JPH05226320A - 真空薄膜形成装置 - Google Patents
真空薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH05226320A JPH05226320A JP4622192A JP4622192A JPH05226320A JP H05226320 A JPH05226320 A JP H05226320A JP 4622192 A JP4622192 A JP 4622192A JP 4622192 A JP4622192 A JP 4622192A JP H05226320 A JPH05226320 A JP H05226320A
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- JP
- Japan
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- thin film
- chamber
- film forming
- dust
- vacuum
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空薄膜形装置のチャンバ内の真空操作時
に、排気によつて発生する乱気流がダストを上昇、拡散
させて薄膜用基板にダストが付着しようとするのを抑
制、防止して良品薄膜を効率的に形成する。 【構成】 真空薄膜形成装置のチャンバ１内側壁に、遊
端を下方に傾斜させた堰板５,６を高さと向きを変えて
突設することによりチャンバ１内の真空形成時に排気に
より発生する乱気流３,４が拡散させるダストを薄膜形
成領域へ上昇させることを抑制する。
に、排気によつて発生する乱気流がダストを上昇、拡散
させて薄膜用基板にダストが付着しようとするのを抑
制、防止して良品薄膜を効率的に形成する。 【構成】 真空薄膜形成装置のチャンバ１内側壁に、遊
端を下方に傾斜させた堰板５,６を高さと向きを変えて
突設することによりチャンバ１内の真空形成時に排気に
より発生する乱気流３,４が拡散させるダストを薄膜形
成領域へ上昇させることを抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種回路素子を薄型
化、あるいは積層化する際に専ら用いられる真空薄膜形
成装置の改善に関するものである。
化、あるいは積層化する際に専ら用いられる真空薄膜形
成装置の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属や非金属を真空中で種々の手法を用
いてプラスチックやガラスなどの基板表面に付着させる
ことによつて不純物の混入が少ない真空中で薄膜を形成
するための真空薄膜形成装置の１例を図２の簡略縦断面
図で説明すると、該図２の従来の真空薄膜形成装置のチ
ャンバ１は、真空ポンプとの連結によつてチャンバ内の
大気圧の空気を真空にするための排気管２を底板の排気
口２aに連設しただけの構造であつた。したがつて真空
薄膜形成のためにチャンバ１内の大気圧の空気を排気口
２aから吸引排気すると底面積に比し小径の排気口２aか
らの強い吸引力とその速度、気圧の差などによつてチャ
ンバ底部に、複雑な乱気流３,４が発生して該底部に冷
却して溜まつた前記金属や非金属などのダストがチャン
バ内に拡散し、前記薄膜形成領域の薄膜用基板に付着し
欠陥の原因となり形成薄膜の良品率が低下した。この欠
点を改善する手段としてチャンバ内の真空形成のための
排気を長い時間をかけて緩慢に行って乱気流を発生させ
ないようにしていた。
いてプラスチックやガラスなどの基板表面に付着させる
ことによつて不純物の混入が少ない真空中で薄膜を形成
するための真空薄膜形成装置の１例を図２の簡略縦断面
図で説明すると、該図２の従来の真空薄膜形成装置のチ
ャンバ１は、真空ポンプとの連結によつてチャンバ内の
大気圧の空気を真空にするための排気管２を底板の排気
口２aに連設しただけの構造であつた。したがつて真空
薄膜形成のためにチャンバ１内の大気圧の空気を排気口
２aから吸引排気すると底面積に比し小径の排気口２aか
らの強い吸引力とその速度、気圧の差などによつてチャ
ンバ底部に、複雑な乱気流３,４が発生して該底部に冷
却して溜まつた前記金属や非金属などのダストがチャン
バ内に拡散し、前記薄膜形成領域の薄膜用基板に付着し
欠陥の原因となり形成薄膜の良品率が低下した。この欠
点を改善する手段としてチャンバ内の真空形成のための
排気を長い時間をかけて緩慢に行って乱気流を発生させ
ないようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
の真空薄膜形成装置では、チャンバ内の真空形成のため
に内部の排気をするとチャンバ底部で乱気流が発生しダ
