JPH05267750A - 半導体励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体励起固体レーザ装置Info
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- JPH05267750A JPH05267750A JP4066049A JP6604992A JPH05267750A JP H05267750 A JPH05267750 A JP H05267750A JP 4066049 A JP4066049 A JP 4066049A JP 6604992 A JP6604992 A JP 6604992A JP H05267750 A JPH05267750 A JP H05267750A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振効率およびビーム品質を向上することが
できる半導体励起固体レーザ装置を得る。 【構成】 レーザ共振器の基本ガウスモードのビームの
直径より薄い厚み又は幅を持った断面矩形の形状の固体
レーザ媒質4の周囲にこの固体レーザ媒質4とほぼ同じ
屈折率を有する保持体7を密着接合させ一体化すること
により、半導体レーザ1より出射された励起光3は、固
体レーザ媒質4で基本ガウスモードのみが励起される。
さらに、固体レーザ媒質4より広がった励起光3は、固
体レーザ媒質4と保持体7の界面で反射されることなく
透過し、保持体7の側面で全反射して固体レーザ媒質4
内に閉じ込められ、レーザ光5の発振に寄与するため
に、効率良くレーザ光5を発振することができる。
できる半導体励起固体レーザ装置を得る。 【構成】 レーザ共振器の基本ガウスモードのビームの
直径より薄い厚み又は幅を持った断面矩形の形状の固体
レーザ媒質4の周囲にこの固体レーザ媒質4とほぼ同じ
屈折率を有する保持体7を密着接合させ一体化すること
により、半導体レーザ1より出射された励起光3は、固
体レーザ媒質4で基本ガウスモードのみが励起される。
さらに、固体レーザ媒質4より広がった励起光3は、固
体レーザ媒質4と保持体7の界面で反射されることなく
透過し、保持体7の側面で全反射して固体レーザ媒質4
内に閉じ込められ、レーザ光5の発振に寄与するため
に、効率良くレーザ光5を発振することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを励起源
とする半導体励起固体レーザ装置に関するものである。
とする半導体励起固体レーザ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図12は、例えば特願平2−27825
0号明細書に記載されている従来の半導体励起固体レー
ザ装置を示す縦断面図および横断面図である。図におい
て、1は半導体レーザ、2はこの半導体レーザ1を冷却
するヒートシンク、3は半導体レーザ1より出射される
励起光である。4は半導体レーザ1に近接配置され、例
えばNd:YAG(Y3ーxNdxAl5O12)結晶から
なり、レーザ光5を出射させる固体レーザ媒質で、固体
レーザ媒質4内の励起光3の広がり幅より薄い厚みを有
する平板形状に形成されている。4aはこの固体レーザ
媒質4の側面に施され、励起光を反射させるコーティン
グ面、4bはこの固体レーザ媒質4の半導体レーザ側の
一端面に形成され、励起光3に対しては無反射でレーザ
光5に対しては全反射である第1の選択性反射膜、4c
はこの固体レーザ媒質4の他端に形成され、励起光3に
対しては全反射でレーザ光5に対しては無反射である第
2の選択性部分反射膜である。6はレーザ光5を部分反
射する部分反射鏡で、固体レーザ媒質4の第1の選択性
反射膜4bとともに安定型共振器を構成する。7は固体
レーザ媒質の周囲に形成された保持体で、例えばガラス
又はYAG結晶等により構成されている。8はこの保持
体7と上記固体レーザ媒質4を接着する接着層である。
0号明細書に記載されている従来の半導体励起固体レー
ザ装置を示す縦断面図および横断面図である。図におい
て、1は半導体レーザ、2はこの半導体レーザ1を冷却
するヒートシンク、3は半導体レーザ1より出射される
励起光である。4は半導体レーザ1に近接配置され、例
えばNd:YAG(Y3ーxNdxAl5O12)結晶から
なり、レーザ光5を出射させる固体レーザ媒質で、固体
レーザ媒質4内の励起光3の広がり幅より薄い厚みを有
する平板形状に形成されている。4aはこの固体レーザ
媒質4の側面に施され、励起光を反射させるコーティン
グ面、4bはこの固体レーザ媒質4の半導体レーザ側の
一端面に形成され、励起光3に対しては無反射でレーザ
光5に対しては全反射である第1の選択性反射膜、4c
はこの固体レーザ媒質4の他端に形成され、励起光3に
対しては全反射でレーザ光5に対しては無反射である第
2の選択性部分反射膜である。6はレーザ光5を部分反
射する部分反射鏡で、固体レーザ媒質4の第1の選択性
反射膜4bとともに安定型共振器を構成する。7は固体
レーザ媒質の周囲に形成された保持体で、例えばガラス
又はYAG結晶等により構成されている。8はこの保持
体7と上記固体レーザ媒質4を接着する接着層である。
【0003】以下、区別を明確にするために、半導体レ
ーザ1から出射される光を単に励起光3、半導体励起固
体レーザから出射される光をレーザ光5と呼ぶ。
ーザ1から出射される光を単に励起光3、半導体励起固
体レーザから出射される光をレーザ光5と呼ぶ。
【0004】次に動作について説明する。まず、半導体
レーザ1より出射された励起光3は、固体レーザ媒質4
