JPH05268034A - Drive circuit for current drive type semiconductor switch - Google Patents

Drive circuit for current drive type semiconductor switch

Info

Publication number
JPH05268034A
JPH05268034A JP4060623A JP6062392A JPH05268034A JP H05268034 A JPH05268034 A JP H05268034A JP 4060623 A JP4060623 A JP 4060623A JP 6062392 A JP6062392 A JP 6062392A JP H05268034 A JPH05268034 A JP H05268034A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching element
current
turned
switching
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4060623A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kouichi Makinose
公一 牧野瀬
Yasuyuki Mizobuchi
康之 溝渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyoda Automatic Loom Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Automatic Loom Works Ltd filed Critical Toyoda Automatic Loom Works Ltd
Priority to JP4060623A priority Critical patent/JPH05268034A/en
Publication of JPH05268034A publication Critical patent/JPH05268034A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PURPOSE:To drive the current drive type semiconductor switch by the drive circuit employing a single power supply by reducing the power loss of the drive circuit for the current drive type semiconductor switch at switching. CONSTITUTION:Induction coils 2, 3 are connected in series between a switching element SW1 connecting to a power supply E1 and a switching element SW2 connecting to ground. A diode 5 reverse-biased is connected between the switching element SW1 and the induction coil 2. A gate of a source ground main transistor(TR) Q is connected between the induction coils 2, 3 via a switching element SW3. Moreover, the switching elements SW1, 2 are turned on to store energy in the induction coils 2, 3, the switching element SW3 is turned on after the switching element SW1 is turned off, and the switching element SW2 is turned off to supply a supply current IG to the gate of the main TR Q based on the energy stored in the induction coils 2, 3 and the switching element SW2 is turned on to supply an extract current -IG to the gate of the main TR Q through the operation of a control section 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電流駆動型半導体スイッ
チの駆動回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive circuit for a current drive type semiconductor switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、負荷への電力供給の制御に高速の
オン・オフ制御が可能な半導体スイッチが使用されてい
る。そして、半導体スイッチとして電流駆動型半導体ス
イッチ(例えば、バイポーラトランジスタ)を用いる場
合の駆動回路として図4に示す回路がある。即ち、エミ
ッタ接地されたスイッチング用トランジスタ31が負荷
32を介して負荷駆動用の電源EL に接続されている。
前記スイッチング用トランジスタ31のベースは抵抗R
1と第1のスイッチング素子33を介して電源E1の正
極に接続され、抵抗R2と第2のスイッチング素子34
を介して電源E2の負極に接続されている。そして、図
示しないドライバからの制御信号により両スイッチング
素子33,34のオン・オフ制御が行われ、第1のスイ
ッチング素子33がオン、かつ第2のスイッチング素子
34がオフとなると、電源E1からスイッチング用トラ
ンジスタ31のベースにベース電流(振込電流)IB が
供給され、スイッチング用トランジスタ31がオン状態
となる。又、第1のスイッチング素子33がオフ、第2
のスイッチング素子34がオンとなると、電源E2から
スイッチング用トランジスタ31のベースに逆ベース電
流(引き抜き電流)−IB が供給され、スイッチング用
トランジスタ31がオフ状態となるようになっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor switch capable of high-speed on / off control has been used for controlling power supply to a load. Then, there is a circuit shown in FIG. 4 as a drive circuit when a current drive type semiconductor switch (for example, a bipolar transistor) is used as the semiconductor switch. That is, the switching transistor 31 whose emitter is grounded is connected to the load driving power source EL via the load 32.
The base of the switching transistor 31 is a resistor R
1 and the first switching element 33 to be connected to the positive electrode of the power source E1, and the resistor R2 and the second switching element 34.
It is connected to the negative electrode of the power source E2 via. Then, ON / OFF control of both switching elements 33 and 34 is performed by a control signal from a driver (not shown), and when the first switching element 33 is turned on and the second switching element 34 is turned off, switching is performed from the power source E1. The base current (transfer current) IB is supplied to the base of the switching transistor 31, and the switching transistor 31 is turned on. In addition, the first switching element 33 is turned off and the second switching element 33 is turned off.
When the switching element 34 is turned on, the reverse base current (extraction current) -IB is supplied from the power source E2 to the base of the switching transistor 31, and the switching transistor 31 is turned off.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
駆動回路ではスイッチング用トランジスタ31のターン
オン時及びターンオフ時に抵抗R1,R2を流れる電流
による電力損失が大きいという問題がある。
However, the conventional drive circuit has a problem that the power loss due to the current flowing through the resistors R1 and R2 is large when the switching transistor 31 is turned on and off.

