JPH05234177A - 光記憶媒体及び光記憶媒体の製造方法 - Google Patents
光記憶媒体及び光記憶媒体の製造方法Info
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- JPH05234177A JPH05234177A JP3625292A JP3625292A JPH05234177A JP H05234177 A JPH05234177 A JP H05234177A JP 3625292 A JP3625292 A JP 3625292A JP 3625292 A JP3625292 A JP 3625292A JP H05234177 A JPH05234177 A JP H05234177A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力を確保できるばかりか、反射強度を
下げることなくカー回転角をエンハンス出来、また、多
層化しても特性が落ちることがなく高密度化が可能であ
り、しかも、製造においても、極めて簡単な製法により
製造できる。 【構成】 厚さ０．５ｍｍのパイレックスガラス基板１
上に厚さ２５０ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２
を図示しない対向ターゲットスパッタリング装置で成膜
し、そのＴｂＦｅＣｏ膜２上に、厚さ１００ÅのＧｅＳ
ｂＴｅカルコゲナイド層３と厚さ１４Åのアモルファス
ＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａとからなる層を周期的に１２層
（１２周期層）スパッタリングによって積層することに
よって光記録媒体を得る。また、この記録媒体をＮ2雰
囲気中で、１５０゜Ｃで熱処理すると更に保持力が増大
する。
下げることなくカー回転角をエンハンス出来、また、多
層化しても特性が落ちることがなく高密度化が可能であ
り、しかも、製造においても、極めて簡単な製法により
製造できる。 【構成】 厚さ０．５ｍｍのパイレックスガラス基板１
上に厚さ２５０ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２
を図示しない対向ターゲットスパッタリング装置で成膜
し、そのＴｂＦｅＣｏ膜２上に、厚さ１００ÅのＧｅＳ
ｂＴｅカルコゲナイド層３と厚さ１４Åのアモルファス
ＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａとからなる層を周期的に１２層
（１２周期層）スパッタリングによって積層することに
よって光記録媒体を得る。また、この記録媒体をＮ2雰
囲気中で、１５０゜Ｃで熱処理すると更に保持力が増大
する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク等に用いら
れる光記録媒体に関する。
れる光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気ディスクは、ポリカーボネ
ート、ガラス等の基板上に、磁性材料、磁性材料保護用
の誘電体膜を設けた構造のものが知られており、磁性材
料としては主にＴｂＦｅＣｏが用いられている。このＴ
ｂＦｅＣｏは希土類／遷移金属系アモルファス合金で波
長７８０ｎｍから８３０ｎｍの光源に対してカー回転角
が０．３あり、磁場でレーザー光を用いて記録すること
が可能となっている。
ート、ガラス等の基板上に、磁性材料、磁性材料保護用
の誘電体膜を設けた構造のものが知られており、磁性材
料としては主にＴｂＦｅＣｏが用いられている。このＴ
ｂＦｅＣｏは希土類／遷移金属系アモルファス合金で波
長７８０ｎｍから８３０ｎｍの光源に対してカー回転角
が０．３あり、磁場でレーザー光を用いて記録すること
が可能となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして、ＴｂＦｅＣ
ｏは光源を短波長化するとカー回転角が小さくなってし
まい読み出し特性が悪くなってしまう欠点がある。ま
た、ＴｂＦｅＣｏに限らずこの種の光磁気ディスクにお
いては、保磁力を室温で大きくするため膜組成をコント
ロールして補償温度を室温付近にしなければならず、制
御が難しいという欠点があった。また、カー回転角をエ
ンハンスさせるのに誘電体の膜厚を制御して反射強度を
下げていたため、性能指数の大幅な改善が困難であっ
た。更に、記録、読み出し特性が十分でなく多層化して
多値記録を行ない高密度化を計ることが出来ないといっ
た欠点があった。この発明は上記実情に鑑みてなされた
