JPH05257458A - Address generating circuit for memory - Google Patents

Address generating circuit for memory

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Publication number
JPH05257458A
JPH05257458A JP4051825A JP5182592A JPH05257458A JP H05257458 A JPH05257458 A JP H05257458A JP 4051825 A JP4051825 A JP 4051825A JP 5182592 A JP5182592 A JP 5182592A JP H05257458 A JPH05257458 A JP H05257458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
logical
memory
directional
screen image
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4051825A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiro Eguchi
勝博 江口
Osamu Kawai
修 川井
Tsutomu Togo
努 藤後
Kiichi Matsuda
喜一 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4051825A priority Critical patent/JPH05257458A/en
Publication of JPH05257458A publication Critical patent/JPH05257458A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enable the efficient use of a memory corresponding to variable screen size by converting the H-directional and Vdirectional logical addresses of a screen image generated by a logical address generation part into physical addresses of an actual memory by an address conversion part by using the H-and Vdirectional sizes of the screen image. CONSTITUTION:The H-directional logical address and V-directional logical address obtained by the address generation part 1 are converted into the physical addresses of the memory 3 by the address conversion part 2 by using an expression mentioned below according to those logical addresses and the H- directional or V-directional size of the screen image. Namely, the conversion is carried by using (V-directional address)X(H-directional size of screen)+(H- directional address) or (H-directional address)X(V-directional size of screen)+(V- directional address). Consequently, a function for varying and outputting addresses is provided on the assumption that memories having various capacities are connected for the screen image.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はメモリのアドレス発生回
路に関し、特にLSI化された動き補償予測符号化装置
等において画像データをフレームメモリに書き込んだ
り、或いは画像データが蓄えられている複数のフレーム
メモリからデータを読み出して、動き補償フレーム間符
号化や動き補償フレーム補間符号化を行うときのアドレ
ス発生回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an address generating circuit of a memory, and more particularly, in a motion compensation predictive coding apparatus or the like, which is an LSI, writes image data in a frame memory or stores a plurality of frames in which image data is stored. The present invention relates to an address generation circuit for reading data from a memory and performing motion compensation interframe coding or motion compensation frame interpolation coding.

【0002】[0002]

【従来の技術とその課題】画像データの符号化を行う上
記のような動き補償予測符号化装置等において、現在、
使用頻度の高いメモリとしてのDRAMは256K(2
56k×1、64k×4)、1M(1M×1、256k
×4)、4M(4M×1、1M×4、512k×8、2
56k×16)等が有る。
2. Description of the Related Art In the above motion compensation predictive coding apparatus, etc. for coding image data,
DRAM as a frequently used memory is 256K (2
56k × 1, 64k × 4), 1M (1M × 1, 256k)
X4), 4M (4Mx1, 1Mx4, 512kx8, 2
56k × 16) etc.

【0003】これらのDRAMにおいては画面サイズが
固定されていたが、今後、画面サイズが可変に扱える動
き補償予測符号化装置のフレームメモリとしてDRAM
を使用する場合が必要になって来るが、従来の技術では
上に挙げたようなDRAMを画面サイズに合わせて使用
するとき、例えば、図2(b) の左側に示すように、極端
にH(水平)方向に長い画面イメージIMを扱う場合
に、1画面当たりのデータ量はDRAMの容量以下であ
るが、画面のイメージIMでデータをDRAMに書き込
む場合には、より大容量のDRAM’が必要となる可能
性がある。
In these DRAMs, the screen size was fixed, but in the future, the DRAM will be used as a frame memory of a motion compensation predictive coding apparatus capable of handling the screen size variably.
However, in the conventional technology, when the above-mentioned DRAM is used according to the screen size, for example, as shown on the left side of FIG. When handling a screen image IM that is long in the (horizontal) direction, the amount of data per screen is less than or equal to the capacity of the DRAM, but when writing data to the DRAM with the screen image IM, a larger capacity DRAM 'is used. May be needed.

