JPH05226452A - ウエハ移載用治具 - Google Patents
ウエハ移載用治具Info
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- JPH05226452A JPH05226452A JP2376592A JP2376592A JPH05226452A JP H05226452 A JPH05226452 A JP H05226452A JP 2376592 A JP2376592 A JP 2376592A JP 2376592 A JP2376592 A JP 2376592A JP H05226452 A JPH05226452 A JP H05226452A
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- jig
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 治具の反りおよび発生するパーティクル量を
低減させる。 【構成】 ウエハＷを載置できるようにした基材１１を
常圧焼結ＳｉＣにより形成し、基材１１のウエハＷが接
触する箇所にＣＶＤやＰＶＤなどによりＳｉ含有膜１５
を被覆する。Ｓｉ含有膜１５の厚さは２０〜１００μ
ｍ、表面の平均平面粗さは１０μｍ以下とする。 【効果】 長期間使用しても治具の反りがほとんど生じ
なくなり、発生するパーティクル量もきわめて少なくな
る。
低減させる。 【構成】 ウエハＷを載置できるようにした基材１１を
常圧焼結ＳｉＣにより形成し、基材１１のウエハＷが接
触する箇所にＣＶＤやＰＶＤなどによりＳｉ含有膜１５
を被覆する。Ｓｉ含有膜１５の厚さは２０〜１００μ
ｍ、表面の平均平面粗さは１０μｍ以下とする。 【効果】 長期間使用しても治具の反りがほとんど生じ
なくなり、発生するパーティクル量もきわめて少なくな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体製造装
置に好適に使用できるウエハ移載用治具に関する。
置に好適に使用できるウエハ移載用治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ移載用治具は、半導体製造装置に
おいて搬送ロボットのアーム等に接続して使用されてお
り、Ｓｉ等の半導体ウエハを搬送する際に、例えば縦型
ウエハボートにセットされている半導体ウエハを載せて
移動し、次工程のウエハカセットに差し込んだり固定台
に載せたりする。
おいて搬送ロボットのアーム等に接続して使用されてお
り、Ｓｉ等の半導体ウエハを搬送する際に、例えば縦型
ウエハボートにセットされている半導体ウエハを載せて
移動し、次工程のウエハカセットに差し込んだり固定台
に載せたりする。
【０００３】半導体製造装置に用いられる従来のウエハ
移載用治具の一例として、細長い板状の基材にウエハの
外形と同じ溝を形成し、その溝に半導体ウエハを機械的
に載置した状態で搬送するものが知られている。基材に
用いる材料は通常、セラミックスであり、中でもＡｌ2
Ｏ3が主流であるが、ＺｒＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4なども
使用されている。
移載用治具の一例として、細長い板状の基材にウエハの
外形と同じ溝を形成し、その溝に半導体ウエハを機械的
に載置した状態で搬送するものが知られている。基材に
用いる材料は通常、セラミックスであり、中でもＡｌ2
Ｏ3が主流であるが、ＺｒＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4なども
使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のウエハ移載
用治具では、次のような問題がある。Ａｌ2Ｏ3製の治具
では、ＺｒＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4に比べて靱性が劣る
ため、長期間使用しているとウエハの重量によって治具
に反り（撓み）が生じるという問題がある。この治具の
反りは、例えばウエハカセットに上下方向に近接して配
列されたウエハ間にこの治具を挿入する場合に、上位ま
たは下位のウエハに接触してこれを損傷する恐れがある
ため、できるだけ小さくなければならない。
