JPH05206249A - Alignment equipment - Google Patents

Alignment equipment

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JPH05206249A
JPH05206249A JP3850592A JP3850592A JPH05206249A JP H05206249 A JPH05206249 A JP H05206249A JP 3850592 A JP3850592 A JP 3850592A JP 3850592 A JP3850592 A JP 3850592A JP H05206249 A JPH05206249 A JP H05206249A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
notch
processed
wafer
rotation angle
ultrasonic wave
Prior art date
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Pending
Application number
JP3850592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Miyazawa
俊男 宮沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority to JP3850592A priority Critical patent/JPH05206249A/en
Publication of JPH05206249A publication Critical patent/JPH05206249A/en
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To accurately detect a notch and perform alignment, independently of whether material constituting an object to be processed is transparent. CONSTITUTION:The peripheral part of an object 18 to be processed mounted on a prealignment stage 30 of a rotary means 50 is irradiated with ultrasonic wave M from an ultrasonic transmitting part 54 arranged above the object, and the reflected wave is received with an ultrasonic wave receiver 56. Since the amount of the reflected ultrasonic wave is proportional to the area of a reflecting surface, the output decreases when a notch passes a measuring part. Hence a control part 58 can recognize the position of the notch, and drives the rotary means 50 according to the recognition result and the output result of a rotation angle detecting means 52. Thereby the notch of the object 18 to be processed is set at a specified position.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、位置合わせ装置に関す
る。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an alignment device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体ウエハに所定の処理、例
えばドライエッチングを施したり、或いは、製造途中の
ウエハ等に特性検査用のプローブ針等を接触させて製品
検査等を行う場合には、事前に半導体ウエハ自体を所定
の方向に方向付けしてその位置合わせ、すなわちプリア
ライメントを行わなければならない。通常、そのような
位置合わせを行うための基準となる目印として、半導体
ウエハには、切欠き例えば6インチウエハにはオリエン
テーションフラット(以下オリフラと称す)が、8イン
チウエハにはノッチがそれぞれ形成されている。従来の
位置合わせ装置は、例えば特開昭58−210633号
公報及び特開昭60−80241号公報等に開示されて
いるように、回転テーブル上に吸着支持された半導体ウ
エハの周辺部の上方に発光素子等を設け、半導体ウエハ
を中心としてこの発光素子と線対称に発光素子を設ける
ようにしていた。そして、半導体ウエハを回転させつつ
発光素子の出力を処理することによりウエハ上のオリフ
ラ或いはノッチの位置を認識し、この結果に基づいて回
転テーブルを所定の回転角度で停止することによりウエ
ハのオリフラ等を所定の位置に方向付けする。
2. Description of the Related Art Generally, when a semiconductor wafer is subjected to a predetermined process, for example, dry etching, or a product inspection is conducted by contacting a probe or the like for characteristic inspection with a wafer in the process of manufacture, First, it is necessary to orient the semiconductor wafer itself in a predetermined direction and perform its alignment, that is, pre-alignment. Usually, as a reference mark for performing such alignment, a notch is formed on a semiconductor wafer, for example, an orientation flat (hereinafter referred to as an orientation flat) on a 6-inch wafer, and a notch is formed on an 8-inch wafer. ing. A conventional alignment apparatus is, for example, disclosed in Japanese Patent Laid-Open Nos. 58-210633 and 60-80241, above a peripheral portion of a semiconductor wafer suction-supported on a rotary table. A light emitting element or the like is provided, and the light emitting element is arranged in line symmetry with the light emitting element centering on the semiconductor wafer. The position of the orientation flat or notch on the wafer is recognized by processing the output of the light emitting element while rotating the semiconductor wafer, and based on the result, the orientation table of the wafer is stopped by stopping the rotary table at a predetermined rotation angle. Orient it in place.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな従来の装置にあっては、被処理体であるウエハのオ
リフラ等の部分が発光素子からの光を遮断したり遮断し
なかったりする光量変化よりその位置確認を行うように
していることから、被処理体が光を通さない部材、例え
ばシリコンウエハ等の場合には何ら問題は生じないが、
この被処理体が光を透過する材質、例えば、ガラス、水
晶、SOS(シリコンオンサファイア)により形成され
ている場合にはオリフラが発光素子と受光素子との間を
通過しても発光素子における光量がほとんど変化しない
ことから、上記従来装置を使用することができないとい
う改善点があった。本発明は、以上のような問題点に着
目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。
本発明の目的は、被処理体を構成する材料が透明、不透
明にかかわらず正確に位置合わせを行うことができる位
置合わせ装置を提供することにある。
By the way, in the conventional apparatus as described above, the amount of light at which the portion such as the orientation flat of the wafer to be processed blocks or does not block the light from the light emitting element. Since the position is confirmed from the change, no problem occurs when the object to be processed is a member that does not transmit light, for example, a silicon wafer.
When this object is made of a material that transmits light, for example, glass, crystal, or SOS (silicon on sapphire), the amount of light in the light emitting element even if the orientation flat passes between the light emitting element and the light receiving element. Since there is almost no change, there is an improvement in that the above conventional device cannot be used. The present invention has been made to pay attention to the above problems and to solve them effectively.
An object of the present invention is to provide a positioning device that can perform accurate positioning regardless of whether the material forming the object to be processed is transparent or opaque.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】第1の発明は、上記問題
点を解決するために、切欠きを有する被処理体を回転さ
せる回転手段と、前記回転手段の回転角度を検知するた
めの回転角度検知手段と、前記被処理体の表面の切欠き
を含まない輪郭を跨ぐような照射断面となるように超音
波を照射する超音波送信部と、前記被処理体の周辺部か
ら反射する超音波を受信する超音波受信部と、前記超音
波受信部の出力と前記回転角度検知手段の出力とに基づ
いて前記被処理体の切欠きの位置を認識すると共に、前
記認識された切欠きの位置に基づいて前記回転手段を操
作することにより前記被処理体の切欠きを所定の位置に
方向付けするための制御部とを備えるように構成したも
のである。第2の発明は、上記問題点を解決するため
に、切欠きを有する被処理体を回転させる回転手段と、
前記回転手段の回転角度を検知するための回転角度検知
手段と、前記被処理体の表面の切欠きを含まない輪郭を
跨ぐような照射断面となるように光を照射する光送信部
と、前記被処理体の周辺部から反射する光を受信する光
受信部と、前記光受信部の出力と前記回転角度検知手段
の出力とに基づいて前記被処理体の切欠きの位置を認識
すると共に、前記認識された切欠きの位置に基づいて前
記回転手段を操作することにより前記被処理体の切欠き
を所定の位置に方向付けするための制御部とを備えるよ
うに構成したものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a first invention is directed to rotating means for rotating an object to be processed having a notch, and rotating means for detecting a rotation angle of the rotating means. An angle detecting means, an ultrasonic wave transmitting unit for irradiating ultrasonic waves so that the irradiation cross section extends over a contour not including a notch on the surface of the object to be processed, and an ultrasonic wave reflected from the peripheral part of the object to be processed. An ultrasonic wave receiving unit for receiving a sound wave, and recognizing the position of the notch of the object to be processed based on the output of the ultrasonic wave receiving unit and the output of the rotation angle detecting means, and the recognized notch A control unit for directing the notch of the object to be processed to a predetermined position by operating the rotating means based on the position. In order to solve the above-mentioned problems, a second aspect of the present invention includes a rotating means for rotating an object to be processed having a notch,
A rotation angle detecting means for detecting a rotation angle of the rotating means, a light transmitting section for irradiating light so as to have an irradiation cross section that crosses over a contour not including a notch on the surface of the object to be processed, While recognizing the position of the notch of the object to be processed based on the output of the light receiving part that receives light reflected from the peripheral part of the object to be processed, and the output of the light receiving part and the rotation angle detecting means, A control unit for directing the notch of the object to be processed to a predetermined position by operating the rotating means based on the recognized position of the notch.

