JPH0528798A - 半導体メモリの検定装置 - Google Patents
半導体メモリの検定装置Info
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- JPH0528798A JPH0528798A JP17920491A JP17920491A JPH0528798A JP H0528798 A JPH0528798 A JP H0528798A JP 17920491 A JP17920491 A JP 17920491A JP 17920491 A JP17920491 A JP 17920491A JP H0528798 A JPH0528798 A JP H0528798A
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 ＲＯＭに記憶された情報からＲＯＭ種別２
２、ＲＯＭ作成日付２３、バージョン番号２４及びチェ
ックサム値２５をＥＥＰＲＯＭに読み出し、検定タイム
検出回路の出力信号及びＥＥＰＲＯＭに記憶された情報
からＲＯＭの正常性を検定する。 【効果】 検定に必要とする動作時間の短縮化並びに検
定確度の信頼性を向上させることができる。
２、ＲＯＭ作成日付２３、バージョン番号２４及びチェ
ックサム値２５をＥＥＰＲＯＭに読み出し、検定タイム
検出回路の出力信号及びＥＥＰＲＯＭに記憶された情報
からＲＯＭの正常性を検定する。 【効果】 検定に必要とする動作時間の短縮化並びに検
定確度の信頼性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体メモリの検定装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ：ｒａ
ｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓｍｅｍｏｒｙ）は、番地（アド
レス，ａｄｄｒｅｓｓ）を任意に指定することができ
る。特にリードライトメモリは書込みと読出しとがほぼ
同程度の速度で行えるもので、通常、ＲＡＭと呼ばれ
る。ＲＡＭにはキャパシタに蓄積された電荷の形で情報
を記憶するダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、双安定回
路の２状態を用いて情報を記憶するスタティックＲＡＭ
（ＳＲＡＭ）、そしてＤＲＡＭのメモリセルを用いなが
ら、周辺回路のくふうによりＳＲＡＭに近い使い方がで
きるようにした擬似／仮想ＳＲＡＭがある。これらのＲ
ＡＭは電源を切ると記憶情報が失われるため、揮発性Ｒ
ＡＭと呼ばれることもある。これに対し、電気的に書換
え可能で、しかも電源を切っても記憶が失われないＥＥ
ＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｅｒａｓａｂｌｅ
ａｎｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）のメモ
リセルをＳＲＡＭのメモリセルと組合わせ、通常はＳＲ
ＡＭのように使え、電源切断の際に、ＲＡＭのデータを
ＥＥＰＲＯＭに書き込んで記憶保持を行う不揮発性ＲＡ
Ｍがある。
ｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓｍｅｍｏｒｙ）は、番地（アド
レス，ａｄｄｒｅｓｓ）を任意に指定することができ
る。特にリードライトメモリは書込みと読出しとがほぼ
同程度の速度で行えるもので、通常、ＲＡＭと呼ばれ
る。ＲＡＭにはキャパシタに蓄積された電荷の形で情報
を記憶するダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、双安定回
路の２状態を用いて情報を記憶するスタティックＲＡＭ
（ＳＲＡＭ）、そしてＤＲＡＭのメモリセルを用いなが
ら、周辺回路のくふうによりＳＲＡＭに近い使い方がで
きるようにした擬似／仮想ＳＲＡＭがある。これらのＲ
ＡＭは電源を切ると記憶情報が失われるため、揮発性Ｒ
ＡＭと呼ばれることもある。これに対し、電気的に書換
え可能で、しかも電源を切っても記憶が失われないＥＥ
ＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｅｒａｓａｂｌｅ
ａｎｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）のメモ
リセルをＳＲＡＭのメモリセルと組合わせ、通常はＳＲ
ＡＭのように使え、電源切断の際に、ＲＡＭのデータを
ＥＥＰＲＯＭに書き込んで記憶保持を行う不揮発性ＲＡ
Ｍがある。
【０００３】リードオンリーメモリ（ＲＯＭ：ｒｅａｄ
ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）は、読出しを主な動作とす
るメモリで、書込み（プログラム）は一度しかできない
が、あるいは複数回できるとしても比較的長時間要する
ものである。ユーザが手元でプログラムできるＲＯＭに
は、ＰＲＯＭ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲＯＭ）、紫
外線消去形ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ：ｅｒａｓａｂｌｅ
ＰＲＯＭ）、電気的消去形ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）が
ある。ＰＲＯＭにはヒューズ溶断形やｐｎ接合短絡形が
あり、何れもただ一度のプログラミングしかできない。
ＥＰＲＯＭはフローティングゲートに蓄えた電荷によっ
て記憶を保持する。紫外線の照射によりデータの消去が
でき、再度書込みができる。ＥＰＲＯＭチップを、紫外
線照射用窓のないパッケージに封入した。データの修正
は不能であるが、コストの低いＯＴＰＲＯＭ（ｏｎｅ
ｔｉｍｅ ＰＲＯＭ）もある。ＥＥＰＲＯＭはデータの
消去が電気的に行えるため、メモリをボードに搭載した
ままでデータの変更が可能である。
ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）は、読出しを主な動作とす
るメモリで、書込み（プログラム）は一度しかできない
が、あるいは複数回できるとしても比較的長時間要する
ものである。ユーザが手元でプログラムできるＲＯＭに
は、ＰＲＯＭ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲＯＭ）、紫
外線消去形ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ：ｅｒａｓａｂｌｅ
ＰＲＯＭ）、電気的消去形ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）が
ある。ＰＲＯＭにはヒューズ溶断形やｐｎ接合短絡形が
あり、何れもただ一度のプログラミングしかできない。
ＥＰＲＯＭはフローティングゲートに蓄えた電荷によっ
て記憶を保持する。紫外線の照射によりデータの消去が
でき、再度書込みができる。ＥＰＲＯＭチップを、紫外
線照射用窓のないパッケージに封入した。データの修正
は不能であるが、コストの低いＯＴＰＲＯＭ（ｏｎｅ
ｔｉｍｅ ＰＲＯＭ）もある。ＥＥＰＲＯＭはデータの
消去が電気的に行えるため、メモリをボードに搭載した
ままでデータの変更が可能である。
【０００４】ＥＥＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ
ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ）は電気的に記憶情報の
消去・再書込みが可能な不揮発性メモリである。セルの
書込・消去に必要な電力が小さくてよいため素子に高電
圧を発生させる昇圧回路を内蔵し、５Ｖ単一電源で動作
するものが多い。ＥＥＰＲＯＭはシステム内に組み込ん
だまま外部パネルや遠隔操作で情報の変更が可能である
などの特長を生かして広い分野に使用されるようになっ
ている。また、単独の記憶素子としてだけでなく、マイ
クロプロセッサやほかの論理回路と同一基板上に作製さ
れることも多くなってきている。
ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ）は電気的に記憶情報の
