JPH05211209A - Film carrier tape - Google Patents
Film carrier tapeInfo
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- JPH05211209A JPH05211209A JP434492A JP434492A JPH05211209A JP H05211209 A JPH05211209 A JP H05211209A JP 434492 A JP434492 A JP 434492A JP 434492 A JP434492 A JP 434492A JP H05211209 A JPH05211209 A JP H05211209A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリアテープ
に関し、特にフィルムキャリアテープのリード構造に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film carrier tape, and more particularly to a lead structure of the film carrier tape.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のフィルムキャリアテープは、図４
（ａ）の断面図に示すように、スプロケットホールを持
ったポリイミドテープ基材４に銅等の金属箔を接着層３
を介して貼り合わせ、これにボンディングワイヤに相当
するリード２ａのパターンをフォトエッチングにより形
成した後、金，錫または半田めっき等を施していた。そ
して、半導体素子の外部引き出し用電極上に形成された
突起型電極（バンプ）上に上述したリードパターンを重
ね合わせ、ボンディングツールにて熱圧着部９，９ａを
加圧加熱してボンディングを行っていた。2. Description of the Related Art A conventional film carrier tape is shown in FIG.
As shown in the sectional view of (a), a metal foil such as copper is adhered to a polyimide tape substrate 4 having a sprocket hole by an adhesive layer 3
After that, a pattern of the lead 2a corresponding to a bonding wire is formed by photoetching, and then gold, tin or solder plating is applied. Then, the above-mentioned lead pattern is superposed on the protruding electrodes (bumps) formed on the external extraction electrodes of the semiconductor element, and the thermocompression bonding portions 9 and 9a are heated under pressure by a bonding tool to perform bonding. It was
【０００３】又は、上述のフィルムキャリアテープにリ
ードパターンを形成する際、図４（ｂ）の断面図に示す
ように、リード２ｂの先端部にフォトエッチングにより
ハーフエッチングを施し、このリード先端部にバンプ５
ａを形成した後、少なくとも一層のめっき層（例えば金
層）を設けていた。そして、半導体素子の外部引き出し
用電極上にこのリード２ｂのバンプ５ａを重ね合わせ、
上からボンディングツールにより加圧加熱してボンディ
ングを行っていた。Alternatively, when forming a lead pattern on the above film carrier tape, as shown in the sectional view of FIG. 4 (b), the tips of the leads 2b are half-etched by photoetching, and the tips of the leads are formed. Bump 5
After forming a, at least one plating layer (for example, a gold layer) was provided. Then, the bump 5a of the lead 2b is superposed on the external extraction electrode of the semiconductor element,
Bonding was performed by applying pressure and heating with a bonding tool from above.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリアテープは、そのリード先端部の熱圧着部位が
図４（ａ）に見られるようにフラットになっているの
で、例えば、図５（ａ），（ｃ）に示すような平行工具
（ボンディングツール７と半導体素子基板６）による平
面ひずみ据込み（スラブ法など）による解析を応用し
て、図５（ａ）に示すリード２とバンプ５の圧着部位の
ツール圧下力分布σn を求めると、図６（ａ），
（ｃ），図７（ａ），（ｂ）に示すような不均一な分布
を示す結果が得られ、さらに、図６（ａ），（ｃ）の場
合は、同図（ｂ）に示す状態に置き換えて考えると、モ
ーメント荷重Ｍ＝Ｐ・ｌが作用しているのと等価な状態
であり、従って、リード，バンプ，電極パッド及びバン
プより下の半導体素子基板に不均一なせん断破壊面にお
ける変形を強いている状態であった。ここで、Ｐは圧下
力分布を等価的に集中荷重に置き換えた力，ｌはモーメ
ントアームである。In the conventional film carrier tape described above, the thermocompression bonding portion of the tip of the lead is flat as shown in FIG. 4 (a). ) And (c), the analysis by plane strain upsetting (slab method, etc.) by a parallel tool (bonding tool 7 and semiconductor element substrate 6) as shown in FIG. 5A is applied. When the tool rolling force distribution σ n at the crimping part of is calculated, as shown in FIG.