【0004】又、スイッチング用トランジスタ31のタ
ーンオフ時における引き抜き時間を小さくするため、ス
イッチング用トランジスタ31のベースに引き抜き電流
を流すための負の電源を必要とし、駆動用電源として
正、負2つの電源E1,E2が必要となるという問題が
ある。
Further, in order to shorten the extraction time when the switching transistor 31 is turned off, a negative power source for supplying an extraction current to the base of the switching transistor 31 is required, and two positive and negative power sources are used as driving power sources. There is a problem that E1 and E2 are required.

【0005】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的はスイッチング時の電力損
失を少なくし、単電源ドライブで駆動することができる
電流駆動型半導体スイッチの駆動回路を提供することに
ある。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to reduce the power loss at the time of switching and to drive a current drive type semiconductor switch which can be driven by a single power supply drive. To provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、電源に接続された第1のスイッチング素子
と接地された第2のスイッチング素子との間に第1及び
第2の誘導コイルを直列に接続し、前記第1のスイッチ
ング素子と第1の誘導コイルとの間には逆バイアスとな
って接地されるダイオードを接続し、前記第1の誘導コ
イルと第2の誘導コイルとの間には第3のスイッチング
素子を介してソース接地又はエミッタ接地された電流駆
動型半導体スイッチのゲート又はベースを接続し、更に
は前記第1,2のスイッチング素子をオンさせて第1,
2の誘導コイルにエネルギーを蓄積し、前記第1のスイ
ッチング素子をオフさせてから前記第3のスイッチング
素子をオン、第2のスイッチング素子をオフさせて前記
第1,2の誘導コイルに蓄積されたエネルギーに基づい
て電流駆動型半導体スイッチのゲート又はベースに振込
電流を供給した後、前記第2のスイッチング素子をオン
させて前記電流駆動型半導体スイッチのゲート又はベー
スに引き抜き電流の供給を行う制御部を設けたことをそ
の要旨とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention provides first and second induction devices between a first switching element connected to a power source and a second switching element grounded. A coil is connected in series, a diode that is reverse-biased and grounded is connected between the first switching element and the first induction coil, and the first induction coil and the second induction coil are connected. A gate or a base of a current-driven semiconductor switch whose source is grounded or whose emitter is grounded is connected through a third switching element, and the first and second switching elements are turned on to connect the first and second switching elements.
Energy is stored in the second induction coil, the first switching element is turned off, the third switching element is turned on, the second switching element is turned off, and the energy is stored in the first and second induction coils. Control for supplying the transfer current to the gate or the base of the current drive type semiconductor switch based on the energy, and then turning on the second switching element to supply the extraction current to the gate or the base of the current drive type semiconductor switch. The idea is to have a section.

【0007】[0007]

【作用】制御部が第1,2のスイッチング素子をそれぞ
れオンとすると、電源により直列接続された第1,2の
誘導コイルにエネルギーが蓄積される。そして、制御部
が第1のスイッチング素子をオフとすると、前記直列接
続された第1,2の誘導コイルに蓄積されたエネルギー
による電流は第2のスイッチング素子及びダイオードを
流れるループ状の慣性電流となる。その後、制御部が第
3のスイッチング素子をオンとし、第2のスイッチング
素子をオフとすると、前記慣性電流は第3のスイッチン
グ素子を通って電流駆動型半導体スイッチのゲート又は
ベースに振込電流として供給され、該電流駆動型半導体
スイッチはオン状態となる。
When the controller turns on the first and second switching elements, energy is stored in the first and second induction coils connected in series by the power source. Then, when the control unit turns off the first switching element, the current due to the energy accumulated in the first and second induction coils connected in series becomes a loop-shaped inertia current flowing through the second switching element and the diode. Become. After that, when the control unit turns on the third switching element and turns off the second switching element, the inertia current is supplied as a transfer current to the gate or the base of the current-driven semiconductor switch through the third switching element. Then, the current-driven semiconductor switch is turned on.

