JPH05261472A - 鋳造用中子製造装置 - Google Patents
鋳造用中子製造装置Info
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- JPH05261472A JPH05261472A JP9347892A JP9347892A JPH05261472A JP H05261472 A JPH05261472 A JP H05261472A JP 9347892 A JP9347892 A JP 9347892A JP 9347892 A JP9347892 A JP 9347892A JP H05261472 A JPH05261472 A JP H05261472A
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- molds
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- heating
- mold
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- Molds, Cores, And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 鋳造用中子を製造するための固定金型２と可
動金型３とを支持する金型支持装置４に当該両金型２，
３をそれぞれ加熱する誘導加熱装置１３が備えられ、該
誘導加熱装置１３が比例制御方式によって作動するよう
になっている。 【効果】 排ガスが一切発生しないから、作業環境を良
好に維持することができ、また両金型２，３だけが集中
的に加熱されるから、熱効率が著しく高く、従来のガス
バーナによる加熱方式に比べて、エネルギーコストを半
減させることができると共に、作業員が高熱を受けるこ
とがなくなり、作業条件の向上を図ることができ、しか
も金型加熱温度を設定温度に比例するように自動調整す
ることができる。
動金型３とを支持する金型支持装置４に当該両金型２，
３をそれぞれ加熱する誘導加熱装置１３が備えられ、該
誘導加熱装置１３が比例制御方式によって作動するよう
になっている。 【効果】 排ガスが一切発生しないから、作業環境を良
好に維持することができ、また両金型２，３だけが集中
的に加熱されるから、熱効率が著しく高く、従来のガス
バーナによる加熱方式に比べて、エネルギーコストを半
減させることができると共に、作業員が高熱を受けるこ
とがなくなり、作業条件の向上を図ることができ、しか
も金型加熱温度を設定温度に比例するように自動調整す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘導加熱の原理を利用
して鋳造用中子を製造する装置に関する。
して鋳造用中子を製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】鋳造用中子製造装置では、所定温度（例
えば２５０〜３５０°Ｃ）に加熱した固定金型と可動金
型とを互いに吻合させた後、該両金型内に中子用砂を供
給し、高温状態の両金型でその中子用砂を焼成して、所
定形状の鋳造用中子を製造することが行われているが、
従来、上記両金型を加熱する手段として、金型支持装置
にガスバーナが備えられていた。
えば２５０〜３５０°Ｃ）に加熱した固定金型と可動金
型とを互いに吻合させた後、該両金型内に中子用砂を供
給し、高温状態の両金型でその中子用砂を焼成して、所
定形状の鋳造用中子を製造することが行われているが、
従来、上記両金型を加熱する手段として、金型支持装置
にガスバーナが備えられていた。
【０００３】
【発明が解決しょうとする課題】上記従来の装置では、
ガスバーナから排出される排ガスにより工場内の大気が
汚染されて健康に悪影響を与えると共に、工場内の機械
類が排ガスで腐食されやすい。また金型の加熱温度を設
定通りに一定に保持することが困難で、変動しやすく、
温度制御に細心の注意が必要で、熟練を要する。更に作
業員がガスバーナ及び金型の高熱を受ける過酷な条件下
で作業をしなくてはならなかった。しかもガス代（エネ
ルギーコスト）が高くつくという欠点もある。
ガスバーナから排出される排ガスにより工場内の大気が
汚染されて健康に悪影響を与えると共に、工場内の機械
類が排ガスで腐食されやすい。また金型の加熱温度を設
定通りに一定に保持することが困難で、変動しやすく、
温度制御に細心の注意が必要で、熟練を要する。更に作
業員がガスバーナ及び金型の高熱を受ける過酷な条件下
で作業をしなくてはならなかった。しかもガス代（エネ
