JPH08203803A - Exposure apparatus - Google Patents

Exposure apparatus

Info

Publication number
JPH08203803A
JPH08203803A JP7009069A JP906995A JPH08203803A JP H08203803 A JPH08203803 A JP H08203803A JP 7009069 A JP7009069 A JP 7009069A JP 906995 A JP906995 A JP 906995A JP H08203803 A JPH08203803 A JP H08203803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
lemon
skin filter
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7009069A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Tanitsu
修 谷津
Hideo Hirose
秀男 広瀬
Hideki Komatsuda
秀基 小松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP7009069A priority Critical patent/JPH08203803A/en
Publication of JPH08203803A publication Critical patent/JPH08203803A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE: To achieve high precision detection of the light from an optical integrator by destroying the image forming relationship in an optical system through the diffusion action due to diffusion means such as a lemon-skin filter to eliminate the limitation on the disposition of photo-electric detecting means. CONSTITUTION: Part of light flux from many light source images I21 -2n , formed on the emitting side surface 4b of an optical integrator 4, is reflected by a half-mirror 5 and focused by a focusing lens 7, and then incident on a lemon-skin filter 9 having a function as diffusion means. Thereupon, the image forming relationship in the optical system is completely destroyed by the diffusion action due to the lemon-skin filter 9, and divergent ligh DR is produced randomly, and this randomly produced light is detected by a photo-electric detector 8. Thus, the limitation on the disposition of the photo-electric detector 8 is completely eliminated by the diffusion effect due to the lemon-skin filter 9, and high precision detection of the light from the optical integrator 4 is achieved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関するもので
あり、特に、LSI,超LSI等の半導体素子、液晶等
の製造に好適な露光装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly to an exposure apparatus suitable for manufacturing semiconductor elements such as LSI and VLSI, liquid crystal and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の露光装置としては、例えば、特開
昭61―71631号公報に開示されているものが知ら
れており、この公報に開示された構成をより明確に示す
と図6に示す如き構成が考えられる。なお、図6におい
ては、理解を容易にするために特開昭61―71631
号公報に開示された構成にコリメートレンズ3を付加し
ている。
2. Description of the Related Art As a conventional exposure apparatus, for example, the one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-71631 is known, and the configuration disclosed in this publication is shown more clearly in FIG. A configuration as shown is possible. It should be noted that in FIG.
The collimator lens 3 is added to the configuration disclosed in the publication.

【0003】図6に示す如く、光源1からの光は楕円鏡
2によって集光されて一旦光源像I 1 が形成された後、
この光源像I1 からの光束はコリメートレンズ3によっ
てコリメート光(平行光束)に変換される。このコリメ
ート光がオプティカルインテグレータ4を介すると、こ
のオプティカルインテグレータ4の射出側に複数の光源
像I2n(多数の2次光源)が形成され、各光源像からの
光束はコンデンサーレンズ6によって回路パターンが形
成されるマスクM上を重畳的に照明し、マスクMに対し
て所定の間隔を隔てて配置されたウエハW上にマスクM
のパターンが転写される。
As shown in FIG. 6, the light from the light source 1 is an elliptical mirror.
The light source image I 1After the formation of
This light source image I1The light flux from the collimator lens 3
Are converted into collimated light (parallel light flux). This Colime
When the optical light passes through the optical integrator 4,
Multiple light sources on the exit side of the optical integrator 4
Image I2n(Many secondary light sources) are formed,
The circuit pattern of the luminous flux is shaped by the condenser lens 6.
The mask M to be formed is illuminated in a superimposed manner to the mask M.
And a mask M on the wafer W arranged at a predetermined interval.
Pattern is transferred.

【0004】一方、オプティカルインテグレータ4とコ
ンデンサーレンズ6との間にはハーフミラー5が斜設さ
れており、このハーフミラー5を反射した光束は、集光
レンズ7を介して、マスクMと光学的に共役な位置に配
置された照度計測用の光電検出器8にて光電検出され
る。ここで、この光電検出器8の受光面8aがマスクM
と光学的に共役な位置に配置されている理由について図
7を参照しながら説明する。図7では理解を容易にする
ためにオプティカルインテグレータ4を紙面方向では3
つのレンズ素子で構成した場合を示している。
On the other hand, a half mirror 5 is obliquely provided between the optical integrator 4 and the condenser lens 6, and the light flux reflected by the half mirror 5 is optically passed through the condenser lens 7 and the mask M. Photoelectrically detected by the photoelectric detector 8 for illuminance measurement arranged at a position conjugate with. Here, the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 is a mask M
The reason why it is arranged at a position optically conjugate with will be described with reference to FIG. In FIG. 7, in order to facilitate understanding, the optical integrator 4 is set to 3 in the plane of the drawing.
The case where it is configured by two lens elements is shown.

【0005】図7において、オプティカルインテグレー
タ4の入射側面4aとマスクMとは、点線で示す如く、
オプティカルインテグレータ4とコンデンサーレンズ6
とに関して共役関係にあり、オプティカルインテグレー
タ4により射出側面4bにて形成される複数の光源像
(I21〜I23)からの光束は、ハーフミラー5を通過
後、コンデンサーレンズ6によってマスクM上を重畳的
に照明する。
In FIG. 7, the incident side surface 4a of the optical integrator 4 and the mask M are as shown by a dotted line.
Optical integrator 4 and condenser lens 6
The light fluxes from the plurality of light source images (I 21 to I 23 ) formed on the exit side surface 4b by the optical integrator 4 pass through the half mirror 5 and then pass on the mask M by the condenser lens 6. Illuminate in a superimposed manner.

