JPH05249497A - 液晶表示用基板及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示用基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05249497A JPH05249497A JP8461092A JP8461092A JPH05249497A JP H05249497 A JPH05249497 A JP H05249497A JP 8461092 A JP8461092 A JP 8461092A JP 8461092 A JP8461092 A JP 8461092A JP H05249497 A JPH05249497 A JP H05249497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- film
- single crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単結晶半導体薄膜を用いる構成でありなが
ら、ＴＮ方式等のコントラストの高い方式を採用するこ
とができるようにする。 【構成】 アクティブマトリクス方式の液晶表示ディス
プレイに使用される液晶表示用基板である。ガラス基板
30上には、透光穴18を有する単結晶シリコン膜10が形成
されている。単結晶シリコン膜10には、液晶駆動回路の
一構成部であるＭＯＳトランジスタαが形成されてい
る。ＭＯＳトランジスタαとガラス基板30との間には、
不純物透過防止膜41、平坦化絶縁膜42が形成されてい
る。不純物透過防止膜41が設けられているのは、基板製
造時、不純物がＭＯＳトランジスタαに混入することを
防止するためで、平坦化絶縁膜42が設けられているの
は、単結晶シリコン膜10の基となる半導体シリコンウエ
ハとガラス基板30との間を平滑にしてこの間に気泡等が
入り込むのを防止するためである。
ら、ＴＮ方式等のコントラストの高い方式を採用するこ
とができるようにする。 【構成】 アクティブマトリクス方式の液晶表示ディス
プレイに使用される液晶表示用基板である。ガラス基板
30上には、透光穴18を有する単結晶シリコン膜10が形成
されている。単結晶シリコン膜10には、液晶駆動回路の
一構成部であるＭＯＳトランジスタαが形成されてい
る。ＭＯＳトランジスタαとガラス基板30との間には、
不純物透過防止膜41、平坦化絶縁膜42が形成されてい
る。不純物透過防止膜41が設けられているのは、基板製
造時、不純物がＭＯＳトランジスタαに混入することを
防止するためで、平坦化絶縁膜42が設けられているの
は、単結晶シリコン膜10の基となる半導体シリコンウエ
ハとガラス基板30との間を平滑にしてこの間に気泡等が
入り込むのを防止するためである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス方
式の液晶表示ディスプレイに使用される液晶表示用基板
及びその製造方法に関する。
式の液晶表示ディスプレイに使用される液晶表示用基板
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化時代の到来を控え、映像情報
表示ディスプレイには平坦化が強く望まれている。各種
方式のフラットディスプレイの中でも液晶表示ディスプ
レイは軽量低消費電力という優れた面も併せて持つの
で、その有力候補である。特に、アクティブマトリクス
方式の液晶表示ディスプレイは、ＣＲＴ（Cathodrd Ray
Tube)に匹敵する画質を有することから注目されてい
る。
表示ディスプレイには平坦化が強く望まれている。各種
方式のフラットディスプレイの中でも液晶表示ディスプ
レイは軽量低消費電力という優れた面も併せて持つの
で、その有力候補である。特に、アクティブマトリクス
方式の液晶表示ディスプレイは、ＣＲＴ（Cathodrd Ray
Tube)に匹敵する画質を有することから注目されてい
る。
【０００３】図３は従来のアクティブマトリクス方式の
液晶表示ティスプレイの代表的に等価回路を示してい
る。図中60は走査信号配線電極、61はデータ信号配線電
極、63はＭＯＳトランジスタである。64は透明電極端子
65と対向電極端子66との間に封じ込んだ液晶である。Ｍ
ＯＳトランジスタ63のゲートには走査信号駆動回路68の
出力電圧が走査信号配線電極60を通じて与えられ、これ
によりＭＯＳトランジスタ63の導通状態が制御される。
透明電極端子65にはデータ側駆動回路67の出力電圧がデ
ータ信号配線電極61、ＭＯＳトランジスタ63のチャネル
を通じて印加され、液晶64が分極配向して液晶セルが駆
動するようになっている。
液晶表示ティスプレイの代表的に等価回路を示してい