ルギーコスト）が高くつくという欠点もある。
【０００４】そこで上記ガスバーナに替えて電熱ヒータ
ーを用いることも考えられたが、これでは、排ガスによ
る問題は解消できるが、それ以外の問題は何ら解消され
ず、特に電気代（エネルギーコスト）が極めて高くつく
という難点がある。
ーを用いることも考えられたが、これでは、排ガスによ
る問題は解消できるが、それ以外の問題は何ら解消され
ず、特に電気代（エネルギーコスト）が極めて高くつく
という難点がある。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、排ガ
スが発生せず、また金型の加熱温度を容易に制御でき、
更に金型だけを集中的に加熱し、しかもエネルギーコス
トが著しく低い鋳造用中子製造装置を提供することを目
的としている。
スが発生せず、また金型の加熱温度を容易に制御でき、
更に金型だけを集中的に加熱し、しかもエネルギーコス
トが著しく低い鋳造用中子製造装置を提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成を実施例に添付の図面に基づいて説明す
ると、本発明の請求項１は、互いに対向して設けた一対
の金型支持装置４，４に、当該両金型２，３をそれぞれ
加熱する誘導加熱装置１３を備えてなる構成を採用する
ものである。
の本発明の構成を実施例に添付の図面に基づいて説明す
ると、本発明の請求項１は、互いに対向して設けた一対
の金型支持装置４，４に、当該両金型２，３をそれぞれ
加熱する誘導加熱装置１３を備えてなる構成を採用する
ものである。
【０００７】また請求項２は、上記誘導加熱装置１３が
比例制御方式によって作動するようになっている構成を
採用するものである。
比例制御方式によって作動するようになっている構成を
採用するものである。
【０００８】
【作用】本発明の請求項１によれば、誘導加熱装置１３
の作動により交番磁界が発生し、それによる磁束が金型
２，３を貫通して、該金型２，３に渦電流を生じさせ、
その渦電流により金型２，３だけを加熱するものであ
る。この場合、排ガスが一切発生しないから、工場内の
大気が汚染されず、作業環境を良好に維持することがで
き、工場内の機械類が排ガスで腐食される恐れもない。
また両金型２，３だけが集中的に加熱されるから、熱効
率が著しく高く、従来のガスバーナによる加熱方式に比
べて、エネルギーコストを半減させることができると共
に、作業員が高熱を受けることがなくなり、作業条件の
向上を図ることができる。
の作動により交番磁界が発生し、それによる磁束が金型
２，３を貫通して、該金型２，３に渦電流を生じさせ、
その渦電流により金型２，３だけを加熱するものであ
る。この場合、排ガスが一切発生しないから、工場内の
大気が汚染されず、作業環境を良好に維持することがで
き、工場内の機械類が排ガスで腐食される恐れもない。
また両金型２，３だけが集中的に加熱されるから、熱効
率が著しく高く、従来のガスバーナによる加熱方式に比
べて、エネルギーコストを半減させることができると共
に、作業員が高熱を受けることがなくなり、作業条件の
向上を図ることができる。
【０００９】また請求項２によれば、誘導加熱装置１３
が比例制御方式で作動するようになっており、加熱の初
期には、急速に加熱して、金型加熱温度を設定温度に短
時間で接近させることができると共に、定常の加熱時に
は、緩やかに加熱して、金型加熱温度を設定温度に比例
して自動的にほぼ一定化させることができるものであっ
て、これにより両金型２，３内に供給された中子用砂を
ほぼ設定温度で効率良く加熱し、所望通りの鋳造用中子
を容易に製造することができる。
が比例制御方式で作動するようになっており、加熱の初
期には、急速に加熱して、金型加熱温度を設定温度に短
時間で接近させることができると共に、定常の加熱時に
は、緩やかに加熱して、金型加熱温度を設定温度に比例
して自動的にほぼ一定化させることができるものであっ
て、これにより両金型２，３内に供給された中子用砂を
ほぼ設定温度で効率良く加熱し、所望通りの鋳造用中子
を容易に製造することができる。
【００１０】
【実施例】図１及び図２は本発明の一実施例を示すもの
であって、中子製造位置Ａの鋳造用中子製造装置１に
は、鋳造用中子を製造するための固定金型２と可動金型
３とをそれぞれ支持する金型支持装置４，４が設けら
れ、また中子製造位置Ａに隣接する予熱位置Ｂには、上
記固定金型２及び可動金型３を予熱するための予熱装置
５が設けられ、更に、予熱位置Ｂと中子製造位置Ａとに
わたって上記両金型２，３を移送するための移送装置６
