JPH05225279A - バイポーラｉｃ抵抗識別装置 - Google Patents
バイポーラｉｃ抵抗識別装置Info
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- JPH05225279A JPH05225279A JP4027741A JP2774192A JPH05225279A JP H05225279 A JPH05225279 A JP H05225279A JP 4027741 A JP4027741 A JP 4027741A JP 2774192 A JP2774192 A JP 2774192A JP H05225279 A JPH05225279 A JP H05225279A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、計算機を利用した半導体マスクデ
ータ検図作業の自動化に関する。特にバイポーラＩＣの
少なくともＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵抗，ＳＪ抵抗、
ＳＰ抵抗を他の半導体素子の中から高速に識別して、そ
の抵抗値を算出し、抵抗値検図作業を短時間で正確に実
行可能とするものである。 【構成】 バイポーラＩＣの全マスクデータをデータベ
ースから読み込み、手段１で、マスク層データ毎に分類
して保持する。次に、手段２でトランジスターなどの他
素子と抵抗を区別する。その後、手段３から手段１０で
少なくともＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵抗，ＳＪ抵抗、
ＳＰ抵抗を識別し、その抵抗のデータパターンを格納す
る。そして、手段１１により各抵抗パターンと各シート
抵抗値から、各パターン毎の抵抗値を算出して、データ
ベースに格納する。
ータ検図作業の自動化に関する。特にバイポーラＩＣの
少なくともＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵抗，ＳＪ抵抗、
ＳＰ抵抗を他の半導体素子の中から高速に識別して、そ
の抵抗値を算出し、抵抗値検図作業を短時間で正確に実
行可能とするものである。 【構成】 バイポーラＩＣの全マスクデータをデータベ
ースから読み込み、手段１で、マスク層データ毎に分類
して保持する。次に、手段２でトランジスターなどの他
素子と抵抗を区別する。その後、手段３から手段１０で
少なくともＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵抗，ＳＪ抵抗、
ＳＰ抵抗を識別し、その抵抗のデータパターンを格納す
る。そして、手段１１により各抵抗パターンと各シート
抵抗値から、各パターン毎の抵抗値を算出して、データ
ベースに格納する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バイポーラＩＣのマス
クデータに対して作用し、そのデータ中から少なくとも
５種類の抵抗を識別して、その抵抗値を検査するマスク
検図工程の自動化に寄与するものである。
クデータに対して作用し、そのデータ中から少なくとも
５種類の抵抗を識別して、その抵抗値を検査するマスク
検図工程の自動化に寄与するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術では、バイポーラＩＣの抵抗
値検図作業は、全て人手で行われていた。つまり、バイ
ポーラＩＣのマスクデータを拡大してプロッタに出力
し、そのパターンから一つ一つの抵抗を識別する。その
抵抗パターンに対して、寸法を測定し、手計算で抵抗値
を求め、検証していた。デバイスの素子数が１０００を
越えると、抵抗値検図のみに２〜３日かかり、大変煩雑
でかつ苛酷な作業であり、自動化が強く求められてい
た。
値検図作業は、全て人手で行われていた。つまり、バイ
ポーラＩＣのマスクデータを拡大してプロッタに出力
し、そのパターンから一つ一つの抵抗を識別する。その
抵抗パターンに対して、寸法を測定し、手計算で抵抗値
を求め、検証していた。デバイスの素子数が１０００を
越えると、抵抗値検図のみに２〜３日かかり、大変煩雑
でかつ苛酷な作業であり、自動化が強く求められてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この抵抗値検図作業
は、現在並びに今後の集積度の増大を考えると、もはや
人手で行う限界を越えている。本発明は、従来人手で行
っていた作業を計算機により自動化して、高速にかつ正
確にマスクデータの検図を可能にする手段を提供するこ
とを目的とする。
は、現在並びに今後の集積度の増大を考えると、もはや
人手で行う限界を越えている。本発明は、従来人手で行
っていた作業を計算機により自動化して、高速にかつ正