【0006】一方、オプティカルインテグレータ4の入
射面4aと光電検出器8の受光面8aとは、点線で示す
如く、オプティカルインテグレータ4と集光レンズ7と
に関して共役関係にあり、オプティカルインテグレータ
4により射出側面4bにて形成される複数の光源像(I
21〜I23)からの光束は、ハーフミラー5を反射後、集
光レンズ7によって光電検出器8の受光面8a上を重畳
的に照明する。
On the other hand, the incident surface 4a of the optical integrator 4 and the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 are in a conjugate relationship with respect to the optical integrator 4 and the condenser lens 7 as shown by a dotted line, and the optical integrator 4 emits light from the side surface. A plurality of light source images (I
The light fluxes from 21 to I 23 ) are reflected by the half mirror 5 and then illuminate the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 in a superimposed manner by the condenser lens 7.

【0007】従って、光電検出器8の受光面8a上でも
マスクMの面上で形成されている均一な照明分布が再現
され、光源1の位置(光源1自体の位置あるいは光源1
の輝点1aの位置)がA方向あるいはB方向へ変動して
も、光電検出器8の受光面8aをマスクMと光学的に共
役に配置することによる検出光の重畳効果によって、マ
スクMの面と同等な照度を高精度に検出でき、適性な露
光量の管理を可能とすることができる。
Therefore, the uniform illumination distribution formed on the surface of the mask M is reproduced on the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8, and the position of the light source 1 (the position of the light source 1 itself or the light source 1) is reproduced.
Even if the position of the bright spot 1a of the mask M fluctuates in the A direction or the B direction, the detection light superimposing effect by arranging the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 optically conjugate with the mask M It is possible to detect the illuminance equivalent to that of the surface with high accuracy, and it is possible to appropriately control the exposure amount.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6及
び図7に示す如き従来の装置では、光電検出器8をマス
クMと共役な位置に正確に配置する必要があるため、光
電検出器8を正確に配置するための調整等が非常に面倒
であった。また、数多くの実験及び検討を重ねていった
結果、光電検出器8の受光面8aをマスクMと光学系に
共役となる位置に配置したとしても、光電検出器8上に
は、マスク面上とほぼ同じ照度分布は再現されないとい
う事が判明した。その原因の第1の理由として、オプテ
ィカルインテグレータ4からの光を分割するハーフミラ
ー5に角度による透過率むらおよび反射率むらが存在す
るためである。しかしながら、これらのむらを完全に取
り除くことは不可能である。
However, in the conventional apparatus as shown in FIGS. 6 and 7, it is necessary to accurately arrange the photoelectric detector 8 at a position conjugate with the mask M. Adjustments for accurate placement were very troublesome. Further, as a result of many experiments and studies, even if the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 is arranged at a position that is conjugate with the mask M and the optical system, the photoelectric detector 8 will not be on the mask surface. It turned out that the illuminance distribution almost the same as was not reproduced. The first reason for this is that the half mirror 5 that splits the light from the optical integrator 4 has uneven transmittance and uneven reflectance depending on the angle. However, it is impossible to completely remove these irregularities.

【0009】また、第2の理由として、まず、非常に微
細なマスクパターンをウエハ上に転写して半導体素子あ
るいは液晶等を製造する露光装置としては、マスクM上
を照明する照明光の照度分布は照明むらが約3%以下に
除去されてほぼ完全に均一とする必要がある。なお、照
明むらSとは、マスク面上に形成される照度分布の照度
の最大値をSmax とし、マスク面上に形成される照度分
布の照度の最大値をS min とするとき、次式に与えられ
るものである。
The second reason is that, first of all,
Transfer a fine mask pattern onto the wafer and
As an exposure apparatus for manufacturing liquid crystal or the like, on the mask M
Illuminance distribution of illuminating light is about 3% or less.
It must be removed to make it almost completely uniform. In addition, Teru
The unevenness S is the illuminance of the illuminance distribution formed on the mask surface.
The maximum value ofmaxAnd the amount of illuminance formed on the mask surface
The maximum value of the illuminance of the cloth is S minIs given by
Things.

【0010】 S=(Smax −Smin )/(Smax +Smin ) 従って、マスクM上での照明むらを約3%以下に抑える
ために、マスクMに対し照明光を重畳的に照明する実際
のコンデンサーレンズ6は多数のレンズ等の光学部材で
構成して、このコンデンサーレンズ6にて諸収差を高レ
ベルまで補正して、無収差に近い状態としている。
S = (S max −S min ) / (S max + S min ) Therefore, in order to suppress the illumination unevenness on the mask M to about 3% or less, the illumination light is illuminated on the mask M in a superimposed manner. The actual condenser lens 6 is composed of a large number of optical members such as lenses, and various aberrations are corrected to a high level by the condenser lens 6 so that the condenser lens 6 is in a nearly aberration-free state.

【0011】しかしながら、図6及び図7に示す従来の
装置では、光電検出系の小型化を図るために、集光レン
ズ7は一枚程度の少数のレンズで構成されているため、
この集光レンズ7ではコンデンサーレンズ6にて収差補
正しているレベルまで収差補正することが不可能であ
る。この結果、従来の装置では、マスク面上に形成され
る照度分布に近い照度分布を光電検出器8の受光面8a
において再現することは不可能であった。
However, in the conventional apparatus shown in FIGS. 6 and 7, the condenser lens 7 is composed of a small number of lenses, such as about one sheet, in order to miniaturize the photoelectric detection system.
With this condenser lens 7, it is impossible to correct the aberration to the level where the condenser lens 6 corrects the aberration. As a result, in the conventional device, the illuminance distribution close to the illuminance distribution formed on the mask surface is obtained by the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8.
It was impossible to reproduce in.