The results showing the non-uniform distribution as shown in (c), FIG. 7 (a), and (b) are obtained, and in the case of FIG. 6 (a) and (c), the result is shown in FIG. When it is considered as a state, it is a state equivalent to the moment load M = P · l acting, and therefore, the non-uniform shear fracture surface is present on the leads, bumps, electrode pads and the semiconductor element substrate below the bumps. It was in a state of being forced to deform. Here, P is a force equivalently replacing the rolling force distribution with a concentrated load, and l is a moment arm.
【０００５】一般に、材料の破壊や塑性変形は、外部か
らの負荷によって生ずる材料内部の応力のせん断成分と
偏差応力成分とで引き起されるものであるから、外部か
らの負荷のエネルギが同じであれば、上述したせん断成
分や偏差成分を生ぜしめない様な均一な圧下力分布を形
成せしめることが重要である。したがって、上述の図６
および図７に見られる様な不均一な圧下力分布は、リー
ドとバンプ間およびバンプと電極パッド間に均一な塑性
接触を実現できないことになり、十分な接合強度が得ら
れにくいのと同時に、バンプより下の半導体素子基板に
対しバンプはがれ等のせん断破壊を助長するという欠点
があった。Generally, the material fracture or plastic deformation is caused by the shear component and the deviated stress component of the stress inside the material caused by the load from the outside, so that the energy of the load from the outside is the same. If so, it is important to form a uniform rolling force distribution that does not cause the above shearing component and deviation component. Therefore, FIG.
The uneven distribution of the rolling force as shown in FIG. 7 makes it impossible to realize uniform plastic contact between the lead and the bump and between the bump and the electrode pad, and it is difficult to obtain sufficient bonding strength. There is a drawback in that shear failure such as bump peeling is promoted with respect to the semiconductor element substrate below the bump.
【０００６】なお、図６，図７で用いられる｜−σn ／
２ｋ｜は圧下力分布をせん断降伏応力で無次元化した値
の絶対値，ｘ／ａはリード幅方向の任意の位置（ｘ）を
リード幅ａにて無次元化した値，ｙ／ｂはリード長手方
向の熱圧着部位の任意の位置（ｙ）を熱圧着部位寸法ｂ
にて無次元化した値である。[−σ n / used in FIGS. 6 and 7]
2k | is the absolute value of the dimensionless value of the rolling force distribution due to shear yield stress, x / a is the dimensionless value of the lead width a at any position (x) in the lead width direction, and y / b is The arbitrary position (y) of the thermocompression bonding site in the longitudinal direction of the lead is measured by the thermocompression bonding site dimension b.
It is a dimensionless value.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
アテープは、フィルムキャリアテープのリード先端部ま
た半導体素子上に設けられた外部引き出し用電極パッド
上のいずれか一方に設けられた突起型電極に対し、熱圧
着によりボンディングを行う際、フィルムキャリアテー
プのリード先端部の熱圧着を施される部位に、熱圧着時
の圧下力分布を均一化し、突起型電極とリード先端部の
熱圧着部位および突起型電極と電極パッドとが均一な接
触および塑性変形がなされるように、エッチング等によ
る溝を有している。The film carrier tape of the present invention has a projection type electrode provided on either the lead tip portion of the film carrier tape or an external extraction electrode pad provided on the semiconductor element. On the other hand, when performing bonding by thermocompression bonding, the pressure drop distribution during thermocompression bonding is made uniform at the parts of the film carrier tape where the thermocompression bonding is performed on the lead tips, and Grooves formed by etching or the like are provided so that the protruding electrodes and the electrode pads can be uniformly contacted and plastically deformed.
【０００８】[0008]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。The present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００９】図１は本発明の実施例１の図である。同図
（ａ）は半導体素子６に形成されたバンプ５にフィルム
キャリアテープに形成されたリード２を位置合わせて、
ボンディングツール７にて熱圧着を施すところのボンデ
ィング時の断面を表わしており、同図（ｂ）はリード２
の熱圧着部位の近傍Ａ部の詳細図で、ボンディングツー
ル７のエッジ部の熱圧着部９および９ａ、さらにリード
２に形成された溝１のおおよその位置関係を示したもの
である。本実施例では、リード２の溝１はツール７のエ
ッジ部に沿う位置にエッチングにより形成する。また、
同図（ｃ）は、リード２の先端部分のみを三角法にて表
わした図である。本実施例に用いるリード幅ａが８０μ
ｍ，熱圧着部位長さｂが８０μｍ，リード厚さｈが３５
μｍで実施している。溝１の深さおよび幅は、それぞれ
深くかつ広い方が溝１の形成によって得られる自由表面
が大きくとれるので、その分だけリード２の長手方向に
発生する拘束力が低減されて良好な結果を得やすいので
あるが、実際にはリード２の強度的な信頼性の面から、
あるいは電気的特性の面から検討して最適値を決定す
る。FIG. 1 is a diagram of a first embodiment of the present invention. In the same figure (a), the leads 2 formed on the film carrier tape are aligned with the bumps 5 formed on the semiconductor element 6,
The cross section at the time of bonding where thermocompression bonding is performed by the bonding tool 7 is shown in FIG.
