JPH05262853A - Epoxy resin composition and semiconductor sealing device - Google Patents
Epoxy resin composition and semiconductor sealing deviceInfo
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- JPH05262853A JPH05262853A JP9179592A JP9179592A JPH05262853A JP H05262853 A JPH05262853 A JP H05262853A JP 9179592 A JP9179592 A JP 9179592A JP 9179592 A JP9179592 A JP 9179592A JP H05262853 A JPH05262853 A JP H05262853A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、成形性、耐湿性、半田
耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物およびその組成物に
より半導体チップを封止した半導体封止装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition having excellent moldability, moisture resistance and solder heat resistance, and a semiconductor encapsulation device in which a semiconductor chip is encapsulated with the composition.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えば、フラット
パッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits,
At the same time as technology development for high integration and high reliability, automation of the mounting process of semiconductor devices is being promoted. For example, when a flat package type semiconductor device is attached to a circuit board, conventionally, each lead pin has been soldered, but recently, a solder dipping method or a solder reflow method has been adopted.
【０００３】従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂及びシリカ粉末
からなる樹脂組成物によって封止した半導体装置は、装
置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿性が低下するという欠
点があった。特に吸湿した半導体装置を浸漬すると、封
止樹脂と半導体チップ、あるいは封止樹脂とリードフレ
ームとの間の剥がれや、内部樹脂クラックが生じて著し
い耐湿性劣化を起こし、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流を生じ、その結果半導体装置は、長期間
の信頼性を保証することができないという欠点があっ
た。A conventional semiconductor device sealed with a resin composition composed of an epoxy resin such as a novolac type epoxy resin, a novolac type phenol resin and silica powder has a drawback that the moisture resistance is lowered when the whole device is immersed in a solder bath. was there. Especially when a semiconductor device that has absorbed moisture is immersed, peeling between the encapsulating resin and the semiconductor chip, or between the encapsulating resin and the lead frame, and internal resin cracking cause significant deterioration in moisture resistance, causing disconnection and moisture due to corrosion of the electrodes. As a result, there is a drawback in that the semiconductor device cannot guarantee long-term reliability.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、吸湿の影響が少な
く、特に半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封
止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリードフレー
ムとの剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく成形性に
優れ、また電極の腐食による断線や水分によるリーク電
流の発生もなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂
組成物および半導体封止装置を提供しようとするもので
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and is less affected by moisture absorption, and particularly excellent in moisture resistance after solder bath immersion, solder heat resistance, and sealing resin. Epoxy resin that guarantees long-term reliability without peeling between the semiconductor chip or the sealing resin and the lead frame and internal resin cracks, and excellent moldability, and also does not cause wire breakage due to electrode corrosion or leakage current due to moisture. It is intended to provide a composition and a semiconductor encapsulation device.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述の組成物
が成形性、耐湿性、半田耐熱性に優れることを見いだ
し、本発明を完成したものである。As a result of intensive studies aimed at achieving the above-mentioned object, the present inventors have found that the composition described below has excellent moldability, moisture resistance and solder heat resistance. Completed the invention.