る。図中60は走査信号配線電極、61はデータ信号配線電
極、63はＭＯＳトランジスタである。64は透明電極端子
65と対向電極端子66との間に封じ込んだ液晶である。Ｍ
ＯＳトランジスタ63のゲートには走査信号駆動回路68の
出力電圧が走査信号配線電極60を通じて与えられ、これ
によりＭＯＳトランジスタ63の導通状態が制御される。
透明電極端子65にはデータ側駆動回路67の出力電圧がデ
ータ信号配線電極61、ＭＯＳトランジスタ63のチャネル
を通じて印加され、液晶64が分極配向して液晶セルが駆
動するようになっている。
【０００４】アクティブマトリクス方式の中でも液晶セ
ルの一方の基板にガラス基板を、他方の基板に単結晶シ
リコンを用い、これにＭＯＳトランジスタアレイを形成
したＭＯＳトランジスタ型アクティブマトリクス方式の
ものは、従来のＬＳＩ製造技術をそのまま利用でき、高
性能な素子を簡単に作製できるというメリットがある。
更に、周辺駆動回路をＭＯＳトランジスタアレイの同一
基板上に集積一体化することが容易であり、駆動回路部
と表示部とのリード接続の簡易化、装置の小型化、高信
頼性というメリットもある。即ち、ＭＯＳトランジスタ
型アクティブマトリクス方式は、液晶表示ディスプレイ
の周辺回路部等の小型化、高信頼性、低価格化を図る上
では最適である。
ルの一方の基板にガラス基板を、他方の基板に単結晶シ
リコンを用い、これにＭＯＳトランジスタアレイを形成
したＭＯＳトランジスタ型アクティブマトリクス方式の
ものは、従来のＬＳＩ製造技術をそのまま利用でき、高
性能な素子を簡単に作製できるというメリットがある。
更に、周辺駆動回路をＭＯＳトランジスタアレイの同一
基板上に集積一体化することが容易であり、駆動回路部
と表示部とのリード接続の簡易化、装置の小型化、高信
頼性というメリットもある。即ち、ＭＯＳトランジスタ
型アクティブマトリクス方式は、液晶表示ディスプレイ
の周辺回路部等の小型化、高信頼性、低価格化を図る上
では最適である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単結晶
シリコンを用いる限り、これが可視光領域で不透明であ
るために、コントラストが良好なＴＮ方式等を用いるこ
とができず、液晶表示ディスプレイの画質が悪いという
本質的な欠点がある。また反射タイプの方式を用いざる
を得ない結果、暗所での使用が困難で、利用分野が制限
される欠点がある。特に、家庭用テレビジョン等への応
用には大きな問題となる。
シリコンを用いる限り、これが可視光領域で不透明であ
るために、コントラストが良好なＴＮ方式等を用いるこ
とができず、液晶表示ディスプレイの画質が悪いという
本質的な欠点がある。また反射タイプの方式を用いざる
を得ない結果、暗所での使用が困難で、利用分野が制限
される欠点がある。特に、家庭用テレビジョン等への応
用には大きな問題となる。
【０００６】本発明は上記した背景のもとに創作された
ものであって、単結晶シリコンを用いる構成でありなが
ら、コントラストが良好なＴＮ方式等を採用できる液晶
表示用基板及びその製造方法を提供することにある。
ものであって、単結晶シリコンを用いる構成でありなが
ら、コントラストが良好なＴＮ方式等を採用できる液晶
表示用基板及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示用基板
は、アクティブマトリクス方式の液晶表示ディスプレイ
に使用される液晶表示用基板であって、液晶セルの一方
の基板である透明基板と、透明基板の面上に形成され且
つ複数の透光穴を有する単結晶半導体薄膜と、少なくと
も液晶駆動回路の一構成部であり単結晶半導体薄膜の透
明基板側面上に形成された複数の素子と、単結晶半導体
薄膜の面上又は透明基板と単結晶半導体薄膜との間に設
けてあり前記複数の素子に光が当たらないようにする光
遮蔽層と、透明基板と複数の素子との間に設けてある平
坦化絶縁膜と、平坦化絶縁膜と複数の素子との界面に設
けてある不純物透過防止膜とを具備することを特徴とし
ている。
は、アクティブマトリクス方式の液晶表示ディスプレイ
に使用される液晶表示用基板であって、液晶セルの一方
の基板である透明基板と、透明基板の面上に形成され且
つ複数の透光穴を有する単結晶半導体薄膜と、少なくと
も液晶駆動回路の一構成部であり単結晶半導体薄膜の透
明基板側面上に形成された複数の素子と、単結晶半導体
薄膜の面上又は透明基板と単結晶半導体薄膜との間に設
けてあり前記複数の素子に光が当たらないようにする光
遮蔽層と、透明基板と複数の素子との間に設けてある平
坦化絶縁膜と、平坦化絶縁膜と複数の素子との界面に設
けてある不純物透過防止膜とを具備することを特徴とし