が設けられている。
であって、中子製造位置Ａの鋳造用中子製造装置１に
は、鋳造用中子を製造するための固定金型２と可動金型
３とをそれぞれ支持する金型支持装置４，４が設けら
れ、また中子製造位置Ａに隣接する予熱位置Ｂには、上
記固定金型２及び可動金型３を予熱するための予熱装置
５が設けられ、更に、予熱位置Ｂと中子製造位置Ａとに
わたって上記両金型２，３を移送するための移送装置６
が設けられている。
【００１１】上記鋳造用中子製造装置１について説明す
ると、図３にも示すように、前記金型支持装置４，４
は、機枠７に設けた軸受７ａ，７ａに支軸９ａ，９ａを
介して揺動可能に支持された揺動枠９の互いに平行する
ガイドロッド９ｂ，９ｂに摺動可能に配設されており、
その一方の金型支持装置４にクランプ部材（図示せず）
により取り外し可能に取付けられた固定金型２は、揺動
枠９に設けた固定側シリンダ装置１１により、また、他
方の金型支持装置４にクランプ部材（図示せず）により
取り外し可能に取付けられた可動金型３は、機枠７に設
けた可動側シリンダ装置１２により、それぞれ図３実線
位置から同図仮想線位置まで移動して互いに吻合するよ
うになっている。なお、図３中、８は金型揺動装置であ
って、吻合状態の両金型２，３内に中子用砂を供給して
鋳造用中子を焼成する際に、一方の支軸９ａを介して両
金型２，３を揺動させることにより、その両金型２，３
内から余分な中子用砂を排出させるものである。
ると、図３にも示すように、前記金型支持装置４，４
は、機枠７に設けた軸受７ａ，７ａに支軸９ａ，９ａを
介して揺動可能に支持された揺動枠９の互いに平行する
ガイドロッド９ｂ，９ｂに摺動可能に配設されており、
その一方の金型支持装置４にクランプ部材（図示せず）
により取り外し可能に取付けられた固定金型２は、揺動
枠９に設けた固定側シリンダ装置１１により、また、他
方の金型支持装置４にクランプ部材（図示せず）により
取り外し可能に取付けられた可動金型３は、機枠７に設
けた可動側シリンダ装置１２により、それぞれ図３実線
位置から同図仮想線位置まで移動して互いに吻合するよ
うになっている。なお、図３中、８は金型揺動装置であ
って、吻合状態の両金型２，３内に中子用砂を供給して
鋳造用中子を焼成する際に、一方の支軸９ａを介して両
金型２，３を揺動させることにより、その両金型２，３
内から余分な中子用砂を排出させるものである。
【００１２】上記各金型支持装置４，４には、各金型
２，３を加熱するための誘導加熱装置１３が設けられて
いる。これは、図４に示すように、交番磁界発生装置１
４と、両金型２，３の加熱温度を検知する温度検出装置
１５と、該温度検出装置１５からの検知信号に基づいて
インバータ１６を介して上記交番磁界発生装置１４を比
例制御方式、具体的には比例−積分−微分制御（ＰＩＤ
制御）方式で制御する温度制御装置１７とから構成され
ている。
２，３を加熱するための誘導加熱装置１３が設けられて
いる。これは、図４に示すように、交番磁界発生装置１
４と、両金型２，３の加熱温度を検知する温度検出装置
１５と、該温度検出装置１５からの検知信号に基づいて
インバータ１６を介して上記交番磁界発生装置１４を比
例制御方式、具体的には比例−積分−微分制御（ＰＩＤ
制御）方式で制御する温度制御装置１７とから構成され
ている。
【００１３】上記交番磁界発生装置１４は、渦巻き状の
加熱コイル１４ａに高周波電流を流すことにより金型
２，３の背面に対し直交する方向に交番磁束φを発生さ
せるものであって、その交番磁束φにより金型２，３に
誘導された渦電流Ｉによるジュール熱で該金型２，３だ
けを集中的に加熱する。
加熱コイル１４ａに高周波電流を流すことにより金型
２，３の背面に対し直交する方向に交番磁束φを発生さ
せるものであって、その交番磁束φにより金型２，３に
誘導された渦電流Ｉによるジュール熱で該金型２，３だ
けを集中的に加熱する。
【００１４】上記温度検出装置１５は、金型２，３の側
面に着脱可能に取付けられたり、金型２，３内に埋め込
まれた熱電対等からなる複数の温度センサー１５ａと、
該各温度センサー１５ａにより測定された測定値を平均
化すると共に、それを補正する温度演算増幅器１５ｂと
からなる。
面に着脱可能に取付けられたり、金型２，３内に埋め込
まれた熱電対等からなる複数の温度センサー１５ａと、
該各温度センサー１５ａにより測定された測定値を平均
化すると共に、それを補正する温度演算増幅器１５ｂと
からなる。
【００１５】前記インバータ１６は、整流回路１６ａを
介して供給された直流電源を温度制御装置１７の指定す
る周波数と電圧の交流電源に変換して、上記交番磁界発
