JPH05259254A - 半導体ウェーハ収容容器の検査方法 - Google Patents
半導体ウェーハ収容容器の検査方法Info
- Publication number
- JPH05259254A JPH05259254A JP5161892A JP5161892A JPH05259254A JP H05259254 A JPH05259254 A JP H05259254A JP 5161892 A JP5161892 A JP 5161892A JP 5161892 A JP5161892 A JP 5161892A JP H05259254 A JPH05259254 A JP H05259254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- semiconductor wafer
- wafer
- predetermined time
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェーハ収容容器の有害性を簡単に検査
できる方法の提供。 【構成】使用前のポリプロピレンを主原料とする半導体
ウェーハ収容容器を、洗浄後に所定時間熱処理し、該容
器内に半導体鏡面ウェーハを収容して、所定時間前記容
器を常温で保管した後、前記半導体ウェーハの表面変質
層の有無を目視確認することを特徴とする半導体ウェー
ハ収容容器の検査方法。
できる方法の提供。 【構成】使用前のポリプロピレンを主原料とする半導体
ウェーハ収容容器を、洗浄後に所定時間熱処理し、該容
器内に半導体鏡面ウェーハを収容して、所定時間前記容
器を常温で保管した後、前記半導体ウェーハの表面変質
層の有無を目視確認することを特徴とする半導体ウェー
ハ収容容器の検査方法。
Description
【０００１】
【発明の対象】本発明は主原料にポリプロピレンを用い
た半導体ウェーハの収容容器の検査方法に関するもので
ある。
た半導体ウェーハの収容容器の検査方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハを収容する容器と
しては、主原料にポリプロピレンを用いた容器が多用さ
れている。
しては、主原料にポリプロピレンを用いた容器が多用さ
れている。
【０００３】しかし、従来の主原料にポリプロピレンを
用いた半導体ウェーハの収容容器は、それ自体がそれに
収容されるウェーハへ及ぼす影響として、当該容器によ
り発する分解残渣等がウェーハ表面に付着し鏡面ウェー
ハの表面にくもり等の変質層を生じさせる等の欠点があ
った。変質層はその程度により１００，０００lux 程度
の照度下でないと確認されない軽微なものから室内照明
下でも確認出来る重度なものまで容器の履歴や添加剤等
の種類、量などの違いも影響してそれは広範囲に及ぶ。
従来この収容容器の鏡面への影響を簡単に顕在化させ検
査に用いる方法は皆無であった。従って現実的には使用
実績を頼りとして同一メーカーの同一収容容器を使用す
るという方法を取ってきた。それは変質層を生じせしめ
る有害性を積極的に検査せず現状維持という方法により
品質管理を行うという極めて消極的な対応でしかなかっ
た。もちろん収容容器からの脱ガスを収集しその定量分
析を行う等の方法はあるがガス収集のみならずその分析
にはそれ相応の装置を必要とし研究的には良いが、半導
体製造現場での容器の品質確認方法としては不適当であ
った。例に脱ガス量を提供的に求めたとしてもそのガス
量がどの程度収容せるウェーハの表面に影響するかは別
の方法で確認しておく必要がある。すなわちガス量とた
とえばくもり具合の相関を事前に求めておき、それによ
り容器の有害性を判定することになる訳である。しかも
くもり具合の定量化はむずかしく、検査の判定基準とし
ては、あいまいさが残るという欠点も有している。
用いた半導体ウェーハの収容容器は、それ自体がそれに
収容されるウェーハへ及ぼす影響として、当該容器によ
り発する分解残渣等がウェーハ表面に付着し鏡面ウェー
ハの表面にくもり等の変質層を生じさせる等の欠点があ
った。変質層はその程度により１００，０００lux 程度
の照度下でないと確認されない軽微なものから室内照明
下でも確認出来る重度なものまで容器の履歴や添加剤等
の種類、量などの違いも影響してそれは広範囲に及ぶ。
従来この収容容器の鏡面への影響を簡単に顕在化させ検
査に用いる方法は皆無であった。従って現実的には使用
実績を頼りとして同一メーカーの同一収容容器を使用す
るという方法を取ってきた。それは変質層を生じせしめ
る有害性を積極的に検査せず現状維持という方法により
品質管理を行うという極めて消極的な対応でしかなかっ
た。もちろん収容容器からの脱ガスを収集しその定量分
析を行う等の方法はあるがガス収集のみならずその分析
にはそれ相応の装置を必要とし研究的には良いが、半導
体製造現場での容器の品質確認方法としては不適当であ
った。例に脱ガス量を提供的に求めたとしてもそのガス
量がどの程度収容せるウェーハの表面に影響するかは別
の方法で確認しておく必要がある。すなわちガス量とた
とえばくもり具合の相関を事前に求めておき、それによ
り容器の有害性を判定することになる訳である。しかも
くもり具合の定量化はむずかしく、検査の判定基準とし
ては、あいまいさが残るという欠点も有している。
【０００４】収容容器の有害性は潜在性としても極力低
い容器を使用すべきである。その容器が保管または取り
扱われる環境はさまざまであり、潜在的に存在していた
有害性がその環境の影響を受けて（たとえば高温とな
り）顕在化し、収容されたウェーハに悪影響を及ぼし易
くなる可能性もある。従ってこの潜在性をも確実に検出
する方法が望まれる訳であるが、この潜在性の確認につ
いても適当な方法はなかった。
い容器を使用すべきである。その容器が保管または取り
扱われる環境はさまざまであり、潜在的に存在していた
有害性がその環境の影響を受けて（たとえば高温とな
り）顕在化し、収容されたウェーハに悪影響を及ぼし易
くなる可能性もある。従ってこの潜在性をも確実に検出
する方法が望まれる訳であるが、この潜在性の確認につ
いても適当な方法はなかった。
【０００５】以上の如く従来技術には、簡便に収容容器
の有害性をその潜在性含めて確認する方法がなかった。
脱ガスの定量分析等の方法はあるがウェーハの影響を直
接的に見ることが出来ないなどの欠点を有している。
の有害性をその潜在性含めて確認する方法がなかった。
脱ガスの定量分析等の方法はあるがウェーハの影響を直
