JPH05275566A - Manufacture of ceramic circuit board for power module - Google Patents

Manufacture of ceramic circuit board for power module

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JPH05275566A
JPH05275566A JP6820392A JP6820392A JPH05275566A JP H05275566 A JPH05275566 A JP H05275566A JP 6820392 A JP6820392 A JP 6820392A JP 6820392 A JP6820392 A JP 6820392A JP H05275566 A JPH05275566 A JP H05275566A
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JP
Japan
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copper
circuit board
tungsten alloy
alloy plate
alumina substrate
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JP6820392A
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Japanese (ja)
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Osamu Miyazawa
修 宮沢
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Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern

Abstract

PURPOSE:To provide a ceramic circuit board for a power module having high quality, high performance and a low cost. CONSTITUTION:A patterned copper-plated copper-tungsten alloy plate and an alumina board having a thickness of 30-150mum are laminated, and heated at 1065-1085 deg.C in an oxidative atmosphere to be connected. Since the ultrathin alumina board is used, a problem of thermal conductivity due to the alumina board is improved, and a ceramic circuit board having high heat dissipation out of a system is provided. Since such an ultrathin alumina board is connected to a copper-plated copper-tungsten alloy plate by oxidation heating, thermal expansion coefficients of the circuit board and the alumina board can be equalized, and problems of a crack, peeling due to a difference of the coefficients of both the boards are solved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、パワーIC、パワート
ランジスター等搭載のモジュールやスイッチ電源用モジ
ュール用回路基板等のパワーモジュール用セラミックス
回路基板の製造方法に係り、特に、セラミックス基板と
銅板とを直接接合して得られる、高品質かつ高性能で安
価に提供されるパワーモジュール用セラミックス回路基
板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic circuit board for a power module such as a module equipped with a power IC, a power transistor or the like, or a circuit board for a switch power supply module, and more particularly to a ceramic board and a copper plate. The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic circuit board for a power module, which is obtained by direct bonding and is provided with high quality, high performance and low cost.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パワーIC、パワートランジスタ
ー等搭載のモジュールやスイッチ電源用モジュールで
は、使用電力が増々増大し、大電力を使用することか
ら、発生する熱量が多く、そのため高温化に対処した高
熱放散性と高信頼性を具備したパワーモジュール用回路
基板が要望されてきた。
2. Description of the Related Art In recent years, in a module equipped with a power IC, a power transistor, etc. and a module for a switch power source, the amount of power used has been increased and a large amount of power has been used. There has been a demand for a circuit board for a power module that has high heat dissipation and high reliability.

【0003】従来、この種のパワーモジュール用回路基
板は、一般に厚さが0.6〜1mm程度、表面粗さRa
が0.5〜0.6μm程度のアルミナ基板と、厚さが
0.3〜0.5mmの回路用銅板とを接触させながら、
微量酸素を含む窒素雰囲気中で銅−酸素の共晶温度、即
ち1060〜1090℃の温度で加熱して直接接合する
ことにより製造された、所謂、DBC回路基板が製品化
されている。
Conventionally, this kind of power module circuit board generally has a thickness of about 0.6 to 1 mm and a surface roughness Ra.
While contacting an alumina substrate having a thickness of about 0.5 to 0.6 μm with a circuit copper plate having a thickness of 0.3 to 0.5 mm,
A so-called DBC circuit board, which is manufactured by heating at a eutectic temperature of copper-oxygen, that is, a temperature of 1060 to 1090 ° C. and directly bonding in a nitrogen atmosphere containing a small amount of oxygen, has been commercialized.