消去・再書込みが可能な不揮発性メモリである。セルの
書込・消去に必要な電力が小さくてよいため素子に高電
圧を発生させる昇圧回路を内蔵し、５Ｖ単一電源で動作
するものが多い。ＥＥＰＲＯＭはシステム内に組み込ん
だまま外部パネルや遠隔操作で情報の変更が可能である
などの特長を生かして広い分野に使用されるようになっ
ている。また、単独の記憶素子としてだけでなく、マイ
クロプロセッサやほかの論理回路と同一基板上に作製さ
れることも多くなってきている。
【０００５】次に、従来例のメモリマップとプログラム
などを格納しておくＲＯＭメモリ素子の格納例を図１に
示す。
などを格納しておくＲＯＭメモリ素子の格納例を図１に
示す。
【０００６】１は一般的なメモリマップを示しプログラ
ム、定数などは読みだし専用のＲＯＭ素子へ記憶するＲ
ＯＭエリア２と、常時、読みだし書き込みする、あるい
は、システムが動作するためのシステムパラメータを記
憶しておくＲＡＭエリア３と、プロセス入力するＩ／Ｏ
エリア４とから構成されている。
ム、定数などは読みだし専用のＲＯＭ素子へ記憶するＲ
ＯＭエリア２と、常時、読みだし書き込みする、あるい
は、システムが動作するためのシステムパラメータを記
憶しておくＲＡＭエリア３と、プロセス入力するＩ／Ｏ
エリア４とから構成されている。
【０００７】２１は、個々のＲＯＭ素子に対してＲＯＭ
格納エリアであり、ＲＯＭ種別（機能、用途などを示す
情報）２２、プログラム作成日付２３、プログラムのバ
ージョン番号２４、およびＲＯＭ素子に記憶してある情
報のチェックサム値２５などから構成されている。
格納エリアであり、ＲＯＭ種別（機能、用途などを示す
情報）２２、プログラム作成日付２３、プログラムのバ
ージョン番号２４、およびＲＯＭ素子に記憶してある情
報のチェックサム値２５などから構成されている。
【０００８】そして、電源投入時あるいはプログラムの
空き時間を利用してＲＯＭ素子単位にチェックサム値２
５を求め、ＲＯＭ素子の予め決められた場所へ記憶して
いる値であるチェックサム値と比較するＲＯＭテスト、
電源投入時にＲＯＭ素子に記憶しているＲＯＭ素子のＲ
ＯＭ種別あるいはＲＯＭ種別２２とバージョン番号２４
とのＲＯＭ相互間の組み合わせが妥当であるかの確認を
行ないプログラムを動作・実行させている。
空き時間を利用してＲＯＭ素子単位にチェックサム値２
５を求め、ＲＯＭ素子の予め決められた場所へ記憶して
いる値であるチェックサム値と比較するＲＯＭテスト、
電源投入時にＲＯＭ素子に記憶しているＲＯＭ素子のＲ
ＯＭ種別あるいはＲＯＭ種別２２とバージョン番号２４
とのＲＯＭ相互間の組み合わせが妥当であるかの確認を
行ないプログラムを動作・実行させている。
【０００９】この場合、ＲＯＭ素子へ記憶しているプロ
グラム等の一部を変更するとそのＲＯＭへ記憶している
内容を修正することは勿論のこと、そのＲＯＭ素子に対
応する内容を付加・修正する必要が出る。更に、プログ
ラムの変更がそのＲＯＭ素子内で収束できない場合には
関連する全てのＲＯＭに対して同様の作業が発生するこ
とに成る。
グラム等の一部を変更するとそのＲＯＭへ記憶している
内容を修正することは勿論のこと、そのＲＯＭ素子に対
応する内容を付加・修正する必要が出る。更に、プログ
ラムの変更がそのＲＯＭ素子内で収束できない場合には
関連する全てのＲＯＭに対して同様の作業が発生するこ
とに成る。
【００１０】一般に、ＲＯＭ素子に記憶するプログラム
のバージョン番号は全ＲＯＭへ記憶させるのが通常の方
法である。なぜならば、少なくとも何れか一ヶ所の追加
・変更などが発生し、そのＲＯＭ素子に限りＲＯＭのバ
ージョン番号を更新すればＲＯＭ素子毎にバージョン番
号が不揃いとなることになる。その結果、ＲＯＭ素子相
互間の組み合わせにが妥当であるのか、あるいはＲＯＭ
素子を管理する上でも大変である。
のバージョン番号は全ＲＯＭへ記憶させるのが通常の方
法である。なぜならば、少なくとも何れか一ヶ所の追加
・変更などが発生し、そのＲＯＭ素子に限りＲＯＭのバ
ージョン番号を更新すればＲＯＭ素子毎にバージョン番
号が不揃いとなることになる。その結果、ＲＯＭ素子相
互間の組み合わせにが妥当であるのか、あるいはＲＯＭ