の端面より入射し、屈折率の差に応じた発散角で伝搬し
ながら、固体レーザ媒質4に吸収される。また、この固
体レーザ媒質4の厚さは、励起光3のこの固体レーザ媒
質4内における広がり幅より薄く形成されているので、
励起光3は固体レーザ媒質4のコーティング面4aで反
射されることになり、このような内部反射を繰り返して
固体レーザ媒質4内に閉じ込められたまま吸収され、有
効にこれを励起する。この固体レーザ媒質4に吸収され
た励起光3のエネルギーの一部はレーザ光5として固体
レーザ媒質4の外部に出力され、一定以上の大きさにな
ると部分反射鏡6を透過して安定型共振器の外部にレー
ザビームとして取り出される。
レーザ1より出射された励起光3は、固体レーザ媒質4
の端面より入射し、屈折率の差に応じた発散角で伝搬し
ながら、固体レーザ媒質4に吸収される。また、この固
体レーザ媒質4の厚さは、励起光3のこの固体レーザ媒
質4内における広がり幅より薄く形成されているので、
励起光3は固体レーザ媒質4のコーティング面4aで反
射されることになり、このような内部反射を繰り返して
固体レーザ媒質4内に閉じ込められたまま吸収され、有
効にこれを励起する。この固体レーザ媒質4に吸収され
た励起光3のエネルギーの一部はレーザ光5として固体
レーザ媒質4の外部に出力され、一定以上の大きさにな
ると部分反射鏡6を透過して安定型共振器の外部にレー
ザビームとして取り出される。
【0005】このように構成された従来の半導体励起固
体レーザ装置においては、固体レーザ媒質4の厚さを励
起光3の固体レーザ媒質4内の広がり幅より薄くするこ
とによって、レーザビーム領域に比べて励起領域が著し
く大きくなることを防いでいるために、レーザ発振のエ
ネルギー効率を高くすることができる。
体レーザ装置においては、固体レーザ媒質4の厚さを励
起光3の固体レーザ媒質4内の広がり幅より薄くするこ
とによって、レーザビーム領域に比べて励起領域が著し
く大きくなることを防いでいるために、レーザ発振のエ
ネルギー効率を高くすることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体励起固体レーザにおいては、基本ガウ
スモードの集光性の良いビームを得ようとして、固体レ
ーザ媒質4の厚みを共振器の基本ガウスモードのビーム
直径よりも薄くすると、固体レーザ媒質4の端面及び接
着層8がアパーチャとなるので、ロスが発生してレーザ
発振効率が悪くなる。一方、レーザ発振効率を高くしよ
うとして、固体レーザ媒質4の厚みを共振器の基本ガウ
スモードのビーム直径よりも厚くすると、次数の高いモ
ードが立ち基本ガウスモードの集光性の良いビームが得
られないという課題があった。
うな従来の半導体励起固体レーザにおいては、基本ガウ
スモードの集光性の良いビームを得ようとして、固体レ
ーザ媒質4の厚みを共振器の基本ガウスモードのビーム
直径よりも薄くすると、固体レーザ媒質4の端面及び接
着層8がアパーチャとなるので、ロスが発生してレーザ
発振効率が悪くなる。一方、レーザ発振効率を高くしよ
うとして、固体レーザ媒質4の厚みを共振器の基本ガウ
スモードのビーム直径よりも厚くすると、次数の高いモ
ードが立ち基本ガウスモードの集光性の良いビームが得
られないという課題があった。
【0007】本発明は係る課題を解決するためになされ
たもので、発振効率を低下させることなく、品質の良い
レーザビームを実現できる半導体励起固体レーザを提供
することを目的とする。
たもので、発振効率を低下させることなく、品質の良い
レーザビームを実現できる半導体励起固体レーザを提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体励起固体
レーザ装置においては、固体レーザ媒質における厚さ又
は幅、あるいは直径をレーザ共振器の基本ガウスモード
のビーム径より小さく形成するとともに、保持体を固体
レーザ媒質に密着接合したことを特徴とするものであ
る。
レーザ装置においては、固体レーザ媒質における厚さ又
は幅、あるいは直径をレーザ共振器の基本ガウスモード
のビーム径より小さく形成するとともに、保持体を固体
レーザ媒質に密着接合したことを特徴とするものであ
る。
【0009】また、この発明の半導体励起固体レーザ装
置は、固体レーザ媒質と保持体を光学的接着によって一
体化したことを特徴するものである。
置は、固体レーザ媒質と保持体を光学的接着によって一
体化したことを特徴するものである。
【0010】さらに、この発明の半導体励起固体レーザ
装置は、固体レーザ媒質あるいは保持体を蒸着により保
持体あるいは固体レーザ媒質に接合させたことを特徴と
するものである。
装置は、固体レーザ媒質あるいは保持体を蒸着により保
持体あるいは固体レーザ媒質に接合させたことを特徴と
するものである。
【0011】
【作用】本発明においては、固体レーザ媒質と保持体と
が密着接合されて一体化しているので、半導体レーザよ
り出射された励起光は、上記固体レーザ媒質と保持体の
界面で反射されることなく広がり、保持体の側面で反射
して固体レーザ媒質と保持体の中に閉じ込められること
になるため、固体レーザ媒質に効率よく吸収されること
となる。さらに、励起光の励起部分となる固体レーザ媒
質の幅又は厚みが、レーザ共振器の基本ガウスモードの
ビーム直径以下に構成されているので、基本ガウスモー
ドのみが効率良く励起されるため、品質の良いレーザ光
を発振することができる。
が密着接合されて一体化しているので、半導体レーザよ
り出射された励起光は、上記固体レーザ媒質と保持体の
界面で反射されることなく広がり、保持体の側面で反射
して固体レーザ媒質と保持体の中に閉じ込められること