【0004】このDBC回路基板は、アルミナ基板と銅
板との間の接合層が比較的薄く、しかも、銅ないし銅酸
化物から形成されるので、比較的熱放散性に優れるとい
う利点があり、大電力用のモジュール用回路基板として
適用されている。
Since this DBC circuit board has a relatively thin bonding layer between the alumina board and the copper plate and is formed of copper or copper oxide, it has the advantage of being relatively excellent in heat dissipation. It is used as a circuit board for power modules.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
DBC回路基板には、次のような欠点があった。 アルミナ基板と銅板との接合力にバラツキがあり、
これが弱い場合には剥離が生ずることがあった。この原
因は、焼成窒素雰囲気中の酸素量の微量コントロールが
難しいことと、アルミナ基板表面の粗さが大きいので接
合層の接触面積が小さいことによると思われる。
However, the above-mentioned DBC circuit board has the following drawbacks. There is variation in the bonding force between the alumina substrate and the copper plate,
If it is weak, peeling may occur. It is considered that this is because it is difficult to control the amount of oxygen in the firing nitrogen atmosphere and the contact surface of the bonding layer is small because the surface roughness of the alumina substrate is large.

【0006】 使用するアルミナ基板の厚みが厚いた
め、熱伝導性が低く、系外への熱放散性が十分でないた
め、熱的問題が発生する。
Since the thickness of the alumina substrate used is large, the thermal conductivity is low, and the heat dissipation to the outside of the system is not sufficient, which causes a thermal problem.

【0007】 基板と銅板との熱膨張係数が大きく異
なるため、両者を接合した回路基板は、ヒートショック
に弱く、例えば半田付け等により、アルミナ基板自体の
クラック、割れが発生したり、アルミナ基板/銅板間で
の剥離が生じることがある。
Since the thermal expansion coefficient of the substrate and that of the copper plate are greatly different, the circuit board bonded to each other is vulnerable to heat shock, and cracks or breakage of the alumina substrate itself may occur due to soldering, for example. Peeling between copper plates may occur.

【0008】このように、従来の回路基板では、いずれ
も品質、性能、価格等の面で問題があった。
As described above, all the conventional circuit boards have problems in terms of quality, performance, price and the like.

【0009】本発明は上記従来の問題点を解決し、ハイ
パワー、大電力用パワーハイブリッド用回路基板として
好適な、高品質、高性能かつ安価なパワーモジュール用
回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides a method of manufacturing a high-quality, high-performance and inexpensive power module circuit board suitable as a power hybrid circuit board for high power and large power. With the goal.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1のパワーモジュ
ール用セラミックス回路基板の製造方法は、銅被覆を有
するパターン化した銅−タングステン合金板と、厚さ3
0〜150μmのアルミナ基板とを積層して、酸素雰囲
気中、1065〜1085℃に加熱することにより接合
することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramic circuit board for a power module, comprising: a patterned copper-tungsten alloy plate having a copper coating;
It is characterized in that an alumina substrate having a thickness of 0 to 150 μm is laminated and bonded by heating at 1065 to 1085 ° C. in an oxygen atmosphere.

【0011】請求項2のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法は、請求項1の方法において、銅
−タングステン合金板が銅5〜30重量%を含有するこ
とを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramic circuit board for a power module according to the first aspect, wherein the copper-tungsten alloy plate contains 5 to 30% by weight of copper.

【0012】請求項3のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法は、請求項1又は2の方法におい
て、アルミナ基板の銅−タングステン合金板との積層面
の表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramic circuit substrate for a power module according to the first or second aspect, wherein a surface roughness Ra of a laminated surface of the alumina substrate with the copper-tungsten alloy plate is 0.2 μm or less. It is characterized by being.

【0013】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて使用される銅−タングステン合金板は、例えば、
タングステン粉末を焼結して多孔体とし、これに銅を溶
浸させることにより製造される複合材料であって、銅と
タングステンとの配合比によりその熱膨張係数をある程
度任意に変えることができる。このような銅−タングス
テン合金板には市販品があり、それを購入して使用する
ことができる。アルミナの熱膨張係数に適応する銅−タ
ングステン合金中の銅含有量は、5〜30重量%の範囲
が好適であり、特に10〜30重量%の範囲が好まし
い。
The present invention will be described in detail below. The copper-tungsten alloy plate used in the present invention is, for example,
It is a composite material produced by sintering tungsten powder into a porous body and infiltrating copper into the porous body, and its thermal expansion coefficient can be arbitrarily changed to some extent depending on the compounding ratio of copper and tungsten. There are commercial products of such copper-tungsten alloy plates, which can be purchased and used. The copper content in the copper-tungsten alloy suitable for the coefficient of thermal expansion of alumina is preferably in the range of 5 to 30% by weight, and particularly preferably in the range of 10 to 30% by weight.

