JPH05254815A - フラーレン系導電物質 - Google Patents

フラーレン系導電物質

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JPH05254815A
JPH05254815A JP4053953A JP5395392A JPH05254815A JP H05254815 A JPH05254815 A JP H05254815A JP 4053953 A JP4053953 A JP 4053953A JP 5395392 A JP5395392 A JP 5395392A JP H05254815 A JPH05254815 A JP H05254815A
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JP
Japan
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fullerene
based conductive
cgm
composition
conductive substance
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Pending
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JP4053953A
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English (en)
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Takeshi Suzuki
健 鈴木
Toshiyuki Matsui
俊之 松井
Hiroshi Kimura
浩 木村
Koichi Tsuda
孝一 津田
Kazuo Koe
和郎 向江
Takashi Ishii
孝志 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211Fullerenes, e.g. C60
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/311Phthalocyanine

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Abstract

(57)【要約】 【目的】空気中で安定で導電性のあるフラーレン系物質
を得る。 【構成】フラーレンをCx,有機系光電荷発生物質を(C
GM)とするとき、組成Cx(CGM)y で示される物
質。(ここにxは60,70,76,78,82,8
4,90,96であり、yは0<y<8を満足する)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はフラーレン系導電物質
に係り、特に空気中で安定なフラーレン系導電物質に関
する。
【0002】
【従来の技術】C60とC70の炭素クラスタ分子が安定に
存在する可能性が1985年にKroto等により始めて示
された。その後の詳細な研究によりこの炭素クラスタの
構造が明らかにされた。図3は炭素クラスタを示し、図
3(a)はC60の立体構造図、図3(b)はC 70の立体
構造図である。この分子は球状に炭素原子が60個もし
くは70個結合した分子である。これらの分子はこの構
造と良く似たドーム建築を造ったバックミンスタ・フラ
ー(Buckminster Fuller) に因んでフラーレン(Fuller
ene)と命名された。現在までに明らかにされているフラ
ーレンはC60, とC70の他にC76 , 78, 82, 84,
90, 94等が知られている。
【0003】これらのフラーレンは電気的に絶縁体(抵
抗率 108 Ω・cm以上)であるが、アルカリ金属を
ドープすると10桁以上も抵抗率が低くなり、有機電子
材料として非常に有望視されている。特にC60を用いた
材料は超伝導体となり、1992年現在超伝導転移温度
(Tc)の最も良い値はRbTl2 60で48Kとされ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うなアルカリ金属をドープしたフラーレン系導電物質は
アルカリ金属の反応性が高いために空気中で酸素や水分
と反応して導電性や超伝導性が失われるという問題があ
った。この発明は上述の点に鑑みてなされその目的は、
電子供与性でありかつ酸素や水分と反応しない化合物を
フラーレンにドープすることにより、空気中で安定であ
り且つ導電性または超伝導性のフラーレン系導電物質を
提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば、フラーレンをCx,有機系光電荷発生物質を(C
GM)とするとき、組成Cx(CGM)y で示されるフラ
ーレン系導電物質(ここにxは60,70,76,7
8,82,84,90,96であり、yは0<y<8を
満足する)とすることにより達成される。
【0006】
【作用】フラーレン系導電物質Cx(CGM)y は酸素お
よび水分との反応性が小さく空気中に放置しても安定で
ある。フラーレン系導電物質Cx(CGM)y のなかの有
機系光電荷発生物質(CGM)は光電子を発生し、この
光電子がフラーレンの価電子帯に供与され導電性または
超伝導性を発生させる。
【0007】
【実施例】
実施例1 市販されているフラーレンC60は約0.2%程度の不純
物を含むため、まず昇華精製を行い、純粋なフラーレン
60を得た。有機系光電荷発生物質としてはフタロシア
ニンFCを用い、これについても昇華精製を繰り返して
純粋なフタロシアニンを得た。
【0008】このようにして得られた二つの物質をクヌ
ーセンセルに入れ、それぞれ蒸発させてシリコン(11
1)面上に厚さ0.5μmのCx(FC)y 結晶膜を得
た。結晶の組成比はクヌーセンセルからの蒸発速度を制
御して調整した。図1はこの発明の実施例に係るCx(F
C)y につき、室温における抵抗率の組成依存性を示す
線図である。光照射の場合の抵抗率は組成が2.5のと
きに最小になり4.5×10-3Ω・cmであった。一方
光を照射しないときは組成の増加(yが最大6)に伴
い、抵抗率が単純に減少している。組成が7以上ではフ
タロシアニンの特性が得られるのみであった。
【0009】図2はフラーレン系導電物質C60( FC)
2.5 の光照射時における抵抗率の温度依存性を示す線図
である。C60( FC)2.5 は光照射時、15Kにおいて