ている。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１はアクティブマトリクス方式の液晶表示用基
板の一部断面図、図２は液晶表示用基板の製造プロセス
を示す図である。
する。図１はアクティブマトリクス方式の液晶表示用基
板の一部断面図、図２は液晶表示用基板の製造プロセス
を示す図である。
【０００９】ここに例をあげて説明する液晶表示用基板
は、ＭＯＳトランジスタ型アクティブマトリクス方式の
液晶表示ディスプレイに使用されるものである。図１に
示す断面図は液晶表示ディスプレイの一画素に相当する
部分を示している。
は、ＭＯＳトランジスタ型アクティブマトリクス方式の
液晶表示ディスプレイに使用されるものである。図１に
示す断面図は液晶表示ディスプレイの一画素に相当する
部分を示している。
【００１０】図中30は透明基板としてのガラス基板であ
り、液晶セルの一方の基板に相当する。なお、液晶セル
の他方のガラス基板は図示省略されている。
り、液晶セルの一方の基板に相当する。なお、液晶セル
の他方のガラス基板は図示省略されている。
【００１１】ガラス基板30の面上（図中では下面）には
透光穴18を有する単結晶半導体薄膜としての単結晶シリ
コン膜10が形成されている。透光穴18の部分には液晶セ
ルの透明電極22が形成される。なお、液晶セルにおける
もう一方の透明電極及び液晶等は図示省略されている。
透光穴18を有する単結晶半導体薄膜としての単結晶シリ
コン膜10が形成されている。透光穴18の部分には液晶セ
ルの透明電極22が形成される。なお、液晶セルにおける
もう一方の透明電極及び液晶等は図示省略されている。
【００１２】単結晶シリコン膜10にはＭＯＳトランジス
タαが形成されている。ＭＯＳトランジスタαは液晶駆
動回路の一構成部であって、液晶セルを駆動するように
なっており、ＳＩＯ2 膜11、15、17、配線電極12、13、
14等から構成されている。なお、透明電極22と配線電極
12とは電気的に接続されている。
タαが形成されている。ＭＯＳトランジスタαは液晶駆
動回路の一構成部であって、液晶セルを駆動するように
なっており、ＳＩＯ2 膜11、15、17、配線電極12、13、
14等から構成されている。なお、透明電極22と配線電極
12とは電気的に接続されている。
【００１３】単結晶シリコン膜10の裏面側には金属膜50
が設けられている。金属膜50は液晶駆動時のＭＯＳトラ
ンジスタαの光遮蔽層の役目を果たす。即ち、液晶セル
の他方のガラス基板から入り込む光がＭＯＳトランジス
タαに当たることを防ぐようになっている。なお、金属
膜の代わりに、不透明樹脂等を用いても良く、ガラス基
板30から入り込む光を問題とする場合には、金属膜50を
ガラス基板30と単結晶シリコン膜10との間に設けるよう
にする。
が設けられている。金属膜50は液晶駆動時のＭＯＳトラ
ンジスタαの光遮蔽層の役目を果たす。即ち、液晶セル
の他方のガラス基板から入り込む光がＭＯＳトランジス
タαに当たることを防ぐようになっている。なお、金属
膜の代わりに、不透明樹脂等を用いても良く、ガラス基
板30から入り込む光を問題とする場合には、金属膜50を
ガラス基板30と単結晶シリコン膜10との間に設けるよう
にする。
【００１４】ＭＯＳトランジスタαとガラス基板30との
間には、不純物透過防止膜41、平坦化絶縁膜42、ＳｉＯ
2 膜43がこの順番に設けられている。
間には、不純物透過防止膜41、平坦化絶縁膜42、ＳｉＯ
2 膜43がこの順番に設けられている。
【００１５】不純物透過防止膜41はＳｉＮ等の絶縁膜で
ある。これは平坦化絶縁膜42とＭＯＳトランジスタαと
の界面に設けられていることから、基板製造時、ガラス
等の不純物がＭＯＳトランジスタαの各部に混入するこ
とを防ぐ。
ある。これは平坦化絶縁膜42とＭＯＳトランジスタαと
の界面に設けられていることから、基板製造時、ガラス
等の不純物がＭＯＳトランジスタαの各部に混入するこ
とを防ぐ。
【００１６】平坦化絶縁膜42はＳｉＯ2 等の絶縁膜であ
る。これはＭＯＳトランジスタαを構成する層が平坦で
ないために設けられているもので、ＭＯＳトランジスタ
αが形成された単結晶シリコン膜10側とガラス基板30側
とを密接に接合させるためのものである。
る。これはＭＯＳトランジスタαを構成する層が平坦で
ないために設けられているもので、ＭＯＳトランジスタ
αが形成された単結晶シリコン膜10側とガラス基板30側
とを密接に接合させるためのものである。
【００１７】但し、図１は一画素に相当する部分のみを
示している関係上、他の透光穴18、ＭＯＳトランジスタ
α、金属膜50は図示省略されているが、液晶表示ディス
プレイの画素数の個数だけ存在する。
示している関係上、他の透光穴18、ＭＯＳトランジスタ