生装置１４を駆動する。
介して供給された直流電源を温度制御装置１７の指定す
る周波数と電圧の交流電源に変換して、上記交番磁界発
生装置１４を駆動する。
【００１６】前記温度制御装置１７は、金型２，３の加
熱温度（例えば２５０〜３５０°Ｃ）を設定するための
温度設定器１７ａと、前記温度演算増幅器１５ｂから入
力された金型温度と単位時間当たりの温度変化分（微分
補正）との和を等価的な金型温度であると予知演算する
帰還演算器１７ｂと、温度設定器１７ａの設定温度と帰
還演算器１７ｂの金型検出温度とを比較し、その両者の
温度差に比例した信号を算出する比較器１７ｃと、該比
較器１７ｃからの入力信号に応じた周波数と電圧とを算
出し、その算出信号をそのまま、または前記温度演算増
幅器１５ｂからの入力信号により補正（積分補正）して
前記インバータ１６に供給する制御演算器１７ｄとから
構成されている。
熱温度（例えば２５０〜３５０°Ｃ）を設定するための
温度設定器１７ａと、前記温度演算増幅器１５ｂから入
力された金型温度と単位時間当たりの温度変化分（微分
補正）との和を等価的な金型温度であると予知演算する
帰還演算器１７ｂと、温度設定器１７ａの設定温度と帰
還演算器１７ｂの金型検出温度とを比較し、その両者の
温度差に比例した信号を算出する比較器１７ｃと、該比
較器１７ｃからの入力信号に応じた周波数と電圧とを算
出し、その算出信号をそのまま、または前記温度演算増
幅器１５ｂからの入力信号により補正（積分補正）して
前記インバータ１６に供給する制御演算器１７ｄとから
構成されている。
【００１７】上記誘導加熱装置１３によれば、温度検出
装置１５により検出される金型２，３の温度と温度設定
器１７ａにより設定される設定温度とが比較器１７ｃで
比較され、その結果、両者の設定偏差が大きい場合、即
ち金型検出温度が設定温度に比べて著しく低いと判定さ
れた場合には、その温度差に比例した信号で制御される
インバータ１６により交番磁界発生装置１４が高い高周
波と高い電圧とで駆動され、図５（ａ）の比例制御方式
を表すグラフに（イ）で示すように、金型２，３が急速
に加熱される。そして、金型２，３の加熱温度が設定温
度に接近した場合には、その温度差に比例した信号で制
御されるインバータ１６により交番磁界発生装置１４が
比較的低い高周波と比較的低い電圧とで駆動され、上記
グラフに（ロ）で示すように、設定温度に沿ってほぼ一
定の温度で金型２，３が加熱される。この結果、金型
２，３内に供給された中子用砂をほば設定温度で効率良
く加熱して、鋳造用中子を所望通りに焼成することがで
きる。
装置１５により検出される金型２，３の温度と温度設定
器１７ａにより設定される設定温度とが比較器１７ｃで
比較され、その結果、両者の設定偏差が大きい場合、即
ち金型検出温度が設定温度に比べて著しく低いと判定さ
れた場合には、その温度差に比例した信号で制御される
インバータ１６により交番磁界発生装置１４が高い高周
波と高い電圧とで駆動され、図５（ａ）の比例制御方式
を表すグラフに（イ）で示すように、金型２，３が急速
に加熱される。そして、金型２，３の加熱温度が設定温
度に接近した場合には、その温度差に比例した信号で制
御されるインバータ１６により交番磁界発生装置１４が
比較的低い高周波と比較的低い電圧とで駆動され、上記
グラフに（ロ）で示すように、設定温度に沿ってほぼ一
定の温度で金型２，３が加熱される。この結果、金型
２，３内に供給された中子用砂をほば設定温度で効率良
く加熱して、鋳造用中子を所望通りに焼成することがで
きる。
【００１８】なお、図５（ｂ）は、誘導加熱装置１３を
オン−オフ制御した場合の参考例を示すグラフであっ
て、この場合、加熱初期では、（ハ）で示すように、温
度上昇が比例制御方式に比べて遅く、また定常加熱状態
では、（ニ）で示すように、上限設定温度で電源をオフ
し、下限設定温度で電源をオンすることから、金型２，
３の加熱温度が一定せず、常に変動する。このため、熱
効率が低く、鋳造用中子を所望通りに焼成しにくいもの
である。
オン−オフ制御した場合の参考例を示すグラフであっ
て、この場合、加熱初期では、（ハ）で示すように、温
度上昇が比例制御方式に比べて遅く、また定常加熱状態
では、（ニ）で示すように、上限設定温度で電源をオフ
し、下限設定温度で電源をオンすることから、金型２，
３の加熱温度が一定せず、常に変動する。このため、熱
効率が低く、鋳造用中子を所望通りに焼成しにくいもの
である。
【００１９】予熱装置５について図６及び図７に基づい
て説明すると、これは、ガイドレール１９上に、シリン
ダ装置２０，２０により往復移動される一対の台車式装