【0004】従って本発明は、画面イメージに対して様
々な容量のメモリが接続されることを想定してアドレス
を可変に出力できる機能を有するメモリのアドレス発生
回路を実現することを目的とする。
Therefore, it is an object of the present invention to realize an address generation circuit of a memory having a function capable of variably outputting an address on the assumption that memories having various capacities are connected to a screen image.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るメモリのアドレス発生回路は、図1に
概念的に示すように、画面イメージのH方向及びV方向
の論理アドレスを発生する論理アドレス発生部1と、両
論理アドレスと該画面イメージのH方向のサイズを用い
て、該論理アドレスから、(V方向の論理アドレス)×
(該画面イメージのH方向のサイズ)+(H方向の論理
アドレス)で表される実際のメモリ3の物理アドレスへ
変換するアドレス変換部2とを備えている。
In order to achieve the above object, an address generating circuit of a memory according to the present invention provides logical addresses in the H direction and V direction of a screen image as conceptually shown in FIG. Using the generated logical address generator 1, both logical addresses, and the size of the screen image in the H direction, from the logical address, (the logical address in the V direction) ×
An address conversion unit 2 for converting a physical address of the actual memory 3 represented by (size of the screen image in the H direction) + (logical address in the H direction).

【0006】また本発明では、上記のアドレス変換部2
の代わりに、両論理アドレスと該画面イメージのH方向
のサイズを用いて、該論理アドレスから、(H方向の論
理アドレス)×(該画面イメージのV方向のサイズ)+
(V方向の論理アドレス)で表される実際のメモリ3の
物理アドレスへ変換するアドレス変換部2を用いてもよ
い。
Further, according to the present invention, the address conversion unit 2 described above is used.
Instead of using both logical addresses and the size of the screen image in the H direction, (H direction logical address) × (size of the screen image in the V direction) +
You may use the address conversion part 2 which converts into the physical address of the actual memory 3 represented by (the logical address of V direction).

【0007】上記の場合、アドレス変換部2は、図3に
示すように、該物理アドレスをそのまま全ビット同時に
出力するのか、又はマルチプレクスして出力するのか、
を選択できるようにすることが好ましい。
In the above case, as shown in FIG. 3, the address translation unit 2 outputs the physical address as it is at all bits simultaneously, or outputs it in a multiplexed form.
Is preferably selected.

【0008】また、アドレス変換部2は、図4に示すよ
うに、該物理アドレスをマルチプレクスして出力する場
合に、同一タイムスロット中に2重以上に拡張して出力
するようにしてもよい。
Further, as shown in FIG. 4, when the physical address is multiplexed and output, the address converting unit 2 may expand the output to double or more in the same time slot and output it. ..

【0009】更には、アドレス変換部2は、図5に示す
ように、該物理アドレスの2重化した側のロウ・アドレ
スとコラム・アドレスを入れ換えることによりアドレス
の選択を2:1にするようにしてもよい。
Further, as shown in FIG. 5, the address conversion unit 2 switches the row address and the column address on the duplicated side of the physical address so that the address selection becomes 2: 1. You can

【0010】[0010]

【作用】図1に示した本発明を図2により説明すると、
画像データIMについては、H(水平)方向とV(垂
直)方向(画面イメージ)で考え、1サイクル内にH方
向のアドレス(ロウ・アドレス)とV方向のアドレス
(コラム・アドレス)の2系統が存在する方がデータの
処理が容易であるが、図2(b) の左側の例のように1メ
モリと画面イメージとが合わないような場合を考慮する
と、メモリの物理的なアドレスに変換した方がメモリ3
の高効率な使用が可能になる。
The present invention shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.
The image data IM is considered in the H (horizontal) direction and the V (vertical) direction (screen image), and there are two systems of an address (row address) in the H direction and an address (column address) in the V direction within one cycle. It is easier to process the data when there is a, but considering the case where one memory does not match the screen image as in the example on the left side of Fig. 2 (b), it is converted to the physical address of the memory. Memory 3
It enables highly efficient use of.