【0008】その後、制御部が第2のスイッチング素子
をオンとすると、前記第2の誘導コイルに蓄積されたエ
ネルギーに基づいて電流駆動型半導体スイッチのゲート
又はベースには上記とは逆方向となる引き抜き電流が供
給され、該電流駆動型半導体スイッチはオフ状態とな
る。
After that, when the control unit turns on the second switching element, the gate or base of the current-driven semiconductor switch is in the opposite direction to the above based on the energy stored in the second induction coil. The extraction current is supplied, and the current-driven semiconductor switch is turned off.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明を静電誘導型トランジスタ(S
IT:Static Induction Transistor )に具体化した一
実施例を図1〜図3に基づいて説明する。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to an electrostatic induction type transistor (S
An embodiment embodied in an IT (Static Induction Transistor) will be described with reference to FIGS.

【0010】図1に示すように、静電誘導型トランジス
タからなる主トランジスタQはソース接地され、そのド
レインがモータ等の負荷1を介して負荷駆動用の電源E
L に接続されている。又、電源E1にはP型MOSトラ
ンジスタから構成される第1のスイッチング素子SW1
を介して第1の誘導コイル2の一端が接続されている。
前記誘導コイル2の他端には第2の誘導コイル3の一端
が接続され、該誘導コイル3の他端はN型MOSトラン
ジスタから構成される第2のスイッチング素子SW2を
介して接地されている。尚、前記誘導コイル2,3は本
実施例においては同一巻数となっている。
As shown in FIG. 1, the main transistor Q, which is an electrostatic induction type transistor, has its source grounded, and its drain via a load 1 such as a motor.
Connected to L. The power source E1 has a first switching element SW1 composed of a P-type MOS transistor.
One end of the first induction coil 2 is connected via.
The other end of the induction coil 2 is connected to one end of a second induction coil 3, and the other end of the induction coil 3 is grounded via a second switching element SW2 composed of an N-type MOS transistor. .. The induction coils 2 and 3 have the same number of turns in this embodiment.

【0011】従って、前記誘導コイル2,3は直列接続
された状態となり、この誘導コイル2,3は互いの漏れ
インダクタンスを小さくするため鉄心コア4に巻き付け
られている。更に、前記スイッチング素子SW1,SW
2がそれぞれオンとなり、電源E1にて誘導コイル2,
3に電流が流れたとき、ポイントPを示した方がN極に
なるように誘導コイル2,3が鉄心コア4に対してそれ
ぞれ巻き付けられている。
Therefore, the induction coils 2 and 3 are connected in series, and the induction coils 2 and 3 are wound around the iron core 4 in order to reduce mutual leakage inductance. Further, the switching elements SW1, SW
2 is turned on, and the induction coil 2,
The induction coils 2 and 3 are wound around the iron core 4 so that the point P is the N pole when the current flows to the coil 3.

【0012】前記スイッチング素子SW1と誘導コイル
2との間の接続点aには逆バイアスのダイオード5が接
地された状態で接続されている。又、前記誘導コイル
2,3の接続点bにはN型MOSトランジスタから構成
される第3のスイッチング素子SW3を介して前記主ト
ランジスタQのゲートが接続されている。
A reverse-biased diode 5 is connected to the connection point a between the switching element SW1 and the induction coil 2 in a grounded state. Further, the gate of the main transistor Q is connected to the connection point b between the induction coils 2 and 3 via a third switching element SW3 composed of an N-type MOS transistor.