もので、高保磁力を確保できるばかりか、反射強度を下
げることなくカー回転角をエンハンス出来、また、多層
化しても特性が落ちることがなく高密度化が可能な光記
録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
ｏは光源を短波長化するとカー回転角が小さくなってし
まい読み出し特性が悪くなってしまう欠点がある。ま
た、ＴｂＦｅＣｏに限らずこの種の光磁気ディスクにお
いては、保磁力を室温で大きくするため膜組成をコント
ロールして補償温度を室温付近にしなければならず、制
御が難しいという欠点があった。また、カー回転角をエ
ンハンスさせるのに誘電体の膜厚を制御して反射強度を
下げていたため、性能指数の大幅な改善が困難であっ
た。更に、記録、読み出し特性が十分でなく多層化して
多値記録を行ない高密度化を計ることが出来ないといっ
た欠点があった。この発明は上記実情に鑑みてなされた
もので、高保磁力を確保できるばかりか、反射強度を下
げることなくカー回転角をエンハンス出来、また、多層
化しても特性が落ちることがなく高密度化が可能な光記
録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光記録媒体は、光磁気記録層と相変化記録
層とを重ねて設けたものであり、また、前記光磁気記録
層としては希土類ー遷移金属合金をもちい、前記相変化
記録層としてはカルコゲンを含む化合物を用いた。更
に、本発明による光記録媒体は、光磁気記録層と相変化
記録層とを重ねて設け、低温熱処理することによって製
造したものである。
め、本発明の光記録媒体は、光磁気記録層と相変化記録
層とを重ねて設けたものであり、また、前記光磁気記録
層としては希土類ー遷移金属合金をもちい、前記相変化
記録層としてはカルコゲンを含む化合物を用いた。更
に、本発明による光記録媒体は、光磁気記録層と相変化
記録層とを重ねて設け、低温熱処理することによって製
造したものである。
【０００５】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して説明する。 （第１実施例）図１は、本発明による光記録媒体を示
し、図１の（ａ）に示す記録媒体Ａは、厚さ０．５ｍｍ
のパイレックスガラス基板１上に厚さ２５０Åのアモル
ファスＴｂＦｅＣｏ合金層２を図示しない対向ターゲッ
トスパッタリング装置で成膜し、そのＴｂＦｅＣｏ膜２
上に、厚さ１００ÅのＧｅＳｂＴｅカルコゲナイド層３
と厚さ１４ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａと
からなる層を周期的に１２層（１２周期層）スパッタリ
ングによって積層したものである。また、図１（ｂ）の
記録媒体Ｂは、上記層のうちＧｅＳｂＴｅカルコゲナイ
ド層３の厚さを２００Åとして６周期層積層したもので
あり、図１（ｃ）の記録媒体ＣはＧｅＳｂＴｅカルコゲ
ナイド層３の厚さを４００Åとして３周期層もうけ、図
１（ｄ）の記録媒体Ｄは１２００Åで１周期層のみ設け
たものである。従って、上記図１の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）及び（ｄ）に示すものは全体としての層厚がほぼ
等しくなっている。
し、図１の（ａ）に示す記録媒体Ａは、厚さ０．５ｍｍ
のパイレックスガラス基板１上に厚さ２５０Åのアモル
ファスＴｂＦｅＣｏ合金層２を図示しない対向ターゲッ
トスパッタリング装置で成膜し、そのＴｂＦｅＣｏ膜２
上に、厚さ１００ÅのＧｅＳｂＴｅカルコゲナイド層３
と厚さ１４ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａと
からなる層を周期的に１２層（１２周期層）スパッタリ
ングによって積層したものである。また、図１（ｂ）の
記録媒体Ｂは、上記層のうちＧｅＳｂＴｅカルコゲナイ
ド層３の厚さを２００Åとして６周期層積層したもので
あり、図１（ｃ）の記録媒体ＣはＧｅＳｂＴｅカルコゲ
ナイド層３の厚さを４００Åとして３周期層もうけ、図
１（ｄ）の記録媒体Ｄは１２００Åで１周期層のみ設け
たものである。従って、上記図１の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）及び（ｄ）に示すものは全体としての層厚がほぼ
等しくなっている。
【０００６】図２の（ａ）は、図１（ａ）の記録媒体Ａ
のガラス基板１側からのＸ線回折パターンを示したもの
であり、また図２（ｂ）は、上記記録媒体ＡをＮ2雰囲
気中で、１５０゜Ｃで９０分間熱処理した後のＸ線回折