超伝導転移を示す。光を照射しないと抵抗温度特性は半
導体的であり超伝導転移を示さない。 実施例2 実施例1のフタロシアニンに代えて、図4に示す多環キ
ノン系化合物を用いる他は実施例1と同様にしてC60(
CGM)y を調製した。フタロシアニンを使用した場合
と同様な抵抗率の組成依存性が得られた。抵抗率が最小
になる組成と、この組成における光照射有り無し時の抵
抗率の差、この組成における光照射時の超伝導転移温度
を表1に示す。 実施例3 実施例1のフタロシアニンに代えて、図4に示すペリレ
ン系化合物を用いる他は実施例1と同様にしてC60( C
GM)y を調製した。フタロシアニンを使用した場合と
同様な抵抗率の組成依存性が得られた。抵抗率が最小に
なる組成と、この組成における光照射有り無し時の抵抗
率の差、この組成における光照射時の超伝導転移温度を
表1に示す。 実施例4 実施例1のフタロシアニンに代えて、図4に示すペリノ
ン系化合物を用いる他は実施例1と同様にしてC60( C
GM)y を調製した。フタロシアニン使用した場合と同
様な抵抗率の組成依存性が得られた。抵抗率が最小にな
る組成と、この組成における光照射有り無し時の抵抗率
の差、この組成における光照射時の超伝導転移温度を表
1に示す。 実施例5 実施例1のフタロシアニンに代えて、図5、図6に示す
アントラキノン系,ジオキサジン系,インジゴ,チオイ
ンジゴ,スクアリリウム系,アゾレーキ系,アゾ系,チ
オピリリウム系,キナクリドン系またはシアニン系の化
合物を用いる他は実施例1と同様にしてC60( CGM)
y を調製した。フタロシアニン使用した場合と同様な抵
抗率の組成依存性が得られた。抵抗率が最小になる組成
と、この組成における光照射有り無し時の抵抗率の差、
この組成における光照射時の超伝導転移温度を表1に示
す。
【0010】
【表1】 実施例6 実施例1のC60に代えてC78を、またフタロシアニンに
代えて、図4に示す多環キノン系化合物を用いる他は実
施例1と同様にしてC78( CGM)y を調製した。実施
例1のフタロシアニンを使用した場合と同様な抵抗率の
組成依存性が得られた。 実施例7 実施例1のC60に代えてC90を、フタロシアニンに代え
て、図4に示すペリレン系化合物を用いる他は実施例1
と同様にしてC90( CGM)y を調製した。実施例1の
フタロシアニンを使用した場合と同様な抵抗率の組成依
存性が得られた。
【0011】
【発明の効果】この発明によればフラーレンをCx,有機
系光電荷発生物質を(CGM)とするとき、組成Cx(C
GM)y で示されるフラーレン系導電物質(ここにxは
60,70,76,78,82,84,90,96であ
り、yは0<y<8を満足する)とするので、フラーレ
ン系導電物質Cx(CGM)y は酸素および水分との反応
性が小さく、またフラーレン系導電物質Cx(CGM)y
のなかの有機系光電荷発生物質(CGM)が光電子を発
生してこの光電子がフラーレン分子に供与されることと
なり、その結果空気中で安定でかつ導電性または超伝導
性を有するフラーレン系導電物質が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例に係るCx(FC)y につき、
室温における抵抗率の組成依存性を示す線図
【図2】フラーレン系導電物質C60( FC)2.5 の光照
射時における抵抗率の温度依存性を示す線図
【図3】炭素クラスタを示し(a)はC60の立体構造
図、(b)はC70の立体構造図
【図4】この発明の実施例に係る有機系光電荷発生物質
を示し、(a)はフタロシアニン系、(b)は多環キノ
ン系、(c)はペリレン系、(d)はペリノン系を示す
構造図
【図5】この発明の実施例に係る有機系光電荷発生物質
を示し、(a)はアントラキノン系、(b)はジオキサ
ジン系、(c)はインジゴ、(d)はチオインジゴ、
(e)はスクアリリウム系、(f)はアゾレーキ系を示
す構造図
【図6】この発明の実施例に係る有機系光電荷発生物質
を示し、(a)はアゾ系、(b)はチオピリリウム系、
(c)はキナクリドン系、(d)はシアニン系を示す構
造図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 津田 孝一 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 向江 和郎 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 石井 孝志 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フラーレンをCx,有機系光電荷発生物質を
    (CGM)とするとき、組成Cx(CGM)y で示される
    フラーレン系導電物質。(ここにxは60,70,7
    6,78,82,84,90,96であり、yは0<y
    <8を満足する)。
  2. 【請求項2】請求項1記載のフラーレン系導電物質にお
    いて、有機系光電荷発生物質はフタロシアニン系,多環
    キノン系,ペリレン系,ペリノン系,アントラキノン
    系,ジオキサジン系,インジゴ,チオインジゴ,スクア
    リリウム系,アゾレーキ系,アゾ系,チオピリリウム
    系,キナクリドン系またはシアニン系の化合物であるこ
    とを特徴とするフラーレン系導電物質。
  3. 【請求項3】請求項1記載のフラーレン系導電物質にお
    いて、フラーレンと電荷発生物質とをシリコン単結晶上
    に蒸着してなることを特徴とするフラーレン系導電物
    質。
JP4053953A 1992-03-13 1992-03-13 フラーレン系導電物質 Pending JPH05254815A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100431195C (zh) * 2005-04-22 2008-11-05 友达光电股份有限公司 有机发光元件
WO2020218386A1 (ja) * 2019-04-24 2020-10-29 昭和電工株式会社 潤滑油組成物、その製造方法及び真空装置
US11932820B2 (en) 2019-04-24 2024-03-19 Resonac Corporation Lubricating oil composition and method for producing lubricating oil composition

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