【0013】前記各スイッチング素子SW1〜SW3は
制御部6と接続され、制御部6は各スイッチング素子S
W1〜SW3にオン・オフ制御信号を出力するようにな
っている。即ち、制御部6は各スイッチング素子SW
1,SW2にオン信号を出力した後、スイッチング素子
SW1にオフ信号を出力する。そして、制御部6はスイ
ッチング素子SW3にオン信号を出力した後、スイッチ
ング素子SW2にオフ信号を出力する。更に、前記スイ
ッチング素子SW2に再びオン信号を出力した後、スイ
ッチング素子SW3にオフ信号を出力するようになって
いる。
Each of the switching elements SW1 to SW3 is connected to a control section 6, which controls each switching element S.
An on / off control signal is output to W1 to SW3. That is, the control unit 6 controls each switching element SW.
After outputting an ON signal to SW1 and SW2, an OFF signal is output to the switching element SW1. Then, the control unit 6 outputs an ON signal to the switching element SW3 and then outputs an OFF signal to the switching element SW2. Further, after the ON signal is output to the switching element SW2 again, the OFF signal is output to the switching element SW3.

【0014】次に、上記のように構成された駆動回路の
作用を図2,図3に基づいて説明する。尚、図3は各ス
イッチング素子SW1〜SW3をスイッチに置き換えた
回路を示し、図2及び図4は駆動回路のタイミングチャ
ートを示し、図2においてはスイッチング素子SW1〜
SW3のオン電圧は無視する。
Next, the operation of the drive circuit configured as described above will be described with reference to FIGS. 3 shows a circuit in which each of the switching elements SW1 to SW3 is replaced with a switch, and FIGS. 2 and 4 show timing charts of the driving circuit. In FIG.
The ON voltage of SW3 is ignored.

【0015】制御部6のオン信号に基づいてスイッチン
グ素子SW2がオン状態となり、該制御部6のオフ信号
に基づいてスイッチング素子SW1,SW3がオフ状態
となっている場合には、主トランジスタQのゲートにゲ
ート電流(振込電流)IGが供給されないため、主トラ
ンジスタQはオフ状態にある。
When the switching element SW2 is turned on based on the ON signal of the control section 6 and the switching elements SW1 and SW3 are turned off based on the OFF signal of the control section 6, the main transistor Q is turned on. Since the gate current (transfer current) IG is not supplied to the gate, the main transistor Q is in the off state.

【0016】この状態で、前記制御部6のオン信号に基
づいてスイッチング素子SW1がオン状態となると、ス
イッチング素子SW1に電流ISW1 が流れる。そのた
め、電源E1により直列接続された誘導コイル2,3に
電流IL1,IL2が増加しながら流れ、この電流IL1,I
L2はに示す経路を通る。又、前記電流IL1,IL2によ
って該誘導コイル2,3にエネルギーが蓄積される。こ
のとき、接続点aの電位V1は電源E1と同じ電位Eと
なり、接続点bの電位は誘導コイル2,3の全体の巻数
の半分となることからE/2となる。又、誘導コイル
2,3は巻数が同一なので電流IL1,IL2はそれぞれ等
しい。
In this state, when the switching element SW1 is turned on based on the ON signal of the control section 6, a current ISW1 flows through the switching element SW1. Therefore, the currents IL1 and IL2 flow while increasing in the induction coils 2 and 3 connected in series by the power source E1, and the currents IL1 and IL2
L2 goes through the route shown in. Energy is stored in the induction coils 2 and 3 by the currents IL1 and IL2. At this time, the potential V1 at the connection point a becomes the same potential E as the power source E1, and the potential at the connection point b becomes E / 2 because it is half the total number of turns of the induction coils 2 and 3. Further, since the induction coils 2 and 3 have the same number of turns, the currents IL1 and IL2 are equal to each other.

【0017】その後、制御部6のオフ信号に基づいてス
イッチング素子SW1がオフ状態となると、スイッチン
グ素子SW1に流れる電流ISW1 が遮断される。このた
め、電流IL1,IL2は図3のに示す経路を通るループ
電流となって流れる。又、ダイオード5には電流IDiが
流れる。そして、電流IL1,IL2,IDiはダイオード5
の内部抵抗により徐々に減少していく。又、このとき接
続点aにはダイオード5の電圧降下VF 分の電圧−VF
が発生する。更に、接続点bには誘導コイル2,3の全
体の巻数の半分となることから電圧−VF /2が発生す
る。
After that, when the switching element SW1 is turned off based on the OFF signal of the control section 6, the current ISW1 flowing through the switching element SW1 is cut off. Therefore, the currents IL1 and IL2 flow as a loop current passing through the path shown in FIG. In addition, the current IDi flows through the diode 5. The currents IL1, IL2, and IDi are the diode 5
It gradually decreases due to the internal resistance of. At this time, at the connection point a, the voltage -VF corresponding to the voltage drop VF of the diode 5 is generated.
Occurs. Furthermore, since the number of turns of the induction coils 2 and 3 is half the total number of turns at the connection point b, a voltage -VF / 2 is generated.

