JPH0525057B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は流体の圧力測定に使用されるATカツ
ト（AT板）クリスタルレゾネータに関する。

圧力測定は種々の物理的条件の下で行なわれ
る。それらには条件の厳しいものもあり、その一
つとして、深い油井や天然ガス井戸での圧力測定
がある。現在の技術では、そのような条件下で圧
力を測定する場合、クオーツクリスタルトランス
デユーサ装置を使用することがある。該装置では
円形レゾネータ部と一体に中空筒状ハウジングが
設けてあり、該ハウジング内でレゾネータ部の外
周を支持するようになつている。この技術は米国
特許第3617780号および同3561832号に記載されて
いる。上記装置のレゾネータ部は、該レゾネータ
部に置かれた電極に対して振動性電気信号が加わ
ることにより振動する。レゾネータ部の振動周波
数は、ハウジングに対する圧力によりレゾネータ
部に及ぼされる半径方向の応力の変動に対応して
変化する。このようにレゾネータ部の振動周波数
が変動することにより、ハウジングに及ぼされる
圧力を測定することができる。

上述の装置を使用して圧力を測定する場合、い
わゆる熱衝撃の問題がある。この問題の原因はレ
ゾネータの出力周波数が温度変化により変化する
ためであり、より詳細には、温度が急激に変化し
た場合の熱過渡現象によるものである。油井や天
然ガス井戸で圧力を測定するために装置を使用す
ると、井戸に装置を下ろしたり、装置を引き上げ
たりするにつれて、温度は大幅に変化し、また油
やガスの流量率変化によつても温度は大幅に変化
する。そして振動周波数の変化を利用して圧力を
測定しているため、温度が原因となつて圧力測定
値に誤差が生じる。レゾネータ部に対する温度過
渡作用は、半径方向の応力を生じさせる温度勾配
により引き起こされる。上記温度勾配は、レゾネ
ータ部の表面を覆う金属電極ならびにクオーツを
経て、熱がレゾネータ部（従来技術では比較的大
きい）とレゾネータ部ハウジング（同様に比較的
大きい）の両方に流れることにより生じる。

現在使用されているクオーツレゾネータトラン
スデユーサには別の問題として、スケールフアク
ター（圧力対周波数傾斜）が、クオーツのほぼ全
ての結晶配向について、温度に依存しているとい
うことがある。熱により誘発される誤差を補償す
るためには、温度を測定して周波数出力を修正す
る必要がある。ところが、そのような温度測定部
はクオーツレゾネータトランスデユーサの位置か
らある程度離す必要があり、そのためにトランス
デユーサの位置において温度を正確に測定するこ
とは困難である。

特にSCカツトクオーツクリスタルでは、クオ
ーツレゾネータトランスデユーサの結晶軸の配向
を適当に設定することにより、トランスデユーサ
の出力周波数を温度過渡に対して独立させ得るこ
とがわかつている。実際に温度勾配により均一な
半径方向の応力に対し、クオーツの周波数は独立
し、無関係となる。ところが従来の装置では、温
度過渡現象の影響を除去する過程において、トラ
ンスデユーサハウジングに対する圧力により引き
起こされる均一な半径方向の圧力を測定する能力
も除去される。

米国特許第3561832号では、レゾネータ部の外
周とシエルまたはハウジングとの間にスロツト
（溝）を適当に位置させ、実際には、レゾネータ
部とハウジングの間を延びるタブによりレゾネー
タ部を所定位置に保持するという技術が示唆され
ている。２個の軸方向に配置されたレゾネータ部
をこのようにして所定位置に保持して使用するこ
とにより、レゾネータ部の温度依存特性を消し去
ることができると考えられる。ところが高圧を測
定するためにこの構造を使用すると、大きい応力
集中がタブに生じ、亀裂が生じる恐れがある。ま
たこの構造は非常に複雑であるので、信頼性が低
くなりやすい。

米国特許第3617780号では、米国特許第3561832
号の構造の高圧に関する問題を解消したトランス
デユーサ構造が記載されているが、この方法で
は、温度により誤差が誘発される等の別の問題が
じる。

