JPH05206492A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH05206492A JPH05206492A JP4193007A JP19300792A JPH05206492A JP H05206492 A JPH05206492 A JP H05206492A JP 4193007 A JP4193007 A JP 4193007A JP 19300792 A JP19300792 A JP 19300792A JP H05206492 A JPH05206492 A JP H05206492A
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- semiconductor
- silicon
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- type semiconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】第１のＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体上に
第２のＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体が設けられた
構造の光電変換装置において、第１の半導体と第２の半
導体とのオーム接触性を向上させることを目的とする。 【構成】基板上に第１のＰＩＮ接合を構成する非単結晶
半導体と、該半導体上に設けられた第２のＰＩＮ接合を
構成する非単結晶半導体とが、クロムと珪素との反応生
成物を介して接合されていることを特徴とする光電変換
装置。
第２のＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体が設けられた
構造の光電変換装置において、第１の半導体と第２の半
導体とのオーム接触性を向上させることを目的とする。 【構成】基板上に第１のＰＩＮ接合を構成する非単結晶
半導体と、該半導体上に設けられた第２のＰＩＮ接合を
構成する非単結晶半導体とが、クロムと珪素との反応生
成物を介して接合されていることを特徴とする光電変換
装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電変換装置特に太陽電
池、フォトセンサ、蛍光灯電池等に用いられるＰＩＮタ
ンデム型非単結晶半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
池、フォトセンサ、蛍光灯電池等に用いられるＰＩＮタ
ンデム型非単結晶半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】アモルファス半導体を用いてタンデム型
光電変換装置にＰＩＮＰＩＮ接合を有し、一方のＩ型半
導体装置の光学的エネルギバンド巾として１．７〜１．
８ｅＶを有するａ−Ｓｉ：Ｈ（水素が添加されたアモル
ファス半導体) 及び他方のＩ型半導体の光学的エネルギ
バンド巾として１．４〜１．６ｅＶを有するａ−Ｓｉx
Ｇｅ1-x （０＜ｘ＜１）とする構造が知られている。
光電変換装置にＰＩＮＰＩＮ接合を有し、一方のＩ型半
導体装置の光学的エネルギバンド巾として１．７〜１．
８ｅＶを有するａ−Ｓｉ：Ｈ（水素が添加されたアモル
ファス半導体) 及び他方のＩ型半導体の光学的エネルギ
バンド巾として１．４〜１．６ｅＶを有するａ−Ｓｉx
Ｇｅ1-x （０＜ｘ＜１）とする構造が知られている。
【０００３】かかる構造に用いるａ−Ｓｉx Ｇｅ
1-x （０＜ｘ＜１）（以下シリコン・ゲルマニューム化
合物ともいう）は、高価な反応性気体であるゲルマン
（ＧｅＨ4 ）と、シラン（ＳｉＨ4 ）とのプラズマ気相
反応によって任意の化学量論比を有する材料を作ること
ができる。そしてこの特性は、ゲルマニュームを増加す
るにつれて光学的Ｅｇを下げることが可能であるが、し
かし他方、電気特性のキャリアの移動度は急速に低下し
てしまった。
1-x （０＜ｘ＜１）（以下シリコン・ゲルマニューム化
合物ともいう）は、高価な反応性気体であるゲルマン
（ＧｅＨ4 ）と、シラン（ＳｉＨ4 ）とのプラズマ気相
反応によって任意の化学量論比を有する材料を作ること
ができる。そしてこの特性は、ゲルマニュームを増加す
