JPH05286087A - 耐熱性を有する包装用フィルム又はチューブ - Google Patents
耐熱性を有する包装用フィルム又はチューブInfo
- Publication number
- JPH05286087A JPH05286087A JP4115233A JP11523392A JPH05286087A JP H05286087 A JPH05286087 A JP H05286087A JP 4115233 A JP4115233 A JP 4115233A JP 11523392 A JP11523392 A JP 11523392A JP H05286087 A JPH05286087 A JP H05286087A
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- Japan
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- film
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- Pending
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 包装用フィルム、チューブに、耐熱性、ガス
バリヤー性をもたせること。 【構成】 同時押出しにより作成された２層或いは３層
構造の複合フィルムは、プラスチック単独よりなるフィ
ルム層１と、放射線で崩壊するプラスチック（例えばビ
ニリデン化合物）に放射線エネルギー吸収剤を添加した
フィルム層２からなる。この複合フィルムに電子線等の
放射線を用いて、プラスチック単独層１のゲル分率が７
０％以上になる線量を照射する。複合フィルムは、プラ
スチック単独よりなる高架橋層３と、放射線エネルギー
吸収剤の添加効果によりプラスチックの崩壊が防止され
た非架橋層４の複合層となる。
バリヤー性をもたせること。 【構成】 同時押出しにより作成された２層或いは３層
構造の複合フィルムは、プラスチック単独よりなるフィ
ルム層１と、放射線で崩壊するプラスチック（例えばビ
ニリデン化合物）に放射線エネルギー吸収剤を添加した
フィルム層２からなる。この複合フィルムに電子線等の
放射線を用いて、プラスチック単独層１のゲル分率が７
０％以上になる線量を照射する。複合フィルムは、プラ
スチック単独よりなる高架橋層３と、放射線エネルギー
吸収剤の添加効果によりプラスチックの崩壊が防止され
た非架橋層４の複合層となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、食品等の包装材として
用いられるガスバリヤー性及び耐熱性を有するフィルム
又はチューブに関する。
用いられるガスバリヤー性及び耐熱性を有するフィルム
又はチューブに関する。
【０００２】
【従来の技術】食品包装材は、ガスバリヤー性と強度が
必要なため、ガスバリヤー性についてはポリ塩化ビニリ
デンＰＶＤＣ等のビニリデン化合物により、そして強度
についてはポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂によ
り保持させるようにした複合フィルム、チューブとして
形成されている。
必要なため、ガスバリヤー性についてはポリ塩化ビニリ
デンＰＶＤＣ等のビニリデン化合物により、そして強度
についてはポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂によ
り保持させるようにした複合フィルム、チューブとして
形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリエ
チレン等のポリオレフィン系樹脂は耐熱性が劣るという
欠点を有する。この点、放射線を照射することにより同
樹脂に架橋を生じさせ耐熱性の向上を図ることも考えら
れるが、ＰＶＤＣ等のビニリデン化合物が放射線にたい
して崩壊型であることから実際には実施することができ
ない。
チレン等のポリオレフィン系樹脂は耐熱性が劣るという