パターンを示したものである。同様に、図２（ｃ）は、
図１（ｂ）の記録媒体ＢのＸ線回折パターンを示し、図
２の（ｄ）は、上述した熱処理後のＸ線回折パターンで
ある。また、図３（ａ）および（ｂ）は、夫々図１
（ｃ）の記録媒体Ｃの熱処理前と熱処理後のＸ線回折パ
ターンであり、図３の（ｃ）、（ｄ）は夫々図１（ｄ）
の記録媒体Ｄの熱処理前と熱処理後のＸ線回折パターン
である。
のガラス基板１側からのＸ線回折パターンを示したもの
であり、また図２（ｂ）は、上記記録媒体ＡをＮ2雰囲
気中で、１５０゜Ｃで９０分間熱処理した後のＸ線回折
パターンを示したものである。同様に、図２（ｃ）は、
図１（ｂ）の記録媒体ＢのＸ線回折パターンを示し、図
２の（ｄ）は、上述した熱処理後のＸ線回折パターンで
ある。また、図３（ａ）および（ｂ）は、夫々図１
（ｃ）の記録媒体Ｃの熱処理前と熱処理後のＸ線回折パ
ターンであり、図３の（ｃ）、（ｄ）は夫々図１（ｄ）
の記録媒体Ｄの熱処理前と熱処理後のＸ線回折パターン
である。
【０００７】図２（ａ）の記録媒体Ａの熱処理前に於け
るＸ線回折パターンによれば、as-deposited 状態でア
モルファス構造特有のハローパターンを示している。図
２（ｃ）、図３の（ａ）、（ｂ）に示す記録媒体Ｂ、
Ｃ、Ｄの熱処理前のＸ線回折パターンによれば、ＦＣＣ
構造の微結晶の回折ピークが見られ、ＧｅＳｂＴｅカル
コゲナイド層３の厚さに応じて結晶化度が異なってい
る。図４は、上記記録媒体Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤのＧｅＳｂＴ
ｅカルコゲナイド層３の厚さと保磁力Ｈｃとの関係を示
したものである。保磁力は、パイレックスガラス面から
見たカー回転角のヒステリシスループ（波長８３０ｎ
ｍ）から求めた。図４からも明らかな如く、ＧｅＳｂＴ
ｅカルコゲナイド層の厚さが２００Å付近が最も高い保
磁力となっている。従って、ＧｅＳｂＴｅカルコゲナイ
ド層の厚さを制御することにより保磁力も容易に制御で
きる。
るＸ線回折パターンによれば、as-deposited 状態でア
モルファス構造特有のハローパターンを示している。図
２（ｃ）、図３の（ａ）、（ｂ）に示す記録媒体Ｂ、
Ｃ、Ｄの熱処理前のＸ線回折パターンによれば、ＦＣＣ
構造の微結晶の回折ピークが見られ、ＧｅＳｂＴｅカル
コゲナイド層３の厚さに応じて結晶化度が異なってい
る。図４は、上記記録媒体Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤのＧｅＳｂＴ
ｅカルコゲナイド層３の厚さと保磁力Ｈｃとの関係を示
したものである。保磁力は、パイレックスガラス面から
見たカー回転角のヒステリシスループ（波長８３０ｎ
ｍ）から求めた。図４からも明らかな如く、ＧｅＳｂＴ
ｅカルコゲナイド層の厚さが２００Å付近が最も高い保
磁力となっている。従って、ＧｅＳｂＴｅカルコゲナイ
ド層の厚さを制御することにより保磁力も容易に制御で
きる。
【０００８】図２の（ｂ）に示す記録媒体Ａの熱処理後
に於いては、ＦＣＣ構造の微結晶の折出がアモルファス
構造の中で生じていることを示している。
に於いては、ＦＣＣ構造の微結晶の折出がアモルファス
構造の中で生じていることを示している。
【０００９】図５の（ａ）は厚さ２５０Åのアモルファ
スＴｂＦｅＣｏ合金層２単層でのas-deposited 状態に
於ける波長８３０ｎｍのカー回転角ヒステリシスループ
を示している。図５（ｂ）は、上記アモルファスＴｂＦ
ｅＣｏ合金層単層をＮ2雰囲気中１５０゜Ｃで３０分間
熱処理した後の波長８３０ｎｍのカー回転角ヒステリシ
スループを示している。図５（Ｃ）は、アモルファスＴ
ｂＦｅＣｏ合金層単層をＮ2雰囲気中１５０゜Ｃで９０
分間熱処理した後の波長８３０ｎｍのカー回転角ヒステ
リシスループを示している。
スＴｂＦｅＣｏ合金層２単層でのas-deposited 状態に
於ける波長８３０ｎｍのカー回転角ヒステリシスループ
を示している。図５（ｂ）は、上記アモルファスＴｂＦ
ｅＣｏ合金層単層をＮ2雰囲気中１５０゜Ｃで３０分間
熱処理した後の波長８３０ｎｍのカー回転角ヒステリシ
スループを示している。図５（Ｃ）は、アモルファスＴ
ｂＦｅＣｏ合金層単層をＮ2雰囲気中１５０゜Ｃで９０
分間熱処理した後の波長８３０ｎｍのカー回転角ヒステ
リシスループを示している。
【００１０】上記図５の（ａ）乃至（ｃ）から明らかな
如く、アモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層においては、熱
処理が行なわれてもほとんど保持力の変化が得られな
い。
