JPH05243943A - Drive circuit for current driven type semiconductor switch - Google Patents

Drive circuit for current driven type semiconductor switch

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Publication number
JPH05243943A
JPH05243943A JP4043957A JP4395792A JPH05243943A JP H05243943 A JPH05243943 A JP H05243943A JP 4043957 A JP4043957 A JP 4043957A JP 4395792 A JP4395792 A JP 4395792A JP H05243943 A JPH05243943 A JP H05243943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inductor
switching element
current
semiconductor switch
switching
Prior art date
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Pending
Application number
JP4043957A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kouichi Makinose
公一 牧野瀬
Yasuyuki Mizobuchi
康之 溝渕
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Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyoda Automatic Loom Works Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce power loss in respect of a drive circuit for a current driven type semiconductor switch. CONSTITUTION:An inductor 2 is connected between a switching element SW1 connected to power supply E1 and a grounded switching element SW2, and a diode 3 to make a reverse bias is connected to a junction (a) between the switching element SW1 and the inductor 2, and the base of an emitter-grounded main transistor Q is connected to the junction (b) between the inductor 2 and the switching element SW2, and a control part 4 to output a control signal which supplies a current based on energy stored in the inductor 2 to the base of the main transistor Q by turning off the switching elements SW1, SW2 after storing the energy in the inductor 2 by turning on the switching elements SW1, SW2, and after that, grounds the inductor 2 by turning on the switching element SW2, and turns on the switching element SW1 after the current IL based on the energy stored in the induct>or becomes zero is provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電流駆動型半導体スイッ
チの駆動回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive circuit for a current drive type semiconductor switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、負荷への電力供給の制御に高速の
オン・オフ制御が可能な半導体スイッチが使用されてい
る。そして、半導体スイッチとして電流駆動型半導体ス
イッチ(例えばバイポーラトランジスタ)を用いる場合
の駆動回路として図4に示す回路がある。即ち、エミッ
タ接地されたスイッチング用トランジスタ31が負荷3
2を介して負荷駆動用の電源EL に接続されている。
又、スイッチング用トランジスタ31のベースは抵抗R
1及びスイッチング素子33を介して電源E1に接続さ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor switch capable of high-speed on / off control has been used for controlling power supply to a load. There is a circuit shown in FIG. 4 as a drive circuit when a current drive type semiconductor switch (for example, a bipolar transistor) is used as the semiconductor switch. That is, the switching transistor 31 whose emitter is grounded is connected to the load 3
It is connected via 2 to the power source EL for driving the load.
The base of the switching transistor 31 is a resistor R
1 and the switching element 33 to connect to the power supply E1.

【0003】そして、図示しないドライバからの制御信
号によりスイッチング素子33のオン・オフ制御が行わ
れ、前記スイッチング素子33がオンとなると電源E1
から抵抗R1を介してスイッチング用トランジスタ31
のベースにベース電流が供給され、前記スイッチング用
トランジスタ31がオン状態となる。又、前記スイッチ
ング素子33がオフとなると、スイッチング用トランジ
スタ31のベースにベース電流が供給されなくなり、前
記スイッチング用トランジスタ31がオフ状態となる。
即ち、前記スイッチング素子33のオン・オフ制御によ
りスイッチング用トランジスタ31がオン・オフ動作を
行う。
On / off control of the switching element 33 is performed by a control signal from a driver (not shown), and when the switching element 33 is turned on, the power source E1.
From the switching transistor 31 via the resistor R1
A base current is supplied to the base of the switching transistor 31 and the switching transistor 31 is turned on. When the switching element 33 is turned off, the base current is not supplied to the base of the switching transistor 31 and the switching transistor 31 is turned off.
That is, the switching transistor 31 is turned on / off by the on / off control of the switching element 33.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記駆
動回路では電源E1から抵抗R1を介してスイッチング
用トランジスタ31のベースにベース電流を供給してい
るため、抵抗R1による電力損失が大きいという問題が
ある。
However, in the drive circuit, since the base current is supplied from the power source E1 to the base of the switching transistor 31 via the resistor R1, there is a problem that the power loss due to the resistor R1 is large. ..

