JPH05266490A - 光ディスク記憶装置のセクタ設定方式 - Google Patents
光ディスク記憶装置のセクタ設定方式Info
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- JPH05266490A JPH05266490A JP6540592A JP6540592A JPH05266490A JP H05266490 A JPH05266490 A JP H05266490A JP 6540592 A JP6540592 A JP 6540592A JP 6540592 A JP6540592 A JP 6540592A JP H05266490 A JPH05266490 A JP H05266490A
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- optical disk
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光ディスクの相変化形等の媒体がデータ書き込
み時の高電力レベルのレーザ光から受ける熱サイクルに
より劣化しても直ちには読み書き不能にならないように
して光ディスクの寿命を延ばす。 【構成】光ディスクのトラック１内に設定するセクタＳ
の記憶データ部DTの先頭部と末尾部に１〜３バイト分程
度のごく短いダミー部DYをそれぞれ設定し、データ書き
込み時に記憶データ部DTの記録媒体に与える高い電力レ
ベルP1やP2のレーザ光による熱応力σがその先頭部と末
尾部に置かれたダミー部DYに集中してその記録媒体が劣
化しても記憶データ部DTの本体部に記録される本来のデ
ータの読み書きに支障が出ないようにする。
み時の高電力レベルのレーザ光から受ける熱サイクルに
より劣化しても直ちには読み書き不能にならないように
して光ディスクの寿命を延ばす。 【構成】光ディスクのトラック１内に設定するセクタＳ
の記憶データ部DTの先頭部と末尾部に１〜３バイト分程
度のごく短いダミー部DYをそれぞれ設定し、データ書き
込み時に記憶データ部DTの記録媒体に与える高い電力レ
ベルP1やP2のレーザ光による熱応力σがその先頭部と末
尾部に置かれたダミー部DYに集中してその記録媒体が劣
化しても記憶データ部DTの本体部に記録される本来のデ
ータの読み書きに支障が出ないようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデータ読み書き用のレー
ザ光電力のレベルが書き込み時と読み取り時とで切り換
えられる光磁気や相変化方式の光ディスク記憶装置の光
ディスク内にデータ記憶用のセクタを設定する方式に関
する。
ザ光電力のレベルが書き込み時と読み取り時とで切り換
えられる光磁気や相変化方式の光ディスク記憶装置の光
ディスク内にデータ記憶用のセクタを設定する方式に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの記録媒体にカルコゲン系薄
膜等を用いる光ディスク記憶装置は、磁気ディスク記憶
装置と同様に記憶データの書き換えが可能でしかも記憶
容量を１〜２桁程度大きくできる特長があり、計算機等
の大容量の外部記憶装置として将来性を属望されてい
る。周知のようにこれには大別して光磁気形と相変化形
があるが、いずれもデータの読み書きにレーザ光を用
い、データの書き込みか読み取りかに応じてレーザ光の
電力レベルが切り換えられる。以下、図２を参照してこ
の様子を相変化形の場合について簡単に説明する。
膜等を用いる光ディスク記憶装置は、磁気ディスク記憶
装置と同様に記憶データの書き換えが可能でしかも記憶
容量を１〜２桁程度大きくできる特長があり、計算機等
の大容量の外部記憶装置として将来性を属望されてい
る。周知のようにこれには大別して光磁気形と相変化形
があるが、いずれもデータの読み書きにレーザ光を用
い、データの書き込みか読み取りかに応じてレーザ光の
電力レベルが切り換えられる。以下、図２を参照してこ
の様子を相変化形の場合について簡単に説明する。
【０００３】図２(a) は光ディスク内のトラック１にデ
ータ記憶用のセクタＳが設定された状態を簡略に示す。
よく知られているように、光ディスクではこのトラック