になるため、固体レーザ媒質に効率よく吸収されること
となる。さらに、励起光の励起部分となる固体レーザ媒
質の幅又は厚みが、レーザ共振器の基本ガウスモードの
ビーム直径以下に構成されているので、基本ガウスモー
ドのみが効率良く励起されるため、品質の良いレーザ光
を発振することができる。
【0012】また、本発明の半導体励起固体レーザ装置
においては、固体レーザ媒質と保持体を接着剤を用いず
に光学的接着により一体化したので、固体レーザ媒質と
保持体の界面が均一になり、半導体レーザより出射され
た励起光及びレーザ光は、固体レーザ媒質と保持体の界
面で反射されたり、吸収されることなくレーザ発振に寄
与するために、効率の高いレーザ装置を実現することが
できる。
においては、固体レーザ媒質と保持体を接着剤を用いず
に光学的接着により一体化したので、固体レーザ媒質と
保持体の界面が均一になり、半導体レーザより出射され
た励起光及びレーザ光は、固体レーザ媒質と保持体の界
面で反射されたり、吸収されることなくレーザ発振に寄
与するために、効率の高いレーザ装置を実現することが
できる。
【0013】さらに、本発明の半導体励起固体レーザ装
置においては、固体レーザ媒質を保持体に、又は保持体
を固体レーザ媒質に蒸着によって一体化したので、さら
に効率の高いレーザ装置を実現することができる。
置においては、固体レーザ媒質を保持体に、又は保持体
を固体レーザ媒質に蒸着によって一体化したので、さら
に効率の高いレーザ装置を実現することができる。
【0014】
【実施例】実施例1.以下、本発明の一実施例である半
導体励起固体レーザ装置について説明する。図1
(a)、(b)は本発明の半導体励起固体レーザ装置を
示す縦断面図および横断面図である。図において、1は
半導体レーザ、2はこの半導体レーザ1を冷却するヒー
トシンク、3はこの半導体レーザより出射される励起光
である。4は半導体レーザ1に近接配置され、例えばN
d:YAG(Y3ーxNdxAl5O12)結晶からなり、レ
ーザ光5を出射させる固体レーザ媒質で、この固定レー
ザ媒質4のレーザ光の光軸に直交する面は、固体レーザ
共振器の基本ガウスモードのビーム直径以下の厚み及び
幅を有するように形成されている。6はレーザ光5を部
分反射する部分反射鏡で、7は固体レーザ媒質4の周囲
に密着一体化形成された保持体で、上記固体レーザ媒質
4と同程度の屈折率を有するとともに、励起光3及びレ
ーザ光5をほとんど吸収しない材料によって構成されて
おり、この実施例ではYAG結晶を用いている。なお、
この保持体7は組み立て易くするため4個の分割片7c
〜7dで構成されている。9はこの保持体7及び固体レ
ーザ媒質4の半導体レーザ1側のー端面に形成された第
1の選択性反射膜で、励起光3に対しては無反射でレー
ザ光に対しては全反射である。この第1の選択性反射膜
9と部分反射鏡6とによって安定型共振器を構成する。
10は保持体7及び固体レーザ媒質4との他端面に形成
された第2の選択性反射膜で、励起光3に対しては全反
射でレーザ光に対しては無反射である。11は上記保持
体7及びヒートシンク2及び部分反射鏡6を固定する基
台である。
導体励起固体レーザ装置について説明する。図1
(a)、(b)は本発明の半導体励起固体レーザ装置を
示す縦断面図および横断面図である。図において、1は
半導体レーザ、2はこの半導体レーザ1を冷却するヒー
トシンク、3はこの半導体レーザより出射される励起光
である。4は半導体レーザ1に近接配置され、例えばN
d:YAG(Y3ーxNdxAl5O12)結晶からなり、レ
ーザ光5を出射させる固体レーザ媒質で、この固定レー
ザ媒質4のレーザ光の光軸に直交する面は、固体レーザ
共振器の基本ガウスモードのビーム直径以下の厚み及び
幅を有するように形成されている。6はレーザ光5を部
分反射する部分反射鏡で、7は固体レーザ媒質4の周囲
に密着一体化形成された保持体で、上記固体レーザ媒質
4と同程度の屈折率を有するとともに、励起光3及びレ
ーザ光5をほとんど吸収しない材料によって構成されて
おり、この実施例ではYAG結晶を用いている。なお、
この保持体7は組み立て易くするため4個の分割片7c
〜7dで構成されている。9はこの保持体7及び固体レ
ーザ媒質4の半導体レーザ1側のー端面に形成された第
1の選択性反射膜で、励起光3に対しては無反射でレー
ザ光に対しては全反射である。この第1の選択性反射膜
9と部分反射鏡6とによって安定型共振器を構成する。
10は保持体7及び固体レーザ媒質4との他端面に形成
された第2の選択性反射膜で、励起光3に対しては全反
射でレーザ光に対しては無反射である。11は上記保持
体7及びヒートシンク2及び部分反射鏡6を固定する基
台である。
【0015】上記のように構成された半導体励起固体レ
ーザ装置においては、保持体7は組み立て易いように分
割されているが、この分割された保持体7の部品相互の
接触面及び保持体7と固体レーザ媒質4との接触面は精
度良く光学研磨され、密着させることにより光学的に接
着され、この保持体7とこの固体レーザ媒質4とは一体
化されている。この一体化された保持体7及び固体レー
ザ媒質4の一端面はレーザ共振器として必要な曲率に形
成されて研磨され、その後コーティングを施されること
によって、第1の選択性反射膜9が形成されている。一
方、この一体化された保持体7及び固体レーザ媒質4の
他端面も研磨されてコーティングを施され、第2の選択
性反射膜10が形成されている。
ーザ装置においては、保持体7は組み立て易いように分
割されているが、この分割された保持体7の部品相互の
接触面及び保持体7と固体レーザ媒質4との接触面は精
