JPH0521855A - ジヨセフソン素子の製造方法 - Google Patents
ジヨセフソン素子の製造方法Info
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- JPH0521855A JPH0521855A JP3173705A JP17370591A JPH0521855A JP H0521855 A JPH0521855 A JP H0521855A JP 3173705 A JP3173705 A JP 3173705A JP 17370591 A JP17370591 A JP 17370591A JP H0521855 A JPH0521855 A JP H0521855A
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- Japan
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- thin film
- metal oxide
- bridge
- etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属酸化物超伝導体によるブリッジ型ジョセ
フソン接合において、高い加工精度を必要としない製造
方法を実現する。 【構成】 基板１１上に金属酸化物超伝導薄膜１２を形
成した後、エッチングにより２つの電極部分１３と、２
つの電極部分１３をつなぐ微小なブリッジ部１４をエッ
チングにより形成した後、ブリッジ部分１４に紫外線を
照射する。 【作用】 紫外線照射によって、ブリッジ部１４の表面
から超伝導特性が劣化し、ブリッジ部１４の実効的な厚
さを薄くすることができ、これによって、高いエッチン
グ加工精度なしにジョセフソン素子が作製できる。
フソン接合において、高い加工精度を必要としない製造
方法を実現する。 【構成】 基板１１上に金属酸化物超伝導薄膜１２を形
成した後、エッチングにより２つの電極部分１３と、２
つの電極部分１３をつなぐ微小なブリッジ部１４をエッ
チングにより形成した後、ブリッジ部分１４に紫外線を
照射する。 【作用】 紫外線照射によって、ブリッジ部１４の表面
から超伝導特性が劣化し、ブリッジ部１４の実効的な厚
さを薄くすることができ、これによって、高いエッチン
グ加工精度なしにジョセフソン素子が作製できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超伝導応用技術の一つ
であるジョセフソン素子の製造方法に関する。
であるジョセフソン素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年発見された酸化物超伝導体の中に
は、その超伝導遷移温度が液体窒素温度（７７．３Ｋ）
を越えるものがあり、超伝導体の応用分野を大きく広げ
ることとなった。この金属酸化物超伝導体の実用化の一
つであるジョセフソン素子については、様々な製造方法
が考案され、試されている。酸化物超伝導体を二つに割
り、再びわずかに接触させたブレーク型ジョセフソン素
子、酸化物超伝導膜作製の際に起こる粒成長の現象を積
極的に利用する、いわゆる粒界接合を利用したジョセフ
ソン素子などが従来試作されているが、主として再現性
に問題があり、実用化にはほど遠い。また、トンネル型
ジョセフソン接合では、きわめて薄い（約数ｎｍ厚）絶
縁膜を超伝導体で挟み込む必要があり、安定な絶縁膜の
形成が難しい金属酸化物超伝導体を用いたものは作製が
きわめて困難である。
は、その超伝導遷移温度が液体窒素温度（７７．３Ｋ）
を越えるものがあり、超伝導体の応用分野を大きく広げ
ることとなった。この金属酸化物超伝導体の実用化の一
つであるジョセフソン素子については、様々な製造方法
が考案され、試されている。酸化物超伝導体を二つに割
り、再びわずかに接触させたブレーク型ジョセフソン素
子、酸化物超伝導膜作製の際に起こる粒成長の現象を積
極的に利用する、いわゆる粒界接合を利用したジョセフ
ソン素子などが従来試作されているが、主として再現性
に問題があり、実用化にはほど遠い。また、トンネル型
ジョセフソン接合では、きわめて薄い（約数ｎｍ厚）絶
縁膜を超伝導体で挟み込む必要があり、安定な絶縁膜の
形成が難しい金属酸化物超伝導体を用いたものは作製が
きわめて困難である。
【０００３】これに対して、弱結合型ジョセフソン接合
として、ブリッジ型ジョセフソン接合は、微小なブリッ
ジ部で２つの超伝導部分を接続したもので、構造が２次