如く、アモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層においては、熱
処理が行なわれてもほとんど保持力の変化が得られな
い。
【００１１】これに対し、図６の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は、図１（ｄ）の記録媒体Ｄ、即ちのアモルファ
スＴｂＦｅＣｏ合金層２上に、厚さ１２００ÅのＧｅＳ
ｂＴｅカルコゲナイド層３と厚さ１４Åのアモルファス
ＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａとを１周期層のみ設けたもの
の、夫々as-deposited 状態、Ｎ2雰囲気中１５０゜Ｃで
３０分間熱処理した後、Ｎ2雰囲気中１５０゜Ｃで９０
分間熱処理した後に於ける夫々波長８３０ｎｍのカー回
転角ヒステリシスループを示している。また、図７の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１（ａ）の記録媒体Ａ、
即ち、アモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２上に、厚さ１
００ÅのＧｅＳｂＴｅカルコゲナイド層３と厚さ１４Å
のアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａとからなる層を
１２周期層設けたものの、夫々as-deposited 状態、Ｎ2
雰囲気中１５０゜Ｃで３０分間熱処理した後、Ｎ2雰囲
気中１５０゜Ｃで９０分間熱処理した後に於ける夫々波
長８３０ｎｍのカー回転角ヒステリシスループを示して
いる。
（ｃ）は、図１（ｄ）の記録媒体Ｄ、即ちのアモルファ
スＴｂＦｅＣｏ合金層２上に、厚さ１２００ÅのＧｅＳ
ｂＴｅカルコゲナイド層３と厚さ１４Åのアモルファス
ＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａとを１周期層のみ設けたもの
の、夫々as-deposited 状態、Ｎ2雰囲気中１５０゜Ｃで
３０分間熱処理した後、Ｎ2雰囲気中１５０゜Ｃで９０
分間熱処理した後に於ける夫々波長８３０ｎｍのカー回
転角ヒステリシスループを示している。また、図７の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１（ａ）の記録媒体Ａ、
即ち、アモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２上に、厚さ１
００ÅのＧｅＳｂＴｅカルコゲナイド層３と厚さ１４Å
のアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層４Ａとからなる層を
１２周期層設けたものの、夫々as-deposited 状態、Ｎ2
雰囲気中１５０゜Ｃで３０分間熱処理した後、Ｎ2雰囲
気中１５０゜Ｃで９０分間熱処理した後に於ける夫々波
長８３０ｎｍのカー回転角ヒステリシスループを示して
いる。
【００１２】上記図６、７からも明らかな如く、熱処理
時間が長くなるに従って、保持力が増大する。このこと
は、図示してないが、記録媒体Ｂ、Ｃのものでも同様で
あることが確かめられた。図５に示したようにアモルフ
ァスＴｂＦｅＣｏ合金層は熱処理によって変化しないの
で上記変化はＧｅＳｂＴｅカルコゲナイド層３の結晶化
度の変化によるものと考えられる。従って、熱処理時間
をコントロールすることによっても、光磁気記録膜の微
小ビットの安定形成に欠かせない大きな保持力を確保で
きるものである。尚、図１（ａ）の記録媒体Ａは、図７
の（Ｃ）に示す様に、Ｎ2雰囲気中１５０゜Ｃで９０分
間熱処理すると直線状のヒステリシスループとなる。そ
して、測定温度を室温から７０゜Ｃに上げると、図８に
示すように、反転したカー回転角のヒステリシスループ
となることが確かめられた。
時間が長くなるに従って、保持力が増大する。このこと
は、図示してないが、記録媒体Ｂ、Ｃのものでも同様で
あることが確かめられた。図５に示したようにアモルフ
ァスＴｂＦｅＣｏ合金層は熱処理によって変化しないの
で上記変化はＧｅＳｂＴｅカルコゲナイド層３の結晶化
度の変化によるものと考えられる。従って、熱処理時間
をコントロールすることによっても、光磁気記録膜の微
小ビットの安定形成に欠かせない大きな保持力を確保で
きるものである。尚、図１（ａ）の記録媒体Ａは、図７
の（Ｃ）に示す様に、Ｎ2雰囲気中１５０゜Ｃで９０分
間熱処理すると直線状のヒステリシスループとなる。そ
して、測定温度を室温から７０゜Ｃに上げると、図８に
