JPH05243852A - 周波数逓倍器 - Google Patents
周波数逓倍器Info
- Publication number
- JPH05243852A JPH05243852A JP17453492A JP17453492A JPH05243852A JP H05243852 A JPH05243852 A JP H05243852A JP 17453492 A JP17453492 A JP 17453492A JP 17453492 A JP17453492 A JP 17453492A JP H05243852 A JPH05243852 A JP H05243852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- output
- signal
- port
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 52
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 101100125452 Arabidopsis thaliana ICR1 gene Proteins 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 101100232369 Hordeum vulgare IAT2 gene Proteins 0.000 description 2
- 241000233805 Phoenix Species 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 102100041023 Coronin-2A Human genes 0.000 description 1
- 241001481833 Coryphaena hippurus Species 0.000 description 1
- 101000748858 Homo sapiens Coronin-2A Proteins 0.000 description 1
- 101100232367 Hordeum vulgare IAT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L5/00—Automatic control of voltage, current, or power
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
- H03B19/18—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes and elements comprising distributed inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/0028—Structural aspects of oscillators based on a monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0088—Reduction of noise
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 供給された入力信号にほとんど位相ノイズを
加えることなく出力信号を提供する周波数逓倍器を提供
する。 【構成】 入力信号における変動に応答して中間制御信
号を提供するディテクタ（１２０）と増幅回路の周囲温
度を示す基準信号を提供する温度補償回路（１２６）と
を含み、また、基準信号と中間制御信号が供給されて制
御ポートに制御信号を提供する差動増幅器（１２４）を
含むゲイン補償回路を設ける。このような構成で周波数
逓倍器（１００）が提供されて、これからの出力しんご
うは位相ノイズもほとんどなく一定の信号レベルが保た
れる。
加えることなく出力信号を提供する周波数逓倍器を提供
する。 【構成】 入力信号における変動に応答して中間制御信
号を提供するディテクタ（１２０）と増幅回路の周囲温
度を示す基準信号を提供する温度補償回路（１２６）と
を含み、また、基準信号と中間制御信号が供給されて制
御ポートに制御信号を提供する差動増幅器（１２４）を
含むゲイン補償回路を設ける。このような構成で周波数
逓倍器（１００）が提供されて、これからの出力しんご
うは位相ノイズもほとんどなく一定の信号レベルが保た
れる。
Description
【０００１】
【発明の背景】本発明は、一般的には周波数逓倍器に関
し、更に詳しくは周波数２倍器及び周波数３倍器に関す
る。
し、更に詳しくは周波数２倍器及び周波数３倍器に関す
る。
【０００２】当該技術分野では周知のように、周波数逓
倍器は、入力周波数をもつ入力信号から、その入力信号
の入力周波数よりも大きな出力周波数をもつ出力信号を
引き出すために用いられる。典型的には、出力周波数は
入力周波数の正確な整数倍である。たとえば、周波数２
倍器は入力信号の周波数の２倍の周波数をもつ出力信号
を提供し、周波数３倍器は入力信号の周波数の３倍の周
波数をもつ出力信号を提供する。周波数２倍器と周波数
３倍器との組合せによって、所望の周波数をもつ信号
を、ずっと低い周波数の信号をもとにして提供すること
ができる。
倍器は、入力周波数をもつ入力信号から、その入力信号
の入力周波数よりも大きな出力周波数をもつ出力信号を
引き出すために用いられる。典型的には、出力周波数は
入力周波数の正確な整数倍である。たとえば、周波数２
倍器は入力信号の周波数の２倍の周波数をもつ出力信号
を提供し、周波数３倍器は入力信号の周波数の３倍の周
波数をもつ出力信号を提供する。周波数２倍器と周波数
３倍器との組合せによって、所望の周波数をもつ信号
を、ずっと低い周波数の信号をもとにして提供すること
ができる。
【０００３】多くの用途のための周波数逓倍器の重大な
特性として、そのような周波数逓倍器は、入力信号にほ
とんど位相ノイズを付け加えていない出力信号を提供し
なければならないという点である。位相ノイズは、短期
的な周波数の変動を示すランダム性を記述するために用
いられ、与えられた信号生成装置の局所的な安定性を示
す重要な指標である。信号生成装置の用途においては、
周波数逓倍器を含む信号生成装置の各要素が低い位相ノ
イズ特性をもつことにより、信号生成装置がほとんど位
相ノイズをもたないようにしなければならない。周波数
逓倍器は、ほとんど変動がなく制御された出力信号レベ
ルをもつ出力信号を提供し、信号生成回路が提供した信
号によって引き起こされる変動を最小化するのが望まし
い。したがって、供給された入力信号にほとんど位相ノ
イズを加えることなく出力信号を提供し出力信号が一定
の信号レベルを有するような周波数２倍器及び周波数３
倍器を提供することが望まれる。
特性として、そのような周波数逓倍器は、入力信号にほ
とんど位相ノイズを付け加えていない出力信号を提供し
なければならないという点である。位相ノイズは、短期
的な周波数の変動を示すランダム性を記述するために用
いられ、与えられた信号生成装置の局所的な安定性を示
す重要な指標である。信号生成装置の用途においては、
周波数逓倍器を含む信号生成装置の各要素が低い位相ノ
イズ特性をもつことにより、信号生成装置がほとんど位
相ノイズをもたないようにしなければならない。周波数
逓倍器は、ほとんど変動がなく制御された出力信号レベ
ルをもつ出力信号を提供し、信号生成回路が提供した信
号によって引き起こされる変動を最小化するのが望まし
い。したがって、供給された入力信号にほとんど位相ノ
イズを加えることなく出力信号を提供し出力信号が一定
の信号レベルを有するような周波数２倍器及び周波数３
倍器を提供することが望まれる。
【０００４】
【発明の概要】前述の背景に鑑みると、本発明の目的
は、供給された入力信号にほとんど位相ノイズを加える
ことなく出力信号を提供する周波数逓倍器を提供するこ
とである。
は、供給された入力信号にほとんど位相ノイズを加える
ことなく出力信号を提供する周波数逓倍器を提供するこ
とである。
【０００５】また、一定の信号レベルをもつ出力信号を
有する周波数逓倍器を提供することも本発明の目的であ
る。
有する周波数逓倍器を提供することも本発明の目的であ
る。
【０００６】更に、適切な熱散逸を提供しながら、最小
の空間を占める周波数逓倍器を供給することも本発明の
目的である。
の空間を占める周波数逓倍器を供給することも本発明の
目的である。
【０００７】また更に、改善された周波数３倍器を提供
することも本発明の目的である。
することも本発明の目的である。
【０００８】本発明によれば、周波数逓倍器は入力と出
力とを有する手段を含み、出力において出力信号を供給
し、出力信号は入力に供給された信号の周波数の奇数倍
の周波数をもち、増幅回路は入力と出力とを有する第１
の増幅器とゲイン制御回路とを含む。ゲイン制御回路
は、入力ポート、出力ポート及び制御ポートをもち制御
ポートに供給される制御信号に応答する可変減衰器を含
み、その入力ポートに供給される入力信号を減衰してそ
の減衰した信号を出力において提供する。ここで、入力
ポートは第１増幅器の出力から供給される。ゲイン制御
回路は更に、入力信号の変動に応答して中間制御信号を
提供するディテクタを含み、基準信号は増幅器回路の周
囲温度を示す。ゲイン制御回路は更に、基準信号と中間
制御信号とが供給される差動増幅器を含み、制御ポート
に制御信号を提供する。増幅回路は更に、可変減衰器の
出力ポートからの供給による入力と周波数逓倍器の出力
を提供する出力とを有する第２の増幅器を含む。このよ
うな配列において、周波数逓倍器が与えられて、入力信
号の周波数の奇数倍、典型的には第３調波、の周波数を
有する出力信号が提供され、周波数逓倍器による前記信
号にほとんど位相ノイズが付加されることなくその出力
信号は一定の信号レベルを有する。このような周波数逓
倍器は、ローノイズ信号発生装置の要素として適してい
る。
力とを有する手段を含み、出力において出力信号を供給
し、出力信号は入力に供給された信号の周波数の奇数倍
の周波数をもち、増幅回路は入力と出力とを有する第１
の増幅器とゲイン制御回路とを含む。ゲイン制御回路
は、入力ポート、出力ポート及び制御ポートをもち制御
ポートに供給される制御信号に応答する可変減衰器を含
み、その入力ポートに供給される入力信号を減衰してそ
の減衰した信号を出力において提供する。ここで、入力
ポートは第１増幅器の出力から供給される。ゲイン制御
回路は更に、入力信号の変動に応答して中間制御信号を
提供するディテクタを含み、基準信号は増幅器回路の周
囲温度を示す。ゲイン制御回路は更に、基準信号と中間
制御信号とが供給される差動増幅器を含み、制御ポート
に制御信号を提供する。増幅回路は更に、可変減衰器の
出力ポートからの供給による入力と周波数逓倍器の出力
を提供する出力とを有する第２の増幅器を含む。このよ
うな配列において、周波数逓倍器が与えられて、入力信
号の周波数の奇数倍、典型的には第３調波、の周波数を
有する出力信号が提供され、周波数逓倍器による前記信
号にほとんど位相ノイズが付加されることなくその出力
信号は一定の信号レベルを有する。このような周波数逓
倍器は、ローノイズ信号発生装置の要素として適してい
る。
【０００９】本発明の更なる特徴によれば、周波数逓倍
器は入力と出力とを有する手段を含み、出力において出
力信号を提供し、その出力信号は入力に供給された信号
の周波数の偶数倍の周波数を有し、増幅回路は入力と出
力とを有する第１の増幅器とゲイン制御回路とを含んで
いる。ゲイン制御回路は、入力ポート、出力ポート及び
制御ポートを有し、制御ポートに供給された制御信号に
応答し、入力ポートに供給される入力信号を減衰して、
その減衰した信号を出力において提供する。入力ポート
は、第１の増幅器の出力によって供給される。ゲイン制
御回路は更に、入力信号における変動に応答して中間制
御信号を提供するディテクタと、増幅回路の周囲温度を
示す基準信号を提供する温度補償回路とを含む。ゲイン
制御回路は、また、基準信号と中間制御信号が供給され
て制御ポートに制御信号を提供する差動増幅器を含む。
増幅回路は、可変減衰器の出力ポートに供給される入力
と該周波数逓倍器の出力を提供する出力とを有する第２
の増幅器とを含む。このような構成で、周波数逓倍器が
提供されて、入力信号の周波数の第２の調波の周波数を
有する出力信号が提供され、この出力信号は該周波数逓
倍器による前記信号に加わる位相ノイズもほとんどなく
一定の信号レベルをもつ。このような周波数逓倍器は、
ローノイズ信号発生装置内の要素としての利用に適切で
ある。
器は入力と出力とを有する手段を含み、出力において出
力信号を提供し、その出力信号は入力に供給された信号
の周波数の偶数倍の周波数を有し、増幅回路は入力と出
力とを有する第１の増幅器とゲイン制御回路とを含んで
いる。ゲイン制御回路は、入力ポート、出力ポート及び
制御ポートを有し、制御ポートに供給された制御信号に
応答し、入力ポートに供給される入力信号を減衰して、
その減衰した信号を出力において提供する。入力ポート
は、第１の増幅器の出力によって供給される。ゲイン制
御回路は更に、入力信号における変動に応答して中間制
御信号を提供するディテクタと、増幅回路の周囲温度を
示す基準信号を提供する温度補償回路とを含む。ゲイン
制御回路は、また、基準信号と中間制御信号が供給され
て制御ポートに制御信号を提供する差動増幅器を含む。
増幅回路は、可変減衰器の出力ポートに供給される入力
と該周波数逓倍器の出力を提供する出力とを有する第２
の増幅器とを含む。このような構成で、周波数逓倍器が
提供されて、入力信号の周波数の第２の調波の周波数を
有する出力信号が提供され、この出力信号は該周波数逓
倍器による前記信号に加わる位相ノイズもほとんどなく
一定の信号レベルをもつ。このような周波数逓倍器は、
ローノイズ信号発生装置内の要素としての利用に適切で
ある。
【００１０】
【実施例】図１において、温度補償ゲイン増幅器１０
（以下、増幅器１０と呼ぶ）が、増幅器１０の入力でも
ある入力と出力とを有する第１の増幅器１２を含むこと
が理解されよう。この第１の増幅器１２は、１５ｄＢの
ゲインにフラット・ゲイン・レスポンスを与え、ここで
は２．０ＧＨｚから６．０ＧＨｚの周波数幅の４．０Ｇ
Ｈｚである帯域幅の１オクターブに対して１５ｄＢを超
える反射減衰量を有する。この第１の増幅器１２の出力
は、やはり第１及び第２の出力を有するカプラ１４の入
力に接続されている。カプラ１４の第１の出力は、可変
減衰器１６の入力ポートに接続されている。可変減衰器
１６は、制御ポートと出力ポートとを有し、制御ポート
における制御信号に応答して、ほぼ１２ｄＢを超える線
