JPH05243811A - Dielectric filter - Google Patents

Dielectric filter

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JPH05243811A
JPH05243811A JP4353092A JP4353092A JPH05243811A JP H05243811 A JPH05243811 A JP H05243811A JP 4353092 A JP4353092 A JP 4353092A JP 4353092 A JP4353092 A JP 4353092A JP H05243811 A JPH05243811 A JP H05243811A
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JP
Japan
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dielectric
laminated
filter
resonator
resonators
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Application number
JP4353092A
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Japanese (ja)
Inventor
Mutsuaki Hirota
睦明 廣田
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
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Abstract

PURPOSE:To facilitate a manufacturing process, to enhance a Q value, and to decrease loss by forming a slit having no outer conductor passing through in the thickness direction, on the joining surface of a layered resonator. CONSTITUTION:Layered resonators 1a, 1b and 1c are connected through a joining end face, and a slit 11 is constituted of one recessed part (constituted by superposing recessed parts of dielectric substrates 41a, 41b) of the resonator 1a and the other recessed part of the resonator 1b. Also, a slit 12 is constituted of the other recessed part formed in the resonator 1b and one recessed part formed in the resonator 1c. Also, in this filter, by joining plural pieces of resonators in the side part end face direction, thickness of the filter can be formed very thinly, and the filter of an extremely low profile is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、トリプレート型の誘電
体フィルタに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a triplate type dielectric filter.

【0002】[0002]

【従来技術及びその問題点】従来、誘電体フィルタは、
誘電体磁器から成る直方体状のブロックに貫通穴を形成
し、該貫通穴の内面及び該貫通穴の開口を有する一方の
端面を除く外周面に導体膜が形成された複数の誘電体共
振器を接合していた。
2. Description of the Related Art Conventionally, dielectric filters have been
A plurality of dielectric resonators in which a through hole is formed in a rectangular parallelepiped block made of a dielectric porcelain and a conductor film is formed on an outer peripheral surface excluding an inner surface of the through hole and one end surface having an opening of the through hole. It was joined.

【0003】各誘電体共振器間の結合は、互いに接合し
あう側面にスリットを形成し、そのスリット部分の容量
成分によって各共振器の結合していた。
Regarding the coupling between the dielectric resonators, a slit is formed on the side surfaces that are joined to each other, and the resonators are coupled by the capacitance component of the slit portion.

【0004】しかしながら、上述の誘電体フィルタで
は、通信機器などに使用される上で要求されている低背
化に充分応えることが困難である。また、直方体状の誘
電体ブロックのプレス成型が困難であり、例えば1.5
mm角×15mm長の誘電体ブロックに、φ0.5mm
の貫通穴を形成する場合、断面に比較して、長さが長く
なり、さらに貫通穴の存在により、金型などが破損し易
く、製品の取扱に慎重を要するなどの生産性が低下して
しまう。
However, it is difficult for the above-described dielectric filter to sufficiently meet the low profile required for use in communication equipment. In addition, it is difficult to press-mold a rectangular parallelepiped dielectric block, for example, 1.5
φ0.5mm in a dielectric block measuring 15mm x 15mm
When the through hole is formed, the length becomes longer than that of the cross section, and the presence of the through hole easily damages the mold and the like, which reduces productivity such as requiring careful handling of the product. I will end up.

【0005】さらに、内導体の損失を下げて、Q値の高
い共振器を得るためには、貫通穴の穴径を極力大きくす
る必要があるが、誘電体ブロックの剛性が低下してしま
い一層生産性が低下してしまう。
Further, in order to reduce the loss of the inner conductor and obtain a resonator having a high Q value, it is necessary to make the diameter of the through hole as large as possible, but the rigidity of the dielectric block is further reduced. Productivity will decrease.

【0006】また焼結した誘電体ブロックにスリット加
工するに当たり、スリットを形成する必要があり、加工
精度のばらつきから生じる電磁界結合のばらつきが発生
してしまう。
Further, when slitting the sintered dielectric block, it is necessary to form slits, which causes variations in electromagnetic field coupling due to variations in processing accuracy.

【0007】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、製造工程が極めて容易で、且
つQ値が高く、損失の小さな低背型の誘電体フィルタを
提供することである。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a low-height dielectric filter having an extremely easy manufacturing process, a high Q value, and a small loss. It is to be.

【0008】[0008]

【問題を解決するための具体的な手段】上述の本発明の
目的を達成するために、本発明は、一端面及び一主面を
除く外表面に外導体を形成した一対の矩形状誘電体基板
間に帯状の導体パターンを介在させて成る積層共振器
を、複数個、その各々の側面を接合させて形成した誘電
体フィルタであって、前記積層共振器の接合面に、厚み
方向に貫通する外導体のないスリットを形成した誘電体
フィルタである。
In order to achieve the above-mentioned object of the present invention, the present invention provides a pair of rectangular dielectrics having outer conductors formed on the outer surfaces except one end surface and one main surface. What is claimed is: 1. A dielectric filter comprising a plurality of laminated resonators formed by interposing a strip-shaped conductor pattern between substrates, the side surfaces of which are joined together. It is a dielectric filter having a slit without an outer conductor.