【0012】本発明は、上記の問題点を解消し、オプテ
ィカルインテグレータからの光を検出する検出系の配置
上の制約を解消し、従来よりも格段に高い精度でオプテ
ィカルインテグレータからの光を検出し得る高性能な露
光装置を提供することを目的としている。
The present invention solves the above problems, eliminates the restrictions on the arrangement of the detection system for detecting the light from the optical integrator, and detects the light from the optical integrator with much higher accuracy than before. It is an object of the present invention to provide a high-performance exposure apparatus to be obtained.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、例えば、図1に示す如く、光束を供給
する光源手段と、前記光源手段からの光束に基づいて多
数の光源を形成する多光源形成手段と、前記多光源形成
手段により形成される多数の光源からの光束を集光して
所定のパターンが形成された原版を重畳的に照明するコ
ンデンサー光学系とを有し、前記原版のパターンを基板
上に露光する露光装置において、前記多光源形成手段と
前記コンデンサー光学系との間の光路中に前記多光源形
成手段からの光束の一部を所定方向へ導く光分割手段を
配置すると共に、前記光分割手段によって前記所定方向
へ導かれた光束の一部を光電的に検出する光電検出手段
とを配置し、前記光分割手段と前記光電検出手段との間
の光路中に前記多光源形成手段により形成される多数の
光源からの光束を拡散させる光拡散手段を配置したもの
である。
In order to achieve the above object, the present invention provides a light source means for supplying a light flux and a large number of light sources based on the light flux from the light source means, for example, as shown in FIG. And a condenser optical system for converging light beams from a large number of light sources formed by the multi-light source forming means to illuminate an original plate on which a predetermined pattern is formed in a superimposed manner. In an exposure apparatus that exposes the pattern of the original plate on a substrate, light splitting that guides a part of the light flux from the multiple light source forming means in a predetermined direction in an optical path between the multiple light source forming means and the condenser optical system. And a photoelectric detection means for photoelectrically detecting a part of the light beam guided in the predetermined direction by the light splitting means, and an optical path between the light splitting means and the photoelectric detection means. Inside said many The light beam from the multiple light sources formed by the source forming means is obtained by arranging the light diffusing means for diffusing.

【0014】[0014]

【作 用】本発明では、光拡散手段を配置によって、光
電検出手段の配置上の制約並びに調整による煩雑さが解
消され、しかも光拡散手段の拡散作用により光電検出手
段の受光面上での照度均一性が高まるため、光電検出手
段の受光面上でもマスク等の原版が配置される被照射面
上で形成される照度分布に限り無く近い照度分布が再現
できる。
[Operation] In the present invention, the arrangement of the light diffusing means eliminates the restrictions on the arrangement of the photoelectric detecting means and the complexity of the adjustment, and moreover, the illuminance on the light receiving surface of the photoelectric detecting means by the diffusing action of the light diffusing means. Since the uniformity is increased, it is possible to reproduce an illuminance distribution that is as close as possible to the illuminance distribution formed on the illuminated surface on which the original plate such as a mask is arranged, even on the light receiving surface of the photoelectric detection means.

【0015】[0015]

【実施例】図1は本発明による実施例を示す図であり、
図1において先に述べた図6と同一の機能を持つ部材に
は同一の符号を付してある。図1に示す如く、光源とし
ての超高圧水銀ランプ1は、これの発光点1a(輝点)
の位置が楕円鏡(反射鏡)2の第1焦点位置と一致する
ように配置されており、この超高圧水銀ランプ1から発
する光束は、楕円鏡2の焦点位置に集光されて、光源像
1 を形成する。なお、光源手段は、光源1と楕円鏡2
とコリメートレンズ3とで構成される。また、この光源
像I1 又はこの近傍には後述するシャッター12が配置
されている。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment according to the present invention,
In FIG. 1, members having the same functions as those in FIG. 6 described above are designated by the same reference numerals. As shown in FIG. 1, an ultra-high pressure mercury lamp 1 as a light source has a light emitting point 1a (bright spot) thereof.
Is arranged so as to coincide with the first focal position of the elliptic mirror (reflecting mirror) 2, and the luminous flux emitted from the extra-high pressure mercury lamp 1 is condensed at the focal position of the elliptic mirror 2 to form a light source image. Form I 1 . The light source means is composed of the light source 1 and the elliptical mirror 2.
And a collimator lens 3. A shutter 12, which will be described later, is arranged at or near this light source image I 1 .

【0016】光源像I1 からの光束は、コリメートレン
ズ3によってコリメート光(平行光束)に変換され、こ
のコリメート光は、多光源形成手段としてのオプティカ
ルインテグレータ4に入射して、このオプティカルイン
テグレータ4の射出側面4bに紙面方向ではn個の多数
の光源像(I21〜I2n)を形成する。このオプティカル
インテグレータ4は、正方形又は長方形状等の四角形の
レンズ断面、或いは正六角形等のレンズ断面を持つレン
ズ素子の集合体で構成されたフライアイレンズで構成さ
れる。なお、オプティカルインテグレータ4は中空部材
の内面を反射面で構成した内面反射型の中空部材、或い
は棒状の光学部材の内面を反射するように構成した反射
型の光学部材等で構成しても良く、この場合、内面反射
型の中空部材及び反射型の光学部材の断面は四角形、六
角形等の任意の形状で構成することができる。
The light flux from the light source image I 1 is converted into collimated light (parallel light flux) by the collimator lens 3, and this collimated light is incident on the optical integrator 4 serving as a multiple light source forming means, and the optical integrator 4 of the optical integrator 4 is operated. A large number n of light source images (I 21 to I 2n ) are formed on the exit side surface 4b in the paper surface direction. The optical integrator 4 is composed of a fly-eye lens composed of an assembly of lens elements having a quadrangular lens cross section such as a square shape or a rectangular shape, or a regular hexagonal lens cross section. The optical integrator 4 may be formed of an inner surface reflection type hollow member in which the inner surface of the hollow member is formed of a reflecting surface, or a reflection type optical member formed to reflect the inner surface of a rod-shaped optical member. In this case, the internal reflection type hollow member and the reflection type optical member may have any cross section such as a quadrangle or a hexagon.