用治具では、次のような問題がある。Ａｌ2Ｏ3製の治具
では、ＺｒＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4に比べて靱性が劣る
ため、長期間使用しているとウエハの重量によって治具
に反り（撓み）が生じるという問題がある。この治具の
反りは、例えばウエハカセットに上下方向に近接して配
列されたウエハ間にこの治具を挿入する場合に、上位ま
たは下位のウエハに接触してこれを損傷する恐れがある
ため、できるだけ小さくなければならない。
【０００５】また、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｓｉ3Ｎ4製の
治具では、半導体ウエハや空気との接触により帯電して
パーティクルを付着しやすいという問題がある。治具に
付着したパーティクルは、移載時に半導体ウエハ表面に
付着し、以後の熱処理工程において歩留りを低下させる
ので、できる限り抑制することが望まれる。
治具では、半導体ウエハや空気との接触により帯電して
パーティクルを付着しやすいという問題がある。治具に
付着したパーティクルは、移載時に半導体ウエハ表面に
付着し、以後の熱処理工程において歩留りを低下させる
ので、できる限り抑制することが望まれる。
【０００６】そこで、この発明の目的は、長期間使用し
ても反りがほとんど生じないと共に、ウエハとの接触・
離脱によって発生するパーティクル量がきわめて少ない
ウエハ移載用治具を提供することにある。
ても反りがほとんど生じないと共に、ウエハとの接触・
離脱によって発生するパーティクル量がきわめて少ない
ウエハ移載用治具を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明のウエハ移載用
治具は、ウエハを載置できるように常圧焼結ＳｉＣによ
り形成された基材と、その基材の少なくともウエハが接
触する箇所に被覆されたＳｉ含有膜とを備えてなり、そ
のＳｉ含有膜は厚さが２０〜１００μｍ、表面の平均平
面粗さが１０μｍ以下であることを特徴とする。
治具は、ウエハを載置できるように常圧焼結ＳｉＣによ
り形成された基材と、その基材の少なくともウエハが接
触する箇所に被覆されたＳｉ含有膜とを備えてなり、そ
のＳｉ含有膜は厚さが２０〜１００μｍ、表面の平均平
面粗さが１０μｍ以下であることを特徴とする。
【０００８】この発明において、基材に「常圧焼結Ｓｉ
Ｃ」を用いるのは、常圧焼結ＳｉＣは他のセラミックス
に比べて靱性が高く、したがって、長期間使用してもウ
エハの重量によって撓みが生じ難いからである。
Ｃ」を用いるのは、常圧焼結ＳｉＣは他のセラミックス
に比べて靱性が高く、したがって、長期間使用してもウ
エハの重量によって撓みが生じ難いからである。
【０００９】前記基材のウエハを載置する構成は、ウエ
ハが安定した状態で載置される溝を形成するのが通常で
あるが、他の構成も使用可能である。
ハが安定した状態で載置される溝を形成するのが通常で
あるが、他の構成も使用可能である。
【００１０】また、この発明における「Ｓｉ含有膜」と
しては、ＣＶＤ（Chemical VapourDeposition）により
形成され且つＳｉを含有する膜があるが、ＣＶＤ−Ｓ
ｉ、ＣＶＤ−ＳｉＣおよびＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4の中から選
ばれた一種からなる膜が好ましい。これらの中では、発
生するパーティクル数が最も少ないため、ＣＶＤ−Ｓｉ
膜が特に好ましい。しかし、他のＳｉ含有膜、例えばＰ
ＶＤ（Physical VapourDeposition）によるＳｉ膜や、
石英バーナなどを用いる溶射法によるＳｉ膜などでもよ
い。
しては、ＣＶＤ（Chemical VapourDeposition）により
形成され且つＳｉを含有する膜があるが、ＣＶＤ−Ｓ
ｉ、ＣＶＤ−ＳｉＣおよびＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4の中から選
ばれた一種からなる膜が好ましい。これらの中では、発
生するパーティクル数が最も少ないため、ＣＶＤ−Ｓｉ
膜が特に好ましい。しかし、他のＳｉ含有膜、例えばＰ
ＶＤ（Physical VapourDeposition）によるＳｉ膜や、
石英バーナなどを用いる溶射法によるＳｉ膜などでもよ
い。