度良く光学研磨され、密着させることにより光学的に接
着され、この保持体7とこの固体レーザ媒質4とは一体
化されている。この一体化された保持体7及び固体レー
ザ媒質4の一端面はレーザ共振器として必要な曲率に形
成されて研磨され、その後コーティングを施されること
によって、第1の選択性反射膜9が形成されている。一
方、この一体化された保持体7及び固体レーザ媒質4の
他端面も研磨されてコーティングを施され、第2の選択
性反射膜10が形成されている。
【0016】また、図2はガウスモードの基本モード、
1次モード及び2次モードの強度分布図であって、縦軸
は強度、横軸は固体レーザ媒質4の中心からの距離を示
すものである。この図に示されるように、基本モードの
中心部の強度の1/e2になる幅が基本モードのビーム
直径である。
1次モード及び2次モードの強度分布図であって、縦軸
は強度、横軸は固体レーザ媒質4の中心からの距離を示
すものである。この図に示されるように、基本モードの
中心部の強度の1/e2になる幅が基本モードのビーム
直径である。
【0017】次に、図2に基づいて上記半導体励起固体
レーザ装置の動作について説明する。まず、半導体レー
ザ1より出射された励起光3は、固体レーザ媒質4の端
面より入射し、屈折率差に応じた発散角で伝搬しながら
固体レーザ媒質4に吸収される。励起光3のうち固体レ
ーザ媒質4の厚み及び幅より広がった部分は固体レーザ
媒質4と保持体7の界面で反射されることなく透過し、
保持体7の側面で全反射されて固体レーザ媒質4と保持
体7間に閉じ込められ、保持体7と固体レーザ媒質4内
で内部反射を繰り返して固体レーザ媒質4に吸収され
る。このとき、この固体レーザ媒質4の厚み及び幅は、
共振器の基本ガウスモードのビーム直径以下となるよう
に構成されているので、共振器内をビームが往復するう
ちに、図2に示されるガウスモードのうち基本ガウスモ
ードのみが効率良く励起されるとともに、基本ガウスモ
ードが指数的に増幅され、1次モード及び2次モードは
消滅する。その結果、基本ガウスモードのレーザ光5の
みが選択的に発振され、一定以上の大きさになると、部
分反射鏡6を透過して安定型共振器の外部に取り出さ
れ、品質の良いレーザビームが得られることになる。
レーザ装置の動作について説明する。まず、半導体レー
ザ1より出射された励起光3は、固体レーザ媒質4の端
面より入射し、屈折率差に応じた発散角で伝搬しながら
固体レーザ媒質4に吸収される。励起光3のうち固体レ
ーザ媒質4の厚み及び幅より広がった部分は固体レーザ
媒質4と保持体7の界面で反射されることなく透過し、
保持体7の側面で全反射されて固体レーザ媒質4と保持
体7間に閉じ込められ、保持体7と固体レーザ媒質4内
で内部反射を繰り返して固体レーザ媒質4に吸収され
る。このとき、この固体レーザ媒質4の厚み及び幅は、
共振器の基本ガウスモードのビーム直径以下となるよう
に構成されているので、共振器内をビームが往復するう
ちに、図2に示されるガウスモードのうち基本ガウスモ
ードのみが効率良く励起されるとともに、基本ガウスモ
ードが指数的に増幅され、1次モード及び2次モードは
消滅する。その結果、基本ガウスモードのレーザ光5の
みが選択的に発振され、一定以上の大きさになると、部
分反射鏡6を透過して安定型共振器の外部に取り出さ
れ、品質の良いレーザビームが得られることになる。
【0018】上記のように構成された半導体励起固体レ
ーザ装置においては、固体レーザ媒質4と保持体7が接
着層を介在させずに一体形成されているので、固体レー
ザ媒質4と保持体7との界面でのロスがない。また、保
持体7の端面にも第2の選択性反射膜10が形成されて
いるので、保持体7まで広がった励起光3をも反射させ
て再び固体レーザ媒質4内に戻すことによって、発振に
寄与させることができるため、発振効率を高めることが
できる。
ーザ装置においては、固体レーザ媒質4と保持体7が接
着層を介在させずに一体形成されているので、固体レー
ザ媒質4と保持体7との界面でのロスがない。また、保
持体7の端面にも第2の選択性反射膜10が形成されて
いるので、保持体7まで広がった励起光3をも反射させ
て再び固体レーザ媒質4内に戻すことによって、発振に
寄与させることができるため、発振効率を高めることが
できる。
【0019】実施例2.図3は本発明の実施例2である
半導体励起固体レーザ装置における横断面構成を示す図
である。この実施例においては、固体レーザ媒質4の断
面形状が固体レーザ共振器の基本ガウスモードのビーム
直径とほぼ同じ直径を有する円形状である。また、この
固体レーザ媒質4と保持体7とは接着剤を用いずに光学
的接着により、密着接合されている。
半導体励起固体レーザ装置における横断面構成を示す図
である。この実施例においては、固体レーザ媒質4の断
面形状が固体レーザ共振器の基本ガウスモードのビーム
直径とほぼ同じ直径を有する円形状である。また、この
固体レーザ媒質4と保持体7とは接着剤を用いずに光学
的接着により、密着接合されている。
【0020】次に、この実施例における半導体励起固体
レーザ装置の固体レーザ媒質4と保持体7の光学的接着
方法について説明する。まず、固体レーザ媒質4の直径
と保持体7の円形の穴を共振器の基本ガウスモードのビ
ーム径とほぼ同じに形成し、この固体レーザ媒質4の側
面及び保持体7の内側面を精度良く研磨する。次に、固
体レーザ媒質4を例えば液体窒素などによって冷却し、
この固体レーザ媒質4を収縮させて保持体7の穴の中に
挿入する。この固体レーザ媒質4が常温に戻るときに保
持体7の穴の中で再び膨張して保持体7に密着され、光
学的接着されることとなる。
レーザ装置の固体レーザ媒質4と保持体7の光学的接着
方法について説明する。まず、固体レーザ媒質4の直径
と保持体7の円形の穴を共振器の基本ガウスモードのビ
ーム径とほぼ同じに形成し、この固体レーザ媒質4の側
面及び保持体7の内側面を精度良く研磨する。次に、固
体レーザ媒質4を例えば液体窒素などによって冷却し、
この固体レーザ媒質4を収縮させて保持体7の穴の中に
挿入する。この固体レーザ媒質4が常温に戻るときに保
持体7の穴の中で再び膨張して保持体7に密着され、光
学的接着されることとなる。
【0021】このように構成された半導体励起固体レー
ザ装置においても、固体レーザ媒質4の直径がガウスモ
ードのビーム径より小さく形成されているので、実施例
1と同様に基本ガウスモードのみが選択的に励起され
て、品質の良いレーザビームが発振される。
ザ装置においても、固体レーザ媒質4の直径がガウスモ
ードのビーム径より小さく形成されているので、実施例
1と同様に基本ガウスモードのみが選択的に励起され
て、品質の良いレーザビームが発振される。
【0022】実施例3.図4は本発明の実施例3である
半導体励起固体レーザ装置の構成を示すものであって、
この半導体励起固体レーザ装置は、上記実施例1の半導
体励起固体レーザ装置における半導体レーザ1と固体レ
ーザ媒質4間にレンズ12を介在させたものである。こ
のように構成されたレーザ装置においては、半導体レー
ザ1より出射された励起光3の発散角をレンズ12で修
正し、固体レーザ媒質4及び保持体7の端面に入射させ
ることができるので、励起光3の発散角を最も励起効率
の良いものとすることができ、上記実施例1、2より高
出力化が図れるという効果を有する。
半導体励起固体レーザ装置の構成を示すものであって、
この半導体励起固体レーザ装置は、上記実施例1の半導
体励起固体レーザ装置における半導体レーザ1と固体レ
ーザ媒質4間にレンズ12を介在させたものである。こ
のように構成されたレーザ装置においては、半導体レー
ザ1より出射された励起光3の発散角をレンズ12で修
正し、固体レーザ媒質4及び保持体7の端面に入射させ
ることができるので、励起光3の発散角を最も励起効率
の良いものとすることができ、上記実施例1、2より高
出力化が図れるという効果を有する。
【0023】実施例4 図5は本発明の実施例4である半導体励起固体レーザ装
置の断面構成を示す図であり、本実施例の固体レーザ媒
質4は、共振器の基本ガウスモードのビーム直径より薄
い厚みの平板形状である。この固体レーザ媒質4は上下
より保持体7a、7bによって挟持されている。この保
持体7と上記固体レーザ媒質4との接触面は精度良く研
磨されており、これらを密着させることによって光学的
接着を図ることができ、固体レーザ媒質4と保持体7と
を一体化している。また、この実施例に用いられる半導
体レーザ1は、出射される励起光3の水平方向の広がり
幅が共振器の基本ガウスモードのビーム径より大きくな
らないものである。
置の断面構成を示す図であり、本実施例の固体レーザ媒
質4は、共振器の基本ガウスモードのビーム直径より薄
い厚みの平板形状である。この固体レーザ媒質4は上下
より保持体7a、7bによって挟持されている。この保
持体7と上記固体レーザ媒質4との接触面は精度良く研
磨されており、これらを密着させることによって光学的
接着を図ることができ、固体レーザ媒質4と保持体7と
を一体化している。また、この実施例に用いられる半導
体レーザ1は、出射される励起光3の水平方向の広がり
幅が共振器の基本ガウスモードのビーム径より大きくな
らないものである。
【0024】この実施例の半導体励起固体レーザ装置に
おいては、励起光3の水平方向の発散角は、共振器の基
本ガウスモードのビーム径より小さいので、水平方向の
固体レーザ媒質4の幅が大きくとも、基本ガウスモード
のみが励起されることとなる。また、実施例1と同様に
固体レーザ媒質4の垂直方向の厚みは、共振器の基本ガ
ウスモードのビーム直径より薄く形成してあるので、励
起光3の垂直方向の発散角が固体レーザ媒質4内におい
て共振器の基本ガウスモードのビーム直径よりも大きく
とも、基本ガウスモードのみが励起されることとなるの
で、品質の良いビームが効率良く発生できることとな
る。また、この実施例においては、保持体7の数が実施
例1より少なく、構造が簡単になるために、レーザ装置
の製造が簡単となり、安価に製造できるという効果を有
する。
おいては、励起光3の水平方向の発散角は、共振器の基
本ガウスモードのビーム径より小さいので、水平方向の
固体レーザ媒質4の幅が大きくとも、基本ガウスモード
のみが励起されることとなる。また、実施例1と同様に
固体レーザ媒質4の垂直方向の厚みは、共振器の基本ガ
ウスモードのビーム直径より薄く形成してあるので、励
起光3の垂直方向の発散角が固体レーザ媒質4内におい
て共振器の基本ガウスモードのビーム直径よりも大きく
とも、基本ガウスモードのみが励起されることとなるの
で、品質の良いビームが効率良く発生できることとな
る。また、この実施例においては、保持体7の数が実施
例1より少なく、構造が簡単になるために、レーザ装置
の製造が簡単となり、安価に製造できるという効果を有
する。
【0025】また、上記実施例においては、保持体7又
は固体レーザ媒質4の側面での励起光3の反射は保持体
7と外部との屈折率差による全反射を用いているが、励
起光3の発散角が大きく全反射条件が得にくい場合など
には、図6(a)、(b)に示されるように保持体7及
び固体レーザ媒質4の側面に反射膜13を設けることに
よって、固体レーザ媒質4内に内部反射させても良いこ
とは言うまでもない。
は固体レーザ媒質4の側面での励起光3の反射は保持体
7と外部との屈折率差による全反射を用いているが、励
起光3の発散角が大きく全反射条件が得にくい場合など
には、図6(a)、(b)に示されるように保持体7及
び固体レーザ媒質4の側面に反射膜13を設けることに
よって、固体レーザ媒質4内に内部反射させても良いこ
とは言うまでもない。
【0026】また、固体レーザ媒質4及び保持体7の形
状は、上記実施例のように矩形、円形、または平板形状
に限るものではなく、例えば多角形、楕円形などのどの
ような形状でも良いことは言うまでもない。
状は、上記実施例のように矩形、円形、または平板形状
に限るものではなく、例えば多角形、楕円形などのどの
ような形状でも良いことは言うまでもない。
【0027】実施例5.図7は本発明の実施例5である
半導体励起固体レーザ装置を示すものであり、図7
(a)は縦断面図、図7(b)は横断面図である。図に
おいて、14は固体レーザ媒質4及び保持体7の端面に
形成され、レーザ光5を全反射させる全反射膜、15は
保持体7の側面に形成され、励起光3を透過させる透過
膜である。
半導体励起固体レーザ装置を示すものであり、図7
(a)は縦断面図、図7(b)は横断面図である。図に
おいて、14は固体レーザ媒質4及び保持体7の端面に
形成され、レーザ光5を全反射させる全反射膜、15は
保持体7の側面に形成され、励起光3を透過させる透過
膜である。
【0028】この実施例の半導体励起固体レーザ装置
は、固体レーザ共振器の光軸と励起方向が直交するもの
であって、複数の半導体レーザ1がヒートシンク2にア
レイ状に配列されたアレイ型半導体レーザを用いられて
いる。このアレイ型半導体レーザ1は保持体の側面方向
より透過膜15を介して励起光3を固体レーザ媒質4内
に入射させる構造となっている。
は、固体レーザ共振器の光軸と励起方向が直交するもの
であって、複数の半導体レーザ1がヒートシンク2にア
レイ状に配列されたアレイ型半導体レーザを用いられて
いる。このアレイ型半導体レーザ1は保持体の側面方向
より透過膜15を介して励起光3を固体レーザ媒質4内
に入射させる構造となっている。
【0029】このように構成された半導体励起固体レー
ザ装置においても、固体レーザ媒質4はレーザ共振器の
基本ガウスモードのビーム直径より薄い厚み及び幅を有
する断面矩形としたので、ビーム品質がよく、高出力で
効率の高いレーザ装置を実現できるとともに、半導体レ
ーザ1を複数個用いることによって、さらに上記実施例
1〜4より高出力化が図れるという効果を有する。
ザ装置においても、固体レーザ媒質4はレーザ共振器の
基本ガウスモードのビーム直径より薄い厚み及び幅を有
する断面矩形としたので、ビーム品質がよく、高出力で
効率の高いレーザ装置を実現できるとともに、半導体レ
ーザ1を複数個用いることによって、さらに上記実施例
1〜4より高出力化が図れるという効果を有する。
【0030】実施例6.図8(a)及び(b)は実施例
5の変形例による固体レーザの横断面構成を示す図であ
る。このように固体レーザ媒質4の形状を平板状にする
と、固体レーザ媒質4を大きくできるため、さらに高出
力化が可能となる。さらに、構造が簡単になるために、
レーザ装置を安価に製造できるという効果を奏する。
5の変形例による固体レーザの横断面構成を示す図であ
る。このように固体レーザ媒質4の形状を平板状にする
と、固体レーザ媒質4を大きくできるため、さらに高出
力化が可能となる。さらに、構造が簡単になるために、
レーザ装置を安価に製造できるという効果を奏する。
【0031】実施例7.図9は本発明の実施例7である
半導体励起固体レーザ装置の要部側面図である。この実
施例においては、実施例5、6の半導体励起固体レーザ
装置における固体レーザ媒質4又は保持体7の側面に半
導体レーザ1から出射された励起光3が入射する部分に
のみ透過膜16を形成し、他の部分には反射膜15を形
成したものである。
半導体励起固体レーザ装置の要部側面図である。この実
施例においては、実施例5、6の半導体励起固体レーザ
装置における固体レーザ媒質4又は保持体7の側面に半
導体レーザ1から出射された励起光3が入射する部分に
のみ透過膜16を形成し、他の部分には反射膜15を形
成したものである。
【0032】このように構成することによって、半導体
レーザ1の励起光3が入射しない部分において、励起光
3が固体レーザ媒質4又は保持体7から外部への漏れる
ことを抑制できるので、さらに高出力化、高効率化が図
れる。
レーザ1の励起光3が入射しない部分において、励起光
3が固体レーザ媒質4又は保持体7から外部への漏れる
ことを抑制できるので、さらに高出力化、高効率化が図
れる。
【0033】また、上記実施例においては、固体レーザ
媒質4と保持体7の接着は光学的接着を用いたが、保持
体7に直接固体レーザ媒質4を蒸着してもよい。このよ
うに蒸着によって保持体7に直接固体レーザ媒質4を形
成することによって、保持体7と固体レーザ媒質4の界
面で励起光を反射されたり、吸収されることがないので
励起光を効率良く利用できる。また、固体レーザ媒質4
に保持体7を直接蒸着して形成してもよいことは言うま
でもない。
媒質4と保持体7の接着は光学的接着を用いたが、保持
体7に直接固体レーザ媒質4を蒸着してもよい。このよ
うに蒸着によって保持体7に直接固体レーザ媒質4を形
成することによって、保持体7と固体レーザ媒質4の界
面で励起光を反射されたり、吸収されることがないので
励起光を効率良く利用できる。また、固体レーザ媒質4
に保持体7を直接蒸着して形成してもよいことは言うま
でもない。
【0034】実施例8.図10は実施例8の半導体励起
固体レーザ装置を示す縦断面図であって、この実施例は
実施例1に示される半導体励起固体レーザ装置におい
て、固体レーザ媒質4及び保持体7の両端面に直接レー
ザ共振器を構成したものである。このように構成された
半導体励起固体レーザ装置においては、実施例1と同様
な効果が得られるとともに、レーザ共振器はきわめて簡
潔な構造になり、堅牢なものにできるという効果を有す
る。また、実施例2〜7においても固体レーザ媒質4と
保持体7の両端面に直接レーザ共振器を構成しても良い
ことは言うまでもない。
固体レーザ装置を示す縦断面図であって、この実施例は
実施例1に示される半導体励起固体レーザ装置におい
て、固体レーザ媒質4及び保持体7の両端面に直接レー
ザ共振器を構成したものである。このように構成された
半導体励起固体レーザ装置においては、実施例1と同様
な効果が得られるとともに、レーザ共振器はきわめて簡
潔な構造になり、堅牢なものにできるという効果を有す
る。また、実施例2〜7においても固体レーザ媒質4と
保持体7の両端面に直接レーザ共振器を構成しても良い
ことは言うまでもない。
【0035】実施例9.図11は、実施例9の半導体励
起固体レーザ装置を示すものであって、実施例1の半導
体励起固体レーザ装置におけるレーザ共振器内に例えば
KTP(KTiOPO4)結晶からなる非線形光学素子
17を挿入させたものである。このような半導体励起固
体レーザ装置においては、ビーム品質が良いため安定な
第2高調波が効率良く発生することができる。さらに、
実施例2〜7のレーザ共振器内に非線形光学素子17を
入れることによって同様の効果が得られることは言うま
でもない。
起固体レーザ装置を示すものであって、実施例1の半導
体励起固体レーザ装置におけるレーザ共振器内に例えば
KTP(KTiOPO4)結晶からなる非線形光学素子
17を挿入させたものである。このような半導体励起固
体レーザ装置においては、ビーム品質が良いため安定な
第2高調波が効率良く発生することができる。さらに、
実施例2〜7のレーザ共振器内に非線形光学素子17を
入れることによって同様の効果が得られることは言うま
でもない。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体励
起固体レーザ装置においては、基本ガウスモードのみを
効率良く励起させることができるために、ビーム品質が
良く、効率の高いレーザを出射することができるという
効果を有する。
起固体レーザ装置においては、基本ガウスモードのみを
効率良く励起させることができるために、ビーム品質が
良く、効率の高いレーザを出射することができるという
効果を有する。
【0037】また、本発明の半導体励起固体レーザ装置
においては、固体レーザ媒質と保持体とが光学的接着に
より一体化されているので、効率の高いレーザ光を出射
できる半導体励起固体レーザ装置を提供できるという効
果を有する。
においては、固体レーザ媒質と保持体とが光学的接着に
より一体化されているので、効率の高いレーザ光を出射
できる半導体励起固体レーザ装置を提供できるという効
果を有する。
【0038】また、他の発明の半導体励起固体レーザ装
置においては、固体レーザ媒質を保持体に、又は保持体
を固体レーザ媒質に蒸着することによって一体化されて
いるので、固体レーザ媒質と保持体の界面を均一とする
ことができるため、ビーム品質がよく、効率の高いレー
ザを出射できる半導体励起固体レーザ装置を提供できる
という効果がある。
置においては、固体レーザ媒質を保持体に、又は保持体
を固体レーザ媒質に蒸着することによって一体化されて
いるので、固体レーザ媒質と保持体の界面を均一とする
ことができるため、ビーム品質がよく、効率の高いレー
ザを出射できる半導体励起固体レーザ装置を提供できる
という効果がある。
【図1】本発明の実施例1である半導体励起固体レーザ
装置を示す縦断面図及び横断図である。
装置を示す縦断面図及び横断図である。
【図2】半導体励起固体レーザ装置におけるレーザ光の
強度分布を示す特性図である。
強度分布を示す特性図である。
【図3】本発明の実施例2である半導体励起固体レーザ
装置を示す横断面図である。
装置を示す横断面図である。
【図4】本発明の実施例3である半導体励起固体レーザ
装置を示す縦断面図である。
装置を示す縦断面図である。
【図5】本発明の実施例4である半導体励起固体レーザ
装置を示す横断面図である。
装置を示す横断面図である。
【図6】本発明の実施例4である半導体励起固体レーザ
装置を示す横断面図である。
装置を示す横断面図である。
【図7】本発明の実施例5である半導体励起固体レーザ
装置を示す縦断面図及び横断面図である。
装置を示す縦断面図及び横断面図である。
【図8】本発明の実施例6である半導体励起固体レーザ
装置を示す横断面図である。
装置を示す横断面図である。
【図9】本発明の実施例7である半導体励起固体レーザ
装置を示す要部側面図である。
装置を示す要部側面図である。
【図10】本発明の実施例8である半導体励起固体レー
ザ装置を示す縦断面図である。
ザ装置を示す縦断面図である。
【図11】本発明の実施例9である半導体励起固体レー
ザ装置を示す縦断面図である。
ザ装置を示す縦断面図である。
【図12】従来の半導体励起固体レーザを示す縦断面図
及び横断面図である。
及び横断面図である。
1 半導体レーザ 3 励起光 4 固体レーザ媒質 5 レーザ光 6 レーザ共振器 7 保持体 9 レーザ共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/094 3/098 8934−4M 8934−4M H01S 3/094 S
Claims (3)
- 【請求項1】 励起光を発生させる半導体レーザと、こ
の半導体レーザにおける励起光が入射される固体レーザ
媒質と、この固体レーザ媒質の周囲に設けられ、この固
体レーザ媒質とほぼ同様の屈折率を有する保持体と、こ
の固体レーザ媒質を介して配置され、レーザ光を出射さ
せるレーザ共振器とを備え、上記固体レーザ媒質におけ
る厚さ又は幅、あるいは直径を上記レーザ共振器の基本
ガウスモードのビーム径より小さく形成するとともに、
上記保持体を上記固体レーザ媒質に密着接合したことを
特徴とする半導体励起固体レーザ装置。 - 【請求項2】 固体レーザ媒質と保持体を光学的接着に
よって一体化したことを特徴する請求項第1項記載の半
導体励起固体レーザ装置。 - 【請求項3】 固体レーザ媒質あるいは保持体を蒸着に
より保持体あるいは固体レーザ媒質に接合させたことを
特徴とする請求項第1項記載の半導体励起固体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4066049A JP3052546B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4066049A JP3052546B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体励起固体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05267750A true JPH05267750A (ja) | 1993-10-15 |
JP3052546B2 JP3052546B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=13304633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4066049A Expired - Fee Related JP3052546B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3052546B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07321394A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Nec Corp | 固体レーザ用結晶 |
FR2818814A1 (fr) * | 2000-12-26 | 2002-06-28 | Cilas | Source laser |
US7158546B2 (en) | 2002-02-27 | 2007-01-02 | Nec Corporation | Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith |
US10056730B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-08-21 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | Selective amplifier |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP4066049A patent/JP3052546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07321394A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Nec Corp | 固体レーザ用結晶 |
FR2818814A1 (fr) * | 2000-12-26 | 2002-06-28 | Cilas | Source laser |
EP1220386A1 (fr) * | 2000-12-26 | 2002-07-03 | Compagnie Industrielle Des Lasers Cilas | Source laser |
US6608851B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-08-19 | Compagnie Industrielle Des Lasers Cilas | Laser source |
US7158546B2 (en) | 2002-02-27 | 2007-01-02 | Nec Corporation | Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith |
US7496125B2 (en) | 2002-02-27 | 2009-02-24 | Konoshima Chemical Co. Ltd. | Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith |
US10056730B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-08-21 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | Selective amplifier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3052546B2 (ja) | 2000-06-12 |
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