【0017】さて、オプティカルインテグレータ4の射
出側面4bに形成された多数の光源像(I2a〜I2g)か
らの光束は、光分割手段としての所定の反射率(例え
ば、数%〜数十%の反射率)を有するハーフミラー5に
よって透過方向と反射方向とにそれぞれ進む光束に2分
割される。ハーフミラー5を透過する光束はコンデンサ
ー光学系としてのコンデンサーレンズ6へ導かれ、ハー
フミラー5を反射する光束は、後述する光電検出系へ導
かれる。
Now, the light beams from a large number of light source images (I 2a to I 2g ) formed on the exit side surface 4b of the optical integrator 4 have a predetermined reflectance (for example, several% to several tens%) as a light splitting means. A half mirror 5 having a reflectance of 2) splits the light beam into two light beams which respectively travel in the transmission direction and the reflection direction. The light flux passing through the half mirror 5 is guided to a condenser lens 6 as a condenser optical system, and the light flux reflected from the half mirror 5 is guided to a photoelectric detection system described later.

【0018】コンデンサーレンズ6に入射した多数の光
源像(I21〜I2n)からの光束は、このコンデンサーレ
ンズ6によって集光されて、所定の回路パターンが形成
された原版としてのマスクMの有効領域を重畳的に照明
する。なお、図1では、説明を簡単にするために、コン
デンサーレンズ6を単一レンズとして示しているが、実
際のコンデンサーレンズ6は、前述の如く、マスクMの
有効照明領域における照度むらが3%以下に抑えられる
程度に良好に諸収差補正するために、5枚〜十数枚程度
の多数のレンズ等の光学部材で構成されている。
Light fluxes from a large number of light source images (I 21 to I 2n ) incident on the condenser lens 6 are condensed by the condenser lens 6 and the mask M as an original plate on which a predetermined circuit pattern is formed is effective. Illuminate the area in a superimposed manner. Although the condenser lens 6 is shown as a single lens in FIG. 1 for the sake of simplicity, the actual condenser lens 6 has an uneven illuminance of 3% in the effective illumination area of the mask M as described above. In order to satisfactorily correct various aberrations to the extent that it can be suppressed to the following, it is composed of a large number of optical members such as five to ten and several lenses.

【0019】以上の如く、マスクMが均一に照明される
と、屈折性の2つのレンズ群(G1,G2 )で構成され
る投影光学系PLによって、所定の投影倍率のもとでマ
スクM上のパターン像が感光材(レジスト)が塗布され
たウエハW(感光性基板)上に投影露光される。なお、
マスクMはマスクステージMSに保持され、ウエハWは
ウエハステージWSに保持されている。また、投影光学
系PLは、縮小倍率を有する場合に限ることなく、等倍
及び拡大倍率を有する構成としても良い。さらには、投
影光学系PLは屈折系で構成する場合に限ることなく、
反射系、反射屈折系で構成しても良い。
As described above, when the mask M is uniformly illuminated, the mask is provided under a predetermined projection magnification by the projection optical system PL composed of two refracting lens groups (G 1 , G 2 ). The pattern image on M is projected and exposed on a wafer W (photosensitive substrate) coated with a photosensitive material (resist). In addition,
The mask M is held by the mask stage MS, and the wafer W is held by the wafer stage WS. Further, the projection optical system PL is not limited to having a reduction magnification, but may have a configuration having a unity magnification and an enlargement magnification. Furthermore, the projection optical system PL is not limited to the case where the projection optical system PL is composed of a refraction system.
A reflective system or a catadioptric system may be used.

【0020】さて、上述したハーフミラー5によって反
射されたオプティカルインテグレータ4からの多数の光
束を検出する光電検出系について説明する。オプティカ
ルインテグレータ4の射出側面4bに形成された多数の
光源像(I 21〜I2n)からの光束の一部は、ハーフミラ
ー5にて反射した後、集光レンズ7にて集光作用を受け
た後、拡散手段としての機能を有するレンズスキンフィ
ルター9に入射する。すると、レモンスキンフィルター
9による拡散作用により、光学的な結像関係が完全に崩
されて拡散光DRがランダムに発生し、このランダムに
発生する拡散光が光電検出器8にて検出される。
Now, with the half mirror 5 described above,
A large amount of light emitted from the optical integrator 4
A photoelectric detection system that detects a bundle will be described. Optica
A large number of parts formed on the exit side surface 4b of the ruintegrator 4
Light source image (I twenty one~ I2n) Part of the luminous flux from
After being reflected by -5, it is subjected to a condensing function by condensing lens 7.
Lens skin filter that has the function of diffusing means
It is incident on the Luther 9. Then the lemon skin filter
Due to the diffusion effect of 9, the optical image formation relationship is completely destroyed.
The diffused light DR is generated randomly, and this random
The generated diffused light is detected by the photoelectric detector 8.

