JPH0521819A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JPH0521819A JPH0521819A JP3168446A JP16844691A JPH0521819A JP H0521819 A JPH0521819 A JP H0521819A JP 3168446 A JP3168446 A JP 3168446A JP 16844691 A JP16844691 A JP 16844691A JP H0521819 A JPH0521819 A JP H0521819A
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- Japan
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- light receiving
- electrode
- optical fiber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバと受光素子アレイなどの受光部を
互いに切り離すことができ、これら部品間の位置合わせ
が容易にでき、高速に適した受光装置を提供する。 【構成】 本発明に係る受光装置は、第１パッケージ体
Ｆと第２パッケージ体Ｐとを備えて構成されている。こ
こで、第１パッケージ体Ｆは光ファイバ２ａを位置決め
し、光ファイバ２ａの出射端面を外部に露出させた状態
で、光ファイバ２ａを一体的に保持する。また、第２パ
ッケージ体Ｐは、光ファイバ２ａからの伝送光を受光し
電気信号で出力する櫛形電極を備えた受光部およびこの
櫛形電極に接続され電気信号を取り出す第１電極が裏面
に形成された第１基板５、および第１電極と接続する第
２電極がＶ溝の斜面６ａに形成され、外部リード７と接
続した第３電極６ｇが形成された第２基板６を含み、第
１基板５が第２基板６のＶ溝で保持され第１電極と第２
電極が導通した状態で、第１基板５と第２基板６を一体
的に保持する。
互いに切り離すことができ、これら部品間の位置合わせ
が容易にでき、高速に適した受光装置を提供する。 【構成】 本発明に係る受光装置は、第１パッケージ体
Ｆと第２パッケージ体Ｐとを備えて構成されている。こ
こで、第１パッケージ体Ｆは光ファイバ２ａを位置決め
し、光ファイバ２ａの出射端面を外部に露出させた状態
で、光ファイバ２ａを一体的に保持する。また、第２パ
ッケージ体Ｐは、光ファイバ２ａからの伝送光を受光し
電気信号で出力する櫛形電極を備えた受光部およびこの
櫛形電極に接続され電気信号を取り出す第１電極が裏面
に形成された第１基板５、および第１電極と接続する第
２電極がＶ溝の斜面６ａに形成され、外部リード７と接
続した第３電極６ｇが形成された第２基板６を含み、第
１基板５が第２基板６のＶ溝で保持され第１電極と第２
電極が導通した状態で、第１基板５と第２基板６を一体
的に保持する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は合体により位置決めされ
る１対のパッケージ体で構成された受光装置に関する。
る１対のパッケージ体で構成された受光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の受光装置として、“High Uniform
ity,Low Cost Packaging of Multi-Channel InGaAs Pho
todetector Arrays for Parallel-Bus Optical Interco
nnects ”と題する論文（LEOS '90 Conference Digest,
p.168 ）およびＥＰ・０・１３８６３０Ｂ１に示され
た構造が知られている。
ity,Low Cost Packaging of Multi-Channel InGaAs Pho
todetector Arrays for Parallel-Bus Optical Interco
nnects ”と題する論文（LEOS '90 Conference Digest,
p.168 ）およびＥＰ・０・１３８６３０Ｂ１に示され
た構造が知られている。
【０００３】論文で発表された装置は、樹脂部材で一体
的に保持された基板、光ファイバ、受光素子アレイで構
成されている。基板には傾斜面が形成されており、この
傾斜面と直交する軸に対して対称に、光ファイバの出射