【0005】[0005]

【作用】第1の発明によれば、回転手段により回転され
ている被処理体の周辺部にその上方より超音波送信部か
ら超音波を発することにより被処理体の周辺部からは超
音波が上方に反射し、この反射波は超音波受信部により
受信される。この受信部における出力信号の変動は、反
射波の量、すなわち切欠きが超音波の照射部を通過して
いるか否かに応じて変動する。従って、制御部はこの時
の受信部の出力値と、回転角度検知手段の出力値とに基
づいて所定の処理を行うことにより被処理体に形成され
た切欠きの位置を回転角度と対応させて認識することが
できる。そして、この認識結果に基づいて制御部は回転
手段を適切な回転角度で停止することにより被処理体の
切欠きを所定の位置に方向付けさせて、位置合わせが行
われる。
According to the first aspect of the invention, ultrasonic waves are emitted from the peripheral part of the object to be processed by emitting ultrasonic waves to the peripheral part of the object to be processed rotated by the rotating means from above. The reflected wave is reflected upward, and the reflected wave is received by the ultrasonic wave reception unit. The variation of the output signal in the receiving unit varies depending on the amount of the reflected wave, that is, whether the notch passes through the ultrasonic wave irradiation unit. Therefore, the control unit performs a predetermined process based on the output value of the receiving unit and the output value of the rotation angle detection unit at this time to associate the position of the notch formed in the object with the rotation angle. Can be recognized. Then, based on this recognition result, the control unit stops the rotating means at an appropriate rotation angle to direct the notch of the object to be processed to a predetermined position, and the alignment is performed.

【0006】第2の発明によれば、回転手段により回転
されている被処理体の周辺部に光送信部から超音波を発
することにより被処理体の周辺部からは光が上方に反射
し、この反射光は光受信部により受信される。この光受
信部における出力信号の変動は、反射波の量、すなわち
切欠きが超音波の照射部を通過しているか否かに応じて
変動する。従って制御部はこの時の受信部の出力値と、
回転角度検知手段の出力値とに基づいて所定の処理を行
うことにより、被処理体に形成された切欠きの位置を回
転角度と対応させて認識することができる。そして、こ
の認識結果に基づいて制御部は回転手段を適切な回転角
度で停止することにより被処理体の切欠きを所定の位置
に方向付けさせて、位置合わせが行われる。
According to the second invention, the ultrasonic wave is emitted from the light transmitting section to the peripheral portion of the object to be processed which is being rotated by the rotating means, whereby the light is reflected upward from the peripheral part of the object to be processed, This reflected light is received by the light receiver. The fluctuation of the output signal in the light receiving unit fluctuates depending on the amount of the reflected wave, that is, whether the notch passes through the ultrasonic wave irradiation unit. Therefore, the control unit outputs the output value of the receiving unit at this time,
By performing a predetermined process based on the output value of the rotation angle detection means, it is possible to recognize the position of the notch formed in the object to be processed in association with the rotation angle. Then, based on this recognition result, the control unit stops the rotating means at an appropriate rotation angle to direct the notch of the object to be processed to a predetermined position, and the alignment is performed.