【0021】この光電検出器8にて拡散光DRが光電検
出されると、光電検出器8は検出信号を発し、この検出
信号は露光量制御手段としての露光量制御系10へ入力
される。すると、露光量制御系10は、時間に伴う積算
露光量を算出し、適性な露光量となった時に、駆動系1
1を介して照明光を遮光するシャッター12を矢印方向
へ回転させて、照明光路内(楕円鏡により形成される光
源像I1 の位置又はその近傍)に挿入するようにシャッ
ター12を制御する。以上の構成によって露光装置の露
光量の適性なる管理が行われる。
When the photoelectric detector 8 photoelectrically detects the diffused light DR, the photoelectric detector 8 outputs a detection signal, which is input to an exposure amount control system 10 as an exposure amount control means. Then, the exposure amount control system 10 calculates the integrated exposure amount with time, and when the appropriate exposure amount is reached, the drive system 1
The shutter 12 that blocks the illumination light via 1 is rotated in the direction of the arrow, and the shutter 12 is controlled so as to be inserted into the illumination light path (at or near the position of the light source image I 1 formed by the elliptical mirror). With the above configuration, appropriate management of the exposure amount of the exposure apparatus is performed.

【0022】ところで、次に、レモンスキンフィルター
9の製造方法について説明する。レモンスキンフィルタ
ー9の形状は、図2(a)及び(b)に示す如く、円形
(または矩形)状に形成され、両面がレモンスキン加工
をされたマット面になっている。レモンスキンフィルタ
ー9は平面板Pの面を粗ずり加工した後、#700程度
の砥粒を用いて砂かけを行って形成すると、図3(a)
に示す如く、砂かけを行った粗ずり面は5μmの粗さの
表面になる。その後、沸酸を用いて化学処理を粗ずり面
に施すことにより、図3(b)に示す如く、粗ずり面の
微小な凹凸の突起をなめらかにした多数の微小球面(微
小曲面)を持つレモンスキンフィルター9を得ることが
できる。なお、図3では平面板Pの片面に加工を施して
レモンスキンを形成した例を示したが、両面に加工を施
してレモンスキンを形成しても良い。
Now, a method of manufacturing the lemon skin filter 9 will be described. As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the shape of the lemon skin filter 9 is circular (or rectangular), and both surfaces are matte surfaces subjected to lemon skin processing. When the lemon skin filter 9 is formed by rough-shearing the surface of the flat plate P and then sanding it with abrasive grains of about # 700, FIG.
As shown in, the sanded rough surface has a roughness of 5 μm. Then, a chemical treatment is applied to the roughened surface using hydrofluoric acid, so that as shown in FIG. 3B, a large number of fine spherical surfaces (fine curved surfaces) are formed by smoothing the projections of fine irregularities on the roughened surface. Lemon skin filter 9 can be obtained. Although FIG. 3 shows an example in which one surface of the plane plate P is processed to form the lemon skin, both surfaces may be processed to form the lemon skin.

【0023】このため、レモンスキンフィルター9の表
面はあたかも無数の微小なマイクロレンズを配置したか
のような働きを持つ。このレモンスキンフィルター9を
図4に示す如く、ハーフミラー5と光電検出器8の間に
集光レンズ7と共に配置すると、レモンスキンフィルタ
ーが無数のマイクロレンズの集合体であるから、光電検
出器8とレチクルの共役関係は完全に壊される。
For this reason, the surface of the lemon skin filter 9 functions as if a myriad of micro lenses were arranged. When the lemon skin filter 9 is arranged together with the condenser lens 7 between the half mirror 5 and the photoelectric detector 8 as shown in FIG. 4, since the lemon skin filter is an assembly of innumerable microlenses, the photoelectric detector 8 And the reticle conjugate relation is completely broken.

【0024】次に、レモンスキンフィルター9による作
用について図4を参照しながら説明する。図4は図1の
光電検出系の周辺部の拡大図であり、図7では理解を容
易にするためにオプティカルインテグレータ4を紙面方
向では3つのレンズ素子で構成した場合を示している。
図4に示す如く、レモンスキンフィルター9をハーフミ
ラー5によって反射された光路中に配置しているため、
オプティカルインテグレータ4の射出側面4bに形成さ
れた多数の光源像(I21〜I23)から離れるに従って各
光源像(I21〜I21)からの光束の重畳性が増大する効
果(平均化効果)と、このレモンスキンフィルター9に
よる拡散作用によって光学的な結像関係が完全に崩され
て拡散光DRがランダム(任意)の方向に進む事による
重畳効果(平均化効果)とが相乗的に作用するため、マ
スクM上にて形成される照度分布に限り無く近い均一な
照度分布が光電検出器8の受光面8a上に再現される。
Next, the operation of the lemon skin filter 9 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an enlarged view of the peripheral portion of the photoelectric detection system of FIG. 1, and FIG. 7 shows a case where the optical integrator 4 is composed of three lens elements in the paper surface direction for easy understanding.
As shown in FIG. 4, since the lemon skin filter 9 is arranged in the optical path reflected by the half mirror 5,
The effect (averaging effect) that the superimposing property of the light flux from each light source image (I 21 to I 21 ) increases as the distance from the many light source images (I 21 to I 23 ) formed on the exit side surface 4b of the optical integrator 4 increases. And the diffusion effect of the lemon skin filter 9 completely destroys the optical image formation relationship and the diffused light DR advances in a random (arbitrary) direction in a superimposing effect (averaging effect). Therefore, a uniform illuminance distribution that is as close as possible to the illuminance distribution formed on the mask M is reproduced on the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8.