素子を管理する上でも大変である。
【００１１】以上から分かるように何れか一ケ所の追加
・変更などがあるとそのＲＯＭ素子だけでなく全ＲＯＭ
へ対して変更が必要となり、特にプログラム量が多い、
即ち、ＲＯＭ素子の数が多い場合のその作業は大変な労
力と時間を必要となる。
・変更などがあるとそのＲＯＭ素子だけでなく全ＲＯＭ
へ対して変更が必要となり、特にプログラム量が多い、
即ち、ＲＯＭ素子の数が多い場合のその作業は大変な労
力と時間を必要となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は個々のＲＯＭ
素子に対して必要な情報であるＲＯＭ種別、プログラム
作成日付、プログラムのバージョン番号、ＲＯＭ素子に
記憶してある情報のチェックサム値などをＲＯＭ素子に
格納しないで全てＥＥＰＲＯＭ素子に記憶し、または、
用途・目的に応じてＲＯＭ素子へ記憶するものとＥＥＰ
ＲＯＭ素子へ記憶するものとに分割して格納するし半導
体メモリの検定装置が提供することを目的とする。
素子に対して必要な情報であるＲＯＭ種別、プログラム
作成日付、プログラムのバージョン番号、ＲＯＭ素子に
記憶してある情報のチェックサム値などをＲＯＭ素子に
格納しないで全てＥＥＰＲＯＭ素子に記憶し、または、
用途・目的に応じてＲＯＭ素子へ記憶するものとＥＥＰ
ＲＯＭ素子へ記憶するものとに分割して格納するし半導
体メモリの検定装置が提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は情報命令を解読
し実行するに必要な回路を有する中央処理装置と、情報
命令又は情報内容を記憶する番地を任意に指定し、電源
消失と共に記憶情報を消去するリードライトメモリと、
情報命令又は情報内容の読出しを行ない、書込みは一度
しかできないか、或いは複数回できるとしてもリードラ
イトメモリに比べて長時間を要するリードオンリーメモ
リと、情報命令又は情報内容の電気的な書換えが可能
で、しかも電源を切っても記憶が失われない電気的消去
形メモリと、リードオンリーメモリに記憶された情報か
ら種別、作成日付、バージョン番号及びチェックサム値
を電気的消去形メモリに移す移送機能と、電源投入時又
はプログラムの空き時間を検出する検定タイム検出回路
と、この検定タイム検出回路の出力信号及び電気的消去
形メモリに記憶された情報とからリードオンリーメモリ
の内部の正常性を検定するメモリ検定回路とを具備して
なる半導体メモリの検定装置である。
し実行するに必要な回路を有する中央処理装置と、情報
命令又は情報内容を記憶する番地を任意に指定し、電源
消失と共に記憶情報を消去するリードライトメモリと、
情報命令又は情報内容の読出しを行ない、書込みは一度
しかできないか、或いは複数回できるとしてもリードラ
イトメモリに比べて長時間を要するリードオンリーメモ
リと、情報命令又は情報内容の電気的な書換えが可能
で、しかも電源を切っても記憶が失われない電気的消去
形メモリと、リードオンリーメモリに記憶された情報か
ら種別、作成日付、バージョン番号及びチェックサム値
を電気的消去形メモリに移す移送機能と、電源投入時又
はプログラムの空き時間を検出する検定タイム検出回路
と、この検定タイム検出回路の出力信号及び電気的消去
形メモリに記憶された情報とからリードオンリーメモリ
の内部の正常性を検定するメモリ検定回路とを具備して
なる半導体メモリの検定装置である。
【００１４】
【作用】本発明の半導体メモリの検定装置によって、リ
ードライトメモリに情報命令又は情報内容を記憶する番
地を任意に指定し、リードオンリーメモリに情報命令又
は情報内容の読出しを行ない、電気的消去形メモリに情
報命令又は情報内容の電気的な書換えを行ない、リード
オンリーメモリに記憶された情報から種別、作成日付、
バージョン番号及びチェックサム値を電気的消去形メモ
リに移送し、検定タイム検出回路によって電源投入時又
はプログラムの空き時間を検出し、この検定タイム検出
回路の出力信号及び電気的消去形メモリに記憶された情
報とからリードオンリーメモリの内部の正常性を検定す
る。
ードライトメモリに情報命令又は情報内容を記憶する番
地を任意に指定し、リードオンリーメモリに情報命令又