確にマスクデータの検図を可能にする手段を提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、バイポーラＩＣのマスクデータを解析し
て、自動で抵抗を識別して、その抵抗値を算出して、出
力する抵抗値検証のための装置である、マスクデータ分
類装置と、抵抗素子と他素子とを区別する素子識別装置
と、全５種類の抵抗を各種類毎に区別する抵抗識別装置
と、抵抗値を算出する抵抗値計算装置とを備えたもので
ある。
に本発明は、バイポーラＩＣのマスクデータを解析し
て、自動で抵抗を識別して、その抵抗値を算出して、出
力する抵抗値検証のための装置である、マスクデータ分
類装置と、抵抗素子と他素子とを区別する素子識別装置
と、全５種類の抵抗を各種類毎に区別する抵抗識別装置
と、抵抗値を算出する抵抗値計算装置とを備えたもので
ある。
【０００５】更にまた、本発明の具体的手段として、前
記マスクデータ分類装置は、少なくとも、バイポーラＩ
Ｃを構成する全マスクデータをデータベースからワーク
ファイルに読み込み、マスク層データ毎に分類して保持
するマスクデータファイルを持ち、高濃度ボロン打ち込
みマスクデータと低濃度ボロン打ち込みマスクデータを
読み、両マスクデータの論理和処理を行い,その論理和
データをボロン打ち込み全体マスクデータとして保持
し、少なくとも、各マスク層データに対しては、矩形な
どの図形データのＸ，Ｙ座標値に対して、昇順ソートし
てマスクデータファイルに保持する第１の処理手段を含
み、前記、素子識別装置は、上記マスクデータファイル
を用いて、ボロン打ち込み全体マスクデータとコンタク
トマスクデータの論理積処理を行い、同一ボロン打ち込
み全体マスクデータ中に２個以上のコンタクトデータを
含むボロン打ち込み全体マスクデータを抵抗素子と識別
し、ワークファイルにストアする第２の処理手段を含
み、抵抗識別装置は、少なくとも、低濃度ボロン打ち込
み部を抵抗部本体とする抵抗を識別する第３及び第４の
処理手段を含む抵抗識別装置と、高濃度ボロン打ち込み
と高濃度リン打ち込みマスクとの重なり部分を抵抗部本
体とする抵抗を識別する第５の処理手段を含む抵抗識別
装置と、高濃度ボロン打ち込みに包含される、高濃度リ
ン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗及び高濃
度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗を識
別する第６〜第９の処理手段を含む抵抗識別装置及び、
高濃度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗
を識別する抵抗識別装置と、高濃度ボロン打ち込みマス
ク部分を抵抗部本体とする抵抗を識別する第１０の処理
手段を含む抵抗識別装置とから構成され、前記、抵抗値
計算装置は、各抵抗パターンを電流が流れる方向に垂直
な辺を１辺とする正方形に分割して、その正方形数と各
抵抗のシート抵抗値の積により、抵抗値を算出する第１
１の処理手段を含む、各装置を用いるものである。
記マスクデータ分類装置は、少なくとも、バイポーラＩ
Ｃを構成する全マスクデータをデータベースからワーク
ファイルに読み込み、マスク層データ毎に分類して保持
するマスクデータファイルを持ち、高濃度ボロン打ち込
みマスクデータと低濃度ボロン打ち込みマスクデータを
読み、両マスクデータの論理和処理を行い,その論理和
データをボロン打ち込み全体マスクデータとして保持
し、少なくとも、各マスク層データに対しては、矩形な
どの図形データのＸ，Ｙ座標値に対して、昇順ソートし
てマスクデータファイルに保持する第１の処理手段を含
み、前記、素子識別装置は、上記マスクデータファイル
を用いて、ボロン打ち込み全体マスクデータとコンタク
トマスクデータの論理積処理を行い、同一ボロン打ち込
み全体マスクデータ中に２個以上のコンタクトデータを
含むボロン打ち込み全体マスクデータを抵抗素子と識別
し、ワークファイルにストアする第２の処理手段を含
み、抵抗識別装置は、少なくとも、低濃度ボロン打ち込
み部を抵抗部本体とする抵抗を識別する第３及び第４の
処理手段を含む抵抗識別装置と、高濃度ボロン打ち込み
と高濃度リン打ち込みマスクとの重なり部分を抵抗部本
体とする抵抗を識別する第５の処理手段を含む抵抗識別
装置と、高濃度ボロン打ち込みに包含される、高濃度リ
ン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗及び高濃
度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗を識
別する第６〜第９の処理手段を含む抵抗識別装置及び、
高濃度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗
を識別する抵抗識別装置と、高濃度ボロン打ち込みマス