【0025】従って、図1に示す如く、水銀ランプ1の
位置(水銀ランプ1自体の位置あるいは水銀ランプ1の
輝点1aの位置)がA方向あるいはB方向へ変動に対し
ても全く影響がなく、マスクM上での照度にマッチした
照度のもとで高精度かつ安定した露光量の検出が実現で
きる。よって、集光レンズ7は、基本的に、集光性を有
する機能を有していれば良く、極めて少ないレンズ枚数
で構成することができる。
Therefore, as shown in FIG. 1, there is no influence even when the position of the mercury lamp 1 (the position of the mercury lamp 1 itself or the position of the bright spot 1a of the mercury lamp 1) fluctuates in the A direction or the B direction. It is possible to realize highly accurate and stable detection of the exposure amount under the illuminance that matches the illuminance on the mask M. Therefore, the condensing lens 7 basically needs only to have a function of condensing light, and can be configured with an extremely small number of lenses.

【0026】なお、集光レンズ7は、オプティカルイン
テグレータ4の射出側面4bに形成された多数の光源像
から離れるに従って重畳効果が高まる各光源像からの光
束を小さな空間中に効率良く集める作用を有する。以上
のレモンスキンフィルター9による拡散効果により光電
検出器8の受光面8aは任意の位置に設定することが可
能となり、従来においてマスクMと光電検出器8の受光
面8aとを光学的に共役とするために、集光レンズの後
側焦点位置に光電検出器8の受光面8aに配置しなけれ
ばならないという光電検出器8の配置上の制約は完全に
解消されるのみならず、光電検出器8の配置による調整
の手間を大幅に省くことが可能となる。
The condenser lens 7 has an effect of efficiently collecting the light fluxes from the respective light source images in a small space, the superimposing effect of which increases as the distance from the many light source images formed on the exit side surface 4b of the optical integrator 4 increases. . The light-receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 can be set at an arbitrary position due to the diffusion effect of the lemon skin filter 9 described above, and the mask M and the light-receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 are optically conjugate with each other in the past. In order to achieve this, the restriction on the arrangement of the photoelectric detector 8 that must be arranged on the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 at the rear focal position of the condenser lens is not only completely solved, but also the photoelectric detector It becomes possible to greatly save the trouble of adjustment by the arrangement of 8.

【0027】また、レモンスキンフィルタ−9が微小な
マイクロレンズの集合体であることより、ハ−フミラ−
5で分割された光に多少照度ムラが発生しても、レモン
スキンフィルタ−9がオプティカルインテグレ−タのご
とく重畳的に光電検出器8を照明するため照度ムラの影
響を受けにくいという効果を合わせ持つ。これは、特に
ハーフミラー5がガラス表面に誘電体の薄膜を蒸着して
いる場合の入射光線の角度特性による反射率ムラがある
場合に効果を発揮する。
Further, since the lemon skin filter-9 is an assembly of minute micro lenses,
Even if the illuminance is slightly uneven in the light divided by 5, the lemon skin filter 9 illuminates the photoelectric detector 8 in a superimposed manner like an optical integrator, so that the effect of the illuminance unevenness is less likely to occur. To have. This is particularly effective when the half mirror 5 has a dielectric thin film deposited on the glass surface and there is uneven reflectance due to the angle characteristics of the incident light.

【0028】以上の実施例ではレモンスキンフィルター
の荒さの程度を5μmとしたが、荒さが波長に比べて十
分に大きければ問題なく5μmに限定するものではな
い。すなわち砂掛け工程における砥粒#700もこれに
限定するものではない。また、無数のマイクロレンズを
有する構造が重要なのであり、拡散板でも同じ効果のあ
るもの、他の化学処理を施し、レモンスキンフィルター
とみなせるものは、当然本発明の効果を有するので、本
発明はレモンスキンフィルターに限定するものではな
い。
In the above embodiments, the degree of roughness of the lemon skin filter is set to 5 μm, but it is not limited to 5 μm without any problem as long as the roughness is sufficiently larger than the wavelength. That is, the abrasive grain # 700 in the sanding step is not limited to this. Further, since the structure having innumerable microlenses is important, the diffuser plate having the same effect, and the one which can be regarded as a lemon skin filter after being subjected to other chemical treatments naturally have the effect of the present invention. It is not limited to lemon skin filters.