示すように、反転したカー回転角のヒステリシスループ
となることが確かめられた。
【００１３】（第２実施例）図９乃至図１５は、本発明
による他の実施例を示すもので、図９の（ａ）は厚さ
０．５ｍｍのガラス基板１上に厚さ２５０Åのアモルフ
ァスＴｂＦｅＣｏ合金層２及び厚さ４５８０ÅのＧｅ1
Ｓｂ2Ｔｅ4層３を対向ターゲットＲＦスパッタリング法
により成膜したものである。図１０は図９（ａ）のas-d
eposited 状態でのＧｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３側から見たＸ線
回折パターンであり、アモルファス特有のハローパター
ンを示している。図１１は上記図９（ａ）の２層膜の試
料を窒素雰囲気中で１５０゜Ｃで３０分間熱処理したＸ
線回折パターンであり、明確にＦＣＣ構造の結晶が折出
している。アモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２の結晶化
温度は、この熱処理温度より更に高くアモルファス状態
を維持している筈なので、Ｇｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３のみが
アモルファス状態から結晶状態へ相変化したものであ
る。
による他の実施例を示すもので、図９の（ａ）は厚さ
０．５ｍｍのガラス基板１上に厚さ２５０Åのアモルフ
ァスＴｂＦｅＣｏ合金層２及び厚さ４５８０ÅのＧｅ1
Ｓｂ2Ｔｅ4層３を対向ターゲットＲＦスパッタリング法
により成膜したものである。図１０は図９（ａ）のas-d
eposited 状態でのＧｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３側から見たＸ線
回折パターンであり、アモルファス特有のハローパター
ンを示している。図１１は上記図９（ａ）の２層膜の試
料を窒素雰囲気中で１５０゜Ｃで３０分間熱処理したＸ
線回折パターンであり、明確にＦＣＣ構造の結晶が折出
している。アモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２の結晶化
温度は、この熱処理温度より更に高くアモルファス状態
を維持している筈なので、Ｇｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３のみが
アモルファス状態から結晶状態へ相変化したものであ
る。
【００１４】図１２は、上記熱処理された２層膜のカー
回転角の増大を示す図である。図１２に於いてＡ０乃至
Ａ５は図９（ａ）のas-deposited 状態でのものであ
り、Ｂ０乃至Ｂ５は上記熱処理後のものである。また、
比較の為、図示していないが厚さ１５００ÅのＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層及び厚さ１２２０ÅのＧｅＳｂＴｅ層からな
る２層膜の層（ＴｂＦｅＣｏ合金層が厚くＧｅＳｂＴｅ
層迄光が到達しない）のas-deposited 状態でのカー回
転角θkの波長分布を実線で示してある。図１３は上記
２５０ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２及び厚さ
４５８０ÅのＧｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３からなる２層膜の熱
処理前後のカー回転角エンハンス率（Ｃ０乃至Ｃ５）
と、厚さ１５００ÅのＴｂＦｅＣｏ合金層及び厚さ１２
２０ÅのＧｅＳｂＴｅ層からなる２層膜の熱処理前後の
カー回転角エンハンス率（Ｄ０乃至Ｄ５）とを示してい
る。２５０ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２及び
厚さ４５８０ÅのＧｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３からなる２層膜
においては、波長３５０ｎｍ付近で１０％、４５０ｎｍ
付近で１８％、５５０から７４０ｎｍ付近で２０％以上
となっている。一方、ＧｅＳｂＴｅ層の光学的効果を無
視できる、厚さ１５００ÅのＴｂＦｅＣｏ合金層及び厚
さ１２２０ÅのＧｅＳｂＴｅ層からなる２層膜において
は熱処理前後でほとんどエンハンスされていない。これ
らのことは、ＧｅＳｂＴｅ層３の結晶化により、屈折率
が変化しθkがエンハンスされることを示している。従
って、ＴｂＦｅＣｏ層２においてはレーザー光と磁場に
よって磁化の方向をアップ及びダウンのふたつの状態と
することが出来、一方、ＧｅＳｂＴｅ層３においては、
レーザー光だけでアモルファスと結晶のふたつの状態、