ク部分を抵抗部本体とする抵抗を識別する第１０の処理
手段を含む抵抗識別装置とから構成され、前記、抵抗値
計算装置は、各抵抗パターンを電流が流れる方向に垂直
な辺を１辺とする正方形に分割して、その正方形数と各
抵抗のシート抵抗値の積により、抵抗値を算出する第１
１の処理手段を含む、各装置を用いるものである。
【０００６】
【作用】バイポーラＩＣでは、回路を構成する素子とし
て、トランジスタと数種類の抵抗が主に使われる。
て、トランジスタと数種類の抵抗が主に使われる。
【０００７】本発明は、その回路素子を作成するマスク
データをデータベースから読み込み、マスク層データ毎
に分類して保持し、そのマスクデータに対して図形論理
演算を行い、少なくとも低濃度ボロン打ち込みマスクを
抵抗部本体とする抵抗，高濃度ボロン打ち込みマスクと
高濃度リン打ち込みマスクとの重なりを抵抗部本体とす
る抵抗，高濃度ボロン打ち込みマスクに包含される高濃
度リン打ち込みマスク部を抵抗部本体とする抵抗，高濃
度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗，高
濃度ボロン打ち込みマスクを抵抗部本体とする抵抗の５
種類の抵抗を識別する。そして、その図形パターンを正
方形に分割して、その正方形数と各抵抗のシート抵抗値
の積から抵抗値を算出するものである。
データをデータベースから読み込み、マスク層データ毎
に分類して保持し、そのマスクデータに対して図形論理
演算を行い、少なくとも低濃度ボロン打ち込みマスクを
抵抗部本体とする抵抗，高濃度ボロン打ち込みマスクと
高濃度リン打ち込みマスクとの重なりを抵抗部本体とす
る抵抗，高濃度ボロン打ち込みマスクに包含される高濃
度リン打ち込みマスク部を抵抗部本体とする抵抗，高濃
度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗，高
濃度ボロン打ち込みマスクを抵抗部本体とする抵抗の５
種類の抵抗を識別する。そして、その図形パターンを正
方形に分割して、その正方形数と各抵抗のシート抵抗値
の積から抵抗値を算出するものである。
【０００８】本発明の利点は、以上の処理を全て計算機
により自動で行うので、抵抗値検図作業効率が飛躍的に
改善できることである。
により自動で行うので、抵抗値検図作業効率が飛躍的に
改善できることである。
【０００９】
【実施例】バイポーラＩＣで使われる、低濃度ボロン打
ち込み部を抵抗部本体とする抵抗（ＰＷ抵抗）の構成を
（図９）で、高濃度ボロン打ち込みマスクと高濃度リン
打ち込みマスクとの重なりを抵抗部本体とする抵抗（Ｓ
Ｑ抵抗）の構成を（図１０）で、高濃度ボロン打ち込み
マスクに包含される高濃度リン打ち込みマスク部を抵抗
部本体とする抵抗（ＳＮ抵抗）の構成を（図１１）で、
高濃度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗
（ＳＪ抵抗）の構成を（図１２）で、高濃度ボロン打ち
込みマスク部を抵抗部本体とする抵抗（ＳＰ抵抗）の構
成を（図１３）で示す。
ち込み部を抵抗部本体とする抵抗（ＰＷ抵抗）の構成を
（図９）で、高濃度ボロン打ち込みマスクと高濃度リン
打ち込みマスクとの重なりを抵抗部本体とする抵抗（Ｓ
Ｑ抵抗）の構成を（図１０）で、高濃度ボロン打ち込み
マスクに包含される高濃度リン打ち込みマスク部を抵抗
部本体とする抵抗（ＳＮ抵抗）の構成を（図１１）で、
高濃度リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗
（ＳＪ抵抗）の構成を（図１２）で、高濃度ボロン打ち
込みマスク部を抵抗部本体とする抵抗（ＳＰ抵抗）の構
成を（図１３）で示す。
【００１０】ＰＷ抵抗の構成は、図９で示すように、両
端のコンタクト部分１０１（ＳＰ部）を高濃度ボロン打
ち込みマスクであるＳＰマスクで作り、抵抗部本体１０
０（ＰＷ部）を低濃度ボロン打ち込みマスクであるＰＷ
マスクで作成する。正孔濃度は、ＳＰ部１０１がＰＷ部
１００よりも濃い。但し、１０２はＰ型基板、１０３は
埋込層、１０４はエピ層、１０５は分離層２００は酸化
膜である。
端のコンタクト部分１０１（ＳＰ部）を高濃度ボロン打
ち込みマスクであるＳＰマスクで作り、抵抗部本体１０
０（ＰＷ部）を低濃度ボロン打ち込みマスクであるＰＷ
マスクで作成する。正孔濃度は、ＳＰ部１０１がＰＷ部
１００よりも濃い。但し、１０２はＰ型基板、１０３は
埋込層、１０４はエピ層、１０５は分離層２００は酸化
膜である。
【００１１】ＳＱ抵抗の構成は、図１０で示すように、
コンタクト部を含む抵抗パターン全体１０６（ＳＰ部）
をＳＰマスクで作成し、次にＳＰパターンの真ん中部分
に、高濃度リン打ち込みマスクであるＳＮマスクによる
パターン１０７（ＳＮ部）を重ねる構成である。抵抗値
の調節は、ＳＮパターンとＳＰパターンのＡＮＤ部１０
