JPH05234864A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPH05234864A JPH05234864A JP3124892A JP3124892A JPH05234864A JP H05234864 A JPH05234864 A JP H05234864A JP 3124892 A JP3124892 A JP 3124892A JP 3124892 A JP3124892 A JP 3124892A JP H05234864 A JPH05234864 A JP H05234864A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 描画の非対称歪を解消することのできる電子
線描画装置を提供する。 【構成】 試料ステ−ジ上の複数のマ−クからの反射電
子信号の中の一つを電子線直下位置に設定し、上記中心
マ−クに対して点対称位置にあるマ−クからの反射電子
信号より上記それぞれの焦点づれ量を検出し、さらに上
記焦点づれ量を等しくする中心マ−ク位置の補正量を算
出してアライナを制御する。
線描画装置を提供する。 【構成】 試料ステ−ジ上の複数のマ−クからの反射電
子信号の中の一つを電子線直下位置に設定し、上記中心
マ−クに対して点対称位置にあるマ−クからの反射電子
信号より上記それぞれの焦点づれ量を検出し、さらに上
記焦点づれ量を等しくする中心マ−ク位置の補正量を算
出してアライナを制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子線描画装置に関わ
り、とくに描画図形の非対称歪を低減することのできる
電子線描画装置に関する。
り、とくに描画図形の非対称歪を低減することのできる
電子線描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子線描画装置は、例えば特願昭
５６−１６５３６号公報に記載のように、移動台上のマ
ークを無偏向の電子線直下に固定し、電子線の方向を周
期的に変えて上記マークを走査し、マークからの反射電
子によりマーク位置を検出し、上記検出されたマーク位
置が上記電子線の向きによらず変化しない電子レンズの
焦点位置を見出して電子線の焦点調整を行なうようにし
ていた。
５６−１６５３６号公報に記載のように、移動台上のマ
ークを無偏向の電子線直下に固定し、電子線の方向を周
期的に変えて上記マークを走査し、マークからの反射電
子によりマーク位置を検出し、上記検出されたマーク位
置が上記電子線の向きによらず変化しない電子レンズの
焦点位置を見出して電子線の焦点調整を行なうようにし
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方法は、電子
線描画の範囲（偏向巾）が比較的小さい場合には十分な
焦点合わせ精度が得られていた。しかし、最近のように
偏向巾が３ｍｍから６ｍｍ、さらに１０ｍｍと大きくな
り、同時に描画パターン巾が０.５μｍ以下と小さくな
ると上記寸法精度をさらに高めることが必要になってき
ている。この場合、パターン巾が偏向位置に依存して変
化するという問題が発生していた。本発明の目的は上記
パターン巾の変動を低減し、広い偏向領域を均一に収束
した電子線により描画することのできる電子線描画装置
を提供することにある。
線描画の範囲（偏向巾）が比較的小さい場合には十分な
焦点合わせ精度が得られていた。しかし、最近のように
偏向巾が３ｍｍから６ｍｍ、さらに１０ｍｍと大きくな
り、同時に描画パターン巾が０.５μｍ以下と小さくな
ると上記寸法精度をさらに高めることが必要になってき
ている。この場合、パターン巾が偏向位置に依存して変
化するという問題が発生していた。本発明の目的は上記