形近似の減衰を提供することが可能である。可変減衰器
１６の出力ポートは、増幅器１０の出力でもある出力を
有する第２の増幅器１８の入力に接続されている。この
第２の増幅器は第１の増幅器１２に似て、１５ｄＢのゲ
インにフラット・ゲイン・レスポンスを与え、１オクタ
ーブの帯域幅に対して１５ｄＢを超える反射減衰量を有
する。
（以下、増幅器１０と呼ぶ）が、増幅器１０の入力でも
ある入力と出力とを有する第１の増幅器１２を含むこと
が理解されよう。この第１の増幅器１２は、１５ｄＢの
ゲインにフラット・ゲイン・レスポンスを与え、ここで
は２．０ＧＨｚから６．０ＧＨｚの周波数幅の４．０Ｇ
Ｈｚである帯域幅の１オクターブに対して１５ｄＢを超
える反射減衰量を有する。この第１の増幅器１２の出力
は、やはり第１及び第２の出力を有するカプラ１４の入
力に接続されている。カプラ１４の第１の出力は、可変
減衰器１６の入力ポートに接続されている。可変減衰器
１６は、制御ポートと出力ポートとを有し、制御ポート
における制御信号に応答して、ほぼ１２ｄＢを超える線
形近似の減衰を提供することが可能である。可変減衰器
１６の出力ポートは、増幅器１０の出力でもある出力を
有する第２の増幅器１８の入力に接続されている。この
第２の増幅器は第１の増幅器１２に似て、１５ｄＢのゲ
インにフラット・ゲイン・レスポンスを与え、１オクタ
ーブの帯域幅に対して１５ｄＢを超える反射減衰量を有
する。
【００１１】前述の部分を念頭におくと、可変減衰器１
６の制御ポートに供給される制御信号は、フィードフォ
ワ−ド・ゲイン制御ル−プ２８によって提供されること
が理解されよう。したがって、カプラ１４の第２の出力
は、ディテクタ２０の入力に接続されている。ディテク
タ２０は、ディテクタ２０の入力に供給される信号の信
号レベルによって決定される大きさを有する整流された
ＤＣ電圧信号を供給することが可能である。ディテクタ
２０の出力は、ローパスフィルタ２２の入力に接続され
ている。出力を有しているローパスフィルタ２２は、５
０ＭＨｚ未満の周波数の信号の通過を許し、５０ＭＨｚ
を超える周波数の信号を阻止する。ローパスフィルタの
出力は、演算増幅器２４（以下、差動増幅器２４とも呼
ばれる）の第１の入力に接続されている。出力と第２の
入力とを有する差動増幅器２４は、第１の入力に供給さ
れる第１の信号の大きさとディテクタ２０によって提供
される第２の信号の大きさとの差で決定される大きさを
有する出力信号を提供することが可能である。差動増幅
器２４の出力は、可変減衰器１６の制御ポートに接続さ
れている。
６の制御ポートに供給される制御信号は、フィードフォ
ワ−ド・ゲイン制御ル−プ２８によって提供されること
が理解されよう。したがって、カプラ１４の第２の出力
は、ディテクタ２０の入力に接続されている。ディテク
タ２０は、ディテクタ２０の入力に供給される信号の信
号レベルによって決定される大きさを有する整流された
ＤＣ電圧信号を供給することが可能である。ディテクタ
２０の出力は、ローパスフィルタ２２の入力に接続され
ている。出力を有しているローパスフィルタ２２は、５
０ＭＨｚ未満の周波数の信号の通過を許し、５０ＭＨｚ
を超える周波数の信号を阻止する。ローパスフィルタの
出力は、演算増幅器２４（以下、差動増幅器２４とも呼
ばれる）の第１の入力に接続されている。出力と第２の
入力とを有する差動増幅器２４は、第１の入力に供給さ
れる第１の信号の大きさとディテクタ２０によって提供
される第２の信号の大きさとの差で決定される大きさを
有する出力信号を提供することが可能である。差動増幅
器２４の出力は、可変減衰器１６の制御ポートに接続さ
れている。
【００１２】差動増幅器２４の第２の入力は、温度補償
回路２６の出力に接続されている。温度補償回路２６
は、その出力において基準信号を提供することができ、
この基準信号は増幅器１０の周囲の温度を示しており、
したがって、その周辺の温度によって決定され変動する
大きさを有する。増幅器１０の周囲の温度が一定である
ときには、温度補償回路２６の出力において提供される
基準信号は、予め定められた値の大きさを有し、以下で
記述されるように差動増幅器２４の第２の入力において
適切な信号レベルを提供する。
回路２６の出力に接続されている。温度補償回路２６
は、その出力において基準信号を提供することができ、
この基準信号は増幅器１０の周囲の温度を示しており、
したがって、その周辺の温度によって決定され変動する
大きさを有する。増幅器１０の周囲の温度が一定である
ときには、温度補償回路２６の出力において提供される
基準信号は、予め定められた値の大きさを有し、以下で
記述されるように差動増幅器２４の第２の入力において
適切な信号レベルを提供する。
【００１３】以上を念頭におくと、第１の増幅器１２の
入力において増幅器１０の入力に与えられる信号は、こ
の第１の増幅器１２によって適切な信号レベルまで増幅
される。ここでは、典型的には、−１７ｄＢｍから−２
ｄＢｍに、である。第１の増幅器１２の出力での信号
は、カプラ１４を通過して、そこで信号は０．５ｄＢ減
衰され、可変減衰器１６の入力ポートに供給される。可
変減衰器１６の入力ポートに供給された信号は、その出
力において提供され、可変減衰器１６の制御ポートに与
えられる制御信号によって決定される分を減衰される。
ここでは、与えられる制御信号での信号の減衰は、典型
的には５ｄＢである。可変減衰器１６の出力における信
号は、第２の増幅器１８の入力に供給される。この第２
の増幅器１８によって信号はほぼ１５ｄＢ増幅器され、
この第２の増幅器１８の出力において提供される。この
ように記述される増幅器１０は、その入力に与えられる
信号に対して、おおよそ２２．５ｄＢのゲインを提供す
る。
入力において増幅器１０の入力に与えられる信号は、こ
の第１の増幅器１２によって適切な信号レベルまで増幅
される。ここでは、典型的には、−１７ｄＢｍから−２
ｄＢｍに、である。第１の増幅器１２の出力での信号
は、カプラ１４を通過して、そこで信号は０．５ｄＢ減
衰され、可変減衰器１６の入力ポートに供給される。可
変減衰器１６の入力ポートに供給された信号は、その出
力において提供され、可変減衰器１６の制御ポートに与
えられる制御信号によって決定される分を減衰される。
ここでは、与えられる制御信号での信号の減衰は、典型
的には５ｄＢである。可変減衰器１６の出力における信
号は、第２の増幅器１８の入力に供給される。この第２
の増幅器１８によって信号はほぼ１５ｄＢ増幅器され、
この第２の増幅器１８の出力において提供される。この
ように記述される増幅器１０は、その入力に与えられる
信号に対して、おおよそ２２．５ｄＢのゲインを提供す
る。
【００１４】可変減衰器１６のための制御信号は、ゲイ
ン制御ループ２８によって提供される。第１の増幅器１
２の出力における信号の一部分はカプラ１４によって結
合され、カプラ１４の第２の出力において提供される。
カプラ１４の第２の出力からは、信号がディテクタ２０
の入力に与えられる。ディテクタ２０は、ディテクタ２
０の入力に与えられる信号の大きさが変動しない場合に
は、その出力において一定の整流されたＤＣ電圧信号を
提供するように調整されており、また、入力信号の大き
さが変動する場合には、電圧が入力信号の信号レベルの
変化の大きさに比例する量だけ変化した、整流されたＤ
Ｃ電圧信号を提供するように調整されている。ディテク
タ２０の出力信号は、ローパスフィルタ２２を通過し、
そこで高い周波数の信号は拒絶される。ディテクタ２０
の出力信号は、差動増幅器２４に中間制御信号を提供す
る。
ン制御ループ２８によって提供される。第１の増幅器１
２の出力における信号の一部分はカプラ１４によって結
合され、カプラ１４の第２の出力において提供される。
カプラ１４の第２の出力からは、信号がディテクタ２０
の入力に与えられる。ディテクタ２０は、ディテクタ２
０の入力に与えられる信号の大きさが変動しない場合に
は、その出力において一定の整流されたＤＣ電圧信号を
提供するように調整されており、また、入力信号の大き
さが変動する場合には、電圧が入力信号の信号レベルの
変化の大きさに比例する量だけ変化した、整流されたＤ
Ｃ電圧信号を提供するように調整されている。ディテク
タ２０の出力信号は、ローパスフィルタ２２を通過し、
そこで高い周波数の信号は拒絶される。ディテクタ２０
の出力信号は、差動増幅器２４に中間制御信号を提供す
る。
【００１５】中間制御信号は、可変減衰器１６の入力に
おいてその大きさが変動しない場合には、予め定められ
た値の電圧を有することが理解されるべきである。可変
減衰器１６の入力における信号レベルの大きさが増加す
る場合には、中間制御信号の電圧の値はそれに比例して
増加し、可変減衰器１６の入力における信号レベルの大
きさが減少する場合には、中間制御信号の電圧の値は、
それに応じて減少する。したがって、中間制御信号の電
圧の値の変化は、可変減衰器１６の入力における信号レ
ベルの値の変化を表象している。
おいてその大きさが変動しない場合には、予め定められ
た値の電圧を有することが理解されるべきである。可変
減衰器１６の入力における信号レベルの大きさが増加す
る場合には、中間制御信号の電圧の値はそれに比例して
増加し、可変減衰器１６の入力における信号レベルの大
きさが減少する場合には、中間制御信号の電圧の値は、
それに応じて減少する。したがって、中間制御信号の電
圧の値の変化は、可変減衰器１６の入力における信号レ
ベルの値の変化を表象している。
【００１６】以上を基礎にすると、ディテクタ２０によ
って中間制御信号が提供され、基準信号が差動増幅器２
４の第２の入力に与えられた場合には、演算増幅器２４
の出力において提供される制御信号は、可変減衰器１６
が提供する減衰の量を順に変化させる中間制御信号の変
化に応じて変化する。増幅器１０の入力に与えられる入
力信号の信号レベルが増加する場合には、ゲイン制御ル
ープ２８は可変減衰器１６に制御信号を提供し、可変減
衰器１６は、より大きな減衰を提供することがこれで明
らかなはずである。逆に、増幅器１０の入力に与えられ
る入力信号の信号レベルが減少する場合には、ゲイン制
御ループ２８は可変減衰器１６に制御信号を提供し、可
変減衰器１６によって提供される減衰は、より小さなも
のになる。したがって、増幅器１０の出力において提供
される出力信号は、ほぼ一定の信号レベルを有する。
って中間制御信号が提供され、基準信号が差動増幅器２
４の第２の入力に与えられた場合には、演算増幅器２４
の出力において提供される制御信号は、可変減衰器１６
が提供する減衰の量を順に変化させる中間制御信号の変
化に応じて変化する。増幅器１０の入力に与えられる入
力信号の信号レベルが増加する場合には、ゲイン制御ル
ープ２８は可変減衰器１６に制御信号を提供し、可変減
衰器１６は、より大きな減衰を提供することがこれで明
らかなはずである。逆に、増幅器１０の入力に与えられ
る入力信号の信号レベルが減少する場合には、ゲイン制
御ループ２８は可変減衰器１６に制御信号を提供し、可
変減衰器１６によって提供される減衰は、より小さなも
のになる。したがって、増幅器１０の出力において提供
される出力信号は、ほぼ一定の信号レベルを有する。
【００１７】前述のように、差動増幅器２４の第２の入
力において、温度補償回路２６によって基準信号が提供
される。予め定められた値の周囲の温度で、この基準信
号は適切な電圧にセットされて、変動しない信号が可変
減衰器１６の入力に提供されて、中間制御信号との差異
が計測された場合に、差動増幅器２４の出力において適
切な制御信号が提供される。この制御信号は、可変減衰
器１６の制御ポートに与えられ、可変減衰器１６は予め
定められた量の減衰をする。仮に周囲の温度が変化した
場合には、基準信号の電圧レベルがそれに応じて変化
し、これは、制御信号と可変減衰器１６が提供する減衰
の量を変化させる。このような構成において、減衰の量
は、温度変動に起因する第１及び第２の増幅器１２、１
８の動作特性の変化による、第１及び第２の増幅器が提
供するゲインの対応する変化量と相関関係を有するよう
に適合させることができる。第１の増幅器１２と第２の
増幅器１８とによって提供されるゲインの変化に適合す
るように、可変減衰器１６によって、減衰の変化を相関
させることで、周囲の温度変化を経験した場合であって
も一定の出力信号レベルを提供するように、増幅器１０
が調整される。したがって、増幅器１０は出力信号を供
給し、その出力信号レベルの、周囲の温度変動または増
幅器１０への入力信号の信号レベルの変動に起因する変
動が最小化される。
力において、温度補償回路２６によって基準信号が提供
される。予め定められた値の周囲の温度で、この基準信
号は適切な電圧にセットされて、変動しない信号が可変
減衰器１６の入力に提供されて、中間制御信号との差異
が計測された場合に、差動増幅器２４の出力において適
切な制御信号が提供される。この制御信号は、可変減衰
器１６の制御ポートに与えられ、可変減衰器１６は予め
定められた量の減衰をする。仮に周囲の温度が変化した
場合には、基準信号の電圧レベルがそれに応じて変化
し、これは、制御信号と可変減衰器１６が提供する減衰
の量を変化させる。このような構成において、減衰の量
は、温度変動に起因する第１及び第２の増幅器１２、１
８の動作特性の変化による、第１及び第２の増幅器が提
供するゲインの対応する変化量と相関関係を有するよう
に適合させることができる。第１の増幅器１２と第２の
増幅器１８とによって提供されるゲインの変化に適合す
るように、可変減衰器１６によって、減衰の変化を相関
させることで、周囲の温度変化を経験した場合であって
も一定の出力信号レベルを提供するように、増幅器１０
が調整される。したがって、増幅器１０は出力信号を供
給し、その出力信号レベルの、周囲の温度変動または増
幅器１０への入力信号の信号レベルの変動に起因する変
動が最小化される。
【００１８】図２及び図３において、図１との関係で説
明された増幅器１０が、ハイブリッド回路として設置さ
れて図示されている。増幅器１０がハイブリッド回路と
して形成され、ストリップ導体を伴ったマイクロストリ
ップ回路が、８０から１２０ミクロンの金が表面に配置
された０．０１５インチの厚さのアルミナである基板
（番号なし）上に配置されていることが理解されるべき
である。金はアルミナに直接には接着しないため、典型
的には約２０Åの厚さのチタニウム・タングステンから
成る伝導性の層が、金の層とアルミナとの間に、金とア
ルミナとの接着を促進するために配置される。ストリッ
プ導体は、ここでは、従来のフォトエッチング手法を用
いて提供される。基板（番号なし）の反対側の表面上の
伝導性の層は、ハイブリッド回路の接地を提供する。Ｃ
１からＣ１９のコンデンサは平行板コンデンサである。
すなわち、間に絶縁体の入った２枚の四角い金のプレー
