JPH05267241A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05267241A JPH05267241A JP6193492A JP6193492A JPH05267241A JP H05267241 A JPH05267241 A JP H05267241A JP 6193492 A JP6193492 A JP 6193492A JP 6193492 A JP6193492 A JP 6193492A JP H05267241 A JPH05267241 A JP H05267241A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍ
ｏ）のドライエッチング方法に関し，粗密の少ない均一
なプラズマを生成できるようにしてエッチングのウエハ
面内分布を小さくすると共に，ウエハの大口径化に対応
できるようにする。 【構成】 真空中でプラズマを発生させて，低温に保た
れた試料をドライエッチングするエッチング装置を用い
る。（１）反応ガスとしてＮＦ3 を用い，Ａｒ，Ｈｅ，
またはＮｅを添加する。添加ガスの体積比率は２０〜７
０％とする。（２）反応ガスとしてＳＦ6 を用い，Ｎ2
ガスを添加する。添加ガスの体積比率は３０〜５０％と
する。（３）エッチング装置を平行平板型の反応性イオ
ンエッチング装置とする。（４）試料を−２０℃以下の
低温に保つ。（５）エッチング装置へのガスの導入方法
として，多数の小孔が設けられたガス拡散板を用いて，
装置内へのガスの導入を均一にする。
ｏ）のドライエッチング方法に関し，粗密の少ない均一
なプラズマを生成できるようにしてエッチングのウエハ
面内分布を小さくすると共に，ウエハの大口径化に対応
できるようにする。 【構成】 真空中でプラズマを発生させて，低温に保た
れた試料をドライエッチングするエッチング装置を用い
る。（１）反応ガスとしてＮＦ3 を用い，Ａｒ，Ｈｅ，
またはＮｅを添加する。添加ガスの体積比率は２０〜７
０％とする。（２）反応ガスとしてＳＦ6 を用い，Ｎ2
ガスを添加する。添加ガスの体積比率は３０〜５０％と
する。（３）エッチング装置を平行平板型の反応性イオ
ンエッチング装置とする。（４）試料を−２０℃以下の
低温に保つ。（５）エッチング装置へのガスの導入方法
として，多数の小孔が設けられたガス拡散板を用いて，
装置内へのガスの導入を均一にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置の製造方
法，特にタングステンまたはモリブデンのドライエッチ
ング方法に関する。
法，特にタングステンまたはモリブデンのドライエッチ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，タングステン（Ｗ）あるいはモリ
ブデン（Ｍｏ）をエッチングする場合，エッチング後の
形状を垂直にするために，低温下で，ＮＦ3 ガス単独ま
たはＳＦ6 ガス単独でドライエッチングを行っていた。
ブデン（Ｍｏ）をエッチングする場合，エッチング後の
形状を垂直にするために，低温下で，ＮＦ3 ガス単独ま
たはＳＦ6 ガス単独でドライエッチングを行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では，反応
ガスであるＮＦ3 またはＳＦ6 のプラズマに粗密の偏り
が大きく，エッチング後のウエハ面内分布は均一になら
なかった。その結果，ウエハ面内で寸法シフトのバラツ
キが生じ，ＬＳＩ製造において，製造歩留まりの低下を
引き起こす，という問題があった。
ガスであるＮＦ3 またはＳＦ6 のプラズマに粗密の偏り
が大きく，エッチング後のウエハ面内分布は均一になら
なかった。その結果，ウエハ面内で寸法シフトのバラツ
キが生じ，ＬＳＩ製造において，製造歩留まりの低下を
引き起こす，という問題があった。
【０００４】エッチングのウエハ面内分布は，ＬＳＩ製
造技術において非常に重要であり，製造歩留まりに大き
く係わっている。また，ＬＳＩ製造におけるウエハの大
口径化に伴い，エッチングのウエハ面内分布の改善が求
められている。
造技術において非常に重要であり，製造歩留まりに大き
く係わっている。また，ＬＳＩ製造におけるウエハの大
口径化に伴い，エッチングのウエハ面内分布の改善が求
められている。
【０００５】本発明は，上記の問題点を解決して，粗密
の少ない均一なプラズマを生成できるようにして，エッ
チングのウエハ面内分布を小さくすると共に，ウエハの
大口径化に対応できるようにした，半導体装置の製造方
法，特にタングステンまたはモリブデンのドライエッチ
ング方法を提供することを目的とする。
の少ない均一なプラズマを生成できるようにして，エッ
チングのウエハ面内分布を小さくすると共に，ウエハの
大口径化に対応できるようにした，半導体装置の製造方
法，特にタングステンまたはモリブデンのドライエッチ
ング方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明に係る半導体装置の製造方法は，次のよう
に構成する。
めに，本発明に係る半導体装置の製造方法は，次のよう
に構成する。
【０００７】（１）真空中でプラズマを発生させて，低