は情報内容の読出しを行ない、電気的消去形メモリに情
報命令又は情報内容の電気的な書換えを行ない、リード
オンリーメモリに記憶された情報から種別、作成日付、
バージョン番号及びチェックサム値を電気的消去形メモ
リに移送し、検定タイム検出回路によって電源投入時又
はプログラムの空き時間を検出し、この検定タイム検出
回路の出力信号及び電気的消去形メモリに記憶された情
報とからリードオンリーメモリの内部の正常性を検定す
る。
【００１５】
【実施例】次に本発明の一実施例を説明する。図２は情
報命令を解読し実行するに必要な回路を有する中央処理
装置と、情報命令又は情報内容を記憶する番地を任意に
指定し、電源消失と共に記憶情報を消去するＲＡＭエリ
ア３と、情報命令又は情報内容の読出しを行ない、書込
みは一度しかできないか、或いは複数回できるとしても
ＲＡＭに比べて長時間を要するＲＯＭエリア２と、情報
命令又は、情報内容の電気的な書換えが可能で、しかも
電源を切っても記憶が失われないＥＥＰＲＯＭエリア５
と、ＲＯＭに記憶された情報から種別、作成日付、バー
ジョン番号及びチェックサム値をＥＥＰＲＯＭエリア５
に移す移送機能と、電源投入時又はプログラムの空き時
間を検出する検定タイム検出回路と、この検定タイム検
出回路の出力信号及びＥＥＰＲＯＭエリア５に記憶され
た情報とからＲＯＭの内部の正常性を検定するメモリ検
定回路とを具備してなる半導体メモリの検定装置を示し
ており、（１）少なくともＣＰＵ部、ＲＯＭ部、ＲＡＭ
部を備えた装置において、１ないし複数から成るＲＯＭ
部のＲＯＭ固有の情報である種別、作成日付、バージョ
ン番号およびチェックサム値などを記憶するＥＥＰＲＯ
Ｍを備えて、電源投入時あるいはプログラムの空き時間
を利用してＲＯＭ部が正常であるかを検定するＲＯＭテ
スト方式、又は（２）少なくともＣＰＵ部、ＲＯＭ部、
ＲＡＭ部を備えた装置において、１ないし複数のＲＯＭ
部のＲＯＭ固有の情報の内、ＲＯＭの追加・変更などが
あっても変化しない情報としてＲＯＭ種別をＲＯＭ部へ
記憶する。更に、ＲＯＭ部の変化する情報として作成日
付、バージョン番号およびチェックサム値などを記憶す
るＥＥＰＲＯＭを備え、電源投入時あるいはプログラム
の空き時間を利用してＲＯＭ部が正常であるかを検定す
るＲＯＭテスト方式を提供する。
報命令を解読し実行するに必要な回路を有する中央処理
装置と、情報命令又は情報内容を記憶する番地を任意に
指定し、電源消失と共に記憶情報を消去するＲＡＭエリ
ア３と、情報命令又は情報内容の読出しを行ない、書込
みは一度しかできないか、或いは複数回できるとしても
ＲＡＭに比べて長時間を要するＲＯＭエリア２と、情報
命令又は、情報内容の電気的な書換えが可能で、しかも
電源を切っても記憶が失われないＥＥＰＲＯＭエリア５
と、ＲＯＭに記憶された情報から種別、作成日付、バー
ジョン番号及びチェックサム値をＥＥＰＲＯＭエリア５
に移す移送機能と、電源投入時又はプログラムの空き時
間を検出する検定タイム検出回路と、この検定タイム検
出回路の出力信号及びＥＥＰＲＯＭエリア５に記憶され
た情報とからＲＯＭの内部の正常性を検定するメモリ検
定回路とを具備してなる半導体メモリの検定装置を示し
ており、（１）少なくともＣＰＵ部、ＲＯＭ部、ＲＡＭ
部を備えた装置において、１ないし複数から成るＲＯＭ
部のＲＯＭ固有の情報である種別、作成日付、バージョ
ン番号およびチェックサム値などを記憶するＥＥＰＲＯ
Ｍを備えて、電源投入時あるいはプログラムの空き時間
を利用してＲＯＭ部が正常であるかを検定するＲＯＭテ
スト方式、又は（２）少なくともＣＰＵ部、ＲＯＭ部、
ＲＡＭ部を備えた装置において、１ないし複数のＲＯＭ
部のＲＯＭ固有の情報の内、ＲＯＭの追加・変更などが
あっても変化しない情報としてＲＯＭ種別をＲＯＭ部へ
記憶する。更に、ＲＯＭ部の変化する情報として作成日
付、バージョン番号およびチェックサム値などを記憶す
るＥＥＰＲＯＭを備え、電源投入時あるいはプログラム
の空き時間を利用してＲＯＭ部が正常であるかを検定す
るＲＯＭテスト方式を提供する。
【００１６】即ち、個々のＲＯＭ素子に対して必要な情
報であるプログラム作成日付２３、プログラムのバージ