ストが拡散して薄膜用の基板に欠陥ができ、薄膜の良品
率低下となり、このような不良薄膜の減少を意図して排
気時間を長くし乱気流を発生しないよう緩慢な排気を行
つていたので薄膜形成の能率が悪かつた点である。
の真空薄膜形成装置では、チャンバ内の真空形成のため
に内部の排気をするとチャンバ底部で乱気流が発生しダ
ストが拡散して薄膜用の基板に欠陥ができ、薄膜の良品
率低下となり、このような不良薄膜の減少を意図して排
気時間を長くし乱気流を発生しないよう緩慢な排気を行
つていたので薄膜形成の能率が悪かつた点である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空薄膜形成
装置のチャンバ内底部の排気口近傍の側壁に乱気流防止
用の堰板を突設して真空形成の吸引排気によるダストの
拡散を抑制、防止することを最も特徴とする。排気によ
る乱気流発生の抑制、防止という目的を簡単な構造の部
材の付設のみによつて実現した。
装置のチャンバ内底部の排気口近傍の側壁に乱気流防止
用の堰板を突設して真空形成の吸引排気によるダストの
拡散を抑制、防止することを最も特徴とする。排気によ
る乱気流発生の抑制、防止という目的を簡単な構造の部
材の付設のみによつて実現した。
【０００５】
【作用】堰板を設けたチャンバ内から排気管へ気体が排
出するとチャンバ内底部に気流は発生するが堰板に当た
る。よつてチャンバ内底部のダストを撹乱しても、堰板
上方の薄膜用基板の蒸着領域へ上昇拡散させることがな
いのでダストの拡散による該薄膜用基板への付着は抑
制、防止される。
出するとチャンバ内底部に気流は発生するが堰板に当た
る。よつてチャンバ内底部のダストを撹乱しても、堰板
上方の薄膜用基板の蒸着領域へ上昇拡散させることがな
いのでダストの拡散による該薄膜用基板への付着は抑
制、防止される。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の真空薄膜形成装置の1実施例
のチャンバ１を示し、該チャンバは図示しないが排気機
構を併有している。該チャンバ１は底板の排気口２aに
排気管２を連設した構造は従来技術同様であるが該チャ
ンバ底部近傍の側壁内面には遊端が下方へ傾斜した所定
傾斜度と長さの堰板５,６を高さと向きを変えて突設し
ている。図示の堰板は２枚であるがチャンバの容積やダ
スト拡散効果の向上に対応して３枚あるいはそれ以上を
交互に向きを変えあるいは傾斜度を変えて突設するもの
である。更に該各堰板５,６の遊端には補助堰板７,８を
連続垂設してチャンバ底部のダストの拡散をより抑制す
るようにする。
のチャンバ１を示し、該チャンバは図示しないが排気機
構を併有している。該チャンバ１は底板の排気口２aに
排気管２を連設した構造は従来技術同様であるが該チャ
ンバ底部近傍の側壁内面には遊端が下方へ傾斜した所定
傾斜度と長さの堰板５,６を高さと向きを変えて突設し
ている。図示の堰板は２枚であるがチャンバの容積やダ
スト拡散効果の向上に対応して３枚あるいはそれ以上を
交互に向きを変えあるいは傾斜度を変えて突設するもの
である。更に該各堰板５,６の遊端には補助堰板７,８を
連続垂設してチャンバ底部のダストの拡散をより抑制す
るようにする。
【０００７】上記構成の本発明真空薄膜形成装置は、薄
膜形成時、チャンバ内空気を真空にするよう排気機構に
より排気開始すると排気口２aから排気管２へ排気され
ると同時にチャンバ底部内に乱気流３が発生しダストが
拡散するが堰板５でその上昇拡散は抑制され、更に該堰
板５によつても抑制されずに拡散しようとする乱気流
３'によるダストは補助堰板７で抑制され、１部上昇し
た乱気流によるダストは上位の堰板６、補助堰板８によ
つて上昇拡散が抑制されてむしろ排気機構による吸引力
で排気口へ誘導され、上方の薄膜形成領域への悪影響は
及び難くなる。さらに多段に堰板を設けたチャンバであ
れば一層その効果は顕著になり、チャンバ内でのダスト
の拡散が可能な限り抑制、防止できるようになり薄膜形
成に悪影響が及ばず薄膜不良が減少し、排気機構による
排気の時間も緩慢化の必要がないから短時間で済むよう
になつた。
膜形成時、チャンバ内空気を真空にするよう排気機構に
より排気開始すると排気口２aから排気管２へ排気され
ると同時にチャンバ底部内に乱気流３が発生しダストが
拡散するが堰板５でその上昇拡散は抑制され、更に該堰
板５によつても抑制されずに拡散しようとする乱気流
３'によるダストは補助堰板７で抑制され、１部上昇し
た乱気流によるダストは上位の堰板６、補助堰板８によ
つて上昇拡散が抑制されてむしろ排気機構による吸引力
で排気口へ誘導され、上方の薄膜形成領域への悪影響は
及び難くなる。さらに多段に堰板を設けたチャンバであ
れば一層その効果は顕著になり、チャンバ内でのダスト