８の面積の大小で行う。
コンタクト部を含む抵抗パターン全体１０６（ＳＰ部）
をＳＰマスクで作成し、次にＳＰパターンの真ん中部分
に、高濃度リン打ち込みマスクであるＳＮマスクによる
パターン１０７（ＳＮ部）を重ねる構成である。抵抗値
の調節は、ＳＮパターンとＳＰパターンのＡＮＤ部１０
８の面積の大小で行う。
【００１２】ＳＮ抵抗の構成は、図１１で示すように、
まずＳＰパターン部１０９（ＳＰ部）を作成する。次
に、そのＳＰパターンの内部に抵抗本体として、ＳＮパ
ターン１１０（ＳＮ部）を作成する。
まずＳＰパターン部１０９（ＳＰ部）を作成する。次
に、そのＳＰパターンの内部に抵抗本体として、ＳＮパ
ターン１１０（ＳＮ部）を作成する。
【００１３】ＳＪ抵抗の構成は、図１２で示すように、
ＳＮパターン１１１（ＳＮ部）のみで構成する。
ＳＮパターン１１１（ＳＮ部）のみで構成する。
【００１４】ＳＰ抵抗の構成は、図１３で示すように、
ＳＰパターン１１２（ＳＰ部）のみで構成する。なお、
図９〜１３においてそれぞれ平面図（ａ）のＡ−Ａ’線
断面（ｂ）に示す。
ＳＰパターン１１２（ＳＰ部）のみで構成する。なお、
図９〜１３においてそれぞれ平面図（ａ）のＡ−Ａ’線
断面（ｂ）に示す。
【００１５】以下、具体例について詳細に述べる。ま
ず、バイポーラＩＣ抵抗識別装置全体のブロック図は図
１に示してあり、バイポーラＩＣの全マスクデータの読
み込み処理、マスクデータ分類装置１での処理、素子識
別装置２での処理、抵抗識別装置３〜１０での処理、抵
抗値算出装置１１での処理、抵抗データの書き込み処理
の順番で行われる。
ず、バイポーラＩＣ抵抗識別装置全体のブロック図は図
１に示してあり、バイポーラＩＣの全マスクデータの読
み込み処理、マスクデータ分類装置１での処理、素子識
別装置２での処理、抵抗識別装置３〜１０での処理、抵
抗値算出装置１１での処理、抵抗データの書き込み処理
の順番で行われる。
【００１６】マスクデータ分類装置１では、手段１で、
ＳＰマスク、ＰＷマスク、ＳＮマスク、コンタクトホー
ルを作成するＣＯマスクなどのマスク層データ毎に分類
する。このとき、ＳＰデータとＰＷデータの論理和処理
を行い、その論理和データをボロン打ち込み全体マスク
層データ（ＳＰ３マスクデータ）として分割する。そし
て、各層データに関してはＸ，Ｙ座標値の順番で昇順ソ
ートして、ＦＦＷＯＲＫファイルに格納して、保持す
る。この様子を図１４に示す。
ＳＰマスク、ＰＷマスク、ＳＮマスク、コンタクトホー
ルを作成するＣＯマスクなどのマスク層データ毎に分類
する。このとき、ＳＰデータとＰＷデータの論理和処理
を行い、その論理和データをボロン打ち込み全体マスク
層データ（ＳＰ３マスクデータ）として分割する。そし
て、各層データに関してはＸ，Ｙ座標値の順番で昇順ソ
ートして、ＦＦＷＯＲＫファイルに格納して、保持す
る。この様子を図１４に示す。
【００１７】次に、素子識別装置２では、トランジスタ
などの他素子と抵抗を区別して、データを保持する。そ
の識別の際には、トランジスタはＳＰ層中に作成され、
その中にはＣＯ（Ｃｏｎｔａｃｔ）データを１個しか含
まない、しかし、抵抗は２個以上のＣＯデータを含むと
いう素子構成上の差異を利用する。つまり、手段２で、
ＦＦＷＯＲＫファイルをよみ、ＳＰ３データとＣＯデー
タの論理積演算処理を行い、ＣＯのＡＮＤ部データをよ
み、その１個１個のデータのスタート／エンド・レコー
ドＮＯ、ＳＰ３の旧データ番号、抵抗コードから構成さ
れる（図２）に示されるレコード・フォーマットを持つ
テーブルを作成して、ＳＰ３の旧データ番号が同一であ
るレコードのみを選択して、ＶＦＷＯＲＫファイルに格
納する。そして、そのレコードは、ＳＰ３の旧データ番
号の昇順でソートしておく。この様子を図１５に示す。
などの他素子と抵抗を区別して、データを保持する。そ
の識別の際には、トランジスタはＳＰ層中に作成され、
その中にはＣＯ（Ｃｏｎｔａｃｔ）データを１個しか含
まない、しかし、抵抗は２個以上のＣＯデータを含むと
いう素子構成上の差異を利用する。つまり、手段２で、
ＦＦＷＯＲＫファイルをよみ、ＳＰ３データとＣＯデー
タの論理積演算処理を行い、ＣＯのＡＮＤ部データをよ
み、その１個１個のデータのスタート／エンド・レコー
ドＮＯ、ＳＰ３の旧データ番号、抵抗コードから構成さ
れる（図２）に示されるレコード・フォーマットを持つ
テーブルを作成して、ＳＰ３の旧データ番号が同一であ
るレコードのみを選択して、ＶＦＷＯＲＫファイルに格
納する。そして、そのレコードは、ＳＰ３の旧データ番
号の昇順でソートしておく。この様子を図１５に示す。
【００１８】抵抗識別装置３〜１０では、ＰＷ抵抗、Ｓ
Ｑ抵抗、ＳＮ抵抗、ＳＪ抵抗、ＳＰ抵抗の各々を識別す
る。そして、装置１１で抵抗値の算出を行う。 ●ＰＷ抵抗の識別 ＰＷ抵抗を識別する際には、（図９）に示すように、Ｓ
