して図４の（２）は、バインダの膜
厚が半分以下の場合の正反射率曲線である。このときの
波長５５０ｎｍにおける正反射率は０.０８％ と非常に
小さい値となる。
【００２２】このように、本発明の超微粒子膜は粒子表
面の凹凸が十分あるために正反射率が小さくなる。
面の凹凸が十分あるために正反射率が小さくなる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例につき図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００２４】超微粒子の機能は透明性，透光性に支障の
無いかぎり特に限定はされないが、平均粒径は１００ｎ
ｍ程度のものがよい。代表的な機能は帯電防止，反射防
止である。
無いかぎり特に限定はされないが、平均粒径は１００ｎ
ｍ程度のものがよい。代表的な機能は帯電防止，反射防
止である。
【００２５】帯電防止超微粒子は、ＳｎＯ2（酸化ス
ズ），ＳｎＯ2＋Ｓｂ2Ｏ3（酸化アンチモン），Ｉｎ2Ｏ
3（酸化インジウム），Ｉｎ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3の群から選
ばれる。反射防止超微粒子はＳｉＯ2(二酸化ケイ素），
Ｍｇ2Ｆ2(フッ化マグネシウム)の群から選ばれる。反射
防止機能を有する超微粒子の平均粒径は１００〜１５０
ｎｍが望ましい。ＳｉＯ2 の場合１００ｎｍより小さな
粒径では形成された膜の表面が平坦になり過ぎて十分な
反射防止効果が得られない恐れがあり、一方150ｎｍよ
り大きな粒径では反射防止効果は得られるが、拡散反射
が大きくなり、その結果、白濁すると同時に解像度が低
下する恐れがあるからである。従って反射防止用超微粒
子の粒径は１００〜１５０ｎｍが望ましい。
ズ），ＳｎＯ2＋Ｓｂ2Ｏ3（酸化アンチモン），Ｉｎ2Ｏ
3（酸化インジウム），Ｉｎ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3の群から選
ばれる。反射防止超微粒子はＳｉＯ2(二酸化ケイ素），
Ｍｇ2Ｆ2(フッ化マグネシウム)の群から選ばれる。反射
防止機能を有する超微粒子の平均粒径は１００〜１５０
ｎｍが望ましい。ＳｉＯ2 の場合１００ｎｍより小さな
粒径では形成された膜の表面が平坦になり過ぎて十分な
反射防止効果が得られない恐れがあり、一方150ｎｍよ
り大きな粒径では反射防止効果は得られるが、拡散反射
が大きくなり、その結果、白濁すると同時に解像度が低
下する恐れがあるからである。従って反射防止用超微粒
子の粒径は１００〜１５０ｎｍが望ましい。
【００２６】帯電防止用超微粒子の平均粒径は１０ｎｍ
以下が望ましい。また、帯電防止用超微粒子は２種以上
併用してもよい。反射防止用超微粒子と併用する場合の
帯電防止用超微粒子の粒径は、反射防止用超微粒子の粒
径に対して１／１０以下が望ましい。すなわち、粒径の
異なる２種類の超微粒子を混合した溶液を塗布した場
合、粒径比が１／１０以内では比較的良く分散される
が、１／１０以上では分散されずに粒径の小さな超微粒
子は網目状に分散するからである。
以下が望ましい。また、帯電防止用超微粒子は２種以上
併用してもよい。反射防止用超微粒子と併用する場合の
帯電防止用超微粒子の粒径は、反射防止用超微粒子の粒
径に対して１／１０以下が望ましい。すなわち、粒径の
異なる２種類の超微粒子を混合した溶液を塗布した場
合、粒径比が１／１０以内では比較的良く分散される
が、１／１０以上では分散されずに粒径の小さな超微粒
子は網目状に分散するからである。
【００２７】このことから帯電防止用超微粒子の粒径が
反射防止用超微粒子粒径の１／１０以内では、導電性が
なくなる程度まで良く分散されてしまい、その結果、帯
電防止機能を発揮しない。一方、その粒径比が１／１０
以上では網目状に凝集するので導電性膜となり、帯電防
止機能を発揮する。本発明の場合、反射防止用超微粒子
の適正粒径は１００〜１５０ｎｍであるので、このこと
から帯電防止用超微粒子の適正粒径は１０ｎｍ以下が望
ましい。
反射防止用超微粒子粒径の１／１０以内では、導電性が
なくなる程度まで良く分散されてしまい、その結果、帯
電防止機能を発揮しない。一方、その粒径比が１／１０
以上では網目状に凝集するので導電性膜となり、帯電防
止機能を発揮する。本発明の場合、反射防止用超微粒子
の適正粒径は１００〜１５０ｎｍであるので、このこと
から帯電防止用超微粒子の適正粒径は１０ｎｍ以下が望
ましい。
【００２８】また、反射防止用超微粒子と帯電防止用超
微粒子との構成割合は、帯電防止用超微粒子が全超微粒
子量の１０％以上であることが望ましい。尚、この量が
５０％以上になると反射防止機能の低下をきたす恐れが
あり、５０％以下に調整する必要がある。また、同様の
理由により反射防止用超微粒子の粒径に対して２〜３倍
の粒径をもつ超微粒子を少なくとも全超微粒子量の２０
重量％以下混合させることが望ましい。
微粒子との構成割合は、帯電防止用超微粒子が全超微粒
子量の１０％以上であることが望ましい。尚、この量が
５０％以上になると反射防止機能の低下をきたす恐れが
あり、５０％以下に調整する必要がある。また、同様の
