JPH05264522A - 超音波トランスデューサ及びその製造方法 - Google Patents

超音波トランスデューサ及びその製造方法

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JPH05264522A
JPH05264522A JP4063580A JP6358092A JPH05264522A JP H05264522 A JPH05264522 A JP H05264522A JP 4063580 A JP4063580 A JP 4063580A JP 6358092 A JP6358092 A JP 6358092A JP H05264522 A JPH05264522 A JP H05264522A
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JP
Japan
Prior art keywords
ultrasonic
concave surface
spherical concave
piezoelectric elements
ultrasonic transducer
Prior art date
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Application number
JP4063580A
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English (en)
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Masao Saito
雅雄 斎藤
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028Material parameters
    • G01N2291/02827Elastic parameters, strength or force

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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】超音波の送受波の方向や入射角を選択可能な超
音波トランスデューサを提供する。 【構成】トランスデューサ1の絶縁性ボディ5には、そ
の下端の球面状凹面3の同心円に沿って複数の棒状電極
7が埋設されている。球面状凹面3には、ポリ弗化ビニ
リデン・トリフルオロエチレン層(P層)11、アルミ
ニウム膜13が順次に形成されている。棒状電極7とア
ルミニウム膜13との間に高電圧が印加されると、その
間の領域におけるP層11が分極されて圧電効果を持
つ。その結果、球面状凹面3の同心円に沿って分布した
複数の圧電素子が形成される。これら複数の圧電素子
は、電極7が独立しているために、互いに独立して作動
可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被検体表面の弾性的な
特性を測定するために使用される超音波トランスデュー
サ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】超音波により物質の異方性を測定する一
つの方法が、「日本音響学会講演論文集(平成2年3
月)2−2−6,723頁〜738頁(太平克己、小山
清人)」に開示されている。
【0003】この方法では、同一領域を焦点とする送受
独立型の一対の超音波トランスデュ−サが用いられる。
その一方のトランスデュ−サは電気的パルスが印加され
ることにより、被検体表面へ超音波パルスを送波し、そ
れに対する反射波は他方のトランスデュ−サで受波され
て電気信号に変換される。この電気信号はスペクトラム
アナライザに与えられ、反射波スペクトルが解析され
る。
【0004】ここで被検体表面に弾性的に異方性がある
場合は、トランスデュ−サに対して被検体を相対的に回
転すると、その回転角度に応じて反射波スペクトルに変
化が現れる。この変化を検出することにより、異方性を
測定できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな異方性測定方法では、トランスデュ−サと被検体と
の相対的方向を変化させる、即ちトランスデュ−サと被
検体とを相対的に回転させる機械的制御が必要である。
また、入射角を変化させながら測定する場合には、トラ
ンスデュ−サまたは被検体を傾動させる機械的制御が必
要である。
【0006】このため、測定に時間を要するという不都
合がある。更に、トランスデュ−サまたは被検体の回転
や傾動の際に測定位置がずれる恐れがある。
【0007】従って本発明の目的は、機械的制御を伴う
ことなく、超音波の送受波の方向や入射角を様々に選択