温に保たれた試料をドライエッチングするエッチング装
置を用いて，タングステンまたはモリブデンをドライエ
ッチングする方法であって，反応ガスとしてＮＦ3 を用
い，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅを添加するように構成す
る。
温に保たれた試料をドライエッチングするエッチング装
置を用いて，タングステンまたはモリブデンをドライエ
ッチングする方法であって，反応ガスとしてＮＦ3 を用
い，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅを添加するように構成す
る。
【０００８】（２）前記（１）において，添加ガスの体
積比率を２０〜７０％とするように構成する。 （３）真空中でプラズマを発生させて，低温に保たれた
試料をドライエッチングするエッチング装置を用いて，
タングステンまたはモリブデンをドライエッチングする
方法であって，反応ガスとしてＳＦ6 を用い，Ｎ2 ガス
を添加するように構成する。
積比率を２０〜７０％とするように構成する。 （３）真空中でプラズマを発生させて，低温に保たれた
試料をドライエッチングするエッチング装置を用いて，
タングステンまたはモリブデンをドライエッチングする
方法であって，反応ガスとしてＳＦ6 を用い，Ｎ2 ガス
を添加するように構成する。
【０００９】（４）前記（３）において，添加ガスの体
積比率を３０〜５０％とするように構成する。 （５）前記（１）〜（４）のうちの１つにおいて，エッ
チング装置が平行平板型の反応性イオンエッチング装置
であるように構成する。
積比率を３０〜５０％とするように構成する。 （５）前記（１）〜（４）のうちの１つにおいて，エッ
チング装置が平行平板型の反応性イオンエッチング装置
であるように構成する。
【００１０】（６）前記（１）〜（５）のうちの１つに
おいて，試料を−２０℃以下の低温に保つように構成す
る。 （７）前記（１）〜（６）のうちの１つにおいて，エッ
チング装置へのガスの導入方法として，多数の小孔が設
けられたガス拡散板を用いて，装置内へのガスの導入を
均一にするように構成する。
おいて，試料を−２０℃以下の低温に保つように構成す
る。 （７）前記（１）〜（６）のうちの１つにおいて，エッ
チング装置へのガスの導入方法として，多数の小孔が設
けられたガス拡散板を用いて，装置内へのガスの導入を
均一にするように構成する。
【００１１】
【作用】本発明では，真空中でプラズマを発生させて，
低温に保たれた試料をドライエッチングするエッチング
装置を用いて，タングステン（Ｗ）またはモリブデン
（Ｍｏ）をドライエッチングする際に， （１）反応ガスのＮＦ3 に，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅを
添加する，または， （２）反応ガスのＳＦ6 に，Ｎ2 ガスを添加する，よう
にしている。
低温に保たれた試料をドライエッチングするエッチング
装置を用いて，タングステン（Ｗ）またはモリブデン
（Ｍｏ）をドライエッチングする際に， （１）反応ガスのＮＦ3 に，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅを
添加する，または， （２）反応ガスのＳＦ6 に，Ｎ2 ガスを添加する，よう
にしている。
【００１２】その結果，従来のように，ＮＦ3 ガス単独
またはＳＦ6 ガス単独の場合に比べて，粗密の少ない均
一なプラズマを生成することが可能になった。プラズマ
の分布が良好になったことにより，タングステン（Ｗ）
またはモリブデン（Ｍｏ）のエッチングのウエハ面内分
布を均一にすることができる。
またはＳＦ6 ガス単独の場合に比べて，粗密の少ない均
一なプラズマを生成することが可能になった。プラズマ
の分布が良好になったことにより，タングステン（Ｗ）
またはモリブデン（Ｍｏ）のエッチングのウエハ面内分
布を均一にすることができる。
【００１３】また，試料を−２０℃以下の低温に保つこ
とにより，タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍ
ｏ）のサイドエッチングを防止することが可能になる。
さらに，エッチング装置へのガスの導入方法として，多
数の小孔が設けられたガス拡散板を用いて，装置内への
ガスの導入を均一にすることにより，発生するプラズマ
も均一性を増すので，タングステン（Ｗ）またはモリブ
デン（Ｍｏ）のエッチングのウエハ面内分布をより均一
にすることができる。
とにより，タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍ
ｏ）のサイドエッチングを防止することが可能になる。
さらに，エッチング装置へのガスの導入方法として，多
数の小孔が設けられたガス拡散板を用いて，装置内への
ガスの導入を均一にすることにより，発生するプラズマ
も均一性を増すので，タングステン（Ｗ）またはモリブ
デン（Ｍｏ）のエッチングのウエハ面内分布をより均一
にすることができる。
【００１４】
【実施例】図１に，本発明を実施する際に用いた低温エ
ッチング装置の反応室の概略図を示す。
ッチング装置の反応室の概略図を示す。
【００１５】図中，１は電極，２は静電チャック，３は
