JPH05259122A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH05259122A JPH05259122A JP5253792A JP5253792A JPH05259122A JP H05259122 A JPH05259122 A JP H05259122A JP 5253792 A JP5253792 A JP 5253792A JP 5253792 A JP5253792 A JP 5253792A JP H05259122 A JPH05259122 A JP H05259122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrode
- ring
- dry etching
- inclination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体回路形成に使用するドライエッチング
装置において、放電後のウエハの搬送ミスのないドライ
エッチング装置を提供することを目的とする。 【構成】 電極１１上にウエハ位置合わせ用リング１４
を設置し、ウエハ昇降装置１３を複数回昇降することに
よって、放電後にウエハ１２の搬送ミスのないドライエ
ッチング装置が得られる。
装置において、放電後のウエハの搬送ミスのないドライ
エッチング装置を提供することを目的とする。 【構成】 電極１１上にウエハ位置合わせ用リング１４
を設置し、ウエハ昇降装置１３を複数回昇降することに
よって、放電後にウエハ１２の搬送ミスのないドライエ
ッチング装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハの搬送ミスを少
なくできるドライエッチング装置に関するものである。
なくできるドライエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ドライエッチング装置ではウエハ
を電極上に置いた後、ドライエッチング装置内をプラズ
マ中にさらすことにより、エッチング終了後にはウエハ
は電荷を帯びることになる。そこでウエハに残った電荷
をとりのぞく為の研究開発が盛んである。
を電極上に置いた後、ドライエッチング装置内をプラズ
マ中にさらすことにより、エッチング終了後にはウエハ
は電荷を帯びることになる。そこでウエハに残った電荷
をとりのぞく為の研究開発が盛んである。
【０００３】以下に従来のドライエッチング装置を説明
する。図２は従来のドライエッチング装置の構成を示す
ものである。また、図３（ａ）は、図２の平面図、図３
（ｂ）は図２の側面図である。図２において、２１は電
極、２２は電極２１上に設置されたウエハ、２３はウエ
ハ２２の搬出入のためのウエハ昇降機構、２４は真空チ
ャンバ、２５は真空チャンバ２４内を排気する真空ポン
プユニット、２６はガス供給ユニット、２７はガス導入
管２８は１３．５６ＭHz高周波電源である。
する。図２は従来のドライエッチング装置の構成を示す
ものである。また、図３（ａ）は、図２の平面図、図３
（ｂ）は図２の側面図である。図２において、２１は電
極、２２は電極２１上に設置されたウエハ、２３はウエ
ハ２２の搬出入のためのウエハ昇降機構、２４は真空チ
ャンバ、２５は真空チャンバ２４内を排気する真空ポン
プユニット、２６はガス供給ユニット、２７はガス導入
管２８は１３．５６ＭHz高周波電源である。
【０００４】以上のように構成された電極部について、
以下その動作について説明する。まずドライエッチング
装置チャンバ２４内に放電ガスをガス供給ユニット２６
からガス導入管２７を通して導入し、真空ポンプ２５を
調整してチャンバの圧力を１０-1Ｔｏｒｒ程度に保ち、
電極２１に高周波電源２８を用いて１３．５６ＭHzの高
周波電圧を印加することによりウエハ２２の表面にプラ
ズマを発生させて、エッチングをする。この時ウエハ２
２はプラズマ内にさらされることになり、放電を終了後
もウエハ２２は電荷例えば負電荷を帯びたままでウエハ
２２と電極２１は吸着されたままとなる。そして、放電
終了後例えば円柱形をしたウエハ昇降機構２３にてウエ
ハ２２を上げてウエハ２２をチャンバ２４内より搬出す
る。
以下その動作について説明する。まずドライエッチング
装置チャンバ２４内に放電ガスをガス供給ユニット２６
からガス導入管２７を通して導入し、真空ポンプ２５を
調整してチャンバの圧力を１０-1Ｔｏｒｒ程度に保ち、
電極２１に高周波電源２８を用いて１３．５６ＭHzの高
周波電圧を印加することによりウエハ２２の表面にプラ
ズマを発生させて、エッチングをする。この時ウエハ２
２はプラズマ内にさらされることになり、放電を終了後
もウエハ２２は電荷例えば負電荷を帯びたままでウエハ
２２と電極２１は吸着されたままとなる。そして、放電
終了後例えば円柱形をしたウエハ昇降機構２３にてウエ
ハ２２を上げてウエハ２２をチャンバ２４内より搬出す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、放電後ウエハ２２の電荷例えば負電荷を
完全に取り除くことができないので、ウエハ２２の電荷
例えば負電荷によるウエハ２２と電極２１の吸着が放電
後も残り、ウエハ昇降機構２３でウエハ２２を上げた時
にウエハ２２がずれてしまい、ウエハ２２搬出時に搬送
エラをおこす。
来の構成では、放電後ウエハ２２の電荷例えば負電荷を
完全に取り除くことができないので、ウエハ２２の電荷
例えば負電荷によるウエハ２２と電極２１の吸着が放電
後も残り、ウエハ昇降機構２３でウエハ２２を上げた時
にウエハ２２がずれてしまい、ウエハ２２搬出時に搬送
エラをおこす。
【０００６】本発明は上記の従来の問題点を解決するも
ので、ウエハの放電後の搬送ミスをなくしたドライエッ
チング装置を提供することを目的とする。
ので、ウエハの放電後の搬送ミスをなくしたドライエッ
チング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のドライエッチング装置は、電極上に電極に対