【0009】[0009]

【作用】上述のように、本発明によれば、スリットをプ
レス成型で予め形成された誘電体基板を用いるので、誘
電体基板となる磁器のプレス成型作業が極めて容易とな
り、さらに、スリットの形状も一定なものが得られる。
従って、電磁界結合のばらつきが低減され、安定した特
性が得られる誘電体フィルタとなる。
As described above, according to the present invention, since the dielectric substrate in which the slits are preformed by press molding is used, the press molding work of the porcelain to be the dielectric substrate is extremely easy, and the shape of the slit is Is also a constant.
Therefore, the variation of electromagnetic field coupling is reduced, and the dielectric filter has stable characteristics.

【0010】また、誘電体基板を積層した構造であるた
め、低背型の誘電体フィルタとなるとともに、誘電体基
板の厚みや帯状導体のパターン形状により、所望の特性
を得るための設計が極めて容易な誘電体フィルタとな
る。
Further, since the dielectric substrates are laminated, a low-height type dielectric filter is obtained, and the design for obtaining desired characteristics is extremely dependent on the thickness of the dielectric substrate and the pattern shape of the band-shaped conductor. It becomes an easy dielectric filter.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の誘電体フィルタを図面に基づ
いて詳説する。図1は、本発明の誘電体フィルタの分解
斜視図であり、図2は断面図であり、図3は誘電体フィ
ルタを構成する積層誘電体基板の分解斜視図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The dielectric filter of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an exploded perspective view of a dielectric filter of the present invention, FIG. 2 is a sectional view, and FIG. 3 is an exploded perspective view of a laminated dielectric substrate that constitutes the dielectric filter.

【0012】図において、誘電体フィルタ10は第1の
積層共振器1aと第2の積層共振器1bと第3の積層共
振器1aとから成るフィルタ部と、下ケース2と、上ケ
ース3とから主に構成されている。
In the figure, a dielectric filter 10 includes a filter portion including a first laminated resonator 1a, a second laminated resonator 1b, and a third laminated resonator 1a, a lower case 2, and an upper case 3. It is mainly composed of.

【0013】フイルタ部1を構成する3つの積層共振器
1a、1b、1cは、夫々の基板の側部端面を介して接
合しており、この接合した側部端面(以下、接合端面と
いう)には夫々積層共振器1a、1b、1cの厚み方向
に貫いたスリット11、12が形成されている。また、
フィルタ部1の両端に位置する第1及び第3の積層共振
器1a、1cの一部には、入出力用容量成分となる容量
パターン13、14が形成されている。該容量パターン
13、14は、パッド部13a、14aと後述の導体パ
ターン42bから延出した導体部13a、13bとから
なり、パッド部13a、14aと導体部13b、14b
との対向間に所定容量が発生することになる。
The three laminated resonators 1a, 1b, 1c constituting the filter unit 1 are joined to each other via the side end faces of the respective substrates, and the joined side end faces (hereinafter referred to as the joint end faces) are joined together. Are formed with slits 11 and 12 penetrating in the thickness direction of the laminated resonators 1a, 1b and 1c, respectively. Also,
Capacitance patterns 13 and 14 serving as input / output capacitance components are formed on portions of the first and third laminated resonators 1a and 1c located at both ends of the filter unit 1. The capacitance patterns 13 and 14 are composed of pad portions 13a and 14a and conductor portions 13a and 13b extending from a conductor pattern 42b, which will be described later, and the pad portions 13a and 14a and the conductor portions 13b and 14b.
A predetermined capacity will be generated between and facing.

【0014】フィルタ部1を構成する3つの積層共振器
1a、1b、1cのうち、たとえば、積層共振器1a
は、図3に示すように、第1の誘電体基板41aと第2
の誘電体基板41bとが一主面で互いに接合して構成さ
れている。この第1の誘電体基板41aの長さと、第2
の誘電体基板41bの長さは夫々異なり、両基板41
a、41bを互いに接合した際には、第2の誘電体基板
41bが一方端側にΔlだけ延出する。この延出部分X
の一主面側には、前記容量パターン13が形成されてい
る。
Of the three laminated resonators 1a, 1b and 1c constituting the filter unit 1, for example, the laminated resonator 1a is used.
Is the first dielectric substrate 41a and the second dielectric substrate 41a, as shown in FIG.
And the dielectric substrate 41b are bonded to each other on one main surface. The length of the first dielectric substrate 41a and the second
The lengths of the dielectric substrates 41b are different from each other.
When a and 41b are joined to each other, the second dielectric substrate 41b extends to the one end side by Δl. This extension X
The capacitance pattern 13 is formed on the one main surface side.

