JPH05251309A - Lighting optical system - Google Patents

Lighting optical system

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Publication number
JPH05251309A
JPH05251309A JP4050279A JP5027992A JPH05251309A JP H05251309 A JPH05251309 A JP H05251309A JP 4050279 A JP4050279 A JP 4050279A JP 5027992 A JP5027992 A JP 5027992A JP H05251309 A JPH05251309 A JP H05251309A
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JP
Japan
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light source
light
generating means
reticle
optical system
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Application number
JP4050279A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Sugiyama
吉幸 杉山
Hiroshi Yamashita
博 山下
Shinichiro Aoki
新一郎 青木
Yoshito Nakanishi
淑人 中西
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH05251309A publication Critical patent/JPH05251309A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Abstract

PURPOSE:To provide a lighting optical system which is used for a semiconductor exposing device using laser light as a lighting source and can more uniformly illuminate the surface of a reticle by solving the problems of a decline in resolution and ununiformity of illumination caused by speckles and leakage light from a laser. CONSTITUTION:The title optical system is constituted of a light source image generating means which generates a large number of light source images by using laser beams emitted from a laser light source 2, light shielding mask 9 which has the shape corresponding to the light source image generating means near the emitting surface of the generating means and intercepts leakage light from the generating means, reflecting mirror 6 for reflecting the laser light, and condenser lens 11 through which the surface of a reticle is irradiated with beams emitted from the generating means in a state where the beams are superimposed upon another so that a decline in light quantity can be reduced and more uniform illumination can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光学的照明系、特に、半
導体露光装置においてレーザ光を光源としレチクル面を
均一に照明するための照明光学系に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical illumination system, and more particularly to an illumination optical system for uniformly illuminating a reticle surface using a laser beam as a light source in a semiconductor exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体素子、特に超LSI等の回
路パターンの微細化と、高集積化の進歩はめざましく、
回路パターンの線幅は、1μm以下のサブミクロンへと
進みつつある。パターンの微細化と高集積化を可能にす
るために、高解像力の得られる半導体露光装置が要求さ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, the miniaturization of circuit patterns of semiconductor devices, especially super LSIs, and the progress of high integration have been remarkable,
The line width of the circuit pattern is advancing to submicron of 1 μm or less. A semiconductor exposure apparatus capable of obtaining high resolution is required to enable finer patterns and higher integration.

【0003】一般に使用する波長が短ければ短い程解像
力は良くなるため、従来は、照明用光源としても超高圧
水銀ランプやキセノン水銀ランプが用いられていたが、
これらの光源からの光束は指向性が無く低輝度であるた
め露光時間が長くなり、高スループットを得るのが困難
であった。
Generally, the shorter the wavelength used is, the better the resolution becomes. Therefore, conventionally, an ultrahigh pressure mercury lamp or a xenon mercury lamp has been used as a light source for illumination.
Since the light fluxes from these light sources have no directivity and have low luminance, the exposure time becomes long and it is difficult to obtain high throughput.

【0004】これに対し、最近は波長が250nm以下
の遠紫外領域の波長を用いたエキシマレーザを照明用光
源として用いた半導体露光装置が実用化されている。
On the other hand, recently, a semiconductor exposure apparatus using an excimer laser having a wavelength of 250 nm or less in the far ultraviolet region as a light source for illumination has been put into practical use.

【0005】以下、従来の半導体露光装置の照明光学系
について説明する。図4は、従来の半導体露光装置の概
略構成図で、特開昭64−37837に示されているも
のである。図4において、41は露光機構部である。4
2は照明光源で、例えばエキシマレーザのような光源で
ある。43はミラーであり、44は凹レンズ、45は凸
レンズであり、これらのレンズ44、45はビームエキ
スパンダとしての役割を持っており、レーザのビーム径
をおおよそフライアイ・インテグレータ47の大きさに
拡大するものである。
The illumination optical system of the conventional semiconductor exposure apparatus will be described below. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a conventional semiconductor exposure apparatus, which is shown in JP-A-64-37837. In FIG. 4, reference numeral 41 is an exposure mechanism section. Four
An illumination light source 2 is a light source such as an excimer laser. 43 is a mirror, 44 is a concave lens, and 45 is a convex lens. These lenses 44 and 45 have a role as a beam expander, and expand the beam diameter of the laser to the size of the fly-eye integrator 47. To do.

【0006】46はミラーであり、47はレチクル上を
均一に照明するためのフライアイ・インテグレータであ
る。48はミラーであり、49はコンデンサレンズで、
このレンズ49は、フライアイ・インテグレータ47か
ら出射したビームをコリメートする。50は回路パター
ンが描かれているレチクル、51はレチクル50を吸
着、保持するレチクルホルダ、52はレチクル50のパ
ターンを投影する投影レンズ、53はレチクル50のパ
ターンが焼付けられるウェハである。
Reference numeral 46 is a mirror, and 47 is a fly-eye integrator for uniformly illuminating the reticle. 48 is a mirror, 49 is a condenser lens,
The lens 49 collimates the beam emitted from the fly-eye integrator 47. Reference numeral 50 is a reticle on which a circuit pattern is drawn, 51 is a reticle holder that attracts and holds the reticle 50, 52 is a projection lens that projects the pattern of the reticle 50, and 53 is a wafer on which the pattern of the reticle 50 is printed.

【0007】54はXYステージであり、ウェハ53を
吸着、保持し、かつ焼付けを行う際にXY方向に移動す
る。55は露光機構部の定盤である。
Reference numeral 54 denotes an XY stage, which moves in the XY directions when the wafer 53 is adsorbed, held, and baked. Reference numeral 55 is a surface plate of the exposure mechanism section.

【0008】以上のように構成された半導体露光装置に
ついて、以下その動作について説明する。
The operation of the semiconductor exposure apparatus configured as described above will be described below.

【0009】まず、エキシマレーザ光源42から出射し
たビームはミラー43で反射され、ビームエキスパンダ
44、45で拡大される。拡大されたビームはミラー4
6で反射され、フライアイ・インテグレータ47で多数
の光源像を発生する。
First, the beam emitted from the excimer laser light source 42 is reflected by the mirror 43 and expanded by the beam expanders 44 and 45. Expanded beam is mirror 4
The light is reflected at 6, and the fly-eye integrator 47 generates a large number of light source images.

【0010】フライアイ・インテグレータ47から出射
した多数の光源像はミラー48で反射され、コンデンサ
レンズ49で重ね合わせた状態でコリメートされ、レチ
クル50上を均一に照明する。そして、レチクル50に
描かれている回路パターンは投影レンズ52によりウェ
ハ53上に投影され、レチクル50のパターンが焼付け
られる。
A large number of light source images emitted from the fly-eye integrator 47 are reflected by the mirror 48, collimated by the condenser lens 49 in a superposed state, and uniformly illuminate the reticle 50. Then, the circuit pattern drawn on the reticle 50 is projected onto the wafer 53 by the projection lens 52, and the pattern of the reticle 50 is printed.

【0011】また、図5は照明光学系の概略構成図であ
り、特開昭59−226317に示されているものであ
る。
FIG. 5 is a schematic diagram of an illumination optical system, which is shown in Japanese Patent Laid-Open No. 59-226317.

【0012】図5において、61は照明光源で、例えば
エキシマレーザのような光源である。レーザ光源61か
ら出射したレーザビームは、走査光学装置62によりス
ポット状に集光されるとともに、走査面63上で2次元
的に走査される。走査面63上に焦点を有するコリメー
トレンズ64により、走査面63からの光束は平行光束
に変換されてフライアイレンズ65に入射する。
In FIG. 5, reference numeral 61 is an illumination light source, which is a light source such as an excimer laser. The laser beam emitted from the laser light source 61 is condensed in a spot shape by the scanning optical device 62 and is two-dimensionally scanned on the scanning surface 63. The light beam from the scanning surface 63 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 64 having a focal point on the scanning surface 63 and is incident on the fly-eye lens 65.

【0013】そして、フライアイレンズ65から出射し
たビームは、コンデンサレンズ66により、回路パター
ンが描かれているレチクル67を照明し、投影レンズ6
8により、ウェハ69上にパターンが焼付けられる。
The beam emitted from the fly-eye lens 65 illuminates a reticle 67 on which a circuit pattern is drawn by a condenser lens 66, and the projection lens 6
8, the pattern is printed on the wafer 69.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、最近の超LSIの一層の高集積度化に伴
い、照明の均一性にはより優れた一様性が要求されてき
ているが、レーザ光を用いた場合においては、レーザ光
には高い直進性があるのでフライアイ・インテグレータ
の間隙からレーザ光の一部が漏れ、漏れたレーザ光は強
度分布を持ったままレチクル面上に到達し、十分な均一
性を得ることが困難になってきている。
However, in the above-mentioned conventional configuration, with the recent increase in the degree of integration of VLSI, the uniformity of illumination is required to be more uniform. When laser light is used, since the laser light has high straightness, part of the laser light leaks from the gap of the fly-eye integrator, and the leaked laser light remains on the reticle surface with its intensity distribution. It has become difficult to reach and obtain sufficient uniformity.

【0015】しかも、1μm以下のサブミクロンの高解
像力を得ようとすると強度分布等の影響で解像力が低下
するという課題を有している。
In addition, there is a problem that if a high resolution of submicron of 1 μm or less is obtained, the resolution is lowered due to the influence of the intensity distribution and the like.

【0016】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
もので、フライアイ・インテグレータからの漏れ光を押
え、レチクル面上をより均一に照明する照明光学系を提
供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide an illumination optical system which suppresses leaked light from a fly-eye integrator and illuminates the reticle surface more uniformly.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、レーザ光源から発せられるビームを用いて
多数の光源像を発生させる光源像発生手段と、該光源像
発生手段の出射面に遮光マスクを具備し、該光源像発生
手段から出射したビームを重ね合わせた状態で被照射面
を照射する構成を有している。
In order to achieve this object, the present invention provides a light source image generating means for generating a large number of light source images using a beam emitted from a laser light source, and an emission surface of the light source image generating means. And a light-shielding mask for irradiating the surface to be irradiated with the beams emitted from the light source image generating means in a superposed state.

【0018】[0018]

【作用】本発明は上記構成によって、光源像発生手段で
あるフライアイ・インテグレータを構成するN個の小レ
ンズ郡とこれに対応した遮光マスクから成り、該光源像
発生手段から出射したN個のビームに分離されると同時
に、光源像発生手段と対応した遮光マスクにより該光源
像発生手段からの漏れ光の発生を押えるので照明の均一
性にはより優れた一様性が得ることができる。
According to the present invention, according to the above construction, the N lenslets forming the fly-eye integrator, which is the light source image generating means, and the corresponding light-shielding masks are used. At the same time when the light is separated into beams, the light-shielding mask corresponding to the light source image generating means suppresses the generation of leaked light from the light source image generating means, so that the uniformity of illumination can be improved.

【0019】[0019]

【実施例】(実施例1)以下、本発明の実施例につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
(Embodiment 1) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0020】図1は本発明の一実施例における半導体露
光装置の概略構成図である。図1において、1は露光機
構部である。2は照明光源で、例えばエキシマレーザ光
源である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor exposure apparatus in one embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 is an exposure mechanism section. An illumination light source 2 is, for example, an excimer laser light source.

【0021】露光機構部1について詳細に説明する。3
はミラーであり、4は凹レンズ、5は凸レンズであり、
4、5はビームエキスパンダとしての役割を持ってお
り、レーザのビーム径をおおよそ凸レンズ6の大きさに
拡大するものである。
The exposure mechanism section 1 will be described in detail. Three
Is a mirror, 4 is a concave lens, 5 is a convex lens,
Numerals 4 and 5 have a role as a beam expander, and expand the laser beam diameter to approximately the size of the convex lens 6.

【0022】6はミラーであり、7は凸レンズで、8は
レチクル上を均一に照明するためのフライアイ・インテ
グレータである。このフライアイ・インテグレータ8
は、図2(a)の平面図に示すごとく、四角柱が多数接
合されて構成されており、各四角柱の両端面は図2
(b)の側面図に示すごとく、それぞれ凸球面に形成さ
れており、正レンズの作用を有している。
Reference numeral 6 is a mirror, 7 is a convex lens, and 8 is a fly-eye integrator for uniformly illuminating the reticle. This fly-eye integrator 8
2A, as shown in the plan view of FIG. 2A, a large number of quadrangular prisms are joined together.
As shown in the side view of (b), each is formed into a convex spherical surface and has the function of a positive lens.

【0023】9は遮光マスクであり、遮光マスク9は図
3の斜視図に示すごとく、フライアイ・インテグレータ
8と対応した形状をしており、接合面からの漏れ光を防
ぐ役割を持っている。10はフライアイ・インテグレー
タ8から出射したビームを反射させる反射ミラーであ
る。11はコンデンサレンズで、フライアイ・インテグ
レータ7から出射したビームをコリメートする。
Reference numeral 9 denotes a light-shielding mask. The light-shielding mask 9 has a shape corresponding to the fly-eye integrator 8 as shown in the perspective view of FIG. 3, and has a role of preventing light leaking from the joint surface. .. Reference numeral 10 is a reflection mirror that reflects the beam emitted from the fly-eye integrator 8. A condenser lens 11 collimates the beam emitted from the fly-eye integrator 7.

【0024】12は回路パターンが描かれているレチク
ル、13はレチクル12を吸着、保持するレチクルホル
ダ、14はレチクル12のパターンを投影する投影レン
ズ、15はパターンが焼付けられるウェハである。16
はXYステージであり、ウェハ15を吸着、保持し、か
つ焼付けを行う際にXY方向に移動する。17は露光機
構部の定盤である。
Reference numeral 12 is a reticle on which a circuit pattern is drawn, 13 is a reticle holder for adsorbing and holding the reticle 12, 14 is a projection lens for projecting the pattern of the reticle 12, and 15 is a wafer on which the pattern is printed. 16
Is an XY stage, which moves in the XY directions when the wafer 15 is adsorbed, held, and baked. Reference numeral 17 is a surface plate of the exposure mechanism section.

【0025】以上のように構成された半導体露光装置に
ついて、以下その動作について説明する。
The operation of the semiconductor exposure apparatus having the above structure will be described below.

【0026】まず、エキシマレーザ光源2から出射した
ビームはミラー3で反射され、ビームエキスパンダ4、
5で拡大される。拡大されたビームは光源像発生手段で
あるフライアイ・インテグレータ8に入射する。フライ
アイ・インテグレータ8の入射面側の凸面の焦点距離
は、フライアイ・インテグレータ8の厚さにほぼ等しい
ため、フライアイ・インテグレータ8に入射するビーム
は各四角柱レンズ要素によって出射面側の各凸面の近傍
に集光されN個のスポット像が形成される。また、フラ
イアイ・インテグレータ8の接合面から漏れたビームは
フライアイ・インテグレータ8と対応した形状を持つ遮
光マスク9によりカットされる。
First, the beam emitted from the excimer laser light source 2 is reflected by the mirror 3, and the beam expander 4,
Expanded by 5. The expanded beam enters a fly-eye integrator 8 which is a light source image generating means. Since the focal length of the convex surface on the incident surface side of the fly-eye integrator 8 is almost equal to the thickness of the fly-eye integrator 8, the beam incident on the fly-eye integrator 8 is separated by the quadrangular prism lens elements from each side on the exit surface side. N spot images are formed in the vicinity of the convex surface. The beam leaking from the joint surface of the fly-eye integrator 8 is cut by a light-shielding mask 9 having a shape corresponding to that of the fly-eye integrator 8.

【0027】形成されたスポット像は反射ミラー10で
反射され、反射ミラー10で反射されたN個のスポット
像は、コンデンサレンズ11で重ね合わせた状態でコリ
メートされ、レチクル12上を均一に照明する。レチク
ル12に描かれている回路パターンは投影レンズ14に
よりウェハ15上に投影され、パターンが焼付けられ
る。
The formed spot image is reflected by the reflection mirror 10, and the N spot images reflected by the reflection mirror 10 are collimated by the condenser lens 11 in a superposed state and uniformly illuminate the reticle 12. .. The circuit pattern drawn on the reticle 12 is projected onto the wafer 15 by the projection lens 14 and the pattern is printed.

【0028】以上のように本実施例によれば、フライア
イ・インテグレータの出射面近傍に遮光マスクを設ける
ことにより、漏れ光が直接レチクル面に到達する事が無
いので、光量低下も小さくより一様な均一照明を得るこ
とができる。
As described above, according to this embodiment, since the light-shielding mask is provided in the vicinity of the exit surface of the fly-eye integrator, the leaked light does not directly reach the reticle surface, so that the decrease in the light amount is small. Such uniform illumination can be obtained.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のように本発明は、フライアイ・イ
ンテグレータの出射面近傍に遮光マスクを設けることに
より、漏れ光が直接レチクル面に到達する事が無いので
光量低下も小さくより一様な均一照明を得ることができ
る。
As described above, according to the present invention, by providing the light-shielding mask in the vicinity of the exit surface of the fly-eye integrator, the leaked light does not reach the reticle surface directly. Uniform illumination can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例における半導体露光装置の概略
構成図
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a)実施例におけるフライアイ・インテグレ
ータの平面図 (b)実施例におけるフライアイ・インテグレータの側
面図
FIG. 2A is a plan view of a fly-eye integrator in the embodiment. FIG. 2B is a side view of a fly-eye integrator in the embodiment.

【図3】同実施例における遮光マスクの斜視図FIG. 3 is a perspective view of a light-shielding mask in the example.

【図4】従来の半導体露光装置の概略構成図FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a conventional semiconductor exposure apparatus.

【図5】同照明光学系の概略構成図FIG. 5 is a schematic configuration diagram of the illumination optical system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 露光機構部 2 照明光源部 3 反射ミラー 4 ビームエキスパンダ 5 ビームエキスパンダ 6 反射ミラー 7 フライアイ・インテグレータ 8 フライアイ・インテグレータ 9 遮光マスク 10 反射ミラー 11 コンデンサレンズ 12 レチクル 13 レチクルホルダ 14 投影レンズ 15 ウェハ 16 XYステージ 17 定盤 1 exposure mechanism part 2 illumination light source part 3 reflection mirror 4 beam expander 5 beam expander 6 reflection mirror 7 fly eye integrator 8 fly eye integrator 9 light shielding mask 10 reflection mirror 11 condenser lens 12 reticle 13 reticle holder 14 projection lens 15 Wafer 16 XY stage 17 Surface plate

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/20 505 7818−2H 521 7818−2H (72)発明者 中西 淑人 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI Technical display location G03F 7/20 505 7818-2H 521 7818-2H (72) Inventor Yoshihito Nakanishi Higashimita, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 3-10-1 Matsushita Giken Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 物体を照明するためにパルス化されたレ
ーザ光を発する光源と、前記光源から射出されるビーム
を用いて多数の光源像を発生させる光源像発生手段と、
前記光源像発生手段の出射面近傍に設けられた遮光マス
ク手段と、前記光源像発生手段からのビームを重ね合わ
せた状態で被照射面を照射する照射手段とを具備したこ
とを特徴とする照明光学系。
1. A light source which emits pulsed laser light for illuminating an object, and a light source image generating means which generates a large number of light source images by using a beam emitted from the light source.
Illumination comprising: a light-shielding mask means provided in the vicinity of the emission surface of the light source image generating means; and an irradiation means for irradiating the surface to be irradiated with the beams from the light source image generating means in a superposed state. Optical system.
【請求項2】 光源像発生手段は集光レンズとフライア
イ・インテグレータで構成されていることを特徴とした
請求項1記載の照明光学系。
2. The illumination optical system according to claim 1, wherein the light source image generating means comprises a condenser lens and a fly-eye integrator.
【請求項3】 光源はパルス化されたレーザ光を射出す
ることを特徴とした請求項1記載の照明光学系。
3. The illumination optical system according to claim 1, wherein the light source emits pulsed laser light.
JP4050279A 1992-03-09 1992-03-09 Lighting optical system Pending JPH05251309A (en)

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JP4050279A JPH05251309A (en) 1992-03-09 1992-03-09 Lighting optical system

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008114502A1 (en) * 2007-03-19 2008-09-25 Panasonic Corporation Laser illuminating device and image display device
US11378877B2 (en) 2018-03-20 2022-07-05 AGC Inc. Homogenizer, illuminating optical system, and illuminator

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WO2008114502A1 (en) * 2007-03-19 2008-09-25 Panasonic Corporation Laser illuminating device and image display device
US8192030B2 (en) 2007-03-19 2012-06-05 Panasonic Corporation Laser illuminating device and image display device
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