面および受光素子の受光面が配置されている。傾斜面の
表面には反射膜が形成されているので、光ファイバから
の光は基板の傾斜面で反射し、受光素子の受光面に入射
する。
的に保持された基板、光ファイバ、受光素子アレイで構
成されている。基板には傾斜面が形成されており、この
傾斜面と直交する軸に対して対称に、光ファイバの出射
面および受光素子の受光面が配置されている。傾斜面の
表面には反射膜が形成されているので、光ファイバから
の光は基板の傾斜面で反射し、受光素子の受光面に入射
する。
【０００４】また、ＥＰ・０・１３８６３０Ｂ１に示さ
れた受光装置は、垂直面に受光素子を取り付け、水平面
に光ファイバを固定した２面実装のＬ字形状のパッケー
ジ体で構成されている。
れた受光装置は、垂直面に受光素子を取り付け、水平面
に光ファイバを固定した２面実装のＬ字形状のパッケー
ジ体で構成されている。
【０００５】これらの受光装置では、受光素子としてＰ
ｉｎ型フォトダイオードを使用していたが、位置精度の
関係上、受光径を大きくする必要があった。
ｉｎ型フォトダイオードを使用していたが、位置精度の
関係上、受光径を大きくする必要があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】論文で示された装置は
パッケージ前の構造が不安定であり、ハウジング処理が
容易ではない。この装置では光ファイバと受光素子アレ
イは一体的に樹脂成形されるので、光ファイバをコネク
タに接続できないという問題があった。
パッケージ前の構造が不安定であり、ハウジング処理が
容易ではない。この装置では光ファイバと受光素子アレ
イは一体的に樹脂成形されるので、光ファイバをコネク
タに接続できないという問題があった。
【０００７】また、ＥＰ・０・１３８６３０Ｂ１に示さ
れた受光装置は、部品間の位置合わせが困難であるとい
う欠点があった。
れた受光装置は、部品間の位置合わせが困難であるとい
う欠点があった。
【０００８】さらに、受光径の大きいＰｉｎ型フォトダ
イオードを使用すると、容量が大きくなり、高速の受光
装置には適さないという問題があった。
イオードを使用すると、容量が大きくなり、高速の受光
装置には適さないという問題があった。
【０００９】そこで本発明は、光ファイバと受光素子ア
レイなどの受光部を互いに切り離すことができるように
光ファイバと受光部を別体で構成し、これら部品間の位
置合わせが容易にでき、さらに、高速に適した受光装置
を提供することを目的とする。
レイなどの受光部を互いに切り離すことができるように
光ファイバと受光部を別体で構成し、これら部品間の位
置合わせが容易にでき、さらに、高速に適した受光装置
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る受光装置
は、第１パッケージ体と第２パッケージ体とを備えて構
成されている。ここで、第１パッケージ体は光ファイバ
を位置決めし、光ファイバの出射端面を外部に露出させ
た状態で、光ファイバを一体的に保持する。また、第２
パッケージ体は、光ファイバからの伝送光を受光し電気
信号を出力する櫛形電極を備えた受光部および櫛形電極
に接続され電気信号を取り出す第１電極が裏面に形成さ
れた第１基板、および第１電極と接続する第２電極がＶ
溝の斜面に形成され、外部リードと接続した第３電極が
形成された第２基板を含み、第１基板が第２基板のＶ溝
で保持され第１電極と前記第２電極が導通した状態で、
第１基板と第２基板を一体的に保持する。
は、第１パッケージ体と第２パッケージ体とを備えて構
成されている。ここで、第１パッケージ体は光ファイバ
を位置決めし、光ファイバの出射端面を外部に露出させ
た状態で、光ファイバを一体的に保持する。また、第２
パッケージ体は、光ファイバからの伝送光を受光し電気
信号を出力する櫛形電極を備えた受光部および櫛形電極
に接続され電気信号を取り出す第１電極が裏面に形成さ
れた第１基板、および第１電極と接続する第２電極がＶ
溝の斜面に形成され、外部リードと接続した第３電極が
形成された第２基板を含み、第１基板が第２基板のＶ溝
で保持され第１電極と前記第２電極が導通した状態で、
第１基板と第２基板を一体的に保持する。
【００１１】上記受光部には、光導電素子、ＭＳＭ（Me
tal Semiconductor Metal ）構造のフォトダイオードを
使用することが望ましい。