欠点を有する。この点、放射線を照射することにより同
樹脂に架橋を生じさせ耐熱性の向上を図ることも考えら
れるが、ＰＶＤＣ等のビニリデン化合物が放射線にたい
して崩壊型であることから実際には実施することができ
ない。
【０００４】本発明は、ガスバリヤー性と耐熱性を有す
る包装用フィルム、チューブを提供することを目的とす
るものである。
る包装用フィルム、チューブを提供することを目的とす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、放射線崩壊型
プラスチック層を含む複合層よりなる包装用フィルム又
はチューブにおいて、放射線崩壊型プラスチックに放射
線エネルギー吸収剤を添加した前記プラスチック層を有
し、放射線を照射してなることを特徴とするものであ
る。
プラスチック層を含む複合層よりなる包装用フィルム又
はチューブにおいて、放射線崩壊型プラスチックに放射
線エネルギー吸収剤を添加した前記プラスチック層を有
し、放射線を照射してなることを特徴とするものであ
る。
【０００６】本発明のフィルム、チューブを形成するフ
ィルムは２層或いは３層構造のものであり、図１にその
断面を部分的に拡大して示すように、先ず、プラスチッ
ク単独よりなるフィルム層１と、放射線で崩壊するプラ
スチック（例えばビニリデン化合物）に放射線エネルギ
ー吸収剤を添加したフィルム層２とからなる複合フィル
ムを複合同時押出しにより作製する。この複合フィルム
に電子線等の放射線を用いて、プラスチック単独層１の
ゲル分率が７０％以上になる線量を照射する。
ィルムは２層或いは３層構造のものであり、図１にその
断面を部分的に拡大して示すように、先ず、プラスチッ
ク単独よりなるフィルム層１と、放射線で崩壊するプラ
スチック（例えばビニリデン化合物）に放射線エネルギ
ー吸収剤を添加したフィルム層２とからなる複合フィル
ムを複合同時押出しにより作製する。この複合フィルム
に電子線等の放射線を用いて、プラスチック単独層１の
ゲル分率が７０％以上になる線量を照射する。
【０００７】これにより、複合フィルムは、プラスチッ
ク単独よりなる高架橋層３と、放射線エネルギー吸収剤
の添加効果によりプラスチックの崩壊が防止された非架
橋層４との複合体として形成され、全体として、耐熱性
及びガスバリヤー性を有するものとなる。
ク単独よりなる高架橋層３と、放射線エネルギー吸収剤
の添加効果によりプラスチックの崩壊が防止された非架
橋層４との複合体として形成され、全体として、耐熱性
及びガスバリヤー性を有するものとなる。
【０００８】
（実施例１）図１に示す３層フィルムにおいて、プラス
チック単独層１は、ビニルアセテートＶＡが１０％のエ
チレン‐ビニルアセテートＥＶＡによる層であり、放射
線で崩壊するプラスチックに放射線エネルギー吸収剤を
添加したフィルム層２には、プラスチックとしてはポリ
塩化ビニリデンＰＶＤＣを用い、これに放射線エネルギ
ー吸収剤としてＮ‐Ｎ′‐ジフェニル‐Ｐ‐フェニレン
ジアミンが５％添加されている。これらの層からなる３
層フィルムを同時押出しにより０．１ｍｍ厚さで作製す
る。その後、電子線を５００ｋＶで、２０Ｍｒａｄ照射
し、ＥＶＡのプラスチック単独層１を架橋させる。
チック単独層１は、ビニルアセテートＶＡが１０％のエ
チレン‐ビニルアセテートＥＶＡによる層であり、放射
線で崩壊するプラスチックに放射線エネルギー吸収剤を
添加したフィルム層２には、プラスチックとしてはポリ
塩化ビニリデンＰＶＤＣを用い、これに放射線エネルギ
ー吸収剤としてＮ‐Ｎ′‐ジフェニル‐Ｐ‐フェニレン
ジアミンが５％添加されている。これらの層からなる３
層フィルムを同時押出しにより０．１ｍｍ厚さで作製す
る。その後、電子線を５００ｋＶで、２０Ｍｒａｄ照射
し、ＥＶＡのプラスチック単独層１を架橋させる。
【０００９】（実施例２）図２に示す２層フィルムで
は、プラスチック単独層１に低密度ポリエチレンＬＤＰ
Ｅを用いている。放射線崩壊型プラスチックの層２はポ
リ塩化ビニリデンＰＶＤＣに放射線エネルギー吸収剤と