【００１１】Ｓｉ含有膜は、少なくともウエハが接触す
る箇所に被覆されていればよいが、ウエハが接触する面
とその裏面の双方を被覆するのが好ましい。ウエハ接触
面のみに被覆すると、基材に反りが生じる恐れが少なか
らずあり、また、両面を被覆するとＳｉ含有膜により基
材が撓み難くなるからである。
る箇所に被覆されていればよいが、ウエハが接触する面
とその裏面の双方を被覆するのが好ましい。ウエハ接触
面のみに被覆すると、基材に反りが生じる恐れが少なか
らずあり、また、両面を被覆するとＳｉ含有膜により基
材が撓み難くなるからである。
【００１２】前記Ｓｉ含有膜の厚さを２０〜１００μｍ
とするのは、２０μｍより小さいと、基材上に膜を均一
に形成するのが困難となるため、基材の表面にＳｉ膜に
よって被覆されない箇所が生じ、その結果、ＳｉＣ含有
膜による撓み強度の向上効果が十分に得られないからで
ある。他方、１００μｍより大きいと、基材のエッジ部
に膜の膨出部が生じやすく、その膨出部を除去するため
に研削作業が余分に必要となるからである。これは、工
程数の増加およびコスト高を招来する。
とするのは、２０μｍより小さいと、基材上に膜を均一
に形成するのが困難となるため、基材の表面にＳｉ膜に
よって被覆されない箇所が生じ、その結果、ＳｉＣ含有
膜による撓み強度の向上効果が十分に得られないからで
ある。他方、１００μｍより大きいと、基材のエッジ部
に膜の膨出部が生じやすく、その膨出部を除去するため
に研削作業が余分に必要となるからである。これは、工
程数の増加およびコスト高を招来する。
【００１３】前記Ｓｉ含有膜の表面の平均平面粗さＲａ
を１０μｍ以下とするのは、表面粗さが１０μｍを越え
ると、その膜に接触・離脱するウエハにより発生するパ
ーティクル数が大幅に増加するためである。
を１０μｍ以下とするのは、表面粗さが１０μｍを越え
ると、その膜に接触・離脱するウエハにより発生するパ
ーティクル数が大幅に増加するためである。
【００１４】前記Ｓｉ含有膜の厚さは、できるだけ均等
になるようにするのが好ましく、例えば、基準厚さに対
してその＋３０％〜−３０％の範囲に入るようにするの
が好ましい。この範囲から外れると、ＣＶＤ膜の形成時
に基材に反りが生じる恐れが大である。
になるようにするのが好ましく、例えば、基準厚さに対
してその＋３０％〜−３０％の範囲に入るようにするの
が好ましい。この範囲から外れると、ＣＶＤ膜の形成時
に基材に反りが生じる恐れが大である。
【００１５】前記基材の形状は、例えば細長い板（へ
ら）状など、用途に応じて任意に設定することができ、
特に限定されるものではない。
ら）状など、用途に応じて任意に設定することができ、
特に限定されるものではない。
【００１６】
【作用】この発明のウエハ移載用治具では、ウエハは、
例えばＣＶＤにより基材に被覆されたＳｉ含有膜を介し
て支持される。ＣＶＤなどにより形成されたＳｉ含有膜
は、極めて高い硬度と優れた耐摩耗性を有するだけでな
く、極めて高純度であり、しかも表面粗さが小さい。し
たがって、使用中にウエハがその膜に接触しても、その
接触によって膜あるいはウエハが損傷または摩耗しパー
ティクルを発生する恐れが少ない。
例えばＣＶＤにより基材に被覆されたＳｉ含有膜を介し
て支持される。ＣＶＤなどにより形成されたＳｉ含有膜
は、極めて高い硬度と優れた耐摩耗性を有するだけでな
く、極めて高純度であり、しかも表面粗さが小さい。し
たがって、使用中にウエハがその膜に接触しても、その
接触によって膜あるいはウエハが損傷または摩耗しパー
ティクルを発生する恐れが少ない。
【００１７】また、基材が他のセラミックスに比べて靱
性の高い常圧焼結ＳｉＣにより形成されているので、ウ
エハの重量によって治具に反りが生じる恐れも少ない。
性の高い常圧焼結ＳｉＣにより形成されているので、ウ
エハの重量によって治具に反りが生じる恐れも少ない。
【００１８】
【実施例】以下、添付図面に基づいてこの発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【００１９】（第１実施例）図１は、この発明のウエハ
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第１実施例を示
す平面図、図２はその側面図、図３および図４はその部
分拡大断面図である。