【0015】また、第1の誘電体基板41aと第2の誘
電体基板41bとが接合する各々の一主面には、基板4
1a、41bの長手方向に延びる帯状の導体パターン4
2a、42bが形成されている。さらに一主面の外周部
に接合用導体膜43a、43bが形成され、さらに導体
パターン42a、42bが延びる誘電体基板41a、4
1bの一方端面(開放端面という)を除いて外導体44
a、44bが形成されている。さらに、誘電体基板41
a、41bの接合端面となる一方の側部端面には、基板
41a、41bの内部に入り込んだ凹部45a、45b
が形成されている。尚、開放端面と対向する端面を短絡
端面と言い、この面で導体パターン42a、42bと外
導体44a、44bが電気的に接続している。
The first dielectric substrate 41a and the second dielectric substrate 41b are bonded to each other on one main surface thereof by the substrate 4
Strip-shaped conductor pattern 4 extending in the longitudinal direction of 1a and 41b
2a and 42b are formed. Further, the conductor films 43a and 43b for bonding are formed on the outer peripheral portion of the one main surface, and the dielectric substrates 41a and 4b on which the conductor patterns 42a and 42b extend further.
The outer conductor 44 except one end surface (referred to as an open end surface) of 1b
a and 44b are formed. Furthermore, the dielectric substrate 41
The concave portions 45a and 45b that have entered the inside of the substrates 41a and 41b are provided on one side end surface, which is the joining end surface of the a and 41b.
Are formed. The end face facing the open end face is called a short-circuit end face, and the conductor patterns 42a and 42b and the outer conductors 44a and 44b are electrically connected on this face.

【0016】第1及び第2の誘電体基板41a、41b
は、マイクロ波用誘電体磁器からなり、全体として矩形
状を成している。具体的には、第1及び第2の誘電体基
板41a、41bは、所定厚み、例えば1.0mmの誘
電体磁器材料からなる粉体材料のプレス成型によって形
成される。この時、スリット11を構成する凹部45
a、45bが同時に形成される。その後、所定温度で焼
結して形成される。
First and second dielectric substrates 41a and 41b
Is made of a dielectric ceramic for microwaves and has a rectangular shape as a whole. Specifically, the first and second dielectric substrates 41a and 41b are formed by press molding a powder material made of a dielectric ceramic material having a predetermined thickness, for example, 1.0 mm. At this time, the concave portion 45 forming the slit 11
a and 45b are formed at the same time. Then, it is formed by sintering at a predetermined temperature.

【0017】上述の導体パターン42a、42b、外導
体44a、44b及び接合用導体膜43a、43b、第
2の誘電体基板41a上の容量パターン13を構成する
パッド部13aと導体部13bは、夫々誘電体磁器側か
ら銀又は銅の蒸着による薄膜下地層、銅メッキの中間
層、接合材料のメッキして形成された表面層の3層構造
となっている。これらは、上述の焼結した誘電体磁器か
らなる基板を、所定形状のマスクを被着して、真空蒸着
により下地層を形成し、さらに、下地層上に銅メッキに
より中間層を形成し、さらに中間層上に接合材料、例え
ば、Au、Sn、Sn合金などをメッキにより表面層を
形成する。
The above-mentioned conductor patterns 42a and 42b, the outer conductors 44a and 44b, the conductor films 43a and 43b for joining, and the pad portion 13a and the conductor portion 13b constituting the capacitance pattern 13 on the second dielectric substrate 41a are respectively formed. It has a three-layer structure including a thin film underlayer formed by vapor deposition of silver or copper, an intermediate layer of copper plating, and a surface layer formed by plating a bonding material from the dielectric ceramic side. These are substrates made of the above-mentioned sintered dielectric porcelain, coated with a mask of a predetermined shape, to form an underlayer by vacuum deposition, and further to form an intermediate layer by copper plating on the underlayer, Further, a surface layer is formed on the intermediate layer by plating a bonding material such as Au, Sn or Sn alloy.

【0018】下地層は、その上部に中間層、表面層をメ
ッキによって形成可能にするための誘電体基板への密着
層となり、中間層の銅メッキ層は、高周波電流が流れや
すくし、また、プリント配線基板(図示せず)に実装し
た際には、半田食われなどを防止するためのものであ
り、表面層は、2つの誘電体基板41a、41bとの接
合を容易にするためのものである。即ち、2つの誘電体
基板41a、41bとが接合される際に、所定温度の熱
を与えることで、誘電体基板41aの表面層と誘電体基
板41bの表面層とが互いに共晶層などを形成して一体
化するような材料を選択することが望ましい。
The base layer serves as an adhesion layer to the dielectric substrate so that the intermediate layer and the surface layer can be formed on the upper side by plating, and the copper plating layer of the intermediate layer facilitates the passage of high frequency current, and When mounted on a printed wiring board (not shown), it is for preventing solder erosion and the like, and the surface layer is for facilitating bonding with the two dielectric substrates 41a and 41b. Is. That is, when the two dielectric substrates 41a and 41b are bonded together, heat of a predetermined temperature is applied so that the surface layer of the dielectric substrate 41a and the surface layer of the dielectric substrate 41b form a eutectic layer or the like. It is desirable to select materials that are formed and integrated.