【0005】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は電力損失を小さくするこ
とができる電流駆動型半導体スイッチの駆動回路を提供
することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a drive circuit for a current drive type semiconductor switch capable of reducing power loss.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、電源に接続された第1のスイッチング素子
と、接地された第2のスイッチング素子との間にエネル
ギー蓄積用のインダクタを接続し、前記第1のスイッチ
ング素子とインダクタとの間の接続点に逆バイアスとな
って接地されるダイオードを接続し、前記インダクタと
第2のスイッチング素子との間の接続点にエミッタ又は
ドレイン接地された電流駆動型半導体スイッチの制御電
極を接続し、更には前記第1,2のスイッチング素子を
オンさせてインダクタにエネルギーを蓄積してから、該
第1,2のスイッチング素子をオフさせてインダクタに
蓄積されたエネルギーに基づく電流を前記電流駆動型半
導体スイッチの制御電極に供給した後、第2のスイッチ
ング素子をオンさせてインダクタを接地し、前記インダ
クタに蓄積されたエネルギーに基づく電流が零となって
から、前記第1のスイッチング素子をオンさせる制御信
号を出力する制御部を設けたことをその要旨とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides an energy storage inductor between a first switching element connected to a power source and a second switching element grounded. And a diode that is reverse biased and grounded is connected to the connection point between the first switching element and the inductor, and the emitter or drain is grounded to the connection point between the inductor and the second switching element. Connected to the control electrode of the current-driven semiconductor switch, further turning on the first and second switching elements to store energy in the inductor, and then turning off the first and second switching elements. After supplying a current based on the energy stored in the control electrode of the current-driven semiconductor switch, the second switching element is turned on. Grounded inductor Te, current based on the energy stored in the inductor from becomes zero, and its gist in that a control unit for outputting a control signal for turning on the first switching element.

【0007】[0007]

【作用】制御部が第1,2のスイッチング素子をそれぞ
れオンとすると、電源によりインダクタにはエネルギー
が蓄積される。そして、制御部が第1,2のスイッチン
グ素子をオフとすると、インダクタに蓄積されたエネル
ギーに基づく電流は電流駆動型半導体スイッチの制御電
極、エミッタ又はドレイン、ダイオード及びインダクタ
を通るループ電流となり、電流駆動型半導体スイッチは
オン状態となる。
When the control unit turns on the first and second switching elements, energy is stored in the inductor by the power supply. When the control unit turns off the first and second switching elements, the current based on the energy accumulated in the inductor becomes a loop current passing through the control electrode, the emitter or the drain of the current-driven semiconductor switch, the diode and the inductor, and the current The drive type semiconductor switch is turned on.

【0008】次に、制御部が第2のスイッチング素子を
オンとすると、インダクタが接地されるため、インダク
タに蓄積されたエネルギーに基づく電流は電流駆動型半
導体スイッチの制御電極に供給されなくなり、電流駆動
型半導体スイッチはオフ状態となる。その後、制御部は
インダクタのエネルギーに基づく電流が零となってから
第1のスイッチング素子をオンとする。
Next, when the control section turns on the second switching element, the inductor is grounded, so that the current based on the energy stored in the inductor is not supplied to the control electrode of the current-driven semiconductor switch, and the current is reduced. The drive type semiconductor switch is turned off. After that, the control unit turns on the first switching element after the current based on the energy of the inductor becomes zero.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明をバイポーラトランジスタに具
体化した一実施例を図1〜図3に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is embodied in a bipolar transistor will be described below with reference to FIGS.

【0010】図1に示すように、バイポーラトランジス
タからなる主トランジスタQはエミッタ接地され、その
コレクタがモータ等の負荷1を介して負荷駆動用の電源
ELに接続されている。又、電源E1にはスイッチング
素子SW1が接続され、このスイッチング素子SW1に
はインダクタ2の一端が接続されている。又、前記イン
ダクタ2の他端には接地されたスイッチング素子SW2
が接続されている。
As shown in FIG. 1, the main transistor Q, which is a bipolar transistor, has its emitter grounded, and its collector is connected to a load driving power source EL via a load 1 such as a motor. A switching element SW1 is connected to the power source E1, and one end of an inductor 2 is connected to the switching element SW1. The other end of the inductor 2 has a switching element SW2 grounded.
Are connected.