FIG. 3 is a detailed view of a portion A in the vicinity of the thermocompression bonded portion, showing the approximate positional relationship between the thermocompression bonded portions 9 and 9a at the edge portion of the bonding tool 7 and the groove 1 formed in the lead 2. In this embodiment, the groove 1 of the lead 2 is formed by etching along the edge of the tool 7. Also,
FIG. 3C is a diagram in which only the tip portion of the lead 2 is represented by trigonometry. The lead width a used in this embodiment is 80 μ.
m, thermocompression bonding length b is 80 μm, lead thickness h is 35
Conducted in μm. As the depth and width of the groove 1 are respectively deeper and wider, the free surface obtained by forming the groove 1 can be larger, so that the restraining force generated in the longitudinal direction of the lead 2 can be reduced by that much, and a good result can be obtained. It is easy to obtain, but in reality, from the viewpoint of strength reliability of the lead 2,
Alternatively, the optimum value is determined by considering the electrical characteristics.
【００１０】続いて、溝１を設けることの有意性を本実
施例に即して説明する。図５（ａ）はリード２およびバ
ンプ５の構造を模式的かつ立体的に表わした図であり、
同図（ｂ）は視点Ａから見た場合のボンディング時の力
の釣り合い状態を示した図である。これに、平行工具に
よる平面ひずみ据込みの解析手法の一つであるスラブ法
を応用してみると、この時の圧下力分布、すなわちリー
ド２の変形抵抗を示す分布σn は、図６（ａ）および
（ｄ）に示されるようなリードとツール間あるいはリー
ドとバンプ間のまさつ係数μにより異なる不均一な分布
結果として得られ、さらに、これを力学的等価な状態に
置き換えると図６（ｂ）に示される様に、バンプ５より
下の半導体素子基板６にモーメント荷重Ｍ＝Ｐ・ｌが作
用し、せん断破壊面の形成を助長していることがわか
る。そこで、この不均一な圧下力分布を均一化させる為
に、図１に示すような溝を深さｄがｄ1 ＜ｄ2 ＜ｄ3 な
る３通りの場合に分けして設定して、それぞれの深さに
ついて解析すると、図９（ａ）に示される圧下力分布結
果が得られ、これより、深さが深くなるほど、すなわち
リード２の自由表面が増すほど圧下力分布が平均化され
ていくことがわかる。Next, the significance of providing the groove 1 will be described with reference to this embodiment. FIG. 5A is a diagram schematically and three-dimensionally showing the structure of the lead 2 and the bump 5.
FIG. 3B is a diagram showing a state of balance of forces during bonding when viewed from the viewpoint A. When the slab method, which is one of the analysis methods of plane strain upsetting by a parallel tool, is applied to this, the rolling force distribution at this time, that is, the distribution σ n indicating the deformation resistance of the lead 2 is shown in FIG. 6 (a) and 6 (d) are obtained as non-uniform distribution results depending on the coefficient of friction μ between the lead and the tool or between the lead and the bump as shown in (a) and (d). As shown in (b), it is understood that the moment load M = P · l acts on the semiconductor element substrate 6 below the bump 5 to promote the formation of the shear fracture surface. Therefore, in order to make this non-uniform rolling force distribution uniform, the groove as shown in FIG. 1 is set separately for three cases where the depth d is d 1 <d 2 <d 3. When the depth is analyzed, the rolling force distribution result shown in FIG. 9A is obtained. From this, the rolling force distribution is averaged as the depth becomes deeper, that is, the free surface of the lead 2 increases. I understand.