Ｐパターン１０１にＰＷパターン１００が重なるとい
う、素子構造上の特徴を利用する。また、１個のＳＰパ
ターンにＰＷデータとＳＮデータが両方とも重なるデー
タは、ＰＷ抵抗から除く必要がある。
Ｑ抵抗、ＳＮ抵抗、ＳＪ抵抗、ＳＰ抵抗の各々を識別す
る。そして、装置１１で抵抗値の算出を行う。 ●ＰＷ抵抗の識別 ＰＷ抵抗を識別する際には、（図９）に示すように、Ｓ
Ｐパターン１０１にＰＷパターン１００が重なるとい
う、素子構造上の特徴を利用する。また、１個のＳＰパ
ターンにＰＷデータとＳＮデータが両方とも重なるデー
タは、ＰＷ抵抗から除く必要がある。
【００１９】まず、手段３でＦＦＷＯＲＫファイルを読
み、ＳＰデータとＰＷデータの論理演算処理を行い、Ｐ
Ｗデータの排他的論理和部データをＦＩＷＯＲＫファイ
ルに格納する。次に、ＳＰ３データとそのＰＷデータの
排他的論理和部データとの論理積演算を行い、ＰＷデー
タのＡＮＤ部をＶＧＷＯＲＫファイルに格納する。
み、ＳＰデータとＰＷデータの論理演算処理を行い、Ｐ
Ｗデータの排他的論理和部データをＦＩＷＯＲＫファイ
ルに格納する。次に、ＳＰ３データとそのＰＷデータの
排他的論理和部データとの論理積演算を行い、ＰＷデー
タのＡＮＤ部をＶＧＷＯＲＫファイルに格納する。
【００２０】そして、ＶＧＷＯＲＫファイルから、ＰＷ
データのスタート／エンド・レコードＮＯやＳＰ３の旧
データ番号、ＰＷ抵抗コードなど（図３）に示すレコー
ド・フォーマットでＶＨＷＯＲＫファイルに格納する。
そして、ＳＰ３の旧データ番号の昇順にソートして保持
する。この様子を図１６に示す。
データのスタート／エンド・レコードＮＯやＳＰ３の旧
データ番号、ＰＷ抵抗コードなど（図３）に示すレコー
ド・フォーマットでＶＨＷＯＲＫファイルに格納する。
そして、ＳＰ３の旧データ番号の昇順にソートして保持
する。この様子を図１６に示す。
【００２１】次に、手段４で、ＦＦＷＯＲＫファイルを
読み、ＳＰ３データとＳＮデータの論理積演算処理を行
い、ＳＮのＡＮＤ部データをサーチして、（図４）で示
されるような、ＳＰ３の旧データ番号から構成されるレ
コード・フォーマットをもつデータをＦＫＷＯＲＫに格
納する。そして、ＳＰ３の旧データ番号の昇順にソート
して保持する。そして、ＶＨＷＯＲＫファイルとＦＫＷ
ＯＲＫファイルを比較して、ＳＰ３の旧データ番号が一
致するかどうか調べる。もし、一致すればそのＳＰ３デ
ータは、ＰＷデータとＳＮデータの両方と重なるので、
ＵＮＫＮＯＷＮコードＮＯ２００を、ＶＨＷＯＲＫの対
応レコードコードに上書きする。一致しなければ、なに
もしないで、次のデータを調べる。全データに対して、
チェック完了まで繰り返し、ＰＷ抵抗を識別する。この
様子を図１７に示す。 ●ＳＱ抵抗の識別 ＳＱ抵抗を識別する際には（図１０）に示すように、Ｓ
Ｐパターン１０６にＳＮパターン１０７が重なっている
という、素子構造上の特徴を利用する。
読み、ＳＰ３データとＳＮデータの論理積演算処理を行
い、ＳＮのＡＮＤ部データをサーチして、（図４）で示
されるような、ＳＰ３の旧データ番号から構成されるレ
コード・フォーマットをもつデータをＦＫＷＯＲＫに格
納する。そして、ＳＰ３の旧データ番号の昇順にソート
して保持する。そして、ＶＨＷＯＲＫファイルとＦＫＷ
ＯＲＫファイルを比較して、ＳＰ３の旧データ番号が一
致するかどうか調べる。もし、一致すればそのＳＰ３デ
ータは、ＰＷデータとＳＮデータの両方と重なるので、
ＵＮＫＮＯＷＮコードＮＯ２００を、ＶＨＷＯＲＫの対
応レコードコードに上書きする。一致しなければ、なに
もしないで、次のデータを調べる。全データに対して、
チェック完了まで繰り返し、ＰＷ抵抗を識別する。この
様子を図１７に示す。 ●ＳＱ抵抗の識別 ＳＱ抵抗を識別する際には（図１０）に示すように、Ｓ
Ｐパターン１０６にＳＮパターン１０７が重なっている
という、素子構造上の特徴を利用する。
【００２２】ＦＦＷＯＲＫファイルをよみ、ＳＰ３デー
タとＳＮデータの論理積処理を行い、ＳＮデータのＡＮ
Ｄ部データをサーチして、ＳＮデータのスタート／エン
ド・レコードＮＯ、ＳＰ３の旧データ番号、及びデータ
コード（そのデータが論理演算処理により、新しい辺が
２個以上生成されていれば、１０３数値コード、すなわ
ちＳＱ抵抗コードを付加し、新しい辺がなければ１０９
数値コード、すなわちＳＪ抵抗コードを付加する）から
構成される（図５）で示されるレコード・フォーマット
により、ＷＡＷＯＲＫに格納する。そして、そのデータ
は、ＳＰ３の旧データ番号の昇順にソートして保持す
る。次に、ＶＦＷＯＲＫファイルとＷＡＷＯＲＫファイ
ルを比較して、１０３数値コードをもつデータのＳＰ３
旧データ番号と一致するＶＦＷＯＲＫ上のＳＰ３データ
を特定し、それをＳＱ抵抗データとして、ファイルに格
納する手段５で、ＳＱ抵抗を識別する。この様子を図１
８に示す。 ●ＳＮ、ＳＪ抵抗の識別 ＳＮ抵抗識別の場合には、（図１１）に示すようにＳＮ