トである。このような配置で、底部のプレートは、マイ
クロストリップ回路にボンドされており、接続の一方を
完成させ、ボンドワイアは、上部のプレートに接続さ
れ、接続の他方を完成させる。図３においては、明確に
する目的で単一のボンドワイアだけしか図示されていな
いが、標準的なボンディング法に合致する適切な接続を
確実にするために、複数のボンドワイアが用いられる。
明された増幅器１０が、ハイブリッド回路として設置さ
れて図示されている。増幅器１０がハイブリッド回路と
して形成され、ストリップ導体を伴ったマイクロストリ
ップ回路が、８０から１２０ミクロンの金が表面に配置
された０．０１５インチの厚さのアルミナである基板
（番号なし）上に配置されていることが理解されるべき
である。金はアルミナに直接には接着しないため、典型
的には約２０Åの厚さのチタニウム・タングステンから
成る伝導性の層が、金の層とアルミナとの間に、金とア
ルミナとの接着を促進するために配置される。ストリッ
プ導体は、ここでは、従来のフォトエッチング手法を用
いて提供される。基板（番号なし）の反対側の表面上の
伝導性の層は、ハイブリッド回路の接地を提供する。Ｃ
１からＣ１９のコンデンサは平行板コンデンサである。
すなわち、間に絶縁体の入った２枚の四角い金のプレー
トである。このような配置で、底部のプレートは、マイ
クロストリップ回路にボンドされており、接続の一方を
完成させ、ボンドワイアは、上部のプレートに接続さ
れ、接続の他方を完成させる。図３においては、明確に
する目的で単一のボンドワイアだけしか図示されていな
いが、標準的なボンディング法に合致する適切な接続を
確実にするために、複数のボンドワイアが用いられる。
【００１９】増幅器１０は、ここでは、直流１５ボルト
の出力電圧を有する単一ソース電源から動作するように
調整されている。入力信号は、ここでは典型的に−１７
ｄＢｍであるが、第１の増幅器１２の出力に与えられ
る。第１の増幅器１２は、１５ｄＢのゲインを提供する
モノリシック・マイクロ波（ＭＭＩＣ）増幅器Ｑ１を用
いて実現されている。Ｑ１は、ここでは、米国テキサス
州ダラスのテキサス・インスツルメンツ社製造のＴＧＡ
８２２６である。増幅器Ｑ１は、１５ＶＤＣ電力線で運
ばれる直流１５Ｖで電力を供給され、１００ｐＦのコン
デンサＣ９及び１００ｐＦのコンデンサＣ１０とが、Ｒ
Ｆ減結合パスに接地を提供する。コンデンサＣ９及びＣ
１０は、その底部プレートが接地にボンドされ、ボンド
ワイアが用いられてコンデンサＣ９及びＣ１０の上部プ
レートを１５ＶＤＣ電力線に接続されるように、配置さ
れる。３９ｐＦのコンデンサＣ５が第１の増幅器１２の
入力においてＤＣ分離を提供し、３９ｐＦのコンデンサ
Ｃ６が第１の増幅器１２の出力においてＤＣ分離を提供
する。約−２ｄＢｍのレベルの信号を有する第１の増幅
器１２の出力が、カプラ１４を通って、可変減衰器１６
の入力に供給される。この信号は、カプラ１４によって
０．５ｄＢ未満減衰され、よって、可変減衰器１６の入
力においては、約−２．５ｄＢｍの信号レベルを有す
る。可変減衰器１６は、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）ＭＭ
ＩＣ減衰器Ｑ３を用いて実現されている。Ｑ３は、ここ
では、米国オレゴン州ビーバートンのトライキントセミ
コンダクタ社製造のＴｒｉｑｕｉｎｔ９１６１であり、
その制御ポートにおける適切な制御信号によって＋２５
°Ｃで５ｄＢの減衰を供給する。１００ｐＦのコンデン
サＣ１２は、また、減衰器Ｑ３に接続されており、接地
へのＲＦ減結合パスを供給する。
の出力電圧を有する単一ソース電源から動作するように
調整されている。入力信号は、ここでは典型的に−１７
ｄＢｍであるが、第１の増幅器１２の出力に与えられ
る。第１の増幅器１２は、１５ｄＢのゲインを提供する
モノリシック・マイクロ波（ＭＭＩＣ）増幅器Ｑ１を用
いて実現されている。Ｑ１は、ここでは、米国テキサス
州ダラスのテキサス・インスツルメンツ社製造のＴＧＡ
８２２６である。増幅器Ｑ１は、１５ＶＤＣ電力線で運
ばれる直流１５Ｖで電力を供給され、１００ｐＦのコン
デンサＣ９及び１００ｐＦのコンデンサＣ１０とが、Ｒ
Ｆ減結合パスに接地を提供する。コンデンサＣ９及びＣ
１０は、その底部プレートが接地にボンドされ、ボンド
ワイアが用いられてコンデンサＣ９及びＣ１０の上部プ
レートを１５ＶＤＣ電力線に接続されるように、配置さ
れる。３９ｐＦのコンデンサＣ５が第１の増幅器１２の
入力においてＤＣ分離を提供し、３９ｐＦのコンデンサ
Ｃ６が第１の増幅器１２の出力においてＤＣ分離を提供
する。約−２ｄＢｍのレベルの信号を有する第１の増幅
器１２の出力が、カプラ１４を通って、可変減衰器１６
の入力に供給される。この信号は、カプラ１４によって
０．５ｄＢ未満減衰され、よって、可変減衰器１６の入
力においては、約−２．５ｄＢｍの信号レベルを有す
る。可変減衰器１６は、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）ＭＭ
ＩＣ減衰器Ｑ３を用いて実現されている。Ｑ３は、ここ
では、米国オレゴン州ビーバートンのトライキントセミ
コンダクタ社製造のＴｒｉｑｕｉｎｔ９１６１であり、
その制御ポートにおける適切な制御信号によって＋２５
°Ｃで５ｄＢの減衰を供給する。１００ｐＦのコンデン
サＣ１２は、また、減衰器Ｑ３に接続されており、接地
へのＲＦ減結合パスを供給する。
【００２０】約−９．５ｄＢｍの信号レベルを有する減
衰器Ｑ３の出力によって供給される可変減衰器１６の出
力は、第２の増幅器１８の入力に与えられる。第２の増
幅器は、１５ｄＢのゲインを供給するＭＭＩＣ減衰器Ｑ
２によって実現され、Ｑ１と同様に、ここでは、ＴＧＡ
８２２６である。３９ｐＦのコンデンサＣ７が第２の増
幅器１８の入力においてＤＣ分離を提供し、３９ｐＦの
コンデンサＣ８が第２の増幅器１８の出力においてＤＣ
分離を提供する。ＭＭＩＣ増幅器Ｑ２は、１５ＶＤＣ電
力線によって電力を供給され、１００ｐＦのコンデンサ
Ｃ１５が接地へのＲＦ減結合パスを提供する。
衰器Ｑ３の出力によって供給される可変減衰器１６の出
力は、第２の増幅器１８の入力に与えられる。第２の増
幅器は、１５ｄＢのゲインを供給するＭＭＩＣ減衰器Ｑ
２によって実現され、Ｑ１と同様に、ここでは、ＴＧＡ
８２２６である。３９ｐＦのコンデンサＣ７が第２の増
幅器１８の入力においてＤＣ分離を提供し、３９ｐＦの
コンデンサＣ８が第２の増幅器１８の出力においてＤＣ
分離を提供する。ＭＭＩＣ増幅器Ｑ２は、１５ＶＤＣ電
力線によって電力を供給され、１００ｐＦのコンデンサ
Ｃ１５が接地へのＲＦ減結合パスを提供する。
【００２１】ゲイン制御ループ２８（図１）に信号を提
供するために、カプラ１４は、第１の増幅器１２と可変
減衰器１６との間に主線路を有し、結合線が、主線路上
を結合線へ伝搬する信号の１部分を結合するように配置
される。５０ｏｈｍの抵抗Ｒ１０が、結合線の端部に配
置され、結合線を終端させる。結合線の他方の端部は、
減衰器ＡＴ１に接続されて、信号は約３ｄＢ減衰され、
ディテクタ２０の入力に供給される。
供するために、カプラ１４は、第１の増幅器１２と可変
減衰器１６との間に主線路を有し、結合線が、主線路上
を結合線へ伝搬する信号の１部分を結合するように配置
される。５０ｏｈｍの抵抗Ｒ１０が、結合線の端部に配
置され、結合線を終端させる。結合線の他方の端部は、
減衰器ＡＴ１に接続されて、信号は約３ｄＢ減衰され、
ディテクタ２０の入力に供給される。
【００２２】ディテクタ２０は、ダイオードＣＲ１のア
ノードに図示のように接続された、１．２ＫΩにセット
された２．４ＫΩの可変抵抗Ｒ６と、９００Ωにセット
された２．４ＫΩの可変抵抗Ｒ８と、１８ＫΩの抵抗Ｒ
１１と、１８ＫΩの抵抗Ｒ１２とを含む電圧分割（分
圧）回路を含む。１００ｐＦのコンデンサＣ４がダイオ
ードＣＲ１と接地との間に接続されて、接地へのＲＦ減
結合パスを提供する。ディテクタ２０への入力信号は、
３９ｐＦのコンデンサＣ３を通り次に７．８ｎＨのイン
ダクタＬ３を通り、ダイオードＣＲ１のカソードに供給
される。更に、３０ｎＨのインダクタＬ２が、ダイオー
ドＣＲ１と接地にされている１０ＫΩの抵抗Ｒ９との間
に順に接続される。ダイオードＣＲ１のカソードからの
信号パスが、ディテクタ２０からの出力を提供する。可
変抵抗Ｒ８と可変抵抗Ｒ６は、ダイオードＣＲ１が、中
間制御信号を提供するような適切な動作をするようにバ
イアスされるように調整される。
ノードに図示のように接続された、１．２ＫΩにセット
された２．４ＫΩの可変抵抗Ｒ６と、９００Ωにセット
された２．４ＫΩの可変抵抗Ｒ８と、１８ＫΩの抵抗Ｒ
１１と、１８ＫΩの抵抗Ｒ１２とを含む電圧分割（分
圧）回路を含む。１００ｐＦのコンデンサＣ４がダイオ
ードＣＲ１と接地との間に接続されて、接地へのＲＦ減
結合パスを提供する。ディテクタ２０への入力信号は、
３９ｐＦのコンデンサＣ３を通り次に７．８ｎＨのイン
ダクタＬ３を通り、ダイオードＣＲ１のカソードに供給
される。更に、３０ｎＨのインダクタＬ２が、ダイオー
ドＣＲ１と接地にされている１０ＫΩの抵抗Ｒ９との間
に順に接続される。ダイオードＣＲ１のカソードからの
信号パスが、ディテクタ２０からの出力を提供する。可
変抵抗Ｒ８と可変抵抗Ｒ６は、ダイオードＣＲ１が、中
間制御信号を提供するような適切な動作をするようにバ
イアスされるように調整される。
【００２３】図示のように、ローパスフィルタ２２は
２．４ＫΩの抵抗Ｒ１を含み、Ｒ１は１１３ｎＨのイン
ダクタＬ１に順に接続され、Ｌ１は２．４ＫΩの抵抗Ｒ
２に接続されている。１８０ｐＦのコンデンサＣ１が、
抵抗Ｒ１とインダクタＬ１との間のジャンクションと接
地との間に接続されている。１８０ｐＦのコンデンサＣ
２が、インダクタＬ１と抵抗Ｒ２との間のジャンクショ
ンと接地との間に接続され、ローパスフィルタ２２を終
端させている。ローパスフィルタ２２の出力線は、抵抗
Ｒ２に第１の端部で接続されているのであるが、演算増
幅器２４の入力の１つに接続されている。抵抗Ｒ１及び
Ｒ２は、以下説明されるように、差動増幅器２４の演算
特性をも決定する。
２．４ＫΩの抵抗Ｒ１を含み、Ｒ１は１１３ｎＨのイン
ダクタＬ１に順に接続され、Ｌ１は２．４ＫΩの抵抗Ｒ
２に接続されている。１８０ｐＦのコンデンサＣ１が、
抵抗Ｒ１とインダクタＬ１との間のジャンクションと接
地との間に接続されている。１８０ｐＦのコンデンサＣ
２が、インダクタＬ１と抵抗Ｒ２との間のジャンクショ
ンと接地との間に接続され、ローパスフィルタ２２を終
端させている。ローパスフィルタ２２の出力線は、抵抗
Ｒ２に第１の端部で接続されているのであるが、演算増
幅器２４の入力の１つに接続されている。抵抗Ｒ１及び
Ｒ２は、以下説明されるように、差動増幅器２４の演算
特性をも決定する。
【００２４】差動増幅器２４は、２２０ＫΩの抵抗Ｒ５
を伴った演算増幅器Ｑ４を用いて構成され、Ｒ５は、Ｑ
４の出力とＱ４の第１の入力との間に接続されており、
この第１の入力は、また、ローパスフィルタ２２の出力
に接続されている。演算増幅器Ｑ４は、ここでは、米国
アリゾナ州フィーニックスのモトローラ・セミコンダク
タ・プロダクツ・ディビジョン製造のＬＭ１５８であ
る。演算増幅器Ｑ４は、更に、接地され、また、適切に
１５ＶＤＣ電力線に接続されている。演算増幅器Ｑ４の
第２の入力は、温度補償回路２６から供給される。抵抗
Ｒ５、Ｒ１及びＲ２は、演算増幅器２４のゲイン・フィ
ギャ（指数）を決定する。ＶＤをディテクタ２０の出力
における電圧とし、ＶＲを演算増幅器Ｑ４の第２の入力
における電圧とし、ＶＣを演算増幅器Ｑ４の出力におけ
る電圧とすると、これらの電圧の間の関係は、次の式で
記述される。
を伴った演算増幅器Ｑ４を用いて構成され、Ｒ５は、Ｑ
４の出力とＱ４の第１の入力との間に接続されており、
この第１の入力は、また、ローパスフィルタ２２の出力
に接続されている。演算増幅器Ｑ４は、ここでは、米国
アリゾナ州フィーニックスのモトローラ・セミコンダク
タ・プロダクツ・ディビジョン製造のＬＭ１５８であ
る。演算増幅器Ｑ４は、更に、接地され、また、適切に
１５ＶＤＣ電力線に接続されている。演算増幅器Ｑ４の
第２の入力は、温度補償回路２６から供給される。抵抗
Ｒ５、Ｒ１及びＲ２は、演算増幅器２４のゲイン・フィ
ギャ（指数）を決定する。ＶＤをディテクタ２０の出力
における電圧とし、ＶＲを演算増幅器Ｑ４の第２の入力
における電圧とし、ＶＣを演算増幅器Ｑ４の出力におけ
る電圧とすると、これらの電圧の間の関係は、次の式で
記述される。
【００２５】
【数１】 ＶＣ＝ＶＲ（Ｇ＋１）−ＶＤＧ ただし、 Ｇ＝Ｒ５／（Ｒ１＋Ｒ２） ここでは、２２
０ＫΩ／４．８ＫΩ 温度補償回路２６は、温度変換器（トランスデューサ）
Ｑ５を含む。ここではＱ５は、米国マサチューセッツ州
ノーウッドのアナログ・ディバイシーズ社のＡＤ５９０
であり、第１の端子と第２の端子とを有している。温度
変換器Ｑ５の第１の端子は１５ＶＤＣ電力線に接続され
ており、第２の端子は演算増幅器Ｑ４の第２の入力に接
続されている。１００ｐＦのコンデンサＣ１６、１００
ｐＦのコンデンサＣ１７、１００ｐＦのコンデンサＣ１
８、１００ｐＦのコンデンサＣ１９が、ＶＤＣ電力線と
接地との間に接続されて、接地へのＲＦ減結合パスを提
供する。
０ＫΩ／４．８ＫΩ 温度補償回路２６は、温度変換器（トランスデューサ）
Ｑ５を含む。ここではＱ５は、米国マサチューセッツ州
ノーウッドのアナログ・ディバイシーズ社のＡＤ５９０
であり、第１の端子と第２の端子とを有している。温度
変換器Ｑ５の第１の端子は１５ＶＤＣ電力線に接続され
ており、第２の端子は演算増幅器Ｑ４の第２の入力に接
続されている。１００ｐＦのコンデンサＣ１６、１００
ｐＦのコンデンサＣ１７、１００ｐＦのコンデンサＣ１
８、１００ｐＦのコンデンサＣ１９が、ＶＤＣ電力線と
接地との間に接続されて、接地へのＲＦ減結合パスを提
供する。
【００２６】電圧分割回路は、１６ＫΩの抵抗Ｒ７と２
００Ωの抵抗Ｒ３とを含み、典型的に９０Ωにセットさ
れている２４０Ωの可変抵抗Ｒ４が、図示のように、１
５ＶＤＣ電力線と接地との間に順に接続されている。抵
抗Ｒ７は、また、温度変換器Ｑ５と並列に配置されてお
り、温度変換器Ｑ５の周囲の温度が知られている場合に
は、可変抵抗Ｒ４を調整することによって、適切な基準
電圧が演算増幅器Ｑ４の第２の入力に供給される。
００Ωの抵抗Ｒ３とを含み、典型的に９０Ωにセットさ
れている２４０Ωの可変抵抗Ｒ４が、図示のように、１
５ＶＤＣ電力線と接地との間に順に接続されている。抵
抗Ｒ７は、また、温度変換器Ｑ５と並列に配置されてお
り、温度変換器Ｑ５の周囲の温度が知られている場合に
は、可変抵抗Ｒ４を調整することによって、適切な基準
電圧が演算増幅器Ｑ４の第２の入力に供給される。