接的に見ることが出来ないなどの欠点を有している。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、前記した従来技術の欠
点を解消し、半導体ウェーハ収容容器の有害性を簡便に
検査する方法を提供することにある。
点を解消し、半導体ウェーハ収容容器の有害性を簡便に
検査する方法を提供することにある。
【０００７】
【発明の要点】本発明の要旨は、検査するウェーハ収容
容器を一度高温度状態に保持し、ウェーハ表面等に影響
を与える（収容容器に含まれる）有害性物質が容易に開
放されてウェーハに影響し易くすることにより、潜在す
る有害性をも簡便に顕在化させるプロセスを採用したこ
とにあり、それによって有害性確認の精度を大幅に向上
させたものである。
容器を一度高温度状態に保持し、ウェーハ表面等に影響
を与える（収容容器に含まれる）有害性物質が容易に開
放されてウェーハに影響し易くすることにより、潜在す
る有害性をも簡便に顕在化させるプロセスを採用したこ
とにあり、それによって有害性確認の精度を大幅に向上
させたものである。
【０００８】
【発明の実施例】本発明による検査の実施例について説
明する。市販の７５ｍｍ径用ウェーハボックス３個を準
備した。すべて同一メーカーボックスであるがその種類
は表１に示すように分類される。
明する。市販の７５ｍｍ径用ウェーハボックス３個を準
備した。すべて同一メーカーボックスであるがその種類
は表１に示すように分類される。
【０００９】
【表１】
【００１０】すなわちＴＹＰＥとしては２種類であるが
ボックスＩ，IIは同一ＴＹＰＥでも製造年月が異なるも
のである。この３個のボックスを洗浄後７５℃×１２ｈ
ｒの条件で同時に乾燥／熱処理した。次に常温でこれら
のボックスにＧａＡｓ鏡面ウェーハをそれぞれ１枚収容
し、その後のウェーハ表面状態の経時変化を調べた。そ
の結果は表２に示す通りであった。
ボックスＩ，IIは同一ＴＹＰＥでも製造年月が異なるも
のである。この３個のボックスを洗浄後７５℃×１２ｈ
ｒの条件で同時に乾燥／熱処理した。次に常温でこれら
のボックスにＧａＡｓ鏡面ウェーハをそれぞれ１枚収容
し、その後のウェーハ表面状態の経時変化を調べた。そ
の結果は表２に示す通りであった。
【００１１】
【表２】
【００１２】この結果ボックスＩとIIはＴＹＰＥは同じ
だが、製造年月により有害性に大きな差のあることが判
明した。次に同じボックスにそれぞれ新しいＧａＡｓの
ウェーハを収容し、その状態でボックスを６０℃×２４
ｈｒ保持した。このあとでのウェーハ表面の状態の検査
結果を表３に示す。
だが、製造年月により有害性に大きな差のあることが判
明した。次に同じボックスにそれぞれ新しいＧａＡｓの
ウェーハを収容し、その状態でボックスを６０℃×２４
ｈｒ保持した。このあとでのウェーハ表面の状態の検査
結果を表３に示す。
【００１３】
【表３】
【００１４】ウェーハへの有害性の度合は大きく異なる
ことが確認された。ウェーハを収容して保管する際の温
度を高温にすることにより有害性の検出感度が大幅に向
上することも上記にて証明された訳である。さらにボッ
クスIII については、１２０℃×２４ｈｒ保持の確認も
試みたが、くもり発生はなく脱ガスのきわめて少ないこ
とが確認された。
ことが確認された。ウェーハを収容して保管する際の温
度を高温にすることにより有害性の検出感度が大幅に向
上することも上記にて証明された訳である。さらにボッ
クスIII については、１２０℃×２４ｈｒ保持の確認も
試みたが、くもり発生はなく脱ガスのきわめて少ないこ
とが確認された。
【００１５】この様に本発明をウェーハ収容容器の品質
管理に適用するに当っては、メーカーでの収容容器の同
一製造ロットから検査用として容器をランダムに抜き取
り、その容器を用いて前記の検査を行えば、受入検査と
して利用出来る。
管理に適用するに当っては、メーカーでの収容容器の同
一製造ロットから検査用として容器をランダムに抜き取
り、その容器を用いて前記の検査を行えば、受入検査と
して利用出来る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した通り本発明を用いることに
より、ポリプロピレンを主原料とする半導体ウェーハ収
容容器の収容せるウェーハ表面に変質層を形成すること
により、悪影響を及ぼす有害性を感度よく検査すること
が可能となった。特に加熱しある温度に保持するだけの
ため恒温槽さえあれば可能なたいへん簡便でかつ経済的
である。
より、ポリプロピレンを主原料とする半導体ウェーハ収
容容器の収容せるウェーハ表面に変質層を形成すること
により、悪影響を及ぼす有害性を感度よく検査すること
が可能となった。特に加熱しある温度に保持するだけの
ため恒温槽さえあれば可能なたいへん簡便でかつ経済的
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小又 慎史 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 秋山 弘樹 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内
Claims (2)
- 【請求項１】ポリプロピレンを主原料とする半導体ウェ
ーハ収容容器を、洗浄後に所定時間熱処理し、該容器内
に半導体鏡面ウェーハを収容して、所定時間前記容器を
常温で保管した後、前記半導体ウェーハの表面変質層の
有無を目視確認することを特徴とする半導体ウェーハ収
容容器の検査方法。 - 【請求項２】ポリプロピレンを主原料とする半導体ウェ
ーハ収容容器を、洗浄後に所定時間熱処理し、該容器内
に半導体鏡面ウェーハを収容して、恒温槽内に所定時間
保持後、前記半導体ウェーハの表面変質層の有無を目視