【0011】前記スイッチング素子SW1とインダクタ
2との間の接続点aには逆バイアスのダイオード3が接
地された状態で接続されている。又、前記インダクタ2
とスイッチング素子SW2との間の接続点bには前記主
トランジスタQのベースが接続されている。
A reverse-biased diode 3 is grounded and connected to a connection point a between the switching element SW1 and the inductor 2. In addition, the inductor 2
The base of the main transistor Q is connected to a connection point b between the switching element SW2 and the switching element SW2.

【0012】前記スイッチング素子SW1,SW2には
制御部4が接続され、各スイッチング素子SW1,SW
2をオン・オフ制御信号を出力するようになっている。
即ち、制御部4は各スイッチング素子SW1,SW2に
オン信号を出力した後、同時にスイッチング素子SW
1,SW2にオフ信号を出力する。そして、制御部4は
スイッチング素子SW2のみにオン信号を出力してイン
ダクタ2に蓄積されたエネルギーに基づく電流が零にな
った後、再び両スイッチング素子SW1,SW2をオン
状態にすべく、スイッチング素子SW1にオン信号を出
力するようになっている。
A control unit 4 is connected to the switching elements SW1 and SW2, and each switching element SW1 and SW2 is connected.
2 outputs an on / off control signal.
That is, the control unit 4 outputs the ON signal to each of the switching elements SW1 and SW2, and then simultaneously outputs the ON signal.
1, OFF signal is output to SW2. Then, the control unit 4 outputs the ON signal only to the switching element SW2, and after the current based on the energy accumulated in the inductor 2 becomes zero, the switching elements SW1 and SW2 are turned on again to turn them on. An ON signal is output to SW1.

【0013】次に、上記のように構成された駆動回路の
作用について説明する。制御部4のオン信号に基づいて
スイッチング素子SW2がオンとなり、該制御部4のオ
フ信号に基づいてスイッチング素子SW1がオフとなっ
ている状態においては、主トランジスタQのベースに電
流が供給されていないため、主トランジスタQはオフ状
態にある。
Next, the operation of the drive circuit configured as described above will be described. In a state where the switching element SW2 is turned on based on the ON signal of the control section 4 and the switching element SW1 is turned off based on the OFF signal of the control section 4, current is supplied to the base of the main transistor Q. Therefore, the main transistor Q is off.

【0014】この状態において、制御部4がオン信号を
スイッチング素子SW1に出力すると、該スイッチング
素子SW1はオンとなる。すると、インダクタ2には電
源E1によりエネルギーが蓄積される。そして、エネル
ギーがインダクタ2に蓄積された後、制御部4はオン信
号を各スイッチング素子SW1,SW2にそれぞれ出力
する。そのため、各スイッチング素子SW1,SW2は
オフとなる。
In this state, when the control section 4 outputs an ON signal to the switching element SW1, the switching element SW1 is turned on. Then, energy is accumulated in the inductor 2 by the power source E1. Then, after the energy is stored in the inductor 2, the control unit 4 outputs an ON signal to each of the switching elements SW1 and SW2. Therefore, the switching elements SW1 and SW2 are turned off.

【0015】従って、インダクタ2に蓄積されたエネル
ギーに基づく電流IL がインダクタ2、主トランジスタ
Qのベース、エミッタ及びダイオード3のループに沿っ
て流れる。即ち、図1のに示すループで電流IL が流
れる。この結果、主トランジスタQがオン状態となって
負荷1が駆動用電源EL によって駆動する。
Therefore, a current IL based on the energy stored in the inductor 2 flows along the loop of the inductor 2, the base and emitter of the main transistor Q and the diode 3. That is, the current IL flows in the loop shown in FIG. As a result, the main transistor Q is turned on and the load 1 is driven by the driving power source EL.

【0016】このとき、インダクタ2に蓄積されたエネ
ルギーは主トランジスタQのベース・エミッタ間の接合
抵抗及びダイオード3の内部抵抗によって消費され、電
流IL の降下率はこれらの合成抵抗によって決定され
る。
At this time, the energy stored in the inductor 2 is consumed by the junction resistance between the base and emitter of the main transistor Q and the internal resistance of the diode 3, and the drop rate of the current IL is determined by the combined resistance of these.