【0018】そして、前記制御部6のオン信号に基づい
てスイッチング素子SW3がオン状態となり、該制御部
6のオフ信号に基づいてスイッチング素子SW2がオフ
状態となると、電流IL1は誘導コイル2,3の巻数が同
一であることから、2倍の電流値となってスイッチング
素子SW3を介して主トランジスタQのゲートにゲート
電流(振込電流)IG として供給される。このとき、ス
イッチング素子SW2がオフ状態となるため、電流IL2
は零となる。
Then, when the switching element SW3 is turned on based on the ON signal of the control section 6 and the switching element SW2 is turned off based on the OFF signal of the control section 6, the current IL1 causes the induction coils 2, 3 to flow. Since the number of turns is the same, a doubled current value is supplied to the gate of the main transistor Q as the gate current (transfer current) IG via the switching element SW3. At this time, since the switching element SW2 is turned off, the current IL2
Is zero.

【0019】従って、前記主トランジスタQはオン状態
となる。又、前記振込電流IG は主トランジスタQのソ
ース、ダイオード5、誘導コイル2及びスイッチング素
子SW3を通る電流、即ち図3のに示す経路を通るル
ープ電流となって流れる。このとき、ダイオード5に流
れる電流IDiも2倍となる。そして、主トランジスタQ
がオン状態となっている間、接続点bの電位V2は主ト
ランジスタQのゲート・ソース間に印加される電圧VGS
となる。又、接続点aの電位V1は(誘導コイル2,3
により)電位V2の2倍となることから電圧2VGSとな
る。
Therefore, the main transistor Q is turned on. The transfer current IG flows as a current passing through the source of the main transistor Q, the diode 5, the induction coil 2 and the switching element SW3, that is, a loop current passing through the path shown in FIG. At this time, the current IDi flowing through the diode 5 also doubles. And the main transistor Q
Is on, the potential V2 at the connection point b is the voltage VGS applied between the gate and source of the main transistor Q.
Becomes The potential V1 at the connection point a is (induction coils 2, 3
Therefore, the voltage becomes 2VGS because it is twice the potential V2.

【0020】この状態において、制御部6のオン信号に
基づいてスイッチング素子SW2がオン状態となると、
スイッチング素子SW3、主トランジスタQのゲート、
ソース、スイッチング素子SW2及び誘導コイル3の経
路、即ち図3のに示す経路が形成される。このとき、
誘導コイル2及びダイオード5に流れる電流IL1,IDi
は零となる。
In this state, when the switching element SW2 is turned on based on the ON signal of the control section 6,
Switching element SW3, the gate of the main transistor Q,
The path of the source, the switching element SW2 and the induction coil 3, that is, the path shown in FIG. 3 is formed. At this time,
Currents IL1 and IDi flowing through the induction coil 2 and the diode 5
Is zero.

【0021】すると、誘導コイル3に蓄積されたエネル
ギーに基づく電流IL2がに示す経路に流れる。このと
き、誘導コイル2,3の巻数比が同一となり、誘導コイ
ル3のスイッチング素子SW2側がN極となるため、上
記の振込電流IGとは逆方向となる2倍の引き抜き電流
−IG が流れることになる。そして、主トランジスタQ
のゲートに蓄積された電荷の引き抜きが行われるため、
主トランジスタQはオフ状態となる。
Then, the current IL2 based on the energy accumulated in the induction coil 3 flows in the path indicated by. At this time, since the turns ratios of the induction coils 2 and 3 are the same and the switching element SW2 side of the induction coil 3 is the N pole, a double extraction current -IG in the opposite direction to the transfer current IG flows. become. And the main transistor Q
Since the charge accumulated in the gate of is extracted,
The main transistor Q is turned off.