パターン巾の変動を低減し、広い偏向領域を均一に収束
した電子線により描画することのできる電子線描画装置
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、試料を載置するステ−ジ上に設けた複数のマ−クか
らの反射電子信号の中の一つを電子線直下位置（無偏向
電子線の照射位置）に設定し、上記中心マ−クに対して
点対称位置に存在する少なくとも一対のマ−ク（周辺マ
−ク）に上記電子線を偏向して得られるそれぞれの反射
電子信号より上記それぞれの焦点づれ量の偏差値を検出
し、上記焦点づれ量の偏差値より上記中心マ−ク位置の
補正量を算出するようにする。
に、試料を載置するステ−ジ上に設けた複数のマ−クか
らの反射電子信号の中の一つを電子線直下位置（無偏向
電子線の照射位置）に設定し、上記中心マ−クに対して
点対称位置に存在する少なくとも一対のマ−ク（周辺マ
−ク）に上記電子線を偏向して得られるそれぞれの反射
電子信号より上記それぞれの焦点づれ量の偏差値を検出
し、上記焦点づれ量の偏差値より上記中心マ−ク位置の
補正量を算出するようにする。
【０００５】また、上記複数のマ−クの中の一つを電子
線直下位置（無偏向電子線の照射位置）に対して点対称
な位置に順次移動して得られるそれぞれの反射電子信号
より上記電子線の焦点づれ量の偏差値を検出し、上記焦
点づれ量の偏差値より上記中心マ−ク位置の補正量を算
出するようにする。
線直下位置（無偏向電子線の照射位置）に対して点対称
な位置に順次移動して得られるそれぞれの反射電子信号
より上記電子線の焦点づれ量の偏差値を検出し、上記焦
点づれ量の偏差値より上記中心マ−ク位置の補正量を算
出するようにする。
【０００６】また、上記複数のマ−クに上記電子線を偏
向、照射して得られるそれぞれの焦点づれ量とそれぞれ
のマ−ク位置の座標値とを、焦点づれ量と電子線照射位
置との関係式に代入して上記関係式の係数値を確定し、
上記係数値を確定した関係式より上記複数のマ−クの焦
点づれ量を最小とするマ−ク位置補正量を算出するよう
にする。
向、照射して得られるそれぞれの焦点づれ量とそれぞれ
のマ−ク位置の座標値とを、焦点づれ量と電子線照射位
置との関係式に代入して上記関係式の係数値を確定し、
上記係数値を確定した関係式より上記複数のマ−クの焦
点づれ量を最小とするマ−ク位置補正量を算出するよう
にする。
【０００７】また、上記各マ−ク位置の補正において、
電子線直下位置に対して点対称位置にあるマ−ク対のそ
れぞれの焦点づれ量を等しくするようにマ−ク位置を補
正する。また、上記各マ−クの焦点づれ量をそれぞれの
反射電子信号の微分信号の幅より算出するようにする。
電子線直下位置に対して点対称位置にあるマ−ク対のそ
れぞれの焦点づれ量を等しくするようにマ−ク位置を補
正する。また、上記各マ−クの焦点づれ量をそれぞれの
反射電子信号の微分信号の幅より算出するようにする。
【０００８】
【作用】上記焦点づれ量の偏差値検出手段は、ステ−ジ
上の電子線直下点に対して点対称位置にある各マ−ク位
置からの反射電子信号を比較して上記焦点づれ量の偏差
値を検出し、上記中心マ−ク位置補正量算出手段は上記
偏差値よりアライナの補正信号を算出する。
上の電子線直下点に対して点対称位置にある各マ−ク位
置からの反射電子信号を比較して上記焦点づれ量の偏差
値を検出し、上記中心マ−ク位置補正量算出手段は上記
偏差値よりアライナの補正信号を算出する。
【０００９】また、上記焦点づれ量の偏差値検出手段
は、上記一つのマ−クを電子線直下位置に対して点対称
な位置に順次移動して得られるそれぞれの反射電子信号
を比較して上記焦点づれ量の偏差値を検出し、上記中心
マ−ク位置補正量算出手段は上記偏差値よりアライナの
制御信号を算出する。
は、上記一つのマ−クを電子線直下位置に対して点対称