【0014】この銅−タングステン合金板は、回路用と
して用いるものであるため、プレスでパターン状に打ち
抜くことにより、或いは、エッチング等によりパターン
状とすることによりパターン化されたものである。この
ような銅−タングステン合金板の厚みは、通常0.3〜
0.5mm程度であることが好ましいが、この範囲外の
厚みのものであっても良い。
Since this copper-tungsten alloy plate is used for a circuit, it is patterned by punching in a pattern with a press or by etching to form a pattern. The thickness of such a copper-tungsten alloy plate is usually 0.3 to
The thickness is preferably about 0.5 mm, but the thickness may be outside this range.

【0015】このような銅−タングステン合金板は、ア
ルミナ基板との接合のために、好ましくは100μm厚
さ程度の銅被覆を施す。銅被覆は電気又は無電界による
めっき、更には、スパッタ、イオンプレーティング等に
より形成することができる。
Such a copper-tungsten alloy plate is preferably coated with copper to a thickness of about 100 μm for bonding with an alumina substrate. The copper coating can be formed by electroplating or electroless plating, and further by sputtering, ion plating or the like.

【0016】一方、アルミナ基板は厚さ30〜150μ
mで、その少なくとも銅被覆銅−タングステン合金板と
の積層面の表面粗さ(以下、単に「表面粗さ」と称
す。)Raが好ましくは0.2μm以下のものである。
アルミナ基板の厚さが30μm未満であると基板として
の機械的特性を満足し得ず、150μmを超えると本発
明による熱放散性の改善効果が十分に得られない。
On the other hand, the alumina substrate has a thickness of 30 to 150 μm.
m, the surface roughness (hereinafter, simply referred to as “surface roughness”) Ra of the laminated surface with at least the copper-coated copper-tungsten alloy plate Ra is preferably 0.2 μm or less.
If the thickness of the alumina substrate is less than 30 μm, the mechanical properties of the substrate cannot be satisfied, and if it exceeds 150 μm, the effect of improving the heat dissipation property of the present invention cannot be sufficiently obtained.

【0017】また、アルミナ基板の表面粗さRaが0.
2μmを超えると、アルミナ基板と銅被覆銅−タングス
テン合金板との接合層の接触面積が十分に得られず、剥
離の問題を確実に解決し得ない。
Further, the surface roughness Ra of the alumina substrate is 0.
If it exceeds 2 μm, the contact area of the bonding layer between the alumina substrate and the copper-coated copper-tungsten alloy plate cannot be sufficiently obtained, and the problem of peeling cannot be reliably solved.

【0018】このような極薄フィルム状のアルミナ基板
は、従来のアルミナ粉末法では製造が困難であり、好ま
しくは、水酸化アルミニウムのコロイド物質を出発原料
とする製造法、例えば、アルコキシド加水分解法により
製造するのが有利である。
Such an ultrathin film alumina substrate is difficult to manufacture by the conventional alumina powder method, and preferably, a manufacturing method using a colloidal substance of aluminum hydroxide as a starting material, for example, an alkoxide hydrolysis method. It is advantageous to manufacture

【0019】アルコキシド加水分解法による場合、アル
ミニウムアルコキシドを合成した後、これに水を加えて
加水分解し、ベーマイトを生成させる。更に、これに酸
を添加して解膠させ、超微粒子のコロイドを作製する。
次いで、これに有機バインダーを加えて粘度調整し、成
形乾燥した後、得られたグリーンシートを焼成すること
によって、30〜150μmという極薄で、しかも、表
面粗さRa0.2μm以下の緻密なアルミナ基板を得る
ことができる。
In the case of the alkoxide hydrolysis method, after synthesizing an aluminum alkoxide, water is added to this to hydrolyze it to form boehmite. Further, an acid is added to this to peptize it to produce a colloid of ultrafine particles.
Then, an organic binder is added to this to adjust the viscosity, and after molding and drying, the obtained green sheet is fired to obtain an extremely thin alumina having a surface roughness Ra of 0.2 μm or less and an ultrathin thickness of 30 to 150 μm. A substrate can be obtained.