１はディスク面に付けられた溝によりスパイラル状に設
定され、その所々にいわゆるプリフォーマットPFが凹凸
パターンであらかじめ施されているので、セクタＳは図
のようにプリフォーマットPFの相互間に設定される。こ
のセクタＳは図示の例ではプリフォーマットPFの相互間
の記録媒体にフォーマッティングデータを書き込むこと
により設定され、セクタ番号等を含む照合データ部IDと
エラーコードを含めたデータが記憶される記憶データ部
DTとからなり、ギャップＧが例えば記憶データ部DTの後
に設けられる。
ータ記憶用のセクタＳが設定された状態を簡略に示す。
よく知られているように、光ディスクではこのトラック
１はディスク面に付けられた溝によりスパイラル状に設
定され、その所々にいわゆるプリフォーマットPFが凹凸
パターンであらかじめ施されているので、セクタＳは図
のようにプリフォーマットPFの相互間に設定される。こ
のセクタＳは図示の例ではプリフォーマットPFの相互間
の記録媒体にフォーマッティングデータを書き込むこと
により設定され、セクタ番号等を含む照合データ部IDと
エラーコードを含めたデータが記憶される記憶データ部
DTとからなり、ギャップＧが例えば記憶データ部DTの後
に設けられる。
【０００４】図２(b) はこのようにプリフォーマットと
フォーマットが施されたトラック１のセクタＳにデータ
を書き込む際に光ディスクに与えるレーザ光電力LPを示
す。データ書き込み時でもプリフォーマットPFとこの例
では照合データ部IDの内容を読み取る必要があるので、
その間にはレーザ光電力LPが１mW程度の低い読み取り電
力P0にされる。記憶データ部DTではレーザ光電力LPのレ
ベルが上げられ、書き込むべきデータのコードパターン
に応じて例えば９mWと15mWに切り換わる２個の書き込み
電力P1とP2が与えられる。光ディスクの記録媒体はこの
書き込み電力のレーザ光により加熱され、相変化形の媒
体では低電力P1のとき高反射率の結晶質になり、高電力
P2のとき低反射率の非晶質になるので、読み取り電力P0
のレーザ光を与えた時の反射率の差から記憶データを読
み取ることができる。
フォーマットが施されたトラック１のセクタＳにデータ
を書き込む際に光ディスクに与えるレーザ光電力LPを示
す。データ書き込み時でもプリフォーマットPFとこの例
では照合データ部IDの内容を読み取る必要があるので、
その間にはレーザ光電力LPが１mW程度の低い読み取り電
力P0にされる。記憶データ部DTではレーザ光電力LPのレ
ベルが上げられ、書き込むべきデータのコードパターン
に応じて例えば９mWと15mWに切り換わる２個の書き込み
電力P1とP2が与えられる。光ディスクの記録媒体はこの
書き込み電力のレーザ光により加熱され、相変化形の媒
体では低電力P1のとき高反射率の結晶質になり、高電力
P2のとき低反射率の非晶質になるので、読み取り電力P0
のレーザ光を与えた時の反射率の差から記憶データを読
み取ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにデータの
書き込み時にレーザ光電力PLのレベルを読み取り時より
上げて光ディスクの記録媒体を加熱するが、書き込みを
多数回繰り返すと媒体が劣化してデータの読み書きが不
能になる問題がある。この原因を調査した結果、データ
の書き込み時に掛かる加熱と冷却の熱サイクルによって
レーザ光電力PLのレベルが急激に変化する記憶データ部
DTの端部でとくに媒体の劣化が進みやすいことが判明し
た。以下、この様子を図３を参照して説明する。
書き込み時にレーザ光電力PLのレベルを読み取り時より
上げて光ディスクの記録媒体を加熱するが、書き込みを
多数回繰り返すと媒体が劣化してデータの読み書きが不
能になる問題がある。この原因を調査した結果、データ
の書き込み時に掛かる加熱と冷却の熱サイクルによって
レーザ光電力PLのレベルが急激に変化する記憶データ部
DTの端部でとくに媒体の劣化が進みやすいことが判明し
た。以下、この様子を図３を参照して説明する。
【０００６】図３は図２(a) のトラック１をセクタＳの
照合データ部IDと記憶データ部DTの境目の付近で縦方向
に切った光ディスク４の拡大断面であって、光ディスク
４のポリカーボネート樹脂等からなる透明な基板２の表
