JPH05254982A - 単結晶製造装置および製造方法 - Google Patents
単結晶製造装置および製造方法Info
- Publication number
- JPH05254982A JPH05254982A JP8788192A JP8788192A JPH05254982A JP H05254982 A JPH05254982 A JP H05254982A JP 8788192 A JP8788192 A JP 8788192A JP 8788192 A JP8788192 A JP 8788192A JP H05254982 A JPH05254982 A JP H05254982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crucible
- inner crucible
- gas
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 連続チャージ法と、二重るつぼ法とを組み合
わせた半導体単結晶製造装置において、単結晶育成部へ
の不純物混入、石英るつぼの縁やチャンバ内へのＳｉＯ
x 堆積、初期原料溶解中に発生する内側るつぼの変形等
を防止して高純度の単結晶を得ることができるような、
単結晶製造装置および製造方法を提供する。 【構成】 内側るつぼ４、ガス捕集筒６、排気管８を昇
降自在な一体構造とする。内側るつぼ４下端を融液に浸
し、単結晶育成部の気相と原料供給管１１下端の気相と
を分離して、単結晶育成部への不純物混入を防止する。
前記内側るつぼ４とガス捕集筒６とによって形成される
ガス捕集管７から排気管８を介して不活性ガスとともに
ＳｉＯx を排出する。また、初期原料溶解時には内側る
つぼ４などを上昇させ、外側るつぼ２のみで溶解する。
上記改良により、高純度の単結晶を得ることができる。
わせた半導体単結晶製造装置において、単結晶育成部へ
の不純物混入、石英るつぼの縁やチャンバ内へのＳｉＯ
x 堆積、初期原料溶解中に発生する内側るつぼの変形等
を防止して高純度の単結晶を得ることができるような、
単結晶製造装置および製造方法を提供する。 【構成】 内側るつぼ４、ガス捕集筒６、排気管８を昇
降自在な一体構造とする。内側るつぼ４下端を融液に浸
し、単結晶育成部の気相と原料供給管１１下端の気相と
を分離して、単結晶育成部への不純物混入を防止する。
前記内側るつぼ４とガス捕集筒６とによって形成される
ガス捕集管７から排気管８を介して不活性ガスとともに
ＳｉＯx を排出する。また、初期原料溶解時には内側る
つぼ４などを上昇させ、外側るつぼ２のみで溶解する。
上記改良により、高純度の単結晶を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、連続チャージ法による
単結晶製造装置および製造方法に関する。
単結晶製造装置および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の基板となるＳｉ単結晶をＣ
Ｚ法によって製造する場合、引き上げた単結晶の量に応
じて原料をるつぼ内に供給し、連続的に単結晶を引き上
げる連続チャージ法と、偏析現象による単結晶の抵抗率
変化を小さくするため、石英るつぼを二重構造とし、内
側のるつぼから単結晶を引き上げる二重るつぼ法とを組
み合わせた半導体単結晶育成装置が知られている。（Ｕ
ＳＰ２８９２７３９号、特開昭６１−３６１９７号参
照）
Ｚ法によって製造する場合、引き上げた単結晶の量に応
じて原料をるつぼ内に供給し、連続的に単結晶を引き上
げる連続チャージ法と、偏析現象による単結晶の抵抗率
変化を小さくするため、石英るつぼを二重構造とし、内
側のるつぼから単結晶を引き上げる二重るつぼ法とを組
み合わせた半導体単結晶育成装置が知られている。（Ｕ
ＳＰ２８９２７３９号、特開昭６１−３６１９７号参
照）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体単結
晶製造装置には、次のような問題点がある。 （１）石英るつぼの縁やチャンバ内に、揮発性のＳｉＯ
x が堆積しやすい。 （２）初期原料の溶解中に内側るつぼが変形する。 （３）単結晶育成部に不純物が混入し、単結晶純度の低
下を招く。 本発明は上記従来の問題点に着目し、これらの不具合発
生を未然に防止して高純度の単結晶を得ることができる
ような、単結晶製造装置および製造方法を提供すること
を目的とする。
晶製造装置には、次のような問題点がある。 （１）石英るつぼの縁やチャンバ内に、揮発性のＳｉＯ
x が堆積しやすい。 （２）初期原料の溶解中に内側るつぼが変形する。 （３）単結晶育成部に不純物が混入し、単結晶純度の低