ョン番号２４、ＲＯＭ素子に記憶してある情報のチェッ
クサム値２５などをＲＯＭ素子に格納しないで全てＥＥ
ＰＲＯＭ素子に記憶する。具体的には、ＥＥＰＲＯＭへ
ＲＯＭ種別（機能、用途などを示す情報）２２、プログ
ラム作成日付２３、プログラムのバージョン番号２４、
ＲＯＭ素子に記憶してある情報のチェックサム値２５、
などの情報を記憶させる。
報であるプログラム作成日付２３、プログラムのバージ
ョン番号２４、ＲＯＭ素子に記憶してある情報のチェッ
クサム値２５などをＲＯＭ素子に格納しないで全てＥＥ
ＰＲＯＭ素子に記憶する。具体的には、ＥＥＰＲＯＭへ
ＲＯＭ種別（機能、用途などを示す情報）２２、プログ
ラム作成日付２３、プログラムのバージョン番号２４、
ＲＯＭ素子に記憶してある情報のチェックサム値２５、
などの情報を記憶させる。
【００１７】ＲＯＭテストは、電源投入時あるいはプロ
グラムの空き時間を利用してＲＯＭ素子単位にチェック
サム値２５を求め、ＥＥＰＲＯＭ素子の予め決められた
場所へ記憶している値であるチュックサム値２５と比較
するＲＯＭテスト、電源投入時にＥＥＰＲＯＭ素子内部
ヘ記憶しているＲＯＭ素子単位のＲＯＭ種別（機能、用
途など）２２あるいはＲＯＭ種別（機能、用途など）２
２とバージョン番号２４とのＲＯＭ相互間の組み合わせ
が妥当であるかの確認を行ないプログラムを動作・実行
させている。
グラムの空き時間を利用してＲＯＭ素子単位にチェック
サム値２５を求め、ＥＥＰＲＯＭ素子の予め決められた
場所へ記憶している値であるチュックサム値２５と比較
するＲＯＭテスト、電源投入時にＥＥＰＲＯＭ素子内部
ヘ記憶しているＲＯＭ素子単位のＲＯＭ種別（機能、用
途など）２２あるいはＲＯＭ種別（機能、用途など）２
２とバージョン番号２４とのＲＯＭ相互間の組み合わせ
が妥当であるかの確認を行ないプログラムを動作・実行
させている。
【００１８】以上の結果から、プログラムの変更があっ
てもＲＯＭ素子に対して各項目を個々に書き込む必要が
ないため従来例で問題となった不具合が解消される。
てもＲＯＭ素子に対して各項目を個々に書き込む必要が
ないため従来例で問題となった不具合が解消される。
【００１９】ＥＥＰＲＯＭへ記憶する情報は、前記の他
にその他の情報を組み入れてもかまわない。
にその他の情報を組み入れてもかまわない。
【００２０】次に、図３は、個々のＲＯＭ素子に対して
必要な情報であるＲＯＭ種別、プログラム作成日付、プ
ログラムのバージョン番号、ＲＯＭ素子に記憶してある
情報のチェックサム値などを用途・目的に応じてＲＯＭ
素子へ記憶するものとＥＥＰＲＯＭ素子へ記憶するもの
とに分割して格納する。
必要な情報であるＲＯＭ種別、プログラム作成日付、プ
ログラムのバージョン番号、ＲＯＭ素子に記憶してある
情報のチェックサム値などを用途・目的に応じてＲＯＭ
素子へ記憶するものとＥＥＰＲＯＭ素子へ記憶するもの
とに分割して格納する。
【００２１】即ち、個々のＲＯＭ素子とＥＥＰＲＯＭ素
子へ下記を記憶させる。
子へ下記を記憶させる。
【００２２】（１）個々のＲＯＭ素子に対して下記情報
を記憶する。
を記憶する。
【００２３】（ａ）ＲＯＭ種別（機能、用途などを示す
情報） （２）ＥＥＰＲＯＭ素子へ下記情報を記憶する。
情報） （２）ＥＥＰＲＯＭ素子へ下記情報を記憶する。
【００２４】（ａ）個々のＲＯＭ素子のプログラム作成
日付 （ｂ）個々のＲＯＭ素子単位のチェックサム値 （ｃ）個々のＲＯＭ素子単位のプログラムのバージョン
番号 即ち、ＲＯＭ素子を追加・変更により変化するパラメー
タ類は全てＥＥＰＲＯＭ素子へ格納し、前記でも不変な
項目に限りＲＯＭ素子へ格納する方式である。
日付 （ｂ）個々のＲＯＭ素子単位のチェックサム値 （ｃ）個々のＲＯＭ素子単位のプログラムのバージョン
番号 即ち、ＲＯＭ素子を追加・変更により変化するパラメー
タ類は全てＥＥＰＲＯＭ素子へ格納し、前記でも不変な
項目に限りＲＯＭ素子へ格納する方式である。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、プログラムの変更があっ
ても書き込みする都度変化する情報をＲＯＭ素子へ対し
て個々に書き込む必要がないため従来例で問題となった