確認することを特徴とする半導体ウェーハ収容容器の検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161892A JPH05259254A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体ウェーハ収容容器の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161892A JPH05259254A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体ウェーハ収容容器の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259254A true JPH05259254A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12891871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5161892A Pending JPH05259254A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体ウェーハ収容容器の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005171169A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Mitsui Chemicals Inc | ポリプロピレン樹脂組成物 |
| WO2009025254A1 (ja) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Siltronic Japan Corporation | 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5161892A patent/JPH05259254A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005171169A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Mitsui Chemicals Inc | ポリプロピレン樹脂組成物 |
| WO2009025254A1 (ja) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Siltronic Japan Corporation | 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1071128A3 (en) | Real time defect source identification on a semiconductor substrate | |
| US8361814B2 (en) | Method for monitoring chamber cleanliness | |
| US5151135A (en) | Method for cleaning surfaces using UV lasers | |
| WO2007056025A2 (en) | Reclaiming substrates having defects and contaminants | |
| JP2002076082A (ja) | シリコンウエーハの検査方法及び製造方法、半導体デバイスの製造方法及びシリコンウエーハ | |
| WO2002037158A3 (en) | Cytological imaging systems and methods | |
| Hong et al. | A clean protocol for determining ultralow heavy metal concentrations: its application to the analysis of Pb, Cd, Cu, Zn and Mn in Antarctic snow | |
| EP0859406A3 (en) | Permanently mounted reference sample for a substrate measurement tool | |
| JPH05259254A (ja) | 半導体ウェーハ収容容器の検査方法 | |
| KR20170122279A (ko) | 반도체 기판의 평가 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 | |
| EP0898298A1 (en) | Determination of the thickness of a denuded zone in a silicon wafer | |
| US7601541B2 (en) | Method for detecting Cu concentration of silicon substrate | |
| JP2000193597A (ja) | シリコンウェーハ表面の検査方法 | |
| TW396477B (en) | Conformity evaluating method of semiconductor wafer polishing process using silicon wafer | |
| KR20040045986A (ko) | 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 단결정 잉곳의 결함 영역 구분방법 | |
| KR20010071617A (ko) | 실리콘 웨이퍼 표면 상의 금속 오염 농도를 매핑하기 위한공정 | |
| JP3981350B2 (ja) | クリーンルーム又はミニエンバイロメントの雰囲気中の粒子濃度評価方法 | |
| Robinet et al. | Understanding glass deterioration in museum collections: a multi-disciplinary approach | |
| KR100384680B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 | |
| US6941795B2 (en) | Method for evaluating particle concentrations in a clean room or machine mini-environment | |
| US5913103A (en) | Method of detecting metal contaminants in a wet chemical using enhanced semiconductor growth phenomena | |
| JPS63295953A (ja) | 微量分析用前処理法 | |
| JPH0997585A (ja) | 画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置 | |
| JPH1174493A (ja) | Ｓｏｉウエーハの欠陥検査方法 | |
| JPS5946534A (ja) | 試料の染色前処理方法 |