【0007】[0007]

【実施例】以下に、本発明に係る位置合わせ装置の一実
施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係
る位置合わせ装置を示す構成図、図2は図1に示す位置
合わせ装置を示す概略斜視図、図3は図1に示す位置合
わせ装置を備えたプローブ装置を示す平面図、図4は図
3のプローブ装置の正面図、図5は図3のプローブ装置
のローダ部の説明図である。図3乃至図5に示すように
本発明に係る位置合わせ装置2は、プローブ装置4内に
組み込まれており、まず、このプローブ装置4の全体に
ついて説明する。このプローブ装置4は、独立筐体で形
成されたローダ部6に対して、同じく独立筐体に形成さ
れたプローバ部9がその側面に配設された構成になって
いる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the alignment apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 is a configuration diagram showing an alignment device according to the present invention, FIG. 2 is a schematic perspective view showing the alignment device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing a probe device equipped with the alignment device shown in FIG. 4, FIG. 4 is a front view of the probe apparatus of FIG. 3, and FIG. 5 is an explanatory view of a loader section of the probe apparatus of FIG. As shown in FIGS. 3 to 5, the alignment device 2 according to the present invention is incorporated in the probe device 4. First, the entire probe device 4 will be described. The probe device 4 has a configuration in which a prober unit 9 also formed in an independent housing is arranged on a side surface of a loader unit 6 formed in an independent housing.

【0008】このローダ部6は図5に示す如く、例えば
奥行1000mm、幅380mm、高さ1200mmの
独立筐体で構成される。このローダ部6の側面は着脱自
在な側面板で構成され、この側面板の着脱方法は周縁部
四角と各角の中間点の全部で8箇所において、ボルトを
螺合することにより行う。このローダ部6の内部構成と
して全面側は、カセット収納部8となっている。この収
納部8にはモータ10が連結され、回動可能な4本のガ
イド軸12がローダ部6の筐体の側面に沿って縦方向に
設置されており、2本のガイド軸12に対して1つのカ
セット載置台14の一側面を取付ける。すなわちモータ
10の回転によりガイド軸12を回転させ、この回転に
合わせて載置台14を昇降させて、載置台14に載置し
たカセット16を上下動させるものである。このカセッ
ト収納部8には、被処理体である、半導体チップが規則
的に形成された半導体ウエハ18を夫々適当な間隔を設
けて25枚収納されているカセット16が2カセット載
置可能となっている。
As shown in FIG. 5, the loader section 6 is composed of, for example, an independent casing having a depth of 1000 mm, a width of 380 mm and a height of 1200 mm. The side surface of the loader portion 6 is composed of a detachable side surface plate, and this side surface plate is attached and detached by screwing bolts at a total of eight positions of the peripheral edge square and the midpoint of each corner. As the internal configuration of the loader unit 6, the entire surface side is a cassette storage unit 8. A motor 10 is connected to the housing portion 8, and four rotatable guide shafts 12 are installed in the vertical direction along the side surface of the housing of the loader portion 6 with respect to the two guide shafts 12. And one side of one cassette mounting table 14 is attached. That is, the guide shaft 12 is rotated by the rotation of the motor 10, the mounting table 14 is moved up and down in accordance with this rotation, and the cassette 16 mounted on the mounting table 14 is moved up and down. Two cassettes 16 can be placed in the cassette storage portion 8, each of which is an object to be processed, and 25 semiconductor wafers 18 each having semiconductor chips regularly formed are stored at appropriate intervals. ing.

【0009】このカセット16からウエハ18を搬出入
するための真空吸着ピンセット20は、ピンセット用モ
ータ22に連結した水平に構成された回転軸24に支持
棒26を垂直に設け、この支持棒26に取り付けられて
いる。このように構成されているため真空吸着ピンセッ
ト20は平行スライド可能である。また、このピンセッ
ト20の先端から中央部までは、平行な2本の板状態で
成る吸着部28で形成され、中央部から支持棒26の設
置部までは一枚の板状態で形成されている。真空吸着ピ
ンセット20とカセット収納部8との間には、後述する
本発明に係る位置合わせ装置2の一部を構成する回転可
能なプリアライメントステージ30がウエハ18を載置
可能に設けられている。また、プリアライメントステー
ジ30からプローバ部9の測定ステージ32へウエハ1
8を搬送する、スライド回転可能な真空吸着アーム34
が設置されている。このアーム34は図示しないモータ
に連結されて水平面内に360゜回転可能となってい
る。このローダ部6の筐体上方の後面側には、支柱36
が設置されこの支柱36には、これを中心として水平面
内に360゜回転可能なアーム38が取り付けられてい
る。このアーム38の先端にはチップを拡大して見るマ
イクロスコープ40が設置され、垂直方向に例えば20
mm上下動可能である。また、ローダ部6内にはこの動
作を制御するために図示しないCPUが内蔵されてお
り、ローダ部筐体の上面に着脱自在に設置されたキーボ
ード42に配線されている。また底面部には電源部44
が配置されており、プローバ部9に給電可能とされてい
る。
The vacuum suction tweezers 20 for loading and unloading the wafer 18 from the cassette 16 are provided with a support rod 26 vertically on a horizontally configured rotating shaft 24 connected to a tweezer motor 22. It is installed. With this structure, the vacuum suction tweezers 20 can slide in parallel. Further, from the tip end of the tweezers 20 to the central portion is formed by a suction portion 28 in the form of two parallel plates, and from the central portion to the installation portion of the support rod 26 is formed in the state of a single plate. .. Between the vacuum suction tweezers 20 and the cassette housing portion 8, a rotatable pre-alignment stage 30 that constitutes a part of the alignment device 2 according to the present invention described later is provided so that the wafer 18 can be placed. .. In addition, the wafer 1 is transferred from the pre-alignment stage 30 to the measurement stage 32 of the prober unit 9.
Vacuum suction arm 34 that slides and conveys 8
Is installed. The arm 34 is connected to a motor (not shown) and can rotate 360 ° in a horizontal plane. On the rear surface side of the loader unit 6 above the housing, a pillar 36 is provided.
An arm 38 is attached to the column 36, which is rotatable about this by 360 ° in the horizontal plane. A microscope 40 for enlarging the chip is installed at the tip of the arm 38, and for example, a microscope 40 is installed in the vertical direction.
It can move up and down mm. A CPU (not shown) is incorporated in the loader unit 6 to control this operation, and is wired to a keyboard 42 that is detachably installed on the upper surface of the loader unit casing. In addition, the power supply 44
Are arranged so that power can be supplied to the prober unit 9.