下を招く。 本発明は上記従来の問題点に着目し、これらの不具合発
生を未然に防止して高純度の単結晶を得ることができる
ような、単結晶製造装置および製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る単結晶製造装置は、中空円筒状の内側る
つぼの上端内側にガス捕集筒を固着し、前記ガス捕集筒
の下端は融液面との間に一定の隙間を保つとともに、前
記内側るつぼの内周とガス捕集筒の外周との間に形成さ
れるガス捕集管の上端に排気管を接続する構成とし、前
記内側るつぼと、内側るつぼに固着したガス捕集筒およ
び排気管とを昇降させる手段を設け、チャンバ外部から
原料を供給する原料供給管を、外側るつぼの内周と内側
るつぼの外周との間に配設するものとし、本発明に係る
単結晶製造方法は、上記単結晶製造装置において、初期
原料の溶解時には、内側るつぼと、内側るつぼに固着し
たガス捕集筒および排気管とを上昇させて、外側るつぼ
に充填した初期原料を溶解し、単結晶引き上げ時には前
記内側るつぼを下降させ、内側るつぼの下端を融液に浸
すことによって、単結晶引き上げ部の気相と原料供給部
の気相とを分離するとともに、ガス捕集管で捕集した融
液面上のガスを、排気管を介してチャンバ外部に排出す
ることとした。
に本発明に係る単結晶製造装置は、中空円筒状の内側る
つぼの上端内側にガス捕集筒を固着し、前記ガス捕集筒
の下端は融液面との間に一定の隙間を保つとともに、前
記内側るつぼの内周とガス捕集筒の外周との間に形成さ
れるガス捕集管の上端に排気管を接続する構成とし、前
記内側るつぼと、内側るつぼに固着したガス捕集筒およ
び排気管とを昇降させる手段を設け、チャンバ外部から
原料を供給する原料供給管を、外側るつぼの内周と内側
るつぼの外周との間に配設するものとし、本発明に係る
単結晶製造方法は、上記単結晶製造装置において、初期
原料の溶解時には、内側るつぼと、内側るつぼに固着し
たガス捕集筒および排気管とを上昇させて、外側るつぼ
に充填した初期原料を溶解し、単結晶引き上げ時には前
記内側るつぼを下降させ、内側るつぼの下端を融液に浸
すことによって、単結晶引き上げ部の気相と原料供給部
の気相とを分離するとともに、ガス捕集管で捕集した融
液面上のガスを、排気管を介してチャンバ外部に排出す
ることとした。
【０００５】
【作用】上記構成によれば、昇降自在で中空円筒状の内
側るつぼの上端内側にガス捕集筒を固着し、前記ガス捕
集筒の下端は融液面との間に一定の隙間を保つととも
に、前記内側るつぼの内周とガス捕集筒の外周との間に
形成されるガス捕集管の上端に排気管を接続したので、
単結晶育成時に融液面上に存在する揮発性のＳｉＯx
は、チャンバ上部から引き上げ単結晶に沿って流下する
不活性ガスとともに、ガス捕集管から排気管を経てチャ
ンバ外部に排出される。また、チャンバ外部から原料を
供給する原料供給管を外側るつぼの内周と内側るつぼの
外周との間に配設し、単結晶引き上げ時には内側るつぼ
の下端を融液に浸すことにしたので、単結晶育成部の気
相と原料供給部の気相とを分離することができる。これ
により、単結晶育成部に対する不純物混入と、るつぼ、
チャンバ等に対するＳｉＯx の堆積とを確実に防止する
ことができる。
側るつぼの上端内側にガス捕集筒を固着し、前記ガス捕
集筒の下端は融液面との間に一定の隙間を保つととも
に、前記内側るつぼの内周とガス捕集筒の外周との間に
形成されるガス捕集管の上端に排気管を接続したので、
単結晶育成時に融液面上に存在する揮発性のＳｉＯx
は、チャンバ上部から引き上げ単結晶に沿って流下する
不活性ガスとともに、ガス捕集管から排気管を経てチャ
ンバ外部に排出される。また、チャンバ外部から原料を
供給する原料供給管を外側るつぼの内周と内側るつぼの
外周との間に配設し、単結晶引き上げ時には内側るつぼ
の下端を融液に浸すことにしたので、単結晶育成部の気
相と原料供給部の気相とを分離することができる。これ
により、単結晶育成部に対する不純物混入と、るつぼ、
チャンバ等に対するＳｉＯx の堆積とを確実に防止する
ことができる。
【０００６】初期原料の溶解時には、内側るつぼと、内
側るつぼに固着したガス捕集筒および排気管とを上昇さ
せ、外側るつぼのみで初期原料を溶解することにしたの
で、内側るつぼの熱変形を防止することができるととも
に、初期原料の溶解効率を向上させることができる。
側るつぼに固着したガス捕集筒および排気管とを上昇さ
せ、外側るつぼのみで初期原料を溶解することにしたの
で、内側るつぼの熱変形を防止することができるととも
に、初期原料の溶解効率を向上させることができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明に係る単結晶製造装置および製