【0029】例えば、レモンスキンフィルター9の表面
荒さが充分荒く構成すれば、これによる拡散光DR集光
レンズ7による集光光に対して図5に示すような指向特
性を生じ、単なる拡散板のようにエネルギーのほとんど
を失うことはなく、大部分のエネルギーを光電検出器8
に取り込むことができる。なお、以上の実施例において
は、集光レンズ7と光電検出器8との間の光路中に拡散
手段としてのレモンスキンフィルター9を配置したが、
本発明は集光レンズ7は必ずしも必須のものではなく、
集光レンズ7を除去して、ハーフミラー5を介して光電
検出系へ導かれるオプティカルインテグレータ4からの
光束をレモンスキンフィルター9にて拡散させて、この
拡散光を光電検出器8にて検出するように構成しても本
発明の効果を何ら失うことはない。その理由としては、
前述の如く、オプティカルインテグレータ4の射出側面
4bに形成された多数の光源像(I21〜I2n)から離れ
るに従って各光源像(I21〜I2n)からの光束の重畳性
が増大する効果(平均化効果)と、このレモンスキンフ
ィルター9による拡散作用によって光学的な結像関係が
完全に崩されて拡散光がランダム(任意)の方向に進む
事による重畳効果(平均化効果)とが相乗的に作用する
ため、マスクM上にて形成される照度分布に限り無く近
い均一な照度分布が光電検出器8の受光面8a上に再現
されるからである。
For example, if the surface roughness of the lemon skin filter 9 is configured to be sufficiently rough, the directional characteristics shown in FIG. It does not lose most of the energy like the photodetector 8
Can be taken into. In the above embodiment, the lemon skin filter 9 as the diffusing means is arranged in the optical path between the condenser lens 7 and the photoelectric detector 8.
In the present invention, the condenser lens 7 is not always essential,
The condenser lens 7 is removed, the light flux from the optical integrator 4 guided to the photoelectric detection system via the half mirror 5 is diffused by the lemon skin filter 9, and this diffused light is detected by the photoelectric detector 8. Even with such a configuration, the effect of the present invention is not lost at all. The reason is
As described above, the effect of increasing the superimposing property of the light flux from each light source image (I 21 to I 2n ) as the distance from the many light source images (I 21 to I 2n ) formed on the exit side surface 4b of the optical integrator 4 increases ( The averaging effect) and the superimposing effect (averaging effect) due to diffused light proceeding in a random (arbitrary) direction due to the complete disruption of the optical imaging relationship due to the diffusion effect of the lemon skin filter 9 This is because a uniform illuminance distribution, which is as close as possible to the illuminance distribution formed on the mask M, is reproduced on the light receiving surface 8a of the photoelectric detector 8 because it acts on the mask M.

【0030】また、レモンスキンフィルター9と光電検
出器8との間の光路中にレモンスキンフィルター9によ
りランダムに発生する拡散光を効率良く光電検出器8の
受光面へ導く拡散光集光用のレンズを配置しても良いこ
とは言うまでもない。さらに、以上の実施例では、ハー
フミラー5の反射方向に光電検出系(7,8,9)を、
ハーフミラー5の透過方向に露光系(6,PL)を配置
した例を示したが、ハーフミラー5の透過方向に光電検
出系(7,8,9)を、ハーフミラー5の反射方向に露
光系(6,PL)を配置しても良い。
Also, diffused light randomly generated by the lemon skin filter 9 in the optical path between the lemon skin filter 9 and the photoelectric detector 8 is efficiently guided to the light receiving surface of the photoelectric detector 8 for collecting the diffused light. It goes without saying that a lens may be arranged. Further, in the above embodiments, the photoelectric detection system (7, 8, 9) is provided in the reflection direction of the half mirror 5.
Although the example in which the exposure system (6, PL) is arranged in the transmission direction of the half mirror 5 is shown, the photoelectric detection system (7, 8, 9) is exposed in the transmission direction of the half mirror 5 and the reflection direction of the half mirror 5 is exposed. The system (6, PL) may be arranged.

【0031】また、以上にて説明した実施例では、投影
型露光装置に基づいて説明したが、本発明は、マスクと
ウエハ等の基板とを近接させて露光を行うプロキシミテ
ィ型の露光装置、マスクのパターンを大型基板上に等倍
率のもとで露光を行う液晶製造用の露光装置、投影光学
系PLに対してマスク及び基板(大型基板、ウエハ等)
を移動させて投影露光を行う走査型の露光装置に適用で
きることは言うまでもない。
Further, although the embodiments explained above have been explained based on the projection type exposure apparatus, the present invention is a proximity type exposure apparatus for exposing by exposing a mask and a substrate such as a wafer, An exposure apparatus for liquid crystal production that exposes a mask pattern onto a large-sized substrate under equal magnification, and a mask and a substrate (large-sized substrate, wafer, etc.) for the projection optical system PL.
It is needless to say that the present invention can be applied to a scanning type exposure apparatus that moves a lens to perform projection exposure.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、レモンス
キンフィルター等の拡散手段による拡散作用により、光
学系の結像関係を崩しているため、従来の如く光電検出
手段の検出面と被照射面とを光学的に共役にする必要が
全くない。このため、光電検出手段の配置上の制約が全
く無くなるばかりか、受光手段の配置時の調整がほとん
ど必要無くなるという効果がある。また、光電検出手段
に入射する光束に照明むらが存在する場合にも、レモン
スキンフィルター等の拡散手段による拡散作用による重
畳効果(平均化効果)が有効に作用するため、マスク等
の被照射面上に形成される照度分布に近い照度分布を光
電検出手段の検出面に再現することができる。これによ
って、高い精度かつ安定した露光管理ができる露光装置
が実現できる。
As described above, according to the present invention, the image forming relationship of the optical system is destroyed by the diffusing action of the diffusing means such as a lemon skin filter. There is no need to optically conjugate with the illuminated surface. Therefore, there is an effect that not only restrictions on the arrangement of the photoelectric detection means are completely eliminated, but also adjustment at the time of arrangement of the light receiving means is almost unnecessary. Further, even when there is illumination unevenness in the light flux incident on the photoelectric detection means, the superimposing effect (averaging effect) due to the diffusion effect of the diffusion means such as the lemon skin filter works effectively. An illuminance distribution close to the illuminance distribution formed above can be reproduced on the detection surface of the photoelectric detection means. This makes it possible to realize an exposure apparatus that can perform exposure control with high accuracy and stability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an exemplary embodiment of the present invention.

【図2】(a)はレモンスキンフィルター9の斜示図で
あり、(b)はレモンスキンフィルター9の断面図であ
る。
2A is a perspective view of the lemon skin filter 9, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the lemon skin filter 9.