るにつれて光学的Ｅｇを下げることが可能であるが、し
かし他方、電気特性のキャリアの移動度は急速に低下し
てしまった。
【０００４】このためかかるＥｇを異ならせるタンデム
型セルのＳｉx Ｇｅ1-x （０＜ｘ＜１）を用いるアモル
ファス半導体装置においては根本的大問題が存在してし
まった。その結果、光学的な光電変換が行われる波長領
域を大きくさせ得るタンデム型セルにその光励起された
キャリアが再結合して消滅してしまうため外に取り出す
ことが非効率的であり、結果として変換効率の向上につ
ながらなかった。
型セルのＳｉx Ｇｅ1-x （０＜ｘ＜１）を用いるアモル
ファス半導体装置においては根本的大問題が存在してし
まった。その結果、光学的な光電変換が行われる波長領
域を大きくさせ得るタンデム型セルにその光励起された
キャリアが再結合して消滅してしまうため外に取り出す
ことが非効率的であり、結果として変換効率の向上につ
ながらなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】本発明はＥｇとして
１．４〜１．６ｅＶを有する非単結晶半導体としてその
電気特性においてアモルファス珪素を用いるに比べてよ
り高い（従来は低い）移動度を有する水素またはハロゲ
ン元素が添加されている多結晶または単結晶を含む結晶
化度の助長された半導体材料（以下多結晶半導体材料と
いう）を用いたことにある。さらにこの材料にゲルマニ
ュームのごとく地球上の主成分でない希少価値の材料を
用いないことにある。
１．４〜１．６ｅＶを有する非単結晶半導体としてその
電気特性においてアモルファス珪素を用いるに比べてよ
り高い（従来は低い）移動度を有する水素またはハロゲ
ン元素が添加されている多結晶または単結晶を含む結晶
化度の助長された半導体材料（以下多結晶半導体材料と
いう）を用いたことにある。さらにこの材料にゲルマニ
ュームのごとく地球上の主成分でない希少価値の材料を
用いないことにある。
【０００６】
【問題を解決する手段】本発明はかかる問題を解決する
ため、アモルファスを含む非単結晶半導体特に不純物
（酸素、窒素、炭素、リンまたはホウ素等の不純物) の
それぞれを１原子％以下しか含有しない、かつ水素また
はハロゲン元素が再中心中和用およびエネルギバンド巾
増加用に添加された半導体（珪素）を用いる第１のＰＩ
Ｎ接合を形成し、このＩ型半導体またはＩ型およびその
上のＰまたはＮ型半導体に対し強光照射アニール、即ち
ＬＡ（炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたはエキシマレ
ーザによるアニールまたは水銀灯、可視光ハロゲンラン
プ等の強光照射によるアニールを含む）を行い、その半
導体の多結晶化または結晶化度を助長し、かつ水素また
はハロゲン元素の含有量を減少させた第１のＰＩＮ接合
のＩ型半導体層とを形成した。さらにこの上またはこの
上のオーミックコンタクト用緩衝用電極（以下バッファ
ＣＴＦという) 上に第２の，ＰＩＮ接合を気相法（プラ
ズマＣＶＤ，光ＣＶＤ，減圧ＣＶＤ法等）により第１の
ＰＩＮ接合のＩ層と同一の材料を積層せしめＰＩＮ，Ｐ
ＩＮ接合またはＰＩＮ（バッファＣＴＦ）ＰＩＮ接合を
形成したものである。
ため、アモルファスを含む非単結晶半導体特に不純物
（酸素、窒素、炭素、リンまたはホウ素等の不純物) の
それぞれを１原子％以下しか含有しない、かつ水素また
はハロゲン元素が再中心中和用およびエネルギバンド巾
増加用に添加された半導体（珪素）を用いる第１のＰＩ
Ｎ接合を形成し、このＩ型半導体またはＩ型およびその
上のＰまたはＮ型半導体に対し強光照射アニール、即ち
ＬＡ（炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたはエキシマレ
ーザによるアニールまたは水銀灯、可視光ハロゲンラン
プ等の強光照射によるアニールを含む）を行い、その半
導体の多結晶化または結晶化度を助長し、かつ水素また
はハロゲン元素の含有量を減少させた第１のＰＩＮ接合
のＩ型半導体層とを形成した。さらにこの上またはこの
上のオーミックコンタクト用緩衝用電極（以下バッファ
ＣＴＦという) 上に第２の，ＰＩＮ接合を気相法（プラ
ズマＣＶＤ，光ＣＶＤ，減圧ＣＶＤ法等）により第１の
ＰＩＮ接合のＩ層と同一の材料を積層せしめＰＩＮ，Ｐ