α、金属膜50は図示省略されているが、液晶表示ディス
プレイの画素数の個数だけ存在する。
【００１８】次に、上記した構造を有する液晶表示用基
板の製造方法について図２を参照して説明する。
板の製造方法について図２を参照して説明する。
【００１９】まず、単結晶半導体ウエハとしてのＰ型の
単結晶シリコンウエハ１の表面に熱酸化によりＳＩＯ2
膜を作成する。そして、ホトエッチング、反応性イオン
エッチング等の選択エッチング技術により、ＭＯＳトラ
ンジスタαのドレイン、ソースとなる部分のＳＩＯ2 膜
を除去して、所定パターンのＳＩＯ2 膜11を形成する(
図２(a) ) 。
単結晶シリコンウエハ１の表面に熱酸化によりＳＩＯ2
膜を作成する。そして、ホトエッチング、反応性イオン
エッチング等の選択エッチング技術により、ＭＯＳトラ
ンジスタαのドレイン、ソースとなる部分のＳＩＯ2 膜
を除去して、所定パターンのＳＩＯ2 膜11を形成する(
図２(a) ) 。
【００２０】その後、熱拡散方式又はイオン注入方式に
より、ドレイン、ソースとなる部分に、所定のｎ型拡散
層を形成する。そしてゲートとなる部分のＳＩＯ2 膜11
を選択エッチング技術により除去し、1000度程度の熱酸
化により、所定パターンのＳＩＯ2 膜17を作成する。引
き続き、基板表面にスパッタ又は電子ビーム蒸着等によ
りAL、MO等の金属膜を作成し、ホトエッチング技術、選
択エッチング技術により所定パターンの配線電極13（ゲ
ート線）を形成する。その後、ＣＶＤ又はプラズマＣＶ
Ｄ法により所定パターンのＳＩＯ2 膜15を作成する( 図
２(b) ) 。
より、ドレイン、ソースとなる部分に、所定のｎ型拡散
層を形成する。そしてゲートとなる部分のＳＩＯ2 膜11
を選択エッチング技術により除去し、1000度程度の熱酸
化により、所定パターンのＳＩＯ2 膜17を作成する。引
き続き、基板表面にスパッタ又は電子ビーム蒸着等によ
りAL、MO等の金属膜を作成し、ホトエッチング技術、選
択エッチング技術により所定パターンの配線電極13（ゲ
ート線）を形成する。その後、ＣＶＤ又はプラズマＣＶ
Ｄ法により所定パターンのＳＩＯ2 膜15を作成する( 図
２(b) ) 。
【００２１】次に、ホトエッチング記述、選択エッチン
グ技術により、ドレイン部、ソース部の電極窓開けを行
った後、再びスパッタ又は電子ビーム蒸着等によりAL、
MO等の金属膜を作成し、ホトエッチング技術、選択エッ
チング技術により所定パターンの配線電極12、14（ソー
ス線、ドレイン線）を形成する。これでＭＯＳトランジ
スタαが作成される。更に、ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ
法により、SiN 等よりなる不純物透過防止膜41、リン等
の所定の不純物を含んだＳｉＯ2 等よりなる絶縁膜42'
を順次作成する（図２(c))。その後、所定のポリイミド
等よりなる平坦化剤を塗布し、前記絶縁膜の上を平坦に
し、ＲＩＥ等を利用したエッチバック方による平坦化エ
ッチングにより平坦化絶縁膜42を作成する（図２(d))。
グ技術により、ドレイン部、ソース部の電極窓開けを行
った後、再びスパッタ又は電子ビーム蒸着等によりAL、
MO等の金属膜を作成し、ホトエッチング技術、選択エッ
チング技術により所定パターンの配線電極12、14（ソー
ス線、ドレイン線）を形成する。これでＭＯＳトランジ
スタαが作成される。更に、ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ
法により、SiN 等よりなる不純物透過防止膜41、リン等
の所定の不純物を含んだＳｉＯ2 等よりなる絶縁膜42'
を順次作成する（図２(c))。その後、所定のポリイミド
等よりなる平坦化剤を塗布し、前記絶縁膜の上を平坦に
し、ＲＩＥ等を利用したエッチバック方による平坦化エ
ッチングにより平坦化絶縁膜42を作成する（図２(d))。
【００２２】そして表面が平滑なガラス基板30上に、Ｃ
ＶＤ法やプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯ2 膜43を作成
した後、ＳｉＯ2 膜43の表面と平坦化絶縁膜42の表面と
を圧接して所定の温度に上げて接合し、ＭＯＳトランジ
スタαが形成された単結晶シリコンウエハ１とガラス基
板30とを接合する。このときＳｉＯ2 膜43の表面と平坦
化絶縁膜42の表面とは平坦であるので、気泡等が入り込
まず、強固に接着されることになる。( 図２(e))。
ＶＤ法やプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯ2 膜43を作成
した後、ＳｉＯ2 膜43の表面と平坦化絶縁膜42の表面と
を圧接して所定の温度に上げて接合し、ＭＯＳトランジ