ウエハ，４は対向電極，５は石英カバー，６は保温材，
７はＲＦ電源，８はマッチング・ネットワーク，９は静
電チャック用ＤＣ電源，１０はガス拡散板である。
ウエハ，４は対向電極，５は石英カバー，６は保温材，
７はＲＦ電源，８はマッチング・ネットワーク，９は静
電チャック用ＤＣ電源，１０はガス拡散板である。
【００１６】図１に示す装置は，平行平板型ＲＩＥ装置
であり，電極１に冷媒を流すことにより，ウエハ３を冷
却する方式の低温エッチング装置である。ウエハ５は，
静電チャック２に静電吸着力によって吸着されている。
ウエハ３の裏面にはＨｅを流入させて，放熱効率を良好
にしている。また，保温材６を敷き詰めることにより，
冷却特性を向上させると共に，Ｎ2 パージにより，水分
が生じないように配慮している。
であり，電極１に冷媒を流すことにより，ウエハ３を冷
却する方式の低温エッチング装置である。ウエハ５は，
静電チャック２に静電吸着力によって吸着されている。
ウエハ３の裏面にはＨｅを流入させて，放熱効率を良好
にしている。また，保温材６を敷き詰めることにより，
冷却特性を向上させると共に，Ｎ2 パージにより，水分
が生じないように配慮している。
【００１７】ガス拡散板１０として，図２に示すものを
用いた。すなわち，図２（ａ）に示す，円板の中央にガ
ス導入口が設けられた石英板，および図２（ｂ）に示
す，アルミニウム（Ａｌ）の円板に多数の小孔（径２ｍ
ｍ）が設けられたＡｌ拡散板である。
用いた。すなわち，図２（ａ）に示す，円板の中央にガ
ス導入口が設けられた石英板，および図２（ｂ）に示
す，アルミニウム（Ａｌ）の円板に多数の小孔（径２ｍ
ｍ）が設けられたＡｌ拡散板である。
【００１８】〔実施例１〕図１の装置を用いて，本発明
の方法に基づいて，タングステン（Ｗ）のドライエッチ
ングを行った。
の方法に基づいて，タングステン（Ｗ）のドライエッチ
ングを行った。
【００１９】試料は，図３に示すように，ＴｉＮ／Ｔｉ
／ＢＰＳＧから成る下地の上にタングステン（Ｗ）が堆
積されており，表面にレジストパターンが形成されたも
のである。
／ＢＰＳＧから成る下地の上にタングステン（Ｗ）が堆
積されており，表面にレジストパターンが形成されたも
のである。
【００２０】以下に，エッチング条件を示す。 圧力 ：０．２Ｔｏｒｒ ＲＦパワー ：１７５Ｗ 電極温度 ：−４０℃ ガス ：（１）ＮＦ3 ３００ｃｃ／ｍｉｎ ：（２）ＮＦ3 １５０ｃｃ／ｍｉｎ Ａｒ １５０ｃｃ／ｍｉｎ ：（３）ＮＦ3 １５０ｃｃ／ｍｉｎ Ｈｅ １５０ｃｃ／ｍｉｎ ：（４）ＮＦ3 １５０ｃｃ／ｍｉｎ Ｎｅ １５０ｃｃ／ｍｉｎ ガス導入口 ：（ａ）石英板 ：（ｂ）Ａｌ拡散板 ただし，反応に用いたガスは，（１）が従来のエッチン
グ方法で用いられていたガスであり，（２），（３），
および（４）が本発明によるガスである。
グ方法で用いられていたガスであり，（２），（３），
および（４）が本発明によるガスである。
【００２１】以下に，エッチングの結果を示す。 （ａ）ガス導入口に石英板を用いた場合 （１）ＮＦ3 ガス単独 エッチング速度：３１００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±３５．４％ （２）ＮＦ3 ＋Ａｒ エッチング速度：３２００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±７．１％ （３）ＮＦ3 ＋Ｈｅ エッチング速度：３６００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±７．４％ （４）ＮＦ3 ＋Ｎｅ エッチング速度：３４００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±７．６％ （ｂ）ガス導入口にＡｌ拡散板を用いた場合 （１）ＮＦ3 ガス単独 エッチング速度：４１００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±２３．８％ （２）ＮＦ3 ＋Ａｒ エッチング速度：３２００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±２．３％ （３）ＮＦ3 ＋Ｈｅ エッチング速度：４２００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±４．０％ （４）ＮＦ3 ＋Ｎｅ エッチング速度：３６００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±４．４％ 以上の結果から，従来のエッチング方法では，エッチン
グ後のウエハ面内分布は，（ａ）−（１）で±３５％台
となり，（ｂ）−（１）でも２３％台と非常に悪い。
グ後のウエハ面内分布は，（ａ）−（１）で±３５％台
となり，（ｂ）−（１）でも２３％台と非常に悪い。
【００２２】本発明のエッチング方法では，エッチング
後のウエハ面内分布は，（ａ）−（２），（ａ）−
（３），および（ａ）−（４）で７％台となり，従来の
エッチング方法に比べて格段に向上しているのがわか
る。
後のウエハ面内分布は，（ａ）−（２），（ａ）−
（３），および（ａ）−（４）で７％台となり，従来の
エッチング方法に比べて格段に向上しているのがわか