することが可能であり、異方性を迅速に測定可能な超音
波トランスデュ−サ及びその製造方法を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る超音波トランスデューサは、球面状凹
面における少なくとも一つの同心円に沿って、互いに独
立して作動可能な複数の超音波圧電素子が配列されてな
ることを特徴とする。
【0009】その超音波圧電素子の配列は、球面状凹面
における径方向においては、球面状凹面の複数の直径方
向に沿った配列をなすことが好ましい。
【0010】本発明の実施例によれば、超音波圧電素子
のうち、一対の超音波圧電素子のみを選択し、その一方
を超音波送波素子、他方を超音波受波素子として作動さ
せるスィッチを更に備える。
【0011】この場合、選択された一対の超音波圧電素
子は、球面状凹面における同一の直径方向上に位置する
ことが好ましい。
【0012】本発明の実施例によれば、複数の超音波圧
電素子が、球面状凹面をなす共通の第1の電極と、この
第1の電極の球面状凹面の少なくとも一つの同心円に沿
って配列された複数の第2の電極と、これら第1と第2
の電極により挟まれた圧電体とから一体的に形成されて
いる。
【0013】また、本発明に係る超音波トランスデュー
サの製造方法は、横断面円形の絶縁体に対し、その円形
の少なくとも一つの同心円に沿って配列されるように複
数の導電体を挿通する行程と、前記導電体の一端面を含
む前記絶縁体の一端面に球面状凹面を形成する行程と、
その球面状凹面上に強誘電体層を形成する行程と、その
強誘電体層上に導電体層を形成する行程と、前記導電体
と導電体層との間に高電圧を印加し、これら導電体と導
電体層とに挟まれた領域における前記強誘電体層を分極
させることにより、前記導電体の配置位置に対応して球
面状凹面上に分布した複数の超音波圧電素子を形成する
行程とを備える。
【0014】
【作用】本発明に係る超音波トランスデューサによれ
ば、球面状凹面に配列された複数の超音波圧電素子は、
互いに独立に作動可能であるから、何れか一対を選択的
に作動させ、その一方を超音波送波素子、他方を超音波
受波素子として用いることが可能である。従って、どの
素子を作動させるかに応じて、超音波の送受波の方向や
入射角を選択することができる。
【0015】本発明に係る超音波トランスデューサの製
造方法によれば、導電体層と、複数の導電体との間に高
電圧を印加すると、これら導電体と導電体層とに挟まれ
た領域における強誘電体層は分極されて圧電効果を持
つ。従って、複数の導電体の配置位置に対応して分布し
た複数の超音波圧電素子が形成される。ここで導電体は
球面状凹面の少なくとも一つの同心円に沿って配列され
ているので、一つの球面状凹面上に、その少なくとも一
つの同心円に沿って分布した超音波圧電素子が形成され
る。
【0016】
【実施例】図1は、本発明に係る超音波トランスデュー
サを示す。
【0017】超音波トランスデューサ1は、その一端面
3が球面状凹面をなす集束型斜め入射トランスデューサ
である。球面状凹面3には、その同心円に沿って複数の
超音波圧電素子が配置されている。
【0018】ここで図2を参照すると、球面状凹面3が
形成される以前の製造途上における超音波トランスデュ
ーサ1が示されている。
【0019】超音波トランスデューサ1の絶縁性ボディ
5は、例えばベ−クライトから形成されている。球面状
凹面3が形成される以前のボディ5は円柱状である。こ
のボディ5には、複数の棒状の電極、例えば真鍮棒7が
挿通されている。ボディ5の外周は、導電性外筒、例え
ば真鍮性外筒9で被覆されることにより、ボディ5と棒
状電極7とが一体化されている。球面状凹面3が形成さ
れる以前の外筒9は円筒状である。
【0020】特に図3に示すように、棒状電極7は、ボ
ディ5の例えば二つの同心円に沿って配置されている。
棒状電極7は、ボディ5の径方向では、複数の直径線d
に沿って配列されていることが好ましい。更に、棒状電
極7は、同心円に沿った配置を容易にするために、その
横断面が円弧状に湾曲されていることが好ましい。この
横断面は、その凹面側がボディ5の軸心に対面されてい
る。
【0021】図2の状態における円柱状のボディ5は、
次いでその一端面(棒状電極7及び外筒9の一端面を含
む)に、図1に示すような球面状凹面3が形成される。
【0022】この球面状凹面3の形成は、例えば、球面
状凸面をなす適宜な研磨器の上でボディ5の一端面を研
磨することによりなされる。
【0023】次いで図1に示すように、ボディ5の球面
状凹面3には、薄膜状強誘電体層11、薄膜状導電体層
13が順次に形成される。
【0024】本実施例における薄膜状強誘電体層11
は、球面状凹面3にポリ弗化ビニリデン・トリフルオロ
エチレン(PVDF−TrFE)がスピンコ−トにより