造方法の実施例について、図面を参照して説明する。図
１は、請求項１および請求項２に記載した単結晶製造装
置の第１実施例における概略構造を示す断面図である。
チャンバ１内に黒鉛るつぼの内面に石英るつぼを嵌着し
た外側るつぼ２が設けられ、この外側るつぼ２はるつぼ
軸３に固着されている。内側るつぼ４は、黒鉛管４ａの
下端に石英管４ｂを連結した中空円筒であり、図示しな
いワイヤケーブル等によって単結晶引上げ軸５に釣支さ
れ、単結晶引上げ軸５の上下動に伴って上下動すること
ができるようになっている。前記内側るつぼ４の内側に
は、上端が大径となるテーパを有する中空円筒状のガス
捕集筒６が設けられ、内側るつぼ４の上端とガス捕集筒
６の上端とは同一平面内にあって、かつ、内側るつぼ４
の内周とガス捕集筒６の外周との隙間は前記上端で封止
されている。そして、前記内側るつぼ４の内周とガス捕
集筒６の外周との隙間によってガス捕集管７が形成され
ている。また、内側るつぼ４の内周に通じる排気管８が
内側るつぼ４の上端２箇所に固着され、この排気管８の
端末部はチャンバ１の内周に近接している。このよう
に、内側るつぼ４とガス捕集筒６および排気管８とによ
って、排気機構９が構成されている。本実施例では前記
排気管８を内側るつぼ４の内周に対して１８０°間隔に
２本設けているが、これに限るものではなく、たとえば
１２０°間隔に３本の排気管を設けてもよい。
造方法の実施例について、図面を参照して説明する。図
１は、請求項１および請求項２に記載した単結晶製造装
置の第１実施例における概略構造を示す断面図である。
チャンバ１内に黒鉛るつぼの内面に石英るつぼを嵌着し
た外側るつぼ２が設けられ、この外側るつぼ２はるつぼ
軸３に固着されている。内側るつぼ４は、黒鉛管４ａの
下端に石英管４ｂを連結した中空円筒であり、図示しな
いワイヤケーブル等によって単結晶引上げ軸５に釣支さ
れ、単結晶引上げ軸５の上下動に伴って上下動すること
ができるようになっている。前記内側るつぼ４の内側に
は、上端が大径となるテーパを有する中空円筒状のガス
捕集筒６が設けられ、内側るつぼ４の上端とガス捕集筒
６の上端とは同一平面内にあって、かつ、内側るつぼ４
の内周とガス捕集筒６の外周との隙間は前記上端で封止
されている。そして、前記内側るつぼ４の内周とガス捕
集筒６の外周との隙間によってガス捕集管７が形成され
ている。また、内側るつぼ４の内周に通じる排気管８が
内側るつぼ４の上端２箇所に固着され、この排気管８の
端末部はチャンバ１の内周に近接している。このよう
に、内側るつぼ４とガス捕集筒６および排気管８とによ
って、排気機構９が構成されている。本実施例では前記
排気管８を内側るつぼ４の内周に対して１８０°間隔に
２本設けているが、これに限るものではなく、たとえば
１２０°間隔に３本の排気管を設けてもよい。
【０００８】単結晶引上げ軸５の下降に伴って前記内側
るつぼ４が所定の位置に下降したとき、内側るつぼ４の
上端に固着された排気管８の中心線と一致する位置に中
心線を有する排気口１０が設けられ、この排気口１０は
チャンバ１の側壁を貫通していて、水平方向にスライド
可能となっている。また原料供給管１１は、チャンバ１
の上部外方からチャンバ１を貫通し、前記外側るつぼ２
の内周と内側るつぼ４の外周との隙間に挿入されてい
る。チャンバ１の底板１ａには、中心にるつぼ軸３を挿
通する穴が設けられ、その周囲に複数個の排気口１２が
配設されている。なお、１３はヒータ、１４は保温筒、
１５は融液面、１６は引き上げ単結晶である。
るつぼ４が所定の位置に下降したとき、内側るつぼ４の
上端に固着された排気管８の中心線と一致する位置に中
心線を有する排気口１０が設けられ、この排気口１０は
チャンバ１の側壁を貫通していて、水平方向にスライド
可能となっている。また原料供給管１１は、チャンバ１
の上部外方からチャンバ１を貫通し、前記外側るつぼ２
の内周と内側るつぼ４の外周との隙間に挿入されてい
る。チャンバ１の底板１ａには、中心にるつぼ軸３を挿
通する穴が設けられ、その周囲に複数個の排気口１２が
配設されている。なお、１３はヒータ、１４は保温筒、
１５は融液面、１６は引き上げ単結晶である。
【０００９】次に、上記単結晶製造装置による単結晶製
造方法について説明する。まず外側るつぼ２内に初期原
料のＳｉ多結晶を充填し、内側るつぼ４および内側るつ
ぼ４と一体に構成されたガス捕集筒６、排気管８を単結
晶引上げ軸５の上昇により吊り上げた状態にした後、前
記初期原料をヒータ１３により溶解する。
造方法について説明する。まず外側るつぼ２内に初期原
料のＳｉ多結晶を充填し、内側るつぼ４および内側るつ
ぼ４と一体に構成されたガス捕集筒６、排気管８を単結
晶引上げ軸５の上昇により吊り上げた状態にした後、前