【0019】また、導体パターン42a、42bは、所
定特性が得られるようにその幅が決められ、該導体パタ
ーン42a、42b部分で接合のみによって2つの誘電
体基板41a、41bとの接合した時に、その接合強度
が充分に得られない場合に、接合用導体膜43a、43
bの幅が重要となる。尚、接合用導体膜43a、43b
は、接合強度の維持及び2つの誘電体基板41a、41
bに形成した外導体44a、44b間の電気的接続を確
実にするとともに、スリット11以外での共振器間の不
要な結合を防止するために形成されている。
Further, the widths of the conductor patterns 42a and 42b are determined so as to obtain predetermined characteristics, and when the conductor patterns 42a and 42b are joined to the two dielectric substrates 41a and 41b only by joining, When the bonding strength is not sufficiently obtained, the bonding conductor films 43a, 43
The width of b is important. The bonding conductor films 43a and 43b
Is for maintaining the bonding strength and for the two dielectric substrates 41a, 41
It is formed to ensure electrical connection between the outer conductors 44a and 44b formed in b and to prevent unnecessary coupling between resonators other than the slit 11.

【0020】さらに、2つの誘電体基板41a、41b
を一主面どうしで接合したときには、誘電体基板41
a、41bの接合端面に形成した凹部45a、45bが
重畳され、積層共振器1aの厚み方向を貫通するスリッ
ト11を構成する一方の凹部となる。この凹部45a、
45bの積層共振器1aの長手方向の長さや、積層共振
器1aへの切り込み量は、フィルタ部1を構成する積層
共振器1aと、それと接合する積層共振器1bとの結合
度合いによって予め決定されている。尚、この凹部45
a、45bの内部には外導体44a、44bは形成され
ておらず、誘電体磁器が露出している。
Further, two dielectric substrates 41a and 41b are provided.
When the two main surfaces are joined together, the dielectric substrate 41
The concave portions 45a and 45b formed on the joint end surfaces of a and 41b are overlapped with each other to form one concave portion that constitutes the slit 11 penetrating in the thickness direction of the laminated resonator 1a. This recess 45a,
The length in the longitudinal direction of the laminated resonator 1a of 45b and the cut amount into the laminated resonator 1a are determined in advance by the degree of coupling between the laminated resonator 1a forming the filter unit 1 and the laminated resonator 1b joined thereto. ing. Incidentally, this recess 45
Outer conductors 44a and 44b are not formed inside a and 45b, and the dielectric ceramic is exposed.

【0021】尚、上述の積層共振器1cは、スリット1
2を構成する一方の凹部45a、45bが、積層共振器
1aの場合と反対方向の接合端面に形成されていること
を除いて、上述の第1の積層共振器1aと同一構造とな
っている。また、積層共振器1bは、入出力用容量成分
が不要であるため、第2の積層共振器1bを構成する第
2の誘電体基板42bの延出部分Xには容量パターンが
形成されていないこと及びスリット11、12を構成す
る他方の凹部45a、45bが、積層共振器1bの両側
の接合端面に形成されることを除いて、上述の第1の積
層共振器1aと同一構造となっている。
The laminated resonator 1c has the slit 1
2 has the same structure as the above-mentioned first laminated resonator 1a, except that one of the concave portions 45a and 45b constituting the second laminated resonator is formed on the junction end face in the direction opposite to that of the laminated resonator 1a. .. Further, since the laminated resonator 1b does not require an input / output capacitance component, no capacitance pattern is formed on the extending portion X of the second dielectric substrate 42b that constitutes the second laminated resonator 1b. And the other concave portions 45a and 45b forming the slits 11 and 12 are formed in the junction end faces on both sides of the laminated resonator 1b, and have the same structure as the above-described first laminated resonator 1a. There is.

【0022】このような構成をした3つの積層共振器1
a、1b、1cが、接合端面を介して接合するととも
に、積層共振器1aに形成した一方の凹部(誘電体基板
41a、41bの凹部45a、45bが重畳されて構成
されている)と、積層共振器1bに形成した他方の凹部
とによってスリット11が構成され、また積層共振器1
bに形成した他方の凹部と、積層共振器1cに形成した
一方の凹部とによってスリット12が構成されている。
Three laminated resonators 1 having such a configuration
a, 1b, and 1c are joined via the joining end face, and one recessed portion (which is formed by overlapping the recessed portions 45a and 45b of the dielectric substrates 41a and 41b) formed in the laminated resonator 1a is laminated. The other concave portion formed in the resonator 1b constitutes the slit 11, and the laminated resonator 1
The slit 12 is formed by the other concave portion formed in b and the one concave portion formed in the laminated resonator 1c.

【0023】具体的な接合方法は、表面にSnメッキ等
が施された下ケース2上に、第1乃至第3の積層共振器
1a〜1cの接合端面どうしを当接し、この状態で加熱
処理することにより、導体パターン42a、42b及び
接合用導体膜43a、43bの表面層どうしが共晶層を
形成して、互いに接合される。例えば、第1の誘電体基
板41a側の導体パターン42a及び接合用導体膜43
aの表面層に、厚み10〜50μmのSnメッキで形成
し、さらに第2の誘電体基板41bの導体パターン42
b及び接合用導体膜43bの表面層に厚み0.1〜0.
5μmのAuメッキで形成した場合、加熱処理温度は、
約280〜300℃程度を印加するだけで、Au−Sn
共晶層が形成され、これにより2つの誘電体基板41
a、41bが接合される。
As a specific joining method, the joining end surfaces of the first to third laminated resonators 1a to 1c are brought into contact with each other on the lower case 2 whose surface is plated with Sn, and the heat treatment is performed in this state. By doing so, the surface layers of the conductor patterns 42a and 42b and the bonding conductor films 43a and 43b form eutectic layers and are bonded to each other. For example, the conductor pattern 42a and the bonding conductor film 43 on the first dielectric substrate 41a side.
The surface layer of a is formed by Sn plating with a thickness of 10 to 50 μm, and the conductor pattern 42 of the second dielectric substrate 41b is further formed.
b and the surface layer of the bonding conductor film 43b have a thickness of 0.1 to 0.
When formed by 5 μm Au plating, the heat treatment temperature is
Au-Sn can be applied only by applying about 280 to 300 ° C.
A eutectic layer is formed, whereby two dielectric substrates 41 are formed.
a and 41b are joined.