【００１１】図２は本発明の実施例２の図である。図１
（ｃ）と同じく、リード２の先端部のみを三角法にて描
いたものである。実施例１と同様に溝１を設けるが、同
時にリード２の幅ａに対してほぼその中央に直角に溝１
ａを設けるものである。この溝１ａを設けることの有意
性を以下に説明する。FIG. 2 is a diagram of a second embodiment of the present invention. Figure 1
Similar to (c), only the tip of the lead 2 is drawn by trigonometry. The groove 1 is provided as in the first embodiment, but at the same time, the groove 1 is formed substantially at the center of the width a of the lead 2 at a right angle.
a is provided. The significance of providing the groove 1a will be described below.
【００１２】実施例１の場合と同様に図５（ｃ）は、図
５（ａ）に示すリード２，バンプ５の模式的構造図で、
視点Ｂから見た場合のボンディング時の力の釣り合い状
態を示した図である。これに、平行工具による平面ひず
み据込みの解析手法の一つであるスラブ法を応用する
と、この時の圧下力分布σn は図７（ａ）および（ｂ）
に示される様なまさつ係数μにより異なる不均一な分布
として得られ、このことはバンプ５および半導体素子基
板６に対して、くさびを打ち込む様な状態と等価な状態
であることがわかる。図８はこの圧下力分布を３次元的
に表わした図である。As in the case of the first embodiment, FIG. 5C is a schematic structural diagram of the lead 2 and the bump 5 shown in FIG. 5A.
FIG. 6 is a diagram showing a force balance state at the time of bonding when viewed from a viewpoint B. Applying the slab method, which is one of the analysis methods for plane strain upsetting by a parallel tool, to this, the rolling force distribution σ n at this time is shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b).
It can be seen that different uneven distributions are obtained depending on the roughness coefficient μ as shown in FIG. 3, which is equivalent to a state where a wedge is driven into the bump 5 and the semiconductor element substrate 6. FIG. 8 is a diagram showing this rolling force distribution three-dimensionally.
【００１３】そこで、この不均一な圧下力分布をできる
だけ均一化させ、リード２とバンプ５およびバンプ５と
それより下の電極パッドや半導体素子基板６との間に均
一な塑性接触・変形を生ぜしめる為に図２に示される様
な溝１ａを設ける。この溝１ａの深さｄａをｄａ1 ＜ｄ
ａ2 ＜ｄａ3 なる３通りの設定を行い、それぞれの場合
について解析すると、図９（ｂ）に示される様な結果が
得られる。やはり、リード２に形成された溝１ａによる
自由表面の領域が増すほど圧下分布は均一化される傾向
にあることがわかる。これによって、リード２の長手方
向の均一化だけでなく、幅方向に対する均一化も図れる
という利点がある。Therefore, this nonuniform rolling force distribution is made as uniform as possible, and uniform plastic contact / deformation is generated between the leads 2 and the bumps 5, and between the bumps 5 and the electrode pads below the bumps 5 and the semiconductor element substrate 6. A groove 1a as shown in FIG. 2 is provided for tightening. The depth da of this groove 1a is set to da 1 <d
When three kinds of settings of a 2 <da 3 are set and each case is analyzed, the result as shown in FIG. 9B is obtained. Again, it can be seen that as the area of the free surface due to the groove 1a formed in the lead 2 increases, the reduction distribution tends to become more uniform. This has an advantage that not only the lead 2 can be made uniform in the longitudinal direction but also made uniform in the width direction.