元的で、通常のエッチングプロセスを用いて作製できる
ため、作製プロセスは単純で簡便であり、さらに、他の
電子デバイスとのモノリシック化の可能性等の利点があ
り、実用性が高い。
として、ブリッジ型ジョセフソン接合は、微小なブリッ
ジ部で２つの超伝導部分を接続したもので、構造が２次
元的で、通常のエッチングプロセスを用いて作製できる
ため、作製プロセスは単純で簡便であり、さらに、他の
電子デバイスとのモノリシック化の可能性等の利点があ
り、実用性が高い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ブリッ
ジ型ジョセフソン接合では、原理上、ブリッジ部の寸法
がコヒーレント長（数ｎｍ）程度であることが必要であ
り、このコヒーレント長に加工する方法および精度が課
題となっている。
ジ型ジョセフソン接合では、原理上、ブリッジ部の寸法
がコヒーレント長（数ｎｍ）程度であることが必要であ
り、このコヒーレント長に加工する方法および精度が課
題となっている。
【０００５】本発明は、このような加工精度を解決した
ジョセフソン素子の製造方法の提供を目的としている。
ジョセフソン素子の製造方法の提供を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のジョセフソン素
子の製造方法では、金属酸化物超伝導薄膜にエッチング
により作製されたブリッジ部に対して紫外線を照射する
ことにより、従来の課題を克服した。
子の製造方法では、金属酸化物超伝導薄膜にエッチング
により作製されたブリッジ部に対して紫外線を照射する
ことにより、従来の課題を克服した。
【０００７】
【作用】本発明のジョセフソン素子の製造方法では、ブ
リッジ部をエッチングで作製した後、紫外線照射する。
紫外線照射によって金属酸化物超伝導薄膜中に酸素欠損
が生成され、超伝導特性が劣化、あるいは、消滅するこ
とを例えば特願平２−２１６８８５号等で本発明者らに
よって明らかにした。その後本発明者らの鋭意努力の結
果、この紫外線照射の効果は、照射量（照射強度×照射
時間）の増加によって、徐々に膜表面から内部に影響が
およぶことが判り、照射量を正確に制御すれば、膜表面
から思う深さまで、超伝導特性を劣化させることも判明
した。したがってブリッジ部の実効的な厚さだけを選択
的に超電導特性を劣化もしくは消滅させることで、比較
的低いエッチング精度でも再現性よくブリッジ型ジョセ
フソン接合が作製できる。
リッジ部をエッチングで作製した後、紫外線照射する。
紫外線照射によって金属酸化物超伝導薄膜中に酸素欠損
が生成され、超伝導特性が劣化、あるいは、消滅するこ
とを例えば特願平２−２１６８８５号等で本発明者らに
よって明らかにした。その後本発明者らの鋭意努力の結
果、この紫外線照射の効果は、照射量（照射強度×照射
時間）の増加によって、徐々に膜表面から内部に影響が
およぶことが判り、照射量を正確に制御すれば、膜表面
から思う深さまで、超伝導特性を劣化させることも判明
した。したがってブリッジ部の実効的な厚さだけを選択
的に超電導特性を劣化もしくは消滅させることで、比較
的低いエッチング精度でも再現性よくブリッジ型ジョセ
フソン接合が作製できる。
【０００８】
【実施例】本発明のジョセフソン素子は、基板上に金属
酸化物超伝導薄膜を形成し、この薄膜をエッチングによ
りブリッジ型ジョセフソン素子の概略形状を形成する。
酸化物超伝導薄膜を形成し、この薄膜をエッチングによ
りブリッジ型ジョセフソン素子の概略形状を形成する。
【０００９】本発明に供される基板としては、例えばＭ
ｇＯ等の通常の基板材料が適応できる。
ｇＯ等の通常の基板材料が適応できる。
【００１０】本発明で形成される金属酸化物超伝導薄膜
は、例えばスパッタ蒸着、ＣＶＤ蒸着、電子ビーム蒸
着、抵抗加熱蒸着等が適応されるが、金属酸化物超伝導
薄膜の組成制御が容易であるためスパッタ蒸着が好まし
い。
は、例えばスパッタ蒸着、ＣＶＤ蒸着、電子ビーム蒸
着、抵抗加熱蒸着等が適応されるが、金属酸化物超伝導
薄膜の組成制御が容易であるためスパッタ蒸着が好まし
い。
【００１１】また、本発明のエッチング方法としては、
例えばイオンビームエッチング等の通常の手法で充分行
える。
例えばイオンビームエッチング等の通常の手法で充分行
える。
【００１２】本発明に供される金属酸化物超伝導薄膜
は、紫外線照射により超伝導特性が変化する材料であれ
ば何れでも良い。例えばＡ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合物