面にカルコゲン系薄膜である媒体３が被覆されており、
図のようにその裏面側からレーザ光Ｌが与えられる。デ
ータ書き込み時にこのレーザ光Ｌにより加熱される媒体
３の温度がその上側に細線で示されており、図２(b) の
弱い書き込み電力P0のレーザ光Ｌを受ける照合データ部
IDでは温度T0が50℃以下とごく低いが、記憶データ部DT
に入るとレーザ光Ｌのレベルが約１桁ないしそれ以上高
い書き込み電力P1やP2に切り換わるので温度が 200℃程
度のT1や 400℃程度のT2に急激に上昇する。
照合データ部IDと記憶データ部DTの境目の付近で縦方向
に切った光ディスク４の拡大断面であって、光ディスク
４のポリカーボネート樹脂等からなる透明な基板２の表
面にカルコゲン系薄膜である媒体３が被覆されており、
図のようにその裏面側からレーザ光Ｌが与えられる。デ
ータ書き込み時にこのレーザ光Ｌにより加熱される媒体
３の温度がその上側に細線で示されており、図２(b) の
弱い書き込み電力P0のレーザ光Ｌを受ける照合データ部
IDでは温度T0が50℃以下とごく低いが、記憶データ部DT
に入るとレーザ光Ｌのレベルが約１桁ないしそれ以上高
い書き込み電力P1やP2に切り換わるので温度が 200℃程
度のT1や 400℃程度のT2に急激に上昇する。
【０００７】この急速加熱とその短時間後の冷却に際し
て、記憶データ部DTの端部の媒体３には温度の図の左右
方向の勾配と急速な時間的変化による熱応力σが図のよ
うに集中して発生し、かかる熱サイクルがデータを書き
込むごとに繰り返されるので媒体３が組織欠陥の発生等
によって次第に劣化して最後にはデータの読み書きが不
能な状態に至る。とくに相変化形の媒体３を用いる光デ
ィスク記憶装置では、磁気記録方式と同様にデータをオ
ーバライトないしは重ね書きするために前述の書き込み
電力P1やP2のレベルが高く設定されるので、光磁気形の
媒体３より早く劣化しやすい問題がある。本発明の目的
はこのようにセクタ内の記憶データ部の端部にとくに発
生しやすい記録媒体の劣化に基づく問題を解決して光デ
ィスクの可使寿命を実質的に延ばし、光ディスク記憶装
置の長期信頼性を一層向上させることにある。
て、記憶データ部DTの端部の媒体３には温度の図の左右
方向の勾配と急速な時間的変化による熱応力σが図のよ
うに集中して発生し、かかる熱サイクルがデータを書き
込むごとに繰り返されるので媒体３が組織欠陥の発生等
によって次第に劣化して最後にはデータの読み書きが不
能な状態に至る。とくに相変化形の媒体３を用いる光デ
ィスク記憶装置では、磁気記録方式と同様にデータをオ
ーバライトないしは重ね書きするために前述の書き込み
電力P1やP2のレベルが高く設定されるので、光磁気形の
媒体３より早く劣化しやすい問題がある。本発明の目的
はこのようにセクタ内の記憶データ部の端部にとくに発
生しやすい記録媒体の劣化に基づく問題を解決して光デ
ィスクの可使寿命を実質的に延ばし、光ディスク記憶装
置の長期信頼性を一層向上させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、前述のようにデータ読み書き用のレーザ光電力のレ
ベルが書き込み時と読み取り時とで切り換えられる光デ
ィスク記憶装置に対しその光ディスクにデータ記憶用の
セクタを設定するに当たり、各セクタ内の記憶データ部
の先頭部と末尾部とにそれぞれレーザ光を書き込み電力
レベルで受けるダミー部を設けることにより達成され
る。
ば、前述のようにデータ読み書き用のレーザ光電力のレ
ベルが書き込み時と読み取り時とで切り換えられる光デ
ィスク記憶装置に対しその光ディスクにデータ記憶用の
セクタを設定するに当たり、各セクタ内の記憶データ部
の先頭部と末尾部とにそれぞれレーザ光を書き込み電力
レベルで受けるダミー部を設けることにより達成され
る。
【０００９】なお、記憶データ部内の上述のダミー部に
はダミーのないしはむだなデータを書き込むようにする
のがよく、このダミーなデータは通常のデータとはコー
ドが異なり, 望ましくはコードパターンのない特殊なデ
ータとするのが有利である。パターンなしのダミーのデ
ータの場合のレーザ光電力は、通常のデータの場合にコ
ードに応じて切り換えられるレーザ光の２個の書き込み
電力中の低い方に設定するのが望ましい。このダミー部