【図3】(a)はレモンスキンフィルター9を製造する
に当たっての第1の加工の工程を模式的に示す図であ
り、(b)はレモンスキンフィルター9を製造するに当
たっての第2の加工の工程を模式的に示す図である。
FIG. 3 (a) is a diagram schematically showing a first processing step in producing the lemon skin filter 9, and FIG. 3 (b) is a second processing step in producing the lemon skin filter 9. It is a figure which shows a process typically.

【図4】図1の光電検出系の周辺部を拡大したときの様
子を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a state in which a peripheral portion of the photoelectric detection system in FIG. 1 is enlarged.

【図5】レモンスキンフィルター9の表面粗さを荒くし
た時の光電検出系の様子を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state of a photoelectric detection system when the surface roughness of a lemon skin filter 9 is roughened.

【図6】従来の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a conventional configuration.

【図7】図6の光電検出系の周辺部を拡大したときの様
子を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a state in which a peripheral portion of the photoelectric detection system in FIG. 6 is enlarged.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・・・ 超高圧水銀ランプ 2・・・・・・・ 楕円鏡 3・・・・・・・ コリメートレンズ 4・・・・・・・ オプティカルインテグレータ 5・・・・・・・ ハーフミラー 6・・・・・・・ コンデンサーレンズ 7・・・・・・・ 集光レンズ 8・・・・・・・ 光電検出器 9・・・・・・・ レモンスキンフィルター 1 ・ ・ ・ Ultra high pressure mercury lamp 2 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Elliptical mirror 3 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Collimating lens 4 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Optical integrator 5 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・Half mirror 6 ... Condenser lens 7 ... Condensing lens 8 ... Photoelectric detector 9 Lemon skin filter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 525 N ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display point 525 N

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光束を供給する光源手段と、前記光源手段
からの光束に基づいて多数の光源を形成する多光源形成
手段と、前記多光源形成手段により形成される多数の光
源からの光束を集光して所定のパターンが形成された原
版を重畳的に照明するコンデンサー光学系とを有し、前
記原版のパターンを基板上に露光する露光装置におい
て、 前記多光源形成手段と前記コンデンサー光学系との間の
光路中に前記多光源形成手段からの光束の一部を所定方
向へ導く光分割手段を配置すると共に、前記光分割手段
によって前記所定方向へ導かれた光束の一部を光電的に
検出する光電検出手段とを配置し、 前記光分割手段と前記光電検出手段との間の光路中に前
記多光源形成手段により形成される多数の光源からの光
束を拡散させる光拡散手段を配置したことを特徴とする
露光装置。
1. A light source means for supplying a light flux, a multi-light source forming means for forming a large number of light sources based on the light flux from the light source means, and a light flux for a plurality of light sources formed by the multi-light source forming means. A condenser optical system for converging and illuminating an original plate on which a predetermined pattern is formed, and exposing the original plate pattern onto a substrate, wherein the multiple light source forming means and the condenser optical system are provided. A light splitting means for guiding a part of the light flux from the multi-light source forming means in a predetermined direction is arranged in an optical path between and, and a part of the light flux guided in the predetermined direction by the light splitting means is photoelectrically converted. And a photoelectric diffusing unit for diffusing light beams from a large number of light sources formed by the multiple light source forming unit in the optical path between the light dividing unit and the photoelectric detecting unit. Exposure and wherein the a.
JP7009069A 1995-01-24 1995-01-24 Exposure apparatus Pending JPH08203803A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7009069A JPH08203803A (en) 1995-01-24 1995-01-24 Exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7009069A JPH08203803A (en) 1995-01-24 1995-01-24 Exposure apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08203803A true JPH08203803A (en) 1996-08-09

Family

ID=11710329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7009069A Pending JPH08203803A (en) 1995-01-24 1995-01-24 Exposure apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08203803A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060550A (en) * 1999-06-30 2001-03-06 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh Method and device for reducing speckle of laser beam and lithography equipment
US7573019B2 (en) 2004-06-18 2009-08-11 Nikon Corporation Light detecting apparatus, illumination optical apparatus, exposure apparatus and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060550A (en) * 1999-06-30 2001-03-06 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh Method and device for reducing speckle of laser beam and lithography equipment
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US7573019B2 (en) 2004-06-18 2009-08-11 Nikon Corporation Light detecting apparatus, illumination optical apparatus, exposure apparatus and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4497015A (en) Light illumination device
JP3275575B2 (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method using the projection exposure apparatus
JP3278896B2 (en) Illumination apparatus and projection exposure apparatus using the same
JP3232473B2 (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same
US5797674A (en) Illumination optical system, alignment apparatus, and projection exposure apparatus using the same
JP2002203784A5 (en)
JPH06214318A (en) Reflection type homogenizer and reflection type illuminating optical device
JP3472249B2 (en) Illumination device using a plurality of light sources, illumination control device and method, and exposure device
JPH0462062B2 (en)
JPH10199800A (en) Illumination optical device equipped with optical integrator
JP3278277B2 (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same
USRE34634E (en) Light illumination device
JP2997351B2 (en) Illumination optics
JPH08203803A (en) Exposure apparatus
JPS62115719A (en) Light optical system
JP3303595B2 (en) Illumination device and observation device using the same
US20110117503A1 (en) Exposure apparatus and device fabrication method
JP3067491B2 (en) Projection exposure equipment
JP2875143B2 (en) Projection exposure equipment
JPH07142369A (en) Aligner
JPH08139009A (en) Illumination optical apparatus
JP2002222757A (en) Exposure apparatus, method of manufacturing device, and device
JP3351051B2 (en) Horizontal detector and exposure apparatus using the same
JP2503696B2 (en) Projection exposure device
KR101782672B1 (en) Prism optical system, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method