な位置に順次移動して得られるそれぞれの反射電子信号
を比較して上記焦点づれ量の偏差値を検出し、上記中心
マ−ク位置補正量算出手段は上記偏差値よりアライナの
制御信号を算出する。
【００１０】また、上記関係式確定手段は、複数のマ−
クからの反射電子信号より得られるそれぞれの焦点づれ
量とマ−ク位置の座標値とを用いて、焦点づれ量と電子
線照射位置との関係式を確定し、上記マ−ク位置補正量
算出手段は上記関係式より上記複数のマ−クの焦点づれ
量を最小とするマ−ク位置の補正量を算出する。
クからの反射電子信号より得られるそれぞれの焦点づれ
量とマ−ク位置の座標値とを用いて、焦点づれ量と電子
線照射位置との関係式を確定し、上記マ−ク位置補正量
算出手段は上記関係式より上記複数のマ−クの焦点づれ
量を最小とするマ−ク位置の補正量を算出する。
【００１１】また、上記マ−ク位置補正量は、電子線直
下位置に対して点対称位置にあるマ−ク対のそれぞれの
焦点づれ量を等しくするように算出される。。また、上
記各マ−クの焦点づれ量をそれぞれの反射電子信号の微
分信号の幅より算出するようにする。
下位置に対して点対称位置にあるマ−ク対のそれぞれの
焦点づれ量を等しくするように算出される。。また、上
記各マ−クの焦点づれ量をそれぞれの反射電子信号の微
分信号の幅より算出するようにする。
【００１２】
【実施例】図１は本発明による電子線描画装置の全体構
成図である。電子銃１から放射される電子ビーム２は絞
り３１、３２およびレンズ４１、４２等により所定の形
状と電流密度に制御され、ステージ８上のマスク（試
料）９に照射される。また、レーザ光源３４のレーザビ
ームをハーフミラー３３を介してレーザミラー３５に照
射し、その反射光と標準ミラー３６を介して戻ってくる
ビ−ムの双方を受光器１５にて受光し、干渉計１７によ
りステージ８の位置を０.０１μｍの精度で計測してス
テージ制御部１６によりステージ８の位置決め、移動等
の制御を行なう。
成図である。電子銃１から放射される電子ビーム２は絞
り３１、３２およびレンズ４１、４２等により所定の形
状と電流密度に制御され、ステージ８上のマスク（試
料）９に照射される。また、レーザ光源３４のレーザビ
ームをハーフミラー３３を介してレーザミラー３５に照
射し、その反射光と標準ミラー３６を介して戻ってくる
ビ−ムの双方を受光器１５にて受光し、干渉計１７によ
りステージ８の位置を０.０１μｍの精度で計測してス
テージ制御部１６によりステージ８の位置決め、移動等
の制御を行なう。
【００１３】また、偏向器６により電子ビ−ム２をステ
ージ９上に設置されたマーク１０に走査し、検知器７が
検出するマークからの二次電子信号マーク制御部２０に
より処理してマーク位置を認識し、電子ビ−ム２の収束
状況の判断する。図１においては便宜上ステ−ジ８上に
は１個のマ−ク１０が描かれているが、実際には、例え
ば図５に示すように複数のマ−クが所定の形に配置され
ている。コンピュータ２１は描画パターンデ−タを読み
出して偏向器６、ブランカ１８等を制御しマスク９上の
所定位置にパターンを描画する。
ージ９上に設置されたマーク１０に走査し、検知器７が
検出するマークからの二次電子信号マーク制御部２０に
より処理してマーク位置を認識し、電子ビ−ム２の収束
状況の判断する。図１においては便宜上ステ−ジ８上に
は１個のマ−ク１０が描かれているが、実際には、例え
ば図５に示すように複数のマ−クが所定の形に配置され
ている。コンピュータ２１は描画パターンデ−タを読み
出して偏向器６、ブランカ１８等を制御しマスク９上の
所定位置にパターンを描画する。
【００１４】図２は上記電子線描画装置における電子ビ
−ム２の束状況を説明する図である。一般に偏向器６に
より電子ビ−ム２を偏向するとその焦点面は図２（ａ）
の２３のような球面を呈する。図２（ｂ）は図２（ａ）