の拡散が可能な限り抑制、防止できるようになり薄膜形
成に悪影響が及ばず薄膜不良が減少し、排気機構による
排気の時間も緩慢化の必要がないから短時間で済むよう
になつた。
【０００８】
【発明の効果】上記の構成、作用を有する本発明の真空
薄膜形成装置は、簡単な構造の堰板を付設したことによ
り、真空形成のための排気の際、(１)、チャンバ内に発
生した乱気流によるダストの拡散が可能な限り抑制さ
れ、チャンバ内の薄膜形成領域にダストが入り込まなく
なりしたがつて薄膜にダストが付着することなく不良品
が減少するようになつた。(２)、堰板により乱気流の上
昇、ダストの拡散が抑制されるので排気の能力を落とし
て緩慢な排気として長時間を必要とするようなこともな
くなり、単位時間当たりの薄膜形成効率が頗る良くなつ
た。(３)、簡単な構造の堰板を付設したことにより前記
の種々の効果を奏することとなり結果として極めて高性
能の真空薄膜形成装置となつた。
薄膜形成装置は、簡単な構造の堰板を付設したことによ
り、真空形成のための排気の際、(１)、チャンバ内に発
生した乱気流によるダストの拡散が可能な限り抑制さ
れ、チャンバ内の薄膜形成領域にダストが入り込まなく
なりしたがつて薄膜にダストが付着することなく不良品
が減少するようになつた。(２)、堰板により乱気流の上
昇、ダストの拡散が抑制されるので排気の能力を落とし
て緩慢な排気として長時間を必要とするようなこともな
くなり、単位時間当たりの薄膜形成効率が頗る良くなつ
た。(３)、簡単な構造の堰板を付設したことにより前記
の種々の効果を奏することとなり結果として極めて高性
能の真空薄膜形成装置となつた。
【図１】真空薄膜形成装置の簡略縦断面図である。
【図２】従来技術の真空薄膜形成装置の簡略縦断面図で
ある。
ある。
１ チャンバ ２ 排気管 ３,４ 乱気流 ５,６ 堰板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日比野 吉高 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内 (72)発明者 占部 大三 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバ底部に排気管を設け、該チャン
バ内側壁には高さと向きを変えて遊端が下傾した堰板を
それぞれ突設したことにより、チャンバ内の排気で発生
する乱気流によるダストの薄膜形成領域への上昇、拡散
を抑制、防止するようにしたことを特徴とする真空薄膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04622192A JP3338710B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 真空薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04622192A JP3338710B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 真空薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226320A true JPH05226320A (ja) | 1993-09-03 |
| JP3338710B2 JP3338710B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=12741058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04622192A Expired - Lifetime JP3338710B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 真空薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3338710B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004099948A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP04622192A patent/JP3338710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004099948A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3338710B2 (ja) | 2002-10-28 |
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