の長さについては、データ記憶部の先頭部では最低３バ
イト分, 末尾部では最低１バイト分のデータにそれぞれ
対応する長さとするのがよく、レーザ光の電力レベルを
読み取り用と書き込み用とに切り換えるタイミングに生
じ得る誤差を見込んでそれらより例えば１バイト分ずつ
長いめに設定するのが望ましい。
はダミーのないしはむだなデータを書き込むようにする
のがよく、このダミーなデータは通常のデータとはコー
ドが異なり, 望ましくはコードパターンのない特殊なデ
ータとするのが有利である。パターンなしのダミーのデ
ータの場合のレーザ光電力は、通常のデータの場合にコ
ードに応じて切り換えられるレーザ光の２個の書き込み
電力中の低い方に設定するのが望ましい。このダミー部
の長さについては、データ記憶部の先頭部では最低３バ
イト分, 末尾部では最低１バイト分のデータにそれぞれ
対応する長さとするのがよく、レーザ光の電力レベルを
読み取り用と書き込み用とに切り換えるタイミングに生
じ得る誤差を見込んでそれらより例えば１バイト分ずつ
長いめに設定するのが望ましい。
【００１０】
【作用】本発明は光ディスクにデータを繰り返し書き込
んだ後のその記録媒体の劣化がセクタ内の記憶データ部
の両端部にとくに発生しやすい点に着目したもので、光
ディスクにフォーマッティングを施す際に前項の構成に
いうように各セクタ内の記憶データ部の先頭と末尾にそ
れぞれレーザ光をデータ書き込み用電力レベルで受ける
ダミー部を設定し、たとえこのダミー部の媒体が劣化し
ても記憶データ部への本来のデータの読み書きには支障
が生じないようにしたものである。なお、従来から記憶
データ部の後や前に前述のようにギャップを設けるのが
通例であるが、ギャップにはデータの読み取り時と同じ
低い電力レベルのレーザ光を与えるのに対し、本発明の
場合のダミー部にはレーザ光をデータ書き込み時と同じ
高い電力レベルで与える点が異なる。
んだ後のその記録媒体の劣化がセクタ内の記憶データ部
の両端部にとくに発生しやすい点に着目したもので、光
ディスクにフォーマッティングを施す際に前項の構成に
いうように各セクタ内の記憶データ部の先頭と末尾にそ
れぞれレーザ光をデータ書き込み用電力レベルで受ける
ダミー部を設定し、たとえこのダミー部の媒体が劣化し
ても記憶データ部への本来のデータの読み書きには支障
が生じないようにしたものである。なお、従来から記憶
データ部の後や前に前述のようにギャップを設けるのが
通例であるが、ギャップにはデータの読み取り時と同じ
低い電力レベルのレーザ光を与えるのに対し、本発明の
場合のダミー部にはレーザ光をデータ書き込み時と同じ
高い電力レベルで与える点が異なる。
【００１１】
【実施例】図１を参照して本発明の実施例を説明する。
図１(a) と(b) はそれぞれ本発明方式により設定される
セクタと書き込み時のレーザ光電力とを図２(a) と(b)
と同じ要領で示し、図１(c) はそれに対応する媒体内の
熱応力の発生状態を示し、いずれにも図２以降と対応す
る部分に同じ符号が付されている。
図１(a) と(b) はそれぞれ本発明方式により設定される
セクタと書き込み時のレーザ光電力とを図２(a) と(b)
と同じ要領で示し、図１(c) はそれに対応する媒体内の
熱応力の発生状態を示し、いずれにも図２以降と対応す
る部分に同じ符号が付されている。
【００１２】図１(a) のトラック１に付けられたプリフ
ォーマットPFの相互間に設定されるセクタＳは例えば 5
12バイトのデータの記憶用でその全体の長さは 600バイ
ト分程度である。このセクタＳ内の照合データ部IDに続
く記憶データ部DTの先頭部と末尾部にそれぞれダミー部
DYが設定される。本発明方式では、このダミー部DYの長
さは先頭部で最低３バイト分, 末尾部で最低１バイト分
とするのがよく、この実施例ではそれぞれ１バイト分の
余裕を見て４バイト分と２バイト分とされる。なお、図
示の例では末尾のダミー部DYが従来は図２(a) のように
記憶データ部DTの後に設定されていたギャップＧの役目
を兼ねている。
ォーマットPFの相互間に設定されるセクタＳは例えば 5
12バイトのデータの記憶用でその全体の長さは 600バイ
ト分程度である。このセクタＳ内の照合データ部IDに続
く記憶データ部DTの先頭部と末尾部にそれぞれダミー部