【0022】主トランジスタQがオフ状態となると、図
3のに示すループとなり、誘導コイル2,3及びダイ
オード5には電流IL1,IL2,IDiが流れる。又、主ト
ランジスタQがオフ状態となった後、スイング素子SW
1のオンに備えるため、制御部6のオフ信号に基づいて
スイッチング素子SW3をオフ状態とする。
When the main transistor Q is turned off, the loop shown in FIG. 3 is formed, and currents IL1, IL2 and IDi flow through the induction coils 2 and 3 and the diode 5. After the main transistor Q is turned off, the swing element SW
In order to prepare for turning on 1, the switching element SW3 is turned off based on the off signal of the control unit 6.

【0023】その後、再び制御部6のオン信号によりス
イッチング素子SW1をオン状態とすると、上記と同様
の動作を駆動回路は行うことになる。この結果、従来と
は異なり、抵抗R1,R2を積極的に設けないため、ス
イッチング時の電力損失を小さく抑えることができると
ともに、発熱を少なくすることができる。又、単電源ド
ライブにより駆動回路を駆動することができる。
After that, when the switching element SW1 is turned on again by the ON signal of the control section 6, the drive circuit performs the same operation as described above. As a result, unlike the prior art, since the resistors R1 and R2 are not positively provided, the power loss at the time of switching can be suppressed small and the heat generation can be reduced. Further, the drive circuit can be driven by a single power source drive.

【0024】本実施例においては、電流駆動型半導体ス
イッチとして静電誘導型トランジスタを使用したが、こ
の他にバイポーラトランジスタを使用することも可能で
ある。
In this embodiment, the static induction type transistor is used as the current driving type semiconductor switch, but it is also possible to use a bipolar transistor in addition to this.

【0025】又、本実施例においては、スイッチング素
子SW1〜SW3をMOSトランジスタにより構成した
が、バイポーラトランジスタ等を使用することも可能で
ある。
Further, in the present embodiment, the switching elements SW1 to SW3 are composed of MOS transistors, but it is also possible to use bipolar transistors or the like.

【0026】更に、誘導コイル2,3の巻数を同じにし
たが、必要に応じて巻数を変化させることも可能であ
る。
Further, although the number of turns of the induction coils 2 and 3 is the same, the number of turns can be changed if necessary.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ス
イッチング時の電力損失を少なくし、単電源ドライブで
駆動することができるので、装置の小型化を図ることが
できる優れた効果がある。
As described in detail above, according to the present invention, the power loss at the time of switching can be reduced and the device can be driven by a single power source drive. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る電流駆動型半導体スイッチの駆動
回路を示す電気回路図である。
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a drive circuit of a current-driven semiconductor switch according to the present invention.

【図2】駆動回路の動作を示すタイミングチャート図で
ある。
FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the drive circuit.

【図3】スイッチング素子をそれぞれオン・オフ制御し
たときに流れる電流の経路を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing paths of currents flowing when the switching elements are on / off controlled.

【図4】駆動回路の動作を示すタイミングチャート図で
ある。
FIG. 4 is a timing chart showing the operation of the drive circuit.

【図5】従来の駆動回路を示す電気回路図である。FIG. 5 is an electric circuit diagram showing a conventional drive circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2,3…誘導コイル、5…ダイオード、6…制御部、E
1…電源、IG …振込電流、−IG …引き抜き電流、S
W1〜SW3…スイッチング素子、Q…電流駆動型半導
体スイッチとしての主トランジスタ
2, 3 ... Induction coil, 5 ... Diode, 6 ... Control unit, E
1 ... Power supply, IG ... Transfer current, -IG ... Extraction current, S
W1 to SW3 ... Switching element, Q ... Main transistor as current-driven semiconductor switch