パターン１１０にＳＰパターン１０９が重なっていると
いう、素子構造上の特徴を利用する。
タとＳＮデータの論理積処理を行い、ＳＮデータのＡＮ
Ｄ部データをサーチして、ＳＮデータのスタート／エン
ド・レコードＮＯ、ＳＰ３の旧データ番号、及びデータ
コード（そのデータが論理演算処理により、新しい辺が
２個以上生成されていれば、１０３数値コード、すなわ
ちＳＱ抵抗コードを付加し、新しい辺がなければ１０９
数値コード、すなわちＳＪ抵抗コードを付加する）から
構成される（図５）で示されるレコード・フォーマット
により、ＷＡＷＯＲＫに格納する。そして、そのデータ
は、ＳＰ３の旧データ番号の昇順にソートして保持す
る。次に、ＶＦＷＯＲＫファイルとＷＡＷＯＲＫファイ
ルを比較して、１０３数値コードをもつデータのＳＰ３
旧データ番号と一致するＶＦＷＯＲＫ上のＳＰ３データ
を特定し、それをＳＱ抵抗データとして、ファイルに格
納する手段５で、ＳＱ抵抗を識別する。この様子を図１
８に示す。 ●ＳＮ、ＳＪ抵抗の識別 ＳＮ抵抗識別の場合には、（図１１）に示すようにＳＮ
パターン１１０にＳＰパターン１０９が重なっていると
いう、素子構造上の特徴を利用する。
【００２３】まず、１個のＳＮパターンにＣＯパターン
が２個以上含まれていれば、ＳＮ抵抗もしくは、ＳＪ抵
抗と特定する。
が２個以上含まれていれば、ＳＮ抵抗もしくは、ＳＪ抵
抗と特定する。
【００２４】次に、手段６で、マスクデータファイルＦ
ＦＷＯＲＫファイルから、ＳＮデータのデータ番号順の
データスタート／エンド・レコードＮＯ、ＳＮのデータ
番号から構成される（図６）に示すようなレコード・フ
ォーマットで、ＶＨＷＯＲＫファイルにテーブルファイ
ルを作成する。これを図１９に示す。
ＦＷＯＲＫファイルから、ＳＮデータのデータ番号順の
データスタート／エンド・レコードＮＯ、ＳＮのデータ
番号から構成される（図６）に示すようなレコード・フ
ォーマットで、ＶＨＷＯＲＫファイルにテーブルファイ
ルを作成する。これを図１９に示す。
【００２５】そして、手段７で、ＦＦＷＯＲＫファイル
をよみ、ＳＮデータとＣＯデータの論理積処理を行い、
ＣＯのＡＮＤ部データから、同一ＳＮデータに対して、
ＣＯを２個以上含むＳＮレコードデータをサーチして、
ＳＮの旧データ番号毎のスタート／エンド・レコードＮ
Ｏ、ＳＮの旧データ番号、ＳＮ及びＳＪ抵抗コードから
構成される（図７）に示すレコード・フォーマットでＶ
ＪＷＯＲＫファイルに格納する。これを図２０に示す。
をよみ、ＳＮデータとＣＯデータの論理積処理を行い、
ＣＯのＡＮＤ部データから、同一ＳＮデータに対して、
ＣＯを２個以上含むＳＮレコードデータをサーチして、
ＳＮの旧データ番号毎のスタート／エンド・レコードＮ
Ｏ、ＳＮの旧データ番号、ＳＮ及びＳＪ抵抗コードから
構成される（図７）に示すレコード・フォーマットでＶ
ＪＷＯＲＫファイルに格納する。これを図２０に示す。
【００２６】また、手段８で、ＦＦＷＯＲＫファイルを
読み、ＳＮデータとＳＰ３データの論理積処理を行い、
ＳＰ３のＡＮＤ部データからＳＮの旧データ番号を取り
出し、（図８）に示すレコード・フォーマットで、ＷＢ
ＷＯＲＫファイルに格納する。これを図２１に示す。
読み、ＳＮデータとＳＰ３データの論理積処理を行い、
ＳＰ３のＡＮＤ部データからＳＮの旧データ番号を取り
出し、（図８）に示すレコード・フォーマットで、ＷＢ
ＷＯＲＫファイルに格納する。これを図２１に示す。
【００２７】そして、ＶＪＷＯＲＫとＷＢＷＯＲＫのＳ
Ｎ旧データ番号を比較して、両データ番号が同一であれ
ば、ＳＮ抵抗データと特定し、それ以外は、ＳＪ抵抗デ
ータと特定する手段９で、ＳＪ抵抗とＳＮ抵抗を識別す
る。これを図２２に示す。 ●ＳＰ抵抗の識別 ＶＦＷＯＲＫファイルを読み、抵抗コードをチェックす
る。そして、ＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵抗、ＳＪ抵
抗、ＵＮＫＯＷＮ以外のコードを持つデータを特定し、
そのデータをＳＰ抵抗とする手段１０でＳＰ抵抗を識別
する。これを図２３に示す。
Ｎ旧データ番号を比較して、両データ番号が同一であれ
ば、ＳＮ抵抗データと特定し、それ以外は、ＳＪ抵抗デ
ータと特定する手段９で、ＳＪ抵抗とＳＮ抵抗を識別す
る。これを図２２に示す。 ●ＳＰ抵抗の識別 ＶＦＷＯＲＫファイルを読み、抵抗コードをチェックす
る。そして、ＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵抗、ＳＪ抵
抗、ＵＮＫＯＷＮ以外のコードを持つデータを特定し、
そのデータをＳＰ抵抗とする手段１０でＳＰ抵抗を識別
する。これを図２３に示す。
【００２８】抵抗値計算装置では、手段１１により各抵
抗パターンとそのシート抵抗値から、各パターン毎の抵
抗値を算出して、データベースに格納する。これを図２