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第１実施例を示
す平面図、図２はその側面図、図３および図４はその部
分拡大断面図である。
【００２０】この発明のウエハ移載用治具１０は、矩形
板状の基材１１を常圧焼結ＳｉＣにより形成し、その基
材１１の上面に半導体ウエハＷが載置される溝１２を形
成して構成されている。基材１１の幅は、移載するウエ
ハＷの直径ｄより小さくしている。基材１１の基端に
は、搬送ロボットのアームなどに接続するための複数の
透孔１６が形成してある。この治具１０を使用する際に
は、これら透孔１６にボルトを挿通してロボット・アー
ムなどに接合する。
板状の基材１１を常圧焼結ＳｉＣにより形成し、その基
材１１の上面に半導体ウエハＷが載置される溝１２を形
成して構成されている。基材１１の幅は、移載するウエ
ハＷの直径ｄより小さくしている。基材１１の基端に
は、搬送ロボットのアームなどに接続するための複数の
透孔１６が形成してある。この治具１０を使用する際に
は、これら透孔１６にボルトを挿通してロボット・アー
ムなどに接合する。
【００２１】基材１１の上面に形成した溝１２は、移載
するウエハＷの直径ｄに対応して形成してある。すなわ
ち、溝１２の両側に円弧状の固定壁１３、１４が形成し
てあり、それら固定壁１３、１４の曲率半径は共に、ウ
エハＷの外側面のそれにほぼ合致させている。したがっ
て、溝１２内に上方からウエハＷを載置すると、ウエハ
Ｗは容易且つ円滑に固定・載置され、しかも、両側の円
弧状の固定壁１３、１４によって確実に位置決め・保持
される。
するウエハＷの直径ｄに対応して形成してある。すなわ
ち、溝１２の両側に円弧状の固定壁１３、１４が形成し
てあり、それら固定壁１３、１４の曲率半径は共に、ウ
エハＷの外側面のそれにほぼ合致させている。したがっ
て、溝１２内に上方からウエハＷを載置すると、ウエハ
Ｗは容易且つ円滑に固定・載置され、しかも、両側の円
弧状の固定壁１３、１４によって確実に位置決め・保持
される。
【００２２】基材１１の底面１１ａは、一般には上面に
対してほぼ平行に形成されるが、ここでは、図４に明瞭
に示すように、先端部をテーパ状にして基端側から先端
側に向かって厚さが徐々に減少するようにしている。こ
れにより、基材１１上にウエハＷを載置した際に生じる
撓みに対し、非常に強固な構造となる利点がある。底面
１１ａは、基材１１の先端部以外では平坦である。底面
１１ａのテーパ角度θは、例えば０．２〜１．０゜の範
囲にするのが好ましい。
対してほぼ平行に形成されるが、ここでは、図４に明瞭
に示すように、先端部をテーパ状にして基端側から先端
側に向かって厚さが徐々に減少するようにしている。こ
れにより、基材１１上にウエハＷを載置した際に生じる
撓みに対し、非常に強固な構造となる利点がある。底面
１１ａは、基材１１の先端部以外では平坦である。底面
１１ａのテーパ角度θは、例えば０．２〜１．０゜の範
囲にするのが好ましい。
【００２３】基材１１の周囲には、ＣＶＤにより形成し
たＳｉ含有膜１５が被覆してある。このＳｉ含有膜１５
は、基材１１の全面を一様な厚さで覆っており、図３お
よび図４に示すように、溝１２の内部ではその底面およ
び固定壁１３、１４に沿って階段状になっている。Ｓｉ
Ｃ含有膜１５の厚さは例えば２０μｍであり、表面粗さ
Ｒａは例えば１０μｍである。ウエハＷは、溝１２の内
部でＳｉ含有膜１５を介して基材１１に支持される。
たＳｉ含有膜１５が被覆してある。このＳｉ含有膜１５
は、基材１１の全面を一様な厚さで覆っており、図３お
よび図４に示すように、溝１２の内部ではその底面およ
び固定壁１３、１４に沿って階段状になっている。Ｓｉ
Ｃ含有膜１５の厚さは例えば２０μｍであり、表面粗さ
Ｒａは例えば１０μｍである。ウエハＷは、溝１２の内
部でＳｉ含有膜１５を介して基材１１に支持される。
【００２４】Ｓｉ含有膜１５としては、ＣＶＤ−Ｓｉ、
ＣＶＤ−ＳｉＣまたはＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4の膜が好まし
く、これらの中ではＣＶＤ−Ｓｉ膜が特に好ましいが、
ＰＶＤ−Ｓｉ膜や溶射法によるＳｉ膜でもよい。
ＣＶＤ−ＳｉＣまたはＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4の膜が好まし
く、これらの中ではＣＶＤ−Ｓｉ膜が特に好ましいが、