【0010】次にプローバ部について説明すると、プロ
ーバ部9は例えば奥行1000mm、幅620mm、高
さ1200mmの独立筐体で構成されている。このプロ
ーバ部9の両側面は、どちら側にもローダ部6が設定可
能なように、夫々ボルトを8箇所に螺合するだけで着脱
自在である。この8箇所とは、プローバ部9筐体の周縁
部の四角と各角の中間点である。内部構成として、測定
ステージ32は周知の手段でX方向、Y方向、Z方向、
θ方向の駆動が可能でありファインアライメント操作可
能に構成されている。また、測定位置において、測定ス
テージ32と対向した位置には、プローブカードが設定
されており、周知の手段で被測定体の測定を行うように
構成されている。また、プローバ部9の動作は、図3に
示す如く操作パネル部46より入力され図示しないCP
Uで演算処理を行い各動作機構の制御を行う。
Next, the prober unit will be described. The prober unit 9 is composed of, for example, an independent casing having a depth of 1000 mm, a width of 620 mm, and a height of 1200 mm. Both side surfaces of the prober unit 9 are detachable by simply screwing bolts at eight positions so that the loader unit 6 can be set on either side. The eight points are the squares of the peripheral portion of the housing of the prober unit 9 and the midpoints of the respective corners. As an internal configuration, the measurement stage 32 is a well-known means, and the X direction, the Y direction, the Z direction,
It can be driven in the θ direction and is configured for fine alignment operation. In addition, a probe card is set at a position facing the measurement stage 32 at the measurement position, and the measurement is performed by a known means. The operation of the prober unit 9 is input from the operation panel unit 46 as shown in FIG.
U performs arithmetic processing to control each operating mechanism.

【0011】一方、被処理体のプリアライメントを行う
本発明に係る位置合わせ装置2は、図1乃至図2に示す
ように被処理体である半導体ウエハ18を回転させる回
転手段50と、この回転手段50の回転角度を検知する
回転角度検知手段52と、超音波を発する超音波送信部
54と、ウエハから反射する超音波を受信する超音波受
信部56と、この受信部56と上記回転角度検出手段5
2との出力に基づいて切欠きの位置を認識してこの認識
結果に基づいて回転手段を操作して切欠きを所定の位置
に方向付けする制御部58とにより主に構成されてい
る。具体的には、上記回転手段50は、前記プリアライ
メントステージ30とこれを回転させる例えばステップ
モータのようなステージモータ60とにより主に構成さ
れている。このステージ30には、上面にウエハ18を
吸着可能とすべく図示しない真空吸着機構が設けられる
と共に、ステージ30全体は上下方向(Z方向)へ昇降
自在になされている。
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 2, the alignment apparatus 2 according to the present invention for pre-aligning the object to be processed has a rotating means 50 for rotating the semiconductor wafer 18 as the object to be processed, and this rotation. A rotation angle detecting means 52 for detecting the rotation angle of the means 50, an ultrasonic wave transmitting section 54 for emitting an ultrasonic wave, an ultrasonic wave receiving section 56 for receiving the ultrasonic wave reflected from the wafer, the receiving section 56 and the rotation angle. Detection means 5
2 and the position of the notch based on the output of the control unit 58, and based on this recognition result, the rotating unit is operated to direct the notch to a predetermined position. Specifically, the rotating means 50 is mainly composed of the pre-alignment stage 30 and a stage motor 60 such as a step motor for rotating the pre-alignment stage 30. A vacuum suction mechanism (not shown) is provided on the upper surface of the stage 30 so that the wafer 18 can be sucked on the upper surface thereof, and the entire stage 30 is vertically movable (Z direction).

【0012】そして、このステージモータ60には、例
えばエンコーダ等よりなる回転角度検知手段52が接続
されており、その出力は上記制御部58へ入力される。
上記超音波送信部54は、例えば500KHz 程度の超
音波を発振する発振部を内蔵しており、ウエハ18の切
欠き18Aを含まない円周部の輪郭Lの真上に例えば5
0mm程度離間させて設置されている。そして、これか
ら下方のウエハの周辺部に向けて超音波をパルス状に末
広がりに照射するようになされており、図6乃至図7に
示すようにその時のウエハと同一水平面内における照射
断面S(図中波線で示す)が上記ウエハの切欠き18A
を含まない輪郭Lを跨ぐように超音波を照射する。
The stage motor 60 is connected to a rotation angle detecting means 52 such as an encoder, and its output is input to the control section 58.
The ultrasonic transmission unit 54, for example, a built-in oscillating portion which oscillates an ultrasonic wave of about 500KH z, directly above, for example, 5 of the contour L of circumference without the notch 18A of the wafer 18
It is installed with a distance of about 0 mm. Then, the ultrasonic wave is radiated toward the peripheral portion of the lower wafer from here in a pulsed manner, and as shown in FIGS. 6 to 7, the irradiation cross section S (FIG. 6) in the same horizontal plane as the wafer at that time (FIG. The cutout 18A of the above wafer is indicated by the medium wave line).
The ultrasonic wave is radiated so as to straddle the contour L that does not include.