理由により反射防止用超微粒子の粒径に対して２〜３倍
の粒径をもつ超微粒子を少なくとも全超微粒子量の２０
重量％以下混合させることが望ましい。
【００２９】膜の形成には、ディップコーティング法を
用いる。ブラウン管表面を容器の側面部にあけた穴から
露出させ、ブラウン管表面に超微粒子を混入した塗布液
を充たし、容器内部の液を上昇あるいは下降させる。こ
の方法は、表面形状が複雑なものにも適している。
用いる。ブラウン管表面を容器の側面部にあけた穴から
露出させ、ブラウン管表面に超微粒子を混入した塗布液
を充たし、容器内部の液を上昇あるいは下降させる。こ
の方法は、表面形状が複雑なものにも適している。
【００３０】塗布後の加熱処理は、炉中１５０℃〜４０
０℃で焼成するのが実用的である。
０℃で焼成するのが実用的である。
【００３１】本発明の超微粒子膜の形成には、所定の超
微粒子にバインダを加えた塗布溶液を用いる。
微粒子にバインダを加えた塗布溶液を用いる。
【００３２】基板がガラスのときは、バインダとしてＳ
ｉ（ＯＲ）4（Ｒはアルキル基）を使用する。Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）4が分解するために水及び触媒として硝酸などを加
えて塗布溶液を調整する。
ｉ（ＯＲ）4（Ｒはアルキル基）を使用する。Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）4が分解するために水及び触媒として硝酸などを加
えて塗布溶液を調整する。
【００３３】さらに、帯電防止効果を付与するために周
期律表第II族、第III 族金属の塩を添加しても良い。代
表的な例はアルミニウムの塩酸塩や硝酸塩，硫酸塩及び
カルボン酸塩が挙げられる。
期律表第II族、第III 族金属の塩を添加しても良い。代
表的な例はアルミニウムの塩酸塩や硝酸塩，硫酸塩及び
カルボン酸塩が挙げられる。
【００３４】塗布溶液の混合方法は、まず、エチルシリ
ケート（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5)4）をエタノールに溶解し、さ
らに加水分解のためのＨ2Ｏと、触媒としてのＨＮＯ3と
を添加した溶液を作り、この溶液に粒径１２０ｎｍのほ
ぼ球形のＳｉＯ2 超微粒子を重量％で１０％と、粒径６
ｎｍのＳｎＯ2 超微粒子を重量％で約１０％添加する。
このとき十分分散するように溶液のＰＨを調整する。
ケート（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5)4）をエタノールに溶解し、さ
らに加水分解のためのＨ2Ｏと、触媒としてのＨＮＯ3と
を添加した溶液を作り、この溶液に粒径１２０ｎｍのほ
ぼ球形のＳｉＯ2 超微粒子を重量％で１０％と、粒径６
ｎｍのＳｎＯ2 超微粒子を重量％で約１０％添加する。
このとき十分分散するように溶液のＰＨを調整する。
【００３５】この溶液をディップコーティング法によ
り、塗布液の上昇あるいは下降速度１０mm／ｓ以下で塗
布を行った。その後、１５０℃で３０分間空気中で焼成
し、エチルシリケート（Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4）を分解し
た。溶液に添加したＳｉＯ2超微粒子は、分解してでき
たＳｉＯ2 がバインダの役目を果たすので、お互いに強
固に接着され、基板表面とも強固に接着固定される。こ
の方法により基板表面に超微粒子による均一な連続した
凹凸を形成することができる。
り、塗布液の上昇あるいは下降速度１０mm／ｓ以下で塗
布を行った。その後、１５０℃で３０分間空気中で焼成
し、エチルシリケート（Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4）を分解し
た。溶液に添加したＳｉＯ2超微粒子は、分解してでき
たＳｉＯ2 がバインダの役目を果たすので、お互いに強
固に接着され、基板表面とも強固に接着固定される。こ
の方法により基板表面に超微粒子による均一な連続した
凹凸を形成することができる。
【００３６】一方、バインダが超微粒子を完全に覆って
しまった場合、粒子上部のバインダをエッチングしバイ
ンダから粒子を露出させる。このエッチングにより表面
凹凸を増大させ良好な反射特性を得ることができる。
しまった場合、粒子上部のバインダをエッチングしバイ
ンダから粒子を露出させる。このエッチングにより表面
凹凸を増大させ良好な反射特性を得ることができる。
【００３７】この膜を形成したブラウン管の表面に入射
角５度で光を入射させ、反射率を測定した結果、波長５
５０ｎｍにおいて０.０８％ の低反射率が得られた。
角５度で光を入射させ、反射率を測定した結果、波長５
５０ｎｍにおいて０.０８％ の低反射率が得られた。
【００３８】このような帯電，反射防止膜を形成するプ
ロセスでは、完成したブラウン管に、直接、膜を形成す
ることができ、また既存のＳｉ(ＯＲ)4 アルコール溶液
にＳｉＯ2 超微粒子とＳｎＯ2 とを混合して塗布，焼成
するだけでよく、弗酸などの有害な薬品の使用は一切な
く、品質一定で、しかも、低コストで製造することがで
きる。
ロセスでは、完成したブラウン管に、直接、膜を形成す