４に示す。
抗パターンとそのシート抵抗値から、各パターン毎の抵
抗値を算出して、データベースに格納する。これを図２
４に示す。
【００２９】（表１）に、各バイポーラＩＣに対するデ
ータ処理時間を示す。但し、１ブロックは４０９６バイ
トである。
ータ処理時間を示す。但し、１ブロックは４０９６バイ
トである。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はバイポー
ラＩＣのマスクデータの組合せに着目した。そして、ト
ランジスタ及び少なくともＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵
抗、ＳＪ抵抗、ＳＰ抵抗を構成するマスクを詳細に検討
し、図形論理演算を工夫して、少なくともＰＷ抵抗、Ｓ
Ｑ抵抗、ＳＮ抵抗、ＳＪ抵抗、ＳＰ抵抗パターン並びに
その抵抗値を高速にかつ正確に抽出する手段を実現し
た。
ラＩＣのマスクデータの組合せに着目した。そして、ト
ランジスタ及び少なくともＰＷ抵抗、ＳＱ抵抗、ＳＮ抵
抗、ＳＪ抵抗、ＳＰ抵抗を構成するマスクを詳細に検討
し、図形論理演算を工夫して、少なくともＰＷ抵抗、Ｓ
Ｑ抵抗、ＳＮ抵抗、ＳＪ抵抗、ＳＰ抵抗パターン並びに
その抵抗値を高速にかつ正確に抽出する手段を実現し
た。
【００３２】本発明により、苛酷でかつミスが多かった
バイポーラＩＣ抵抗値検図作業が、短時間で正確に実行
可能となり、品質の向上や開発期間の短縮に大きく寄与
した。
バイポーラＩＣ抵抗値検図作業が、短時間で正確に実行
可能となり、品質の向上や開発期間の短縮に大きく寄与
した。
【図１】本発明の実施例の装置全体のブロック図
【図２】ＶＦＷＯＲＫファイルのレコード構成図
【図３】ＶＨＷＯＲＫファイルのレコード構成図
【図４】ＦＫＷＯＲＫファイルのレコード構成図
【図５】ＷＡＷＯＲＫファイルのレコード構成図
【図６】ＶＨＷＯＲＫファイルのレコード構成図
【図７】ＶＪＷＯＲＫファイルのレコード構成図
【図８】ＷＢＷＯＲＫファイルのレコード構成図
【図９】ＰＷ抵抗のマスク構成にもとづく平面および素
子断面図
子断面図
【図１０】ＳＱ抵抗のマスク構成にもとづく平面および
素子断面図
素子断面図
【図１１】ＳＮ抵抗のマスク構成にもとづく平面および
素子断面図
素子断面図
【図１２】ＳＪ抵抗のマスク構成にもとづく平面および
素子断面図
素子断面図
【図１３】ＳＰ抵抗のマスク構成にもとづく平面および
素子断面図
素子断面図
【図１４】全マスクデータを層データ毎に分類する手段
１を示すフローチャート
１を示すフローチャート
【図１５】トランジスタ素子と抵抗素子との識別手段２
を示すフローチャート
を示すフローチャート
【図１６】ＰＷ抵抗の識別を示す手段３、４のフローチ
ャート
ャート
【図１７】同抵抗の識別を示す手段４のフローチャート
【図１８】ＳＱ抵抗の識別を示す手段５のフローチャー
ト
ト
【図１９】ＳＮ抵抗及びＳＪ抵抗の識別を示す手段６〜
９のフローチャート
９のフローチャート
【図２０】同抵抗の識別を示す手段７のフローチャート
【図２１】同抵抗の識別を示す手段８のフローチャート
【図２２】同抵抗の識別を示す手段９のフローチャート
【図２３】ＳＰ抵抗の識別を示す手段１０のフローチャ
ート
ート
【図２４】抵抗値算出手段を示すフローチャート
１ 全マスクデータを層データ毎に分類する手段 ２ トランジスタ素子と抵抗素子との識別手段 ３〜１０ 少なくとも５種類の抵抗素子識別手段 １１ 少なくとも５種類の抵抗値算出手段 １００ ＰＷ抵抗の抵抗部本体を構成するＰＷパターン １０１ ＰＷ抵抗のコンタクト部分を構成するＳＰパタ
ーン １０２ Ｐ型基板 １０３ ＢＮ埋め込み層 １０４ エピタキシャル層 １０５ 分離層 １０６ ＳＱ抵抗のコンタクト部を含む抵抗部全体を構
成するＳＰパターン １０７ スクイズ部を構成するＳＮパターン １０８ １０６部分と１０７部分のＡＮＤ部分 １０９ ＳＮ抵抗を構成するＳＰパターン １１０ ＳＮ抵抗本体部分を構成するＳＮパターン １１１ ＳＪ抵抗本体部分を構成するＳＮパターン １１２ ＳＰ抵抗本体部分を構成するＳＰパターン
ーン １０２ Ｐ型基板 １０３ ＢＮ埋め込み層 １０４ エピタキシャル層 １０５ 分離層 １０６ ＳＱ抵抗のコンタクト部を含む抵抗部全体を構
成するＳＰパターン １０７ スクイズ部を構成するＳＮパターン １０８ １０６部分と１０７部分のＡＮＤ部分 １０９ ＳＮ抵抗を構成するＳＰパターン １１０ ＳＮ抵抗本体部分を構成するＳＮパターン １１１ ＳＪ抵抗本体部分を構成するＳＮパターン １１２ ＳＰ抵抗本体部分を構成するＳＰパターン
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも、バイポーラＩＣのマスクデー
タを解析して、自動で抵抗を識別して、その抵抗値を算
出して、出力する抵抗値検証のための装置であり、マス