【0011】そこで、本発明では、アドレス発生部1か
ら得られたH方向の論理アドレス、V方向の論理アドレ
スと画面イメージのH方向又はV方向のサイズに従っ
て、これらの論理アドレスをアドレス変換部2により下
記の式によりメモリ3の物理アドレスに変換する。 (V方向のアドレス)×(画面のH方向のサイズ)+
(H方向のアドレス) あるいは、 (H方向のアドレス)×(画面のV方向のサイズ)+
(V方向のアドレス)
Therefore, according to the present invention, according to the logical address in the H direction, the logical address in the V direction and the size of the screen image in the H or V direction obtained from the address generating unit 1, these logical addresses are converted into the address converting unit 2. Is converted into the physical address of the memory 3 by the following formula. (Address in V direction) x (Size of screen in H direction) +
(Address in H direction) Or (Address in H direction) x (Size of screen in V direction) +
(Address in V direction)

【0012】このようにすれば、図2(a) 又は(b) の右
側の例に示すように、メモリ3の書込・読出を効率的に
行うことができる。
By doing so, as shown in the example on the right side of FIG. 2A or 2B, writing / reading of the memory 3 can be efficiently performed.

【0013】また本発明では、図3(a) に示すように、
アドレス変換部2で作成したH方向の物理アドレスX1
〜XmおよびV方向の物理アドレスY1〜Ynの全ての
ビットX1〜Xm,Y1〜Yn(m+nビット)を、ア
ドレス変換部2内で、同図(b) に示す状態Aのようにそ
のまま出力するか、あるいは、状態B及びCのようにH
方向の物理アドレスとV方向の物理アドレスとをマルチ
プレクスして出力するのかを選択できる機能を持つこと
で、各種画面サイズに対するDRAMの使用を容易にす
ることができる。
Further, in the present invention, as shown in FIG.
Physical address X1 in the H direction created by the address conversion unit 2
To Xm and all bits X1 to Xm, Y1 to Yn (m + n bits) of physical addresses Y1 to Yn in the V direction are output as they are in state A shown in FIG. Or H as in states B and C
By having a function of selecting whether to output the physical address in the directional direction and the physical address in the V direction after multiplexing, it is possible to easily use the DRAM for various screen sizes.

【0014】また、上記のマルチプレクス出力の場合、
図4に示すように、アドレス変換部2が、状態Aの場合
と、同一タイムスロット中に2重以上に拡張して出力す
る状態B(H方向アドレスX1〜Xm)及びC(V方向
アドレスY1〜Yn)の場合とが有れば、出力した物理
アドレスを回路外部でバッファリングする必要性を小さ
くでき、メモリ3の使用を容易にできる。
In the case of the above multiplex output,
As shown in FIG. 4, the address conversion unit 2 outputs the state B (H-direction address X1 to Xm) and C (V-direction address Y1) which are expanded in the same time slot and output at least twice in the same time slot. ~ Yn), the necessity of buffering the output physical address outside the circuit can be reduced, and the memory 3 can be used easily.

【0015】更には、アドレス変換部5は、図5に示す
ように、状態Aの場合と、該物理アドレスの2重化した
側のロウ・アドレスとコラム・アドレスを入れ換えるこ
とによりアドレスの選択を2:1にした状態Cとが有れ
ば、上記の場合(図3,4)では必ず3:1のアドレス
選択が必要であったが、2つの状態のみが発生するため
2:1の選択でよいことになり、ハード規模の削減が図
れる。
Further, as shown in FIG. 5, the address conversion unit 5 selects an address by exchanging the row address and the column address on the duplicated side of the physical address in the state A. If there is a state C that is set to 2: 1, in the above case (FIGS. 3 and 4), 3: 1 address selection is always necessary, but since only two states occur, 2: 1 selection is performed. Will be good and the hardware scale can be reduced.

【0016】[0016]

【実施例】図6は図1に示した本発明に係るメモリのア
ドレス発生回路の実施例を示したもので、この実施例
は、動き補償フレーム補間符号化装置10に適用した実
施例である。動き補償フレーム補間符号化とは、符号化
する画面をブロックに分割し、直前・直後の画面それぞ
れの符号化するブロック及びその近傍より最小誤差のブ
ロックをそれぞれ探し、両者と両者を平均したものとの
内の最小誤差のブロックとフレーム間符号化を行うもの
である。
FIG. 6 shows an embodiment of the address generating circuit of the memory according to the present invention shown in FIG. 1, which is an embodiment applied to the motion compensation frame interpolation coding apparatus 10. .. Motion-compensated frame interpolation coding is a method in which the screen to be coded is divided into blocks, the blocks with the smallest error are searched from the blocks to be coded in the immediately preceding and immediately following screens and their neighborhoods, and both and both are averaged. In this case, the block with the smallest error in the frame is inter-frame coded.