DYが設定される。本発明方式では、このダミー部DYの長
さは先頭部で最低３バイト分, 末尾部で最低１バイト分
とするのがよく、この実施例ではそれぞれ１バイト分の
余裕を見て４バイト分と２バイト分とされる。なお、図
示の例では末尾のダミー部DYが従来は図２(a) のように
記憶データ部DTの後に設定されていたギャップＧの役目
を兼ねている。
【００１３】図１(b) に示すようにデータの書き込み時
のレーザ光電力LPは、従来と同様にプリフォーマットPF
と照合データ部IDとに対する低レベルの読み取り電力P0
と,記憶データ部DTに対する高レベルの２個の書き込み
電力P1, P2に切り換えられ、相変化形媒体の場合は前述
のように例えばP0が１mW, P1が９mW, P2が15mWにそれぞ
れ設定されるが、記憶データ部DTの先頭と末尾のダミー
部DYに対しては２個の書き込み電力中の低い方の電力P1
のレーザ光が与えられる。もちろん、データの読み取り
時にはレーザ光が一定低レベルの読み取り電力P0で与え
られる。なお、図の例では照合データ部IDに対してフォ
ーマッティングデータを書き込む必要があるが、この書
き込みはもちろん１回で済み、ふつう書き換えの必要が
ないから記憶データ部DTのようにダミー部を設定する必
要はない。
のレーザ光電力LPは、従来と同様にプリフォーマットPF
と照合データ部IDとに対する低レベルの読み取り電力P0
と,記憶データ部DTに対する高レベルの２個の書き込み
電力P1, P2に切り換えられ、相変化形媒体の場合は前述
のように例えばP0が１mW, P1が９mW, P2が15mWにそれぞ
れ設定されるが、記憶データ部DTの先頭と末尾のダミー
部DYに対しては２個の書き込み電力中の低い方の電力P1
のレーザ光が与えられる。もちろん、データの読み取り
時にはレーザ光が一定低レベルの読み取り電力P0で与え
られる。なお、図の例では照合データ部IDに対してフォ
ーマッティングデータを書き込む必要があるが、この書
き込みはもちろん１回で済み、ふつう書き換えの必要が
ないから記憶データ部DTのようにダミー部を設定する必
要はない。
【００１４】図１(c) に同図(b) のようにレーザ光電力
LPを与えた時の媒体中の熱応力σを示す。前に図３を参
照して説明したように熱応力Ｓは記憶データ部DTの先頭
部と末尾部とに集中し、経験的ではあるがレーザ光電力
LPが高レベルから低レベルに切り換わる末尾部の熱応力
σは先頭部よりも図示のようにかなり小さくかつ発生範
囲も狭くなる。本発明方式ではかかる熱応力Ｓにより媒
体が劣化しても本来のデータの読み書きに支障が出ない
ように、それが集中しやすい記憶データ部DTの先頭部と
末尾部にその集中範囲よりもそれぞれ若干長いめに上述
のダミー部DYを設定するわけである。
LPを与えた時の媒体中の熱応力σを示す。前に図３を参
照して説明したように熱応力Ｓは記憶データ部DTの先頭
部と末尾部とに集中し、経験的ではあるがレーザ光電力
LPが高レベルから低レベルに切り換わる末尾部の熱応力
σは先頭部よりも図示のようにかなり小さくかつ発生範
囲も狭くなる。本発明方式ではかかる熱応力Ｓにより媒
体が劣化しても本来のデータの読み書きに支障が出ない
ように、それが集中しやすい記憶データ部DTの先頭部と
末尾部にその集中範囲よりもそれぞれ若干長いめに上述
のダミー部DYを設定するわけである。
【００１５】以上の本発明方式によりセクタを設定した
相変化形媒体を備える光ディスクに対しデータ書き込み
試験を行なった。図３のポリカーボネート樹脂の５イン
チ径の透明な基板２に媒体３として1200ÅのZnＳと,600
Åの Ge2Sb2Te5と, 1700ÅのZnＳと, 1000ÅのAlの薄膜
を順次積層して光ディスク４とし、所定のフォーマッテ
ィングをこれに施した上で3600r.p.m.で回転させながら
図１(b) のP0が１mW,P1が９mW, P2が15mWのレーザ光電
力の条件で、ＲＬＬ変調方式の２−７コードの試験デー
タを55nSのパターン基本周期でオーバライトにより書き
込んでそのつど読み取る試験を繰り返した。この光ディ
スクのセクタＳの記憶データ部DTの先頭と末尾にそれぞ
れ３バイト分と１バイト分のダミー部DYを設定し、これ
に対する比較試料は同構成であるがダミー部DYを持たな