【0013】好ましくは、送信部54の中心を上記輪郭
Lの真上に位置させる。また、上記照射断面Sの大きさ
は、図7に示すようにその中心Oが輪郭L上にあると仮
定してオリフラ乃至切欠き18Aのフラット状輪郭L1
に照射断面Sの外周が接する程度、例えば直径20mm
に設定するのが、後述するように出力値のピーク或いは
ボトムが明瞭に現れることから好ましい。この設定は、
超音波送信部54の高さを調整することにより容易に行
うことができる。そして、上記超音波送信部54に僅か
に、例えば数mm離間させて超音波受信部56が並設さ
れており、上記ウエハの周辺部からの超音波の反射量に
応じて出力信号(電圧)を出すように構成されている。
従って、下方にウエハの切欠き18Aが通過した時には
超音波の反射量が減少することからその時のウエハの回
転角度と対応させることにより切欠きの位置を決定する
ことが可能となる。
Preferably, the center of the transmitter 54 is located right above the contour L. Further, the size of the irradiation cross section S has a flat contour L1 of the orientation flat or the cutout 18A assuming that the center O is on the contour L as shown in FIG.
To the extent that the outer circumference of the irradiation cross section S is in contact with, for example, diameter 20 mm
It is preferable to set the peak value or the bottom of the output value clearly as will be described later. This setting
This can be easily performed by adjusting the height of the ultrasonic transmitter 54. An ultrasonic wave reception unit 56 is arranged in parallel with the ultrasonic wave transmission unit 54 at a distance of, for example, a few mm, and an output signal (voltage) is output according to the reflection amount of the ultrasonic wave from the peripheral portion of the wafer. Is configured to issue.
Therefore, when the notch 18A of the wafer passes downward, the amount of reflection of ultrasonic waves decreases, so that the position of the notch can be determined by corresponding to the rotation angle of the wafer at that time.

【0014】上記受信部56の出力は、マイクロコンピ
ュータ等よりなる制御部58のA/D変換器62へ接続
され、この変換器62の出力は、CPU64へ接続され
ている。また、このCPU64には、前記回転角度検知
手段52からの出力も入力されると共に、各種の処理プ
ログラムが記憶されたROM66が接続されており、必
要に応じて所定の演算を行うようになっている。本実施
例にあっては、プリアライメント操作を行うに先立っ
て、ステージ上に載置されたウエハの偏心量の算出及び
その調整を行うプログラムが実行され、その後にプリア
ライメント用のプログラムが実行されるように構成され
ている。そして、上記CPU64は、演算の結果、ピン
セットモータ駆動回路68に向けてピンセット駆動信号
を、ステージモータ駆動回路70に向けてステージ駆動
信号を適宜出力するように構成されており、上記各信号
を入力した各回路68,70はそれぞれ適切にピンセッ
ト用モータ22及びステージ用モータ60を駆動して偏
心量の調整やウエハの切欠きの位置の方向付けを行い得
るように構成されている。
The output of the receiver 56 is connected to the A / D converter 62 of the controller 58 including a microcomputer, and the output of the converter 62 is connected to the CPU 64. The CPU 64 is also connected to the output from the rotation angle detecting means 52, and is connected to a ROM 66 in which various processing programs are stored, so that predetermined calculation is performed as necessary. There is. In the present embodiment, a program for calculating and adjusting the eccentricity amount of the wafer placed on the stage is executed before performing the prealignment operation, and then the prealignment program is executed. Is configured. Then, the CPU 64 is configured to appropriately output a tweezers drive signal to the tweezers motor drive circuit 68 and a stage drive signal to the stage motor drive circuit 70 as a result of the calculation, and inputs the above signals. Each of the circuits 68 and 70 is configured to appropriately drive the tweezers motor 22 and the stage motor 60 to adjust the amount of eccentricity and orient the position of the notch of the wafer.

【0015】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。ローダ部6とプローバ部9の各
機構は夫々のCPUに入力されている予め定められたプ
ログラムに沿って動作する。まず、カセット収納部8の
カセット載置台14に、ウエハ18が25枚収納してあ
るカセット16を2カセット搬入設定する。このカセッ
ト16に真空吸着ピンセット20をスライド挿入し真空
吸着部28にウエハ18を1枚吸着し、このウエハ18
を真空吸着ピンセット20でスライド搬出する。この真
空吸着ピンセット20の真空吸着部28をプリアライメ
ントステージ30の設置してある所に設定し、そこでプ
リアライメントステージ30を上昇させて搬出したウエ
ハ18をプリアライメントステージ30に載置する。
Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. Each mechanism of the loader unit 6 and the prober unit 9 operates according to a predetermined program input to each CPU. First, two cassettes 16 in which 25 wafers 18 are stored are set in the cassette mounting table 14 of the cassette storage unit 8. The vacuum suction tweezers 20 are slid into the cassette 16 and one wafer 18 is suctioned to the vacuum suction section 28.
Is carried out by the vacuum suction tweezers 20. The vacuum suction part 28 of the vacuum suction tweezers 20 is set at the place where the pre-alignment stage 30 is installed, and the pre-alignment stage 30 is raised there to place the wafer 18 carried out on the pre-alignment stage 30.

【0016】このようにウエハの受け渡しが終了したら
次に、本発明に係る位置合わせ装置2により偏心量調整
操作及び切欠き位置方向付け操作を行う。まず、上述の
ように受け渡しが終了した時点においては、通常、プリ
アライメントステージ30の回転中心とウエハ18の中
心は位置ずれしており、これらを一致させる必要があ
る。そこで、まず超音波送信部54から超音波Mをウエ
ハの周辺部に向けて照射しつつプリアライメントステー
ジ30を所定の速度、例えば1回転/秒の速度で回転し
つつその反射波を超音波受信部56で受信する。ウエハ
が偏心して載置されているときの一般的な出力波形は図
8(A)に示すようにサイン曲線を描き、途中の凹部8
0は、ウエハのオリフラ乃至切欠き18Aが測定部を通
過して超音波の反射波が少なくなった部分を示す。
When the wafer transfer is completed in this way, next, an eccentricity amount adjusting operation and a notch position directing operation are performed by the alignment device 2 according to the present invention. First, when the transfer is completed as described above, the center of rotation of the pre-alignment stage 30 and the center of the wafer 18 are usually misaligned and it is necessary to match them. Therefore, first, while irradiating the ultrasonic wave M from the ultrasonic wave transmitting unit 54 toward the peripheral portion of the wafer, the pre-alignment stage 30 is rotated at a predetermined speed, for example, 1 rotation / second, and the reflected wave is received by the ultrasonic wave. It is received by the unit 56. A typical output waveform when the wafer is eccentrically placed is a sine curve as shown in FIG.
0 indicates a portion where the orientation flat or notch 18A of the wafer has passed through the measurement portion and the reflected wave of ultrasonic waves has decreased.