のＹ−Ｚ軸断面図である。図２（ｂ）において実線で示
した２ａは正しく偏向されている電子ビ−ム２を示し、
点線で示した２ｂは位置がずれた状態で偏向されている
電子ビ−ム２を示している。
−ム２の束状況を説明する図である。一般に偏向器６に
より電子ビ−ム２を偏向するとその焦点面は図２（ａ）
の２３のような球面を呈する。図２（ｂ）は図２（ａ）
のＹ−Ｚ軸断面図である。図２（ｂ）において実線で示
した２ａは正しく偏向されている電子ビ−ム２を示し、
点線で示した２ｂは位置がずれた状態で偏向されている
電子ビ−ム２を示している。
【００１５】上記２ａの場合には電子ビ−ム直下点（偏
向角がゼロの位置）がマスク９上の所定の描画範囲の中
心に一致しているので、偏向角が等しい位置における焦
点ずれ量Δｆは等しくなり、電子ビ−ム直下点（Ｚ軸位
置）対する描画の非対称歪は発生しない。しかし、２ｂ
のように電子ビ−ム直下点描画中心からずれている場合
には偏向角が等しくとも偏向方向により焦点ずれ量Δｆ
が異なってくるので描画の非対称歪が発生する。
向角がゼロの位置）がマスク９上の所定の描画範囲の中
心に一致しているので、偏向角が等しい位置における焦
点ずれ量Δｆは等しくなり、電子ビ−ム直下点（Ｚ軸位
置）対する描画の非対称歪は発生しない。しかし、２ｂ
のように電子ビ−ム直下点描画中心からずれている場合
には偏向角が等しくとも偏向方向により焦点ずれ量Δｆ
が異なってくるので描画の非対称歪が発生する。
【００１６】一般的に上記焦点ずれ量Δｆは対物レンズ
４２に焦点補正電流を流して補正することができる。式
（１）は上記焦点補正電流ｉと描画中心からの距離√
（ｘ2＋ｙ2）の関係式でありα，βは比例定数である。 ｉ＝αΔｆ＝β√（ｘ2＋ｙ2） （１） また、式（１）の補正にはコンピュ−タ２１が出力する
描画位置座標値（ｘ，ｙ）が用いられる。
４２に焦点補正電流を流して補正することができる。式
（１）は上記焦点補正電流ｉと描画中心からの距離√
（ｘ2＋ｙ2）の関係式でありα，βは比例定数である。 ｉ＝αΔｆ＝β√（ｘ2＋ｙ2） （１） また、式（１）の補正にはコンピュ−タ２１が出力する
描画位置座標値（ｘ，ｙ）が用いられる。
【００１７】しかし、上記補正を正しく行なうには現実
の描画位置座標値、例えば図２（ｂ）のｘ’を用いる必
要があるが、現実にはこのｘ’の値を知ることができな
い。そこで本発明では、複数のマ−ク１０を用いて上記
電子ビ−ム直下点を描画中心に正しく合わせるようにす
る。以下、図３〜５を用いて上記本発明の電子光軸調整
方法をを説明する。
の描画位置座標値、例えば図２（ｂ）のｘ’を用いる必
要があるが、現実にはこのｘ’の値を知ることができな
い。そこで本発明では、複数のマ−ク１０を用いて上記
電子ビ−ム直下点を描画中心に正しく合わせるようにす
る。以下、図３〜５を用いて上記本発明の電子光軸調整
方法をを説明する。
【００１８】図３は電子ビ−ム２の収束状況検出方法の
説明図である。図３（ａ）のように電子ビーム２をマー
ク１０上に走査すると図３（ｂ）に示すような反射電子
信号が得られ、これを微分すると図３（ｃ）に示す微分
信号が得られ、この微分信号の半値巾は上記焦点ずれ量
Δｆに比例して図３（ｄ）のように拡がる。
説明図である。図３（ａ）のように電子ビーム２をマー
ク１０上に走査すると図３（ｂ）に示すような反射電子
信号が得られ、これを微分すると図３（ｃ）に示す微分
信号が得られ、この微分信号の半値巾は上記焦点ずれ量
Δｆに比例して図３（ｄ）のように拡がる。
【００１９】図４，図５は図２（ｂ）に示した電子ビ−
ム２の位置を２ｂから２ａに移動するための調整法を説
明する図である。図４において上記電子ビ−ム２の位置
はアライナ５により調整される。図５に示すようにステ
−ジ８にはマーク１０を中心にしてマーク１１〜１４が
対称に配置されている。各マークは図示のように同一形