（但しＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＬａ系列元素（原子
番号５７、５９〜６０、６２〜７１）の内少なくとも１
種、ＢはＢａ、ＳｒなどIIａ族元素の内少なくとも１
種、かつＡおよびＢ両元素とＣｕ元素の濃度は０．５≦
（Ａ＋Ｂ）／Ｃｕ≦２．５の関係を満足する）、Ｂｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合物、Ｂi−Ｓr−Ｃa−
Ｃu−Ｏ系複合化合物中のＳｒ原子の一部をＰｂで置換
された化合物、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合
物、もしくはＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合物
中のＢａ原子の一部をＰｂで置換された化合物等の銅系
複合酸化物または非銅系複合酸化物が供される。但し、
これらの超伝導材料は各超伝導転移温度が変わることに
よって、作製したジョセフソン素子の動作温度が変化す
ること勿論である。
は、紫外線照射により超伝導特性が変化する材料であれ
ば何れでも良い。例えばＡ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合物
（但しＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＬａ系列元素（原子
番号５７、５９〜６０、６２〜７１）の内少なくとも１
種、ＢはＢａ、ＳｒなどIIａ族元素の内少なくとも１
種、かつＡおよびＢ両元素とＣｕ元素の濃度は０．５≦
（Ａ＋Ｂ）／Ｃｕ≦２．５の関係を満足する）、Ｂｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合物、Ｂi−Ｓr−Ｃa−
Ｃu−Ｏ系複合化合物中のＳｒ原子の一部をＰｂで置換
された化合物、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合
物、もしくはＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系複合化合物
中のＢａ原子の一部をＰｂで置換された化合物等の銅系
複合酸化物または非銅系複合酸化物が供される。但し、
これらの超伝導材料は各超伝導転移温度が変わることに
よって、作製したジョセフソン素子の動作温度が変化す
ること勿論である。
【００１３】エッチングで概略形成されたジョセフソン
素子のブリッジ部にのみ選択的に紫外線を照射して、こ
のブリッジ部を非超伝導化する。本発明のジョセフソン
素子は、ブリッジ部に紫外線を照射することを特徴とし
ている。超伝導体にエネルギー線を照射すると超伝導特
性が変化することは、前述した特願平２−２１６８８５
号で開示したが、紫外線よりもエネルギーの高いエネル
ギー線を照射すると、例え照射量を制御したとしてもエ
ネルギー線は超伝導薄膜の内部にまで到達し、照射した
部分の超伝導特性は制御できない。したがって、照射す
るエネルギー線のエネルギーが低い紫外線の場合のみ照
射量制御で超伝導特性が制御できる。本発明に適応でき
る紫外線の波長領域は、４００〜３００ｎｍの近紫外線
もしくは３００〜１９０ｎｍの遠紫外線である。
素子のブリッジ部にのみ選択的に紫外線を照射して、こ
のブリッジ部を非超伝導化する。本発明のジョセフソン
素子は、ブリッジ部に紫外線を照射することを特徴とし
ている。超伝導体にエネルギー線を照射すると超伝導特
性が変化することは、前述した特願平２−２１６８８５
号で開示したが、紫外線よりもエネルギーの高いエネル
ギー線を照射すると、例え照射量を制御したとしてもエ
ネルギー線は超伝導薄膜の内部にまで到達し、照射した
部分の超伝導特性は制御できない。したがって、照射す
るエネルギー線のエネルギーが低い紫外線の場合のみ照
射量制御で超伝導特性が制御できる。本発明に適応でき
る紫外線の波長領域は、４００〜３００ｎｍの近紫外線
もしくは３００〜１９０ｎｍの遠紫外線である。
【００１４】以下に、本発明の一実施例について図面を
用いて説明する。図１は、本発明の一実施例のジョセフ
ソン素子の製造方法の一工程を表したものである。ここ
で、基板１１上に、例えばスパッタリングで金属酸化物
超伝導薄膜１２を形成する。次に、フォトリソグラフィ
ーとドライエッチングなどの手法を用いて図１のよう