【００２７】差動増幅器２４は、制御電圧出力ＶＣを提
供し、ＶＣは、ＲＦ信号入力と温度補償回路２６によっ
て提供される基準電圧に依存する。ディテクタ２０は、
ＲＦ入力電力で決定される整流されたＤＣ電圧ＶＤを提
供する。演算増幅器Ｑ４は、その２つの入力信号を同一
の電圧レベルＶＲに保つように働き、ＶＲは、抵抗Ｒ
７、Ｒ３及び温度変換器Ｑ５を含む抵抗ネットワークで
決まる。電圧ＶＲが変化する場合には、出力電圧ＶＣが
それに応じて変化する。整流されたＤＣ電圧ＶＤが変化
する場合には、抵抗Ｒ５、Ｒ１及びＲ２を通過する電流
がそれに応じて演算増幅器Ｑ４によって変化する。Ｑ４
は、電圧ＶＣを適切に変化させる。ローパスフィルタ２
２は、ディテクタ２０からのＲＦエネルギをフィルタし
て、演算増幅器Ｑ４の出力における発振を防止する。
供し、ＶＣは、ＲＦ信号入力と温度補償回路２６によっ
て提供される基準電圧に依存する。ディテクタ２０は、
ＲＦ入力電力で決定される整流されたＤＣ電圧ＶＤを提
供する。演算増幅器Ｑ４は、その２つの入力信号を同一
の電圧レベルＶＲに保つように働き、ＶＲは、抵抗Ｒ
７、Ｒ３及び温度変換器Ｑ５を含む抵抗ネットワークで
決まる。電圧ＶＲが変化する場合には、出力電圧ＶＣが
それに応じて変化する。整流されたＤＣ電圧ＶＤが変化
する場合には、抵抗Ｒ５、Ｒ１及びＲ２を通過する電流
がそれに応じて演算増幅器Ｑ４によって変化する。Ｑ４
は、電圧ＶＣを適切に変化させる。ローパスフィルタ２
２は、ディテクタ２０からのＲＦエネルギをフィルタし
て、演算増幅器Ｑ４の出力における発振を防止する。
【００２８】差動増幅器２４の出力は、ＧａＡｓＭＭＩ
Ｃ減衰器Ｑ３の制御ポートに供給される。１００ｐＦの
コンデンサＣ１３及び１００ｐＦのコンデンサＣ１４
は、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３と接地との間に接続さ
れ、すべての漂遊ＲＦ信号をフィルタで除く、接地への
ＲＦ減結合パスを提供する。
Ｃ減衰器Ｑ３の制御ポートに供給される。１００ｐＦの
コンデンサＣ１３及び１００ｐＦのコンデンサＣ１４
は、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３と接地との間に接続さ
れ、すべての漂遊ＲＦ信号をフィルタで除く、接地への
ＲＦ減結合パスを提供する。
【００２９】このような配置によって、ＭＭＩＣ増幅器
Ｑ１及びＭＭＩＣ増幅器Ｑ２は、ＭＭＩＣ増幅器Ｑ１及
びＱ２の動作への最小の影響を有する入力信号の信号レ
ベルの変動の影響で飽和しないで、動作の線形領域にお
いて機能することができる。したがって、入力の信号レ
ベルが増加すると、カプラ１４によってディテクタ２０
に結合された信号のレベルが増加し、それによりディテ
クタ２０によって提供される信号レベルが増加する。デ
ィテクタ２０によって提供される信号レベルの増加に伴
い、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３の制御ポートに供給さ
れる出力信号によって、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３は
その提供する減衰の量を増加させ、それにより、ＭＭＩ
Ｃ増幅器Ｑ２に供給される信号の信号レベルを減少させ
る。ＭＭＩＣ増幅器への入力信号の信号レベルが減少す
ることにより、増幅器１０の出力信号の信号レベルは、
ほぼ一定である。
Ｑ１及びＭＭＩＣ増幅器Ｑ２は、ＭＭＩＣ増幅器Ｑ１及
びＱ２の動作への最小の影響を有する入力信号の信号レ
ベルの変動の影響で飽和しないで、動作の線形領域にお
いて機能することができる。したがって、入力の信号レ
ベルが増加すると、カプラ１４によってディテクタ２０
に結合された信号のレベルが増加し、それによりディテ
クタ２０によって提供される信号レベルが増加する。デ
ィテクタ２０によって提供される信号レベルの増加に伴
い、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３の制御ポートに供給さ
れる出力信号によって、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３は
その提供する減衰の量を増加させ、それにより、ＭＭＩ
Ｃ増幅器Ｑ２に供給される信号の信号レベルを減少させ
る。ＭＭＩＣ増幅器への入力信号の信号レベルが減少す
ることにより、増幅器１０の出力信号の信号レベルは、
ほぼ一定である。
【００３０】周囲の温度が変化する場合には、温度変換
器Ｑ５は、演算増幅器Ｑ４の第２の入力に供給される信
号の基準電圧を変化させる。基準電圧の変化に伴い、Ｇ
ａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３の制御ポートに供給される信
号によって、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３による減衰
は、周囲の温度変化に起因する演算特性の変化によるＭ
ＭＩＣ増幅器Ｑ１及びＱ２が提供するゲインの変化に対
応して、変化する。このような配置によって、増幅器１
０の出力信号の信号レベルに対する周囲の温度変化の効
果は、減少する。
器Ｑ５は、演算増幅器Ｑ４の第２の入力に供給される信
号の基準電圧を変化させる。基準電圧の変化に伴い、Ｇ
ａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３の制御ポートに供給される信
号によって、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｑ３による減衰
は、周囲の温度変化に起因する演算特性の変化によるＭ
ＭＩＣ増幅器Ｑ１及びＱ２が提供するゲインの変化に対
応して、変化する。このような配置によって、増幅器１
０の出力信号の信号レベルに対する周囲の温度変化の効
果は、減少する。
【００３１】図４において、周波数逓倍器１００（ここ
では周波数３倍器）が、入力と出力とを有する入力増幅
器１３２を含んで図示されており、該入力は周波数逓倍
器１００の入力にもなっている。入力増幅器１３２は、
ここでは、部品番号ＨＰＭＡ−０３００でカリフォルニ
ア州パロアルトのヒューレットパッカード社製造のシリ
コンＭＭＩＣ増幅器を使用する。入力増幅器１３２の出
力は、整合ネットワーク（回路網）１３４の入力に接続
されている。整合ネットワーク１３４は、その入力に供
給される信号を条件付け、整合ネットワーク１３４の出
力において、適切なレベルの信号を提供する。整合ネッ
トワークの出力は、ダイオード対１３６の入力に接続さ
れている。ダイオード対１３６は、出力も有しており、
以下で詳細に説明される。出力と入力とを有し該入力が
ダイオード対１３６の出力に接続されているハイパスフ
ィルタ１３８は、その入力に供給されるハイパスフィル
タ１３８の周波数帯内の周波数を有する信号を通過させ
て出力し、該周波数帯に至らない信号は通過させない。
ハイパスフィルタ１３８の出力は、増幅器１１０の入力
に接続されている。増幅器１１０は、図１、図２及び図
３に関連して前述した態様で動作する。増幅器１１０の
出力は、周波数逓倍器１００の出力でもある出力を提供
する。
では周波数３倍器）が、入力と出力とを有する入力増幅
器１３２を含んで図示されており、該入力は周波数逓倍
器１００の入力にもなっている。入力増幅器１３２は、
ここでは、部品番号ＨＰＭＡ−０３００でカリフォルニ
ア州パロアルトのヒューレットパッカード社製造のシリ
コンＭＭＩＣ増幅器を使用する。入力増幅器１３２の出
力は、整合ネットワーク（回路網）１３４の入力に接続
されている。整合ネットワーク１３４は、その入力に供
給される信号を条件付け、整合ネットワーク１３４の出
力において、適切なレベルの信号を提供する。整合ネッ
トワークの出力は、ダイオード対１３６の入力に接続さ
れている。ダイオード対１３６は、出力も有しており、
以下で詳細に説明される。出力と入力とを有し該入力が
ダイオード対１３６の出力に接続されているハイパスフ
ィルタ１３８は、その入力に供給されるハイパスフィル
タ１３８の周波数帯内の周波数を有する信号を通過させ
て出力し、該周波数帯に至らない信号は通過させない。
ハイパスフィルタ１３８の出力は、増幅器１１０の入力
に接続されている。増幅器１１０は、図１、図２及び図
３に関連して前述した態様で動作する。増幅器１１０の
出力は、周波数逓倍器１００の出力でもある出力を提供
する。
【００３２】基準発振器（図示されていない）からの８
００ＭＨｚから１０００ＭＨｚの領域にある周波数を有
する信号は、入力増幅器１３２の入力に供給され、そこ
で、前記信号は約９．３ｄＢの適切なレベルに増幅さ
れ、入力増幅器１３２の出力に提供される。入力増幅器
１３２の出力における信号は、整合ネットワークの入力
に供給され、そこで、信号は必要な条件付けがなされ、
ダイオード対１３６の入力に供給される。
００ＭＨｚから１０００ＭＨｚの領域にある周波数を有
する信号は、入力増幅器１３２の入力に供給され、そこ
で、前記信号は約９．３ｄＢの適切なレベルに増幅さ
れ、入力増幅器１３２の出力に提供される。入力増幅器
１３２の出力における信号は、整合ネットワークの入力
に供給され、そこで、信号は必要な条件付けがなされ、
ダイオード対１３６の入力に供給される。
【００３３】ダイオード対１３６は、逆並列ダイオード
と呼ばれ、これは、２つのダイオード１３６ａと１３６
ｂとが、一方のアノードが他方のカソードに並列に接続
されることを意味する。１３６ａ及び１３６ｂの個々の
ダイオードが、整合されておりほぼ同一である場合に
は、入力信号が偶数調波の周波数を有する発生した信号
の相対位相と振幅は、該信号がダイオード対１３６を出
ようとする際に偶数調波の周波数を有する信号は相殺さ
れることになる。偶数調波の周波数を有する信号はダイ
オード対の内部だけで存在する。入力信号が奇数調波の
周波数を有する信号もまた存在して、ダイオード対１３
６の出力において提供される。したがって、入力信号が
周波数ｆ０を有する場合には、周波数が、ｆ０、３
ｆ０、５ｆ０等である信号がダイオード対１３６の出力
において提供される。ダイオード対１３６の出力におい
て提供される出力信号をハイパスフィルタ１３８を通し
て供給することにより、周波数３ｆ０の信号を提供する
ことが望まれるので、入力信号の周波数を有する信号は
フィルタされて除かれ、第３の調波３ｆ０の周波数を有
する信号を通過させる。したがって、ハイパスフィルタ
１３８の出力において、入力信号の周波数の３倍の周波
数を有する信号が、ハイパスフィルタ１３８の出力にお
いて提供される。
と呼ばれ、これは、２つのダイオード１３６ａと１３６
ｂとが、一方のアノードが他方のカソードに並列に接続
されることを意味する。１３６ａ及び１３６ｂの個々の
ダイオードが、整合されておりほぼ同一である場合に
は、入力信号が偶数調波の周波数を有する発生した信号
の相対位相と振幅は、該信号がダイオード対１３６を出
ようとする際に偶数調波の周波数を有する信号は相殺さ
れることになる。偶数調波の周波数を有する信号はダイ
オード対の内部だけで存在する。入力信号が奇数調波の
周波数を有する信号もまた存在して、ダイオード対１３
６の出力において提供される。したがって、入力信号が
周波数ｆ０を有する場合には、周波数が、ｆ０、３
ｆ０、５ｆ０等である信号がダイオード対１３６の出力
において提供される。ダイオード対１３６の出力におい
て提供される出力信号をハイパスフィルタ１３８を通し
て供給することにより、周波数３ｆ０の信号を提供する
ことが望まれるので、入力信号の周波数を有する信号は
フィルタされて除かれ、第３の調波３ｆ０の周波数を有
する信号を通過させる。したがって、ハイパスフィルタ
１３８の出力において、入力信号の周波数の３倍の周波
数を有する信号が、ハイパスフィルタ１３８の出力にお
いて提供される。
【００３４】ハイパスフィルタ１３８の出力における信
号は、増幅器１１０の入力に供給される。増幅器１１０
は、図１、図２及び図３の増幅器１０に関連して前述し
た態様で動作する。増幅器１１０の入力に供給された信
号は、第１の増幅器１１２で増幅され、カプラ１１４を
通過した後で、可変減衰器１１６の入力に供給される。
可変減衰器１１６の入力における信号は、可変減衰器１
１６の制御ポートにおける信号によって制御されるのに
応じて減衰され、可変減衰器１１６の出力から、第２の
増幅器１１８の入力に供給される。第２の増幅器１１８
の入力における信号は、増幅されて、周波数逓倍器１１
０の出力でもある第２の増幅器１１８の出力において提
供される。可変減衰器１６の入力に供給される信号の一
部分は、カプラ１１４によってディテクタ１２０に結合
され、ＤＣ整流電圧信号は、デベロップされて中間制御
信号として差動増幅器１２４に提供される。温度補償回
路１２６からの基準信号は、差動増幅器１２４の第２の
入力に提供され、そこで該基準信号は、中間制御信号と
の差をとって、差動増幅器１２４の出力において制御信
号を提供する。該制御信号は、可変減衰器１１６の制御
ポートに供給され、可変減衰器１１６は予め定められた
量の減衰を提供する。前述のように、周囲の温度が変化
する場合には、基準信号の電圧レベルがそれに応じて変
化し、それによって制御信号及び可変減衰器１１６によ
って提供される減衰の量が変化する。可変減衰器１１６
による減衰の変化を相関させて、周囲の温度変動に起因
する動作特性の変化による、第１の増幅器１１２及び第
２の増幅器１１８が提供するゲインの変化に整合させる
ことによって、増幅器１１０は、一定の出力信号レベル
を提供するように調整される。
号は、増幅器１１０の入力に供給される。増幅器１１０
は、図１、図２及び図３の増幅器１０に関連して前述し
た態様で動作する。増幅器１１０の入力に供給された信
号は、第１の増幅器１１２で増幅され、カプラ１１４を
通過した後で、可変減衰器１１６の入力に供給される。
可変減衰器１１６の入力における信号は、可変減衰器１
１６の制御ポートにおける信号によって制御されるのに
応じて減衰され、可変減衰器１１６の出力から、第２の
増幅器１１８の入力に供給される。第２の増幅器１１８
の入力における信号は、増幅されて、周波数逓倍器１１
０の出力でもある第２の増幅器１１８の出力において提
供される。可変減衰器１６の入力に供給される信号の一
部分は、カプラ１１４によってディテクタ１２０に結合
され、ＤＣ整流電圧信号は、デベロップされて中間制御
信号として差動増幅器１２４に提供される。温度補償回
路１２６からの基準信号は、差動増幅器１２４の第２の
入力に提供され、そこで該基準信号は、中間制御信号と
の差をとって、差動増幅器１２４の出力において制御信
号を提供する。該制御信号は、可変減衰器１１６の制御
ポートに供給され、可変減衰器１１６は予め定められた