クデータ分類装置と、分類された前記マスクデータを抵
抗素子と他素子とに区別する素子識別装置と、前記抵抗
素子を少なくとも５種類の抵抗に区別する抵抗識別装置
と、区別された前記抵抗の抵抗値を算出する抵抗値計算
装置とを備えたことを特徴とするバイポーラＩＣ抵抗識
別装置。 - 【請求項２】マスクデータ分類装置は、少なくとも、バ
イポーラＩＣを構成する全マスクデータをデータベース
からワークファイルに読み込み、マスク層データ毎に分
類して保持するマスクデータファイルを持ち、高濃度ボ
ロン打ち込みマスクデータと低濃度ボロン打ち込みマス
クデータを読み、両データの論理和処理を行い,その論
理和マスクデータをボロン打ち込み全体マスクデータと
して保持し、少なくとも、各マスク層データに対して
は、矩形などの図形データのＸ，Ｙ座標値に対して、昇
順ソートしてマスクデータファイルに保持する処理手段
を含むことを特徴とする請求項１記載のバイポーラＩＣ
抵抗識別装置。 - 【請求項３】素子識別装置は、上記マスクデータファイ
ルを用いて、ボロン打ち込み全体マスクデータとコンタ
クトマスクデータの論理積処理を行い、同一ボロン打ち
込み全体マスクデータ中に２個以上のコンタクトデータ
を含むボロン打ち込み全体マスクデータを抵抗素子と識
別し、ワークファイルにストアする処理手段を含むこと
を特徴とする請求項１記載のバイポーラＩＣ抵抗識別装
置。 - 【請求項４】抵抗識別装置は、少なくとも、低濃度ボロ
ン打ち込み部を抵抗部本体とする抵抗を識別する処理手
段を含む抵抗識別装置と、高濃度ボロン打ち込みマスク
と高濃度リン打ち込みマスクとの重なり部分を抵抗本体
とする低抗を識別する処理手段を含む抵抗識別装置と、
高濃度ボロン打ち込みマスクに包含される高濃度リン打
ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗及び、高濃度
リン打ち込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗を識別
する処理手段を含む抵抗識別装置及び、高濃度リン打ち
込みマスク部分を抵抗部本体とする抵抗を識別する抵抗
識別装置と、高濃度ボロン打ち込みマスク部分を抵抗部
本体とする抵抗を識別する抵抗識別装置とから構成され
ることを特徴とする請求項１記載のバイポーラＩＣ抵抗
識別装置。 - 【請求項５】抵抗値計算装置は、各抵抗パターンを正方
形に分割して、その正方形数と各抵抗のシート抵抗値の
積により、抵抗値を算出する処理手段を含む請求項１記
載のバイポーラＩＣ抵抗識別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027741A JPH05225279A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | バイポーラｉｃ抵抗識別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027741A JPH05225279A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | バイポーラｉｃ抵抗識別装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05225279A true JPH05225279A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12229459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4027741A Pending JPH05225279A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | バイポーラｉｃ抵抗識別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05225279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100336066C (zh) * | 2004-02-09 | 2007-09-05 | 松下电器产业株式会社 | 电阻值计算方法 |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP4027741A patent/JPH05225279A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100336066C (zh) * | 2004-02-09 | 2007-09-05 | 松下电器产业株式会社 | 电阻值计算方法 |
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