してフェニル‐α‐ナフチルアミンを５％添加してあ
り、これらの層による２層同時押出しチューブを０．１
ｍｍ厚さで作製する。その後、電子線を５００ｋＶで３
０Ｍｒａｄ照射し、プラスチック単独層１を架橋させ
る。
は、プラスチック単独層１に低密度ポリエチレンＬＤＰ
Ｅを用いている。放射線崩壊型プラスチックの層２はポ
リ塩化ビニリデンＰＶＤＣに放射線エネルギー吸収剤と
してフェニル‐α‐ナフチルアミンを５％添加してあ
り、これらの層による２層同時押出しチューブを０．１
ｍｍ厚さで作製する。その後、電子線を５００ｋＶで３
０Ｍｒａｄ照射し、プラスチック単独層１を架橋させ
る。
【００１０】（比較例１）３層フィルムにおいて、プラ
スチック単独層に、それぞれＥＶＡ（ＶＡ１０％）及び
ＬＤＰＥを用い、中間層の放射線崩壊型プラスチックと
してＰＶＤＣを用いた０．１ｍｍ厚さの３層同時押出し
フィルムに、電子線を５００ｋＶで、２０Ｍｒａｄ照射
する。
スチック単独層に、それぞれＥＶＡ（ＶＡ１０％）及び
ＬＤＰＥを用い、中間層の放射線崩壊型プラスチックと
してＰＶＤＣを用いた０．１ｍｍ厚さの３層同時押出し
フィルムに、電子線を５００ｋＶで、２０Ｍｒａｄ照射
する。
【００１１】（比較例２）２層フィルムにおいて、プラ
スチック単独層にＬＤＰＥを用い、放射線崩壊型プラス
チック層にＰＶＤＣを用いた０．１ｍｍ厚さの２層同時
押出しフィルムに、電子線を５００ｋＶで３０Ｍｒａｄ
照射する。
スチック単独層にＬＤＰＥを用い、放射線崩壊型プラス
チック層にＰＶＤＣを用いた０．１ｍｍ厚さの２層同時
押出しフィルムに、電子線を５００ｋＶで３０Ｍｒａｄ
照射する。
【００１２】上述の各実施例、比較例で得られたフィル
ムの評価結果を次の表１に示す。 （注）耐熱性：１２０℃オートクレーブ中に６０秒放置
し、その後の外観変化（収縮、着色、形状変化）より評
価（○…良好、△…やや不良） 引張り強度：ＡＳＴＭ Ｄ‐８８２‐６１Ｔによる。 ガスバリヤー性：ＡＳＴＭ Ｄ‐３９８５による酸素透
過度（２３℃の乾燥状態で測定）
ムの評価結果を次の表１に示す。 （注）耐熱性：１２０℃オートクレーブ中に６０秒放置
し、その後の外観変化（収縮、着色、形状変化）より評
価（○…良好、△…やや不良） 引張り強度：ＡＳＴＭ Ｄ‐８８２‐６１Ｔによる。 ガスバリヤー性：ＡＳＴＭ Ｄ‐３９８５による酸素透
過度（２３℃の乾燥状態で測定）
【００１３】ゲル分率の結果を表２、表３に示す。 ゲル分率は次のようにして測定した。試料をキシレン
（１２０℃）に６時間浸積し、その後、不溶解分を濾紙
により濾過してから紙上の残渣に含まれる溶剤（キシレ
ン）が、８０℃×０．０１ｍｍＨｇで恒量になるまで乾
燥し、その後不溶解物の重量を測定する。そして、浸積
前の初期重量Ｗ1と不溶解物の重量Ｗ2から （Ｗ2／Ｗ1）×１００％ によって架橋度を示すゲル分率を得る。
（１２０℃）に６時間浸積し、その後、不溶解分を濾紙
により濾過してから紙上の残渣に含まれる溶剤（キシレ
ン）が、８０℃×０．０１ｍｍＨｇで恒量になるまで乾
燥し、その後不溶解物の重量を測定する。そして、浸積
前の初期重量Ｗ1と不溶解物の重量Ｗ2から （Ｗ2／Ｗ1）×１００％ によって架橋度を示すゲル分率を得る。
【００１４】放射線エネルギー吸収剤としては多環状芳
香族化合物を用いる。例えば、次のものを挙げることが
できる。 1 スチレン化フェノール 2 ２‐２′‐メチレン‐ビス（４メチル‐６‐第３ブ
チルフェノール） 3 ２‐２′‐メチレン‐ビス（４エチル‐６‐第３ブ
チルフェノール） 4 ４‐４′‐イソ‐プロピリデンビスフェノール 5 ４‐４′‐ブチリデン‐ビス（３メチル‐６‐第３
ブチルフェノール） 6 １‐１′‐ビス（４‐ヒドロオキシ‐フェニル）シ
クロヘキサン 7 ４‐４′‐メチレン‐ビス（２‐６‐ジ‐第３ブチ
ルフェノール） 8 ２・６‐ビス（２′‐ヒドロオキシ‐３′‐第３ブ
チル‐５′‐メチルベンジル）４‐メチル‐フェノール 9 １‐１‐３‐トリス（２‐メチル‐４‐ヒドロオキ
シ‐５‐第３ブチル‐フェニル）ブタン 10 １‐３‐５‐トリス‐メチル‐２‐４‐６‐トリス