量の減衰を提供する。前述のように、周囲の温度が変化
する場合には、基準信号の電圧レベルがそれに応じて変
化し、それによって制御信号及び可変減衰器１１６によ
って提供される減衰の量が変化する。可変減衰器１１６
による減衰の変化を相関させて、周囲の温度変動に起因
する動作特性の変化による、第１の増幅器１１２及び第
２の増幅器１１８が提供するゲインの変化に整合させる
ことによって、増幅器１１０は、一定の出力信号レベル
を提供するように調整される。
【００３５】次に、図５及び図６において、図４に関連
して説明された周波数逓倍器１００の更に詳細な説明
が、ハイブリッド回路として実行されたものとして図示
されている。周波数逓倍器１００は、直流１５Ｖの出力
電圧を有する単一ソースの電源で動作するように調整さ
れている。１００ｐＦのコンデンサＩＣ２５、１００ｐ
ＦのコンデンサＩＣ２６及び１００ｐＦのコンデンサＩ
Ｃ２７が、単一ソースの電源から提供される１５ＶＤＣ
電力線と接地との間に接続されて、ＲＦ減結合パスを提
供する。周波数が８００ＭＨｚから１０００ＭＨｚの領
域にあり、電力レベルが−５ｄＢｍから−１ｄＢｍで通
常−３ｄＢｍである、基準発信器からの入力信号が入力
増幅器１３２に供給される。入力線に配置された３９０
ｐＦのコンデンサＩＣ６は、入力信号に対してシリコン
ＭＭＩＣバイポーラ増幅器ＩＱ１の入力への接続性をあ
たえるが、１５ＶＤＣ電力線からの分離を提供する。２
８６Ωの抵抗ＩＲ１０、１４７ｎＨのインダクタＩＬ４
及び０．０１ｕＦのコンデンサＩＣ７は、シリコンＭＭ
ＩＣ増幅器ＩＱ１に図示のように接続されており、入力
増幅器１３２のゲイン特性を提供する。シリコンＭＭＩ
Ｃ増幅器ＩＱ１の出力は、３９０ｐＦのコンデンサＩＣ
３が間に配置された整合ネットワーク１３４に接続され
ており、入力増幅器１３２と整合ネットワーク１３４と
の間の１５ＶＤＣ電力線から更に分離を提供する。
して説明された周波数逓倍器１００の更に詳細な説明
が、ハイブリッド回路として実行されたものとして図示
されている。周波数逓倍器１００は、直流１５Ｖの出力
電圧を有する単一ソースの電源で動作するように調整さ
れている。１００ｐＦのコンデンサＩＣ２５、１００ｐ
ＦのコンデンサＩＣ２６及び１００ｐＦのコンデンサＩ
Ｃ２７が、単一ソースの電源から提供される１５ＶＤＣ
電力線と接地との間に接続されて、ＲＦ減結合パスを提
供する。周波数が８００ＭＨｚから１０００ＭＨｚの領
域にあり、電力レベルが−５ｄＢｍから−１ｄＢｍで通
常−３ｄＢｍである、基準発信器からの入力信号が入力
増幅器１３２に供給される。入力線に配置された３９０
ｐＦのコンデンサＩＣ６は、入力信号に対してシリコン
ＭＭＩＣバイポーラ増幅器ＩＱ１の入力への接続性をあ
たえるが、１５ＶＤＣ電力線からの分離を提供する。２
８６Ωの抵抗ＩＲ１０、１４７ｎＨのインダクタＩＬ４
及び０．０１ｕＦのコンデンサＩＣ７は、シリコンＭＭ
ＩＣ増幅器ＩＱ１に図示のように接続されており、入力
増幅器１３２のゲイン特性を提供する。シリコンＭＭＩ
Ｃ増幅器ＩＱ１の出力は、３９０ｐＦのコンデンサＩＣ
３が間に配置された整合ネットワーク１３４に接続され
ており、入力増幅器１３２と整合ネットワーク１３４と
の間の１５ＶＤＣ電力線から更に分離を提供する。
【００３６】整合ネットワーク１３４は、その入力にお
いて減衰器ＩＡＴ１を含むことができ、該入力に供給さ
れる信号は必要な場合には減衰されることができ、また
は、減衰器が用いられない場合には、ジャンパを用いて
信号パスを接続することも可能である。１６ｎＨのイン
ダクタＩＬ５及び１．６ｐＦのコンデンサＩＣ９は、図
示のように接続されて、ダイオード対１３６に信号が供
給される際に、該信号を条件付ける。
いて減衰器ＩＡＴ１を含むことができ、該入力に供給さ
れる信号は必要な場合には減衰されることができ、また
は、減衰器が用いられない場合には、ジャンパを用いて
信号パスを接続することも可能である。１６ｎＨのイン
ダクタＩＬ５及び１．６ｐＦのコンデンサＩＣ９は、図
示のように接続されて、ダイオード対１３６に信号が供
給される際に、該信号を条件付ける。
【００３７】ダイオード対１３６への入力信号は、ダイ
オード対１３６によって前述のように３倍にされ、その
出力においてハイパスフィルタ１３８の入力に提供され
る。ハイパスフィルタ１３８は、その入力と出力との間
に、１．０ｐＦのコンデンサＩＣ１１に直列に接続され
た１．２ｐＦのコンデンサＩＣ１０を含む。２．５ｎＨ
のインダクタＩＬ６が、コンデンサＩＣ１０とコンデン
サＩＣ１１との間のジャンクションと接地との間に接続
されている。４．３ｎＨのインダクタＩＬ７が、接地と
ハイパスフィルタ１３８の出力との間に接続されてハイ
パスフィルタを終端させている。前述のように、ハイパ
スフィルタ１３８は、入力信号の周波数の３倍の周波数
を有する信号に信号パスを提供し、周波数帯未満の信号
は通過を許さない。ハイパスフィルタ１３８の出力にお
ける信号は、増幅器１１０の入力に供給される。
オード対１３６によって前述のように３倍にされ、その
出力においてハイパスフィルタ１３８の入力に提供され
る。ハイパスフィルタ１３８は、その入力と出力との間
に、１．０ｐＦのコンデンサＩＣ１１に直列に接続され
た１．２ｐＦのコンデンサＩＣ１０を含む。２．５ｎＨ
のインダクタＩＬ６が、コンデンサＩＣ１０とコンデン
サＩＣ１１との間のジャンクションと接地との間に接続
されている。４．３ｎＨのインダクタＩＬ７が、接地と
ハイパスフィルタ１３８の出力との間に接続されてハイ
パスフィルタを終端させている。前述のように、ハイパ
スフィルタ１３８は、入力信号の周波数の３倍の周波数
を有する信号に信号パスを提供し、周波数帯未満の信号
は通過を許さない。ハイパスフィルタ１３８の出力にお
ける信号は、増幅器１１０の入力に供給される。
【００３８】図２及び図３の増幅器１０に関連して説明
されたのと類似の態様で動作する増幅器１１０は、１５
ｄＢのゲインを提供するＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２を含む。
ここでは、テキサス州ダラスのテキサスインスツルメン
ツ社製造の、以下で説明するＴＧＡ８２２６に加えて、
ＴＧＡ８１６１でもよい。増幅器ＩＱ２には、３７Ωの
抵抗ＩＲ１１、１００ｐＦのコンデンサＩＣ１６、１０
０ｐＦのコンデンサＩＣ１５及び１００ｐＦのコンデン
サＩＣ１３を通過する１５ＶＤＣ電力線上に提供される
直流１５Ｖによって電力が供給される。１００ｐＦのコ
ンデンサＩＣ１２もまた、接地とＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２
とのあいだに接続されている。１００ｐＦのコンデンサ
ＩＣ１４もまた同様である。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２の出
力は、１００ｐＦのコンデンサＩＣ１７とカプラ１４と
を通ってＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３に供給される。
ここでＩＱ３は、米国オレゴン州ビーバートンのＴｒｉ
ｑｕｉｎｔ社製造のＴｒｉｑｕｉｎｔ９１６１である。
ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３は、１００Ωの抵抗ＩＲ
１５を通過する１５ＶＤＣ電力線によって電力を供給さ
れ、約１２ＶＤＣを減衰器ＩＱ３に提供する。１００ｐ
ＦのコンデンサＩＣ３０は、減衰器ＩＣ３への１２ＶＤ
Ｃの電力入力線と接地との間に接続されており、接地へ
のＲＦ減結合パスを提供する。１００ｐＦのコンデンサ
ＩＣ１８は、図示のように、接地とＧａＡｓＭＭＩＣ減
衰器ＩＱ３との間にも接続されている。
されたのと類似の態様で動作する増幅器１１０は、１５
ｄＢのゲインを提供するＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２を含む。
ここでは、テキサス州ダラスのテキサスインスツルメン
ツ社製造の、以下で説明するＴＧＡ８２２６に加えて、
ＴＧＡ８１６１でもよい。増幅器ＩＱ２には、３７Ωの
抵抗ＩＲ１１、１００ｐＦのコンデンサＩＣ１６、１０
０ｐＦのコンデンサＩＣ１５及び１００ｐＦのコンデン
サＩＣ１３を通過する１５ＶＤＣ電力線上に提供される
直流１５Ｖによって電力が供給される。１００ｐＦのコ
ンデンサＩＣ１２もまた、接地とＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２
とのあいだに接続されている。１００ｐＦのコンデンサ
ＩＣ１４もまた同様である。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２の出
力は、１００ｐＦのコンデンサＩＣ１７とカプラ１４と
を通ってＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３に供給される。
ここでＩＱ３は、米国オレゴン州ビーバートンのＴｒｉ
ｑｕｉｎｔ社製造のＴｒｉｑｕｉｎｔ９１６１である。
ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３は、１００Ωの抵抗ＩＲ
１５を通過する１５ＶＤＣ電力線によって電力を供給さ
れ、約１２ＶＤＣを減衰器ＩＱ３に提供する。１００ｐ
ＦのコンデンサＩＣ３０は、減衰器ＩＣ３への１２ＶＤ
Ｃの電力入力線と接地との間に接続されており、接地へ
のＲＦ減結合パスを提供する。１００ｐＦのコンデンサ
ＩＣ１８は、図示のように、接地とＧａＡｓＭＭＩＣ減
衰器ＩＱ３との間にも接続されている。
【００３９】ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３の出力は、
１００ｐＦのコンデンサＩＣ２０を通ってＭＭＩＣ増幅
器ＩＱ６の入力に供給される。ＩＱ６は、ここではＴＧ
Ａ８２２６である。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６は、１５ＶＤ
Ｃの電力線によって電力を供給されており、１００ｐＦ
のコンデンサＩＣ２８が接地へのＲＦ減結合パスを提供
する。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６の出力は、周波数逓倍器１
００の出力を提供する。
１００ｐＦのコンデンサＩＣ２０を通ってＭＭＩＣ増幅
器ＩＱ６の入力に供給される。ＩＱ６は、ここではＴＧ
Ａ８２２６である。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６は、１５ＶＤ
Ｃの電力線によって電力を供給されており、１００ｐＦ
のコンデンサＩＣ２８が接地へのＲＦ減結合パスを提供
する。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６の出力は、周波数逓倍器１
００の出力を提供する。
【００４０】ゲイン制御ループ（番号なし）に信号を提
供するために、カプラ１１４は、コンデンサＩＣ１７と
ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３との間の主線と、主線上
を結合線へ伝播する信号の部分を結合するように配置さ
れている結合線とを有している。５０Ωの抵抗ＩＲ１２
が、結合線の端部に配置され、結合線を終端させる。結
合線の他方の端部は３ｄＢの減衰器ＩＡＴ２に結合さ
れ、信号は、約３ｄＢ減衰されて、ディテクタ１２０の
入力に供給される。
供するために、カプラ１１４は、コンデンサＩＣ１７と
ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３との間の主線と、主線上
を結合線へ伝播する信号の部分を結合するように配置さ
れている結合線とを有している。５０Ωの抵抗ＩＲ１２
が、結合線の端部に配置され、結合線を終端させる。結
合線の他方の端部は３ｄＢの減衰器ＩＡＴ２に結合さ
れ、信号は、約３ｄＢ減衰されて、ディテクタ１２０の
入力に供給される。
【００４１】ディテクタ１２０は、１．２ｋΩにセット
された２．４ｋΩの可変抵抗ＩＲ８、９００Ωにセット
された２．４ｋΩに可変抵抗ＩＲ６、１８ｋΩの抵抗Ｉ
Ｒ１３及びダイオードＩＣＲ１のアノードに図示のよう
に接続された１８ｋΩの抵抗ＩＲ１４を含む電圧分割ネ
ットワークを含んでいる。１００ｐＦのコンデンサＩＣ
４が、ダイオードＩＣＲ１と接地との間に接続され、接
地へのＲＦ減結合パスを提供する。ディテクタ１２０へ
の入力信号は、３．６ｎＨのインダクタＩＬ３と３９０
ｐＦのコンデンサＩＣ３を通って供給されてダイオード
ＩＣＲ１のカソードに与えられる。１．２ｐＦのコンデ
ンサＩＣ５は、インダクタＩＬ３と減衰器ＩＡＴ２との
間のジャンクションと接地との間に接続される。更に、
３０ｎＨインダクタＩＬ２が、接地とダイオードＩＣＲ
１のカソードとの間の１０ｋΩの抵抗ＩＲ９に図示のよ
うに直列に接続されている。ダイオードＩＣＲ１のカソ
ードからの信号パスが、ディテクタ１２０からの出力を
提供する。ダイオードＩＣＲ１が適切な動作のためにバ
イアスされていてローパスフィルタ１２２に中間制御信
号を提供するように、可変抵抗ＩＲ８と可変抵抗ＩＲ６
が調整されていることが望まれる。
された２．４ｋΩの可変抵抗ＩＲ８、９００Ωにセット
された２．４ｋΩに可変抵抗ＩＲ６、１８ｋΩの抵抗Ｉ
Ｒ１３及びダイオードＩＣＲ１のアノードに図示のよう
に接続された１８ｋΩの抵抗ＩＲ１４を含む電圧分割ネ
ットワークを含んでいる。１００ｐＦのコンデンサＩＣ
４が、ダイオードＩＣＲ１と接地との間に接続され、接
地へのＲＦ減結合パスを提供する。ディテクタ１２０へ
の入力信号は、３．６ｎＨのインダクタＩＬ３と３９０
ｐＦのコンデンサＩＣ３を通って供給されてダイオード
ＩＣＲ１のカソードに与えられる。１．２ｐＦのコンデ
ンサＩＣ５は、インダクタＩＬ３と減衰器ＩＡＴ２との
間のジャンクションと接地との間に接続される。更に、
３０ｎＨインダクタＩＬ２が、接地とダイオードＩＣＲ
１のカソードとの間の１０ｋΩの抵抗ＩＲ９に図示のよ
うに直列に接続されている。ダイオードＩＣＲ１のカソ
ードからの信号パスが、ディテクタ１２０からの出力を
提供する。ダイオードＩＣＲ１が適切な動作のためにバ
イアスされていてローパスフィルタ１２２に中間制御信
号を提供するように、可変抵抗ＩＲ８と可変抵抗ＩＲ６
が調整されていることが望まれる。
【００４２】ローパスフィルタ１２２は、２．４ｋΩの
抵抗ＩＲ２に図示のように接続されている１１３ｎＨの
インダクタＩＬ１と直列に接続されている２．４ｋΩの
抵抗ＩＲ１を含む。１８０ｐＦのコンデンサＩＣ１は、
抵抗ＩＲ１とインダクタＩＬ１との間のジャンクション