状で同一方向を向いている。電子線２を上記マーク１０
〜１４のそれぞれに走査するとし、Ｘ方向，Ｙ方向走査
に応じてそれぞれの反射電子信号１０１、１０２〜１４
１〜１４２が得られる。
ム２の位置を２ｂから２ａに移動するための調整法を説
明する図である。図４において上記電子ビ−ム２の位置
はアライナ５により調整される。図５に示すようにステ
−ジ８にはマーク１０を中心にしてマーク１１〜１４が
対称に配置されている。各マークは図示のように同一形
状で同一方向を向いている。電子線２を上記マーク１０
〜１４のそれぞれに走査するとし、Ｘ方向，Ｙ方向走査
に応じてそれぞれの反射電子信号１０１、１０２〜１４
１〜１４２が得られる。
【００２０】このとき、マーク１１から得られる反射電
子信号１１１、１１２と同１３から得られる反射電子信
号１３１、１３２の半値巾すなわち焦点ずれ量Δｆが等
しければマーク１０は電子ビ−ム直下点に位置すること
になる。また、これらが等しくなければマーク１０が電
子ビ−ム直下点からづれているので、電子ビ−ム直下点
がマーク１０の中心にくるようにアライナ５を制御す
る。マーク１２と同１４についても同様である。また、
周辺のマーク１１〜１４が中心のマ−ク１０に対して同
心円状に配置されているときには各マーク１１〜１４か
らの反射電子信号半値巾が揃うようにする。
子信号１１１、１１２と同１３から得られる反射電子信
号１３１、１３２の半値巾すなわち焦点ずれ量Δｆが等
しければマーク１０は電子ビ−ム直下点に位置すること
になる。また、これらが等しくなければマーク１０が電
子ビ−ム直下点からづれているので、電子ビ−ム直下点
がマーク１０の中心にくるようにアライナ５を制御す
る。マーク１２と同１４についても同様である。また、
周辺のマーク１１〜１４が中心のマ−ク１０に対して同
心円状に配置されているときには各マーク１１〜１４か
らの反射電子信号半値巾が揃うようにする。
【００２１】なお、周辺部のマーク数は必ずしも図５に
示したように４個である必要はなく必要に応じて増減し
てもよい。また、マーク数を一個とし、ステ−ジ８によ
りこれを偏向中心とその所定の周辺位置に順次移動して
上記各反射電子信号を得るようにしてもよい。また、上
記反射電子信号の微分信号の半値巾を比較して焦点ずれ
量Δｆの大きさを相対的に知ることができる。すなわ
ち、予め正しい位置関係にある電子ビ−ム２の位置と上
記焦点ずれ量Δｆ、または半値巾、電子ビーム２の径と
の関係を求めてコンピュ−タ２１に記憶させ、焦点ずれ
量Δｆがその位置に対応する関係式の値になるようにア
ライナ５を制御するようにしてもよい。
示したように４個である必要はなく必要に応じて増減し
てもよい。また、マーク数を一個とし、ステ−ジ８によ
りこれを偏向中心とその所定の周辺位置に順次移動して
上記各反射電子信号を得るようにしてもよい。また、上
記反射電子信号の微分信号の半値巾を比較して焦点ずれ
量Δｆの大きさを相対的に知ることができる。すなわ
ち、予め正しい位置関係にある電子ビ−ム２の位置と上
記焦点ずれ量Δｆ、または半値巾、電子ビーム２の径と
の関係を求めてコンピュ−タ２１に記憶させ、焦点ずれ
量Δｆがその位置に対応する関係式の値になるようにア
ライナ５を制御するようにしてもよい。
【００２２】式（２）、（３）は上記関係式を２次式近
似した例であり、Δｆｘ、ΔｆｙはそれぞれＸ方向とＹ
方向の焦点ずれ量（ボケ量），ａ〜ｇは係数，ｘ，ｙは
電子ビーム２の入射位置である。 Δｆｘ＝ａｘ2＋ｂｘｙ＋ｃｙ2＋ｄｘ＋ｅｙ＋ｇ （２） Δｆｙ＝ａｘ2＋ｂｘｙ＋ｃｙ2＋ｄｘ＋ｅｙ＋ｇ （３）
似した例であり、Δｆｘ、ΔｆｙはそれぞれＸ方向とＹ
方向の焦点ずれ量（ボケ量），ａ〜ｇは係数，ｘ，ｙは
電子ビーム２の入射位置である。 Δｆｘ＝ａｘ2＋ｂｘｙ＋ｃｙ2＋ｄｘ＋ｅｙ＋ｇ （２） Δｆｙ＝ａｘ2＋ｂｘｙ＋ｃｙ2＋ｄｘ＋ｅｙ＋ｇ （３）