【0024】また、一方の当接面側の導体パターン42
a及び接合用導体膜43aにクリーム半田などを塗布し
ておき、リフロー炉で一括的に半田接合してもよいし、
また、樹脂性の導電性接着剤をもちいても構わない。
Further, the conductor pattern 42 on the one contact surface side
It is also possible to apply cream solder or the like to a and the conductor film 43a for joining, and to solder jointly in a reflow furnace.
Further, a resinous conductive adhesive may be used.

【0025】下ケース2は、Snメッキが施された鉄、
リン青銅などからなり、3つの積層共振器1a〜1cが
載置される矩形状平板部21と、該平板部21の側部か
ら上方に屈曲され、積層共振器1a〜1cの位置決めを
行う突出片22・・・と、該平板部21の側部から水平
方向に延びたアース端子23、23とから構成されてい
る。また、平板部21の開放端面側には、切り欠け部2
4、24が形成されている。この下ケース2は、図示し
ていないが、アース端子23、23の先端が外部に延出
して、フレーム体に接合されており、組立工程の最終段
階で、アース端子23、23の先端部分でフレーム体か
ら切断される。即ち、フレーム体には、複数の下ケース
2が一体的に形成されているので、複数の誘電体フィル
タを一括的に組立を行うことができる。
The lower case 2 is made of Sn-plated iron,
A rectangular flat plate portion 21 made of phosphor bronze or the like on which the three laminated resonators 1a to 1c are mounted, and a protrusion bent upward from a side portion of the flat plate portion 21 to position the laminated resonators 1a to 1c. .. and ground terminals 23, 23 extending horizontally from the side portion of the flat plate portion 21. Further, the cutout portion 2 is provided on the open end face side of the flat plate portion 21.
4, 24 are formed. Although not shown, the lower case 2 has the tips of the ground terminals 23, 23 extended to the outside and joined to the frame body. It is cut from the frame body. That is, since the plurality of lower cases 2 are integrally formed with the frame body, a plurality of dielectric filters can be assembled at once.

【0026】上ケース3は、Siメッキが施された鉄、
リン青銅などからなり、3つの積層共振器1a〜1cを
被覆する箱体形状を成している。積層共振器1a〜1c
の開放端面側の上ケース3の側壁には、入出力端子4
a、4bとの短絡を防止するための切り欠け部31・・
が形成されており、さらに該側壁の下端には、水平方向
に延びるアース端子32が形成されている。積層共振器
1a〜1cの側端面と当接する上ース3の側壁には、下
ケース2の突出片22・・・が入り込む切り欠け部33
が形成されている。
The upper case 3 is made of iron plated with Si,
It is made of phosphor bronze or the like, and has a box shape that covers the three laminated resonators 1a to 1c. Multilayer resonators 1a to 1c
On the side wall of the upper case 3 on the open end side of the
Notch 31 for preventing short circuit between a and 4b
And a ground terminal 32 extending in the horizontal direction is formed at the lower end of the side wall. A notch 33 into which the protruding piece 22 of the lower case 2 is inserted is formed on the side wall of the upper case 3 that comes into contact with the side end surfaces of the laminated resonators 1a to 1c.
Are formed.

【0027】入出力端子4a、4bは、例えばL字状の
Snメッキが施された鉄、リン青銅、などからなり、L
字状の垂直面が積層共振器1a、1cの開放端面にまで
延出するパッド部13aと半田接合される接続部であ
り、水平面がプリント配線基板(図示せず)と接続する
リード部となる。このリード部は、上述のアース端子2
3、23、32と同じ平面上に位置し、プリント配線基
板上に形成した配線と表面実装される。
The input / output terminals 4a and 4b are made of, for example, L-shaped Sn-plated iron, phosphor bronze, or the like.
The vertical surface of the letter shape is a connecting portion soldered to the pad portion 13a extending to the open end surfaces of the laminated resonators 1a and 1c, and the horizontal surface is a lead portion connecting to a printed wiring board (not shown). .. This lead portion is the ground terminal 2 described above.
It is located on the same plane as 3, 23 and 32 and is surface-mounted with the wiring formed on the printed wiring board.

【0028】上述の構造の誘電体フィルタ10は、3つ
の積層共振器1a〜1cによって、3つの共振回路が構
成され、スリット11、12を介して、3つの共振回路
が電磁界結合によって接続され、さらに容量パターン1
3、14によって、両端に位置する共振回路に入出力容
量が接続されて構成されることになる。
In the dielectric filter 10 having the above-described structure, the three laminated resonators 1a to 1c constitute three resonant circuits, and the three resonant circuits are connected through the slits 11 and 12 by electromagnetic field coupling. , And capacity pattern 1
3 and 14, the input and output capacitors are connected to the resonance circuits located at both ends.