記初期原料をヒータ１３により溶解する。
【００１０】初期原料の溶解が完了した後、内側るつぼ
４を所定の位置に下降させると、排気口１０がチャンバ
１内方にスライドして排気管８の端末部が排気口１０に
挿嵌されるとともに、内側るつぼ４下部の石英管４ｂが
融液に浸される。この状態で、内側るつぼ４と外側るつ
ぼ２との隙間に原料供給管１１から原料を補給しつつ、
内側るつぼ４の内側から単結晶１６を引き上げる。この
ときチャンバ１上方から導入されたアルゴンガスは、チ
ャンバ１内に充満するとともに、引き上げ単結晶１６に
沿って下降し、ガス捕集管７の下端からガス捕集管７内
に入り、排気管８内を通って排気口１０からチャンバ１
の外に排出される。そのため、融液面１５上に存在する
揮発性のＳｉＯx が、外側るつぼ２の縁やヒータ１３等
の内部に堆積しない。また、ガス捕集筒６の下端部分は
高温になるので、ＳｉＯx が堆積することはない。ま
た、前記原料供給管１１下端開口部近傍や外側るつぼ２
の内外周近傍に存在する不純物は、アルゴンガスととも
に排気口１２からチャンバ１の外に排出される。このよ
うに、内側るつぼ４の下端を融液に浸すことにより、原
料供給管１１端末部近傍の気相と内側るつぼ４内の気相
とが内側るつぼ４によって分離されるので、単結晶の欠
陥発生原因となる不純物混入を防止することができ、よ
り信頼性の高い半導体単結晶を得ることが可能となる。
４を所定の位置に下降させると、排気口１０がチャンバ
１内方にスライドして排気管８の端末部が排気口１０に
挿嵌されるとともに、内側るつぼ４下部の石英管４ｂが
融液に浸される。この状態で、内側るつぼ４と外側るつ
ぼ２との隙間に原料供給管１１から原料を補給しつつ、
内側るつぼ４の内側から単結晶１６を引き上げる。この
ときチャンバ１上方から導入されたアルゴンガスは、チ
ャンバ１内に充満するとともに、引き上げ単結晶１６に
沿って下降し、ガス捕集管７の下端からガス捕集管７内
に入り、排気管８内を通って排気口１０からチャンバ１
の外に排出される。そのため、融液面１５上に存在する
揮発性のＳｉＯx が、外側るつぼ２の縁やヒータ１３等
の内部に堆積しない。また、ガス捕集筒６の下端部分は
高温になるので、ＳｉＯx が堆積することはない。ま
た、前記原料供給管１１下端開口部近傍や外側るつぼ２
の内外周近傍に存在する不純物は、アルゴンガスととも
に排気口１２からチャンバ１の外に排出される。このよ
うに、内側るつぼ４の下端を融液に浸すことにより、原
料供給管１１端末部近傍の気相と内側るつぼ４内の気相
とが内側るつぼ４によって分離されるので、単結晶の欠
陥発生原因となる不純物混入を防止することができ、よ
り信頼性の高い半導体単結晶を得ることが可能となる。
【００１１】更に、特に高温となる初期原料溶解時に、
支えのない内側るつぼ４を外側るつぼ２の上方に退避さ
せ、内側るつぼ４の熱変形を防止するとともに、内側る
つぼ４の介在による初期原料への伝熱効率低下を防いで
初期原料の溶解効率を高め、溶解所要時間の短縮を図っ
ている。
支えのない内側るつぼ４を外側るつぼ２の上方に退避さ
せ、内側るつぼ４の熱変形を防止するとともに、内側る
つぼ４の介在による初期原料への伝熱効率低下を防いで
初期原料の溶解効率を高め、溶解所要時間の短縮を図っ
ている。
【００１２】図２は本発明の第２実施例を示す断面図
で、チャンバ１の外部上方からチャンバ１を貫通して垂
直に上下動するロッド１７の下端が排気管８に固着され
ている。内側るつぼ４を含む排気機構９は、図示しない
ロッド昇降機構が前記ロッド１７を昇降させることによ
って上下動し、所定の位置に下降したとき排気管８の端
末と排気口１０とが連結される。その他の構造、機能は
第１実施例と同じである。
で、チャンバ１の外部上方からチャンバ１を貫通して垂
直に上下動するロッド１７の下端が排気管８に固着され
ている。内側るつぼ４を含む排気機構９は、図示しない
ロッド昇降機構が前記ロッド１７を昇降させることによ
って上下動し、所定の位置に下降したとき排気管８の端
末と排気口１０とが連結される。その他の構造、機能は
第１実施例と同じである。
【００１３】図３は本発明の第３実施例である。ヒータ
１３を包囲するように設けられた保温筒１４には、垂直
方向に貫通する気導孔１８が設けられ、チャンバ１の底
板１ａに前記気導孔１８に通じる排気口１９が取着され
ている。ガス捕集管７に通じる排気管８の端末部は、前
記気導孔１８の上端開口部で下方に屈曲し、内側るつぼ
４を含む排気機構９が所定の位置に下降したとき、排気
管８の端末部が気導孔１８の上端開口部に挿嵌されるよ
うになっている。融液面１５上に存在する揮発性のＳｉ
Ｏx は、排気管８と気導孔１８とを経て排気口１９から
外部に排出される。その他の構造、機能は第１実施例と