【0017】この信号は、受信部56から制御部58の
A/D変換器62へ入力されてここでデジタル信号へ変
換され、更に、CPU64へ入力される。そして、この
CPU64にて、ROM66に記憶させてある所定のプ
ログラムにより偏心量の算出が行われる。尚、図8中の
回転角度は回転角度検知手段52からの出力値によって
求められるものである。偏心量の算出の一例は、まず、
図8(A)のサイン曲線のピークP1とボトムP2との
差D1を求め、この差D1の1/2が偏心量となる。従
って、この差D1がゼロとなるようにピークP1或いは
ボトムP2に対応する回転角度方向よりウエハを半径方
向内方へ或いは外方へ偏心量に対応する距離だけ移動さ
せてやればよい。
This signal is input from the receiving unit 56 to the A / D converter 62 of the control unit 58, converted into a digital signal here, and further input to the CPU 64. Then, in the CPU 64, the eccentricity amount is calculated by a predetermined program stored in the ROM 66. The rotation angle in FIG. 8 is obtained from the output value from the rotation angle detection means 52. An example of calculating the amount of eccentricity is as follows.
The difference D1 between the peak P1 and the bottom P2 of the sine curve of FIG. 8A is obtained, and 1/2 of this difference D1 is the eccentric amount. Therefore, the wafer may be moved radially inward or outward from the rotation angle direction corresponding to the peak P1 or bottom P2 by a distance corresponding to the eccentricity so that the difference D1 becomes zero.

【0018】そこで、ステージモータ駆動回路70を介
してステージモータ60を駆動することによりプリアラ
イメントステージ30を適宜回転し、ピークP1或いは
ボトムP2の対応する回転角度方向を真空吸差ピンセッ
ト20の移動方向に一致させる。そして、上記ステージ
30及びピンセット20の吸着バキュームの操作を交互
に行いながらステージ30を下降させてウエハ18をピ
ンセット20上に受け渡す。そして、ウエハを保持した
状態でこのピンセット20を偏心量補正方向に偏心量だ
け移動する。そして、再度ステージ30を上昇させてこ
れにウエハを再び支持させる。理論的にはこの一回の操
作で偏心量はゼロになるが、実際は誤差も入るので、以
上の一連の操作を複数回、すなわち図8(B)に示すよ
うにサイン曲線の振幅が所定値以下になるまで行う。
Therefore, the pre-alignment stage 30 is appropriately rotated by driving the stage motor 60 via the stage motor drive circuit 70, and the corresponding rotation angle direction of the peak P1 or the bottom P2 is moved in the moving direction of the vacuum suction tweezers 20. To match. Then, while alternately performing the suction vacuum operation of the stage 30 and the tweezers 20, the stage 30 is lowered to transfer the wafer 18 onto the tweezers 20. Then, while holding the wafer, the tweezers 20 is moved in the eccentricity correction direction by the eccentricity. Then, the stage 30 is raised again to support the wafer again. Theoretically, the eccentricity amount becomes zero by this one operation, but since an error is actually included, the above series of operations is performed a plurality of times, that is, the amplitude of the sine curve is a predetermined value as shown in FIG. 8B. Repeat until the following:

【0019】このようにして、偏心量の補正ステップが
終了すると、次に、切欠き位置の方向付け操作のステッ
プに入る。具体的には、図8(B)における凹部80の
ボトムP3が切欠き18Aの中心位置に相当するので、
この部分を所定の方向に位置付けるようにステージ30
を回転させればよい。通常、受信部56からの出力値等
にはノイズが含まれていることから、これらノイズ成分
に最も影響を受けないボトム(ピーク)算出方法の1つ
として本実施例においては、例えばデータ値を最小二乗
法によって三角関数方程式に当てはめて処理する処理プ
ログラムが記憶されており、この処理によってCPU6
4は容易にボトムP3に対応する回転角度を求めること
ができる。このようにして、ウエハ表面の切欠き18A
の中心位置が求められたならば、ステージモータ駆動回
路70をしてステージを所望の角度だけ回転すべくパル
スを逆送りし、ステージモータ60を所定のパルス数だ
け逆回転させる。必要ならば正回転させてもよいのは勿
論である。これによりステージ30は適宜角度回転させ
られてウエハの切欠き18Aは所定の方向に位置付けさ
れることになる。
When the step of correcting the amount of eccentricity is completed in this way, the step of directing the notch position is next entered. Specifically, since the bottom P3 of the recess 80 in FIG. 8B corresponds to the center position of the cutout 18A,
The stage 30 is arranged so that this part is positioned in a predetermined direction.
Can be rotated. In general, since the output value from the receiving unit 56 contains noise, as one of the bottom (peak) calculation methods that is least affected by these noise components, in this embodiment, for example, a data value is A processing program is stored which is applied to the trigonometric function equation by the least squares method and is processed by the CPU 6.
4 can easily obtain the rotation angle corresponding to the bottom P3. In this way, the notch 18A on the wafer surface
When the center position of the stage is obtained, the stage motor drive circuit 70 is used to reversely feed the pulse so as to rotate the stage by a desired angle, and the stage motor 60 is reversely rotated by a predetermined number of pulses. Of course, it may be rotated forward if necessary. As a result, the stage 30 is rotated by an appropriate angle and the notch 18A of the wafer is positioned in a predetermined direction.