る。
【００２３】さらに，ガス導入口にＡｌ拡散板を用いた
場合，本発明のエッチング方法では，エッチング後のウ
エハ面内分布は，（ｂ）−（３）および（ｂ）−（４）
で４％台，（ｂ）−（２）で２％台となり，より向上し
ているのがわかる。
場合，本発明のエッチング方法では，エッチング後のウ
エハ面内分布は，（ｂ）−（３）および（ｂ）−（４）
で４％台，（ｂ）−（２）で２％台となり，より向上し
ているのがわかる。
【００２４】また，エッチング形状は，添加ガスがある
場合と無い場合とでほとんど変化は無かった。すなわ
ち，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅの添加による，サイドエッ
チングなどのエッチング形状への影響はほとんど無かっ
た。
場合と無い場合とでほとんど変化は無かった。すなわ
ち，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅの添加による，サイドエッ
チングなどのエッチング形状への影響はほとんど無かっ
た。
【００２５】モリブデン（Ｍｏ）についても，タングス
テン（Ｗ）と同様の結果が得られた 。 〔実施例２〕図１の装置を用いて，本発明の方法に
基づき，実施例１とは別の条件で，タングステン（Ｗ）
のドライエッチングを行った。
テン（Ｗ）と同様の結果が得られた 。 〔実施例２〕図１の装置を用いて，本発明の方法に
基づき，実施例１とは別の条件で，タングステン（Ｗ）
のドライエッチングを行った。
【００２６】試料は，図３に示すように，ＴｉＮ／Ｔｉ
／ＢＰＳＧから成る下地の上にタングステン（Ｗ）が堆
積されており，表面にレジストパターンが形成されたも
のである。
／ＢＰＳＧから成る下地の上にタングステン（Ｗ）が堆
積されており，表面にレジストパターンが形成されたも
のである。
【００２７】以下に，エッチング条件を示す。 圧力 ：０．２Ｔｏｒｒ ＲＦパワー ：１７５Ｗ 電極温度 ：−４０℃ ガス ：（１）ＳＦ6 ３００ｃｃ／ｍｉｎ ：（２）ＳＦ1 １００ｃｃ／ｍｉｎ Ｎ2 ２００ｃｃ／ｍｉｎ ガス導入口 ：（ａ）石英板 ：（ｂ）Ａｌ拡散板 ただし，反応に用いたガスは，（１）が従来のエッチン
グ方法で用いられていたガスであり，（２）が本発明に
よるガスである。
グ方法で用いられていたガスであり，（２）が本発明に
よるガスである。
【００２８】以下に，エッチングの結果を示す。 （ａ）ガス導入口に石英板を用いた場合 （１）ＳＦ6 ガス単独 エッチング速度：１５００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±２３．１％ （２）ＳＦ6 ＋Ｎ2 エッチング速度：１５００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±８．０％ （ｂ）ガス導入口にＡｌ拡散板を用いた場合 （１）ＳＦ6 ガス単独 エッチング速度：２４００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±８．３％ （２）ＳＦ6 ＋Ｎ2 エッチング速度：１８００Å／ｍｉｎ ウエハ面内分布：±４．３％ 以上の結果から，従来のエッチング方法では，エッチン
グ後のウエハ面内分布は，（ａ）−（１）で±２３％台
となり非常に悪く，（ｂ）−（１）でも８％台とかなり
悪い。
グ後のウエハ面内分布は，（ａ）−（１）で±２３％台
となり非常に悪く，（ｂ）−（１）でも８％台とかなり
悪い。
【００２９】本発明のエッチング方法では，エッチング
後のウエハ面内分布は，（ａ）−（２）で８．０％とな
り，従来のエッチング方法に比べて向上しているのがわ
かる。
後のウエハ面内分布は，（ａ）−（２）で８．０％とな
り，従来のエッチング方法に比べて向上しているのがわ
かる。
【００３０】さらに，ガス導入口にＡｌ拡散板を用いた
場合，本発明のエッチング方法では，エッチング後のウ
エハ面内分布は，（ｂ）−（２）で４％台となり，より
向上しているのがわかる。エッチング速度も速くなって
いる。
場合，本発明のエッチング方法では，エッチング後のウ
エハ面内分布は，（ｂ）−（２）で４％台となり，より
向上しているのがわかる。エッチング速度も速くなって
いる。
【００３１】また，エッチング形状は，添加ガスがある
場合と無い場合とでほとんど変化は無かった。すなわ
ち，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅの添加による，サイドエッ
チングなどのエッチング形状への影響はほとんど無かっ
た。
場合と無い場合とでほとんど変化は無かった。すなわ
ち，Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅの添加による，サイドエッ
チングなどのエッチング形状への影響はほとんど無かっ
た。
【００３２】下地の状態は，ＳＦ6 ガス単独の場合に
は，残留物が残るが，ＳＦ6 ＋Ｎ2 の場合には，残留物
が取れて無くなっているのが観察された。モリブデン
（Ｍｏ）についても，タングステン（Ｗ）と同様の結果
が得られた。
は，残留物が残るが，ＳＦ6 ＋Ｎ2 の場合には，残留物
が取れて無くなっているのが観察された。モリブデン