ＰＶＤ−Ｓｉ膜や溶射法によるＳｉ膜でもよい。
【００２５】以上の構成を持つウエハ移載用治具１０に
より、半導体ウエハＷを移載する場合には、溝１２のあ
る面を上方に向けて搬送ロボットのアーム等に水平に取
り付ける。そして、外周部を複数箇所で点接触・保持さ
れたウエハＷの中心に溝１２の中心を一致させて治具１
０を上方に移動させ、溝１２の中に載せる。この時、ウ
エハＷの下面は溝１２の底面に、ウエハＷの外側面は固
定壁１３、１４に、それぞれＳｉ含有膜１５を介して支
持され、且つ位置決めされる。ウエハＷの載置が終了す
ると、ウエハ移載用治具１０を所定の箇所まで移動させ
た後、載置しているウエハＷを所定動作によってウエハ
カセットに差し込み、あるいは固定台上に載せる。
より、半導体ウエハＷを移載する場合には、溝１２のあ
る面を上方に向けて搬送ロボットのアーム等に水平に取
り付ける。そして、外周部を複数箇所で点接触・保持さ
れたウエハＷの中心に溝１２の中心を一致させて治具１
０を上方に移動させ、溝１２の中に載せる。この時、ウ
エハＷの下面は溝１２の底面に、ウエハＷの外側面は固
定壁１３、１４に、それぞれＳｉ含有膜１５を介して支
持され、且つ位置決めされる。ウエハＷの載置が終了す
ると、ウエハ移載用治具１０を所定の箇所まで移動させ
た後、載置しているウエハＷを所定動作によってウエハ
カセットに差し込み、あるいは固定台上に載せる。
【００２６】以上のようにしてウエハＷの移載が終了す
ると、ウエハ移載用治具１０は元の場所に戻り、上記と
同様にして次のウエハＷの移載作業を開始する。以後、
同じ動作を繰り返す。
ると、ウエハ移載用治具１０は元の場所に戻り、上記と
同様にして次のウエハＷの移載作業を開始する。以後、
同じ動作を繰り返す。
【００２７】この発明のウエハ移載用治具１０では、ウ
エハＷとの接触箇所はすべてＳｉ含有膜１５により覆わ
れているので、治具１０にウエハＷを載せたりウエハ移
載用治具１０からウエハＷを取り出す際に、パーティク
ルが発生する恐れはほとんどない。また、Ｓｉ含有膜１
５は表面粗さが非常に均一になっているため、パーティ
クルの発生を抑制することができる。
エハＷとの接触箇所はすべてＳｉ含有膜１５により覆わ
れているので、治具１０にウエハＷを載せたりウエハ移
載用治具１０からウエハＷを取り出す際に、パーティク
ルが発生する恐れはほとんどない。また、Ｓｉ含有膜１
５は表面粗さが非常に均一になっているため、パーティ
クルの発生を抑制することができる。
【００２８】（第２実施例）図５は、この発明のウエハ
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第２実施例を示
す底面図、図６はその側面図、図７は図５のＡ−Ａ線に
沿ったその部分拡大断面図である。
移載用治具を半導体ウエハ用に適用した第２実施例を示
す底面図、図６はその側面図、図７は図５のＡ−Ａ線に
沿ったその部分拡大断面図である。
【００２９】第２実施例のウエハ移載用治具１０は、上
述した第１実施例とほぼ同様の構成を有しているが、先
端部がテーパ状になっていなく、底面１１ａが全面にわ
たって平坦である点、および底面１１ａに２個の補強用
の突起１７を持っている点で異なっている。なお、両実
施例について、互いに対応する要素には対応する符号が
付してある。
述した第１実施例とほぼ同様の構成を有しているが、先
端部がテーパ状になっていなく、底面１１ａが全面にわ
たって平坦である点、および底面１１ａに２個の補強用
の突起１７を持っている点で異なっている。なお、両実
施例について、互いに対応する要素には対応する符号が
付してある。
【００３０】第２実施例では、図５および図７に明瞭に
示すように、底面１１ａの幅方向の両端部に突起１７が
平行に形成されている。これらの突起１７は、断面円弧
状で、治具１０の基端から先端の少し手前まで設けてあ
る。これらの突起１７は、基材１１の強度を補強して反
りをいっそう生じ難くするためのものである。治具１０
の先端部には、突起１７は設けられていない。これは、
ウエハＷを近接して配列しているウエハカセット内に挿
入された際に支障が生じないようにするためである。突
起１７は、ここでは、基材１１を成形する際に一体成形
により形成しているが、これに限定されるものではな
く、所望の接着剤により同材質のものを接着してもよ
い。
示すように、底面１１ａの幅方向の両端部に突起１７が