本発明は、苛酷な環境下で圧力を正確に測定で
きるレゾネータ圧力トランスデユーサを提供する
ことを目的としている。

また本発明は、広い温度範囲にわたつて温度の
影響を概ね受けることのないトランスデユーサを
提供することを目的としている。

さらに本発明は、比較的大きいスケールフアク
ター、すなわち圧力変化に対して周波数が敏感に
変化するトランスデユーサを提供することを目的
としている。

典型的な油井や天然ガス井戸では、圧力が高く
なると温度も高くなるが、本発明は、転換点、す
なわち温度対周波数の変化曲線の平坦な部分が、
圧力が増加するにつれて、温度において、上昇す
るようにしたトランスデユーサを提供することを
も目的としている。

さらに本発明は、寸法が小さく、構造が簡単
で、しかも製造の容易なトランスデユーサを提供
することを目的としている。

本発明の上記目的ならびにその他の目的は図示
の詳細な実施例からも明らかである。該実施例に
は、ATカツト（AT板）クオーツクリスタルで
形成した概ねデイスク（円盤状）のレゾネータ部
と、レゾネータ部を囲んでその外周に接合された
ハウジングとが設けてある。ハウジングの側壁は
概ねレゾネータ部の平面に対して垂直に延びてお
り、少なくとも上記側壁の１箇所を他の部分より
も薄くすることにより、ハウジングを流体に漬け
た場合、非均一な半径方向の応力がレゾネータ部
に生じるようになつている。上記応力によりレゾ
ネータ部の共鳴周波数が変化する。レゾネータ部
の応力パターンは、ハウジングの上記薄肉壁部の
位置および形状により決定される。ATカツトク
リスタルを使用すると、主な被測定場所、すなわ
ち油井の内部の広い温度範囲にわたつて、温度対
周波数特性が改善される。特に被測定場所の温度
範囲全体にわたつてクリスタルの周波数に対する
温度の影響を、ATカツトクリスタルでは最小と
することができ、そのために圧力の読み取りを一
層正確に行なうことができる。上記薄肉壁部を適
当に配置することにより、スケールフアクターを
増加させることができ、同時に温度に対するスケ
ールフアクターの依存性を減少させることができ
る。最後に、ATカツトクリスタルについては、
転換点、すなわち温度対周波数の変化曲線の平坦
な部分が、圧力が増加するにつれて、温度におい
て上昇する。従つて、典型的な油井や天然ガス井
戸で見られるような高圧と高温の組み合わさつた
条件下では、温度変化による周波数の変化を最小
にできるという利点がある。

レゾネータ部を振動させるための電気回路構造
が設けてあり、ハウジング側壁に及ぼされる外力
の変動によりレゾネータ部の振動周波数が変化す
るようになつている。

次に図面により説明する。

本発明のレゾネータ圧力トランスデユーサには
非均一なシエルまたはハウジングが使用されてお
り、流体に漬けられた場合、非均一な応力がレゾ
ネータ部に生じるようになつている。レゾネータ
部の結晶配向は、温度変化による周波数の変化が
減少されるように設定されている。測定しようと
する圧力はレゾネータ部に非均一な応力を発生さ
せるので、レゾネータ部の振動周波数が変化し、
圧力を測定することができる。

第１図（一部切り欠き斜視図）に示す概ね筒状
のハウジング４は、筒状の空洞８を備えている。
空洞８にはデイスク形のレゾネータ部１２が配置
されており、その外周がハウジングの側壁と一体
に形成されている。ハウジング４の側壁は、レゾ
ネータ部１２を囲んでおり、レゾネータ部の平面
に対してほぼ垂直な両方向に延びている。ハウジ
ング４とレゾネータ部１２はATカツトクオーツ
から一体に形成することが望ましく、その場合、
レゾネータ部に対して垂直なｙ軸をATカツト結
晶配向とする。