同じである。
１３を包囲するように設けられた保温筒１４には、垂直
方向に貫通する気導孔１８が設けられ、チャンバ１の底
板１ａに前記気導孔１８に通じる排気口１９が取着され
ている。ガス捕集管７に通じる排気管８の端末部は、前
記気導孔１８の上端開口部で下方に屈曲し、内側るつぼ
４を含む排気機構９が所定の位置に下降したとき、排気
管８の端末部が気導孔１８の上端開口部に挿嵌されるよ
うになっている。融液面１５上に存在する揮発性のＳｉ
Ｏx は、排気管８と気導孔１８とを経て排気口１９から
外部に排出される。その他の構造、機能は第１実施例と
同じである。
【００１４】図４は本発明の第４実施例を示したもの
で、内側るつぼ４を含む排気機構９をロッド１７によっ
て昇降自在としたものである。本実施例の構造、機能は
上記第３実施例と同一である。
で、内側るつぼ４を含む排気機構９をロッド１７によっ
て昇降自在としたものである。本実施例の構造、機能は
上記第３実施例と同一である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、昇
降自在で中空円筒状の内側るつぼの上端内側にガス捕集
筒を固着し、前記内側るつぼの内周とガス捕集筒の外周
との間に形成されるガス捕集管内に揮発性のＳｉＯx を
導き、排気管を介して前記ＳｉＯx をチャンバ外部に排
出するとともに、外側るつぼの内周と内側るつぼの外周
との間に原料供給管を配設することによって、単結晶育
成部の気相と原料供給部の気相とを分離したので、Ｓｉ
Ｏx の引き上げ単結晶への付着、あるいは供給原料に付
着している不純物の単結晶への混入を防止することがで
き、高純度で信頼性の高い単結晶を得ることが可能とな
る。また、るつぼ、チャンバ等に対するＳｉＯx の堆積
を確実に防止することができる。
降自在で中空円筒状の内側るつぼの上端内側にガス捕集
筒を固着し、前記内側るつぼの内周とガス捕集筒の外周
との間に形成されるガス捕集管内に揮発性のＳｉＯx を
導き、排気管を介して前記ＳｉＯx をチャンバ外部に排
出するとともに、外側るつぼの内周と内側るつぼの外周
との間に原料供給管を配設することによって、単結晶育
成部の気相と原料供給部の気相とを分離したので、Ｓｉ
Ｏx の引き上げ単結晶への付着、あるいは供給原料に付
着している不純物の単結晶への混入を防止することがで
き、高純度で信頼性の高い単結晶を得ることが可能とな
る。また、るつぼ、チャンバ等に対するＳｉＯx の堆積
を確実に防止することができる。
【００１６】初期原料の溶解時には内側るつぼを上昇さ
せることにしたので、内側るつぼの熱変形を防止するこ
とができるとともに、初期原料の溶解効率向上によって
作業能率の向上を図ることができる。更に、単結晶引き
上げ中の原料供給に際しては、内側るつぼによって融液
面が仕切られているので、供給原料の投入によって融液
面に発生する波紋の単結晶育成部に対する伝播を防止す
ることができる。
せることにしたので、内側るつぼの熱変形を防止するこ
とができるとともに、初期原料の溶解効率向上によって
作業能率の向上を図ることができる。更に、単結晶引き
上げ中の原料供給に際しては、内側るつぼによって融液
面が仕切られているので、供給原料の投入によって融液
面に発生する波紋の単結晶育成部に対する伝播を防止す
ることができる。
【図１】第１実施例による単結晶製造装置の概略構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】第２実施例による単結晶製造装置の概略構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】第３実施例による単結晶製造装置の概略構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】第４実施例による単結晶製造装置の概略構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ チャンバ ２ 外側るつぼ ４ 内側るつぼ ６ ガス捕集筒 ７ ガス捕集管 ８ 排気管 １１ 原料供給管 １５ 融液面 １６ 単結晶
Claims (2)
- 【請求項１】 中空円筒状の内側るつぼの上端内側にガ
ス捕集筒を固着し、前記ガス捕集筒の下端は融液面との
間に一定の隙間を保つとともに、前記内側るつぼの内周
とガス捕集筒の外周との間に形成されるガス捕集管の上
端に排気管を接続する構成とし、前記内側るつぼと、内
側るつぼに固着したガス捕集筒および排気管とを昇降さ
せる手段を設け、チャンバ外部から原料を供給する原料
供給管を、外側るつぼの内周と内側るつぼの外周との間
に配設したことを特徴とする単結晶製造装置。 - 【請求項２】 請求項１の単結晶製造装置において、初