【0029】次に、上述の誘電体フィルタの製造方法を
説明する。
Next, a method of manufacturing the above dielectric filter will be described.

【0030】先ず、各積層共振器1a〜1cを構成する
第1及び第2の誘電体基板41a、41bを形成する。
即ち、上述したように、誘電体材料からなる粉体材料を
所定形状に成型し、焼成した後、薄膜技法、メッキ技法
によって、導体パターン42a、42b、接合用導体膜
43a、43b、外導体44a、44b及び必要に応じ
て容量パターン13、14を形成する。
First, the first and second dielectric substrates 41a and 41b forming each of the laminated resonators 1a to 1c are formed.
That is, as described above, a powder material made of a dielectric material is molded into a predetermined shape and fired, and then the conductor patterns 42a and 42b, the bonding conductor films 43a and 43b, and the outer conductor 44a are formed by a thin film technique and a plating technique. , 44b and, if necessary, the capacitance patterns 13 and 14 are formed.

【0031】次に、下ケース2の平板部21上に、第1
及び第2の誘電体基板41a、41bの主面どうしを当
接して、例えば280〜300°の温度で加熱処理し
て、積層共振器1a〜1cを形成する。尚、この時、各
積層共振器1a〜1cの接合端面どうしを当接しておけ
ば、下ケース2上にフィルタ部1を同時に構成すること
ができる。
Next, on the flat plate portion 21 of the lower case 2, the first
Then, the main surfaces of the second dielectric substrates 41a and 41b are brought into contact with each other and heat-treated at a temperature of, for example, 280 to 300 ° to form the laminated resonators 1a to 1c. At this time, if the joint end surfaces of the laminated resonators 1a to 1c are brought into contact with each other, the filter portion 1 can be simultaneously formed on the lower case 2.

【0032】次に、下ケース2の平板部21上のフィル
タ部1のパッド部13a、14aに入出力端子4a、4
bを、フィルタ部1の上面側から上ケース3を夫々クリ
ーム半田を介して配置する。
Next, the pad portions 13a and 14a of the filter portion 1 on the flat plate portion 21 of the lower case 2 are connected to the input / output terminals 4a and 4a.
b, the upper case 3 is arranged from the upper surface side of the filter section 1 via cream solder, respectively.

【0033】次に、上述の下ケース2にフィルタ部1、
上ケース3を載置し、さらに入出力端子4a、4bを配
置した構造物を、リフロー炉に投入して、下ケース2及
び上ケース3と各積層共振器1a〜1cの外導体44
a、44bとを半田接合するとともに、容量パターン1
3、14のパッド部13a、14aに入出力端子4a、
4bを半田接合する。
Next, the filter unit 1 is attached to the lower case 2 described above.
The structure in which the upper case 3 is placed and further the input / output terminals 4a and 4b are arranged is put into a reflow furnace, and the lower case 2 and the upper case 3 and the outer conductor 44 of each of the laminated resonators 1a to 1c.
a and 44b are soldered together and the capacitance pattern 1
The input / output terminals 4a are connected to the pad portions 13a and 14a of
4b is soldered.

【0034】最後に、下ケース2のアース端子23、2
3の先端で、フレーム体から切断して、個々の誘電体フ
ィルタを得る。
Finally, the ground terminals 23, 2 of the lower case 2
At the tip of 3, cut from the frame body to obtain individual dielectric filters.

【0035】以上のように製造された誘電体フィルタで
は、2つの誘電体基板を主面どうしを接合した積層共振
器を側部端面方向に、複数個接合したため、フィルタの
厚みが大変薄く形成できるため、極めて低背型の誘電体
フィルタが達成される。
In the dielectric filter manufactured as described above, since a plurality of laminated resonators in which two dielectric substrates are bonded to each other at their main surfaces are bonded in the side end face direction, the thickness of the filter can be made very thin. Therefore, an extremely low-profile dielectric filter is achieved.

【0036】また、積層共振器1a〜1cどうしを結合
するために、積層共振器1a〜1cの上下面の厚み方向
を貫通するスリット11、12が形成されており、この
スリット11、12が誘電体材料のグリーンシートの状
態で、加工されるため、その加工が極めて容易となる。
In order to couple the laminated resonators 1a to 1c with each other, slits 11 and 12 penetrating the upper and lower surfaces of the laminated resonators 1a to 1c in the thickness direction are formed, and the slits 11 and 12 are dielectric. Since the green sheet of the body material is processed, the processing becomes extremely easy.