【０００６】即ち、本発明は、 （Ａ）次の式で示されるエポキシ樹脂、That is, the present invention provides (A) an epoxy resin represented by the following formula:
【０００７】[0007]
【化５】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す） （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂、 （Ｃ）次の一般式で示される両末端アルコキシシラン、[Chemical 5] (Wherein n represents 0 or an integer of 1 or more) (B) novolac type phenol resin, (C) both-end alkoxysilane represented by the following general formula,
【０００８】[0008]
【化６】 （但し、Ｒ1 はアルコキシ基を、Ｒ2 ，Ｒ3 はアルキル
基又はフェニル基を、mは1 以上の整数を、それぞれ表
す） （Ｄ）一般式、ＹＳi Ｘ3 （但し、Ｙは有機官能基を、Ｘは−ＯＣＨ2 又は−ＯＣ
2 Ｈ5 を、それぞれ表す）で示されるシランカップリン
グ剤および （Ｅ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の両末
端アルコキシシランを 0.01 〜 1.0重量％、（Ｄ）シラ
ンカップリング剤を0.01〜5.0 重量％、また（Ｅ）無機
質充填剤を25〜90重量％含有してなることを特徴とする
エポキシ樹脂組成物であり、またこのエポキシ樹脂組成
物の硬化物で、半導体チップが封止されてなることを特
徴とする半導体封止装置である。[Chemical 6] (However, R 1 represents an alkoxy group, R 2 and R 3 represent an alkyl group or a phenyl group, m represents an integer of 1 or more, respectively.) (D) General formula, YSi X 3 (where Y is an organic functional group) Group, X is -OCH 2 or -OC
2 H 5 is represented respectively) and (E) an inorganic filler as essential components, and 0.01 to 1.0% by weight of the above-mentioned (C) both-end alkoxysilane with respect to the resin composition, ( D) An epoxy resin composition comprising 0.01 to 5.0% by weight of a silane coupling agent and 25 to 90% by weight of (E) an inorganic filler, and the curing of the epoxy resin composition. A semiconductor encapsulation device characterized in that a semiconductor chip is encapsulated with a product.
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below.
【００１０】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、前記の式で示されるエポキシ樹脂である限り、その
分子量等に特に制限されることはなく、広く使用するこ
とができる。これらのエポキシ樹脂は単独または 2種以
上混合して使用することができる。また、これらのエポ
キシ樹脂にエピビス系エポキシ樹脂等を併用することが
できる。The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in its molecular weight and the like as long as it is the epoxy resin represented by the above formula, and it can be widely used. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more. Further, an epibis-based epoxy resin or the like can be used in combination with these epoxy resins.
【００１１】本発明に用いる（Ｂ）ノボラック型フェノ
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒドあるいはパラホルム
アルデヒドを反応させて得られるノボラック型フェノー
ル樹脂、およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化も
しくはブチル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げら
れ、これらは単独または 2種以上混合して使用すること
ができる。ノボラック型フェノール樹脂の配合割合は、
前記（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基（a ）と（Ｂ）ノ
ボラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基（b ）
とのモル比［（a ）／（b ）］が 0.1〜10の範囲内であ
ることが望ましい。モル比が 0.1未満もしくは10を超え
ると耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特
性が悪くなり、いずれの場合も好ましくない。The novolak type phenolic resin (B) used in the present invention is a novolak type phenolic resin obtained by reacting phenols such as phenol and alkylphenol with formaldehyde or paraformaldehyde, and modified resins thereof such as epoxidized or Butylated novolac type phenolic resin and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more kinds. The blending ratio of the novolac type phenolic resin is
The epoxy group (a) of the (A) epoxy resin and the phenolic hydroxyl group (b) of the (B) novolac type phenol resin
It is desirable that the molar ratio [(a) / (b)] with is within the range of 0.1 to 10. If the molar ratio is less than 0.1 or more than 10, the heat resistance, moisture resistance, molding workability, and electrical properties of the cured product deteriorate, and both cases are not preferable.
【００１２】本発明に用いる（Ｃ）両末端アルコキシシ
ランとしては、前記一般式で示されるもので、具体的な
化合物として例えば、The (C) both-terminal alkoxysilane used in the present invention is represented by the above general formula, and specific compounds include, for example,
【００１３】[0013]
【化７】 等が挙げられ、これらは単独または 2種以上混合して使
用することができる。両末端アルコキシシランの配合割
合は、樹脂組成物に対して 0.01 〜 1.0重量％含有する
ように配合することが望ましい。この割合が 0.01 重量
％未満では、耐湿性、半田耐熱性に効果なく、 1.0重量
％を超えると樹脂強度の劣化や成形性等に悪影響を与
え、実用に適さず好ましくない。[Chemical 7] Etc., and these may be used alone or in combination of two or more. It is desirable that the both ends of the alkoxysilane be blended so as to be contained in the resin composition in an amount of 0.01 to 1.0% by weight. If this ratio is less than 0.01% by weight, the moisture resistance and solder heat resistance are not effective, and if it exceeds 1.0% by weight, the resin strength is deteriorated and the moldability is adversely affected, which is not suitable for practical use.