tal Semiconductor Metal ）構造のフォトダイオードを
使用することが望ましい。
【００１２】
【作用】本発明は、光ファイバを保持する第１パッケー
ジ体と受光部を保持する第２パッケージ体は別体になっ
ており、合体により第１パッケージ体に保持された光フ
ァイバと第２パッケージ体に保持された受光部が光結合
する状態になる。受光部として、光導電素子あるいはＭ
ＳＭ構造のフォトダイオードを使用すると、受光面積が
大きくなり、容量は小さくなる。
ジ体と受光部を保持する第２パッケージ体は別体になっ
ており、合体により第１パッケージ体に保持された光フ
ァイバと第２パッケージ体に保持された受光部が光結合
する状態になる。受光部として、光導電素子あるいはＭ
ＳＭ構造のフォトダイオードを使用すると、受光面積が
大きくなり、容量は小さくなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る受光装置を添
付図面に基づき説明する。説明において同一要素には同
一符号を用い、重複する説明は省略する。
付図面に基づき説明する。説明において同一要素には同
一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００１４】図１（ａ）は本発明の一実施例として、多
芯光ファイバと受光素子アレイを用いた受光装置を示す
平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線で切断し
た内部構造を示す端面図、図２はパッケージ前の第１基
板および第２基板を分解して示す斜視図、図３は第１基
板が第２基板の斜面上に保持されたパッケージ前の状態
を示す側面図、図４は第１基板を保持した第２基板及び
第３基板を含むパッケージ前の状態を示す斜視図であ
る。
芯光ファイバと受光素子アレイを用いた受光装置を示す
平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線で切断し
た内部構造を示す端面図、図２はパッケージ前の第１基
板および第２基板を分解して示す斜視図、図３は第１基
板が第２基板の斜面上に保持されたパッケージ前の状態
を示す側面図、図４は第１基板を保持した第２基板及び
第３基板を含むパッケージ前の状態を示す斜視図であ
る。
【００１５】本実施例は第１パッケージ体Ｆおよび第２
パッケージ体Ｐを含んで構成され、第１パッケージ体Ｆ
の側面に形成された一対のガイド穴ｈに、第２パッケー
ジ体Ｐの側面から突出して形成された一対のガイドピン
が嵌合することにより、第１パッケージ体Ｆと第２パッ
ケージ体Ｐが結合する。
パッケージ体Ｐを含んで構成され、第１パッケージ体Ｆ
の側面に形成された一対のガイド穴ｈに、第２パッケー
ジ体Ｐの側面から突出して形成された一対のガイドピン
が嵌合することにより、第１パッケージ体Ｆと第２パッ
ケージ体Ｐが結合する。
【００１６】第１パッケージ体Ｆは、表面に複数のＶ溝
が形設されたＳｉなどの整列用基板１、これらのＶ溝に
整列された複数の光ファイバ２ａを有する被覆の一部が
除去された多芯光ファイバ心線２、複数の光ファイバ２
ａを固定するＳｉなどの固定用基板３を含む、いわゆる
多芯コネクタ構造になっており、複数の光ファイバ２ａ
の出射端面を一列に露出した状態で、整列用基板１、多
芯光ファイバ心線２および固定用基板３が樹脂部材４で
一体的に保持されている。第１パッケージ体Ｆにおける
光ファイバ２ａの出射端面が露出した出射面には、光フ
ァイバ２ａの出射端面を両側から挟むように、一対のガ
イド穴ｈが光軸方向に沿って形設されている。第１パッ
ケージ体Ｆは、例えば、整列用基板１及び固定用基板３
を金型に装着し、この金型に樹脂材料を注入して樹脂成
形することにより形成される。
が形設されたＳｉなどの整列用基板１、これらのＶ溝に
整列された複数の光ファイバ２ａを有する被覆の一部が
除去された多芯光ファイバ心線２、複数の光ファイバ２
ａを固定するＳｉなどの固定用基板３を含む、いわゆる
多芯コネクタ構造になっており、複数の光ファイバ２ａ
の出射端面を一列に露出した状態で、整列用基板１、多
芯光ファイバ心線２および固定用基板３が樹脂部材４で
一体的に保持されている。第１パッケージ体Ｆにおける
光ファイバ２ａの出射端面が露出した出射面には、光フ
ァイバ２ａの出射端面を両側から挟むように、一対のガ
イド穴ｈが光軸方向に沿って形設されている。第１パッ
ケージ体Ｆは、例えば、整列用基板１及び固定用基板３