【0037】また、各積層共振器1a〜1cの外導体4
4a、44bがスリット11、12となる凹部45a、
45bとその周囲が若干形成されていないだけで、実質
的に外導体44a、44bに覆われているので、フィル
タ部1のQ値が高く、損失の少ない誘電体フィルタが達
成される。特に、導体パターン42a、42b、外導体
44a、44bを構成する材料に銅の下地層、銅メッキ
の中間層があり、高周波電流に対する抵抗が極めて低抵
抗化することができ、この点からも、損失の少ない誘電
体フィルタとなる。
Further, the outer conductor 4 of each of the laminated resonators 1a to 1c.
4a and 44b are recesses 45a in which the slits 11 and 12 are formed,
Since the outer conductors 44a and 44b are substantially covered with only a small portion of the portion 45b and its periphery formed, a dielectric filter having a high Q value and a small loss can be achieved. In particular, the material forming the conductor patterns 42a and 42b and the outer conductors 44a and 44b includes a copper underlayer and a copper-plated intermediate layer, which can significantly reduce the resistance to high-frequency current. It becomes a dielectric filter with little loss.

【0038】また、2つの誘電体基板41a、41bの
一主面どうしの接合及び複数の積層共振器1a〜1cの
接合がリフロー炉による一括的な加熱処理によって形成
されるため、製造加工が容易な誘電体フィルタとなる。
Further, since the joining of the two main surfaces of the two dielectric substrates 41a and 41b and the joining of the plurality of laminated resonators 1a to 1c are formed by the collective heat treatment by the reflow furnace, the manufacturing process is easy. It becomes a dielectric filter.

【0039】次に、上述の製造方法では、フィルタ部1
が、積層共振器1a〜1cを構成する6つの第1及び第
2の誘電体基板41a、41bから一括的に接合・形成
されるために、各積層共振器1a〜1cを、個別に共振
周波数を調整することが困難となる。このため、各積層
共振器1a〜1cを接合した後に、個別に共振周波数を
調整する必要がある。従って、フィルタ部1を下ケース
2に載置した後に行われる。具体的には、積層共振器1
bの幅を跨がり、スリット11、12を挿入されるコ字
状のシールド金具を用いる。これによって電気的には各
積層共振器1a〜1cが外導体44a、44b及びスリ
ット11、12を挿入されるコ字状のシールド金具によ
って完全に分離される。この状態で、個々の積層共振器
1a〜1cの導体パターン42bとシールド板とに測定
用プローブを当て、モニターしながら、各積層共振器1
a〜1cの上面に形成した外導体44aの開放端面との
稜線部分で、又はスリット11、12の周囲の外導体4
4aをレーザーやリュターによって除去し、所定共振周
波数にまで追い込んでゆく。即ち、初期の積層共振器1
a〜1cの共振周波数は、所期共振周波数よりも、若干
低目の周波数に設定しておく必要がある。
Next, in the above manufacturing method, the filter unit 1
Are collectively bonded and formed from the six first and second dielectric substrates 41a and 41b that form the laminated resonators 1a to 1c, so that the laminated resonators 1a to 1c are individually resonant frequencies. Becomes difficult to adjust. Therefore, it is necessary to individually adjust the resonance frequency after joining the laminated resonators 1a to 1c. Therefore, it is performed after the filter unit 1 is placed on the lower case 2. Specifically, the laminated resonator 1
A U-shaped shield metal fitting that extends over the width of b and into which the slits 11 and 12 are inserted is used. As a result, the laminated resonators 1a to 1c are electrically separated completely by the U-shaped shield fittings into which the outer conductors 44a and 44b and the slits 11 and 12 are inserted. In this state, the measurement pattern is applied to the conductor pattern 42b and the shield plate of each of the multilayer resonators 1a to 1c, and the multilayer resonators 1 are monitored while being monitored.
the outer conductor 4a formed on the upper surface of a to 1c at the ridge portion with the open end face of the outer conductor 44a or around the slits 11,
4a is removed by a laser or a lutor, and is driven to a predetermined resonance frequency. That is, the initial laminated resonator 1
The resonance frequencies of a to 1c need to be set to frequencies slightly lower than the desired resonance frequency.

【0040】上述の実施例では、スリット11、12と
なる凹部45a、45bは誘電体基板41a、41bを
焼成した後に、機械的な切削加工により形成してもよ
い。この場合においても、基板の厚み方向の研削である
ため、従来の直方体状の誘電体ブロックの切削加工に比
較して、迅速に加工が行える。また、導体パターン42
a、42b、接合用導体膜43a、43b、外導体44
a、44bが薄膜技法で形成されているが、導体材料の
印刷法、塗布法などの厚膜技法で形成してもよいし、ま
た第1及び第2の誘電体基板41a、41bの接合方法
も、外導体44a、44bの一部どうしの共晶層の形成
の他に、高温半田などの導電性接着材を用いても構わな
い。
In the above-described embodiment, the recesses 45a and 45b to be the slits 11 and 12 may be formed by mechanical cutting after firing the dielectric substrates 41a and 41b. Also in this case, since the substrate is ground in the thickness direction, it can be processed more quickly than the conventional cutting process of a rectangular parallelepiped dielectric block. In addition, the conductor pattern 42
a, 42b, bonding conductor films 43a, 43b, outer conductor 44
Although a and 44b are formed by a thin film technique, they may be formed by a thick film technique such as a printing method or a coating method of a conductor material, or a joining method of the first and second dielectric substrates 41a and 41b. Alternatively, a conductive adhesive such as high temperature solder may be used in addition to the formation of the eutectic layer between the outer conductors 44a and 44b.