期原料の溶解時には、内側るつぼと、内側るつぼに固着
したガス捕集筒および排気管とを上昇させて、外側るつ
ぼに充填した初期原料を溶解し、単結晶引き上げ時には
前記内側るつぼを下降させ、内側るつぼの下端を融液に
浸すことによって、単結晶引き上げ部の気相と原料供給
部の気相とを分離するとともに、ガス捕集管で捕集した
融液面上のガスを、排気管を介してチャンバ外部に排出
することを特徴とする単結晶製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8788192A JP2816623B2 (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 単結晶製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8788192A JP2816623B2 (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 単結晶製造装置および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05254982A true JPH05254982A (ja) | 1993-10-05 |
| JP2816623B2 JP2816623B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=13927216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8788192A Expired - Lifetime JP2816623B2 (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 単結晶製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816623B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707447A (en) * | 1995-09-26 | 1998-01-13 | Balzers Und Leybold Deutschland Holding Ag | Crystal pulling apparatus |
| JP2006169010A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
| US10378121B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-08-13 | Globalwafers Co., Ltd. | Crystal pulling system and method for inhibiting precipitate build-up in exhaust flow path |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP8788192A patent/JP2816623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707447A (en) * | 1995-09-26 | 1998-01-13 | Balzers Und Leybold Deutschland Holding Ag | Crystal pulling apparatus |
| JP2006169010A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
| EP1840248A1 (en) * | 2004-12-13 | 2007-10-03 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Semiconductor single crystal producing device and producing method |
| EP1840248A4 (en) * | 2004-12-13 | 2009-07-01 | Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha | DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MONOCRYSTAL |
| JP4730937B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2011-07-20 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