を金型に装着し、この金型に樹脂材料を注入して樹脂成
形することにより形成される。
【００１７】第２パッケージ体Ｐは、第１基板５、第２
基板６、リードピン（外部リード）７、ワイヤ８、第３
基板９、ガイドピン１０を含んで構成される。第２基板
６のＶ溝には第１基板５が保持され、その平坦部６ｂに
は第３基板９が載置されている。また、第２基板６の側
方には一端部が第２パッケージ体Ｐの外部に延びたリー
ドピン７が配置され、ワイヤ８によって第２基板６とリ
ードピン７の他端部とが接続されている。第１基板５、
第２基板６、リードピン７、ワイヤ８、第３基板９およ
びガイドピン１０は、樹脂成形により樹脂部材４で一体
的に保持されているが、第１基板５のレンズ部５ａ上に
は樹脂部材４が形成されていないので、光ファイバ２ａ
から出射された光は屈折することなく、レンズ部５ａに
入射する（図１参照）。
基板６、リードピン（外部リード）７、ワイヤ８、第３
基板９、ガイドピン１０を含んで構成される。第２基板
６のＶ溝には第１基板５が保持され、その平坦部６ｂに
は第３基板９が載置されている。また、第２基板６の側
方には一端部が第２パッケージ体Ｐの外部に延びたリー
ドピン７が配置され、ワイヤ８によって第２基板６とリ
ードピン７の他端部とが接続されている。第１基板５、
第２基板６、リードピン７、ワイヤ８、第３基板９およ
びガイドピン１０は、樹脂成形により樹脂部材４で一体
的に保持されているが、第１基板５のレンズ部５ａ上に
は樹脂部材４が形成されていないので、光ファイバ２ａ
から出射された光は屈折することなく、レンズ部５ａに
入射する（図１参照）。
【００１８】以下、上述した第２パッケージ体Ｐを構成
する各部品の具体的な構造について説明する。第１基板
５は一列状に複数のレンズ部５ａが表面に形成され、こ
のレンズ部５ａに入射した光の出射時光軸が交差する裏
面側領域にはレンズ部５ａと同数の受光部５ｂが一列状
に配置されている。それぞれの受光部５ｂの両側には一
対の信号取出し用電極（第１電極）５ｃが形成されてい
る。上述した第１基板５としては例えばアンドープのＩ
ｎＰで形成された半導体チップを材料として使用するこ
とができ、電極としては例えばＮｉＢに金メッキを施し
た構造を使用できる。また、受光部５ｂは受光領域ｂ及
び櫛形電極ｃを含んで構成されている。
する各部品の具体的な構造について説明する。第１基板
５は一列状に複数のレンズ部５ａが表面に形成され、こ
のレンズ部５ａに入射した光の出射時光軸が交差する裏
面側領域にはレンズ部５ａと同数の受光部５ｂが一列状
に配置されている。それぞれの受光部５ｂの両側には一
対の信号取出し用電極（第１電極）５ｃが形成されてい
る。上述した第１基板５としては例えばアンドープのＩ
ｎＰで形成された半導体チップを材料として使用するこ
とができ、電極としては例えばＮｉＢに金メッキを施し
た構造を使用できる。また、受光部５ｂは受光領域ｂ及
び櫛形電極ｃを含んで構成されている。
【００１９】図５は、本実施例に適用できる光導電素子
あるいはＭＳＭ構造のフォトダイオードを用いた受光部
の構成例を示す。この受光部５ｂは受光領域ｂ内に噛み
合うように対向して配置された一対の櫛形電極ｃを備え
る。それぞれの櫛形電極ｃは受光領域ｂの両側に配置さ
れた信号取出し用電極５ｃに配線部ｗを介して接続され
ている。受光領域ｂは例えば導電層（例えばＩｎＧａＡ
ｓ層）及びキャップ層（例えばＡｌＩｎＡｓ層）からな
るＭＳＭ構造のフォトダイオードで構成されているの
で、受光領域が比較的大きくなり、容量は小さくなって
いる。その為、光を効率良く吸収することができ、高速
に適した受光部５ｂが形成されている。また、信号取出
し用電極５ｃ及びその配線部ｗは窒化膜などの絶縁膜ｉ
上に形成されているので、暗電流を防止することができ
る。なお、ＭＳＭ構造のフォトダイオードとしては“Ve
ry high speed GaInAsmetal-semiconductor-metal phot
odiode incorporating an AlInAs/GaInAs graded super
lattice”と題する論文（Appl.Phys.Lett.54(1),2 Janu
ary 1989,pp.16-17）あるいは特願平２−２８０６３３
で示された半導体受光素子を使用することができ、ＭＳ
Ｍ構造のフォトダイオードの代わりに公知の光導電素子
（ＰＣＤ）を使用することができる。