塗布され、熱処理(アニーリング)を施されてなるポリ
弗化ビニリデン・トリフルオロエチレン層(以下、P層
と称す)である。
【0025】また、本実施例における薄膜状導電体層1
3は、P層11に蒸着されたアルミニウム膜である。こ
のアルミニウム膜13は外筒9と接続される。このアル
ミニウム膜13は、後述の圧電素子において、球面状凹
面をなす接地電極としての役割を果たす。
【0026】ここで棒状電極(真鍮)7及び接地電極
(アルミニウム膜)13に高電圧を印加すると、電極
7,13に挟まれた部分におけるP層11は分極して圧
電効果を持つ。従って、棒状電極7の配置位置に対応し
た複数の圧電体15が形成される。
【0027】その結果、電極7,13及びそれに挟まれ
た圧電体15からなる複数の圧電素子が形成される。即
ち、トランスデューサ1は、棒状電極7の配置位置に対
応して球面状凹面3に同心円状に配列された複数の圧電
素子を有することになる。これら複数の圧電素子は、電
極7が独立しているために、互いに独立して作動可能で
ある。
【0028】このようにして図1に示すような超音波ト
ランスデューサ1が製造される。
【0029】この超音波トランスデューサ1を測定に使
用する際には、図1に併せて示すように、スイッチ17
を通じて高周波パルス発振器21、測定系23が接続さ
れる。また、トランスデューサ1は、その球面状凹面3
が音場媒体31を介して被検体33の表面に対面するよ
うに配置される。
【0030】スイッチ17は、トランスデューサ1の外
筒9及び接地電極13と協働して、複数の圧電素子のう
ちから一対の圧電素子を選択する。これら一対の圧電素
子は、それらの棒状電極7が球面状凹面3上の同一の直
径方向上に位置していることが好ましい。
【0031】スイッチ17は、選択された一対の圧電素
子の一方の素子(以下、送波素子と称す)の棒状電極7
を高周波パルス発振器21に、他方の素子(以下、受波
素子と称す)の棒状電極7を測定系23に、それぞれ接
続させる。
【0032】送波素子は、高周波パルス発振器21から
高周波パルスが印加されることにより超音波を送波す
る。この超音波は、球面状凹面3の集束作用により集束
されつつ、音場媒体31中を進行して被検体33の表面
に入射し、ここで反射される。その反射波は、音場媒体
31中を再伝播して受波素子に受波される。受波素子
は、受波した反射波を電気信号に変換して測定系23へ
与える。
【0033】このように、本発明の超音波トランスデュ
ーサ1によれば、複数の圧電素子のうちから一つの送波
素子及び一つの受波素子を選択できる。従って、機械的
制御を伴うことなく、被検体33の表面に対する超音波
の入射方向及び反射方向を変えることができ、また様々
な入射角を選択することができる。
【0034】上記のような超音波トランスデューサ1に
よる異方性の測定例について説明する。
【0035】被検体33としては、延伸されたポリプロ
ピレンのフィルムを用い、音場媒体31としては水を用
いた。この測定に用いたトランスデューサ1は、水中パ
スが7mm、入射角が30°中心、帯域が14〜140
MHzである。また、測定系23としては、スイッチ1
7の出力側に順次に接続され、受波素子の出力信号を増
幅するための増幅器(図示せず)、及び増幅器の出力に
基づいて反射波の周波数分析を実行するためのスペクト
ラムアナライザ(図示せず)を用いた。
【0036】先ず、超音波の進行方向がフィルム33の
巻取り機械方向に並行をなすように一対の圧電素子を選
択した(測定例A)。この場合に得られた反射波スペク
トルを図4に示す。
【0037】次に、超音波の進行方向がフィルムの巻取
り機械方向に対して垂直をなすように一対の圧電素子を
選択した(測定例B)。この場合に得られた反射波スペ
クトルを図5に示す。
【0038】図4及び図5に明らかなように、測定例
A,Bの反射波スペクトルには明確な違いが現れてい
る。従って、本発明の超音波トランスデュ−サ1により
フィルムの配向性を迅速に測定できることが確かめられ
た。
【0039】本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、種々の変更が可能である。例えば、上記実施例に
おいては、棒状電極7は球面状凹面3の二つの同心円に
沿って配列したが、これに代えて、一つの同心円または
三つ以上の同心円に沿って配列してもよい。
【0040】また、トランスデュ−サ1の各部の構成材
料は、上記実施例に示したものに限定されるものではな
い。
【0041】更に、上記実施例におけるフィルムの配向
性の測定は、本発明の超音波トランスデュ−サ1による
測定を例示したにすぎず、トランスデュ−サ1によれば
他の異方性の測定も迅速に測定できることは勿論であ
る。
【0042】
【発明の効果】本発明の超音波トランスデュ−サによれ