ることができ、また既存のＳｉ(ＯＲ)4 アルコール溶液
にＳｉＯ2 超微粒子とＳｎＯ2 とを混合して塗布，焼成
するだけでよく、弗酸などの有害な薬品の使用は一切な
く、品質一定で、しかも、低コストで製造することがで
きる。
【００３９】以下、本発明をブラウン管の全面パネル表
面に適用した例を示す。
面に適用した例を示す。
【００４０】図１は本発明の装置例を示す。図１におい
て、１１はブラウン管、１２は塗布浴槽、１３は塗布溶
液、１４は加圧調整用バルブ、１５はオーバーフロー用
バルブ、１６は溶液タンク、１７は溶液供給加圧バル
ブ、１８はリーク用バルブである。
て、１１はブラウン管、１２は塗布浴槽、１３は塗布溶
液、１４は加圧調整用バルブ、１５はオーバーフロー用
バルブ、１６は溶液タンク、１７は溶液供給加圧バル
ブ、１８はリーク用バルブである。
【００４１】この構成で、ブラウン管１１に塗布浴槽１
２を取り付けた。塗布浴槽１２の取付け面には、塗布過
程で塗布液及び加圧ガスが漏れないようにＯリングが施
されており、かつ作業性を考慮してブラウン管を挿入す
るだけでシールできるようになっている。
２を取り付けた。塗布浴槽１２の取付け面には、塗布過
程で塗布液及び加圧ガスが漏れないようにＯリングが施
されており、かつ作業性を考慮してブラウン管を挿入す
るだけでシールできるようになっている。
【００４２】次に超微粒子が混合された塗布溶液を塗布
浴槽１２とブラウン管表面との間に形成された空間に導
入した。この塗布液の導入は、まずオーバーフロー用バ
ルブ１５及び溶液供給用バルブ１７を開いた。
浴槽１２とブラウン管表面との間に形成された空間に導
入した。この塗布液の導入は、まずオーバーフロー用バ
ルブ１５及び溶液供給用バルブ１７を開いた。
【００４３】この操作により溶液タンク１６に充填され
ている塗布溶液１３を加圧してブラウン管上に満たした
後に、オーバーフロー用バルブ１５及び溶液供給用バル
ブ１７を閉じた後、加圧調整用バルブ１４とリーク用バ
ルブ１８を開くとブラウン管表面に満たされている塗布
溶液１３は溶液タンク１６に戻される。この場合、加圧
調整用バルブ１４に加えるガス圧力とリーク用バルブ１
８の開閉度によって、塗布溶液１３がブラウン管表面上
を一定速度で下降する速度を調整することができる。
ている塗布溶液１３を加圧してブラウン管上に満たした
後に、オーバーフロー用バルブ１５及び溶液供給用バル
ブ１７を閉じた後、加圧調整用バルブ１４とリーク用バ
ルブ１８を開くとブラウン管表面に満たされている塗布
溶液１３は溶液タンク１６に戻される。この場合、加圧
調整用バルブ１４に加えるガス圧力とリーク用バルブ１
８の開閉度によって、塗布溶液１３がブラウン管表面上
を一定速度で下降する速度を調整することができる。
【００４４】次に、この塗布溶液の混合方法について述
べる。
べる。
【００４５】まず、エチルシリケート（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5)4）をエタノールに溶解し、さらに加水分解のため
のＨ2Ｏと、触媒としてのＨＮＯ3とを添加した溶液を作
り、この溶液に粒径１２０ｎｍのほぼ球形のＳｉＯ2 超
微粒子を重量％で１０％と、粒径６ｎｍのＳｎＯ2 超微
粒子を重量％で２％添加する。このとき十分分散するよ
うに溶液のＰＨを調整する。
2Ｈ5)4）をエタノールに溶解し、さらに加水分解のため
のＨ2Ｏと、触媒としてのＨＮＯ3とを添加した溶液を作
り、この溶液に粒径１２０ｎｍのほぼ球形のＳｉＯ2 超
微粒子を重量％で１０％と、粒径６ｎｍのＳｎＯ2 超微
粒子を重量％で２％添加する。このとき十分分散するよ
うに溶液のＰＨを調整する。
【００４６】次にこの溶液を上記方法によりブラウン管
表面に満たし、１０mm／ｓ以下の速度で塗布液を降下し
て塗布を行った。その後、１５０℃で３０分間空気中で
焼成し、エチルシリケート(Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4）を分解し
た。溶液に添加したＳiＯ2超微粒子は、分解してできた
ＳｉＯ2 がバインダの役目を果たすので、お互いに強固
に接着されると同時に、ブラウン管表面に強固に接着，
固定される。この方法により、ブラウン管表面には超微
粒子による均一な連続した凹凸を形成することができ
た。
表面に満たし、１０mm／ｓ以下の速度で塗布液を降下し
て塗布を行った。その後、１５０℃で３０分間空気中で
焼成し、エチルシリケート(Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4）を分解し
た。溶液に添加したＳiＯ2超微粒子は、分解してできた
ＳｉＯ2 がバインダの役目を果たすので、お互いに強固
に接着されると同時に、ブラウン管表面に強固に接着，
固定される。この方法により、ブラウン管表面には超微
粒子による均一な連続した凹凸を形成することができ
た。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、超微粒子による微小凹
凸を簡単な塗布方法で形成できるため帯電，反射防止膜
を低コストで製造することができる。
凸を簡単な塗布方法で形成できるため帯電，反射防止膜