あるいはＭＳＭ構造のフォトダイオードを用いた受光部
の構成例を示す。この受光部５ｂは受光領域ｂ内に噛み
合うように対向して配置された一対の櫛形電極ｃを備え
る。それぞれの櫛形電極ｃは受光領域ｂの両側に配置さ
れた信号取出し用電極５ｃに配線部ｗを介して接続され
ている。受光領域ｂは例えば導電層（例えばＩｎＧａＡ
ｓ層）及びキャップ層（例えばＡｌＩｎＡｓ層）からな
るＭＳＭ構造のフォトダイオードで構成されているの
で、受光領域が比較的大きくなり、容量は小さくなって
いる。その為、光を効率良く吸収することができ、高速
に適した受光部５ｂが形成されている。また、信号取出
し用電極５ｃ及びその配線部ｗは窒化膜などの絶縁膜ｉ
上に形成されているので、暗電流を防止することができ
る。なお、ＭＳＭ構造のフォトダイオードとしては“Ve
ry high speed GaInAsmetal-semiconductor-metal phot
odiode incorporating an AlInAs/GaInAs graded super
lattice”と題する論文（Appl.Phys.Lett.54(1),2 Janu
ary 1989,pp.16-17）あるいは特願平２−２８０６３３
で示された半導体受光素子を使用することができ、ＭＳ
Ｍ構造のフォトダイオードの代わりに公知の光導電素子
（ＰＣＤ）を使用することができる。
【００２０】第２基板６は傾斜部６ａおよび平坦部６ｂ
を含んで構成されている。傾斜部６ａはＶ溝の一傾斜面
で構成され、上述した信号取出し用電極５ｃと対応する
位置に同一間隔で複数の電極（第２電極）６ｃが形成さ
れている。また、平坦部６ｂには、内部に形成された受
信回路６ｄ、この受信回路６ｄを保護すると共に配線間
を絶縁するＳｉＯ2 などの絶縁膜６ｅ、この絶縁膜６ｅ
上に形成され電極６ｃと接続した配線部６ｆ、この配線
部６ｆの端部に接続すると共に外部に延びたリードピン
７とワイヤ８を介して接続された電極（第３電極）６ｇ
が形成されている。ここで、傾斜部６ａは例えばダイシ
ングにより第２基板６の端部にＶ溝を形成することによ
り形成できるが、このＶ溝の深さを変えることにより、
簡単に光ファイバ２ａの高さが異なる第１パッケージ体
に対処することができる。また、配線部６ｆはスパッ
タ、メッキ、蒸着等、公知の技術を用いて形成できる。
第２基板６の受信回路が形成された領域には底面に溝９
ａを有する第３基板９が載置され、平坦部６ｂ上に実装
されたチップコンデンサ、チップ抵抗などのチップ素子
６ｈは第３基板９により保護されている（図１（ｂ）、
図４参照）。
を含んで構成されている。傾斜部６ａはＶ溝の一傾斜面
で構成され、上述した信号取出し用電極５ｃと対応する
位置に同一間隔で複数の電極（第２電極）６ｃが形成さ
れている。また、平坦部６ｂには、内部に形成された受
信回路６ｄ、この受信回路６ｄを保護すると共に配線間
を絶縁するＳｉＯ2 などの絶縁膜６ｅ、この絶縁膜６ｅ
上に形成され電極６ｃと接続した配線部６ｆ、この配線
部６ｆの端部に接続すると共に外部に延びたリードピン
７とワイヤ８を介して接続された電極（第３電極）６ｇ
が形成されている。ここで、傾斜部６ａは例えばダイシ
ングにより第２基板６の端部にＶ溝を形成することによ
り形成できるが、このＶ溝の深さを変えることにより、
簡単に光ファイバ２ａの高さが異なる第１パッケージ体
に対処することができる。また、配線部６ｆはスパッ
タ、メッキ、蒸着等、公知の技術を用いて形成できる。
第２基板６の受信回路が形成された領域には底面に溝９
ａを有する第３基板９が載置され、平坦部６ｂ上に実装
されたチップコンデンサ、チップ抵抗などのチップ素子
６ｈは第３基板９により保護されている（図１（ｂ）、
図４参照）。
【００２１】本実施例によると、ガイドピン１０をガイ
ド穴ｈに挿入することにより、光ファイバ２ａと受光部
５ｂは光結合するので、部品間の位置合せは極めて容易
である。
ド穴ｈに挿入することにより、光ファイバ２ａと受光部
５ｂは光結合するので、部品間の位置合せは極めて容易
である。
【００２２】また、第２パッケージ体Ｐを形成する場合
でも、第２基板６のＶ溝に第１基板５を保持するだけで
光ファイバに対して垂直方向の位置合せがなされ、Ｖ溝
に沿って移動させることにより水平方向の位置合せが実
現する。したがって、パッケージ前の位置合せが容易で
あり、その取付け構造は安定している。したがって、金
型にこの取付け構造を装着し、樹脂材料を注入すること