【0041】また、積層共振器1a〜1cの接合が、下
ケース2に接合と同時におこなっているが、積層共振器
1a〜1cを接合してフィルタ部1を形成した後、この
フィルタ部1を下ケース2に半田を介して配置しても構
わない。
Although the laminated resonators 1a to 1c are joined to the lower case 2 at the same time as the joined case, the laminated resonators 1a to 1c are joined to form the filter portion 1 and then the filter portion 1 is formed. It may be arranged on the lower case 2 via solder.

【0042】また、図4のフィルタ部1に示すように、
各積層共振器1a〜1cの接合端面に形成したスリット
15、16の一部を、各積層共振器1a〜1cの開放端
面側に延出させ、開口した状態にしても構わない。
Further, as shown in the filter section 1 of FIG.
A part of the slits 15 and 16 formed on the joint end faces of each of the laminated resonators 1a to 1c may be extended to the open end face side of each of the laminated resonators 1a to 1c to be opened.

【0043】また、上述の各実施例では、スリット1
1、12が誘電体基板41a〜41bの内部にまで入り
込んだ凹部45a、45bによって構成されているが、
外導体44a、44bのみを所定寸法で選択で除去した
窓状のスリットであっても構わない。このような外導体
44a、44bのみを除去したスリットを形成した時に
は、結合度の調整を、外導体44a、44bのみを除去
したスリットと連続する積層共振器の上下面の外導体を
若干除去することによって行ってもよい。
In each of the above embodiments, the slit 1
1 and 12 are formed by the recessed portions 45a and 45b that have entered the inside of the dielectric substrates 41a and 41b,
It may be a window-shaped slit formed by selectively removing only the outer conductors 44a and 44b with a predetermined size. When the slits are formed by removing only the outer conductors 44a and 44b, the coupling degree is adjusted by slightly removing the outer conductors on the upper and lower surfaces of the laminated resonator which are continuous with the slits in which only the outer conductors 44a and 44b are removed. You may go by

【0044】[0044]

【発明の効果】以上、本発明の誘電体フィルタによれ
ば、2つの誘電体基板を主面どうしを接合した積層共振
器を側部端面方向で、複数個接合したため、フィルタの
厚みが大変薄く形成できるため、極めて低背型の誘電体
フィルタが達成される。
As described above, according to the dielectric filter of the present invention, since a plurality of laminated resonators in which two dielectric substrates are bonded to each other at their principal surfaces are bonded in the side end face direction, the thickness of the filter is very thin. Since it can be formed, an extremely low-profile dielectric filter is achieved.

【0045】また、積層共振器どうしを結合するため
に、スリットが、基板の厚みが薄い厚み方向を貫通する
ように形成されているため、スリット加工が極めて容易
となる。さらに、各積層共振器の外導体がスリットとそ
の周囲を除いて、外周面に形成されているため、フィル
タ部のQ値が高く、損失の少ない誘電体フィルタが達成
される。
Further, since the slits are formed so as to connect the laminated resonators to each other in the thickness direction of the substrate, the slit processing becomes extremely easy. Furthermore, since the outer conductor of each laminated resonator is formed on the outer peripheral surface except for the slit and its surroundings, a dielectric filter having a high Q value of the filter portion and little loss can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の誘電体フィルタの分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a dielectric filter of the present invention.

【図2】図1のA−A線の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】本発明の誘電体フィルタの積層共振器の展開斜
視図である。
FIG. 3 is a developed perspective view of a laminated resonator of the dielectric filter of the present invention.

【図4】本発明の他の誘電体フィルタのフィルタ部の斜
視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a filter portion of another dielectric filter of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10・・・・・・誘電体フィルタ 1a〜1c・・・積層共振器 11、12、15、16・・・スリット 41a・・・・・第1の誘電体基板 41b・・・・・第2の誘電体基板 42a、42a・・導体パターン 43a、43a・・接合用導体膜 44a、44a・・・外導体 10 ... Dielectric filter 1a to 1c ... Laminated resonator 11, 12, 15, 16 ... Slit 41a ... First dielectric substrate 41b ... Second Dielectric substrate 42a, 42a ... Conductor pattern 43a, 43a ... Bonding conductor film 44a, 44a ... Outer conductor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一端面及び一主面を除く外表面に外導体を
形成した一対の矩形状誘電体基板間に帯状の導体パター
ンを介在させて成る積層共振器を、複数個、その各々の
側面を接合させて形成した誘電体フィルタであって、 前記積層共振器の接合面に、厚み方向に貫通する外導体
のないスリットを形成したことを特徴とする誘電体フィ
ルタ。
1. A plurality of laminated resonators, each of which has a strip-shaped conductor pattern interposed between a pair of rectangular dielectric substrates having outer conductors formed on outer surfaces except one end surface and one main surface. A dielectric filter formed by joining side surfaces, wherein a slit without an outer conductor penetrating in a thickness direction is formed on a joining surface of the laminated resonator.
【請求項2】前記スリットが基板一端面から露出してい
ることを特徴とする請求項1記載の誘電体フィルタ。
2. The dielectric filter according to claim 1, wherein the slit is exposed from one end surface of the substrate.
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