と接地との間に接続されている。１８０ｐＦのコンデン
サＩＣ２は、インダクタＩＬ１とローパスフィルタ１２
２を終結させる抵抗ＩＲ２との間のジャンクションと接
地との間に接続されている。ローパスフィルタ１２２の
出力線は第１の端部において抵抗Ｒ２に接続されてお
り、演算増幅器ＩＱ４の２つの入力のうちの１つにも接
続されている。
抵抗ＩＲ２に図示のように接続されている１１３ｎＨの
インダクタＩＬ１と直列に接続されている２．４ｋΩの
抵抗ＩＲ１を含む。１８０ｐＦのコンデンサＩＣ１は、
抵抗ＩＲ１とインダクタＩＬ１との間のジャンクション
と接地との間に接続されている。１８０ｐＦのコンデン
サＩＣ２は、インダクタＩＬ１とローパスフィルタ１２
２を終結させる抵抗ＩＲ２との間のジャンクションと接
地との間に接続されている。ローパスフィルタ１２２の
出力線は第１の端部において抵抗Ｒ２に接続されてお
り、演算増幅器ＩＱ４の２つの入力のうちの１つにも接
続されている。
【００４３】演算増幅器ＩＱ４は、その出力とその第１
の入力との間に接続されている２２０ｋΩの抵抗ＩＲ５
を伴って構成されており、該第１の入力はローパスフィ
ルタ１２２の出力にも接続されている。演算増幅器ＩＱ
４は、ここでは、米国アリゾナ州フィーニックスのモト
ローラ・セミコンダクタ・ディビジョン社製造のＬＭ１
５８である。演算増幅器ＩＱ４は、更に、接地と１５Ｖ
ＤＣの電力線に適切に接続されている。演算増幅器ＩＱ
４の第２の入力は、温度補償回路１２６から供給され
る。
の入力との間に接続されている２２０ｋΩの抵抗ＩＲ５
を伴って構成されており、該第１の入力はローパスフィ
ルタ１２２の出力にも接続されている。演算増幅器ＩＱ
４は、ここでは、米国アリゾナ州フィーニックスのモト
ローラ・セミコンダクタ・ディビジョン社製造のＬＭ１
５８である。演算増幅器ＩＱ４は、更に、接地と１５Ｖ
ＤＣの電力線に適切に接続されている。演算増幅器ＩＱ
４の第２の入力は、温度補償回路１２６から供給され
る。
【００４４】温度補償回路１２６は、温度変換器ＩＱ５
を含み、これは米国マサチューセッツ州ノーウッドのア
ナログ・ディバイシーズ社のＡＤ５９０であって、第１
の端子及び第２端子を有している。温度変換器Ｑ５の第
１の端子は１５ＶＤＣの電力線に接続されており、第２
の端子は演算増幅器ＩＱ４の第２の入力に接続されてい
る。
を含み、これは米国マサチューセッツ州ノーウッドのア
ナログ・ディバイシーズ社のＡＤ５９０であって、第１
の端子及び第２端子を有している。温度変換器Ｑ５の第
１の端子は１５ＶＤＣの電力線に接続されており、第２
の端子は演算増幅器ＩＱ４の第２の入力に接続されてい
る。
【００４５】電圧分割ネットワークは、１５ＶＤＣの電
力線と接地との間に図示のように直列に接続されてい
る、１６ｋΩの抵抗ＩＲ７、２００Ωの抵抗ＩＲ３及び
７０Ωにセットされた２４０Ωの可変抵抗ＩＲ４を含
む。抵抗ＩＲ７は温度変換器ＩＱ５と並列にも構成され
ており、温度変換器ＩＱ５の周囲温度が知られている場
合に可変抵抗ＩＲ４を調整することによって、適切な基
準電圧が演算増幅器ＩＱ４の第２の入力に供給される。
力線と接地との間に図示のように直列に接続されてい
る、１６ｋΩの抵抗ＩＲ７、２００Ωの抵抗ＩＲ３及び
７０Ωにセットされた２４０Ωの可変抵抗ＩＲ４を含
む。抵抗ＩＲ７は温度変換器ＩＱ５と並列にも構成され
ており、温度変換器ＩＱ５の周囲温度が知られている場
合に可変抵抗ＩＲ４を調整することによって、適切な基
準電圧が演算増幅器ＩＱ４の第２の入力に供給される。
【００４６】演算増幅器ＩＱ４の出力は、ＧａＡｓＭＭ
ＩＣ減衰器ＩＱ３の制御ポートに供給される。１００ｐ
ＦのコンデンサＩＣ１９は、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｉ
Ｑ３の制御ポートと接地との間に接続されており、接地
へのＲＦ減結合パスを提供し、すべての漂遊ＲＦ信号を
除去する。
ＩＣ減衰器ＩＱ３の制御ポートに供給される。１００ｐ
ＦのコンデンサＩＣ１９は、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器Ｉ
Ｑ３の制御ポートと接地との間に接続されており、接地
へのＲＦ減結合パスを提供し、すべての漂遊ＲＦ信号を
除去する。
【００４７】このような配置において、入力の信号レベ
ルが増加すれば、カプラ１１４にディテクタ１２０によ
って結合された信号の信号レベルは増加し、それにより
中間制御信号が提供する信号レベルが増加する。中間制
御信号の信号レベル増加に伴って、ＧａＡｓＭＭＩＣ減
衰器ＩＱ３の制御ポートに供給される出力信号により、
ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３はその提供する減衰の量
を増加させて、ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６に供給される信号
信号の信号レベルを減少させる。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６
に供給される信号信号の信号レベルが減少することで、
増幅器１１０の出力信号の信号レベルはほぼ一定であ
る。
ルが増加すれば、カプラ１１４にディテクタ１２０によ
って結合された信号の信号レベルは増加し、それにより
中間制御信号が提供する信号レベルが増加する。中間制
御信号の信号レベル増加に伴って、ＧａＡｓＭＭＩＣ減
衰器ＩＱ３の制御ポートに供給される出力信号により、
ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３はその提供する減衰の量
を増加させて、ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６に供給される信号
信号の信号レベルを減少させる。ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ６
に供給される信号信号の信号レベルが減少することで、
増幅器１１０の出力信号の信号レベルはほぼ一定であ
る。
【００４８】周囲温度が変化する場合には、温度変換器
ＩＱ５は、演算増幅器ＩＱ４の第２の入力に供給される
信号の基準電圧を変化させる。この基準電圧の変化によ
り、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３の制御ポートに供給
される信号は、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器が提供する減衰
を変化させ、この変化は、周囲温度変化に起因する動作
特性の変化による、ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２及びＩＱ６が
提供するゲインの変化に対応している。このような配置
において、増幅器１１０の出力信号の信号レベルへの周
囲温度変化の影響は減少し、それにより、周波数逓倍器
１００の出力において比較的一定の信号レベルが提供さ
れる。
ＩＱ５は、演算増幅器ＩＱ４の第２の入力に供給される
信号の基準電圧を変化させる。この基準電圧の変化によ
り、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器ＩＱ３の制御ポートに供給
される信号は、ＧａＡｓＭＭＩＣ減衰器が提供する減衰
を変化させ、この変化は、周囲温度変化に起因する動作
特性の変化による、ＭＭＩＣ増幅器ＩＱ２及びＩＱ６が
提供するゲインの変化に対応している。このような配置
において、増幅器１１０の出力信号の信号レベルへの周
囲温度変化の影響は減少し、それにより、周波数逓倍器
１００の出力において比較的一定の信号レベルが提供さ
れる。
【００４９】次に図７においては、周波数２倍器２００
が、入力と出力とを有しＲＦ信号がその入力に供給され
る入力増幅器２１２を含むものとして図示されている。
該入力増幅器の出力は、出力も有する整合ネットワーク
２１４の入力に接続されている。４つのポートを有する
第１の直角ハイブリッド２１６が、図示のように、第１
のポートが整合ネットワーク２１４の出力に接続され、
第４のポートが接地への５０Ωの抵抗２２２に接続され
ているように、接続されている。第１の直角ハイブリッ
ド２１６の第２のポート及び第３のポートは、それぞれ
図示のように、そして以下説明するように、ダイオード
２１８及び２２０に接続されている。
が、入力と出力とを有しＲＦ信号がその入力に供給され
る入力増幅器２１２を含むものとして図示されている。
該入力増幅器の出力は、出力も有する整合ネットワーク
２１４の入力に接続されている。４つのポートを有する
第１の直角ハイブリッド２１６が、図示のように、第１
のポートが整合ネットワーク２１４の出力に接続され、
第４のポートが接地への５０Ωの抵抗２２２に接続され
ているように、接続されている。第１の直角ハイブリッ
ド２１６の第２のポート及び第３のポートは、それぞれ
図示のように、そして以下説明するように、ダイオード
２１８及び２２０に接続されている。
【００５０】ダイオード２１８及び２２０は、ショット
キ・ダイオードであり、ダイオード２１８のカソードと
ダイオード２２０のカソードとは接地に接続されてい
る。ダイオード２１８のアノードは第１の直角ハイブリ
ッド２１６の第２のポートに接続され、第２の２２０の
アノードは第１の直角ハイブリッド２１６の第３のポー
トに接続されている。４つのポートを有する第２の直角
ハイブリッド２２４は、第２の直角ハイブリッド２２４
の第１のポートがダイオード２１８のアノードに接続さ
れ、第２の直角ハイブリッド２２４の第４のポートがダ
イオード２２０のアノードに接続されているように、接
続されている。第２の直角ハイブリッド２２４の第３の
ポートは接地への５０Ωの抵抗２２６に図示のように接
続され、第２の直角ハイブリッド２２４の第２のポート
は出力も有するハイパスフィルタ２２８の入力に接続さ
れている。ハイパスフィルタ２２８の出力は、増幅器２
１０の入力に供給される。周波数２倍器２００の出力で
もある出力を有する増幅器２１０は、図１、図２及び図
３に関して説明された、対象とする周波数範囲に適した
値を有する構成要素をもつタイプのものである。
キ・ダイオードであり、ダイオード２１８のカソードと
ダイオード２２０のカソードとは接地に接続されてい
る。ダイオード２１８のアノードは第１の直角ハイブリ
ッド２１６の第２のポートに接続され、第２の２２０の
アノードは第１の直角ハイブリッド２１６の第３のポー
トに接続されている。４つのポートを有する第２の直角
ハイブリッド２２４は、第２の直角ハイブリッド２２４
の第１のポートがダイオード２１８のアノードに接続さ
れ、第２の直角ハイブリッド２２４の第４のポートがダ
イオード２２０のアノードに接続されているように、接
続されている。第２の直角ハイブリッド２２４の第３の
ポートは接地への５０Ωの抵抗２２６に図示のように接
続され、第２の直角ハイブリッド２２４の第２のポート
は出力も有するハイパスフィルタ２２８の入力に接続さ
れている。ハイパスフィルタ２２８の出力は、増幅器２
１０の入力に供給される。周波数２倍器２００の出力で
もある出力を有する増幅器２１０は、図１、図２及び図
３に関して説明された、対象とする周波数範囲に適した
値を有する構成要素をもつタイプのものである。
【００５１】周波数ｆ０を有する無線周波（ＲＦ）信号
が、増幅器２１２の入力に供給され、そこで該ＲＦ信号
は増幅され整合ネットワーク２１４の入力に供給され
る。該信号は、整合ネットワーク２１４によって適切に
条件付けられ、第１の直角ハイブリッド２１６の第１の
ポートに供給される。増幅器２１２及び整合ネットワー
ク２１４は、それぞれ、増幅器１３２（図４）及び整合
ネットワーク１３２（図５）に関して説明したように構
成することができる。
が、増幅器２１２の入力に供給され、そこで該ＲＦ信号
は増幅され整合ネットワーク２１４の入力に供給され
る。該信号は、整合ネットワーク２１４によって適切に
条件付けられ、第１の直角ハイブリッド２１６の第１の
ポートに供給される。増幅器２１２及び整合ネットワー
ク２１４は、それぞれ、増幅器１３２（図４）及び整合
ネットワーク１３２（図５）に関して説明したように構
成することができる。
【００５２】第１の直角ハイブリッド２１６の第１のポ
ートに供給される信号は、第１の直角ハイブリッド２１
６の第２及び第３のポートに等しく結合され、第２のポ
ートにおける信号が第３のポートにおける信号と９０°
の位相差を有する。第１の直角ハイブリッド２１６は、
４つのポートを有しここで説明されるように機能する任
意のタイプでよい。第１の直角ハイブリッド２１６は、
４ポートのハイブリッドジャンクションであり、入力ポ
ートとしての第１のポートと出力ポートとしての第２及
び第３のポートを有している。第４のポートは、５０Ω
の抵抗２２２によって終端している。第１の直角ハイブ
リッド２１６は、周波数ｆ０を有する信号を、全体的に
かつ等しく、第１のポートから第２及び第３のポート
へ、第２のポートにおける信号が第３のポートにおける
信号よりも９０°だけ位相が進むように、実質的に転送
するように調整されている。第１の直角ハイブリッド２
１６の第２のポートはダイオード２１８のアノードに接
続され、第１の直角ハイブリッド２１６の第３のポート
はダイオード２２０のアノードに接続されている。ダイ
オード２１８のアノードにおいて基本周波数ｆ０を有す
る信号がダイオード２２０のアノードにおける信号と９
０°の位相差をもつ場合には、ダイオード２１８のアノ
ードで提供される周波数２ｆ０を有する第２調波信号
が、ダイオード２２０のアノードで提供される周波数２
ｆ０を有する第２調波信号と１８０°の位相差をもつこ
とになる。ダイオード２１８及び２２０は、ダイオード
２１８のカソードがダイオード２２０のカソードと共に
接地に接続されているように、接続されている。このよ
うな構成において、基本周波数信号がダイオード２１８
のアノードに供給され、その基本周波数信号がダイオー
ド２２０のアノードに供給される基本周波数信号の位相
から９０°進む位相を有する場合には、ダイオード２１
８及び２２０のそれぞれにおいて生成される対応する第
２調波信号は相互に１８０°位相がずれていることにな
る。ダイオード２１８のアノードにおける第２調波信号
は直角ハイブリッド２２４の第１のポートに供給され、
ダイオード２２０のアノードにおける第２の調波信号は
直角ハイブリッド２２４の第４のポートに供給される。
ートに供給される信号は、第１の直角ハイブリッド２１
６の第２及び第３のポートに等しく結合され、第２のポ
ートにおける信号が第３のポートにおける信号と９０°
の位相差を有する。第１の直角ハイブリッド２１６は、
４つのポートを有しここで説明されるように機能する任