ＩＮ接合またはＰＩＮ（バッファＣＴＦ）ＰＩＮ接合を
形成したものである。
【０００７】本発明に用いる多結晶半導体は基板として
５０〜５００μもの厚さを有する多結晶基板でなく、
０．１〜１０μの厚さの薄膜アモルファス半導体を形成
した後、被膜に損傷（スパッタ）を与えない強光アニー
ルにより結晶化を助長した多結晶半導体を用いたことに
ある。
５０〜５００μもの厚さを有する多結晶基板でなく、
０．１〜１０μの厚さの薄膜アモルファス半導体を形成
した後、被膜に損傷（スパッタ）を与えない強光アニー
ルにより結晶化を助長した多結晶半導体を用いたことに
ある。
【０００８】特にこの光アニールにより結晶化を助長す
る方法はすでに形成されている被膜にプラズマ処理のご
とき被膜の損傷を与えるプロセスを有していない。また
熱アニールのごとく７００〜９００℃で結晶化をさせる
場合にはそれ以前の３５０〜４５０℃の低い温度で水素
またはハロゲン元素が完全に放出され再結合中心を発生
してしまうが、かかるプラズマアニールおよび熱アニー
ルのプロセスでない方式を採用したことが本発明方法を
ディバイスレベルにまで完成された大きな特長である。
る方法はすでに形成されている被膜にプラズマ処理のご
とき被膜の損傷を与えるプロセスを有していない。また
熱アニールのごとく７００〜９００℃で結晶化をさせる
場合にはそれ以前の３５０〜４５０℃の低い温度で水素
またはハロゲン元素が完全に放出され再結合中心を発生
してしまうが、かかるプラズマアニールおよび熱アニー
ルのプロセスでない方式を採用したことが本発明方法を
ディバイスレベルにまで完成された大きな特長である。
【０００９】
【作用】その結果、従来より公知の第１、第２の半導体
もともに珪素（水素またはハロゲン元素を含む）とし、
材料的化学的量論比の違いによるタンデム構造即ちＳｉ
とＳｉx Ｇｅ1-x によるタンデム構造ではなく、材料は
同一であってモホロジ的（結晶構造的）に異ならせるタ
ンデム構造即ち一方はアモルファス、他方は多結晶とい
うごときの結晶化度の違いをＩ型半導体層に有せしめる
ことによりＥｇに０．１５ｅＶ以上の差を有せしめるこ
とに成功した。以下にその実施例により本発明を説明す
る。
もともに珪素（水素またはハロゲン元素を含む）とし、
材料的化学的量論比の違いによるタンデム構造即ちＳｉ
とＳｉx Ｇｅ1-x によるタンデム構造ではなく、材料は
同一であってモホロジ的（結晶構造的）に異ならせるタ
ンデム構造即ち一方はアモルファス、他方は多結晶とい
うごときの結晶化度の違いをＩ型半導体層に有せしめる
ことによりＥｇに０．１５ｅＶ以上の差を有せしめるこ
とに成功した。以下にその実施例により本発明を説明す
る。
【００１０】
【実施例】『実施例１』 図１が対応した図面である。
基板として厚さ１００μのステンレス（１）を用いた。
この上面にＰ型半導体Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）（厚
さ２００Å）（３）─水素または弗素が添加された珪素
を主成分とするアモルファス構造を主体とするＩ型半導
体（厚さ０．６μ）（４）─Ｎ型微結晶半導体（厚さ３
００Å）（５）による第１のＰＩＮ接合を有する非単結
晶半導体（１１）をシラン（Ｓｉn Ｈ2n+2 n ≧１）の
プラズマ気法（圧力０．１torr，基板温度２１０℃) に
より形成した。この後、この第１のＰＩＮ接合の半導体
（１１）に対し強光アニールを行い、Ｉ型半導体層の結
晶化を助長させ電気的特性を変化させた。この強光アニ
ールは超高圧水銀炉（出力５ＫＷ）を用いこの照射光を
シリントリカル石英レンズにより巾３ｍｍ，長さ１０ｃ
ｍのスリット状の集光強度とした。この光の受光面に被
照射面を有する基板を配設した。
基板として厚さ１００μのステンレス（１）を用いた。
この上面にＰ型半導体Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）（厚
さ２００Å）（３）─水素または弗素が添加された珪素
を主成分とするアモルファス構造を主体とするＩ型半導
体（厚さ０．６μ）（４）─Ｎ型微結晶半導体（厚さ３
００Å）（５）による第１のＰＩＮ接合を有する非単結
晶半導体（１１）をシラン（Ｓｉn Ｈ2n+2 n ≧１）の
プラズマ気法（圧力０．１torr，基板温度２１０℃) に
より形成した。この後、この第１のＰＩＮ接合の半導体