して鋭角傾斜を持ったウエハ位置合わせ用リングを設け
たものである。
に本発明のドライエッチング装置は、電極上に電極に対
して鋭角傾斜を持ったウエハ位置合わせ用リングを設け
たものである。
【０００８】
【作用】この構成によって、放電終了後にウエハをウエ
ハ昇降機構で上げる際に、ウエハがずれても、一度ウエ
ハ昇降機構を下げるとウエハはウエハ位置合わせ用リン
グの傾斜に従って正しいウエハの位置に置かれることに
なる。そして再度ウエハ昇降機構を上げると、今度はウ
エハの帯電はないので、ウエハは真直ぐ上がることがで
きる。
ハ昇降機構で上げる際に、ウエハがずれても、一度ウエ
ハ昇降機構を下げるとウエハはウエハ位置合わせ用リン
グの傾斜に従って正しいウエハの位置に置かれることに
なる。そして再度ウエハ昇降機構を上げると、今度はウ
エハの帯電はないので、ウエハは真直ぐ上がることがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】図１において、１１は電極、１２はウエ
ハ、１３は円柱形をしたウエハ昇降機構、１４は電極１
１に対して０°以上９０°未満の角度を有するウエハ位
置合わせ用リングである。
ハ、１３は円柱形をしたウエハ昇降機構、１４は電極１
１に対して０°以上９０°未満の角度を有するウエハ位
置合わせ用リングである。
【００１１】以上のように構成されたドライエッチング
装置について、その動作を説明する。まず電極１１上に
ウエハ１２の位置が正しくなる様に電極１１に対して、
例えば４５°の傾斜を有するウエハ位置合わせ用リング
１４を設置する。こうしてドライエッチング装置の真空
チャンバ２４内に放電ガスをガス供給ユニット２６から
ガス導入管２７を通じて導入し、真空ポンプ２５を調整
してチャンバの圧力を１０-1Ｔｏｒｒ程度に保ち、電極
１１に１３．５６ＭHz高周波電圧２８を印加することに
よりウエハ１２の表面にプラズマを発生させて、ウエハ
１２表面をエッチングする。この後、放電をきった後、
ウエハ１２を円柱形をしたウエハ昇降機構１３で上昇さ
せると、ウエハ１２は真上に上がらずにずれてしまう。
そして、この後真空チャンバ２４よりウエハ１２を搬出
しようとすると、搬送ミスを起こすことになる。
装置について、その動作を説明する。まず電極１１上に
ウエハ１２の位置が正しくなる様に電極１１に対して、
例えば４５°の傾斜を有するウエハ位置合わせ用リング
１４を設置する。こうしてドライエッチング装置の真空
チャンバ２４内に放電ガスをガス供給ユニット２６から
ガス導入管２７を通じて導入し、真空ポンプ２５を調整
してチャンバの圧力を１０-1Ｔｏｒｒ程度に保ち、電極
１１に１３．５６ＭHz高周波電圧２８を印加することに
よりウエハ１２の表面にプラズマを発生させて、ウエハ
１２表面をエッチングする。この後、放電をきった後、
ウエハ１２を円柱形をしたウエハ昇降機構１３で上昇さ
せると、ウエハ１２は真上に上がらずにずれてしまう。
そして、この後真空チャンバ２４よりウエハ１２を搬出
しようとすると、搬送ミスを起こすことになる。
【００１２】そこでウエハ１２を真空チャンバ２４より
搬出する前に、１度円柱形をしたウエハ昇降機構１３を
下げる。この時ウエハ１２は電極１１に対して４５°の
傾斜を有するウエハ位置合わせ用リング１４のその傾斜
面に当たり、その４５°の傾斜面に沿って電極１１上に
下りてくる。ウエハ位置合わせ用リング１４は電極１１
上でのウエハ１２の位置が正しくなるように設置してあ
るので、ウエハ１２は電極１１上に下りた時、ウエハ１
２は正しい位置にある。そして再度例えば円柱形をした
ウエハ昇降機構１３にてウエハ１２を上げると、今回ウ
エハ１２は電荷を帯びていないので電極１１とは吸着せ
ずに真上へ上がることになり、この後真空チャンバ２４
より正確にウエハ１２を搬出できるようになる。また放
電後にウエハ昇降機構１３を複数回以上昇降させてもよ
いことはいうまでもない。またウエハ昇降機構１３は複
数ピンによるつき上げ方式でもかまわない。
搬出する前に、１度円柱形をしたウエハ昇降機構１３を
下げる。この時ウエハ１２は電極１１に対して４５°の
傾斜を有するウエハ位置合わせ用リング１４のその傾斜
面に当たり、その４５°の傾斜面に沿って電極１１上に
下りてくる。ウエハ位置合わせ用リング１４は電極１１
上でのウエハ１２の位置が正しくなるように設置してあ
るので、ウエハ１２は電極１１上に下りた時、ウエハ１
２は正しい位置にある。そして再度例えば円柱形をした
ウエハ昇降機構１３にてウエハ１２を上げると、今回ウ
エハ１２は電荷を帯びていないので電極１１とは吸着せ
ずに真上へ上がることになり、この後真空チャンバ２４
より正確にウエハ１２を搬出できるようになる。また放
電後にウエハ昇降機構１３を複数回以上昇降させてもよ
いことはいうまでもない。またウエハ昇降機構１３は複
数ピンによるつき上げ方式でもかまわない。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、電極上に電極に
対して０°以上９０°未満の傾斜を有するウエハ位置合
わせ用リングを設置することにより、放電後のウエハ搬
送ミスをなくすことができる優れたドライエッチング装
置を実現できるものである。
対して０°以上９０°未満の傾斜を有するウエハ位置合
わせ用リングを設置することにより、放電後のウエハ搬
送ミスをなくすことができる優れたドライエッチング装
置を実現できるものである。
【図１】本発明の実施例におけるドライエッチング装置
の電極部分の構成図
の電極部分の構成図
【図２】従来のドライエッチング装置の構成図
【図３】（ａ）は同要部平面図 （ｂ）は同要部側面図
１１ 電極 １２ ウエハ １３ ウエハ昇降機構 １４ ウエハ位置合わせ用リング
Claims (1)
- 【請求項１】 電極上に設置されてあり、電極上のウエ
ハに接する内側がウエハ表面に対してテーパ角の傾斜を