【００２３】アライナ５にセットした電子ビ−ム２の位
置デ−タｘ，ｙとΔｆｘとΔｆｙの測定値を式（２）、
（３）に入れて係数ａ〜ｇを求め、次いで得られた係数
ａ〜ｇをを用いてΔｆｘとΔｆｙ等が最小となる位置
ｘ，ｙを導き、最適アライメント位置、すなわちアライ
メント補正量を求める。なお、上記係数ａ〜ｇを求める
過程においては、複数のマ−ク毎に得られる各位置デ−
タｘ，ｙとΔｆｘとΔｆｙを用いて最小自乗法により係
数ａ〜ｇの最確値を求めるようにする。
置デ−タｘ，ｙとΔｆｘとΔｆｙの測定値を式（２）、
（３）に入れて係数ａ〜ｇを求め、次いで得られた係数
ａ〜ｇをを用いてΔｆｘとΔｆｙ等が最小となる位置
ｘ，ｙを導き、最適アライメント位置、すなわちアライ
メント補正量を求める。なお、上記係数ａ〜ｇを求める
過程においては、複数のマ−ク毎に得られる各位置デ−
タｘ，ｙとΔｆｘとΔｆｙを用いて最小自乗法により係
数ａ〜ｇの最確値を求めるようにする。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、ステ−ジ上の電子線直下
点から当距離の位置における電子線の焦点づれ量が等化
され、これにより描画するパターンの巾が偏向位置に依
存して非対称に変化するという問題を解消することがで
き、例えば、試料上の描画範囲６ｍｍ内における電子ビ
ームのボケの分布を０.０５μｍ以下にすることができ
る。
点から当距離の位置における電子線の焦点づれ量が等化
され、これにより描画するパターンの巾が偏向位置に依
存して非対称に変化するという問題を解消することがで
き、例えば、試料上の描画範囲６ｍｍ内における電子ビ
ームのボケの分布を０.０５μｍ以下にすることができ
る。
【図１】電子線描画装置の全体構成図である。
【図２】電子線の収束状況を示す図である。
【図３】マーク検出信号波形図である。
【図４】対物レンズ付近の拡大図である。
【図５】本発明によるマーク配列とマーク検出信号の関
係を示す模式図である。
係を示す模式図である。
１ 電子銃 ２ 電子ビ−ム ５ アライナ ６ 偏向器 ７ 検出器 ８ ステ−ジ ９ マスク １０〜１４ マーク １５ 受光器 １６ ステ−ジ制御部 １７ 干渉計 １９ アライナ制御部 ２０ マ−ク制御部 ２１ コンピュ−タ ２３ 焦点面 ３１、３２ 絞り ３３ ハ−フミラ− ３４ レ−ザ光源 ３５ レ−ザミラ− ３６ 標準ミラ− ４１、４２ レンズ １１１、１１２ マーク検出信号
Claims (6)
- 【請求項１】 電子ビ−ムの照射位置を調整するアライ
ナと、電子ビ−ムの偏向手段と、試料を載置するステ−
ジと、上記ステ−ジ上に設けた複数のマ−クからの反射
電子信号を検出する手段と、上記ステ−ジの位置制御手
段と、すくなくともこれらの構成要素を制御するコンピ
ュータとを備えた電子線描画装置において、上記ステ−
ジの位置制御ならびに／または上記アライナの制御によ
り上記複数のマ−クの中の一つを中心マ−クとして電子
線直下位置（無偏向電子線の照射位置）に設定し、上記
中心マ−クに対して点対称位置に存在する少なくとも一
対のマ−ク（周辺マ−ク）に上記電子線を偏向して得ら
れるそれぞれの反射電子信号より上記電子線の焦点づれ
量の偏差値を検出する手段と、上記焦点づれ量の偏差値
より上記中心マ−ク位置の補正量を算出する手段とを備
えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項２】 電子ビ−ムの照射位置を調整するアライ
ナと、電子ビ−ムの偏向手段と、試料を載置するステ−
ジと、上記ステ−ジ上に設けた複数のマ−クからの反射
電子信号を検出する手段と、上記ステ−ジの位置制御手
段と、すくなくともこれらの構成要素を制御するコンピ