い従来の光ディスクとした。
相変化形媒体を備える光ディスクに対しデータ書き込み
試験を行なった。図３のポリカーボネート樹脂の５イン
チ径の透明な基板２に媒体３として1200ÅのZnＳと,600
Åの Ge2Sb2Te5と, 1700ÅのZnＳと, 1000ÅのAlの薄膜
を順次積層して光ディスク４とし、所定のフォーマッテ
ィングをこれに施した上で3600r.p.m.で回転させながら
図１(b) のP0が１mW,P1が９mW, P2が15mWのレーザ光電
力の条件で、ＲＬＬ変調方式の２−７コードの試験デー
タを55nSのパターン基本周期でオーバライトにより書き
込んでそのつど読み取る試験を繰り返した。この光ディ
スクのセクタＳの記憶データ部DTの先頭と末尾にそれぞ
れ３バイト分と１バイト分のダミー部DYを設定し、これ
に対する比較試料は同構成であるがダミー部DYを持たな
い従来の光ディスクとした。
【００１６】この試験結果によれば従来の光ディスクで
はデータの104 回のオーバライト後に読み取りエラー発
生率が10-5を上回ったのに対し、本発明方式によりセク
タを設定した光ディスクでは106 回のオーバライト後の
読み取りエラー発生率は10-5以下であった。この本発明
の光ディスクの表面を顕微鏡観察で検査したところ、記
憶データ部DTの末尾部の媒体にあまり大きな欠陥は認め
られなかったが先頭部には最大２バイト分の範囲に明瞭
な欠陥がかなりのセクタについて認められた。これか
ら、本発明方式によりセクタを設定した光ディスクでは
媒体に欠陥が発生しても読み書きエラーの発生を実質的
に防止できることがわかる。
はデータの104 回のオーバライト後に読み取りエラー発
生率が10-5を上回ったのに対し、本発明方式によりセク
タを設定した光ディスクでは106 回のオーバライト後の
読み取りエラー発生率は10-5以下であった。この本発明
の光ディスクの表面を顕微鏡観察で検査したところ、記
憶データ部DTの末尾部の媒体にあまり大きな欠陥は認め
られなかったが先頭部には最大２バイト分の範囲に明瞭
な欠陥がかなりのセクタについて認められた。これか
ら、本発明方式によりセクタを設定した光ディスクでは
媒体に欠陥が発生しても読み書きエラーの発生を実質的
に防止できることがわかる。
【００１７】
【発明の効果】以上のとおり本発明方式では、データを
繰り返し書き込んだ後の光ディスクの記録媒体の劣化が
各セクタ内の記憶データ部の端部にとくに発生しやすい
ことに着目し、その先頭と末尾部に書き込み電力レベル
のレーザ光を受ける短いダミー部を設定して例えその媒
体が局部的に劣化してもその悪影響が本来のデータの読
み書きにほとんど及ばないようにすることにより、セク
タ全体の記憶容量の僅か１％以下を犠牲にするだけで光
ディスクの実質的な可使寿命を従来より１〜２桁延ばす
ことができる。
繰り返し書き込んだ後の光ディスクの記録媒体の劣化が
各セクタ内の記憶データ部の端部にとくに発生しやすい
ことに着目し、その先頭と末尾部に書き込み電力レベル
のレーザ光を受ける短いダミー部を設定して例えその媒
体が局部的に劣化してもその悪影響が本来のデータの読
み書きにほとんど及ばないようにすることにより、セク
タ全体の記憶容量の僅か１％以下を犠牲にするだけで光
ディスクの実質的な可使寿命を従来より１〜２桁延ばす
ことができる。
【００１８】本発明方式はデータ書き込み時のレーザ光
電力のレベルが高い相変化形媒体を用いる光ディスク記
憶装置に適用して効果がとくに高く、オーバライトが可
能でデータのアクセスタイムが短い利点を生かしながら
光ディスクの寿命を実質的に延ばすことにより、その読
み書き動作の長期信頼性を格段に高めてその実用化に貢
献し得るものである。
電力のレベルが高い相変化形媒体を用いる光ディスク記
憶装置に適用して効果がとくに高く、オーバライトが可
能でデータのアクセスタイムが短い利点を生かしながら
光ディスクの寿命を実質的に延ばすことにより、その読
み書き動作の長期信頼性を格段に高めてその実用化に貢
献し得るものである。
【図１】本発明による光ディスク記憶装置のセクタ設定
方式の実施例を示し、同図(a)はそれによりセクタが設
定されたトラックの一部拡大展開図、同図(b) はデータ
書き込み時に光ディスクに与えるレーザ光電力の波形