（１１）に対し強光アニールを行い、Ｉ型半導体層の結
晶化を助長させ電気的特性を変化させた。この強光アニ
ールは超高圧水銀炉（出力５ＫＷ）を用いこの照射光を
シリントリカル石英レンズにより巾３ｍｍ，長さ１０ｃ
ｍのスリット状の集光強度とした。この光の受光面に被
照射面を有する基板を配設した。
【００１１】この基板はＸテ−ブルによりスリットに直
交する方向に走査し、基板全面に第１回のスキャンでそ
の走査速度（５ｃｍ／分〜５０ｃｍ／分) を可変して照
射できるようにした。基板は熱アニールの室温〜３００
℃とした。この時基板の温度は２５０℃とし一部の水素
の（含有水素３〜７原子％と推定される）脱ガス化をも
して光学的Ｅｇとして１．４〜１．６ｅＶを得た。
交する方向に走査し、基板全面に第１回のスキャンでそ
の走査速度（５ｃｍ／分〜５０ｃｍ／分) を可変して照
射できるようにした。基板は熱アニールの室温〜３００
℃とした。この時基板の温度は２５０℃とし一部の水素
の（含有水素３〜７原子％と推定される）脱ガス化をも
して光学的Ｅｇとして１．４〜１．６ｅＶを得た。
【００１２】さらにこの後、この表面をバッファＨＦ
（ＨＦを水で１／１０に希釈した）で洗浄し、このＮ型
半導体面上にＰ型Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）半導体
（厚さ１００〜３００Å）（６）─Ｉ型の水素または弗
素が添加された同一半導体材料（ここでは珪素）半導体
（厚さ２０００Å）（７）─Ｎ型微結晶珪素半導体（厚
さ３００Å）（８）の第２のＰＩＮ接合の半導体（１
２）を形成した。この時のＰＩＮ接合のＩ型半導体は水
素が約２０原子％も添加されてアモルファス的になるた
め、光学的Egは１．８ｅＶを有し対応したエネルギバン
ド図を図一（Ｂ）に示すが、第１のＩ型半導体層とはそ
の差は０．４ｅＶを有していた。
（ＨＦを水で１／１０に希釈した）で洗浄し、このＮ型
半導体面上にＰ型Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）半導体
（厚さ１００〜３００Å）（６）─Ｉ型の水素または弗
素が添加された同一半導体材料（ここでは珪素）半導体
（厚さ２０００Å）（７）─Ｎ型微結晶珪素半導体（厚
さ３００Å）（８）の第２のＰＩＮ接合の半導体（１
２）を形成した。この時のＰＩＮ接合のＩ型半導体は水
素が約２０原子％も添加されてアモルファス的になるた
め、光学的Egは１．８ｅＶを有し対応したエネルギバン
ド図を図一（Ｂ）に示すが、第１のＩ型半導体層とはそ
の差は０．４ｅＶを有していた。
【００１３】さらにその上面にＩＴＯを電子ビーム蒸着
法で形成した。得られた光電変換装置（面積１．０５ｃ
ｍ2 ）の特性はＩＴＯ側より光照射以下の通りである。 開放電圧 1.47V 短絡電流 12.3mA/cm2 曲線因子 61% 変換効率 11.03%
法で形成した。得られた光電変換装置（面積１．０５ｃ
ｍ2 ）の特性はＩＴＯ側より光照射以下の通りである。 開放電圧 1.47V 短絡電流 12.3mA/cm2 曲線因子 61% 変換効率 11.03%
【００１４】『実施例２』図２が対応した図面である。
基板として厚さ１００μのステンレス（１）を用いた。
この上面にＰ型半導体Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）─水
素または弗素が添加された珪素を主成分とするアモルフ
ァス構造を主体とするＩ型半導体（４）─Ｎ型微結晶半
導体（５）による第１のＰＩＮ接合を有する非単結晶半
導体（１１）を実施例１と同様に形成した。この後、こ
の第１のＰＩＮ接合の半導体（１１）に対し強光アニー
ルを実施例１と同様にして行いＩ型半導体層の結晶化を
助長させ電気的特性を変化した。この時基板の温度は３
００℃とし水素の脱ガス化をして電気的Ｅｇとして１．
４〜１．６ｅＶを得た。
基板として厚さ１００μのステンレス（１）を用いた。
この上面にＰ型半導体Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）─水
素または弗素が添加された珪素を主成分とするアモルフ
ァス構造を主体とするＩ型半導体（４）─Ｎ型微結晶半
導体（５）による第１のＰＩＮ接合を有する非単結晶半
導体（１１）を実施例１と同様に形成した。この後、こ
の第１のＰＩＮ接合の半導体（１１）に対し強光アニー