| US8753446B2 (en) | 2004-12-13 | 2014-06-17 | Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha | Semiconductor single crystal production device and producing method therefor |
| US10378121B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-08-13 | Globalwafers Co., Ltd. | Crystal pulling system and method for inhibiting precipitate build-up in exhaust flow path |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2816623B2 (ja) | 1998-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2804505B2 (ja) | 板／スラブの形の大きな単結晶の成長のための装置及び方法 | |
| EP0368586A1 (en) | Apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
| CN110184646A (zh) | 大直径高效n型单晶硅的制备装置 | |
| WO2008086705A1 (fr) | Système de production de cristaux utilisé dans un procédé à gradient thermique par rotation de plusieurs creusets | |
| TWI422716B (zh) | 長晶方法 | |
| CN114686985A (zh) | 一种能降低污染的InSb单晶生长热场装置及生长方法 | |
| JPS62138386A (ja) | 単結晶の引上装置 | |
| US5895527A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
| JPH05254982A (ja) | 単結晶製造装置および製造方法 | |
| US5427056A (en) | Apparatus and method for producing single crystal | |
| JPH04154687A (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| US20050126473A1 (en) | Device for pulling monocrystals | |
| CN213203273U (zh) | 连续拉晶双层坩埚 | |
| CN114934313A (zh) | 一种降低单晶硅等径生产过程断线率的热场 | |
| US4116642A (en) | Method and apparatus for avoiding undesirable deposits in crystal growing operations | |
| US4238274A (en) | Method for avoiding undesirable deposits in crystal growing operations | |
| US4213940A (en) | Apparatus for pulling monocrystalline ribbon-like bodies out of a molten crystalline film | |
| JPH0524969A (ja) | 結晶成長装置 | |
| US8691013B2 (en) | Feed tool for shielding a portion of a crystal puller | |
| JP2631591B2 (ja) | 半導体単結晶製造方法および製造装置 | |
| JPH03193694A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JP2558171Y2 (ja) | 単結晶引き上げ用熱遮蔽体 | |
| JPH06340493A (ja) | 単結晶育成装置および育成方法 | |
| JP2747626B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JP2008087972A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 |