ハウジング４の外面には２個の対向する平坦部
１６，１８が形成されており、それにより直径方
向に対向する２個の側壁部分２２，２４は他の側
壁部分よりも薄くなつている。この構造による
と、ハウジング４を流体に漬けた場合、薄肉側壁
部２２，２４からは他の厚肉側壁部からよりも大
きい圧力が伝わるので、非均一な半径方向の応力
がレゾネ−タ部１２に生じる。ハウジング４の対
称軸は第１図に示す通りであり、ｘ軸が平坦部１
６，１８に対して直角となつている。

レゾネータ部１２に振動を発生させるための回
路構造には２個の電極２８，３２が設けてある。
これらの電極２８，３２は、例えば真空蒸着によ
り、第１図に示す如く、レゾネータ部の両表面に
それぞれ設けてある。電極２８，３２は発振器３
６に接続されており、発振器３６が振動信号を発
生して電極に及ぼし、それによりレゾネータ部１
２が衆知の如く振動するようになつている。発振
器にはデイスプレイ４０が接続されており、発振
器の発振周波数を表示するようになつている。ハ
ウジング４に対する外部圧力が変化し、それによ
りレゾネータ部１２に対する外部圧力が変化する
と、レゾネータ部１２の振動周波数が変化し、発
振器３６がそれに追従してレゾネータ部と同じ周
波数で発振する。従つてレゾネータ部１２の振動
周波数の変化を検知して表示でき、ハウジング４
に対する圧力を測定できる。

符号４４で示すような端部キヤツプがハウジン
グ４の両端に設けてあり、ハウジングの内部を密
封するとともに、圧力測定対象である流体が侵入
することを防止している。以下では、「ハウジン
グ」という用語は、第１図に示すような外皮構造
体、すなわち両方の端部キヤツプを含んで、ハウ
ジングの外部からレゾネータ部１２を遮蔽できる
ものを指す。

ハウジング４とレゾネータ部１２にATカツト
クリスタルを使用し（これにより小形の装置を容
易に構成できる）、また平坦部１６，１８を設け
ることによりレゾネータ部１２に非均一な応力を
発生させ、さらにクリスタルの結晶軸に対して平
坦部１６，１８を適当に対立させて並べてある
が、これらの構成により装置の圧力検知能力、特
に油井や天然ガス井戸の内部等のような高圧かつ
高温の場所における圧力検知能力、を著しく改善
することができる。第２図には、ハウジング４の
ｘ軸に沿う合圧縮応力T_xxと、ハウジングのｚ軸
に沿う圧縮応力T_zzがグラフで示されている（な
お応力は負の方向で表されている）。ｘ軸は平坦
部１６，１８に対して直角であるので、大きい応
力が薄肉壁部２２，２４を経てレゾネータ部１２
にｘ軸方向に及ぼされ、従つて、 T_xx／T_zz＞１となる T_xx／T_zzの率は厚肉壁部やレゾネータ部厚さ
に対して薄肉壁部２２，２４の厚さを変えること
により、その値を変えることができる。例えば、
薄肉および厚肉壁部の厚さに適当な差を与える
と、レゾネータ部を薄くすることによりT_xx／
T_zzの率は大幅に上昇する。圧力を表す略語T_xx，
T_zzは以下でも使用する。

第３図では、ATカツトおよびBTカツトの両
方のクオーツクリスタルレゾネータの周波数・温
度特性が示されている。BTカツトの曲線から明
らかなように、０℃〜200℃の範囲で温度が変化
する場合、温度変化に対してクリスタルの周波数
は大幅に変化するが、これに対してATカツトで
は、温度範囲が上記範囲と同一の場合、温度変化
に対する周波数変化が非常に少ない。このことか
らATカツトクリスタルでは温度により誘発され
る誤差が少なく、従つて誤差を非常に容易に補償
できることが明らかである。

ATカツトクリスタルはレゾネータ部の外面変
化に対して鈍感であるので、ATカツトクリスタ
ルは、一般に、BTカツトクリスタルよりも製造
が容易である。従つて、小形のATカツトトラン
スデユーサを容易に製造でき、そのために作業環
境においてトランスデユーサを迅速に熱的平衡状
態に到達させることができ、しかも発振器回路に
おいて充分な動作を行なわせることができる。