（３‐５‐第３ブチル‐４‐ヒドロオキシ‐ベンジル）
ベンゼン 11 トリス〔β‐（３‐５‐ジ‐第３ブチル‐４‐ヒド
ロオキシ‐フェニル）プロピオニル‐オキシエチル〕イ
ソシアネート 12 ４‐４′‐チオビス（３‐メチル‐６‐ｔ‐ブチル
フェノール） 13 ２‐２′‐チオビス（４‐メチル‐６‐ｔ‐ブチル
フェノール） 14 ４‐４′‐チオビス（２‐メチル‐６‐ｔ‐ブチル
フェノール） 15 フェニル‐α‐ナフチルアミン 16 フェニル‐β‐ナフチルアミン 17 Ｎ‐Ｎ′‐ジフェニル‐Ｐ‐フェニレンジアミン 18 Ｎ‐Ｎ′‐ジ‐β‐ナフチル‐Ｐ‐フェニレンジア
ミン 19 Ｎ‐シクロヘキシル‐Ｎ′‐フェニル‐Ｐ‐フェニ
レンジアミン 20 アルドール‐α‐ナフチルアミン 21 チオビス（β‐ナフトール） 22 チオビス（Ｎ‐フェニル‐β‐ナフチルアミン） 23 トリ（ノニルフェニル）ホスファイト 24 ４‐４′‐ブチリデン‐ビス（３メチル‐６‐ｔ‐
ブチルフェニル‐ジトリデシルホスファイト） また、その添加量はプラスチック単独の架橋性により異
なり、０．１〜１０％の範囲内にて調整する。
香族化合物を用いる。例えば、次のものを挙げることが
できる。 1 スチレン化フェノール 2 ２‐２′‐メチレン‐ビス（４メチル‐６‐第３ブ
チルフェノール） 3 ２‐２′‐メチレン‐ビス（４エチル‐６‐第３ブ
チルフェノール） 4 ４‐４′‐イソ‐プロピリデンビスフェノール 5 ４‐４′‐ブチリデン‐ビス（３メチル‐６‐第３
ブチルフェノール） 6 １‐１′‐ビス（４‐ヒドロオキシ‐フェニル）シ
クロヘキサン 7 ４‐４′‐メチレン‐ビス（２‐６‐ジ‐第３ブチ
ルフェノール） 8 ２・６‐ビス（２′‐ヒドロオキシ‐３′‐第３ブ
チル‐５′‐メチルベンジル）４‐メチル‐フェノール 9 １‐１‐３‐トリス（２‐メチル‐４‐ヒドロオキ
シ‐５‐第３ブチル‐フェニル）ブタン 10 １‐３‐５‐トリス‐メチル‐２‐４‐６‐トリス
（３‐５‐第３ブチル‐４‐ヒドロオキシ‐ベンジル）
ベンゼン 11 トリス〔β‐（３‐５‐ジ‐第３ブチル‐４‐ヒド
ロオキシ‐フェニル）プロピオニル‐オキシエチル〕イ
ソシアネート 12 ４‐４′‐チオビス（３‐メチル‐６‐ｔ‐ブチル
フェノール） 13 ２‐２′‐チオビス（４‐メチル‐６‐ｔ‐ブチル
フェノール） 14 ４‐４′‐チオビス（２‐メチル‐６‐ｔ‐ブチル
フェノール） 15 フェニル‐α‐ナフチルアミン 16 フェニル‐β‐ナフチルアミン 17 Ｎ‐Ｎ′‐ジフェニル‐Ｐ‐フェニレンジアミン 18 Ｎ‐Ｎ′‐ジ‐β‐ナフチル‐Ｐ‐フェニレンジア
ミン 19 Ｎ‐シクロヘキシル‐Ｎ′‐フェニル‐Ｐ‐フェニ
レンジアミン 20 アルドール‐α‐ナフチルアミン 21 チオビス（β‐ナフトール） 22 チオビス（Ｎ‐フェニル‐β‐ナフチルアミン） 23 トリ（ノニルフェニル）ホスファイト 24 ４‐４′‐ブチリデン‐ビス（３メチル‐６‐ｔ‐
ブチルフェニル‐ジトリデシルホスファイト） また、その添加量はプラスチック単独の架橋性により異
なり、０．１〜１０％の範囲内にて調整する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、放
射線崩壊型プラスチック層に放射線エネルギー吸収剤を
添加して、放射線を照射したことにより、同プラスチッ
ク層の放射線による崩壊を防止し、プラスチック単独層
に対しては充分に架橋させることにより、ガスバリヤー
性、フィルム強度を損なうことなく、耐熱性を向上させ
た包装用フィルム、チューブを得ることができる。
射線崩壊型プラスチック層に放射線エネルギー吸収剤を
添加して、放射線を照射したことにより、同プラスチッ
ク層の放射線による崩壊を防止し、プラスチック単独層
に対しては充分に架橋させることにより、ガスバリヤー
性、フィルム強度を損なうことなく、耐熱性を向上させ
た包装用フィルム、チューブを得ることができる。
【図１】本発明の実施例の説明図である。
1 プラスチック単独層 2 放射線崩壊型プラスチックに放射線エネルギー吸収
剤を添加した層 3 高架橋層 4 非架橋層
剤を添加した層 3 高架橋層 4 非架橋層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｊ 7/00 ３０５ 7258−4Ｆ // Ｃ０８Ｌ 27:08 9166−4Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】 放射線崩壊型プラスチック層を含む複合
層よりなるフィルム又はチューブにおいて、放射線崩壊
型プラスチックに放射線エネルギー吸収剤を添加した前
記プラスチック層を有し、放射線を照射してなることを
特徴とする耐熱性を有する包装用フィルム又はチュー
ブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115233A JPH05286087A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 耐熱性を有する包装用フィルム又はチューブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115233A JPH05286087A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 耐熱性を有する包装用フィルム又はチューブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05286087A true JPH05286087A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=14657646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115233A Pending JPH05286087A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 耐熱性を有する包装用フィルム又はチューブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05286087A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0698486A1 (en) | 1994-07-13 | 1996-02-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Self-tacky packaging film |
| CN112596272A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-04-02 | 明月镜片股份有限公司 | 一种高效的镜片防辐射膜层的镀膜工艺 |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP4115233A patent/JPH05286087A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0698486A1 (en) | 1994-07-13 | 1996-02-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Self-tacky packaging film |
| US5641569A (en) * | 1994-07-13 | 1997-06-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Self-tacky packaging film |
| CN112596272A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-04-02 | 明月镜片股份有限公司 | 一种高效的镜片防辐射膜层的镀膜工艺 |
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