に、２つの電極部１３とそれらをつなぐブリッジ部１４
を形成する。そして最後に、ブリッジ部１４に対して、
紫外線を照射する。
用いて説明する。図１は、本発明の一実施例のジョセフ
ソン素子の製造方法の一工程を表したものである。ここ
で、基板１１上に、例えばスパッタリングで金属酸化物
超伝導薄膜１２を形成する。次に、フォトリソグラフィ
ーとドライエッチングなどの手法を用いて図１のよう
に、２つの電極部１３とそれらをつなぐブリッジ部１４
を形成する。そして最後に、ブリッジ部１４に対して、
紫外線を照射する。
【００１５】紫外線照射によって、ブリッジ部１４の表
面部分から超伝導性を劣化させ、実効的なブリッジ部の
厚さを制御できる。そして、照射量を適当に調節するこ
とによって、実効的ブリッジ厚を、コヒーレント長程度
まで、きわめて薄くすることができ、これによって、ブ
リッジ型ジョセフソン効果が現れる。
面部分から超伝導性を劣化させ、実効的なブリッジ部の
厚さを制御できる。そして、照射量を適当に調節するこ
とによって、実効的ブリッジ厚を、コヒーレント長程度
まで、きわめて薄くすることができ、これによって、ブ
リッジ型ジョセフソン効果が現れる。
【００１６】エッチングで作製するときのブリッジ部１
４の実際の幅は、１０μｍ程度以下であればよく、通常
のドライエッチングプロセスで十分実現可能で、集束イ
オンビームなど超高精度の加工は必要としない。また、
紫外線照射の領域も、ブリッジ部１４の全部、あるいは
一部分に照射すればよく、したがって、フォトマスクな
どを利用して高精度に露光する必要はなく、メタルマス
クを試料の上に置く程度で十分である。
４の実際の幅は、１０μｍ程度以下であればよく、通常
のドライエッチングプロセスで十分実現可能で、集束イ
オンビームなど超高精度の加工は必要としない。また、
紫外線照射の領域も、ブリッジ部１４の全部、あるいは
一部分に照射すればよく、したがって、フォトマスクな
どを利用して高精度に露光する必要はなく、メタルマス
クを試料の上に置く程度で十分である。
【００１７】本発明の効果をさらに理解させるために、
図１を引用して具体的な実施例について述べる。
図１を引用して具体的な実施例について述べる。
【００１８】実施例１
ＭｇＯ単結晶を基板１１として用い、その（１００）面
上に金属酸化物超伝導薄膜１２を高周波プレーナマグネ
トロンスッパタにより形成した。スパッタでは、焼結し
たＢｉＳｒＣａＣｕＯ粉末をターゲットに用いた。スパ
ッタ条件は、Ａｒ，Ｏ2混合ガスの圧力を０．５Ｐａ、
ガス混合比Ａｒ：Ｏ2＝１：５、スパッタ電力は１５０
Ｗ、スパッタ時間は１０分で、薄膜の厚さ１１０ｎｍで
ある。なお、スパッタの際の基板１１の温度は５８０℃
にした。できた薄膜１２の超伝導転移温度は８０Ｋであ
った。また、この薄膜１２の表面はジョセフソン接合を
形成するのには十分の平坦度を有していた。
上に金属酸化物超伝導薄膜１２を高周波プレーナマグネ
トロンスッパタにより形成した。スパッタでは、焼結し
たＢｉＳｒＣａＣｕＯ粉末をターゲットに用いた。スパ
ッタ条件は、Ａｒ，Ｏ2混合ガスの圧力を０．５Ｐａ、
ガス混合比Ａｒ：Ｏ2＝１：５、スパッタ電力は１５０
Ｗ、スパッタ時間は１０分で、薄膜の厚さ１１０ｎｍで
ある。なお、スパッタの際の基板１１の温度は５８０℃
にした。できた薄膜１２の超伝導転移温度は８０Ｋであ
った。また、この薄膜１２の表面はジョセフソン接合を
形成するのには十分の平坦度を有していた。
【００１９】この金属酸化物超伝導薄膜１２の表面に、
ネガ型フォトレジスト（ＯＭＲ）を回転塗布した。幅、
長さともに１０μｍのブリッジパターンのフォトマスク
を用いて露光し、現像して、エッチングのためのマスク
を膜１２上に形成した。エッチングは、アルゴンイオン
ビームエッチング装置を利用し、約６００μＡ／ｃｍ 2
のイオン電流密度で、約２５分エッチングを行い、図１
のような金属酸化物超伝導薄膜によるパターンを形成し
た。エッチング後、表面に残っているレジスト膜は、酸
素プラズマによって酸化させ、取り除いた。
ネガ型フォトレジスト（ＯＭＲ）を回転塗布した。幅、
長さともに１０μｍのブリッジパターンのフォトマスク
を用いて露光し、現像して、エッチングのためのマスク
を膜１２上に形成した。エッチングは、アルゴンイオン
ビームエッチング装置を利用し、約６００μＡ／ｃｍ 2
のイオン電流密度で、約２５分エッチングを行い、図１
のような金属酸化物超伝導薄膜によるパターンを形成し
た。エッチング後、表面に残っているレジスト膜は、酸
素プラズマによって酸化させ、取り除いた。