【0020】上記説明においては、ボトムP3を求める
ために最小二乗法を用いる場合について説明したが、他
の方法を用いてもよい。このようにして、全てのウエハ
をそれぞれに形成されている切欠きを基準としてプリア
ライメント操作により必ず一定方向に向けることが可能
となる。以上のようにして、プリアライメント処理が終
了したウエハは、真空吸着アーム34によりプローバ9
の測定ステージ32へ載置され、レーザ認識機構やパタ
ーン認識機構で正確に本位置決め、すなわちファインア
ライメントされた後、周知の手段によりウエハ上の各チ
ップの電極パッドにプローブ針を接触させて電気的測定
を行う。そして、プローブ検査が終了したならば上記し
た搬送経路を逆方向にウエハを搬送し、処理済みのカセ
ットにウエハを収容する。
In the above description, the case where the least squares method is used to obtain the bottom P3 has been described, but other methods may be used. In this way, it becomes possible to always orient all the wafers in a certain direction by the pre-alignment operation with the notches formed in each as the reference. The wafer that has undergone the pre-alignment process as described above is moved to the prober 9 by the vacuum suction arm 34.
After being placed on the measurement stage 32 of FIG. 2 and accurately and properly positioned, that is, fine-aligned by a laser recognition mechanism or a pattern recognition mechanism, a probe needle is brought into contact with the electrode pad of each chip on the wafer by a well-known means to electrically perform Take a measurement. When the probe inspection is completed, the wafer is transferred in the reverse direction through the above-mentioned transfer path, and the wafer is stored in the processed cassette.

【0021】上記実施例にあっては、超音波受信部56
を超音波受信部54に並設させるようにしたが、受信部
はウエハからの反射超音波を受信し得る位置ならば送信
部の近傍どこに配置しても良い。また、ウエハの水平レ
ベル面における超音波の照射断面Sの大きさは、図7に
示すようにこれが切欠きのフラット状輪郭L1に接する
ような大きさに設定されたが、これに限定されず、切欠
き18Aが測定部を通過するときに超音波の反射量の変
化を捕らえることができるならば、この照射断面Sの直
径を大きくしたり或いは小さくしたりしてもよいし、ま
た、その中心Oをウエハの半径方向外方或いは内方へ移
動させて測定するようにしてもよい。また、上記実施例
にあっては、切欠きとして6インチウエハのオリフラを
検出する場合について説明したが、これに限定されず図
9に示すように例えば8インチウエハに形成される切欠
きとしての半円状の比較的小さなノッチ81を検出する
場合にも適用することができる。この場合には、反射超
音波の変動量を十分に検出し得るようにウエハの水平レ
ベル面における超音波の照射断面の大きさも小さく設定
し、また、ウエハ径の大きさの変化に対応できるように
超音波送信部54及び受信部56をウエハの半径方向へ
移動可能に構成しておく。
In the above embodiment, the ultrasonic wave receiver 56 is used.
However, the receiving unit may be arranged anywhere near the transmitting unit as long as it can receive the reflected ultrasonic waves from the wafer. Further, the size of the ultrasonic irradiation cross-section S on the horizontal level surface of the wafer is set so as to be in contact with the flat contour L1 of the notch as shown in FIG. 7, but is not limited to this. The diameter of the irradiation cross section S may be increased or decreased as long as the change in the reflection amount of the ultrasonic wave can be captured when the notch 18A passes through the measurement section. The center O may be moved outward or inward in the radial direction of the wafer for measurement. Further, in the above embodiment, the case where the orientation flat of the 6-inch wafer is detected as the notch has been described, but the present invention is not limited to this, and as a notch formed in, for example, an 8-inch wafer as shown in FIG. It can also be applied to the case of detecting a relatively small semicircular notch 81. In this case, the size of the ultrasonic irradiation cross section on the horizontal level surface of the wafer is set to be small so that the fluctuation amount of the reflected ultrasonic waves can be sufficiently detected, and the change in the size of the wafer diameter can be dealt with. First, the ultrasonic transmitter 54 and the receiver 56 are configured to be movable in the radial direction of the wafer.

【0022】更に、以上の実施例にあっては、測定波と
して超音波を用いたが、これに換えて、図10に示すよ
うに第2の発明として光を用いるようにしてもよい。す
なわち、ウエハ18の周辺部の上方に超音波送信部に換
えて例えば赤色の光Hを発するLEDよりなる光送信部
82を設置し、またウエハからの反射光を受ける部材と
して超音波受信部に換えて例えば受光素子のような光受
信部84を設け、ウエハ周辺部より反射する反射光を受
信部84で受けてこれを光電変換するように構成する。
この光受信部84の後段の構成は先に説明した図1に示
す構成と全く同様に構成し、同様な信号処理を行う。こ
の場合、ウエハの水平レベル面における照射断面の直径
は、超音波の場合よりも小さい、直径2mm程度に設定
でき、従って、8インチウエハのノッチのように切欠き
の面積が比較的小さい場合に適用すると超音波のときよ
りも出力変動率が大きくなり、検出精度を向上させるこ
とが可能となる。また更に、以上の実施例にあってはほ
ぼ円形の半導体ウエハの切欠きを検出する場合について
説明したが、これに限定されず、例えばガラス基板上に
膜付けされたLCD基板等にも本発明を適用することが
できる。尚、本発明は、プローブ装置のみならず、他の
位置合わせを必要とする処理装置、例えばエッチング装
置等にも適用することができるのは勿論である。
Further, in the above embodiment, the ultrasonic wave was used as the measurement wave, but instead of this, light may be used as the second invention as shown in FIG. That is, instead of the ultrasonic wave transmitting unit, a light transmitting unit 82 including an LED that emits red light H is installed above the peripheral portion of the wafer 18, and the ultrasonic wave receiving unit serves as a member that receives reflected light from the wafer. Instead, for example, a light receiving section 84 such as a light receiving element is provided, and the receiving section 84 receives the reflected light reflected from the peripheral portion of the wafer and photoelectrically converts it.
The configuration of the latter stage of the light receiving unit 84 is exactly the same as the configuration shown in FIG. 1 described above, and performs the same signal processing. In this case, the diameter of the irradiation cross section on the horizontal level surface of the wafer can be set to about 2 mm in diameter, which is smaller than that in the case of ultrasonic waves. Therefore, when the notch area is relatively small like the notch of an 8-inch wafer. When applied, the output fluctuation rate becomes larger than that in the case of ultrasonic waves, and it becomes possible to improve the detection accuracy. Furthermore, in the above embodiments, the case where the notch of the substantially circular semiconductor wafer is detected has been described, but the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to, for example, an LCD substrate or the like formed on a glass substrate. Can be applied. It is needless to say that the present invention can be applied not only to the probe device, but also to other processing devices that require alignment, such as etching devices.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような優れた作用効果を発揮することができる。被処
理体の周辺部の表面に超音波や光を照射してその反射量
を検出するようにしたので、被処理体の材料が透明であ
るか否かにかかわらず切欠きの位置を確実に検出するこ
とができ、この切欠きの位置の方向付けを精度良く行う
ことができる。
As described above, according to the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. Since the surface of the peripheral part of the object to be processed is irradiated with ultrasonic waves or light and the amount of reflection is detected, the position of the notch can be reliably ensured regardless of whether the material of the object to be processed is transparent or not. It can be detected, and the orientation of the position of the notch can be accurately performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る位置合わせ装置を示す構成図であ
る。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a positioning device according to the present invention.