【００１４】本発明に用いる（Ｄ）シランカップリング
剤は、前記一般式で示されるもので、具体的な化合物と
して例えば、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス
（2-メトキシエトキシ）シラン、γ−メタアクリルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、β−（3,4-エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、これらは単
独または 2種以上混合して使用することができる。シラ
ンカップリング剤の配合割合は、樹脂組成物に対して
0.01 〜 5.0重量％含有するように配合することが望ま
しい。この割合が 0.01 重量％未満では、耐湿性、半田
耐熱性に効果なく、 5.0重量％を超えると成形性等に悪
影響を与え、実用に適さず好ましくない。The silane coupling agent (D) used in the present invention is represented by the above general formula, and specific compounds include, for example, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane and γ-methacryl. Oxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxy Examples thereof include propyltrimethoxysilane and γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, which can be used alone or in combination of two or more. The compounding ratio of the silane coupling agent is based on the resin composition.
It is desirable that the content be 0.01 to 5.0% by weight. If this ratio is less than 0.01% by weight, the moisture resistance and solder heat resistance are not effective, and if it exceeds 5.0% by weight, the formability and the like are adversely affected, and it is not suitable for practical use.
【００１５】本発明に用いる（Ｅ）無機質充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ、三酸化アンチモン、タル
ク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
または 2種以上混合して使用することができる。これら
の中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好ましくよく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、樹脂組成物に
対して25〜90重量％の割合で含有することが望ましい。
その割合が25重量％未満では、樹脂組成物の吸湿性が大
きく、半田浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に劣り、機械的
特性や成形性が悪くなり、また90重量％を超えるとカサ
バリが大きくなり、成形性に劣り好ましくない。Examples of the inorganic filler (E) used in the present invention include silica powder, alumina, antimony trioxide, talc, calcium carbonate, titanium white, clay, mica, red iron oxide, glass fiber and the like, which may be used alone or Two or more kinds can be mixed and used. Among these, silica powder and alumina powder are particularly preferably used. The blending ratio of the inorganic filler is preferably 25 to 90% by weight based on the resin composition.
If the proportion is less than 25% by weight, the hygroscopicity of the resin composition is large, the moisture resistance after solder immersion and the solder heat resistance are poor, and the mechanical properties and moldability are poor, and if it exceeds 90% by weight, dryness occurs. It becomes large and is inferior in moldability, which is not preferable.
【００１６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、両
末端アルコキシシラン、シランカップリング剤および無
機質充填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しな
い限度において、また必要に応じて、例えば天然ワック
ス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド
類、エステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラ
フィン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三
酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜、添加配合す
ることができる。The epoxy resin composition of the present invention contains the above-mentioned specific epoxy resin, novolac-type phenol resin, both-end alkoxysilane, silane coupling agent and inorganic filler as essential components, but does not meet the purpose of the present invention. As long as it is not necessary and if necessary, for example, natural waxes, synthetic waxes, metal salts of straight chain fatty acids, acid amides, esters, releasing agents such as paraffins, chlorinated paraffins, brominated toluene, hexa Flame retardants such as brombenzene and antimony trioxide, colorants such as carbon black and red iron oxide, various curing accelerators, and the like can be appropriately added and blended.
【００１７】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、前述の特定
のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、両末端
アルコキシシラン、シランカップリング剤、無機質充填
剤、その他を所定の組成比に選択した原料成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処
理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕し
て成形材料とすることができる。こうして得られた成形
材料は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは電
気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性
と信頼性を付与させることができる。As a general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material, the above-mentioned specific epoxy resin, novolac type phenol resin, both-end alkoxysilane, silane coupling agent, and inorganic filler are used. After mixing the other raw materials selected in a predetermined composition ratio and mixing them sufficiently evenly with a mixer or the like, melt-mixing treatment with a hot roll or mixing treatment with a kneader etc. is further performed, followed by cooling and solidification to obtain an appropriate size. Can be ground into a molding material. When the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulation, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.