スタαが形成された単結晶シリコンウエハ１とガラス基
板30とを接合する。このときＳｉＯ2 膜43の表面と平坦
化絶縁膜42の表面とは平坦であるので、気泡等が入り込
まず、強固に接着されることになる。( 図２(e))。
【００２３】なお、接合する方法として、所定の温度の
基板ヒータ上で所定の電圧の交流パルスを印加して接合
するようにしても良い。また、ＳｉＯ2 膜43を形成せ
ず、ガラス基板30の表面と平坦化絶縁膜42の表面とを接
合するようにしても良い。
基板ヒータ上で所定の電圧の交流パルスを印加して接合
するようにしても良い。また、ＳｉＯ2 膜43を形成せ
ず、ガラス基板30の表面と平坦化絶縁膜42の表面とを接
合するようにしても良い。
【００２４】その後、単結晶シリコンウエハ１の裏面側
からグランディング、ラッピング、ポリッシング等によ
り単結晶シリコンウエハ１を平滑に薄くして所定の厚さ
にする。これにより単結晶シリコン膜10が形成される。
そしてスパッタ又は電子ビーム蒸着等によりAL、W 、M
O、TiAu等の金属膜50を単結晶シリコン膜10の面上に作
成する( 図２(f))。
からグランディング、ラッピング、ポリッシング等によ
り単結晶シリコンウエハ１を平滑に薄くして所定の厚さ
にする。これにより単結晶シリコン膜10が形成される。
そしてスパッタ又は電子ビーム蒸着等によりAL、W 、M
O、TiAu等の金属膜50を単結晶シリコン膜10の面上に作
成する( 図２(f))。
【００２５】次に、ホトエッチング技術、選択エッチン
グ技術により、金属膜50、単結晶シリコン膜10のうちで
もＭＯＳトランジスタα等以外の不要な部分及びＳｉＯ
2 膜11、15を除去する。このとき単結晶シリコン膜10に
透光穴18が形成される。引き続き、スパッタ又は電子ビ
ーム蒸着等によりITO(Indium Tin Oxide) 膜等を作成
し、ホトエッチング技術、選択エッチング技術により、
透光穴18の部分に透明電極22を作成する。このとき配線
電極12と透明電極22とが電気的に接続される。上記した
一連のプロセスを経て、図１に示す液晶表示用基板が製
造される。
グ技術により、金属膜50、単結晶シリコン膜10のうちで
もＭＯＳトランジスタα等以外の不要な部分及びＳｉＯ
2 膜11、15を除去する。このとき単結晶シリコン膜10に
透光穴18が形成される。引き続き、スパッタ又は電子ビ
ーム蒸着等によりITO(Indium Tin Oxide) 膜等を作成
し、ホトエッチング技術、選択エッチング技術により、
透光穴18の部分に透明電極22を作成する。このとき配線
電極12と透明電極22とが電気的に接続される。上記した
一連のプロセスを経て、図１に示す液晶表示用基板が製
造される。
【００２６】なお、上記実施例に限定されず、透明基板
については石英の基板等の使用が可能で、単結晶半導体
薄膜についてもGaAs等の他の単結晶半導体の使用が可能
である。また、単結晶半導体薄膜上にＭＯＳトランジス
タ及び電荷蓄積のキャパシタ素子を形成する或いはＣＭ
ＯＳ、ダイオード素子、バイポーラ素子等を形成するよ
うにしても良く、液晶駆動回路等を含む周辺回路を形成
するような形態を採っても良い。
については石英の基板等の使用が可能で、単結晶半導体
薄膜についてもGaAs等の他の単結晶半導体の使用が可能
である。また、単結晶半導体薄膜上にＭＯＳトランジス
タ及び電荷蓄積のキャパシタ素子を形成する或いはＣＭ
ＯＳ、ダイオード素子、バイポーラ素子等を形成するよ
うにしても良く、液晶駆動回路等を含む周辺回路を形成
するような形態を採っても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上、本発明の液晶表示用基板及びその
製造方法による場合には、次に述べるメリットが得られ
る。まず、単結晶半導体薄膜に透光穴を設けたので、透
過型の液晶表示ディスプレイとすることができ、コント
ラストが良好なＴＮ方式等を用いることができる。それ
故、バックライトを利用する等して、液晶表示ディスプ
レイの画面を明るく画質を良好にすることが可能とな
る。特に、家庭用テレビジョン等への応用も容易とな
る。また、平坦化絶縁膜を有するので、透明基板と単結
晶半導体ウエハとを接合する際、この間に気泡等が混入
することが少なく、液晶表示ディスプレイの品位を落と
すこともない。しかも光遮蔽層を設けた構成となってい
るので、これにより複数の素子が光の影響を受けること
なく、安定して動作する。しかも不純物透過防止膜が形
成されているので、製造過程で、複数の素子に不純物が
入り込むことも少なく、複数の素子の信頼性も向上す
る。それ故、液晶表示ディスプレイの電気的特性が非常
に良好となる。更に、単結晶半導体薄膜に他の周辺回路