【0017】従って、符号化装置10は通常、複数のフ
レームメモリにアクセスすることになるので、この実施
例では8面分のフレームメモリをアクセスするため、ア
ドレスに加え、どのフレームメモリをアクセスするのか
を示す3ビット(BANK)を追加している。
Therefore, since the encoder 10 normally accesses a plurality of frame memories, in this embodiment the frame memories for eight planes are accessed. Therefore, in addition to the address, which frame memory is accessed. 3 bits (BANK) indicating is added.

【0018】従って、アドレス発生部1で発生する論理
アドレスは、図示のように、BANK3ビット(B00
〜B02)、H方向8ビット(H00〜H07)、V方
向12ビット(V00〜V11)の計23ビットとな
る。
Therefore, the logical address generated by the address generator 1 is BANK 3 bits (B00, as shown in the figure).
Up to B02), 8 bits in the H direction (H00 to H07), and 12 bits in the V direction (V00 to V11), a total of 23 bits.

【0019】この23ビットの論理アドレスを受けるア
ドレス変換部2は、H方向サイズを記憶したレジスタ2
1と、このH方向サイズとアドレス発生部1からのV方
向の論理アドレスとを掛ける乗算器22と、この乗算器
22の乗算結果とH方向の論理アドレスとを加える加算
器23と、BANKビットと加算器23の出力ビットと
をラッチしてタイミングを合わせて23ビットの物理ア
ドレスをフレームメモリ(DRAM)3に与えるための
ラッチ回路24とで構成されている。
The address conversion unit 2 that receives the 23-bit logical address is a register 2 that stores the size in the H direction.
1, a multiplier 22 for multiplying the H direction size by the V direction logical address from the address generator 1, an adder 23 for adding the multiplication result of the multiplier 22 and the H direction logical address, and a BANK bit And a latch circuit 24 for latching the output bit of the adder 23 and matching the timing to give a 23-bit physical address to the frame memory (DRAM) 3.

【0020】従って、このアドレス変換部2では、アド
レス発生部1からの論理アドレスを、次の式、 (V方向の論理アドレス)×(画面のH−サイズ) +(H方向の論理アドレス) (1) に従ってメモリ3への23ビットの物理アドレス(B0
2〜B00,Z19〜Z00)に変換している。
Therefore, in this address conversion unit 2, the logical address from the address generation unit 1 is calculated by the following formula: (logical address in V direction) × (H-size of screen) + (logical address in H direction) ( 1) to 23-bit physical address (B0
2 to B00, Z19 to Z00).

【0021】尚、上記の式(1) において丁度、HとVを
入れ換えることにより、次の式、 (V方向の論理アドレス)×(画面のH−サイズ) +(H方向の論理アドレス) (2) により全く同様にして論理アドレスを物理アドレスに変
換することができる。
In the above equation (1), H and V are just exchanged to obtain the following equation: (logical address in V direction) × (H-size of screen) + (logical address in H direction) By 2), a logical address can be converted into a physical address in exactly the same way.

【0022】図7〜図10には、図2に示したアドレス
変換の実施例が示されており、図7では、画面サイズ
(H方向20×V方向24の480画素)の画面イメー
ジをその論理アドレスのままでDRAM(H方向32×
V方向32の1024画素)に格納した例が示されてお
り、これを上記の式(1) に従って物理アドレスに変換し
た後にDRAMに格納した状態が図8に示されている。
7 to 10 show an embodiment of the address conversion shown in FIG. 2. In FIG. 7, a screen image of a screen size (480 pixels in the H direction 20 × V direction 24) is shown. DRAM (H direction 32x)
An example in which the data is stored in 1024 pixels in the V direction) is shown. FIG. 8 shows a state in which the data is stored in the DRAM after being converted into a physical address according to the above equation (1).