意のタイプでよい。第１の直角ハイブリッド２１６は、
４ポートのハイブリッドジャンクションであり、入力ポ
ートとしての第１のポートと出力ポートとしての第２及
び第３のポートを有している。第４のポートは、５０Ω
の抵抗２２２によって終端している。第１の直角ハイブ
リッド２１６は、周波数ｆ０を有する信号を、全体的に
かつ等しく、第１のポートから第２及び第３のポート
へ、第２のポートにおける信号が第３のポートにおける
信号よりも９０°だけ位相が進むように、実質的に転送
するように調整されている。第１の直角ハイブリッド２
１６の第２のポートはダイオード２１８のアノードに接
続され、第１の直角ハイブリッド２１６の第３のポート
はダイオード２２０のアノードに接続されている。ダイ
オード２１８のアノードにおいて基本周波数ｆ０を有す
る信号がダイオード２２０のアノードにおける信号と９
０°の位相差をもつ場合には、ダイオード２１８のアノ
ードで提供される周波数２ｆ０を有する第２調波信号
が、ダイオード２２０のアノードで提供される周波数２
ｆ０を有する第２調波信号と１８０°の位相差をもつこ
とになる。ダイオード２１８及び２２０は、ダイオード
２１８のカソードがダイオード２２０のカソードと共に
接地に接続されているように、接続されている。このよ
うな構成において、基本周波数信号がダイオード２１８
のアノードに供給され、その基本周波数信号がダイオー
ド２２０のアノードに供給される基本周波数信号の位相
から９０°進む位相を有する場合には、ダイオード２１
８及び２２０のそれぞれにおいて生成される対応する第
２調波信号は相互に１８０°位相がずれていることにな
る。ダイオード２１８のアノードにおける第２調波信号
は直角ハイブリッド２２４の第１のポートに供給され、
ダイオード２２０のアノードにおける第２の調波信号は
直角ハイブリッド２２４の第４のポートに供給される。
【００５３】直角ハイブリッド２２４は、直角ハイブリ
ッド２１６と同様に動作し、第２のポートにおける基本
周波数ｆ０の信号が第３のポートにおける信号よりも９
０°進むように、第１のポートから第２及び第３のポー
トへ基本周波数ｆ０を有する信号を転送するように調整
されている。更に、直角ハイブリッド２２４は、第２の
ポートにおける基本周波数ｆ０の信号が第３のポートに
おける信号よりも９０°遅れるように、第４のポートか
ら第２及び第３のポートへ基本周波数ｆ０を有する信号
を転送するように調整されている。
ッド２１６と同様に動作し、第２のポートにおける基本
周波数ｆ０の信号が第３のポートにおける信号よりも９
０°進むように、第１のポートから第２及び第３のポー
トへ基本周波数ｆ０を有する信号を転送するように調整
されている。更に、直角ハイブリッド２２４は、第２の
ポートにおける基本周波数ｆ０の信号が第３のポートに
おける信号よりも９０°遅れるように、第４のポートか
ら第２及び第３のポートへ基本周波数ｆ０を有する信号
を転送するように調整されている。
【００５４】直角ハイブリッド２２４の第１のポートに
おける基本周波数信号の位相が直角ハイブリッド２２４
の第４のポートにおける基本周波数信号の位相に先行す
る場合には、直角ハイブリッド２２４の第２のポートに
おける対応する基本周波数信号は相互に１８０°位相が
ずれており、したがって、相互に打ち消しあおうとする
（通常、弱め合う干渉と呼ばれる）。直角ハイブリッド
２２４の第３のポートにおける対応する基本周波数信号
は相互に位相が合っており、したがって、その結果生じ
る信号を強めることになる（通常、強め合う干渉と呼ば
れる）。結果として生じる信号は、５０Ωの抵抗２２６
によって終結する。第２調波周波数２ｆ０の直角ハイブ
リッド２２４の第１のポートにおける第２調波信号は第
２及び第３のポートに等しく転送され、第２のポートに
おいて結果的に生じる信号は第３のポートにおいて結果
的に生じる信号に１８０°位相が先行する。同様に、直
角ハイブリッド２２４の第４のポートにおける第２調波
信号は第２及び第３のポートに等しく転送され、第２の
ポートにおいて結果的に生じる信号は第３のポートにお
いて結果的に生じる信号に１８０°位相が遅れる。直角
ハイブリッド２２４の第１及び第４のポートにおける対
応する信号は相互に１８０°位相がずれており、したが
って、対応する第２調波信号は第２のポートで統合され
たときに相互に加え合うことになる。同様に、第３のポ
ートにおける対応する第２調波信号は第３のポートで統
合されたときに相互に加え合うことになる。第３のポー
トにおける信号は、５０Ωの抵抗２２６で終端される。
おける基本周波数信号の位相が直角ハイブリッド２２４
の第４のポートにおける基本周波数信号の位相に先行す
る場合には、直角ハイブリッド２２４の第２のポートに
おける対応する基本周波数信号は相互に１８０°位相が
ずれており、したがって、相互に打ち消しあおうとする
（通常、弱め合う干渉と呼ばれる）。直角ハイブリッド
２２４の第３のポートにおける対応する基本周波数信号
は相互に位相が合っており、したがって、その結果生じ
る信号を強めることになる（通常、強め合う干渉と呼ば
れる）。結果として生じる信号は、５０Ωの抵抗２２６
によって終結する。第２調波周波数２ｆ０の直角ハイブ
リッド２２４の第１のポートにおける第２調波信号は第
２及び第３のポートに等しく転送され、第２のポートに
おいて結果的に生じる信号は第３のポートにおいて結果
的に生じる信号に１８０°位相が先行する。同様に、直
角ハイブリッド２２４の第４のポートにおける第２調波
信号は第２及び第３のポートに等しく転送され、第２の
ポートにおいて結果的に生じる信号は第３のポートにお
いて結果的に生じる信号に１８０°位相が遅れる。直角
ハイブリッド２２４の第１及び第４のポートにおける対
応する信号は相互に１８０°位相がずれており、したが
って、対応する第２調波信号は第２のポートで統合され
たときに相互に加え合うことになる。同様に、第３のポ
ートにおける対応する第２調波信号は第３のポートで統
合されたときに相互に加え合うことになる。第３のポー
トにおける信号は、５０Ωの抵抗２２６で終端される。
【００５５】直角ハイブリッド２２４の第２のポートに
おいて周波数ｆ０で結果的に生じる信号はハイパスフィ
ルタ２２８に供給され、このハイパスフィルタ２２８
は、その周波数帯未満の信号は通過させずに入力信号の
周波数の２倍の周波数をもつ信号に信号パスを提供す
る。ハイパスフィルタ２２８の出力における信号は、増
幅器２１０の入力に供給される。増幅器２１０は、図
１、図２及び図３の増幅器１０に関連して説明したのと
同様に動作する。増幅器２１０の出力は、周波数２倍器
２００の出力を提供する。このような構成で、周波数２
倍器２００が提供されて、その出力において比較的一定
の信号レベルを提供する。
おいて周波数ｆ０で結果的に生じる信号はハイパスフィ
ルタ２２８に供給され、このハイパスフィルタ２２８
は、その周波数帯未満の信号は通過させずに入力信号の
周波数の２倍の周波数をもつ信号に信号パスを提供す
る。ハイパスフィルタ２２８の出力における信号は、増
幅器２１０の入力に供給される。増幅器２１０は、図
１、図２及び図３の増幅器１０に関連して説明したのと
同様に動作する。増幅器２１０の出力は、周波数２倍器
２００の出力を提供する。このような構成で、周波数２
倍器２００が提供されて、その出力において比較的一定
の信号レベルを提供する。
【００５６】以上の説明によって、信号生成回路の様々
な要素は、本発明に影響を与えずに変更できることが当
業者には明らかであろう。更に、コンデンサやインダク
タの値は変更して、対象とする周波数範囲に適応させる
ことができる。したがって、本発明は、ここに開示され
た実施例に制限されるのではなく、むしろ冒頭の特許請
求の範囲にのみ限定されるべきである。
な要素は、本発明に影響を与えずに変更できることが当
業者には明らかであろう。更に、コンデンサやインダク
タの値は変更して、対象とする周波数範囲に適応させる
ことができる。したがって、本発明は、ここに開示され
た実施例に制限されるのではなく、むしろ冒頭の特許請
求の範囲にのみ限定されるべきである。
【図１】 図１は、本発明による増幅回路のブロック図
である。
である。
【図２】 図２は、本発明による増幅回路の回路図であ
る。
る。
【図３】 図３は、本発明による増幅器のハイブリッド
・インプルメンテイションの平面図である。
・インプルメンテイションの平面図である。
【図４】 図４は、本発明による周波数３倍器のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図５】 図５は、本発明による周波数３倍器の回路図
である。
である。
【図６】 図６は、本発明による周波数３倍器のハイブ
リッド・インプルメンテイションの平面図である。
リッド・インプルメンテイションの平面図である。
【図７】 図７は、本発明による周波数２倍器のブロッ
ク図である。 １０：温度補償ゲイン増幅器 １６：可変減衰器 １４：カプラ ２０：ディテクタ ２２：ローパスフィルタ ２４：演算増幅器（差動増幅器） ２６：温度補償回路 １００：周波数逓倍器 １２０：ディテクタ １２４：差動増幅器 １２６：温度補償回路
ク図である。 １０：温度補償ゲイン増幅器 １６：可変減衰器 １４：カプラ ２０：ディテクタ ２２：ローパスフィルタ ２４：演算増幅器（差動増幅器） ２６：温度補償回路 １００：周波数逓倍器 １２０：ディテクタ １２４：差動増幅器 １２６：温度補償回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・エフ・マラ，ジュニアー アメリカ合衆国ニューハンプシャー州 03062，ナシュア，ドルフィン・サークル 11 (72)発明者 グレゴリー・ジェイ・ピエトランジェロ アメリカ合衆国マサチューセッツ州01830, ヘイヴァリル，ウエスト・メドー・ロード 70−１
Claims (19)
- 【請求項１】（ａ）入力と出力とを有しており、該入力
に供給される信号の周波数の奇数倍の周波数をもつ出力
信号を該出力において提供する逓倍手段と、 （ｂ）（ｉ） 入力と出力とを有しており、該入力が
前記逓倍手段の前記出力に結合している第１増幅器と、 （ｉｉ） 入力ポート、出力ポート及び制御ポートを有
しており、該入力ポートには前記第１増幅器の前記出力
が供給されている減衰器と、 （ｉｉｉ）前記第１増幅器の前記出力が供給する出力信
号の変動に応答して、中間制御信号を提供する手段と、 （ｉｖ） 該増幅器回路の周囲温度を示す基準信号を提
供する手段と、 （ｖ） 前記基準信号と前記中間制御信号とが供給さ
れ、前記減衰器の前記出力ポートにおける出力信号の信
号レベルの変動を最小化する制御信号を前記制御ポート
に提供する手段と、から構成される増幅器回路と、 から構成される周波数逓倍器。 - 【請求項２】請求項１記載の周波数逓倍器であって、前
記逓倍手段が１対のダイオードを含み、そのダイオード
対の各々がアノードとカソードとを有し、各ダイオード
の前記アノードが他方のダイオードの前記カソードに接
続されている周波数逓倍器。 - 【請求項３】請求項２記載の周波数逓倍器であって、入
力と出力とを有し該入力は前記逓倍手段の前記出力に接
続され該出力は前記増幅器回路の前記入力に接続されて
いるハイパスフィルタを更に含む周波数逓倍器。 - 【請求項４】請求項３記載の周波数逓倍器であって、入
力と前記逓倍手段の入力に接続されている出力とを有す
る入力増幅器を更に含む周波数逓倍器。 - 【請求項５】請求項４記載の周波数逓倍器であって、前
記入力増幅器の前記出力に接続された入力と前記逓倍手
段の前記入力に接続された出力とを有する整合ネットワ
ークを更に含む周波数逓倍器。 - 【請求項６】請求項５記載の周波数逓倍器であって、前
記減衰器の前記出力ポートが供給される入力と出力とを
有する第２の増幅器を更に有する周波数逓倍器。 - 【請求項７】請求項６記載の周波数逓倍器であって、中
間制御信号を提供する前記手段が、 （ａ）入力と出力とを有し、ショットキ・ダイオード・
ディテクタを含むディテクタ回路と、 （ｂ）前記減衰器の前記入力ポートに供給される入力信
号の一部分を前記ディテクタ回路の入力に結合させる手
段と、 を含む周波数逓倍器。 - 【請求項８】請求項７記載の周波数逓倍器であって、基
準信号を提供する前記手段が、 （ａ）第１の端子と第２の端子とを有する温度変換器
（トランスデューサ）と、 （ｂ）前記温度変換器の前記第１の端子と電圧源に接続
された第１の端子と、前記温度変換器の前記第２の端子
に接続された第２の端子とを有する第１の抵抗と、 （ｃ）第１の端子と第２の端子とを有する第２の抵抗で
あって、該第１の端子は前記温度変換器と該抵抗のそれ
ぞれの前記第２の端子に接続され前記基準信号を提供
し、該第２の端子は電圧源リターンに接続されている抵
抗と、 を含む周波数逓倍器。 - 【請求項９】請求項８記載の周波数逓倍器であって、前
記制御信号を前記制御ポートに供給する手段が演算増幅
器を含む周波数逓倍器。 - 【請求項１０】（ａ）入力と出力とを有しており、該入
力に供給される信号の周波数の偶数倍の周波数をもつ出
力信号を該出力において提供する逓倍手段と、 （ｂ）（ｉ） 入力と出力とを有しており、該入力が
前記逓倍手段の前記出力に結合している第１増幅器と、 （ｉｉ） 入力ポート、出力ポート及び制御ポートを有
しており、該入力ポートには前記第１増幅器の前記出力
が供給されている減衰器と、 （ｉｉｉ）前記第１増幅器の前記出力が供給する出力信
号の変動に応答して、中間制御信号を提供する手段と、 （ｉｖ） 該増幅器回路の周囲温度を示す基準信号を提
供する手段と、 （ｖ） 前記基準信号と前記中間制御信号とが供給さ
れ、前記減衰器の前記出力ポートにおける出力信号の信
号レベルの変動を最小化する制御信号を前記制御ポート
に提供する手段と、から構成される増幅器回路と、 から構成される周波数逓倍器。 - 【請求項１１】請求項１０記載の周波数逓倍器であっ
て、前記逓倍手段が、 （ａ）入力ポートとしての第１のポートと出力ポートと
しての第２及び第３のポートとを有し、該第１のポート
が前記逓倍手段の入力であるような第１の直角ハイブリ
ッドと、 （ｂ）入力ポートとしての第１及び第４のポートと出力
ポートとしての第２及び第３のポートを有し、該第１の
ポートは前記第１の直角ハイブリッドの前記第２のポー
トに接続され、該第４のポートは前記第１の直角ハイブ
リッドの前記第３のポートに接続され、該第２のポート
は前記逓倍手段の出力である第２の直角ハイブリッド
と、 （ｃ）第１及び第２のダイオードであって、両方のダイ
オード共にアノードとカソードとをもち、該第１のダイ
オードの該カソードは該第２のダイオードの該カソード
と接地とに接続され、該第１のダイオードの該アノード