によりパッケージ体を樹脂成形する場合でも樹脂材料の
注入圧力により位置合せが狂うことを防止できる。
でも、第２基板６のＶ溝に第１基板５を保持するだけで
光ファイバに対して垂直方向の位置合せがなされ、Ｖ溝
に沿って移動させることにより水平方向の位置合せが実
現する。したがって、パッケージ前の位置合せが容易で
あり、その取付け構造は安定している。したがって、金
型にこの取付け構造を装着し、樹脂材料を注入すること
によりパッケージ体を樹脂成形する場合でも樹脂材料の
注入圧力により位置合せが狂うことを防止できる。
【００２３】さらに、第１基板５のレンズ部５ａとして
ボールレンズを使用し、レンズ部５ａの位置を変えるこ
とができる構造にすれば、光ファイバとの垂直方向の位
置合せが可能になる。
ボールレンズを使用し、レンズ部５ａの位置を変えるこ
とができる構造にすれば、光ファイバとの垂直方向の位
置合せが可能になる。
【００２４】次に、本実施例による受光装置における信
号の流れを以下に説明する。光ファイバ２ａから出射さ
れた伝送光は第１基板５のレンズ部５ａで受光され、第
１基板５の内部で集光されて受光部５ｂに入射する。入
射した光は受光部５ｂで電気信号に変換され、信号取出
し用電極５ｃに送られる。この信号取出し用電極５ｃは
第２基板６の傾斜部６ａに形成された電極６ｃと導通し
ているので、信号取出し用電極５ｃから取り出された電
気信号は電極６ｃ、受信回路６ｄに送られ、電極６ｇを
経て、一端が外部に延びたリードピン７に送られる。
号の流れを以下に説明する。光ファイバ２ａから出射さ
れた伝送光は第１基板５のレンズ部５ａで受光され、第
１基板５の内部で集光されて受光部５ｂに入射する。入
射した光は受光部５ｂで電気信号に変換され、信号取出
し用電極５ｃに送られる。この信号取出し用電極５ｃは
第２基板６の傾斜部６ａに形成された電極６ｃと導通し
ているので、信号取出し用電極５ｃから取り出された電
気信号は電極６ｃ、受信回路６ｄに送られ、電極６ｇを
経て、一端が外部に延びたリードピン７に送られる。
【００２５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない。実施例では２つの基板で光ファイバを挟持
する構造を一例として示したが、この構造に限定される
ものではない。
のではない。実施例では２つの基板で光ファイバを挟持
する構造を一例として示したが、この構造に限定される
ものではない。
【００２６】また、本実施例では複数の受光部を有する
受光素子アレイを用いた受光装置を一例として説明して
いるが、受光部は１つでもよい。
受光素子アレイを用いた受光装置を一例として説明して
いるが、受光部は１つでもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、光ファイバと受光部を互いに切り離すこと
ができ、合体により、部品間の位置合わせが容易に、か
つ精度良く実現することができる。
ているので、光ファイバと受光部を互いに切り離すこと
ができ、合体により、部品間の位置合わせが容易に、か
つ精度良く実現することができる。
【００２８】また、本発明に係る受光装置の受光部とし
て光導電素子あるいはＭＳＭ構造のフォトダイオードを
使用すれば、受光領域が大きくなり、容量が小さくなる
ので、光を効率良く吸収でき、高速性が向上する。
て光導電素子あるいはＭＳＭ構造のフォトダイオードを
使用すれば、受光領域が大きくなり、容量が小さくなる
ので、光を効率良く吸収でき、高速性が向上する。
【図１】本発明の一実施例として、多芯光ファイバと受
光素子アレイを用いた受光装置の構造を示す図である。
光素子アレイを用いた受光装置の構造を示す図である。
【図２】図１に示す実施例に使用できるパッケージ前の
第１基板および第２基板を分解して示す斜視図である。
第１基板および第２基板を分解して示す斜視図である。
【図３】図１に示す受光装置に使用できる第１基板が第
２基板の斜面上に保持されたパッケージ前の状態を示す
側面図である。
２基板の斜面上に保持されたパッケージ前の状態を示す
側面図である。
【図４】図１に示す受光装置に使用できる第１基板を保
持した第２基板及び第３基板を含むパッケージ前の状態
を示す斜視図である。
持した第２基板及び第３基板を含むパッケージ前の状態
を示す斜視図である。
【図５】図１に示す受光装置に使用できる光導電素子あ
るいはＭＳＭ構造のフォトダイオードを用いた受光部の