を低コストで製造することができる。
【図１】超微粒子が単層配列した場合の断面図。
【図２】バインダが粒子の表面を覆ってしまった場合の
断面図。
断面図。
【図３】バインダが粒子の下部のみに存在する場合の断
面図。
面図。
【図４】本発明の超微粒子膜を反射防止膜に適用した場
合の反射率特性図。
合の反射率特性図。
【図５】本発明の一実施例にかかわる装置の系統図。
１１…ブラウン管、１２…塗布浴槽、１３…塗布溶液、
１４…加圧調整用バルブ、１５…オーバーフロー用バル
ブ、１６…溶液タンク、１７…溶液供給加圧バルブ、１
８…リーク用バルブ。
１４…加圧調整用バルブ、１５…オーバーフロー用バル
ブ、１６…溶液タンク、１７…溶液供給加圧バルブ、１
８…リーク用バルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小原 克美 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内
Claims (1)
- 【請求項１】超微粒子膜において、超微粒子が単層配列
し、基板に前記超微粒子を密着させるバインダの膜厚が
超微粒子径の半分以下であることを特徴とする超微粒子
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088579A JPH05288903A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 超微粒子膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088579A JPH05288903A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 超微粒子膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05288903A true JPH05288903A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13946760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4088579A Pending JPH05288903A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 超微粒子膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05288903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996025677A1 (fr) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | Washi Kosan Co., Ltd. | Structure de surface convexe d'un grain ultra-fin |
| US6075652A (en) * | 1995-02-17 | 2000-06-13 | Washi Kosan Co., Ltd. | Convex-microgranular surface structure |
| JP2014528983A (ja) * | 2011-08-17 | 2014-10-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ナノ構造物品及びそれを製造するための方法 |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP4088579A patent/JPH05288903A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996025677A1 (fr) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | Washi Kosan Co., Ltd. | Structure de surface convexe d'un grain ultra-fin |
| US6075652A (en) * | 1995-02-17 | 2000-06-13 | Washi Kosan Co., Ltd. | Convex-microgranular surface structure |
| JP2014528983A (ja) * | 2011-08-17 | 2014-10-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ナノ構造物品及びそれを製造するための方法 |
| US10036831B2 (en) | 2011-08-17 | 2018-07-31 | 3M Innovative Properties Company | Nanostructured articles and methods to make the same |
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