ュータとを備えた電子線描画装置において、上記ステ−
ジの位置制御ならびに／または上記アライナの制御によ
り上記複数のマ−クの中の一つを電子線直下位置（無偏
向電子線の照射位置）に対して点対称位置に順次移動し
て得られるそれぞれの反射電子信号より上記電子線の焦
点づれ量の偏差値を検出する手段と、上記焦点づれ量の
偏差値より上記中心マ−ク位置の補正量を算出する手段
とを備えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項３】 電子ビ−ムの照射位置を調整するアライ
ナと、電子ビ−ムの偏向手段と、試料を載置するステ−
ジと、上記ステ−ジ上に設けた複数のマ−クからの反射
電子信号を検出する手段と、上記ステ−ジの位置制御手
段と、すくなくともこれらの構成要素を制御するコンピ
ュータとを備えた電子線描画装置において、上記複数の
マ−クに上記電子線を偏向、照射して得られるそれぞれ
の反射電子信号より上記電子線の焦点づれ量を検出する
手段と、上記電子線の焦点づれ量と電子線照射位置との
関係式を格納する手段と、上記検出された各焦点づれ量
とそれぞれのマ−ク位置の座標値とを上記関係式に代入
して上記関係式の係数値を確定する手段と、上記係数値
が確定された関係式より上記複数のマ−クの焦点づれ量
が最小となるマ−ク位置の補正量を算出する手段とを備
えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
上記各マ−クの焦点づれ量をそれぞれの反射電子信号の
微分信号の幅より算出するようにしたことを特徴とする
電子線描画装置。 - 【請求項５】 請求項１または２において、上記中心マ
−ク位置の補正量を算出する手段は、上記周辺マ−クの
焦点づれ量を等しくするように上記補正量を算出するも
のであることを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項６】 請求項３において、上記マ−ク位置の補
正量を算出する手段は、電子線直下位置に対して点対称
位置にあるマ−ク対のそれぞれの焦点づれ量を等しくす
るように上記マ−ク位置の補正量を算出するものである
ことを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124892A JP2751976B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124892A JP2751976B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234864A true JPH05234864A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2751976B2 JP2751976B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=12326073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124892A Expired - Lifetime JP2751976B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751976B2 (ja) |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3124892A patent/JP2751976B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751976B2 (ja) | 1998-05-18 |
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