ATカツトクリスタルレゾネータについては、
スケールフアクターＫ（圧力対周波数傾斜）感度
を、クリスタルの結晶軸に対する平坦部１６，１
８の対向アラインメント（配置状態）を適当に設
定することにより、改善できることが分かつてい
る。これを証明すると以下の通りである。応力
T_xx，Tzzでの偏差dT_xx，dTzz（非円形ハウジン
グの場合には生じる）を円形ハウジングを備えた
レゾネータ部での摂動としてモデル化すると、次
の通りである。

T_xx＝dT_xx＋T₀₀ および T_zz＝dT_zz＋T₀₀ なお T_xx＝T_zz＝T₀₀ （円形ハウジングの場合） 一般的原則から次のことが分かつている。

T_xx＋T_zz＝2T₀₀
（円形および非円形ハウジングの場合） これにより次のようになる。

dT_zz＝−dT_xx 直径方向に対向する内向きの力対偶Ｆ（内向き
力を正とする）は、デイスク中心において、力の
及ぼされる方向に沿う応力−6F／（πtd）および
力の及ぼされる方向に対して直角な応力2F／
（πtd）が生じるので、dT_xxおよびdT_zzは、それ
ぞれｘ軸およびｚ軸に沿つて作用して直径方向に
対向する力の２つの対偶により適当に表されると
仮定する（第１図参照）（ｔはレゾネータ部厚さ、
ｄはレゾネータ部直径である）。

次に F_x＝−πtd（dT_zz＋3dT_xx）／16 F_z＝−πtd（dT_xx＋3dT_zz）／16 有限要素法による計算ならびに金属実物大模型
によるひずみゲージを使用しての実験のいずれで
も、T_xxおよびT_zzが得られ、dT_xxおよびdT_zzは
得られない。従つて式６，７をＲ＝T_xx／T_zzに
関して書き改める（式４を利用する）と次の通り
である。

dT_xx＝＋（Ｒ−１）T₀₀／（Ｒ＋１） dT_zz＝−（Ｒ−１）T₀₀／（Ｒ＋１） および F_x＝−2πdtT₀₀（Ｒ−１）／〔16（Ｒ＋１）〕 F_z＝＋2πdtT₀₀（Ｒ−１）／〔16（Ｒ＋１）〕 第４図には、クオーツの結晶ｘ軸から測定した
角度ｐで力対偶が作用する場合のATカツトにつ
いての係数K_p（スケールフアクター）が示されて
いる（力対偶Ｆはレゾネータ部のｘ軸方向に作用
する）。係数は次の式で使用する。

df／f₀＝K_pN₀Ｆ／（dt） なおＮはクオーツの特定の結晶カツトについて
の周波数定数である。（ATカツトの場合
1660m・hZ）。

上述の如く、円形ハウジングの場合、応力T₀₀
はデイスクの縁の周りに作用する。係数K₀₀は、
円形の場合、厚さｔ、幅rd_pの縁部分に作用する
力の増加分T₀₀を積分することにより引き出せ
る。なおｒはレゾネータ部の半径、d_pは角度ｐの
増加分であり、また積分はｐ＝０からｐ＝ で行
なう。下側の場合、記号ｋは応力に対する周波数
変化を表すのに使用されるのに対し、下側の場
合、記号ｋは力または圧力に対する周波数変化を
表すのに使用される。また応力と比較して力およ
び圧力の限定があるので、上記２つの記号に関し
て−１フアクターがある。

これにより次のようになる。

K₀₀＝−（N₀／２）∫₀〓K_pd_p このようにして周波数が変わることにより次の
ようになる。

d_f／f₀＝k₀₀T₀₀ ATカツトについては、 k₀₀＝−2.7×10^-11m²／Ｎ で ある。

次にT₀₀，dF_x，dF_zを組み合せた場合、df／f₀
は（非円形ハウジングの場合）重ね合わせにより
次の通りとなる。

d_f／f₀＝T₀₀〔k₀₀−2πN₀（Ｒ−１）（K_p−K_p＋
90°）〕／〔16（Ｒ＋１）〕 ここでｐは非円形ハウジングのｘ方向とクオーツ
ｘ軸の間の角度である。

第１図のハウジング４のデイスクおよびシエル
の相互作用により、以下の応力増加Ｃが生じるこ
とが分かつている。

T₀₀＝−CP なおＰはシエル外部の圧力である。実験データに
よると、Ｃ＝2.4の場合最も適合することが分か
つており、これは有限要素法による計算（円形の
場合は以下の通り）による理論値2.6に近い。

d_f／f₀＝0.44X10^-6ｐ＝（2.7X10^-11）
（6895CP） なおＣ＝2.4および“6895”はＮ／m²からpsiに
単位が変化する。

第４図において、角度ｐ＝０の場合、すなわち
クオーツｘ軸が平坦部に対して直角で、K₀およ
びK₉₀が組み合わさつてk₀₀以上の増加が得られる
場合、式15は次のように書き変えられる。

d_f／f₀＝Ｋ CP なおスケールフアクターは次の通りである。

Ｋ＝−〔k₀₀−2πN₀（Ｒ−１）（K_p−K_p＋
90°）〕／〔16（Ｒ＋１）〕 Ｋ対Ｒは、ｐ＝０の場合について、第５図に示
してある。実験および有限要素法によると、Ｒ＝
1.5は、レゾネータ部の厚さが薄肉壁部の厚さよ
りも小さい時、薄肉壁部の厚さを厚肉壁部の厚さ
の約1/2にすると得ることができ、従つて第５図
に示すＫの増加は可能である。

これに対して、BTカツトの場合のK_pが第６図
に示してある。K_pは常に負であり、そのために
平坦部の配置を変えたとしても、スケールフアク
タが大幅に増加することはない。

要するに、薄肉壁部を適当に配置することによ
りATカツトクリスタルでは、スケールフアクタ
ーＫを大幅に増加させることができる。約−30℃
と＋30℃の間（150℃から210℃までと同等）の角
度ｐで薄肉壁部を配置することにより（第４図参
照）、スケールフアクターを所望通り増加させる
ことができる。

広い温度範囲にわたつて圧力トランスデユーサ
を使用する場合の他の重要な要因として、温度感
度Ｋがある。BTカツトは、室温付近では小さい
値（１／ｋ）（dK／dT）を有するが（Ｔは温
度）、125℃では、−224ppm／℃もの大き値とな
り、125℃以上ではさらに大幅に増加する。この
ように温度感度Ｋが増加するので、BTカツトを
高温で使用する場合、温度補償が非常に困難であ
る。この影響はBTカツトの場合、第３図に示す
温度影響問題を越えるものである。実験で測定し
たところによると、ATカツトは、円形または対
称形の場合、（１／Ｋ）（dK／dT）または（１／
K₀₀）（dK₀₀／dT）については−900ppm／℃も
の大きい温度感度Ｋを有している。ところがAT
カツトの場合、（１／Ｋ）（dK／dT）は第１図の
非対称については減少できる。これは次の通りで
ある。第７図には、直径方向の力対偶により圧搾
された場合のATカツトについてのdK_p／dTが示
されている。ＲがＴとともに変化せず、また−
k₀₀で割つても変化しないと仮定すると、式19の
ｄ／dTを利用して以下が得られる。

（１／Ｋ）（dK／dT）＝〔（１／k₀₀）（dK₀₀／
dT）−2N₀（Ｒ−１）（dK_p／dT−dK_p＋90°／
dT）〕／〔16k₀₀（Ｒ＋１）〕、 （１／k₀₀（dk₀₀／dT）is obtained from dk₀₀／dT＝−（N₀／２）∫₀〓（dK_p／dT）d_p． 第７図の結果、dk₀₀／dTは2.7X10^-14ｍ
sec／Ｎ℃であり、（１／k₀₀）（dk₀₀／dT）＝−
1000ppm／℃であることが分かつている（実験値
−900と比較）。