平行に形成されている。これらの突起１７は、断面円弧
状で、治具１０の基端から先端の少し手前まで設けてあ
る。これらの突起１７は、基材１１の強度を補強して反
りをいっそう生じ難くするためのものである。治具１０
の先端部には、突起１７は設けられていない。これは、
ウエハＷを近接して配列しているウエハカセット内に挿
入された際に支障が生じないようにするためである。突
起１７は、ここでは、基材１１を成形する際に一体成形
により形成しているが、これに限定されるものではな
く、所望の接着剤により同材質のものを接着してもよ
い。
【００３１】なお、突起１７の形状、数、配置などは、
図示しているものに限定されず、他の任意の形状にして
もよいことはもちろんである。
図示しているものに限定されず、他の任意の形状にして
もよいことはもちろんである。
【００３２】（試験）次に、この発明と従来例との比較
試験を行なった結果を以下に示す。下記の試料〜に
ついて、形状は上記第１実施例と同じとし、基材の材質
はＡｌ2Ｏ3、反応焼結Ｓｉ−ＳｉＣ（Ｓｉ含浸率：１５
％）、常圧焼結ＳｉＣ（見掛け密度：３．１０ｇ／ｃｍ
2）とした。また、試料〜についてはＳｉＣ含有膜
を形成せず、試料〜についてはＣＶＤ−ＳｉＣ、Ｃ
ＶＤ−Ｓｉ、ＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4の膜（いずれも厚さ：５
０μｍ、表面粗さＲａ：５μｍ）を形成した。
試験を行なった結果を以下に示す。下記の試料〜に
ついて、形状は上記第１実施例と同じとし、基材の材質
はＡｌ2Ｏ3、反応焼結Ｓｉ−ＳｉＣ（Ｓｉ含浸率：１５
％）、常圧焼結ＳｉＣ（見掛け密度：３．１０ｇ／ｃｍ
2）とした。また、試料〜についてはＳｉＣ含有膜
を形成せず、試料〜についてはＣＶＤ−ＳｉＣ、Ｃ
ＶＤ−Ｓｉ、ＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4の膜（いずれも厚さ：５
０μｍ、表面粗さＲａ：５μｍ）を形成した。
【００３３】次に、これら試料〜を用いてＳｉウエ
ハの移載作業を行ない、治具に生じる反りおよび発生す
るパーティクル数を測定した。測定は、６インチＳｉウ
エハを２枚貼り合わせたものを用い、クリーンルーム内
で移載作業を行なった（繰り返し数：１万回）。
ハの移載作業を行ない、治具に生じる反りおよび発生す
るパーティクル数を測定した。測定は、６インチＳｉウ
エハを２枚貼り合わせたものを用い、クリーンルーム内
で移載作業を行なった（繰り返し数：１万回）。
【００３４】治具に生じる反りは、図２に示すように、
１万回繰り返した後に、上記２枚貼り合わせのウエハを
載せた状態で、治具の先端縁の変位量δを測定した。発
生するパーティクル数は、上記ウエハに付着したパーテ
ィクル数をカウントした。その結果は次の通りである。
１万回繰り返した後に、上記２枚貼り合わせのウエハを
載せた状態で、治具の先端縁の変位量δを測定した。発
生するパーティクル数は、上記ウエハに付着したパーテ
ィクル数をカウントした。その結果は次の通りである。
【００３５】 基材の種類 膜の種類 反り量 パーティクル数 （ｍｍ） （個／ウエハ） Ａｌ2Ｏ3 なし １．０ １１５ 反応焼結Ｓｉ−ＳｉＣ なし ０．８１ １５０ 常圧焼結ＳｉＣ なし ０．７２ ２００ 反応焼結Ｓｉ−ＳｉＣ ＣＶＤ−ＳｉＣ ０．４９ ９０ 反応焼結Ｓｉ−ＳｉＣ ＣＶＤ−Ｓｉ ０．５１ ４０ 常圧焼結ＳｉＣ ＣＶＤ−ＳｉＣ ０．３４ ８０ 常圧焼結ＳｉＣ ＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4 ０．３５ ７５ 常圧焼結ＳｉＣ ＣＶＤ−Ｓｉ ０．３７ １０ この試験結果から、この発明のウエハ移載用治具である
試料〜では、比較例である他の試料〜に比べ
て、反り量がかなり小さく、且つ発生するパーティクル
数も大幅に少ないことが分かる。また、その効果の顕著
なのはＳｉ膜を使用した場合であることも分かる。
試料〜では、比較例である他の試料〜に比べ
て、反り量がかなり小さく、且つ発生するパーティクル
数も大幅に少ないことが分かる。また、その効果の顕著
なのはＳｉ膜を使用した場合であることも分かる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のウエハ
移載治具によれば、長期間使用しても反りがほとんど生