（Ｍｏ）についても，タングステン（Ｗ）と同様の結果
が得られた。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば，タングステン（Ｗ）あ
るいはモリブデン（Ｍｏ）のドライエッチングにおい
て，粗密の少ない均一なプラズマを生成することができ
るようになるので，エッチングのウエハ面内分布を小さ
くすることが可能になる。
るいはモリブデン（Ｍｏ）のドライエッチングにおい
て，粗密の少ない均一なプラズマを生成することができ
るようになるので，エッチングのウエハ面内分布を小さ
くすることが可能になる。
【００３４】その結果，半導体集積回路装置の製造歩留
まりを向上させることができる。また，プラズマが均一
になることにより，ウエハの大口径化に対応することが
できる。
まりを向上させることができる。また，プラズマが均一
になることにより，ウエハの大口径化に対応することが
できる。
【００３５】したがって，本発明は，半導体集積回路装
置の製造技術の発展に寄与するところが大きい。
置の製造技術の発展に寄与するところが大きい。
【図１】低温エッチング装置の反応室の概略図である。
【図２】ガス拡散板の例を示す図である。
【図３】エッチング試料の例を示す図である。
Claims (7)
- 【請求項１】 真空中でプラズマを発生させて，低温に
保たれた試料をドライエッチングするエッチング装置を
用いて，タングステンまたはモリブデンをドライエッチ
ングする方法であって，反応ガスとしてＮＦ3 を用い，
Ａｒ，Ｈｅ，またはＮｅを添加することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において，添加ガスの体積比率
を２０〜７０％とすることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】 真空中でプラズマを発生させて，低温に
保たれた試料をドライエッチングするエッチング装置を
用いて，タングステンまたはモリブデンをドライエッチ
ングする方法であって，反応ガスとしてＳＦ6 を用い，
Ｎ2 ガスを添加することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 請求項３において，添加ガスの体積比率
を３０〜５０％とすることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のうちの１項において，エ
ッチング装置が平行平板型の反応性イオンエッチング装
置であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のうちの１項において，試
料を−２０℃以下の低温に保つことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のうちの１項において，エ
ッチング装置へのガスの導入方法として，多数の小孔が
設けられたガス拡散板を用いて，装置内へのガスの導入
を均一にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6193492A JPH05267241A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6193492A JPH05267241A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267241A true JPH05267241A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13185508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6193492A Pending JPH05267241A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009505385A (ja) * | 2005-08-08 | 2009-02-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 相互接続コンタクトのドライ・エッチバック |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP6193492A patent/JPH05267241A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009505385A (ja) * | 2005-08-08 | 2009-02-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 相互接続コンタクトのドライ・エッチバック |
| JP4742147B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2011-08-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 相互接続コンタクトのドライ・エッチバック |
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