第８図には、クオーツｘ軸が平坦部に対して直
角な場合のＲ対式20が示され、また（１／Ｋ）
（dK／dT）を実験的に可能な壁部厚さ率の範囲
内で減少できることが示されている。これは、
ATカツトクリスタルの場合、dK₀／dTとdK₉₀／
dTが組み合わさつて通常負の（１／K₀₀）
（dK₀₀／dT）に正として加わるので、可能であ
る。これによりATカツトについて、第１図の構
造が非常に有利になる。すなわち第７図の如く、
−30度と30度の間のｐについて上記利点が発生す
る。なおｐ＝−30度はｐ＝150度と同等であり、
ｐ＝30度はｐ＝210度と同等である。

非常に重要な点として次のことがあげられる。
すなわちスケールフアクター係数Ｋが増加し、そ
れにより装置の感度が増加し、また（１／Ｋ）
（dK／dT）の大きさが減少し、これら全てが薄
肉壁部２２，２４の同じ組み合せで生じることに
ある。

第３図に示す温度対周波数特性は、転換点温度
T₀、すなわちBTカツトおよびATカツトの両方
において傾斜がゼロとなる点を示している。転換
点において、ATカツトの場合は曲線が上向き
（正）であり、BTカツトの場合は下向き（負）
である。スケールフアクターの負温度感度の影響
を第３図の周波数・温度曲線に重ね合わせると、
ATカツトの別の重要な特徴、すなわち主として
圧力上昇につれて温度において転換点が上方へ移
動すること、が明らかとなる。これは第９図から
明らかである。圧力とともに転換点が上方へ移動
する率は、厚肉壁部の厚さにおよびレゾネータ部
厚さに対する薄肉壁部の厚さ、すなわち（１／
Ｋ）（dK／dT）により左右される。そのために
第１図の非対称形を使用すると良好な結果が得ら
れる。油井や天然ガス井戸では、温度が高い場
合、圧力も高いので（深い井戸では高温高圧であ
る）、ATカットは油井や天然ガス井戸で使用す
るのに理想的である。これは、温度の影響が最小
である最良の作動点が転換点であることを理由と
するもので、第９図に示す如く、ATカツトは圧
力が上昇するにつれて転換点が上昇する。

第９図のO_psiの場合の曲線は、ATカツト結晶
軸を僅かに変えることにより調整できる。従つ
て、第９図の曲線に類似した種々の曲線を発生さ
せることができる。

ATカツト転換点と比較して、BTカツト転換
点は力が増加するにつれて、僅かに下向きに移動
し、そのために油井や天然ガス井戸で使用するの
には適していない。

上述の方法によると、単純で、製造の容易なレ
ゾネータ圧力トランスデユーサを得ることができ
る。トランスデユーサには、概ねデイスク形のレ
ゾネータ部が設けてあり、該レゾネータ部の周囲
が側壁を有するハウジングに接合した状態で囲ま
れ、上記側壁はレゾネータ部の平面に対して概ね
直角に延びている。側壁の適当な部分は他の部分
よりも薄く形成されており、それにより、圧力を
測定しようとする流体にハウジングを漬けた場
合、非均一な応力（概ね半径方向の応力）をレゾ
ネータ部に発生させる。