即ち相変化状態が取れるので、各層を夫々独立して制御
することにより４値記録が可能となる。
回転角の増大を示す図である。図１２に於いてＡ０乃至
Ａ５は図９（ａ）のas-deposited 状態でのものであ
り、Ｂ０乃至Ｂ５は上記熱処理後のものである。また、
比較の為、図示していないが厚さ１５００ÅのＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層及び厚さ１２２０ÅのＧｅＳｂＴｅ層からな
る２層膜の層（ＴｂＦｅＣｏ合金層が厚くＧｅＳｂＴｅ
層迄光が到達しない）のas-deposited 状態でのカー回
転角θkの波長分布を実線で示してある。図１３は上記
２５０ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２及び厚さ
４５８０ÅのＧｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３からなる２層膜の熱
処理前後のカー回転角エンハンス率（Ｃ０乃至Ｃ５）
と、厚さ１５００ÅのＴｂＦｅＣｏ合金層及び厚さ１２
２０ÅのＧｅＳｂＴｅ層からなる２層膜の熱処理前後の
カー回転角エンハンス率（Ｄ０乃至Ｄ５）とを示してい
る。２５０ÅのアモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層２及び
厚さ４５８０ÅのＧｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4層３からなる２層膜
においては、波長３５０ｎｍ付近で１０％、４５０ｎｍ
付近で１８％、５５０から７４０ｎｍ付近で２０％以上
となっている。一方、ＧｅＳｂＴｅ層の光学的効果を無
視できる、厚さ１５００ÅのＴｂＦｅＣｏ合金層及び厚
さ１２２０ÅのＧｅＳｂＴｅ層からなる２層膜において
は熱処理前後でほとんどエンハンスされていない。これ
らのことは、ＧｅＳｂＴｅ層３の結晶化により、屈折率
が変化しθkがエンハンスされることを示している。従
って、ＴｂＦｅＣｏ層２においてはレーザー光と磁場に
よって磁化の方向をアップ及びダウンのふたつの状態と
することが出来、一方、ＧｅＳｂＴｅ層３においては、
レーザー光だけでアモルファスと結晶のふたつの状態、
即ち相変化状態が取れるので、各層を夫々独立して制御
することにより４値記録が可能となる。
【００１５】図９の（ｂ）はＴｂＦｅＣｏ層２及びＧｅ
ＳｂＴｅ層３からなる２層膜上に、更にカー回転角のエ
ンハンスドを高めるために、Ａｌ合金、Ａｇ合金等から
なる反射層５を設けたものであり、図９の（ｃ）は基板
１と２層膜との間にＺｎＳＯ、Ｓｉ3Ｎ4等のエンハンス
層６、あるいはＺｎＳ（Ｏ，Ｎ）、ＺｎＳ（Ｏ，Ｃ，
Ｈ）等の薄膜材料からなる誘電体膜７を形成し２層膜上
にＵＶコート、ＺｎＳＯ等の保護層８を設けたものであ
る。更に、図９の（ｄ）は２層膜の間に誘電体膜７或い
はＺｎＳＯ、Ｓｉ3Ｎ4等の熱絶縁層６を設けたものであ
る。図１４の（ａ）、（ｂ）は、夫々図９の（ｃ）、
（ｄ）に示したものに於いて、２層膜と保護層８との間
に反射層５を設けたものである。また、図１４の（ｃ）
は２層膜の上下に誘電体膜７、７を配置し更に反射層
５、保護層８を設けたものであり、図１４の（ｄ）は、
図１４の（ｃ）に更に２層膜の間に誘電体膜７を配置し
たものである。
ＳｂＴｅ層３からなる２層膜上に、更にカー回転角のエ
ンハンスドを高めるために、Ａｌ合金、Ａｇ合金等から
なる反射層５を設けたものであり、図９の（ｃ）は基板
１と２層膜との間にＺｎＳＯ、Ｓｉ3Ｎ4等のエンハンス
層６、あるいはＺｎＳ（Ｏ，Ｎ）、ＺｎＳ（Ｏ，Ｃ，
Ｈ）等の薄膜材料からなる誘電体膜７を形成し２層膜上
にＵＶコート、ＺｎＳＯ等の保護層８を設けたものであ
る。更に、図９の（ｄ）は２層膜の間に誘電体膜７或い
はＺｎＳＯ、Ｓｉ3Ｎ4等の熱絶縁層６を設けたものであ
る。図１４の（ａ）、（ｂ）は、夫々図９の（ｃ）、
（ｄ）に示したものに於いて、２層膜と保護層８との間
に反射層５を設けたものである。また、図１４の（ｃ）
は２層膜の上下に誘電体膜７、７を配置し更に反射層
５、保護層８を設けたものであり、図１４の（ｄ）は、
図１４の（ｃ）に更に２層膜の間に誘電体膜７を配置し
たものである。
【００１６】図１５は、４値以上の多値記録とするた
め、ＴｂＦｅＣｏ層２及びＧｅＳｂＴｅ層３からなる２
層膜を複数設けたものであり、（ａ）においては、基板
１との間に熱絶縁層６、最後のＧｅＳｂＴｅ層３の上に
保護層８を設けてあり、（ｂ）においては更に反射層５
が設けられている。
め、ＴｂＦｅＣｏ層２及びＧｅＳｂＴｅ層３からなる２