やテレビジョンにおけるコントロール回路等が容易に組
み込むことができるので、組立コストの低減化や小型化
を図る上でもメリットがある。
製造方法による場合には、次に述べるメリットが得られ
る。まず、単結晶半導体薄膜に透光穴を設けたので、透
過型の液晶表示ディスプレイとすることができ、コント
ラストが良好なＴＮ方式等を用いることができる。それ
故、バックライトを利用する等して、液晶表示ディスプ
レイの画面を明るく画質を良好にすることが可能とな
る。特に、家庭用テレビジョン等への応用も容易とな
る。また、平坦化絶縁膜を有するので、透明基板と単結
晶半導体ウエハとを接合する際、この間に気泡等が混入
することが少なく、液晶表示ディスプレイの品位を落と
すこともない。しかも光遮蔽層を設けた構成となってい
るので、これにより複数の素子が光の影響を受けること
なく、安定して動作する。しかも不純物透過防止膜が形
成されているので、製造過程で、複数の素子に不純物が
入り込むことも少なく、複数の素子の信頼性も向上す
る。それ故、液晶表示ディスプレイの電気的特性が非常
に良好となる。更に、単結晶半導体薄膜に他の周辺回路
やテレビジョンにおけるコントロール回路等が容易に組
み込むことができるので、組立コストの低減化や小型化
を図る上でもメリットがある。
【図１】本発明の実施例を説明するための図であって、
液晶表示用基板の部分断面図である。
液晶表示用基板の部分断面図である。
【図２】液晶表示用基板の製造方法を説明するための図
であって、製造プロセスを示す図である。
であって、製造プロセスを示す図である。
【図３】従来のアクティブマトリクス方式の液晶表示テ
ィスプレイの代表的に等価回路を示す図である。
ィスプレイの代表的に等価回路を示す図である。
１ 単結晶シリコンウエハ 10 単結晶シリコン膜 18 透光穴 α ＭＯＳトランジスタ 30 ガラス基板 41 不純物透過防止膜 42 平滑化絶縁膜 50 金属膜
フロントページの続き (72)発明者 土本 修平 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 アクティブマトリクス方式の液晶表示デ
ィスプレイに使用される液晶表示用基板において、液晶
セルの一方の基板である透明基板と、透明基板の面上に
形成され且つ複数の透光穴を有する単結晶半導体薄膜
と、少なくとも液晶駆動回路の一構成部であり単結晶半
導体薄膜の透明基板側面上に形成された複数の素子と、
単結晶半導体薄膜の面上又は透明基板と単結晶半導体薄
膜との間に設けてあり前記複数の素子に光が当たらない
ようにする光遮蔽層と、透明基板と複数の素子との間に
設けてある平坦化絶縁膜と、平坦化絶縁膜と複数の素子
との界面に設けてある不純物透過防止膜とを具備してい
ることを特徴とすることを特徴とする液晶表示用基板。 - 【請求項２】 単結晶半導体ウエハ上に複数の素子を作
成した後、不純物透過防止膜、平坦化絶縁膜を順次作成
し、平坦化絶縁膜の表面と透明基板の表面とを接合させ
た後、この状態で単結晶半導体ウエハの裏面を削って所
定の厚さにして単結晶半導体薄膜を形成し、これらの過
程で光遮蔽層を形成し、そして、単結晶半導体薄膜に複
数の透光穴を形成するようにしたこと特徴とする請求項
１記載の液晶表示用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8461092A JPH05249497A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 液晶表示用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8461092A JPH05249497A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 液晶表示用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249497A true JPH05249497A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13835468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8461092A Pending JPH05249497A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 液晶表示用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05249497A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413838B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of