上述の装置は本発明の一実施例を例示したもの
に過ぎず、それ以外にも様々な変形や変更構造に
より本発明を具体化することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるATカツトレゾネータ圧
力トランスデユーサの一部切り欠き斜視図、第２
図は第１図のトランスデユーサのレゾネータ部に
おけるｘ軸およびｚ軸に沿う主な圧力を示す説明
図、第３図はATカツトクリスタルおよびBTカ
ツトクリスタルの周波数温度特性を示すグラフ、
第４図は力対偶と結晶軸ｘとの間の方位角度ｐ対
直径方向に対抗する力対偶についてのATカツト
クリスタルの周波数変移係数K_pを示すグラフ、
第５図は応力T_zzに対する応力T_xxの率対第１図
の構造についてのスケールフアクターＫを示すグ
ラフ、第６図は力対偶と結晶軸ｘとの間の方位角
度ｐ対直径方向に対抗する力対偶についてのBT
カツトクリスタルの周波数変移係数K_pを示すグ
ラフ、第７図は方位角度ｐ対温度についての第４
図の周波数変移係数の変化を示すグラフ、第８図
は応力T_zzに対する応力T_xxの率対第５図のスケ
ールフアクターに及ぼす温度の影響を示すグラ
フ、第９図は異なる圧力についての第１図のAT
カツトレゾネータトランスデユーサの温度対周波
数曲線を示すグラフである。 主要部分の符号の説明、４……ハウジング、１
２……レゾネータ部、１６，１８……平坦部分、
２２，２４……側壁部分、３６……発振器。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ AT結晶クオーツで作られた概ねデイスク型
   のレゾネータ部、 レゾネータ部を囲んでその外周に接合し、該レ
   ゾネータ部の平面に対して概ね垂直に延びる側壁
   を設け、該側壁の複数部分を側壁の他の部分より
   も薄肉にして、流体に漬けた場合に、非均一な応
   力がレゾネータ部に生じるようにしたハウジン
   グ、 ハウジング側壁に及ぼされる圧力の変化に対応
   して変化する振動周波数をもつて上記レゾネータ
   部に振動を発生させる手段とから成ることを特徴
   とするレゾネータ圧力トランスデユーサ。 ２ 上記レゾネータ部がハウジングの側壁と一体
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載のレゾネータ圧力トランスデユーサ。 ３ 上記薄肉壁部が互いに直径方向に対向してい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   のレゾネータ圧力トランスデユーサ。 ４ 薄肉壁部の直径方向のアラインメントが、ク
   オーツの結晶Ｘ軸から約−30度ないし＋30の角度
   であることを特徴とする特許請求の範囲第３項に
   記載のレゾネータ圧力トランスデユーサ。 ５ 上記薄肉壁部の厚さが上記他の壁部の厚さの
   ３／４ないし1/2であり、レゾネータ部の厚さが薄肉
   壁部の厚さよりも小さいことを特徴とする特許請
   求の範囲第３項に記載のレゾネータ圧力トランス
   デユーサ。 ６ 上記ハウジングが概ね筒状で、直径方向に対
   向する側壁部分の外面に平坦または弦状の切り欠
   きが形成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第３項に記載のレゾネータ圧力トランスデユ
   ーサ。 ７ 外周に及ぼされる力による変化により変化す
   る振動周波数により、振動信号に応答して振動す
   るようにした概ねデイスク型のAT−カツトクオ
   ーツクリスタルレゾネータ部、 レゾネータ部を囲んでその外周に接合される側
   壁を有し、該側壁をレゾネータ部の平面に対して
   垂直両方向に延ばし、側壁のある部分を他の部分
   よりも薄くしたハウジング、 振動信号をレゾネータ部に供給して該部分を振
   動させるための手段から成ることを特徴とする圧
   力測定装置。 ８ 上記薄肉部分が２個の直径方向に対向する側
   壁部分を備え、該直径方向に対向する側壁部分の
   アラインメントが、クオーツの結晶Ｘ軸から約−
   30度ないし＋30度の角度で回転していることを特
   徴とする特許請求の範囲第７項に記載の装置。 ９ 上記薄肉壁部の厚さが上記他の壁部の厚さの
   ３／４ないし1/2であり、レゾネータ部の厚さが薄肉
   壁部の厚さよりも小さいことを特徴とする特許請
   求の範囲第８項に記載の装置。 １０ 上記ハウジングが概ね筒状であり、上記薄
   肉壁部を形成する平坦部分が対向する状態で形成
   してあることを特徴とする特許請求の範囲第７項
   に記載の装置。 １１ レゾネータ部がハウジングの側壁と一体で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記
   載の装置。