【００２０】次に、紫外線照射を行なった。光源には、
１６０Ｗの低圧水銀ランプを用い、試料周辺でのオゾン
生成を防ぐため、試料は減圧ヘリウムガス中にセットし
た。試料上にメタルマスクをおいて、ブリッジ部１４に
のみ紫外線が照射されるようにして、約１時間の紫外線
照射を行ない、素子作製工程は終了する。
１６０Ｗの低圧水銀ランプを用い、試料周辺でのオゾン
生成を防ぐため、試料は減圧ヘリウムガス中にセットし
た。試料上にメタルマスクをおいて、ブリッジ部１４に
のみ紫外線が照射されるようにして、約１時間の紫外線
照射を行ない、素子作製工程は終了する。
【００２１】電極部１３の間に定電流を流しながら、そ
の両端の電圧を測定し、電圧・電流特性を観測しなが
ら、１０ＧＨｚ前後のマイクロ波をブリッジ部に照射し
たところ、膜１２の超伝導転移温度以下の温度では、電
流を増減させると、約２０μＶ程度の階段状の電圧変
化、いわゆるシャピロ(Shapiro)ステップが観測され
た。このことから、本製造方法によって、ジョセフソン
接合が形成されたことを確認した。
の両端の電圧を測定し、電圧・電流特性を観測しなが
ら、１０ＧＨｚ前後のマイクロ波をブリッジ部に照射し
たところ、膜１２の超伝導転移温度以下の温度では、電
流を増減させると、約２０μＶ程度の階段状の電圧変
化、いわゆるシャピロ(Shapiro)ステップが観測され
た。このことから、本製造方法によって、ジョセフソン
接合が形成されたことを確認した。
【００２２】上記実施例では、金属酸化物超伝導薄膜１
２として、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ超伝導薄膜を用
いたが、この種のものに限る必要はなく、Ａ−Ｂ−Ｃｕ
−Ｏ複合化合物を用いた場合でも、同様に本発明は有効
であった。ここに、ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＬａ系
列元素（原子番号５７、５９〜６０、６２〜７１）の内
少なくとも１種、ＢはＢａ、ＳｒなどIIａ族元素の内少
なくとも１種、かつＡ、Ｂ元素とＣｕ元素の濃度が０．
５≦（Ａ＋Ｂ）／Ｃｕ≦２．５を満足すれば、作製した
薄膜の超伝導転移温度に多少の差は生じるが基本的に本
発明にとってその有効性に変化を与えない。さらに、Ｂ
i−Ｓr−Ｃa−Ｃu−Ｏ化合物中のＳｒ原子の一部をＰｂ
で置換された化合物、あるいは、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−Ｏ化合物またはＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ化合物
中のＢａ原子の一部をＰｂで置換された化合物を用いて
も同様に本発明は有効であった。
２として、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ超伝導薄膜を用
いたが、この種のものに限る必要はなく、Ａ−Ｂ−Ｃｕ
−Ｏ複合化合物を用いた場合でも、同様に本発明は有効
であった。ここに、ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＬａ系
列元素（原子番号５７、５９〜６０、６２〜７１）の内
少なくとも１種、ＢはＢａ、ＳｒなどIIａ族元素の内少
なくとも１種、かつＡ、Ｂ元素とＣｕ元素の濃度が０．
５≦（Ａ＋Ｂ）／Ｃｕ≦２．５を満足すれば、作製した
薄膜の超伝導転移温度に多少の差は生じるが基本的に本
発明にとってその有効性に変化を与えない。さらに、Ｂ
i−Ｓr−Ｃa−Ｃu−Ｏ化合物中のＳｒ原子の一部をＰｂ
で置換された化合物、あるいは、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−Ｏ化合物またはＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ化合物
中のＢａ原子の一部をＰｂで置換された化合物を用いて
も同様に本発明は有効であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明のジョセフソン素子の製造方法で
は、金属酸化物超伝導薄膜をエッチングで加工したのち
に、紫外線照射を行なう。紫外線照射量を制御すること
によって、通常のブリッジ型ジョセフソン接合作製にと
って従来必要であった、数ｎｍ程度の加工精度を必要と
せずに、良好な特性のジョセフソン素子を再現性よく作
製できる。
は、金属酸化物超伝導薄膜をエッチングで加工したのち