構成例を示す斜視図である。
るいはＭＳＭ構造のフォトダイオードを用いた受光部の
構成例を示す斜視図である。
Ｆ…第１パッケージ体、Ｐ…第２パッケージ体、１…整
列用基板、２…光ファイバ心線、３…固定用基板、４…
樹脂部材、５…第１基板、６…第２基板、７…リードピ
ン、８…ワイヤ、９…第３基板、１０…ガイドピン、ｂ
…受光領域、ｃ…櫛形電極、ｉ…絶縁膜、ｗ…配線部。
列用基板、２…光ファイバ心線、３…固定用基板、４…
樹脂部材、５…第１基板、６…第２基板、７…リードピ
ン、８…ワイヤ、９…第３基板、１０…ガイドピン、ｂ
…受光領域、ｃ…櫛形電極、ｉ…絶縁膜、ｗ…配線部。
Claims (3)
- 【請求項１】 光ファイバを位置決めし、前記光ファイ
バの出射端面を外部に露出させた状態で、前記光ファイ
バを一体的に保持する第１パッケージ体と、 前記光ファイバからの伝送光を受光し電気信号を出力す
る櫛形電極を備えた受光部および前記櫛形電極に接続さ
れ前記電気信号を取り出す第１電極が裏面に形成された
第１基板、および前記第１電極と接続する第２電極がＶ
溝の斜面に形成され、外部リードと接続した第３電極が
形成された第２基板を含み、前記第１基板が前記第２基
板のＶ溝で保持され前記第１電極と前記第２電極が導通
した状態で、前記第１基板と前記第２基板を一体的に保
持する第２パッケージ体とを備えて構成されている受光
装置。 - 【請求項２】 前記受光部が、光導電素子であることを
特徴とする請求項１記載の受光装置。 - 【請求項３】 前記受光部が、ＭＳＭ構造のフォトダイ
オードであることを特徴とする請求項１記載の受光装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3168446A JPH0521819A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 受光装置 |
| EP92111060A EP0522417A1 (en) | 1991-07-09 | 1992-06-30 | Light-receiving apparatus with optical fiber connection |
| KR92012134A KR950009628B1 (en) | 1991-07-09 | 1992-07-08 | Light receiving apparatus |
| US07/911,024 US5222175A (en) | 1991-07-09 | 1992-07-09 | Optical integrated light receiving apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3168446A JPH0521819A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521819A true JPH0521819A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15868267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3168446A Pending JPH0521819A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012216A1 (fr) * | 1997-08-28 | 1999-03-11 | Hitachi, Ltd. | Photodetecteur de semi-conducteur et dispositif de transmission optique |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3168446A patent/JPH0521819A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012216A1 (fr) * | 1997-08-28 | 1999-03-11 | Hitachi, Ltd. | Photodetecteur de semi-conducteur et dispositif de transmission optique |
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