じないだけでなく、使用中にウエハとの接触・離脱によ
って発生するパーティクル量がきわめて少なくなる。こ
のため、熱処理等の以後の工程において歩留りを低下さ
せる恐れがほとんどなくなる。
移載治具によれば、長期間使用しても反りがほとんど生
じないだけでなく、使用中にウエハとの接触・離脱によ
って発生するパーティクル量がきわめて少なくなる。こ
のため、熱処理等の以後の工程において歩留りを低下さ
せる恐れがほとんどなくなる。
【図１】この発明のウエハ移載用治具の第１実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１のウエハ移載用治具の側面図である。
【図３】図１のウエハ移載用治具の基端側の係合壁付近
の部分拡大断面図である。
の部分拡大断面図である。
【図４】図１のウエハ移載用治具の先端側の係合壁付近
の部分拡大断面図である。
の部分拡大断面図である。
【図５】この発明のウエハ移載用治具の第２実施例を示
す底面図である。
す底面図である。
【図６】図５のウエハ移載用治具の側面図である。
【図７】図５のウエハ移載用治具の図６のＡ−Ａ線に沿
った横断面図である。
った横断面図である。
１０ ウエハ移載用治具 １１ 基材 １１ａ 基材の底面 １２ ウエハ固定用溝 １３、１４ ウエハ固定壁 １５ Ｓｉ含有膜 １６ 透孔 １７ 補強用突起 Ｗ 半導体ウエハ ｄ 半導体ウエハの直径
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平井 繁行 山形県山形市あかねケ丘２丁目16番９号 東芝セラミックス株式会社山形営業所内 (72)発明者 加藤 茂男 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハを載置できるように常圧焼結Ｓｉ
Ｃにより形成された基材と、その基材の少なくともウエ
ハが接触する箇所に被覆されたＳｉ含有膜とを備えてな
り、そのＳｉ含有膜は厚さが２０〜１００μｍ、表面の
平均平面粗さが１０μｍ以下であることを特徴とするウ
エハ移載用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2376592A JPH05226452A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ウエハ移載用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2376592A JPH05226452A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ウエハ移載用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226452A true JPH05226452A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12119440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2376592A Pending JPH05226452A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ウエハ移載用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012514873A (ja) * | 2009-01-11 | 2012-06-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を移動させるシステム、装置、および方法 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP2376592A patent/JPH05226452A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012514873A (ja) * | 2009-01-11 | 2012-06-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を移動させるシステム、装置、および方法 |
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