【００１４】図３は本発明の実施例３を三角法で示した
図である。溝１ａは実施例２の場合と同じくリード２の
幅ａに対してそのほぼ中央に設けるが、溝１ｂは実施例
１の場合の溝１を設けた位置、すなわち図１（ｂ）にて
示したボンディグツール７のエッジ部に沿って形成した
位置よりも、よりリード２の先端側に設けることを特徴
としている。リード２の熱圧着部位においてボンディン
グツール７のエッジ部が接触する部分は、強度的に不安
定な部分となりやすいので、この部分にさらに溝を設け
るとさらに強度低下する恐れが生ずる。しかし、本実施
例ではこれを回避することが可能となる利点がある。FIG. 3 is a diagram showing the third embodiment of the present invention by trigonometry. The groove 1a is provided approximately at the center of the width a of the lead 2 as in the case of the second embodiment, but the groove 1b is shown in the position where the groove 1 of the first embodiment is provided, that is, shown in FIG. It is characterized in that it is provided closer to the tip end side of the lead 2 than the position formed along the edge portion of the bonding tool 7. A portion of the lead 2 which is to be thermocompression-bonded with the edge portion of the bonding tool 7 is likely to be unstable in strength. Therefore, if a groove is further provided in this portion, the strength may further decrease. However, the present embodiment has an advantage that it is possible to avoid this.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フィルム
キャリアテープのリード先端部の圧着を施される部位に
エッチング等による溝を有することにより、熱圧着時の
圧下力分布を均一化し、バンプとリード先端部の熱圧着
部位およびバンプと電極パッドとが均一な塑性接触およ
び変形を実現できて十分な接合強度が得られるのと同時
に、バンプ以下の半導体素子基板に対しバンプはがれ等
のせん断破壊を回避でき、かつその助長を抑制できる効
果がある。As described above, according to the present invention, by providing a groove by etching or the like at the portion of the lead end portion of the film carrier tape to which the pressure is applied, the rolling force distribution during thermocompression bonding is made uniform, and And the bumps and electrode pads can be subjected to uniform plastic contact and deformation, and sufficient bonding strength can be obtained, and at the same time shear failure such as bump peeling to the semiconductor element substrate below the bumps. There is an effect that can be avoided and the promotion can be suppressed.
【図１】本発明の実施例１を示す図で、同図（ａ）は縦
断面図、同図（ｂ）はそのＡ部詳細図、同図（ｃ）はリ
ード先端部を三角法で示す図である。1A and 1B are views showing a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a longitudinal sectional view, FIG. 1B is a detailed view of part A, and FIG. FIG.
【図２】本発明の実施例２を示す図で、リード先端部を
三角法で示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention and is a diagram showing a lead tip portion by trigonometry.
【図３】本発明の実施例３を示す図で、リード先端部を
三角法で示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the present invention, and is a diagram showing a lead tip portion by trigonometry.
【図４】従来のフィルムキャリアテープのリード先端部
を示す図で、同図（ａ）は平板構造の縦断面図、同図
（ｂ）はバンプ構造の縦断面図である。4A and 4B are diagrams showing a lead tip portion of a conventional film carrier tape, wherein FIG. 4A is a vertical sectional view of a flat plate structure and FIG. 4B is a vertical sectional view of a bump structure.
【図５】リードとバンプの加圧状態を説明する図で、同
図（ａ）は立体図、同図（ｂ）はその視点Ａからの力の
釣合を示す図、同図（ｃ）は視点Ｂからの力の釣合を示
す図である。5 (a) and 5 (b) are views for explaining a pressing state of leads and bumps, in which FIG. 5 (a) is a three-dimensional view, FIG. FIG. 6 is a diagram showing a balance of forces from a viewpoint B.
【図６】リードとバンプの圧力下分布を説明する図で、
同図（ａ）は図５（ｂ）における圧力下分布図、同図
（ｂ）は同図（ａ）におけるせん断破壊面を示す図、同
図（ｃ）は同図（ａ）の圧下力分布値を示す図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the pressure distribution of leads and bumps,
Fig. 5A is a pressure distribution diagram in Fig. 5B, Fig. 5B is a diagram showing the shear fracture surface in Fig. 5A, and Fig. 7C is a rolling force in Fig. 5A. It is a figure which shows a distribution value.
【図７】リードとバンプの圧下力分布を説明する図で、
同図（ａ）は図５（ｃ）における圧下力分布図、、同図
（ｂ）は同図（ａ）の圧下力分布値を示す図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the distribution of rolling force of leads and bumps.
5A is a rolling force distribution diagram in FIG. 5C, and FIG. 5B is a diagram showing rolling force distribution values in FIG. 5A.
【図８】図７の圧下力分布を３次元的に表わした図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing the rolling force distribution of FIG. 7 three-dimensionally.
【図９】本発明を実施した時の溝の深さの変化に対応し
た圧下力分布値を示す図で、同図（ａ）は図５（ａ）の
視点Ａからの図、同図（ｂ）は視点Ｂからの図である。FIG. 9 is a diagram showing a rolling force distribution value corresponding to a change in groove depth when the present invention is carried out. FIG. 9A is a diagram from a viewpoint A of FIG. b) is a view from the viewpoint B.