【図2】図1に示す位置合わせ装置を示す概略構成図で
ある。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing the alignment device shown in FIG.

【図3】図1に示す位置合わせ装置を備えたプローブ装
置を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a probe device including the alignment device shown in FIG.

【図4】図3のプローブ装置を示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing the probe device of FIG.

【図5】図3のプローブ装置のローダ部を示す説明図で
ある。
5 is an explanatory diagram showing a loader section of the probe device of FIG. 3. FIG.

【図6】被処理体の一部を示す部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view showing a part of the object to be processed.

【図7】被処理体の切欠きを示す拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view showing a notch in the object to be processed.

【図8】超音波受信部の出力波型を示す波形図である。FIG. 8 is a waveform diagram showing an output waveform of an ultrasonic wave receiving unit.

【図9】被処理体の他の種類の切欠きを示す拡大図であ
る。
FIG. 9 is an enlarged view showing another type of notch in the object to be processed.

【図10】第2の発明の要部を示す拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view showing a main part of the second invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 位置合わせ装置 4 プローブ装置 18 半導体ウエハ(被処理体) 18A 切欠き 20 真空吸着ピンセット 30 プリアライメントステージ 50 回転手段 52 回転角度検知手段 54 超音波送信部 56 超音波受信部 58 制御部 82 光送信部 84 光受信部 H 光 L 輪郭 L1 フラット状輪郭 M 超音波 S 照射断面 2 Positioning device 4 Probe device 18 Semiconductor wafer (object to be processed) 18A Notch 20 Vacuum suction tweezers 30 Pre-alignment stage 50 Rotating means 52 Rotation angle detecting means 54 Ultrasonic wave transmitting section 56 Ultrasonic wave receiving section 58 Control section 82 Optical transmission Section 84 light receiving section H light L contour L1 flat contour M ultrasonic wave S irradiation cross section

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 切欠きを有する被処理体を回転させる回
転手段と、前記回転手段の回転角度を検知するための回
転角度検知手段と、前記被処理体の表面の切欠きを含ま
ない輪郭を跨ぐような照射断面となるように超音波を照
射する超音波送信部と、前記被処理体の周辺部から反射
する超音波を受信する超音波受信部と、前記超音波受信
部の出力と前記回転角度検知手段の出力とに基づいて前
記被処理体の切欠きの位置を認識すると共に、前記認識
された切欠きの位置に基づいて前記回転手段を操作する
ことにより前記被処理体の切欠きを所定の位置に方向付
けするための制御部とを備えるように構成したことを特
徴とする位置合わせ装置。
1. A rotating means for rotating an object to be processed having a notch, a rotation angle detecting means for detecting a rotation angle of the rotating means, and a contour not including a notch on a surface of the object to be processed. An ultrasonic wave transmitting unit that irradiates ultrasonic waves so as to have an irradiation cross section that straddles, an ultrasonic wave receiving unit that receives ultrasonic waves reflected from the peripheral portion of the object to be processed, an output of the ultrasonic wave receiving unit, and the The position of the notch of the object to be processed is recognized based on the output of the rotation angle detection means, and the notch of the object to be processed is operated by operating the rotating means based on the position of the recognized notch. And a control unit for directing the to a predetermined position.
【請求項2】 切欠きを有する被処理体を回転させる回
転手段と、前記回転手段の回転角度を検知するための回
転角度検知手段と、前記被処理体の表面の切欠きを含ま
ない輪郭を跨ぐような照射断面となるように光を照射す
る光送信部と、前記被処理体の周辺部から反射する光を
受信する光受信部と、前記光受信部の出力と前記回転角
度検知手段の出力とに基づいて前記被処理体の切欠きの
位置を認識すると共に、前記認識された切欠きの位置に
基づいて前記回転手段を操作することにより前記被処理
体の切欠きを所定の位置に方向付けするための制御部と
を備えるように構成したことを特徴とする位置合わせ装
置。
2. A rotating means for rotating an object to be processed having a notch, a rotation angle detecting means for detecting a rotation angle of the rotating means, and a contour not including a notch on a surface of the object to be processed. A light transmitting unit that irradiates light so as to have an irradiation cross section that straddles, a light receiving unit that receives light reflected from the peripheral portion of the object to be processed, the output of the light receiving unit, and the rotation angle detection unit. While recognizing the position of the notch of the object to be processed based on the output, by operating the rotating means based on the position of the recognized notch to position the notch of the object to be processed to a predetermined position. An alignment device configured to include a control unit for directing.
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