ルを実施例１と同様にして行いＩ型半導体層の結晶化を
助長させ電気的特性を変化した。この時基板の温度は３
００℃とし水素の脱ガス化をして電気的Ｅｇとして１．
４〜１．６ｅＶを得た。
【００１５】さらにこの後、この表面をバッファＨＦ
（ＨＦを水で１／１０に希釈した）で洗浄した。この後
真空蒸着法により基板の温度を２００℃としてクロムを
約２０Åの厚さに形成し、かつ真空中の熱アニールを行
った。するとこのクロムは珪素と反応し、クロムシリサ
ントという非酸化性透光性導電膜（バッファＣＴＦ（２
０））とすることができた。
（ＨＦを水で１／１０に希釈した）で洗浄した。この後
真空蒸着法により基板の温度を２００℃としてクロムを
約２０Åの厚さに形成し、かつ真空中の熱アニールを行
った。するとこのクロムは珪素と反応し、クロムシリサ
ントという非酸化性透光性導電膜（バッファＣＴＦ（２
０））とすることができた。
【００１６】このＣＴＦはこの上のＰ型半導体と下のＮ
型半導体とのオーム接触性を有せしめ、かつ被膜作製の
際互いの半導体の混合を防止し、かつ透過光が下側の半
導体層に充分透過するため理想的であった。このバッフ
ァＣＴＦ導体表面上にＰ型Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）
半導体（６）─Ｉ型の水素または弗素が添加された同一
半導体材料（ここでは酸素）半導体（７）─Ｎ型微結晶
珪素半導体（８）の第２のＰＩＮ接合の半導体（１２）
を形成した。この時の，ＰＩＮ接合のＩ型半導体はアモ
ルファス的になるため、光学的Ｅｇは１．８ｅＶを有し
対応したエネルギバンド図を図２（Ｂ）に示すが、第１
のＩ型半導体層とはその差はやはり０．４ｅＶを有して
いた。
型半導体とのオーム接触性を有せしめ、かつ被膜作製の
際互いの半導体の混合を防止し、かつ透過光が下側の半
導体層に充分透過するため理想的であった。このバッフ
ァＣＴＦ導体表面上にＰ型Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）
半導体（６）─Ｉ型の水素または弗素が添加された同一
半導体材料（ここでは酸素）半導体（７）─Ｎ型微結晶
珪素半導体（８）の第２のＰＩＮ接合の半導体（１２）
を形成した。この時の，ＰＩＮ接合のＩ型半導体はアモ
ルファス的になるため、光学的Ｅｇは１．８ｅＶを有し
対応したエネルギバンド図を図２（Ｂ）に示すが、第１
のＩ型半導体層とはその差はやはり０．４ｅＶを有して
いた。
【００１７】さらにその上面にＩＴＯを電子ビ−ム蒸着
法で形成した。得られた膜の特性はＩＴＯ側より光照射
以下の通りである。 開放電圧 1.56V 短絡電流 11.3mA/cm 曲線因子 64% 変換効率 11.28%
法で形成した。得られた膜の特性はＩＴＯ側より光照射
以下の通りである。 開放電圧 1.56V 短絡電流 11.3mA/cm 曲線因子 64% 変換効率 11.28%
【００１８】
【効果】この発明は上記の問題を解決するためのもので
あり、ともに珪素を主成分としてゲルマニューム、ス
ズ、酸素、炭素等の不純物はそれぞれ１原子％であるよ
うに努めた。その結果、同一材料でモホロジ的に異なら
せるハイブリッド構造のタンデム構成とすることにより
第１、第２の半導体間の光学的Egが０．１５〜０．４ｅ
Ｖも異なり、その厚さは１０μ以下、一般には０．１〜
１μの薄膜の厚さを有する２つのＩ型半導体層を含むＰ
ＩＮＰＩＮ接合またはＰＩＮ（ＣＴＦ）ＰＩＮ接合のタ
ンデム型光電変換装置を作ることできた。さらにこのタ
ンデム型接合をＰＩＮＰＩＮ・・・・ＰＩＮとすること
により、三重構造またはそれ以上とすることが可能とな
った。
あり、ともに珪素を主成分としてゲルマニューム、ス
ズ、酸素、炭素等の不純物はそれぞれ１原子％であるよ
うに努めた。その結果、同一材料でモホロジ的に異なら
せるハイブリッド構造のタンデム構成とすることにより
第１、第２の半導体間の光学的Egが０．１５〜０．４ｅ
Ｖも異なり、その厚さは１０μ以下、一般には０．１〜
１μの薄膜の厚さを有する２つのＩ型半導体層を含むＰ
ＩＮＰＩＮ接合またはＰＩＮ（ＣＴＦ）ＰＩＮ接合のタ
ンデム型光電変換装置を作ることできた。さらにこのタ
ンデム型接合をＰＩＮＰＩＮ・・・・ＰＩＮとすること
により、三重構造またはそれ以上とすることが可能とな
った。