【0020】もちろん、本発明に係るアルミナ基板の製
造方法は、上記アルコキシド加水分解法に何ら限定され
るものでなく、無機塩加水分解法、その他の従来の一般
的な製造方法である粉末法により得たアルミナ基板を必
要に応じて研磨することにより製造することもできる。
Of course, the method for producing an alumina substrate according to the present invention is not limited to the above-mentioned alkoxide hydrolysis method, and it is possible to use an inorganic salt hydrolysis method or other conventional general production method such as a powder method. It can also be manufactured by polishing the obtained alumina substrate as needed.

【0021】銅被覆銅−タングステン合金板とアルミナ
基板との接合は、銅被覆銅−タングステン合金板とアル
ミナ基板とを積層した状態で加熱することにより、積層
面に銅酸化層を形成させて直接接合することにより行な
う。
To bond the copper-coated copper-tungsten alloy plate and the alumina substrate, the copper-coated copper-tungsten alloy plate and the alumina substrate are heated in a laminated state to directly form a copper oxide layer on the laminated surface. It is done by joining.

【0022】この加熱接合は、酸化雰囲気中、1065
〜1085℃で、5〜30分程度、好ましくは10〜2
0分程度行なう。なお、加熱時の酸化雰囲気としては、
空気、酸素、或いは、酸素と不活性ガスとの混合ガスが
挙げられる。
This heat bonding is performed in an oxidizing atmosphere at 1065.
-1085 ° C, 5-30 minutes, preferably 10-2
Do about 0 minutes. The oxidizing atmosphere during heating is
Air, oxygen, or a mixed gas of oxygen and an inert gas can be used.

【0023】この加熱接合温度が1065℃未満である
と十分な接合強度が得られず、1085℃を超えると銅
が融解し始める。加熱処理後は冷却し、必要に応じて銅
被覆銅−タングステン合金板の表面に形成された酸化膜
を酸処理等により除去して製品とする。
If the heating bonding temperature is less than 1065 ° C., sufficient bonding strength cannot be obtained, and if it exceeds 1085 ° C., copper begins to melt. After the heat treatment, the product is cooled and, if necessary, the oxide film formed on the surface of the copper-coated copper-tungsten alloy plate is removed by acid treatment or the like to obtain a product.

【0024】[0024]

【作用】本発明においては、厚さ30〜150μmとい
う超薄型アルミナ基板を用いるため、アルミナ基板によ
る熱伝導性の問題が改善され、系外への熱放散性の高い
セラミックス回路基板が提供される。
In the present invention, since an ultrathin alumina substrate having a thickness of 30 to 150 μm is used, the problem of thermal conductivity due to the alumina substrate is improved, and a ceramic circuit board having high heat dissipation to the outside of the system is provided. It

【0025】しかも、このような超薄型アルミナ基板を
回路基板として銅被覆銅−タングステン合金板と酸化加
熱接合するため、回路基板とアルミナ基板との熱膨張係
数を同等とすることができ、両板間の熱膨張係数の差に
起因する割れや剥離の問題は解決される。
Moreover, since such an ultra-thin alumina substrate is used as a circuit substrate to oxidize and bond with a copper-coated copper-tungsten alloy plate, the circuit substrate and the alumina substrate can have the same coefficient of thermal expansion. The problems of cracking and peeling due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the plates are solved.

【0026】特に、請求項2の方法によれば、銅被覆銅
−タングステン合金板の熱膨張係数をアルミナ基板の熱
膨張係数に一致させて、両板間の熱膨張係数の差に起因
する割れや剥離の問題をより一層確実に防止することが
できる。
In particular, according to the method of claim 2, the coefficient of thermal expansion of the copper-coated copper-tungsten alloy plate is made to match the coefficient of thermal expansion of the alumina substrate, and cracks caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the two plates. The problem of peeling and peeling can be more reliably prevented.