置本体２１，２１を配設すると共に、該各装置本体２
１，２１の両端に前述の誘導加熱装置１３と同様の機能
を有する誘導加熱装置２２を設けたものであり、上記各
装置本体２１，２１上に金型２，３が吻合状態で挟持さ
れるようになっている。
て説明すると、これは、ガイドレール１９上に、シリン
ダ装置２０，２０により往復移動される一対の台車式装
置本体２１，２１を配設すると共に、該各装置本体２
１，２１の両端に前述の誘導加熱装置１３と同様の機能
を有する誘導加熱装置２２を設けたものであり、上記各
装置本体２１，２１上に金型２，３が吻合状態で挟持さ
れるようになっている。
【００２０】上記構成において、図６に示すように、ガ
イドレール１９の左端に待機中の装置本体２１では、金
型２，３が誘導加熱装置２２により予熱され、ガイドレ
ール１９の中央部に停止中の装置本体２１では、移送装
置６との間で、金型２，３の受け渡しが行われている。
そして、この状態から予熱された金型２，３を鋳造用中
子製造装置１に供給する場合には、右側の装置本体２１
が同図仮想線に示す待機位置まで右側に移動すると共
に、左側の装置本体２１が移送装置直下位置まで右側に
移動し、該装置本体２１上の予熱された金型２，３が移
送装置６により吊り上げられて、鋳造用中子製造装置１
まで移送されるようになっている。従って鋳造用中子製
造装置１において、従来のように、金型２，３を予熱す
る必要がなくなり、鋳造用中子をほとんどロスタイムな
しに連続的に製造することができる。なお、装置本体２
１，２１の両端に一対の誘導加熱装置２２，２２を設け
たが、そのうち、いずれかの誘導加熱装置２２は省略し
てもよい。
イドレール１９の左端に待機中の装置本体２１では、金
型２，３が誘導加熱装置２２により予熱され、ガイドレ
ール１９の中央部に停止中の装置本体２１では、移送装
置６との間で、金型２，３の受け渡しが行われている。
そして、この状態から予熱された金型２，３を鋳造用中
子製造装置１に供給する場合には、右側の装置本体２１
が同図仮想線に示す待機位置まで右側に移動すると共
に、左側の装置本体２１が移送装置直下位置まで右側に
移動し、該装置本体２１上の予熱された金型２，３が移
送装置６により吊り上げられて、鋳造用中子製造装置１
まで移送されるようになっている。従って鋳造用中子製
造装置１において、従来のように、金型２，３を予熱す
る必要がなくなり、鋳造用中子をほとんどロスタイムな
しに連続的に製造することができる。なお、装置本体２
１，２１の両端に一対の誘導加熱装置２２，２２を設け
たが、そのうち、いずれかの誘導加熱装置２２は省略し
てもよい。
【００２１】移送装置６について図６及び図７に基づい
て説明すると、これは、ガイドレール２４上に水平移動
用シリンダ装置２５により往復移動される台車２６を配
設し、該台車２６に設けた昇降用シリンダ装置２７によ
り昇降される昇降枠２８に、クランプ用シリンダ装置２
９により互いに接近離間移動される一対のクランプ部材
３０，３０を配設したものである。
て説明すると、これは、ガイドレール２４上に水平移動
用シリンダ装置２５により往復移動される台車２６を配
設し、該台車２６に設けた昇降用シリンダ装置２７によ
り昇降される昇降枠２８に、クランプ用シリンダ装置２
９により互いに接近離間移動される一対のクランプ部材
３０，３０を配設したものである。
【００２２】上記構成において、予熱装置５で予熱され
た金型２，３を鋳造用中子製造装置１の金型支持装置４
に取付ける場合には、上記台車２６を予熱位置Ｂに停止
させた状態で、昇降枠２８を下降させることにより、そ
の直下に待機する装置本体２１上の金型２，３に両クラ
ンプ部材３０，３０を対向させ、該両クランプ部材３
０，３０を互いに接近させて、その両クランプ部材３
０，３０の対向側面に突設したクランプピン３０ａ，３
０ａを上記金型２，３の係合孔２ａ，３ａに係合させ、
次に、昇降枠２８を上昇させることにより、両金型２，
３を装置本体２１上から引き上げ（図７実線状態）、台
車２６を中子製造位置Ａまで移動させ、続いて昇降枠２
８を下降させた後、シリンダ装置１１，１２により金型
支持装置４，４を互いに接近させて、該各金型支持装置
４，４に各金型２，３をそれぞれ受け渡すようにすれば
よい（図３仮想線状態参照）。
た金型２，３を鋳造用中子製造装置１の金型支持装置４
に取付ける場合には、上記台車２６を予熱位置Ｂに停止
させた状態で、昇降枠２８を下降させることにより、そ
の直下に待機する装置本体２１上の金型２，３に両クラ
ンプ部材３０，３０を対向させ、該両クランプ部材３
０，３０を互いに接近させて、その両クランプ部材３