【0023】図9は図7の論理アドレスを図8の物理ア
ドレスに変換した具体的な10ビットの状態を示したも
ので、物理アドレスでは、画素番号がそのままDRAM
のアドレスになる。
FIG. 9 shows a concrete 10-bit state in which the logical address of FIG. 7 is converted into the physical address of FIG. 8. In the physical address, the pixel number is the same as that of the DRAM.
Will be the address of.

【0024】更に図10は画像装置でよく扱われるH方
向352×V方向288(CIFサイズ)の画面を51
2×512画素のDRAMに格納する場合の例を示した
もので、同図(a) の論理アドレス(画面イメージのアド
レス)のままだとDRAM中に1画面分のデータしか格
納できないが、同図(b) のように物理アドレスに変換し
て格納した場合には、同じDRAM中に2画面分のデー
タが格納することができることになる。
Further, FIG. 10 shows a screen of 352 (H direction) × 288 (VIF direction) (CIF size) which is often handled by an image device.
This is an example of storing data in a DRAM of 2 × 512 pixels, and if the logical address (address of screen image) in the same figure (a) is left, only one screen of data can be stored in the DRAM. When the data is converted into a physical address and stored as shown in FIG. 8B, data for two screens can be stored in the same DRAM.

【0025】図11は図3に示したアドレス選択を実現
した回路実施例を示したもので、この実施例では、ラッ
チ回路24のみが示されているアドレス変換部2の出力
ビット(m+n=23ビット)を全ビット入力する端子
T0と、これらm+n=23ビットの内のH方向アドレ
スの8ビットのみを入力する端子T1と、これらm+n
=23ビットの内のV方向アドレスの12ビットのみを
入力する端子T2と、を有するセレクタ20を含んでい
る。
FIG. 11 shows a circuit embodiment which realizes the address selection shown in FIG. 3. In this embodiment, the output bit (m + n = 23) of the address conversion unit 2 in which only the latch circuit 24 is shown. A bit T) for inputting all bits, a terminal T1 for inputting only 8 bits of the H-direction address of these m + n = 23 bits, and a terminal T1 for these m + n
, A terminal 20 for inputting only 12 bits of the V-direction address of 23 bits is included.

【0026】これら3つの端子T0〜T2を選択するた
め、セレクタ20には更に、アドレス発生部1(図示せ
ず)からのロウ/コラム・アドレスの切換信号ADRS
ELを受ける制御端子S1と、全ビット出力/マルチプ
レクス出力を選択させるためのスイッチSWに接続され
た制御端子S2とが設けられており、これらの制御端子
S1,S2が図3(b) に示すような論理関係になったと
き、全ビット出力の状態Aと、mビットのH方向アドレ
スのみが出力される状態Bと、nビットのV方向アドレ
スのみが出力される状態Cとが発生し、状態BとCとは
1サイクル中に生じるように制御されるのでマルチプレ
クス出力となる。尚、信号ADRSELは、アドレス全
ビット出力時の外部でのアドレス・マルチプレクスのタ
イミング信号として使用されるため常時外部へ出力され
ている。
In order to select these three terminals T0 to T2, the selector 20 is further provided with a row / column address switching signal ADRS from the address generator 1 (not shown).
A control terminal S1 for receiving EL and a control terminal S2 connected to a switch SW for selecting all-bit output / multiplex output are provided. These control terminals S1 and S2 are shown in FIG. 3 (b). When the logical relationship as shown is obtained, a state A in which all bits are output, a state B in which only an m-bit H-direction address is output, and a state C in which only an n-bit V-direction address is output occur. , States B and C are controlled so as to occur in one cycle, and thus, a multiplexed output is obtained. The signal ADRSEL is always output to the outside because it is used as an address multiplex timing signal when outputting all bits of the address.

【0027】図12は図4に示したアドレス選択を実現
するための回路実施例を示したもので、この実施例と図
11の実施例との相違は、状態B及びCのマルチプレク
ス出力を発生するときに、状態Bでは2mビット出力と
し、状態Cでは2nビット出力とするために、セレクタ
20の端子T1を2mビット(16ビット)とし、端子
T2を2nビット(24ビット)とした点である。
FIG. 12 shows a circuit embodiment for realizing the address selection shown in FIG. 4. The difference between this embodiment and the embodiment of FIG. 11 is that the multiplexed outputs of states B and C are In order to output 2m bits in state B and 2n bits in state C when they occur, the terminal T1 of the selector 20 is set to 2m bits (16 bits) and the terminal T2 is set to 2n bits (24 bits). Is.