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源に接続された第1のスイッチング素
子と接地された第2のスイッチング素子との間に第1及
び第2の誘導コイルを直列に接続し、前記第1のスイッ
チング素子と第1の誘導コイルとの間には逆バイアスと
なって接地されるダイオードを接続し、前記第1の誘導
コイルと第2の誘導コイルとの間には第3のスイッチン
グ素子を介してソース接地又はエミッタ接地された電流
駆動型半導体スイッチのゲート又はベースを接続し、更
には前記第1,2のスイッチング素子をオンさせて第
1,2の誘導コイルにエネルギーを蓄積し、前記第1の
スイッチング素子をオフさせてから前記第3のスイッチ
ング素子をオン、第2のスイッチング素子をオフさせて
前記第1,2の誘導コイルに蓄積されたエネルギーに基
づいて電流駆動型半導体スイッチのゲート又はベースに
振込電流を供給した後、前記第2のスイッチング素子を
オンさせて前記電流駆動型半導体スイッチのゲート又は
ベースに引き抜き電流の供給を行う制御部を設けた電流
駆動型半導体スイッチの駆動回路。
1. A first and a second induction coil are connected in series between a first switching element connected to a power source and a second switching element grounded, and the first switching element and the second switching element are connected in series. A diode that is reverse-biased and grounded is connected between the first induction coil and the first induction coil, and a source is grounded between the first induction coil and the second induction coil through a third switching element. The gate or base of a current-driven semiconductor switch whose emitter is grounded is connected, and further, the first and second switching elements are turned on to store energy in the first and second induction coils, and the first switching element Is turned off and then the third switching element is turned on, the second switching element is turned off, and the current-driven semiconductor is conducted based on the energy stored in the first and second induction coils. After supplying a transfer current to the gate or base of the body switch, a current drive type semiconductor provided with a control unit for turning on the second switching element to supply the extraction current to the gate or base of the current drive type semiconductor switch Switch drive circuit.
JP4060623A 1992-03-17 1992-03-17 Drive circuit for current drive type semiconductor switch Pending JPH05268034A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4060623A JPH05268034A (en) 1992-03-17 1992-03-17 Drive circuit for current drive type semiconductor switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4060623A JPH05268034A (en) 1992-03-17 1992-03-17 Drive circuit for current drive type semiconductor switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05268034A true JPH05268034A (en) 1993-10-15

Family

ID=13147610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4060623A Pending JPH05268034A (en) 1992-03-17 1992-03-17 Drive circuit for current drive type semiconductor switch

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05268034A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534708A (en) * 2012-03-27 2012-07-04 浙江大学 Nickel phosphor alloy electroplating solution and application thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534708A (en) * 2012-03-27 2012-07-04 浙江大学 Nickel phosphor alloy electroplating solution and application thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7449841B2 (en) Charge limited high voltage switch circuits
EP0677925B1 (en) Three-terminal insulated-gate power electronic device with a variable-slope saturated output characteristic depending in a discontinuous way on the output current
JPH05268034A (en) Drive circuit for current drive type semiconductor switch
US4899065A (en) Pre-drive circuit
US5111381A (en) H-bridge flyback recirculator
JP3227048B2 (en) Driver circuit for bidirectional connection transistor
JPH0237273Y2 (en)
JP4784018B2 (en) Semiconductor switch gate drive circuit
JPH0311574B2 (en)
JP2004153882A (en) Drive circuit of switching circuit
JPS62260597A (en) Current limiting circuit for stepping motor coil
JPH0330881Y2 (en)
JP3619116B2 (en) Synchronous rectifier drive circuit in flyback converter
JP3036556B2 (en) N channel FET drive control circuit
JP2813798B2 (en) Stepping motor
JPS6023930Y2 (en) solenoid drive circuit
JPS608656B2 (en) GTO gate circuit
JPS58116066A (en) Drive circuit
JPH0431839Y2 (en)
JPH05243942A (en) Drive circuit for current driven type semiconductor switch
JPH04121099A (en) Motor driver, inductive load driver and transistor circuit
JPH05243943A (en) Drive circuit for current driven type semiconductor switch
JPS5931252B2 (en) semiconductor switch device
JPS627372A (en) Driving circuit for dc/dc converter
JPH0496652A (en) Drive circuit for switching power supply