０，３０の対向側面に突設したクランプピン３０ａ，３
０ａを上記金型２，３の係合孔２ａ，３ａに係合させ、
次に、昇降枠２８を上昇させることにより、両金型２，
３を装置本体２１上から引き上げ（図７実線状態）、台
車２６を中子製造位置Ａまで移動させ、続いて昇降枠２
８を下降させた後、シリンダ装置１１，１２により金型
支持装置４，４を互いに接近させて、該各金型支持装置
４，４に各金型２，３をそれぞれ受け渡すようにすれば
よい（図３仮想線状態参照）。
【００２３】また金型支持装置４から金型２，３を取り
外す場合には、上記とは逆の手順で、中子製造位置Ａか
ら予熱位置Ｂまで両金型２，３を移送装置６により移送
すればよい。
外す場合には、上記とは逆の手順で、中子製造位置Ａか
ら予熱位置Ｂまで両金型２，３を移送装置６により移送
すればよい。
【００２４】本発明は以上の構成からなるが、その作業
順序を説明すると、まず予熱位置Ｂでは、ガイドレール
１９の端で待機中の装置本体２１上に挟持された吻合状
態の金型２，３が誘導加熱装置２２により予熱される。
この場合、比例制御方式で加熱されるから、金型２，３
をほぼ設定温度で予熱することができる。
順序を説明すると、まず予熱位置Ｂでは、ガイドレール
１９の端で待機中の装置本体２１上に挟持された吻合状
態の金型２，３が誘導加熱装置２２により予熱される。
この場合、比例制御方式で加熱されるから、金型２，３
をほぼ設定温度で予熱することができる。
【００２５】次に予熱された金型２，３は、移送装置直
下まで移動した後、移送装置６により吊り上げられて中
子製造位置Ａまで移送され、鋳造用中子製造装置１の金
型支持装置４に受け渡される。
下まで移動した後、移送装置６により吊り上げられて中
子製造位置Ａまで移送され、鋳造用中子製造装置１の金
型支持装置４に受け渡される。
【００２６】鋳造用中子製造装置１では、金型支持装置
４に支持されている金型２，３が誘導加熱装置１３によ
り加熱される。この場合にも、比例制御方式で加熱され
るから、金型２，３内に供給された中子用砂をほぼ設定
温度で焼成して、所望通りの鋳造用中子を製造すること
ができる。
４に支持されている金型２，３が誘導加熱装置１３によ
り加熱される。この場合にも、比例制御方式で加熱され
るから、金型２，３内に供給された中子用砂をほぼ設定
温度で焼成して、所望通りの鋳造用中子を製造すること
ができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の請求項１によれば、金型支持装
置に支持された両金型の加熱手段として誘導加熱装置を
用いており、排ガスが一切発生しないから、工場内の大
気が汚染されず、作業環境を良好に維持することがで
き、工場内の機械類が排ガスで腐食される恐れもない。
また両金型だけが集中的に加熱されるから、熱効率が著
しく高く、従来のガスバーナによる加熱方式に比べて、
エネルギーコストを半減させることができると共に、作
業員が高熱を受けることがなくなり、作業条件の向上を
図ることができる。
置に支持された両金型の加熱手段として誘導加熱装置を
用いており、排ガスが一切発生しないから、工場内の大
気が汚染されず、作業環境を良好に維持することがで
き、工場内の機械類が排ガスで腐食される恐れもない。
また両金型だけが集中的に加熱されるから、熱効率が著
しく高く、従来のガスバーナによる加熱方式に比べて、
エネルギーコストを半減させることができると共に、作
業員が高熱を受けることがなくなり、作業条件の向上を
図ることができる。
【００２８】請求項２によれば、誘導加熱装置が比例制
御方式で作動するようになっており、金型加熱温度が設
定温度に比例するように自動調整されるから、両金型内
に供給された中子用砂をほぼ設定温度で効率良く加熱
し、所望通りの鋳造用中子を容易に製造することができ
る。
御方式で作動するようになっており、金型加熱温度が設
定温度に比例するように自動調整されるから、両金型内
に供給された中子用砂をほぼ設定温度で効率良く加熱
し、所望通りの鋳造用中子を容易に製造することができ
る。
【図１】本発明の一実施例の正面図である。
【図２】同平面図である。
【図３】同要部の平面図である。
【図４】同作動原理を説明するブロック図である。
【図５】（ａ）は比例制御方式による加熱状態を示すグ
ラフ、（ｂ）はオン−オフ制御方式による加熱状態を示
す参考例のグラフである。
ラフ、（ｂ）はオン−オフ制御方式による加熱状態を示
す参考例のグラフである。
【図６】同縦断面図である。
【図７】同要部の側面図である。