１，１ａ，１ｂ 溝 ２，２ａ，２ｂ リード ３ 接着層 ４ テープ基材 ５，５ａ バンプ ６ 半導体素子基板 ７ ボンディングツール ８ 電極パッド ９，９ａ 熱圧着部 ａ リード幅 ｂ リード長手方向の熱圧着部位長さ ｄ，ｄａ 溝深さ ｈ リード厚さ ｌ モーメントアーム Ｍ モーメント荷重 Ｐ 圧下力分布を等価集中荷重に置き換えた力 σn 圧下力分布 ｋ せん断降伏応力 μ まさつ係数1,1a, 1b groove 2,2a, 2b lead 3 adhesive layer 4 tape base material 5,5a bump 6 semiconductor element substrate 7 bonding tool 8 electrode pad 9,9a thermocompression bonding area a lead width b lead thermocompression bonding area in the longitudinal direction Length d, da Groove depth h Lead thickness l Moment arm M Moment load P Force that replaces rolling force distribution with equivalent concentrated load σ n Rolling force distribution k Shear yield stress μ Measurement coefficient
Claims (4)
部、又は半導体素子上に設けられた外部引き出し用電極
パッド上のいずれか一方に設けられた突起型電極を介し
て熱圧着により前記半導体素子を搭載するフィルムキャ
リアテープにおいて、前記フィルムキャリアテープのリ
ード先端部の熱圧着が施される部位のボンディングツー
ル側の面に、溝を形成したことを特徴とするフィルムキ
ャリアテープ。1. The semiconductor element is mounted by thermocompression bonding via a projection type electrode provided on either one of a lead tip portion of a film carrier tape or an external extraction electrode pad provided on the semiconductor element. In the film carrier tape, a groove is formed on a surface of the lead end portion of the film carrier tape on which a thermocompression bonding is performed on the bonding tool side.
のエッジ部に沿う様に、かつフィルムキャリアテープの
リードの長手方向に対し直角に形成されている請求項１
記載のフィルムキャリアテープ、2. The groove is formed along the edge of the bonding tool during thermocompression bonding and at a right angle to the longitudinal direction of the lead of the film carrier tape.
Film carrier tape described,
溝と直角にリード先端まで溝を形成した請求項１記載の
フィルムキャリアテープ。3. The film carrier tape according to claim 1, wherein, in addition to the groove, a groove is formed from a substantially central portion thereof to a lead tip at a right angle to the groove.
された溝が熱圧着時のボンディングツールのエッジ部よ
りリード先端寄りに形成されている請求項１記載のフィ
ルムキャリアテープ。4. The film carrier tape according to claim 1, wherein a groove formed at a right angle to the longitudinal direction of the lead is formed closer to the tip of the lead than the edge portion of the bonding tool during thermocompression bonding.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004344A JP2757644B2 (en) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | Film carrier tape |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004344A JP2757644B2 (en) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | Film carrier tape |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211209A true JPH05211209A (en) | 1993-08-20 |
| JP2757644B2 JP2757644B2 (en) | 1998-05-25 |
Family
ID=11581815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4004344A Expired - Lifetime JP2757644B2 (en) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | Film carrier tape |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757644B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1179847A2 (en) * | 2000-07-07 | 2002-02-13 | Infineon Technologies AG | Support for integrated circuit chips and method of producing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01112740A (en) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead flame with protruding electrode |
| JPH0218955A (en) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame for semiconductor device |
| JPH03174136A (en) * | 1990-11-30 | 1991-07-29 | Casio Comput Co Ltd | Rear projection type screen |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP4004344A patent/JP2757644B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01112740A (en) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead flame with protruding electrode |
| JPH0218955A (en) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame for semiconductor device |
| JPH03174136A (en) * | 1990-11-30 | 1991-07-29 | Casio Comput Co Ltd | Rear projection type screen |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1179847A2 (en) * | 2000-07-07 | 2002-02-13 | Infineon Technologies AG | Support for integrated circuit chips and method of producing the same |
| EP1179847A3 (en) * | 2000-07-07 | 2003-02-12 | Infineon Technologies AG | Support for integrated circuit chips and method of producing the same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2757644B2 (en) | 1998-05-25 |
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