に、紫外線照射を行なう。紫外線照射量を制御すること
によって、通常のブリッジ型ジョセフソン接合作製にと
って従来必要であった、数ｎｍ程度の加工精度を必要と
せずに、良好な特性のジョセフソン素子を再現性よく作
製できる。
【００２４】ジョセフソン素子は、超高性能マイクロ波
ミキサーや超高感度磁界計測装置などではきわめて重要
な構成要素であり、また、金属酸化物超伝導体の中で、
将来さらに転移温度の高い材料の発見も期待できること
から、本発明の工業的価値は高い。
ミキサーや超高感度磁界計測装置などではきわめて重要
な構成要素であり、また、金属酸化物超伝導体の中で、
将来さらに転移温度の高い材料の発見も期待できること
から、本発明の工業的価値は高い。
【図１】本発明の一実施例のジョセフソン素子の製造法
の一工程における斜視図
の一工程における斜視図
１ 基板
２ 金属酸化物超伝導薄膜
３ 電極部
４ ブリッジ部
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に金属酸化物超伝導薄膜を形成し
た後、前記金属酸化物超伝導薄膜をエッチングにより２
つの電極部と前記２つの電極部をつなぐ微小なブリッジ
部を形成した後、前記ブリッジ部に紫外線を照射するこ
とを特徴とするジョセフソン素子の製造方法。 - 【請求項２】 金属酸化物超伝導薄膜が、Ａ−Ｂ−Ｃｕ
−Ｏ複合化合物であることを特徴とする、請求項１記載
のジョセフソン素子の製造方法。ここに、ＡはＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、およびＬａ系列元素（原子番号５７、５９〜
６０、６２〜７１）の内少なくとも１種、ＢはIIａ族元
素の内少なくとも１種、かつＡおよびＢ両元素とＣｕ元
素の濃度は、０．５≦（Ａ＋Ｂ）／Ｃｕ≦２．５。 - 【請求項３】 金属酸化物超伝導薄膜が、Ｂi−Ｓr−Ｃ
a−Ｃu−Ｏ系化合物、前記Ｂi−Ｓr−Ｃa−Ｃu−Ｏ系化
合物中のＳｒ原子の一部をＰｂで置換された化合物、Ｔ
ｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物または前記Ｔｌ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物中のＢａ原子の一部をＰｂ
で置換された化合物の何れかであることを特徴とする、
請求項１記載のジョセフソン素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17370591A JP3149460B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | ジョセフソン素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17370591A JP3149460B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | ジョセフソン素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521855A true JPH0521855A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3149460B2 JP3149460B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=15965605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17370591A Expired - Fee Related JP3149460B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | ジョセフソン素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149460B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP17370591A patent/JP3149460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3149460B2 (ja) | 2001-03-26 |
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