【００１８】本発明の半導体封止装置は、上述した成形
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封
止された半導体封止装置が得られる。加熱による硬化
は、150 ℃以上に加熱して硬化させることが望ましい。The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor chip using the molding material described above. The semiconductor chip to be sealed is not particularly limited to, for example, an integrated circuit, a large scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode and the like. The most common method of sealing is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The molding material is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with a cured product of this composition is obtained. For curing by heating, it is desirable to heat and cure at 150 ° C or higher.
【００１９】[0019]
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、特定のエポキシ樹脂、両末端アルコキシシラ
ン、シランカップリング剤を用いたことによって、樹脂
組成物の成形性が良く、吸湿性を改良し半田浸漬、半田
リフロー後の耐湿劣化を防止することができる。The epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device of the present invention have good moldability and improved hygroscopicity by using a specific epoxy resin, alkoxysilanes at both ends and a silane coupling agent. It is possible to prevent moisture resistance deterioration after solder dipping and solder reflow.
【００２０】[0020]
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。EXAMPLES The present invention will now be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples and comparative examples, “%” means “% by weight”.
【００２１】実施例１ 化５のエポキシ樹脂17％、ノボラック型フェノール樹脂
8％、次に示した両末端アルコキシシラン 0.1％、Example 1 17% epoxy resin of Chemical formula 5, novolac type phenol resin
8%, both ends alkoxysilane 0.1% shown below,
【００２２】[0022]
【化８】 また次式のシランカップリング剤 0.4％、[Chemical 8] Also, the silane coupling agent of the following formula 0.4%,
【００２３】[0023]
【化９】 シリカ粉末74％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス
0.2％を常温で混合し、さらに90〜100 ℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料を製造した。[Chemical 9] 74% silica powder, 0.3% hardening accelerator, ester wax
0.2% was mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 100 ° C., and cooled and ground to produce a molding material.
【００２４】実施例２ 化５のエポキシ樹脂17％、ノボラック型フェノール樹脂
8％、化８に示した両末端アルコキシシラン 0.4％、ま
た化９のシランカップリング剤 0.1％、シリカ粉末74
％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.2％を常温
で混合し、さらに90〜100 ℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。Example 2 17% epoxy resin of Chemical formula 5, novolac type phenol resin
8%, 0.4% of both ends alkoxysilane shown in Chemical formula 8, 0.1% of the silane coupling agent of Chemical formula 9, silica powder 74
%, A curing accelerator 0.3%, and an ester wax 0.2% were mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 100 ° C., and cooled and ground to produce a molding material.
【００２５】実施例３ 化５のエポキシ樹脂17％、ノボラック型フェノール樹脂
8％、次に示した両末端アルコキシシラン 0.1％、Example 3 17% epoxy resin of Chemical formula 5, novolac type phenolic resin
8%, both ends alkoxysilane 0.1% shown below,
【００２６】[0026]
【化１０】 また次式のシランカップリング剤 0.4％、[Chemical 10] Also, the silane coupling agent of the following formula 0.4%,
【００２７】[0027]
【化１１】 シリカ粉末74％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス
0.2％を常温で混合し、さらに90〜100 ℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料を製造した。[Chemical 11] 74% silica powder, 0.3% hardening accelerator, ester wax
0.2% was mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 100 ° C., and cooled and ground to produce a molding material.
【００２８】実施例４ 化５のエポキシ樹脂17％、ノボラック型フェノール樹脂
8％、化１０に示した両末端アルコキシシラン 0.4％、
また化１１のシランカップリング剤 0.1％、シリカ粉末
74％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.2％を常
温で混合し、さらに90〜100 ℃で混練してこれを冷却粉
砕して成形材料を製造した。Example 4 17% epoxy resin of Chemical formula 5, novolac type phenol resin
8%, 0.4% both ends alkoxysilane shown in Chemical formula 10,
In addition, 0.1% of the silane coupling agent of Chemical formula 11, silica powder
74%, a curing accelerator 0.3% and an ester wax 0.2% were mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 100 ° C., and cooled and ground to produce a molding material.