【００１９】本発明は薄膜半導体であってホモロジ的な
変化によりＥｇを可変するため、材料の作製に微妙さが
伴ったり、また高価なゲルマン（ＧｅＨ4 ）をその結果
として用いる必要がないという特徴を有する。加えて強
光アニールにより多結晶化特に電流の流れと同一方向に
結晶粒径が成長する柱状（ガラムナ）が形成される多結
晶半導体を他方の狭いＥｇの半導体に有せしめたタンデ
ム構造であることが電流を多量に取り出すことができた
大きな理由である。
変化によりＥｇを可変するため、材料の作製に微妙さが
伴ったり、また高価なゲルマン（ＧｅＨ4 ）をその結果
として用いる必要がないという特徴を有する。加えて強
光アニールにより多結晶化特に電流の流れと同一方向に
結晶粒径が成長する柱状（ガラムナ）が形成される多結
晶半導体を他方の狭いＥｇの半導体に有せしめたタンデ
ム構造であることが電流を多量に取り出すことができた
大きな理由である。
【００２０】加えて光照射側のＩ層は１つのＰＩＮ接合
の時のＩ層の厚さの０．５〜１μに比べてそれぞれが
０．２〜０．４μと薄いため、光照射による空乏層巾の
低下に伴う劣化を防ぐことができるという他の特長をも
有する。
の時のＩ層の厚さの０．５〜１μに比べてそれぞれが
０．２〜０．４μと薄いため、光照射による空乏層巾の
低下に伴う劣化を防ぐことができるという他の特長をも
有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のタンデム型光電変換装置の縦断面図
（Ａ）およびエネルギバンド図（Ｂ）を示す。
（Ａ）およびエネルギバンド図（Ｂ）を示す。
【図２】 本発明のタンデム型光電変換装置の縦断面図
（Ａ）およびエネルギバンド図（Ｂ）を示す。
（Ａ）およびエネルギバンド図（Ｂ）を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に第１のＰＩＮ接合を構成する非
単結晶半導体と、該半導体上に設けられた第２のＰＩＮ
接合を構成する非単結晶半導体とが、クロムと珪素との
反応生成物を介して接合されていることを特徴とする光
電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193007A JPH05206492A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193007A JPH05206492A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 光電変換装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097319A Division JPS60240168A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 光電変換装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206492A true JPH05206492A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=16300652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4193007A Pending JPH05206492A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206492A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384316B1 (en) * | 1999-09-08 | 2002-05-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4193007A patent/JPH05206492A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384316B1 (en) * | 1999-09-08 | 2002-05-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
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