図、同図(c) はこれに対応する光ディスクの媒体内の熱
応力の分布線図である。
方式の実施例を示し、同図(a)はそれによりセクタが設
定されたトラックの一部拡大展開図、同図(b) はデータ
書き込み時に光ディスクに与えるレーザ光電力の波形
図、同図(c) はこれに対応する光ディスクの媒体内の熱
応力の分布線図である。
【図２】従来のセクタ設定方式を示し、同図(a) はセク
タが設定されたトラックの一部拡大展開図、同図(b) は
データ書き込み時に光ディスクに与えるレーザ光電力の
波形図である。
タが設定されたトラックの一部拡大展開図、同図(b) は
データ書き込み時に光ディスクに与えるレーザ光電力の
波形図である。
【図３】レーザ光により加熱された媒体の温度とその内
部熱応力の分布を示すセクタ内の照合データ部と記憶デ
ータ部の境目付近の光ディスクの断面図である。
部熱応力の分布を示すセクタ内の照合データ部と記憶デ
ータ部の境目付近の光ディスクの断面図である。
１ トラック ３ 媒体 ４ 光ディスク DT セクタ内の記憶データ部 DY 記憶データ部のダミー部 Ｌ レーザ光 LP レーザ光電力 P0 レーザ光の読み取り電力 P1 レーザ光の書き込み電力 P2 レーザ光の書き込み電力 Ｓ セクタ σ 媒体内の熱応力
フロントページの続き (72)発明者 漆谷 多二男 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 小沢 賢治 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】データ読み書き用のレーザ光電力のレベル
を書き込み時と読み取り時とで切り換える光ディスク記
憶装置に対しその光ディスクにデータ記憶用セクタを設
定する方式であって、各セクタの記憶データ部の先頭部
と末尾部とにそれぞれレーザ光を書き込み電力レベルで
受けるダミー部を設けることを特徴とする光ディスク記
憶装置のセクタ設定方式。 - 【請求項２】請求項１に記載の方式において、ダミー部
にダミーのデータを書き込むことを特徴とする光ディス
ク記憶装置のセクタ設定方式。 - 【請求項３】請求項１に記載の方式において、各セクタ
内のデータ記憶部の先頭部には３バイト分以上, 末尾部
には１バイト分以上のデータにそれぞれ対応する長さの
ダミー部を設けるようにしたことを特徴とする光ディス
ク記憶装置のセクタ設定方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6540592A JPH05266490A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 光ディスク記憶装置のセクタ設定方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6540592A JPH05266490A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 光ディスク記憶装置のセクタ設定方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05266490A true JPH05266490A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13286086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6540592A Pending JPH05266490A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 光ディスク記憶装置のセクタ設定方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05266490A (ja) |
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-
1992
- 1992-03-24 JP JP6540592A patent/JPH05266490A/ja active Pending
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