【0027】特に、請求項3の方法によれば、アルミナ
基板の表面が平滑であるため、銅被覆銅−タングステン
合金板との接触面積を大きく確保することができ、より
一層接合強度が高められる。
In particular, according to the method of claim 3, since the surface of the alumina substrate is smooth, it is possible to secure a large contact area with the copper-coated copper-tungsten alloy plate and to further enhance the bonding strength. ..

【0028】[0028]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded.

【0029】実施例1 超微粒子のベーマイトゾルを出発原料とし、アルコキシ
ド加水分解法によりアルミナ基板を作製した。具体的に
は、アルミニウムインゴットとアルコールとを反応さ
せ、アルミニウムアルコキシドを合成し、加水分解した
後、更に酸を添加して解膠し、ベーマイトゾルを生成さ
せた。これに有機バインダーを加え、スラリー化した
後、ドクターブレードを通してキャスティングしながら
成形、乾燥してグリーンシートとした。その後、所定の
形状に切断して電気炉で焼成し、表面粗さRaが0.2
μmで、厚さ100μmの緻密なアルミナ基板を得た。
なお、このようにして得られるアルミナ基板は、微粒子
から構成されているため、厚みが薄くてもピンホールを
生成することがなく、表面粗さが小さく、平滑性が非常
に良いものであった。また、厚さも所望の厚さに容易に
制御することができた。
Example 1 Using an ultrafine particle boehmite sol as a starting material, an alumina substrate was prepared by an alkoxide hydrolysis method. Specifically, an aluminum ingot and alcohol were reacted to synthesize an aluminum alkoxide, which was hydrolyzed, and then an acid was further added for peptization to generate a boehmite sol. An organic binder was added to this to make a slurry, which was then molded and dried while casting through a doctor blade to obtain a green sheet. After that, it is cut into a predetermined shape and fired in an electric furnace to have a surface roughness Ra of 0.2.
A dense alumina substrate having a thickness of 100 μm and a thickness of 100 μm was obtained.
Since the alumina substrate thus obtained was composed of fine particles, it did not generate pinholes even when it was thin, had a small surface roughness, and had very good smoothness. .. Moreover, the thickness could be easily controlled to a desired thickness.

【0030】このアルミナ基板と、電気めっきにより1
00μm厚さの銅被覆を形成したパターン状の銅−タン
グステン合金板(銅10重量%,タングステン90重量
%,厚さ0.5mm)とを積層配置して加熱炉内に入
れ、酸素100ppmを含む窒素雰囲気中、1065℃
で20分間加熱し、その後冷却した。
1 by electroplating with this alumina substrate
A patterned copper-tungsten alloy plate (copper 10% by weight, tungsten 90% by weight, thickness 0.5 mm) on which a copper coating having a thickness of 00 μm was formed was placed in a stack in a heating furnace and contained 100 ppm of oxygen. 1065 ° C in nitrogen atmosphere
At 20 ° C. for 20 minutes and then cooled.

【0031】このようにして得た回路付きアルミナ基板
は、大電力用のパワーモジュール用セラミックス回路基
板として好適に使用することができた。
The alumina substrate with a circuit thus obtained could be suitably used as a ceramic circuit substrate for a power module for high power.

【0032】実施例2 実施例1と同様のゾルゲル法により、表面粗さRa0.
1μm程度で、厚さ50μmのアルミナ基板を作製し
た。このアルミナ基板と、100μm厚さの銅被覆を有
するパターン化した銅−タングステン合金板(銅20重
量%,タングステン80重量%,厚さ0.5mm)とを
積層してバッチタイプの加熱炉に入れ、酸素500pp
m含有の窒素ガス雰囲気にて1080℃で10分間加熱
した後、冷却した。このようにして得た回路付きアルミ
ナ基板は、大電力用のパワーモジュール用セラミックス
回路基板として好適に使用することができた。
Example 2 By the same sol-gel method as in Example 1, the surface roughness Ra0.
An alumina substrate having a thickness of about 1 μm and a thickness of 50 μm was produced. This alumina substrate and a patterned copper-tungsten alloy plate (copper 20% by weight, tungsten 80% by weight, thickness 0.5 mm) having a copper coating with a thickness of 100 μm were laminated and placed in a batch type heating furnace. , Oxygen 500pp
After heating in a nitrogen gas atmosphere containing m at 1080 ° C. for 10 minutes, it was cooled. The alumina substrate with a circuit thus obtained could be suitably used as a ceramic circuit substrate for power modules for high power.