層膜を複数設けたものであり、（ａ）においては、基板
１との間に熱絶縁層６、最後のＧｅＳｂＴｅ層３の上に
保護層８を設けてあり、（ｂ）においては更に反射層５
が設けられている。
【００１７】なお上記実施例では、光磁気記録層として
ＴｂＦｅＣｏ層を用いたが、ＴｂＦｅＣｏ層が熱処理に
よっても保磁力がほとんど変化しないことから他の光磁
気記録材料であってもよいことは明らかである。また、
基板はガラス基板に限定されず、ポリカーボネイト、そ
の他のプラスチック基板であってもよい。
ＴｂＦｅＣｏ層を用いたが、ＴｂＦｅＣｏ層が熱処理に
よっても保磁力がほとんど変化しないことから他の光磁
気記録材料であってもよいことは明らかである。また、
基板はガラス基板に限定されず、ポリカーボネイト、そ
の他のプラスチック基板であってもよい。
【００１８】更に、相変化記録層を成膜してから光磁気
記録層を成膜したり、他の相変化記録層を用いてもよ
く、本発明は上記実施例に限定されないものである。
記録層を成膜したり、他の相変化記録層を用いてもよ
く、本発明は上記実施例に限定されないものである。
【００１９】
【発明の効果】以上のごとく、本発明による光記憶媒体
は、高保磁力を確保できるばかりか、反射強度を下げる
ことなくカー回転角をエンハンス出来、また、多層化し
ても特性が落ちることがなく高密度化が可能であり、し
かも、製造においても、スパッタリング、低温熱処理と
いった極めて簡単な製法により製造できる利点がある。
は、高保磁力を確保できるばかりか、反射強度を下げる
ことなくカー回転角をエンハンス出来、また、多層化し
ても特性が落ちることがなく高密度化が可能であり、し
かも、製造においても、スパッタリング、低温熱処理と
いった極めて簡単な製法により製造できる利点がある。
【図１】本発明による光記録媒体の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】図１に示した光記録媒体及びこの光記録媒体を
熱処理した後のＸ線回折パターンである。
熱処理した後のＸ線回折パターンである。
【図３】同じく図１に示した光記録媒体及びこの光記録
媒体を熱処理した後のＸ線回折パターンである。
媒体を熱処理した後のＸ線回折パターンである。
【図４】図１に示した光磁気媒体のＧｅＳｂＴｅ層の層
厚と保磁力との関係を示した図である。
厚と保磁力との関係を示した図である。
【図５】図１に示した光記録媒体のＴｂＦｅＣｏ層及び
このＴｂＦｅＣｏ層を熱処理した後のカー回転角ヒステ
リシスループを示す図である。
このＴｂＦｅＣｏ層を熱処理した後のカー回転角ヒステ
リシスループを示す図である。
【図６】図１に示した光記録媒体及びこの光記録媒体を
熱処理した後のカー回転角ヒステリシスループを示す図
である。
熱処理した後のカー回転角ヒステリシスループを示す図
である。
【図７】同じく図１に示した光記録媒体及びこの光記録
媒体を熱処理した後のカー回転角ヒステリシスループを
示す図である。
媒体を熱処理した後のカー回転角ヒステリシスループを
示す図である。
【図８】図７に示した熱処理した光記録媒体を昇温させ
た時のカー回転角ヒステリシスループを示す図である。
た時のカー回転角ヒステリシスループを示す図である。
【図９】本発明の他の実施例による光記録媒体の構成を
示す図である。
示す図である。
【図１０】図９に示した光記録媒体のＸ線回折パターン
である。
である。
【図１１】図９に示した光記録媒体を熱処理した後のＸ
線回折パターンである。
線回折パターンである。
【図１２】熱処理された２層膜のカー回転角の増大を示
す波長分布図である。
す波長分布図である。
【図１３】熱処理前後のカー回転角エンハンス率を示す
図である
図である
【図１４】本発明による他の光記録媒体の構成を示す図
である。
である。
【図１５】本発明による更に他の光記録媒体の構成を示
す図である。
す図である。
【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ アモルファスＴｂＦｅＣｏ合金層 ３ ＧｅＳｂＴｅカルコゲナイド層 ５ 反射層 ７ 誘電体膜 ８ 保護層
Claims (15)
- 【請求項１】 光磁気記録層と相変化記録層とが重ねて
設けられていることを特徴とする光記憶媒体。 - 【請求項２】 前記光磁気記録層は希土類ー遷移金属合
金からなり、前記相変化記録層はカルコゲンを含む化合
物からなることを特徴とする請求項１の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記光磁気記録層は希土類ー遷移金属合
金からなり、前記相変化記録層は低温処理によって結晶