【0017】そして、前記主トランジスタQをオフ状態
とするため、制御部4はスイッチング素子SW2のみに
オン信号を出力する。すると、スイッチング素子SW2
はオンとなり、インダクタ2を接地する。このため、イ
ンダクタ2に蓄積されたエネルギーに基づく電流IL は
スイッチング素子SW2、ダイオード3及びインダクタ
2のループに沿って流れる。即ち、図1のに示すルー
プで電流IL が流れる。この結果、主トランジスタのベ
ースに電流が供給されなくなるため、主トランジスタQ
はオフ状態となって負荷1が停止する。
Then, to turn off the main transistor Q, the control section 4 outputs an ON signal only to the switching element SW2. Then, the switching element SW2
Turns on and grounds inductor 2. Therefore, the current IL based on the energy stored in the inductor 2 flows along the loop of the switching element SW2, the diode 3 and the inductor 2. That is, the current IL flows in the loop shown in FIG. As a result, no current is supplied to the base of the main transistor, so that the main transistor Q
Turns off and the load 1 stops.

【0018】このとき、主トランジスタQのベース・エ
ミッタ間はショートされ、内部蓄積電荷が引き抜かれて
該主トランジスタQはオフする。又、エネルギーはダイ
オード3の内部抵抗のみによって消費されるため、電流
IL の降下率は主トランジスタQがオン状態となってい
るときより緩やかになる。
At this time, the base-emitter of the main transistor Q is short-circuited, the internal accumulated charge is extracted, and the main transistor Q is turned off. Further, since energy is consumed only by the internal resistance of the diode 3, the rate of decrease of the current IL becomes gentler than when the main transistor Q is in the ON state.

【0019】その後、に示すループによってエネルギ
ーが消費されて電流値が零となると、制御部4はオン信
号をスイッチング素子SW1に出力する。そのため、ス
イッチング素子SW1はオンとなり、再び電源E1によ
りインダクタ2にエネルギーが蓄積される。そして、上
記と同様に制御部4がオフ信号をスイッチング素子SW
1,SW2に出力すると、両スイッチング素子SW1,
SW2がオフしてインダクタ2に蓄積されたエネルギー
に基づく電流IL が主トランジスタQのベースに流れ、
主トランジスタQがオン状態となる。
After that, when energy is consumed and the current value becomes zero by the loop shown in, the control section 4 outputs an ON signal to the switching element SW1. Therefore, the switching element SW1 is turned on, and energy is stored in the inductor 2 again by the power source E1. Then, similarly to the above, the control unit 4 sends the OFF signal to the switching element SW.
1, SW2, both switching elements SW1,
When SW2 is turned off, a current IL based on the energy stored in the inductor 2 flows to the base of the main transistor Q,
The main transistor Q is turned on.

【0020】この結果、従来とは異なり、抵抗R1を積
極的に設けないため、電力損失を小さく抑えることがで
きる。前記駆動回路の電力損失を従来の場合と比較する
と次のようになる。
As a result, unlike the prior art, since the resistor R1 is not positively provided, the power loss can be suppressed to be small. The power loss of the driving circuit is compared with the conventional case as follows.

【0021】従来の電力損失P1は次式で表される。The conventional power loss P1 is expressed by the following equation.

【0022】[0022]

【数1】 [Equation 1]

【0023】一方、コンダクタ2に蓄積されたエネルギ
ーに基づく電流IL の波形は図3に示すように示され、
この波形に基づいて電力損失P2は次式で表される。
On the other hand, the waveform of the current IL based on the energy stored in the conductor 2 is shown in FIG.
The power loss P2 is expressed by the following equation based on this waveform.

【0024】[0024]

【数2】 [Equation 2]

【0025】そして、式及び式の各項にそれぞれE
=12[V]、d=0.25、IB=1[A]、f=5
[kHz]、L=100[μH]、VF =1[V]の値
を代入してP1及びP2を求めると、P1=3[W]、
P2=1[W]となる。従って、この条件の場合は電力
損失が1/3となる。
Then, in the equation and each term of the equation, E
= 12 [V], d = 0.25, IB = 1 [A], f = 5
Substituting the values of [kHz], L = 100 [μH], and VF = 1 [V] to obtain P1 and P2, P1 = 3 [W],
P2 = 1 [W]. Therefore, under this condition, the power loss is 1/3.