【0033】実施例3 実施例1と同様のゾルゲル法により、表面粗さRa0.
05μm程度で、厚さ30μmのアルミナ基板を作製し
た。このアルミナ基板と、100μm厚さの銅被覆を有
するパターン化した銅−タングステン合金板(銅30重
量%,タングステン70重量%,厚さ0.5mm)とを
積層して連続加熱炉に入れ、酸素200ppm含有の窒
素ガス雰囲気にて1070℃で10分間加熱した後、冷
却した。このようにして得た回路付きアルミナ基板は、
大電力用のパワーモジュール用セラミックス回路基板と
して好適に使用することができた。
Example 3 By the same sol-gel method as in Example 1, the surface roughness Ra0.
An alumina substrate having a thickness of about 05 μm and a thickness of 30 μm was produced. This alumina substrate and a patterned copper-tungsten alloy plate (copper 30% by weight, tungsten 70% by weight, thickness 0.5 mm) having a copper coating with a thickness of 100 μm were laminated and placed in a continuous heating furnace to obtain oxygen. After heating at 1070 ° C. for 10 minutes in a nitrogen gas atmosphere containing 200 ppm, it was cooled. The circuitized alumina substrate thus obtained is
It could be suitably used as a ceramic circuit board for power modules for high power.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のパワーモジ
ュール用セラミックス回路基板の製造方法によれば、回
路用銅被覆銅−タングステン合金板とアルミナ基板との
接合強度が強く、また、熱放散性の良い、高信頼性、高
性能、高品質、低コストのパワーモジュール用セラミッ
クス回路基板が提供される。
As described above in detail, according to the method for manufacturing a ceramic circuit board for a power module of the present invention, the bonding strength between the copper-coated copper-tungsten alloy plate for a circuit and the alumina board is high, and the heat dissipation is high. Provided is a ceramic circuit board for power modules, which has good performance, high reliability, high performance, high quality, and low cost.

【0035】請求項2のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法によれば、銅被覆銅−タングステ
ン合金板とアルミナ基板との熱膨張係数を一致させるこ
とができ、両板の熱膨張係数の差に起因する割れや剥離
の問題はより一層確実に防止される。
According to the method of manufacturing a ceramic circuit board for a power module of claim 2, the copper-coated copper-tungsten alloy plate and the alumina substrate can have the same thermal expansion coefficient, and the difference between the thermal expansion coefficients of the two plates. The problem of cracking and peeling due to the is further reliably prevented.

【0036】請求項3のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法によれば、接合強度はより一層改
善される。
According to the method for manufacturing a ceramic circuit board for a power module of claim 3, the bonding strength is further improved.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 銅被覆を有するパターン化した銅−タン
グステン合金板と、厚さ30〜150μmのアルミナ基
板とを積層して、酸素雰囲気中、1065〜1085℃
に加熱することにより接合することを特徴とするパワー
モジュール用セラミックス回路基板の製造方法。
1. A patterned copper-tungsten alloy plate having a copper coating and an alumina substrate having a thickness of 30 to 150 μm are laminated, and the mixture is placed in an oxygen atmosphere at 1065 to 1085 ° C.
A method for manufacturing a ceramics circuit board for a power module, which comprises bonding the substrates by heating them to each other.
【請求項2】 銅−タングステン合金板が銅5〜30重
量%を含有することを特徴とする請求項1に記載のパワ
ーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法。
2. The method for producing a ceramic circuit board for a power module according to claim 1, wherein the copper-tungsten alloy plate contains 5 to 30% by weight of copper.
【請求項3】 アルミナ基板の銅−タングステン合金板
との積層面の表面粗さRaが0.2μm以下であること
を特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュール
用セラミックス回路基板の製造方法。
3. A ceramic circuit board for a power module according to claim 1, wherein the surface roughness Ra of the laminated surface of the alumina substrate with the copper-tungsten alloy plate is 0.2 μm or less. Method.
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