ば、球面状凹面に複数の超音波圧電素子を配列すること
により、機械的制御をすることなく、超音波の送受波の
向き、入射角を様々に選択できる。従って、異方性を有
する被検体の弾性的な情報を迅速に測定することが可能
である。
【0043】本発明の超音波トランスデュ−サの製造方
法によれば、一つの球面状凹面に配列された複数の超音
波圧電素子を形成することができ、特に異方性の測定に
好適な超音波トランスデュ−サを製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の全体構成を示し、要部を破
断して示す構成図である。
【図2】製造途上における本発明の超音波トランスデュ
−サを示す斜視図である。
【図3】本発明の超音波トランスデュ−サを球面状凹面
側から見た平面図である。
【図4】本発明の超音波トランスデュ−サによる測定例
を示す図であって、超音波の進行方向がフィルムの巻取
り機械方向に並行をなす場合に得られた反射波スペクト
ルを示す線図である。
【図5】図4に対応して超音波の進行方向がフィルムの
巻取り機械方向に対して垂直をなす場合に得られた反射
波スペクトルを示す線図である。
【符号の説明】
1…超音波トランスデューサ、3…球面状凹面、5…ボ
ディ(絶縁体)、7…棒状電極(第2の電極、導電
体)、11…ポリ弗化ビニリデン・トリフルオロエチレ
ン層(強誘電体層)、13…アルミニウム膜(第1の電
極、導電体層)、17…スィッチ。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 球面状凹面における少なくとも一つの同
    心円に沿って、互いに独立して作動可能な複数の超音波
    圧電素子が配列されてなることを特徴とする超音波トラ
    ンスデューサ。
  2. 【請求項2】 前記超音波圧電素子の配列は、前記球面
    状凹面における径方向においては、前記球面状凹面の複
    数の直径方向に沿った配列をなすことを特徴とする請求
    項1記載の超音波トランスデューサ。
  3. 【請求項3】 前記超音波圧電素子のうち、一対の超音
    波圧電素子のみを選択し、その一方を超音波送波素子、
    他方を超音波受波素子として作動させるスィッチを備え
    ることを特徴とする請求項1または2記載の超音波トラ
    ンスデューサ。
  4. 【請求項4】 選択された前記一対の超音波圧電素子
    が、前記球面状凹面における同一の直径方向上に位置す
    ることを特徴とする請求項3記載の超音波トランスデュ
    ーサ。
  5. 【請求項5】 前記複数の超音波圧電素子が、球面状凹
    面をなす共通の第1の電極と、この第1の電極の球面状
    凹面の少なくとも一つの同心円に沿って配列された複数
    の第2の電極と、これら第1と第2の電極により挟まれ
    た圧電体とから一体的に形成されたことを特徴とする請
    求項1乃至4の何れか1項に記載の超音波トランスデュ
    ーサ。
  6. 【請求項6】 横断面円形の絶縁体に対し、その円形の
    少なくとも一つの同心円に沿って配列されるように複数
    の導電体を挿通する行程と、 前記導電体の一端面を含む前記絶縁体の一端面に球面状
    凹面を形成する行程と、 その球面状凹面上に強誘電体層を形成する行程と、 その強誘電体層上に導電体層を形成する行程と、 前記導電体と導電体層との間に高電圧を印加し、これら
    導電体と導電体層とに挟まれた領域における前記強誘電
    体層を分極させることにより、前記導電体の配置位置に
    対応して球面状凹面上に分布した複数の超音波圧電素子
    を形成する行程と、を備えることを特徴とする超音波ト
    ランスデューサの製造方法。
JP4063580A 1992-03-19 1992-03-19 超音波トランスデューサ及びその製造方法 Pending JPH05264522A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000146986A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Hitachi Ltd 化学分析装置
JP2001242176A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Hitachi Ltd 自動分析装置
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JP2020502527A (ja) * 2016-12-19 2020-01-23 サフラン 非破壊的に材料を特性評価するためのデバイスおよび方法

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