display device |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP8461092A patent/JPH05249497A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413838B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6187605B1 (en) | Method of forming a semiconductor device for a light valve | |
| EP0211401B1 (en) | N+ amorphous silicon thin film transistors for matrix addressed liquid crystal displays | |
| JP2716266B2 (ja) | 単結晶半導体層に集積された電極および駆動装置を含んだ液晶ディスプレイおよびその製造方法 | |
| WO1999030370A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication, dispositif electro-optique et procede de fabrication, et appareil electronique y ayant recours | |
| JPH11160735A (ja) | 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器 | |
| US5537234A (en) | Relective liquid crystal display including driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer and method of fabricating the display | |
| JPH07168172A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH0618926A (ja) | 液晶表示用大型基板およびその製造方法 | |
| US5633176A (en) | Method of producing a semiconductor device for a light valve | |
| JP3121005B2 (ja) | 薄膜半導体装置とその製造方法及び製造装置並びに画像処理装置 | |
| TW579601B (en) | Electrooptic device, liquid crystal device, and projection display device | |
| JPH11202368A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| JPH05249496A (ja) | 液晶表示用基板及びその製造方法 | |
| JPH10293322A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH05249497A (ja) | 液晶表示用基板及びその製造方法 | |
| JPH0611729A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3073462B2 (ja) | 電気化学的エッチング方法を用いるｓｏｉ型半導体素子の製造方法およびこれを用いた能動駆動液晶表示装置の製造方法 | |
| US4774207A (en) | Method for producing high yield electrical contacts to N+ amorphous silicon | |
| JPH05281573A (ja) | 液晶表示用基板 | |
| JP2002110998A (ja) | 電気光学基板およびその製造方法、電気光学装置及び電子機器 | |
| JPH09269482A (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置 | |
| JPH0312637A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| JP3098815B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06289424A (ja) | 透過型表示装置 | |
| JPS641053B2 (ja) |