【0026】尚、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、例えば電流IL を検出する検出装置を設け、
主トランジスタQがオフ状態になった後、再びスイッチ
ング素子SW1にオン信号を出力するタイミングを検出
装置の検出信号を基に設定するようにしてもよい。又、
主トランジスタQをオン状態とするため、両スイッチン
グ素子SW1,SW2を同時にオフとする代わりにスイ
ッチング素子SW1を若干速くオフとしてもよい。又、
スイッチング素子SW1,SW2としてはバイポーラト
ランジスタ、MOSトランジスタ等の半導体スイッチが
使用される。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment. For example, a detector for detecting the current IL is provided,
After the main transistor Q is turned off, the timing of outputting the on signal to the switching element SW1 may be set again based on the detection signal of the detection device. or,
In order to turn on the main transistor Q, the switching element SW1 may be turned off slightly faster instead of turning off both switching elements SW1 and SW2 at the same time. or,
Semiconductor switches such as bipolar transistors and MOS transistors are used as the switching elements SW1 and SW2.

【0027】又、本実施例は主トランジスタQをバイポ
ーラトランジスタとしたが、静電誘導型トランジスタを
使用することも可能である。
Although the main transistor Q is a bipolar transistor in this embodiment, it is also possible to use a static induction type transistor.

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、電
力損失を小さくすることができる優れた効果がある。
As described in detail above, according to the present invention, there is an excellent effect that power loss can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る電流駆動型半導体スイッチの駆動
回路を示す電気回路図である。
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a drive circuit of a current-driven semiconductor switch according to the present invention.

【図2】各スイッチング素子のオン・オフとイダンクタ
を流れる電流及びベース電流との関係を示すタイムチャ
ート図である。
FIG. 2 is a time chart showing a relationship between ON / OFF of each switching element and a current and a base current flowing through an inductor.

【図3】インダクタに流れる電流波形を示す特性図であ
る。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a waveform of a current flowing through an inductor.

【図4】従来の駆動回路を示す電気回路図である。FIG. 4 is an electric circuit diagram showing a conventional drive circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…インダクタ、3…ダイオード、4…制御部、a,b
…接続点、E1…電源、IL …電流、Q…主トランジス
タ、SW1…第1のスイッチング素子、SW2…第2の
スイッチング素子
2 ... Inductor, 3 ... Diode, 4 ... Control part, a, b
... connection point, E1 ... power supply, IL ... current, Q ... main transistor, SW1 ... first switching element, SW2 ... second switching element

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源に接続された第1のスイッチング素
子と、接地された第2のスイッチング素子との間にエネ
ルギー蓄積用のインダクタを接続し、前記第1のスイッ
チング素子とインダクタとの間の接続点に逆バイアスと
なって接地されるダイオードを接続し、前記インダクタ
と第2のスイッチング素子との間の接続点にエミッタ又
はドレイン接地された電流駆動型半導体スイッチの制御
電極を接続し、更には前記第1,2のスイッチング素子
をオンさせてインダクタにエネルギーを蓄積してから、
該第1,2のスイッチング素子をオフさせてインダクタ
に蓄積されたエネルギーに基づく電流を前記電流駆動型
半導体スイッチの制御電極に供給した後、第2のスイッ
チング素子をオンさせてインダクタを接地し、前記イン
ダクタに蓄積されたエネルギーに基づく電流が零となっ
てから、前記第1のスイッチング素子をオンさせる制御
信号を出力する制御部を設けた電流駆動型半導体スイッ
チの駆動回路。
1. An energy storage inductor is connected between a first switching element connected to a power source and a second switching element grounded, and an inductor for energy storage is connected between the first switching element and the inductor. A diode, which is reverse biased and grounded, is connected to the connection point, and a control electrode of a current-driven semiconductor switch whose emitter or drain is grounded is connected to the connection point between the inductor and the second switching element. Turns on the first and second switching elements to store energy in the inductor,
After turning off the first and second switching elements and supplying a current based on the energy stored in the inductor to the control electrode of the current-driven semiconductor switch, the second switching element is turned on to ground the inductor, A drive circuit for a current-driven semiconductor switch, comprising a control unit that outputs a control signal for turning on the first switching element after the current based on the energy stored in the inductor becomes zero.
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