【0028】図13は図5に示したアドレス選択を実現
するための回路実施例を示したもので、この実施例と図
11の実施例との相違は、状態Aにおける全m+n(2
3)ビットZ00〜Z19、B00〜B02の内のロウ
・アドレスとコラム・アドレスとを入れ換えた状態Bを
作ることより状態Aと状態Bとで1サイクルにおけるマ
ルチプレクスを構成し、以て状態Cが無くなった点であ
り、このため、ラッチ回路24からセレクタ20への接
続線は図示のように、状態Aにおける全ビット出力のフ
ォーマットか、マルチプレクス出力のフォーマットかの
2:1の選択を行えばよいセレクタ20へ入力され、S
W1により外部から何れかのフォーマットが選択され
る。その際、全ビット出力フォーマット時の装置外部で
のマルチプレクスに対応するため、ロウ・アドレスとコ
ラム・アドレスの切り換えを行うADRSEL信号を常
時外部へ出力しておく。
FIG. 13 shows a circuit embodiment for realizing the address selection shown in FIG. 5. The difference between this embodiment and the embodiment of FIG. 11 is that all m + n (2
3) A state A and a state B form a multiplex in one cycle by creating a state B in which the row address and the column address in the bits Z00 to Z19 and B00 to B02 are exchanged, and thus the state C is formed. Therefore, the connection line from the latch circuit 24 to the selector 20 selects 2: 1 for all bit output format in state A or multiplex output format as shown in the figure. It is input to the selector 20 and S
Either format is selected from the outside by W1. At this time, the ADRSEL signal for switching between the row address and the column address is always output to the outside in order to cope with the multiplex outside the device in the all-bit output format.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のように本発明に係るメモリのアド
レス発生回路によれば、論理アドレス発生部で発生され
た画面イメージのH方向及びV方向の論理アドレスを、
画面イメージのH/V方向のサイズを用いて、アドレス
変換部により実際のメモリの物理アドレスへ変換するよ
うに構成したので、可変の画面サイズに対応した効率的
なメモリの使用が可能になる。
As described above, according to the address generating circuit of the memory of the present invention, the logical addresses in the H direction and the V direction of the screen image generated by the logical address generating unit are
Since the size of the screen image in the H / V direction is used to convert to the physical address of the actual memory by the address conversion unit, it is possible to efficiently use the memory corresponding to the variable screen size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るメモリのアドレス発生回路の構成
を原理的に示したブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing in principle the configuration of an address generation circuit of a memory according to the present invention.

【図2】本発明の動作説明をするためのブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram for explaining the operation of the present invention.

【図3】本発明におけるアドレス変換部のアドレス選択
の態様(その1)を示した図でる。
FIG. 3 is a diagram showing a mode (part 1) of address selection by an address conversion unit according to the present invention.

【図4】本発明におけるアドレス変換部のアドレス選択
の態様(その2)を示した図でる。
FIG. 4 is a diagram showing a mode (part 2) of address selection by the address conversion unit in the present invention.

【図5】本発明におけるアドレス変換部のアドレス選択
の態様(その3)を示した図でる。
FIG. 5 is a diagram showing a mode (3) of address selection of an address conversion unit in the present invention.

【図6】本発明の実施例を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of the present invention.

【図7】画面サイズとDRAMとの関係を示した図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a screen size and a DRAM.

【図8】本発明における物理アドレスによるDRAMへ
のデータ格納例を示した図である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of data storage in a DRAM by a physical address according to the present invention.

【図9】本発明におけるアドレス変換例を示した図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing an example of address conversion in the present invention.

【図10】従来例と本発明のDRAMの使用方法の比較
を示した図である。
FIG. 10 is a diagram showing a comparison between a conventional example and a method of using the DRAM of the present invention.