１ 鋳造用中子製造装置 ２ 固定金型 ３ 可動金型 ４ 金型支持装置 １３ 誘導加熱装置
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに対向して設けた一対の金型支持装
置に、当該両金型をそれぞれ加熱する誘導加熱装置を備
えてなる鋳造用中子製造装置。 - 【請求項２】 上記誘導加熱装置は比例制御方式によっ
て作動するようになっている請求項１記載の鋳造用中子
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093478A JPH07102424B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 鋳造用中子製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093478A JPH07102424B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 鋳造用中子製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05261472A true JPH05261472A (ja) | 1993-10-12 |
| JPH07102424B2 JPH07102424B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=14083453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4093478A Expired - Lifetime JPH07102424B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 鋳造用中子製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07102424B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102131382B1 (ko) * | 2019-04-05 | 2020-07-08 | 김인연 | 주조용 샌드 코어 성형 장치 및 주조용 샌드 코어 성형 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143563U (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-26 | 東芝機械株式会社 | 金型加熱装置 |
| JPS6235548U (ja) * | 1985-08-23 | 1987-03-02 | ||
| JPH0249819A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Sekisui House Ltd | アンカーボルト支持架台の設置工法とそれに使用するアンカーボルト支持装置 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4093478A patent/JPH07102424B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143563U (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-26 | 東芝機械株式会社 | 金型加熱装置 |
| JPS6235548U (ja) * | 1985-08-23 | 1987-03-02 | ||
| JPH0249819A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Sekisui House Ltd | アンカーボルト支持架台の設置工法とそれに使用するアンカーボルト支持装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102131382B1 (ko) * | 2019-04-05 | 2020-07-08 | 김인연 | 주조용 샌드 코어 성형 장치 및 주조용 샌드 코어 성형 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07102424B2 (ja) | 1995-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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