化された層からなることを特徴とする請求項１の光記録
媒体。 - 【請求項４】 前記光磁気記録層は希土類ー遷移金属合
金からなり、前記相変化記録層は多層に配置されたカル
コゲンを含む化合物からなることを特徴とする請求項１
の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記光磁気記録層はＴｂＦｅＣｏからな
り、前記相変化記録層はＧｅＳｂＴｅからなる請求項１
の光記録媒体。 - 【請求項６】 基板と、この基板上に形成された光磁気
記録材料と、この光磁気記録材料上に形成された相変化
光記録材料とを備えたことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項７】 前記基板と前記光磁気記録材料との間に
は誘電体膜が設けられてなる請求項第６項の光記録媒
体。 - 【請求項８】 前記相変化光記録材料上には反射膜が設
けられてなる請求項第６項の光記録媒体。 - 【請求項９】 前記光磁気記録材料と前記相変化光記録
材料との間には熱絶縁層が設けられてなる請求項第６項
の光記録媒体。 - 【請求項１０】 基板と、この基板上に交互に配置され
た複数の光磁気記録材料及び相変化光記録材料とを備え
たことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項１１】 前記基板と前記複数の光磁気記録材料
及び相変化光記録材料との間には誘電体膜が設けられて
なる請求項第１０項の光記録媒体。 - 【請求項１２】 前記複数の光磁気記録材料及び相変化
光記録材料上には反射膜が設けられてなる請求項第１０
項の光記録媒体。 - 【請求項１３】 前記複数の光磁気記録材料及び相変化
光記録材料上には保護膜が形成されてなる請求項第１０
項の光記録媒体。 - 【請求項１４】 光磁気記録層と相変化記録層とを重ね
て設け、低温熱処理することを特徴とする光記憶媒体の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記光磁気記録層は希土類ー遷移金属
合金からなり、前記相変化記録層はカルコゲンを含む化
合物からなり、前記低温熱処理は前記希土類ー遷移金属
合金の結晶化温度より低く且つ前記化合物の結晶化温度
より高いことを特徴とする請求項１４の光記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3625292A JPH05234177A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 光記憶媒体及び光記憶媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3625292A JPH05234177A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 光記憶媒体及び光記憶媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234177A true JPH05234177A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12464585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3625292A Pending JPH05234177A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 光記憶媒体及び光記憶媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707186A (zh) * | 2020-05-21 | 2021-11-26 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及磁存储装置 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP3625292A patent/JPH05234177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707186A (zh) * | 2020-05-21 | 2021-11-26 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及磁存储装置 |
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