【図11】本発明におけるアドレス選択回路の実施例
(その1)を示した図である。
FIG. 11 is a diagram showing an embodiment (No. 1) of the address selection circuit in the present invention.

【図12】本発明におけるアドレス選択回路の実施例
(その2)を示した図である。
FIG. 12 is a diagram showing an embodiment (No. 2) of the address selection circuit in the present invention.

【図13】本発明におけるアドレス選択回路の実施例
(その3)を示した図である。
FIG. 13 is a diagram showing an embodiment (part 3) of the address selection circuit in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アドレス発生部 2 アドレス変換部 3 メモリ(DRAM) 20 セレクタ 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。 1 address generating unit 2 address converting unit 3 memory (DRAM) 20 selector

フロントページの続き (72)発明者 藤後 努 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 松田 喜一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内Front page continued (72) Inventor Tsutomu Fujigo 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画面イメージのH方向及びV方向の論理
アドレスを発生する論理アドレス発生部(1) と、 両論理アドレスと該画面イメージのH方向のサイズを用
いて、該論理アドレスから、(V方向の論理アドレス)
×(該画面イメージのH方向のサイズ)+(H方向の論
理アドレス)で表される実際のメモリ(3) の物理アドレ
スへ変換するアドレス変換部(2) と、 を備えたことを特徴とするメモリのアドレス発生回路。
1. A logical address generator (1) for generating logical addresses in the H direction and V direction of a screen image, and using both logical addresses and the size of the screen image in the H direction, Logical address in V direction)
An address conversion unit (2) for converting to a physical address of the actual memory (3) represented by × (size of the screen image in the H direction) + (logical address in the H direction), and Address generation circuit of memory.
【請求項2】 画面イメージのH方向及びV方向の論理
アドレスを発生する論理アドレス発生部(1) と、 両論理アドレスと該画面イメージのH方向のサイズを用
いて、該論理アドレスから、(H方向の論理アドレス)
×(該画面イメージのV方向のサイズ)+(V方向の論
理アドレス)で表される実際のメモリ(3) の物理アドレ
スへ変換するアドレス変換部(2) と、 を備えたことを特徴とするメモリのアドレス発生回路。
2. A logical address generator (1) for generating logical addresses in the H direction and V direction of a screen image, and using both logical addresses and the size of the screen image in the H direction, Logical address in H direction)
An address conversion unit (2) for converting a physical address of the actual memory (3) represented by × (size of the screen image in the V direction) + (logical address in the V direction), and Address generation circuit of memory.
【請求項3】 該アドレス変換部(2) が、該物理アドレ
スをそのまま全ビット同時に出力するのか、又はマルチ
プレクスして出力するのか、を選択できることを特徴と
した請求項1又は2に記載のメモリのアドレス発生回
路。
3. The address conversion unit (2) according to claim 1 or 2, characterized in that it is possible to select whether the physical address is output as it is for all the bits as it is, or the physical address is multiplexed and output. Memory address generation circuit.
【請求項4】 該アドレス変換部(2) が、該物理アドレ
スをマルチプレクスして出力する場合に、同一タイムス
ロット中に2重以上に拡張して出力することを特徴とし
た請求項3に記載のメモリのアドレス発生回路。
4. The address translating unit (2), when the physical address is multiplexed and output, is expanded to double or more and output in the same time slot. Address generation circuit of the described memory.
【請求項5】 該アドレス変換部(2) が、該物理アドレ
スの2重化した側のロウ・アドレスとコラム・アドレス
を入れ換えることによりアドレスの選択を2:1にする
ことを特徴とした請求項4に記載のメモリのアドレス発
生回路。
5. The address conversion unit (2) is characterized in that the address selection is made 2: 1 by exchanging a row address and a column address on the duplicated side of the physical address. 5. An address generation circuit of the memory according to item 4.
JP4051825A 1992-03-10 1992-03-10 Address generating circuit for memory Withdrawn JPH05257458A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907473B2 (en) 2007-07-23 2011-03-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory device and data storage method including address conversion circuit to convert coordinate information of data into one-dimensional information to amplifier
JP2013218590A (en) * 2012-04-11 2013-10-24 I-Cubed Research Center Inc Memory address generation device, memory address generation method, and program

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