有するウエハ位置合わせ用リングを備えたドライエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253792A JPH05259122A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253792A JPH05259122A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259122A true JPH05259122A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12917527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5253792A Pending JPH05259122A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5529657A (en) * | 1993-10-04 | 1996-06-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| KR20210000097U (ko) * | 2019-07-05 | 2021-01-13 | 주성엔지니어링(주) | 기판지지부 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP5253792A patent/JPH05259122A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5529657A (en) * | 1993-10-04 | 1996-06-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| KR20210000097U (ko) * | 2019-07-05 | 2021-01-13 | 주성엔지니어링(주) | 기판지지부 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7258811B2 (en) | Wafer stage including electrostatic chuck and method for dechucking wafer using the wafer stage | |
| US6174370B1 (en) | Semiconductor wafer chucking device and method for stripping semiconductor wafer | |
| JPH10321605A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001093884A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPS61288424A (ja) | ピンリフト プラズマ処理装置 | |
| JP2879887B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US5552955A (en) | Substrate removal method and mechanism for effecting the method | |
| JPH0774231A (ja) | 処理装置及びその使用方法 | |
| JP3671379B2 (ja) | 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法 | |
| JP2869384B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP4060941B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH05259122A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP3162272B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH088234A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2685006B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP3118497B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| CN111341657A (zh) | 等离子体处理方法 | |
| JPH09129611A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2976898B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2001298013A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20070047545A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2001044265A (ja) | 半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理方法 | |
| KR20050121334A (ko) | 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대와 정전척에서 웨이퍼를디척킹하는 방법 | |
| KR100558472B1 (ko) | 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법 | |
| JP2004119760A (ja) | ドライエッチング装置 |