不具合が解消され、作業効果が高く、より信頼度の高い
半導体メモリの検定装置を提供することができる。
ても書き込みする都度変化する情報をＲＯＭ素子へ対し
て個々に書き込む必要がないため従来例で問題となった
不具合が解消され、作業効果が高く、より信頼度の高い
半導体メモリの検定装置を提供することができる。
【図１】従来の検定装置の構成図である。
【図２】本発明の一実施例を示す検定装置の構成図であ
る。
る。
【図３】他の実施例を示す検定装置の構成図である。
２…ＲＯＭエリア ３…ＲＡＭエリア ５…ＥＥＰＲＯＭエリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｗ 7013−4Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 情報命令を解読し実行するに必要な回路
を有する中央処理装置と、前記情報命令又は情報内容を
記憶する番地を任意に指定し、電源消失と共に記憶情報
を消去するリードライトメモリと、前記情報命令又は前
記情報内容の読出しを行ない、書込みは一度しかできな
いか、或いは複数回できるとしても前記リードライトメ
モリに比べて長時間を要するリードオンリーメモリと、
前記情報命令又は前記情報内容の電気的な書換えが可能
で、しかも電源を切っても記憶が失われない電気的消去
形メモリと、前記リードオンリーメモリに記憶された情
報から種別、作成日付、バージョン番号及びチェックサ
ム値を前記電気的消去形メモリに移す移送機能と、電源
投入時又はプログラムの空き時間を検出する検定タイム
検出回路と、この検定タイム検出回路の出力信号及び前
記電気的消去形メモリに記憶された情報とから前記リー
ドオンリーメモリの内部の正常性を検定するメモリ検定
回路とを具備してなる半導体メモリの検定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17920491A JPH0528798A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体メモリの検定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17920491A JPH0528798A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体メモリの検定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528798A true JPH0528798A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16061751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17920491A Pending JPH0528798A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体メモリの検定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528798A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012517068A (ja) * | 2009-02-05 | 2012-07-26 | インディリンクス カンパニー リミテッド | メモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17920491A patent/JPH0528798A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012517068A (ja) * | 2009-02-05 | 2012-07-26 | インディリンクス カンパニー リミテッド | メモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法 |
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