は前記第１の直角ハイブリッドの前記第２のポートと前
記第２の直角ハイブリッドの第１のポートとの間のジャ
ンクションに接続され、該第２のダイオードの該カソー
ドと接地とに接続され、該第１のダイオードの該アノー
ドは前記第１の直角ハイブリッドの前記第２のポートと
前記第２の直角ハイブリッドの第１のポートとの間のジ
ャンクションに接続され、該第２のダイオードのアノー
ドは前記第１の直角ハイブリッドの前記第３のポートと
前記第２の直角ハイブリッドの前記第４のポートとの間
のジャンクションに接続されているようなダイオード
と、 を含む周波数逓倍器。 - 【請求項１２】請求項１１記載の周波数逓倍器であっ
て、前記第１の直角ハイブリッドが第４のポートを含
み、前記周波数逓倍器は更に第１及び第２の抵抗を含
み、該第１の抵抗は前記第１の直角ハイブリッドの前記
第４のポートと接地との間に配置され、該第２の抵抗は
前記第２の直角ハイブリッドの前記第３のポートと接地
との間に配置されている周波数逓倍器。 - 【請求項１３】請求項１２記載の周波数逓倍器であっ
て、前記逓倍手段の前記出力に接続された入力と前記増
幅器回路の前記入力に接続した出力とを有するハイパス
フィルタを更に含む周波数逓倍器。 - 【請求項１４】請求項１３記載の周波数逓倍器であっ
て、入力と出力とを有する入力増幅器を更に含み、該出
力が前記逓倍手段の入力に接続している周波数逓倍器。 - 【請求項１５】請求項１４記載の周波数逓倍器であっ
て、前記入力増幅器の前記出力に接続された入力と、前
記逓倍手段の前記入力に接続された出力とを有する整合
ネットワークを更に含む周波数逓倍器。 - 【請求項１６】請求項１５記載の周波数逓倍器であっ
て、入力と出力とを有する第２の増幅器を更に含み、該
入力に前記減衰器の出力ポートが供給される周波数逓倍
器。 - 【請求項１７】請求項１６記載の周波数逓倍器であっ
て、中間制御信号を提供する前記手段が、 （ａ）入力
と出力とを有し、ショットキ・ダイオード・ディテクタ
を含むディテクタ回路と、 （ｂ）前記減衰器の前記入力ポートに供給される入力信
号の一部分を前記ディテクタ回路の入力に結合させる手
段と、 を含む周波数逓倍器。 - 【請求項１８】請求項１７記載の周波数逓倍器であっ
て、基準信号を提供する前記手段が、 （ａ）第１の端子と第２の端子とを有する温度変換器
（トランスデューサ）と、 （ｂ）前記温度変換器の前記第１の端子と電圧源に接続
された第１の端子と、前記温度変換器の前記第２の端子
に接続された第２の端子とを有する第１の抵抗と、 （ｃ）第１の端子と第２の端子とを有する第２の抵抗で
あって、該第１の端子は前記温度変換器と該抵抗のそれ
ぞれの前記第２の端子に接続され前記基準信号を提供
し、該第２の端子は電圧源リターンに接続されている抵
抗と、 を含む周波数逓倍器。 - 【請求項１９】請求項１８記載の周波数逓倍器であっ
て、前記制御信号を前記制御ポートに供給する手段が演
算増幅器を含む周波数逓倍器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/724,277 US5132632A (en) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Frequency multiplier |
| US724277 | 1991-07-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243852A true JPH05243852A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3560618B2 JP3560618B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=24909775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17453492A Expired - Lifetime JP3560618B2 (ja) | 1991-07-01 | 1992-07-01 | 周波数逓倍器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5132632A (ja) |
| JP (1) | JP3560618B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11942913B2 (en) | 2018-03-30 | 2024-03-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Variable gain amplifier |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432389A (en) * | 1993-01-04 | 1995-07-11 | Motorola, Inc. | Gain stage circuit with automatic level control |
| US5752011A (en) | 1994-06-20 | 1998-05-12 | Thomas; C. Douglas | Method and system for controlling a processor's clock frequency in accordance with the processor's temperature |
| US7167993B1 (en) | 1994-06-20 | 2007-01-23 | Thomas C Douglass | Thermal and power management for computer systems |
| US5940786A (en) * | 1996-11-22 | 1999-08-17 | Eaton Corporation | Temperature regulated clock rate for microprocessors |
| US5910751A (en) * | 1997-02-14 | 1999-06-08 | International Business Machines Corporation | Circuit arrangement and method with temperature dependent signal swing |
| US5994961A (en) * | 1997-12-08 | 1999-11-30 | Motorola, Inc. | Temperature compensated decibel linear variable gain amplifier |
| JP3917742B2 (ja) * | 1998-01-05 | 2007-05-23 | 三菱電機株式会社 | 温度補償機能付き増幅器 |
| US5963071A (en) * | 1998-01-22 | 1999-10-05 | Nanoamp Solutions, Inc. | Frequency doubler with adjustable duty cycle |
| US6807280B1 (en) * | 1998-01-26 | 2004-10-19 | Delphi Technologies, Inc. | Audio signal processing circuit for reducing noise in an audio signal |
| US6194968B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-02-27 | Tyco Electronics Logistics Ag | Temperature and process compensating circuit and controller for an RF power amplifier |
| US6735424B1 (en) * | 2000-06-14 | 2004-05-11 | The Regents Of The University Of California | S-band low-noise amplifier with self-adjusting bias for improved power consumption and dynamic range in a mobile environment |
| KR100776868B1 (ko) * | 2000-08-16 | 2007-11-16 | 레이던 컴퍼니 | 레이더 수신기를 위한 비디오 증폭기 |
| US20090002056A1 (en) * | 2007-06-30 | 2009-01-01 | Doyle James T | Active resistance circuit with controllable temperature coefficient |
| US10470256B2 (en) * | 2013-04-16 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlled broadband microwave heating |
| JP6464526B2 (ja) * | 2015-07-01 | 2019-02-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 高周波出力制御回路 |
| US10771021B2 (en) * | 2018-02-20 | 2020-09-08 | Cirrus Logic, Inc. | Thermal protection of an amplifier driving a capacitive load |
| CN117498814B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-29 | 广州市迪声音响有限公司 | 一种基于温度实时监控的功放保护方法及系统 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5330850A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Hitachi Ltd | Gain control circuit |
-
1991
- 1991-07-01 US US07/724,277 patent/US5132632A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17453492A patent/JP3560618B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11942913B2 (en) | 2018-03-30 | 2024-03-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Variable gain amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3560618B2 (ja) | 2004-09-02 |
| US5132632A (en) | 1992-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05191183A (ja) | ゲイン制御増幅器 | |
| JP3560618B2 (ja) | 周波数逓倍器 | |
| EP0746902B1 (en) | Predistorter for high frequency optical communications devices | |
| JP3298709B2 (ja) | 偶数項ミクサー | |
| JPH0264467A (ja) | ミリ波アクティブプローブシステム | |
| KR20000036223A (ko) | 무선 주파수 신호의 직각 변환용 박막 구조물 | |
| US20090111394A1 (en) | Monolithic integrated transceiver | |
| JPH06101652B2 (ja) | バイアス回路 | |
| US4187471A (en) | Bias circuit | |
| EP0322612B1 (en) | Microwave image suppression harmonic frequency converter | |
| EP0521652B1 (en) | Frequency multiplier | |
| US4371982A (en) | Microwave frequency converter with economical coupling | |
| US20060103470A1 (en) | Power amplifier module | |
| JP3188734B2 (ja) | 変調器および混合器装置 | |
| US3591848A (en) | Parametric amplifier employing self-biased nonlinear diodes | |
| US3314025A (en) | Hybrid bridge for applying two mutually isolated sources to a common load, includingmeans to partially shift balancing resistors and load resistances toward bridge center | |
| KR100572691B1 (ko) | 브랜치라인 및 링 하이브리드를 이용한 더블밸런스드 믹서 | |
| CN1360752A (zh) | 单边带混频器 | |
| US4045705A (en) | Electron bombarded semiconductor device | |
| JPS6322695Y2 (ja) | ||
| US4204168A (en) | Signal converter using a quad diode race | |
| US20050042993A1 (en) | Upconverter | |
| US6747526B1 (en) | 90° power divider | |
| JPS59196611A (ja) | マイクロ波ミクサ回路 | |
| JPH05251939A (ja) | マイクロ波回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040526 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |