JPH05281250A - 多次元半導体加速度センサ - Google Patents
多次元半導体加速度センサInfo
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- JPH05281250A JPH05281250A JP4074780A JP7478092A JPH05281250A JP H05281250 A JPH05281250 A JP H05281250A JP 4074780 A JP4074780 A JP 4074780A JP 7478092 A JP7478092 A JP 7478092A JP H05281250 A JPH05281250 A JP H05281250A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン単結晶からなる制御基板を必要とせ
ず、製造が容易であると共に製品コストを低減できる多
次元半導体加速度センサを提供することを目的とする。 【構成】 シリコンからなる半導体チップ１にはその可
撓部の表面にピエゾ抵抗素子が設けられている。この半
導体チップ１の中央の作用部には重錘体３が接合されて
いる。また、この半導体チップ１はガラス台座２により
支持されている。このガラス台座２は金属ステム４上に
固定されている。この金属ステム４は、所謂ハーメチッ
クステムであり、重錘体３に整合する位置に凹部５が設
けられている。
ず、製造が容易であると共に製品コストを低減できる多
次元半導体加速度センサを提供することを目的とする。 【構成】 シリコンからなる半導体チップ１にはその可
撓部の表面にピエゾ抵抗素子が設けられている。この半
導体チップ１の中央の作用部には重錘体３が接合されて
いる。また、この半導体チップ１はガラス台座２により
支持されている。このガラス台座２は金属ステム４上に
固定されている。この金属ステム４は、所謂ハーメチッ
クステムであり、重錘体３に整合する位置に凹部５が設
けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、その一部に重錘体が接
合された半導体ダイヤフラムの加速度による変形を感歪
抵抗ブリッジ回路で検出することにより加速度を検出す
る多次元半導体加速度センサに関する。
合された半導体ダイヤフラムの加速度による変形を感歪
抵抗ブリッジ回路で検出することにより加速度を検出す
る多次元半導体加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の多次元半導体加速度センサ
を示す断面図、図４は同じくその半導体チップを示す平
面図である（特開平3-2535号）。
を示す断面図、図４は同じくその半導体チップを示す平
面図である（特開平3-2535号）。
【０００３】半導体チップ１０は、パッケージ１４の凹
部内に固定された筒状のガラス台座１２上に固定されて
いる。この半導体チップ１０は、作用部１１ａ、可撓部
１１ｂ及び固定部１１ｃにより構成されており、ガラス
台座１２は固定部１１ｃに接合されている。また、可撓
部１１ｂは、半導体チップ１０の上面及び下面に選択的
に溝を設けて肉厚を薄くしたものであり、これにより作
用部１１ａに応力が印加された場合に、可撓部１１ｂが
選択的に撓むようになっている。更に、作用部１１ａの
下面には、重錘体１３が接合されている。この重錘体１
３は、ガラス台座１２の内側空間に宙吊りの状態で配置
されている。なお、ガラス台座１２の内面及びパッケー
ジ１４の重錘体１３に対向する面には、重錘体１３の移
動を規制するための制御部材１８が設けられている。
部内に固定された筒状のガラス台座１２上に固定されて
いる。この半導体チップ１０は、作用部１１ａ、可撓部
１１ｂ及び固定部１１ｃにより構成されており、ガラス
台座１２は固定部１１ｃに接合されている。また、可撓
部１１ｂは、半導体チップ１０の上面及び下面に選択的
に溝を設けて肉厚を薄くしたものであり、これにより作
用部１１ａに応力が印加された場合に、可撓部１１ｂが
選択的に撓むようになっている。更に、作用部１１ａの
下面には、重錘体１３が接合されている。この重錘体１
３は、ガラス台座１２の内側空間に宙吊りの状態で配置
されている。なお、ガラス台座１２の内面及びパッケー
ジ１４の重錘体１３に対向する面には、重錘体１３の移
動を規制するための制御部材１８が設けられている。
【０００４】可撓部１１ｂには、例えば半導体チップに
不純物を選択的に導入し熱拡散させて形成したピエゾ抵
抗素子Ｒx1〜Ｒx4，Ｒy1〜Ｒy4，Ｒz1〜Ｒz4が設けられ
ており、これらの抵抗素子により感歪抵抗ブリッジ回路
が構成されている。この感歪抵抗ブリッジ回路の入出力
端は、半導体チップ１０の上面縁部に設けられたボンデ
ィングパッド１７に電気的に接続されており、このボン
ディングパッド１７は、パッケージ１４に固定されこの
パッケージ１４の外部に導出するリード１５の内側先端
部にボンディングワイヤ１９を介して電気的に接続され
ている。
不純物を選択的に導入し熱拡散させて形成したピエゾ抵
抗素子Ｒx1〜Ｒx4，Ｒy1〜Ｒy4，Ｒz1〜Ｒz4が設けられ
ており、これらの抵抗素子により感歪抵抗ブリッジ回路
が構成されている。この感歪抵抗ブリッジ回路の入出力
端は、半導体チップ１０の上面縁部に設けられたボンデ
ィングパッド１７に電気的に接続されており、このボン
ディングパッド１７は、パッケージ１４に固定されこの
パッケージ１４の外部に導出するリード１５の内側先端
部にボンディングワイヤ１９を介して電気的に接続され
ている。
【０００５】そして、パッケージ１４の上部には蓋１６
が配設され、半導体チップ１０をパッケージ１４の内部
空間に封止するようになっている。
が配設され、半導体チップ１０をパッケージ１４の内部
空間に封止するようになっている。
【０００６】次に、このように構成された加速度センサ
の動作について説明する。
の動作について説明する。
【０００７】加速度センサに加速度が加えられると、慣
性により、重錘体１３と半導体チップ１０との間に応力
が発生し、半導体チップ１０の可撓部１１ｂが機械的に
変形する。これにより、可撓部１１ｂに設けられたピエ
ゾ抵抗素子の電気的抵抗が変化する。この抵抗の変化を
外部の検出装置により検出することにより、加速度を検
出することができる。この場合に、Ｘ方向、Ｙ方向及び
Ｚ方向の各加速度成分を、夫々抵抗素子Ｒx1〜Ｒx4、Ｒ
y1〜Ｒy4及びＲz1〜Ｒz4により個別的に検出することが
できる。
性により、重錘体１３と半導体チップ１０との間に応力
が発生し、半導体チップ１０の可撓部１１ｂが機械的に
変形する。これにより、可撓部１１ｂに設けられたピエ
ゾ抵抗素子の電気的抵抗が変化する。この抵抗の変化を
外部の検出装置により検出することにより、加速度を検
出することができる。この場合に、Ｘ方向、Ｙ方向及び
Ｚ方向の各加速度成分を、夫々抵抗素子Ｒx1〜Ｒx4、Ｒ
y1〜Ｒy4及びＲz1〜Ｒz4により個別的に検出することが
できる。
【０００８】なお、加速度が大きい場合は、重錘体１３
に過度の外力が印加され、その結果可撓部１１ｂが大き
く変形して半導体チップ１０が破損することが考えられ
る。このような不都合を防止するために、上述の如く、
重錘体１３の周囲には制御部材１８が配設されており、
重錘体１３の移動範囲を規制するようになっている。
に過度の外力が印加され、その結果可撓部１１ｂが大き
く変形して半導体チップ１０が破損することが考えられ
る。このような不都合を防止するために、上述の如く、
重錘体１３の周囲には制御部材１８が配設されており、
重錘体１３の移動範囲を規制するようになっている。
【０００９】ところで、図３，４に示す加速度センサ
は、ガラス台座１２及び重錘体１３を個別的に形成する
必要があると共に、ガラス台座１２及びパッケージ１４
に制御部材１８を接合する必要があり、製造工程が極め
て煩雑である。このため、特開平3-2535号には、以下に
示す方法により加速度センサを製造することが提案され
ている。
は、ガラス台座１２及び重錘体１３を個別的に形成する
必要があると共に、ガラス台座１２及びパッケージ１４
に制御部材１８を接合する必要があり、製造工程が極め
て煩雑である。このため、特開平3-2535号には、以下に
示す方法により加速度センサを製造することが提案され
ている。
【００１０】図５乃至図８は、多次元半導体加速度セン
サの製造方法を工程順に示す断面図である。
サの製造方法を工程順に示す断面図である。
【００１１】先ず、図５に示すように、シリコンウエハ
２０の表面に不純物を選択的に導入して、ピエゾ抵抗素
子Ｒ及びこのピエゾ抵抗素子Ｒにより構成される感歪抵
抗ブリッジ回路を形成する。また、エッチング等によ
り、シリコンウエハ２０の下面側に、平面視でリング状
に溝２１を形成しシリコンウエハ２０の肉厚を部分的に
薄くして、可撓部２２を設ける。
２０の表面に不純物を選択的に導入して、ピエゾ抵抗素
子Ｒ及びこのピエゾ抵抗素子Ｒにより構成される感歪抵
抗ブリッジ回路を形成する。また、エッチング等によ
り、シリコンウエハ２０の下面側に、平面視でリング状
に溝２１を形成しシリコンウエハ２０の肉厚を部分的に
薄くして、可撓部２２を設ける。
【００１２】次に、図６に示すように、シリコンウエハ
２０の下面側に台座及び重錘体となるガラス板２３を陽
極接合法により接合する。このガラス板２３には、溝２
１に対応する溝２４が平面視で格子状に形成されてい
る。なお、シリコンウエハ２０には溝２１が設けられて
いるため、可撓部２２はガラス板２３から浮いた状態に
なる。
２０の下面側に台座及び重錘体となるガラス板２３を陽
極接合法により接合する。このガラス板２３には、溝２
１に対応する溝２４が平面視で格子状に形成されてい
る。なお、シリコンウエハ２０には溝２１が設けられて
いるため、可撓部２２はガラス板２３から浮いた状態に
なる。
【００１３】次に、図７に示すように、ガラス板２３を
その下面側から溝２４に沿ってダイシングプレートで切
断する。これにより、ガラス板２３が、重錘体となる部
分２５と台座になる部分２６とに分離される。
その下面側から溝２４に沿ってダイシングプレートで切
断する。これにより、ガラス板２３が、重錘体となる部
分２５と台座になる部分２６とに分離される。
【００１４】次に、図８に示すように、ガラス板２３の
下面側に制御基板（支持台）２７を接合する。この制御
基板２７には、重錘体となる部分２５に対応する位置に
凹部２８が設けられている。従って、ガラス板２３は、
台座となる部分２６で制御基板２７に接合される。な
お、凹部２８は静止状態において重錘体の下面が制御基
板２７に接触しないようにするものであり、この凹部２
８の深さにより、重錘体の下方向の移動範囲が決定され
る。
下面側に制御基板（支持台）２７を接合する。この制御
基板２７には、重錘体となる部分２５に対応する位置に
凹部２８が設けられている。従って、ガラス板２３は、
台座となる部分２６で制御基板２７に接合される。な
お、凹部２８は静止状態において重錘体の下面が制御基
板２７に接触しないようにするものであり、この凹部２
８の深さにより、重錘体の下方向の移動範囲が決定され
る。
【００１５】次いで、シリコンウエハ２０、ガラス板２
３及び制御基板２７からなる積層体を所定の形状に切断
することにより、各センサ部を相互に分離する。その
後、例えばこのセンサ部をパッケージ等に接合し、半導
体チップのパッドとパッケージのリードとを電気的に接
続することにより、加速度センサが完成する。
３及び制御基板２７からなる積層体を所定の形状に切断
することにより、各センサ部を相互に分離する。その
後、例えばこのセンサ部をパッケージ等に接合し、半導
体チップのパッドとパッケージのリードとを電気的に接
続することにより、加速度センサが完成する。
【００１６】このようにして形成された加速度センサに
おいて、台座はシリコンチップの固定部を支持するだけ
でなく、重錘体の横方向の変位が許容範囲を超えないよ
うに規制する制御部材としても作用する。重錘体の横方
向の移動範囲は、図７に示す工程におけるガラス板２３
切断時の切断路の幅により決定される。
おいて、台座はシリコンチップの固定部を支持するだけ
でなく、重錘体の横方向の変位が許容範囲を超えないよ
うに規制する制御部材としても作用する。重錘体の横方
向の移動範囲は、図７に示す工程におけるガラス板２３
切断時の切断路の幅により決定される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の加速度センサの製造方法においては、陽極接合
法により制御基板２７をガラス台座に接合する必要上、
制御基板２７としてシリコン単結晶基板が使用される。
また、フォトリソグラフィ法を使用し、このシリコン単
結晶基板をエッチング加工して凹部２８を形成する。し
かし、シリコン単結晶基板は高価であると共に、エッチ
ング加工作業が煩雑であるため、上述の方法により製造
された加速度センサには製品コストが高いという欠点が
ある。
た従来の加速度センサの製造方法においては、陽極接合
法により制御基板２７をガラス台座に接合する必要上、
制御基板２７としてシリコン単結晶基板が使用される。
また、フォトリソグラフィ法を使用し、このシリコン単
結晶基板をエッチング加工して凹部２８を形成する。し
かし、シリコン単結晶基板は高価であると共に、エッチ
ング加工作業が煩雑であるため、上述の方法により製造
された加速度センサには製品コストが高いという欠点が
ある。
【００１８】また、重錘体の形状は例えば１辺が２ｍｍ
の正方形であり小型であるため、制御基板２７の重錘体
制御用凹部２８の寸法精度は、少なくとも０．０５ｍｍ
程度は必要であり、組み立て時の位置合わせが煩雑であ
る。このため、従来の多次元半導体加速度センサは、量
産した場合の製造歩留りが低く、製品コストがより一層
上昇するという欠点もある。
の正方形であり小型であるため、制御基板２７の重錘体
制御用凹部２８の寸法精度は、少なくとも０．０５ｍｍ
程度は必要であり、組み立て時の位置合わせが煩雑であ
る。このため、従来の多次元半導体加速度センサは、量
産した場合の製造歩留りが低く、製品コストがより一層
上昇するという欠点もある。
【００１９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、シリコン単結晶からなる制御基板を必要と
せず、製造が容易であると共に、製品コストを低減でき
る多次元半導体加速度センサを提供することを目的とす
る。
のであって、シリコン単結晶からなる制御基板を必要と
せず、製造が容易であると共に、製品コストを低減でき
る多次元半導体加速度センサを提供することを目的とす
る。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多次元半導
体加速度センサは、作用部、この作用部の周囲に設けら
れその表面にピエゾ抵抗素子が形成された可撓部及びこ
の可撓部の周囲に設けられた固定部を備えた半導体チッ
プと、この半導体チップの前記作用部に接合された重錘
体と、前記半導体チップの前記固定部に接合されその内
側に前記重錘体が配置された筒状の台座と、この台座を
固定すると共に前記重錘体に整合する位置に凹部が設け
られた金属ステムとを有することを特徴とする。
体加速度センサは、作用部、この作用部の周囲に設けら
れその表面にピエゾ抵抗素子が形成された可撓部及びこ
の可撓部の周囲に設けられた固定部を備えた半導体チッ
プと、この半導体チップの前記作用部に接合された重錘
体と、前記半導体チップの前記固定部に接合されその内
側に前記重錘体が配置された筒状の台座と、この台座を
固定すると共に前記重錘体に整合する位置に凹部が設け
られた金属ステムとを有することを特徴とする。
【００２１】
【作用】本発明においては、半導体チップは筒状の台座
に接合されており、この台座は金属ステムに直接接合さ
れている。この金属ステムには、重錘体に整合する位置
に凹部が設けられているため、静止状態では重錘体と金
属ステムとが離隔しており、加速度が加えられることに
よる重錘体の移動を可能にしている。なお、重錘体の横
方向の移動範囲は、従来と同様に、重錘体と台座の内面
との間隔により決定され、縦方向の移動範囲は前記金属
ステムに設けられた凹部の深さにより決定される。この
金属ステムの凹部は、例えば精密プレス加工により容易
に形成することができる。
に接合されており、この台座は金属ステムに直接接合さ
れている。この金属ステムには、重錘体に整合する位置
に凹部が設けられているため、静止状態では重錘体と金
属ステムとが離隔しており、加速度が加えられることに
よる重錘体の移動を可能にしている。なお、重錘体の横
方向の移動範囲は、従来と同様に、重錘体と台座の内面
との間隔により決定され、縦方向の移動範囲は前記金属
ステムに設けられた凹部の深さにより決定される。この
金属ステムの凹部は、例えば精密プレス加工により容易
に形成することができる。
【００２２】本発明においては、上述の如く、台座を直
接金属ステムに接合する構造であり、シリコン単結晶等
からなる制御基板を必要としないため、製造が容易であ
ると共に、製品コストを低減することができる。
接金属ステムに接合する構造であり、シリコン単結晶等
からなる制御基板を必要としないため、製造が容易であ
ると共に、製品コストを低減することができる。
【００２３】なお、金属ステムに、予め台座配設位置に
対応して段差（突起又はへこみ）を設けておくことによ
り、組み立て時における金属ステムの凹部と重錘体との
位置合わせを容易にすることができる。このため、金属
ステムには、予め台座配設位置に対応して段差が設けら
れていることが好ましい。
対応して段差（突起又はへこみ）を設けておくことによ
り、組み立て時における金属ステムの凹部と重錘体との
位置合わせを容易にすることができる。このため、金属
ステムには、予め台座配設位置に対応して段差が設けら
れていることが好ましい。
【００２４】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２５】図１は、本発明の第１の実施例に係る多次
元半導体加速度センサを示す断面図である。
元半導体加速度センサを示す断面図である。
【００２６】シリコンからなる半導体チップ１は、従来
と同様に、作用部、可撓部及び固定部により構成されて
おり、可撓部には複数個のピエゾ抵抗素子が形成されて
いる。そして、これらのピエゾ抵抗素子により感歪抵抗
ブリッジ回路が構成されている。
と同様に、作用部、可撓部及び固定部により構成されて
おり、可撓部には複数個のピエゾ抵抗素子が形成されて
いる。そして、これらのピエゾ抵抗素子により感歪抵抗
ブリッジ回路が構成されている。
【００２７】この半導体チップ１はその固定部が筒状の
台座２の上端部に接合されている。また、半導体チップ
１の作用部の下面側には、重錘体３が接合されている。
この台座２及び重錘体３は、例えば半導体チップ１にガ
ラス板を接合し、このガラス板をダイシングすることに
より同時に形成されたものである。
台座２の上端部に接合されている。また、半導体チップ
１の作用部の下面側には、重錘体３が接合されている。
この台座２及び重錘体３は、例えば半導体チップ１にガ
ラス板を接合し、このガラス板をダイシングすることに
より同時に形成されたものである。
【００２８】台座３は、金属ステム４に固定されてい
る。この金属ステム４には、重錘体３に整合する位置に
凹部５が設けられている。この金属ステム４は、所謂ハ
ーメチックステムであり、ステム４の上面から下面に挿
通するリード６がガラスハーメチック７により固定され
ている。なお、このガラスハーメチック７により、ステ
ム４とリード６とは電気的に絶縁されている。
る。この金属ステム４には、重錘体３に整合する位置に
凹部５が設けられている。この金属ステム４は、所謂ハ
ーメチックステムであり、ステム４の上面から下面に挿
通するリード６がガラスハーメチック７により固定され
ている。なお、このガラスハーメチック７により、ステ
ム４とリード６とは電気的に絶縁されている。
【００２９】そして、リード６は、ボンディングワイヤ
８により、半導体チップ１の上面に設けられたパッドと
電気的に接続されている。また、金属ステム４にはキャ
ップ９が設けられており、半導体チップ１を封止するよ
うになっている。
８により、半導体チップ１の上面に設けられたパッドと
電気的に接続されている。また、金属ステム４にはキャ
ップ９が設けられており、半導体チップ１を封止するよ
うになっている。
【００３０】なお、ステム４は、熱膨張係数がガラス台
座２及び半導体チップ１と略等しいコバール合金等から
なる。また、このハーメチックステム４には、精密プレ
ス加工等により、重錘体３に対応する位置に凹部５が形
成されている。
座２及び半導体チップ１と略等しいコバール合金等から
なる。また、このハーメチックステム４には、精密プレ
ス加工等により、重錘体３に対応する位置に凹部５が形
成されている。
【００３１】このように構成された本実施例に係る多次
元半導体加速度センサにおいて、加速度が加えられる
と、慣性により、重錘体３と半導体チップ１との間に応
力が発生し、半導体チップ１の可撓部が変形して、ピエ
ゾ抵抗素子の抵抗値が変化する。この変化を検出器で検
出することにより、加速度を検出することができる。こ
の場合に、重錘体３の横方向の移動範囲は、重錘体３と
ガラス台座２の内面との間隔により決定される。また、
重錘体３の縦方向の移動範囲は、金属ステム４に設けら
れた凹部５の深さにより決定される。
元半導体加速度センサにおいて、加速度が加えられる
と、慣性により、重錘体３と半導体チップ１との間に応
力が発生し、半導体チップ１の可撓部が変形して、ピエ
ゾ抵抗素子の抵抗値が変化する。この変化を検出器で検
出することにより、加速度を検出することができる。こ
の場合に、重錘体３の横方向の移動範囲は、重錘体３と
ガラス台座２の内面との間隔により決定される。また、
重錘体３の縦方向の移動範囲は、金属ステム４に設けら
れた凹部５の深さにより決定される。
【００３２】本実施例においては、ガラス台座２が金属
ステム４に直接接合されており、ステム４の重錘体３に
対応する位置には凹部５が設けられているため、従来必
要であったシリコン単結晶からなる制御基板が不要であ
り、製品コストを低減することができる。また、制御基
板をウエハに接合する工程（例えば、陽極接合法による
接合工程）も不要になり、製造が容易であるという利点
もある。
ステム４に直接接合されており、ステム４の重錘体３に
対応する位置には凹部５が設けられているため、従来必
要であったシリコン単結晶からなる制御基板が不要であ
り、製品コストを低減することができる。また、制御基
板をウエハに接合する工程（例えば、陽極接合法による
接合工程）も不要になり、製造が容易であるという利点
もある。
【００３３】図２は、本発明の第２の実施例に係る多次
元半導体加速度センサを示す断面図である。
元半導体加速度センサを示す断面図である。
【００３４】本実施例が第１の実施例と異なる点は金属
ステム４の台座配設位置にへこみ部５ａが設けられてい
ることにあり、その他の構成は基本的には第１の実施例
と同様であるので、図２において図１と同一物には同一
符号を付してその詳しい説明は省略する。
ステム４の台座配設位置にへこみ部５ａが設けられてい
ることにあり、その他の構成は基本的には第１の実施例
と同様であるので、図２において図１と同一物には同一
符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００３５】本実施例においては、金属ステム４に、台
座２の配設位置に対応してへこみ部５ａが設けられてい
る。即ち、金属ステム４には、凹部５の周囲にこの凹部
５よりも深さが浅いへこみ部５ａが設けられている。
座２の配設位置に対応してへこみ部５ａが設けられてい
る。即ち、金属ステム４には、凹部５の周囲にこの凹部
５よりも深さが浅いへこみ部５ａが設けられている。
【００３６】本実施例においては、組み立て時にガラス
台座２をへこみ部５ａに整合させて配置することによ
り、重錘体３と凹部５との位置合わせが完了する。従っ
て、本実施例においては、第１の実施例と同様の効果を
得ることができるのに加えて、重錘体３と凹部５との位
置合わせ作業が極めて容易であるという効果がある。
台座２をへこみ部５ａに整合させて配置することによ
り、重錘体３と凹部５との位置合わせが完了する。従っ
て、本実施例においては、第１の実施例と同様の効果を
得ることができるのに加えて、重錘体３と凹部５との位
置合わせ作業が極めて容易であるという効果がある。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る多次元
半導体加速度センサにおいては、台座が金属ステムに固
定されており、この金属ステムには重錘体に整合する位
置に凹部が設けられているから、従来必要とされていた
シリコン単結晶からなる制御基板が不要となり、製造が
容易になると共に、製品コストを低減することができる
という効果を奏する。
半導体加速度センサにおいては、台座が金属ステムに固
定されており、この金属ステムには重錘体に整合する位
置に凹部が設けられているから、従来必要とされていた
シリコン単結晶からなる制御基板が不要となり、製造が
容易になると共に、製品コストを低減することができる
という効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施例に係る多次元半導体加速
度センサを示す断面図である。
度センサを示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る多次元半導体加速
度センサを示す断面図である。
度センサを示す断面図である。
【図３】従来の多次元半導体加速度センサを示す断面図
である。
である。
【図４】同じくその半導体チップを示す平面図である。
【図５】従来の半導体加速度センサの製造方法の一工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】同じくその一工程を示す断面図である。
【図７】同じくその一工程を示す断面図である。
【図８】同じくその一工程を示す断面図である。
１，１０；半導体チップ ２，１２；台座 ３，１３；重錘体 ４；金属ステム ５；凹部 ６，１５；リード ７；ガラスハーメチック ８，１９；ボンディングワイヤ ９；キャップ １１ａ；作用部 １１ｂ；可撓部 １１ｃ；固定部 １４；パッケージ １６；キャップ １７；パッド ２０；ウエハ ２３；ガラス板 ２７；制御基板
Claims (2)
- 【請求項１】 作用部、この作用部の周囲に設けられそ
の表面にピエゾ抵抗素子が形成された可撓部及びこの可
撓部の周囲に設けられた固定部を備えた半導体チップ
と、この半導体チップの前記作用部に接合された重錘体
と、前記半導体チップの前記固定部に接合されその内側
に前記重錘体が配置された筒状の台座と、この台座を固
定すると共に前記重錘体に整合する位置に凹部が設けら
れた金属ステムとを有することを特徴とする多次元半導
体加速度センサ。 - 【請求項２】 前記金属ステムには、前記台座の配設位
置に対応して段差が設けられていることを特徴とする請
求項１に記載の多次元半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4074780A JPH05281250A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 多次元半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4074780A JPH05281250A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 多次元半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281250A true JPH05281250A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13557150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4074780A Pending JPH05281250A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 多次元半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05281250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009175113A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-08-06 | Kyocera Corp | センサモジュール、センサ付ホイール、およびタイヤ組立体 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP4074780A patent/JPH05281250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009175113A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-08-06 | Kyocera Corp | センサモジュール、センサ付ホイール、およびタイヤ組立体 |
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