【００２９】比較例１ 化５のエポキシ樹脂17％、ノボラック型フェノール樹脂
8％、化９に示したシランカップリング剤 0.5％、シリ
カ粉末74％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.2
％を常温で混合し、さらに90〜100 ℃で混練してこれを
冷却粉砕して成形材料を製造した。Comparative Example 1 17% epoxy resin of Chemical formula 5, novolac type phenol resin
8%, silane coupling agent 0.5% shown in Chemical formula 9, silica powder 74%, curing accelerator 0.3%, ester wax 0.2
% At room temperature, further kneaded at 90 to 100 ° C., and cooled and ground to produce a molding material.
【００３０】比較例２ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂19％に、ノ
ボラック型フェノール樹脂 9％、化８に示した両末端ア
ルコキシシラン 0.5％、シリカ粉末71％、硬化促進剤
0.3％、エステルワックス 0.2％を常温で混合し、さら
に90〜100 ℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を
製造した。Comparative Example 2 Orthocresol novolac type epoxy resin 19%, novolac type phenolic resin 9%, both-end alkoxysilane 0.5% shown in Chemical formula 8, silica powder 71%, curing accelerator
0.3% and ester wax 0.2% were mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 100 ° C., and cooled and ground to produce a molding material.
【００３１】実施例１〜４及び比較例１〜２で製造した
成形材料を用いて、170 ℃に加熱した金型内にトランス
ファー注入し、硬化させて半導体素子を封止して半導体
封止装置を製造した。これらの半導体封止装置につい
て、諸試験を行ったのでその結果を表１に示したが、本
発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、耐湿
性、半田耐熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確
認することができた。Using the molding materials produced in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 2, transfer injection was performed into a mold heated to 170 ° C. and cured to seal a semiconductor element to seal a semiconductor device. Was manufactured. Various tests were conducted on these semiconductor encapsulation devices, and the results are shown in Table 1. The epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention have excellent moisture resistance and solder heat resistance. The remarkable effect of the invention could be confirmed.
【００３２】[0032]
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3mm
の成形品を作り、これを127℃， 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 ＊2 ：吸水率の場合と同様な成形品を作り、 175℃で 8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：成形材料を用いて、 2本のアルミニウム配線を有
するシリコン製チップを、通常の42アロイフレームに接
着し、 175℃で 2分間トランスファー成形して 5×10×
1.5mmのフラットパッケージ型半導体封止装置をつく
り、その後、175 ℃で 8時間の後硬化を行った。こうし
て得た装置を予め、40℃，90％ＲＨ，100 時間の吸湿処
理をした後、250 ℃の半田浴に10秒間浸漬した。その
後、 127℃，2.5 気圧の飽和水蒸気中で耐湿試験を行
い、アルミニウム腐食による50％断線（不良発生）の起
こる時間を評価した。[Table 1] * 1: 50mm diameter and 3mm thickness by transfer molding
The molded product of No. 1 was prepared, and it was left in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atmospheric pressure for 24 hours, and measured by the increased weight. * 2: Make a molded product similar to the case of water absorption and
After post-curing for a certain time, a test piece of an appropriate size was prepared and measured using a thermomechanical analyzer. * 3: Using a molding material, a silicon chip with two aluminum wires is bonded to a normal 42 alloy frame and transfer molded at 175 ° C for 2 minutes to obtain 5 x 10 x
A 1.5 mm flat package type semiconductor encapsulation device was manufactured and then post-cured at 175 ° C for 8 hours. The apparatus thus obtained was previously subjected to moisture absorption treatment at 40 ° C., 90% RH for 100 hours, and then immersed in a solder bath at 250 ° C. for 10 seconds. After that, a humidity resistance test was conducted in saturated steam at 127 ° C and 2.5 atm to evaluate the time for 50% disconnection (defect occurrence) due to aluminum corrosion.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上の説明及び表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、成形性、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影
響が少なく、電極の腐食による断線や水分によるリーク
電流の発生等を著しく低減することができ、しかも長時
間にわたって信頼性を保証することができる。As is clear from the above description and Table 1, the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulating device of the present invention are excellent in moldability, moisture resistance and solder heat resistance, are less affected by moisture absorption, It is possible to remarkably reduce the wire breakage due to corrosion and the generation of leak current due to moisture, and further it is possible to guarantee the reliability for a long time.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ 8830−4Ｊ Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location C08L 63/00 NKT 8830-4J H01L 23/29 23/31
Claims (2)
基又はフェニル基を、mは1 以上の整数を、それぞれ表
す） （Ｄ）一般式、ＹＳi Ｘ3 （但し、Ｙは有機官能基を、Ｘは−ＯＣＨ2 又は−ＯＣ
2 Ｈ5 を、それぞれ表す）で示されるシランカップリン
グ剤および （Ｅ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）両末端
アルコキシシランを 0.01 〜 1.0重量％、（Ｄ）シラン
カップリング剤を0.01〜5.0 重量％、また（Ｅ）無機質
充填剤を25〜90重量％含有してなることを特徴とするエ
ポキシ樹脂組成物。1. An epoxy resin represented by the following formula (A): (Wherein n represents 0 or an integer of 1 or more) (B) novolac type phenol resin, (C) both-end alkoxysilane represented by the following general formula, (However, R 1 represents an alkoxy group, R 2 and R 3 represent an alkyl group or a phenyl group, and m represents an integer of 1 or more.) (D) General formula, YSi X 3 (where Y is an organic functional group) Group, X is -OCH 2 or -OC
2 H 5 is represented respectively) and (E) an inorganic filler as an essential component, and 0.01 to 1.0% by weight of the above (C) both-end alkoxysilane with respect to the resin composition, (D) ) An epoxy resin composition comprising 0.01 to 5.0% by weight of a silane coupling agent and 25 to 90% by weight of (E) an inorganic filler.
基又はフェニル基を、mは1 以上の整数を、それぞれ表
す） （Ｄ）一般式、ＹＳi Ｘ3 （但し、Ｙは有機官能基を、Ｘは−ＯＣＨ2 又は−ＯＣ
2 Ｈ5 を、それぞれ表す）で示されるシランカップリン
グ剤および （Ｅ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の両末
端アルコキシシランを 0.01 〜 1.0重量％、（Ｄ）シラ
ンカップリング剤を0.01〜5.0 重量％、また（Ｅ）無機
質充填剤を25〜90重量％含有したエポキシ樹脂組成物の
硬化物で、半導体チップが封止されてなることを特徴と
する半導体封止装置。2. (A) An epoxy resin represented by the following formula: embedded image (Wherein n represents 0 or an integer of 1 or more) (B) novolac type phenolic resin, (C) both-end alkoxysilane represented by the following general formula, (However, R 1 represents an alkoxy group, R 2 and R 3 represent an alkyl group or a phenyl group, m represents an integer of 1 or more, respectively.) (D) General formula, YSi X 3 (where Y is an organic functional group) Group, X is -OCH 2 or -OC
2 H 5 is represented respectively) and (E) an inorganic filler as essential components, and 0.01 to 1.0% by weight of the above-mentioned (C) both-end alkoxysilane with respect to the resin composition, ( D) A semiconductor chip is sealed with a cured product of an epoxy resin composition containing 0.01 to 5.0% by weight of a silane coupling agent and 25 to 90% by weight of (E) an inorganic filler. Semiconductor encapsulation equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04091795A JP3115692B2 (en) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP04091795A JP3115692B2 (en) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05262853A true JPH05262853A (en) | 1993-10-12 |
| JP3115692B2 JP3115692B2 (en) | 2000-12-11 |
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| JP04091795A Expired - Fee Related JP3115692B2 (en) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115692B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7332557B2 (en) * | 2001-06-27 | 2008-02-19 | Tohto Kasei Co., Ltd. | Epoxy resin, epoxy resin composition thereof and cured product thereof |
| JP2017008148A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社ダイセル | Polyorganosilsesquioxane, curable composition, hard coat film and cured article |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP04091795A patent/JP3115692B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7332557B2 (en) * | 2001-06-27 | 2008-02-19 | Tohto Kasei Co., Ltd. | Epoxy resin, epoxy resin composition thereof and cured product thereof |
| JP2017008148A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社ダイセル | Polyorganosilsesquioxane, curable composition, hard coat film and cured article |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3115692B2 (en) | 2000-12-11 |
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